JP2018032833A - ウェハの表面処理装置 - Google Patents
ウェハの表面処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018032833A JP2018032833A JP2016166281A JP2016166281A JP2018032833A JP 2018032833 A JP2018032833 A JP 2018032833A JP 2016166281 A JP2016166281 A JP 2016166281A JP 2016166281 A JP2016166281 A JP 2016166281A JP 2018032833 A JP2018032833 A JP 2018032833A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- wafer
- abrasive grains
- surface treatment
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000005247 gettering Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 claims description 4
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 113
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
11a、11b カセット
12a〜12d チャック部(基板保持機構)
13 ターンテーブル
14 洗浄ユニット
15 搬送ロボット
16 粗研削ユニット
17 仕上げ研削ユニット
18 研磨・テクスチャリングユニット
20 EGパッドユニット
21 アーム
22 モータ
22a 出力軸
23 パッド支持体
24 サブパッド
25 樹脂性接着剤
26 EGパッド(表面処理パッド)
26a 加工面
27 樹脂性接着剤
28 供給ライン
30 パットドレスユニット
31 支持部材
32 ドレッサヘッド
33 研磨層
43 EG層
50 チルト機構
51 固定支持部
52 可動支持部
53 チルトテーブル
A1 固定砥粒
A2 遊離砥粒
Claims (5)
- 表面にデバイス領域が形成されたウェハの裏面を鏡面状に仕上げ研磨すると共にゲッタリング層を生成するウェハの表面処理装置であって、
前記ウェハを保持して回転させる基板保持機構と、
該基板保持機構に対向して配置され、砥粒を混入した樹脂材をパッド基材に含浸させて成るEGパッドを有する表面処理パッドと、
前記基板保持機構と前記EGパッドとの間にアルカリ性の研磨助剤を供給する研磨助剤供給機構と、
を備え、
前記研磨助剤が前記樹脂材を加水分解させて前記砥粒の少なくとも一部を前記表面処理パッドから遊離させて、前記EGパッドで前記ウェハを押圧すると共に前記基板保持機構及び前記EGパッドを回転させることにより、前記ウェハに前記ゲッタリング層を生成することを特徴とするウェハの表面処理装置。 - 前記樹脂材は、ポリウレタン樹脂であることを特徴とする請求項1記載のウェハの表面処理装置。
- 前記基板保持機構及び前記表面処理パッドは、相対的に逆回転することを特徴とする請求項1又は2記載のウェハの表面処理装置。
- 前記表面処理パッドは、前記基板保持機構の上方に配置されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項記載のウェハの表面処理装置。
- 前記表面処理パッドは、
前記EGパッドを支持するパッド支持体と、
前記EGパッドと前記パッド支持体との間に介装され、前記EGパッドより軟らかいサブパッドと、
を備えていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項記載のウェハの表面処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016166281A JP6843554B2 (ja) | 2016-08-26 | 2016-08-26 | ウェハの表面処理装置 |
JP2020150419A JP6963075B2 (ja) | 2016-08-26 | 2020-09-08 | ウェハの表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016166281A JP6843554B2 (ja) | 2016-08-26 | 2016-08-26 | ウェハの表面処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020150419A Division JP6963075B2 (ja) | 2016-08-26 | 2020-09-08 | ウェハの表面処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018032833A true JP2018032833A (ja) | 2018-03-01 |
JP6843554B2 JP6843554B2 (ja) | 2021-03-17 |
Family
ID=61303625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016166281A Active JP6843554B2 (ja) | 2016-08-26 | 2016-08-26 | ウェハの表面処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6843554B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018056496A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001277304A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体ウエハ用研磨パッドの製造法 |
JP2007242902A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2011082470A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-04-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ処理方法およびウェーハ処理装置 |
JP2012130992A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Fujibo Holdings Inc | 研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法 |
WO2015002199A1 (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-08 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
-
2016
- 2016-08-26 JP JP2016166281A patent/JP6843554B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001277304A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体ウエハ用研磨パッドの製造法 |
JP2007242902A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2011082470A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-04-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ処理方法およびウェーハ処理装置 |
JP2012130992A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Fujibo Holdings Inc | 研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法 |
WO2015002199A1 (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-08 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018056496A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6843554B2 (ja) | 2021-03-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3645528B2 (ja) | 研磨方法及び半導体装置の製造方法 | |
US9293318B2 (en) | Semiconductor wafer manufacturing method | |
JPH09270401A (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
JP2010225987A (ja) | ウェーハの研磨方法及び研磨パッド | |
US20220016741A1 (en) | Workpiece grinding method | |
JP2011165994A (ja) | 半導体基板の平坦化加工装置 | |
JP2011082470A (ja) | ウェーハ処理方法およびウェーハ処理装置 | |
JP2008084930A (ja) | 半導体ウェーハの加工方法 | |
JP6963075B2 (ja) | ウェハの表面処理装置 | |
JP6345988B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6045926B2 (ja) | 研削研磨装置 | |
JP2012074545A (ja) | 保護フィルム貼付半導体基板の裏面研削方法 | |
JP6843554B2 (ja) | ウェハの表面処理装置 | |
JP6717706B2 (ja) | ウェハの表面処理装置 | |
JP6941420B2 (ja) | ウェハの表面処理装置 | |
JP2018056500A (ja) | 板状物の加工方法 | |
JP2002273657A (ja) | Cmp加工用ドレッサ | |
JP6843553B2 (ja) | ウェハの表面処理方法 | |
JP2011155095A (ja) | 半導体基板の平坦化加工装置およびそれに用いる仮置台定盤 | |
WO2000024548A1 (fr) | Dispositif de polissage et procede de fabrication de semi-conducteurs au moyen dudit dispositif | |
US12030157B2 (en) | Processing method | |
JP7301472B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
US20230142939A1 (en) | MANUFACTURING METHOD OF SiC SUBSTRATE | |
JP6698475B2 (ja) | ウェハの表面処理装置 | |
US20220339753A1 (en) | Processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190528 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200423 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200609 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20200908 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20201104 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20201222 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20210126 |
|
C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20210126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210224 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6843554 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |