JPS6312741B2 - - Google Patents
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- JPS6312741B2 JPS6312741B2 JP57068161A JP6816182A JPS6312741B2 JP S6312741 B2 JPS6312741 B2 JP S6312741B2 JP 57068161 A JP57068161 A JP 57068161A JP 6816182 A JP6816182 A JP 6816182A JP S6312741 B2 JPS6312741 B2 JP S6312741B2
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- Japan
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- blade
- silicon wafer
- grinding
- grinding wheel
- ground
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02013—Grinding, lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D7/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
- B24D7/02—Wheels in one piece
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は、シリコンウエーハの面を研削する方
法、更に詳しくはシリコンウエーハの面を研削し
て所謂梨地面にせしめる方法に関する。
法、更に詳しくはシリコンウエーハの面を研削し
て所謂梨地面にせしめる方法に関する。
＜従来技術及びその問題点＞
周知の如く、シリコンウエーハの製造において
は、高純度シリコンから成る略円柱状のインゴツ
トを生成し、次いでこのインゴツトを適宜の厚さ
にスライスして多数枚の略円板状のシリコンウエ
ーハを生成する。しかる後に、各シリコンウエー
ハの両面を砥粒加工し、次いで各シリコンウエー
ハを適宜の混酸溶液に浸漬せしめてその両面をエ
ツチング処理し、そして更に各シリコンウエーハ
の片面をポリツシングして鏡面にせしめる。かよ
うにして製造されたシリコンウエーハの上記片面
即ち鏡面には印刷等によつて回路が施されるが、
回路を施した後にシリコンウエーハの地面を更に
砥粒加工することも少なくない。
は、高純度シリコンから成る略円柱状のインゴツ
トを生成し、次いでこのインゴツトを適宜の厚さ
にスライスして多数枚の略円板状のシリコンウエ
ーハを生成する。しかる後に、各シリコンウエー
ハの両面を砥粒加工し、次いで各シリコンウエー
ハを適宜の混酸溶液に浸漬せしめてその両面をエ
ツチング処理し、そして更に各シリコンウエーハ
の片面をポリツシングして鏡面にせしめる。かよ
うにして製造されたシリコンウエーハの上記片面
即ち鏡面には印刷等によつて回路が施されるが、
回路を施した後にシリコンウエーハの地面を更に
砥粒加工することも少なくない。
而して、シリコンウエーハの面の砥粒加工、殊
に回路を施す前のシリコンウエーハの両面の砥粒
加工においては、砥粒加工によつて梨地面にせし
めることが一般に重要であると考えられている。
然るに、一般に、回転駆動される固定砥粒を用い
てシリコンウエーハの面を研削すると、研削され
た面に相当顕著な所謂ソーマークが生成され、か
かるソーマークに起因してシリコンウエーハに望
ましくない方向性が生ずる。そこで、従来は、遊
離砥粒を用いる所謂ラツピングによつてシリコン
ウエーハの両面を砥粒加工していた。ラツピング
は、通常、シリコンウエーハの両面とこれらに対
向して位置するラツピング板との間に遊離砥粒を
含有したラツピング液を介在せしめ、シリコンウ
エーハとラツピング板とを適宜の圧力で相互に押
付けながら相対的に移動せしめることによつて遂
行される。かようなラツピングによれば、シリコ
ンウエーハの面をソーマークが実質上存在しない
梨地面にせしめることができる。
に回路を施す前のシリコンウエーハの両面の砥粒
加工においては、砥粒加工によつて梨地面にせし
めることが一般に重要であると考えられている。
然るに、一般に、回転駆動される固定砥粒を用い
てシリコンウエーハの面を研削すると、研削され
た面に相当顕著な所謂ソーマークが生成され、か
かるソーマークに起因してシリコンウエーハに望
ましくない方向性が生ずる。そこで、従来は、遊
離砥粒を用いる所謂ラツピングによつてシリコン
ウエーハの両面を砥粒加工していた。ラツピング
は、通常、シリコンウエーハの両面とこれらに対
向して位置するラツピング板との間に遊離砥粒を
含有したラツピング液を介在せしめ、シリコンウ
エーハとラツピング板とを適宜の圧力で相互に押
付けながら相対的に移動せしめることによつて遂
行される。かようなラツピングによれば、シリコ
ンウエーハの面をソーマークが実質上存在しない
梨地面にせしめることができる。
しかしながら、上記ラツピングには、(イ)固定砥
粒を用いる場合に比べて作業能率が相当低い、(ロ)
ラツピング液によつてシリコンウエーハが汚染さ
れ、それ故にラツピングの後に比較的煩雑なシリ
コンウエーハ板洗浄及び乾燥工程を遂行しなけれ
ばならない、(ハ)自動化が困難である、という欠点
乃至問題がある。
粒を用いる場合に比べて作業能率が相当低い、(ロ)
ラツピング液によつてシリコンウエーハが汚染さ
れ、それ故にラツピングの後に比較的煩雑なシリ
コンウエーハ板洗浄及び乾燥工程を遂行しなけれ
ばならない、(ハ)自動化が困難である、という欠点
乃至問題がある。
＜発明の技術的課題＞
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであ
り、その主たる技術的課題はシリコンウエーハを
汚染する等の問題を生ぜしめることなく、充分な
作業効率で且つ容易に自動化可能な様式でシリコ
ンウエーハの面を研削して、ソーマークが実質上
皆無或いは存在するとしても僅かである梨地面に
せしめることができる、新規且つ優れたシリコン
ウエーハの面を研削する方法を提供することであ
る。
り、その主たる技術的課題はシリコンウエーハを
汚染する等の問題を生ぜしめることなく、充分な
作業効率で且つ容易に自動化可能な様式でシリコ
ンウエーハの面を研削して、ソーマークが実質上
皆無或いは存在するとしても僅かである梨地面に
せしめることができる、新規且つ優れたシリコン
ウエーハの面を研削する方法を提供することであ
る。
＜発明の解決手段＞
本発明者は、鋭意研究及び実験を重ねた結果と
して、驚くべきことに、従来は、回転駆動される
固定ダイヤモンド砥粒製ブレードを用いてシリコ
ンウエーハの面を研削すると、研削された面に必
然的に相当顕著なソーマークが生成されると、考
えられていたが、ブレードによつてシリコンウエ
ーハの面を研削するのに先立つて、ブレードによ
つてシリコンウエーハを研削する際と実質上同一
の様式によつて、ブレードによつて特定のドレツ
サ即ち固定アランダム系砥粒製ドレツサを研削
し、これによつてブレードをドレツシングする
と、ソーマークを実質上生成せしめることなく或
いは生成されるとしても僅かにせしめて、シリコ
ンウエーハの面をブレードによつて充分良好に梨
地面に研削することができることを見出した。
して、驚くべきことに、従来は、回転駆動される
固定ダイヤモンド砥粒製ブレードを用いてシリコ
ンウエーハの面を研削すると、研削された面に必
然的に相当顕著なソーマークが生成されると、考
えられていたが、ブレードによつてシリコンウエ
ーハの面を研削するのに先立つて、ブレードによ
つてシリコンウエーハを研削する際と実質上同一
の様式によつて、ブレードによつて特定のドレツ
サ即ち固定アランダム系砥粒製ドレツサを研削
し、これによつてブレードをドレツシングする
と、ソーマークを実質上生成せしめることなく或
いは生成されるとしても僅かにせしめて、シリコ
ンウエーハの面をブレードによつて充分良好に梨
地面に研削することができることを見出した。
即ち、本発明によれば、固定ダイヤモンド砥粒
製ブレードをその回転軸線がシリコンウエーハの
面に対して略垂直になるように配置し、該ブレー
ドを回転駆動すると共に、該ブレードと該シリコ
ンウエーハとを該ブレードの該回転軸線に対して
略垂直な方向に相対的に移動せしめて、該シリコ
ンウエーハの面を該ブレードによつて研削する方
法において； 該シリコンウエーハの面を該ブレードによつて
研削するのに先立つて、該シリコンウエーハの面
を研削する際と実質上同様に、該ブレードを回転
駆動すると共に、該ブレードと固定アランダム系
砥粒製ドレツサとを該ブレードの該回転軸線に対
して略垂直な方向に相対的に移動せしめて、該ド
レツサを該ブレードによつて研削し、これによつ
て該ブレードをドレツシングする、ことを特徴と
する方法が提供される。
製ブレードをその回転軸線がシリコンウエーハの
面に対して略垂直になるように配置し、該ブレー
ドを回転駆動すると共に、該ブレードと該シリコ
ンウエーハとを該ブレードの該回転軸線に対して
略垂直な方向に相対的に移動せしめて、該シリコ
ンウエーハの面を該ブレードによつて研削する方
法において； 該シリコンウエーハの面を該ブレードによつて
研削するのに先立つて、該シリコンウエーハの面
を研削する際と実質上同様に、該ブレードを回転
駆動すると共に、該ブレードと固定アランダム系
砥粒製ドレツサとを該ブレードの該回転軸線に対
して略垂直な方向に相対的に移動せしめて、該ド
レツサを該ブレードによつて研削し、これによつ
て該ブレードをドレツシングする、ことを特徴と
する方法が提供される。
＜発明の好適具体例＞
以下、添付図面を参照して、本発明の好適具体
例について詳細に説明する。
例について詳細に説明する。
第１図は、本発明の方法に使用し得る研削ホイ
ールの一具体例を図示している。図示の研削ホイ
ールは、円形基部とこの基部の周縁から垂下する
円筒形垂下部とを有する支持部材２を具備してい
る。支持部材２の基板の中心部は適宜の方式によ
つて回転軸に装着される。支持部材２の自由端縁
部即ち垂下部には、ブレード１が設けられてい
る。このブレード１は、固定ダイヤモンド砥粒製
であることが重要である。熱硬化性樹脂剤を使用
する所謂レジンボンド法或いはその他のボンド法
によつて天然又は合成ダイヤモンド砥粒を結合す
ることによつて形成し、次いで支持部材２の所定
位置に固着することもできるが、ニツケルイオン
を含む電解液等を使用するそれ自体は公知の電着
法によつて、支持部材２の所定位置に直接的に、
天然又は合成ダイヤモンド砥粒を結合してブレー
ド１を形成すると同時に固着するのが好都合であ
る。
ールの一具体例を図示している。図示の研削ホイ
ールは、円形基部とこの基部の周縁から垂下する
円筒形垂下部とを有する支持部材２を具備してい
る。支持部材２の基板の中心部は適宜の方式によ
つて回転軸に装着される。支持部材２の自由端縁
部即ち垂下部には、ブレード１が設けられてい
る。このブレード１は、固定ダイヤモンド砥粒製
であることが重要である。熱硬化性樹脂剤を使用
する所謂レジンボンド法或いはその他のボンド法
によつて天然又は合成ダイヤモンド砥粒を結合す
ることによつて形成し、次いで支持部材２の所定
位置に固着することもできるが、ニツケルイオン
を含む電解液等を使用するそれ自体は公知の電着
法によつて、支持部材２の所定位置に直接的に、
天然又は合成ダイヤモンド砥粒を結合してブレー
ド１を形成すると同時に固着するのが好都合であ
る。
図示の具体例においては、支持部材２の垂下部
の下面は、半径方向外方及び下方へ傾斜せしめら
れている。そして、ブレード１は、支持部材２の
垂下部の内面及び傾斜下面に沿つて延在する被固
着部と、支持部材２の垂下部の外面下端を越えて
半径方向外方及び下方へ傾斜して延びる自由端部
とを有する。ブレード１の自由端部の傾斜角度
（即ち研削すべき面とブレード１の自由端部とが
成す角度）は、45度程度であるのが好都合であ
る。必ずしも必要なことではないが、ブレード１
は、支持部材２の垂下部の全周に渡つて連続して
延びる環形状であるのが好ましい。
の下面は、半径方向外方及び下方へ傾斜せしめら
れている。そして、ブレード１は、支持部材２の
垂下部の内面及び傾斜下面に沿つて延在する被固
着部と、支持部材２の垂下部の外面下端を越えて
半径方向外方及び下方へ傾斜して延びる自由端部
とを有する。ブレード１の自由端部の傾斜角度
（即ち研削すべき面とブレード１の自由端部とが
成す角度）は、45度程度であるのが好都合であ
る。必ずしも必要なことではないが、ブレード１
は、支持部材２の垂下部の全周に渡つて連続して
延びる環形状であるのが好ましい。
第４図は、本発明の方法に使用し得る研削ホイ
ールのもう一つの具体例を図示している。第４図
に図示する研削ホイールにおいては、支持部材２
の垂下部の下面は、回転軸線（即ち研削ホイール
が装着される回転軸の中心軸線）に対して実質上
垂直に延びている。そして、支持部材２の垂下部
のかような下面に沿つて延在する環状平板形状の
ブレード１が設けられている。第４図に図示する
研削ホイールの上述した点以外は、第１図に図示
する研削ホイールと実質上同一である。
ールのもう一つの具体例を図示している。第４図
に図示する研削ホイールにおいては、支持部材２
の垂下部の下面は、回転軸線（即ち研削ホイール
が装着される回転軸の中心軸線）に対して実質上
垂直に延びている。そして、支持部材２の垂下部
のかような下面に沿つて延在する環状平板形状の
ブレード１が設けられている。第４図に図示する
研削ホイールの上述した点以外は、第１図に図示
する研削ホイールと実質上同一である。
本発明の方法においては、上述した研削ホイー
ルのブレード１によつてシリコンウエーハの面を
研削するに先立つて、固定アランダム系砥粒製ド
レツサによつて研削ホイールのブレード１をドレ
ツシングすることが重要である。
ルのブレード１によつてシリコンウエーハの面を
研削するに先立つて、固定アランダム系砥粒製ド
レツサによつて研削ホイールのブレード１をドレ
ツシングすることが重要である。
第２図を参照して研削ホイールのブレード１を
ドレツシングする様式の一例について説明する
と、ドレツサ４は、基台８とこの基台８上に位置
する保持板３とを有するそれ自体は公知の保持具
によつて保持される。基台８には、その上面に凹
部が形成されていると共に、この凹部から下方に
延びる通路が形成されている。保持板３は、多孔
性材料から形成された主部とこの主部の周縁に固
定された外側部とを有し、外側部の下面を基台８
の上面に固着することによつて基台８上に固定さ
れ、主部が上記凹部を覆う。ドレツサ４は、保持
板３上に載置されてその主部を覆う。上記通路は
真空源に接続され、従つて上記通路、凹部及び保
持板３の主部を通して空気が吸引され、かくして
保持板３上にドレツサ４が吸着保持される。
ドレツシングする様式の一例について説明する
と、ドレツサ４は、基台８とこの基台８上に位置
する保持板３とを有するそれ自体は公知の保持具
によつて保持される。基台８には、その上面に凹
部が形成されていると共に、この凹部から下方に
延びる通路が形成されている。保持板３は、多孔
性材料から形成された主部とこの主部の周縁に固
定された外側部とを有し、外側部の下面を基台８
の上面に固着することによつて基台８上に固定さ
れ、主部が上記凹部を覆う。ドレツサ４は、保持
板３上に載置されてその主部を覆う。上記通路は
真空源に接続され、従つて上記通路、凹部及び保
持板３の主部を通して空気が吸引され、かくして
保持板３上にドレツサ４が吸着保持される。
ドレツサ４自体は、固定アランダム系砥粒製で
あること、即ちホワイトアランダム（WA）砥粒
の如きアランダム系砥粒をレジンボンド法或いは
その他のボンド法によつて結合することによつて
形成されたものであることが重要である。
あること、即ちホワイトアランダム（WA）砥粒
の如きアランダム系砥粒をレジンボンド法或いは
その他のボンド法によつて結合することによつて
形成されたものであることが重要である。
研削ホイールは、その回転軸線がドレツサ４の
上面に対して略垂直になるように配設され、回転
軸に駆動連結された電動モータの如き駆動源（図
示していない）によつて所要速度で回転駆動され
る。そして、例えば保持具を第２図において右方
へ移動せしめることによつて、研削ホイールの回
転軸線に対して略垂直な方向、従つてドレツサ４
の上面に実質上平行な方向に、研削ホイールのブ
レード１とドレツサ４とが相対的に移動せしめら
れる。かくして、例えば数μm乃至数百μm程度で
よい研削深さt1でドレツサ４が研削され、これに
よつてブレード１がドレツシングされる。
上面に対して略垂直になるように配設され、回転
軸に駆動連結された電動モータの如き駆動源（図
示していない）によつて所要速度で回転駆動され
る。そして、例えば保持具を第２図において右方
へ移動せしめることによつて、研削ホイールの回
転軸線に対して略垂直な方向、従つてドレツサ４
の上面に実質上平行な方向に、研削ホイールのブ
レード１とドレツサ４とが相対的に移動せしめら
れる。かくして、例えば数μm乃至数百μm程度で
よい研削深さt1でドレツサ４が研削され、これに
よつてブレード１がドレツシングされる。
本発明の方法においては、上述したドレツシン
グの後に、研削ホイールのドレツシングされたブ
レード１によつてシリコンウエーハの面を研削す
る。
グの後に、研削ホイールのドレツシングされたブ
レード１によつてシリコンウエーハの面を研削す
る。
第３図は、研削ホイールのブレード１によつて
シリコンウエーハ６の上面を研削する様式の一例
を図示している。第２図と第３図とを比較参照す
ることによつて容易に理解される如く、シリコン
ウエーハ６の上面の研削は、上述したドレツシン
グと実質上同様な様式で遂行される。即ち、略円
板形状でよいシリコンウエーハ６は、その研削す
べき面を上方に向けて保持具の保持板３上に載置
され、かくして保持板３上に吸着保持される。研
削ホイールは、その回転軸線がシリコンウエーハ
６の上面に対して略垂直になるように配設され
る。そして、研削ホイールが所要速度で回転駆動
されると共に、例えば保持具を第３図において右
方へ移動せしめることによつて、研削ホイールの
回転軸線に対して略垂直な方向、従つてシリコン
ウエーハ６の上面に実質上平行な方向に、研削ホ
イールのブレード１とシリコンウエーハ６とが相
対的に移動せしめられる。かくして、研削深さt2
でシリコンウエーハ６の上面が研削される。研削
深さt2は必要に応じて例えば数μm乃至数百μmに
設定することができる。
シリコンウエーハ６の上面を研削する様式の一例
を図示している。第２図と第３図とを比較参照す
ることによつて容易に理解される如く、シリコン
ウエーハ６の上面の研削は、上述したドレツシン
グと実質上同様な様式で遂行される。即ち、略円
板形状でよいシリコンウエーハ６は、その研削す
べき面を上方に向けて保持具の保持板３上に載置
され、かくして保持板３上に吸着保持される。研
削ホイールは、その回転軸線がシリコンウエーハ
６の上面に対して略垂直になるように配設され
る。そして、研削ホイールが所要速度で回転駆動
されると共に、例えば保持具を第３図において右
方へ移動せしめることによつて、研削ホイールの
回転軸線に対して略垂直な方向、従つてシリコン
ウエーハ６の上面に実質上平行な方向に、研削ホ
イールのブレード１とシリコンウエーハ６とが相
対的に移動せしめられる。かくして、研削深さt2
でシリコンウエーハ６の上面が研削される。研削
深さt2は必要に応じて例えば数μm乃至数百μmに
設定することができる。
第４図に図示する研削ホイールを使用する場合
も、上述した場合と同様にして、ブレード１をド
レツシングし、しかる後にシリコンウエーハ６の
上面を研削することができる。但し、第４図に図
示する研削ホイールを使用する場合には、ブレー
ド１とシリコンウエーハ６との接触面積が比較的
大きいこと等に起因して、研削深さt2数μmに制
限される傾向がある。
も、上述した場合と同様にして、ブレード１をド
レツシングし、しかる後にシリコンウエーハ６の
上面を研削することができる。但し、第４図に図
示する研削ホイールを使用する場合には、ブレー
ド１とシリコンウエーハ６との接触面積が比較的
大きいこと等に起因して、研削深さt2数μmに制
限される傾向がある。
上述した通りの本発明の方法によれば、後述す
る実施例から明らかな通り、シリコンウエーハ６
の面を研削して、ソーマークが実質上皆無或いは
存在するとしても僅かでである充分良好な梨地面
にせしめることができる。ブレード１をドレツシ
ングした後にシリコンウエーハ６の面の研削を多
数回（例えば1000回程度）繰返し遂行すると、次
第に研削した面にソーマークが現出してくる傾向
があるが、かかる場合にはブレード１を再びドレ
ツシングすればよい。
る実施例から明らかな通り、シリコンウエーハ６
の面を研削して、ソーマークが実質上皆無或いは
存在するとしても僅かでである充分良好な梨地面
にせしめることができる。ブレード１をドレツシ
ングした後にシリコンウエーハ６の面の研削を多
数回（例えば1000回程度）繰返し遂行すると、次
第に研削した面にソーマークが現出してくる傾向
があるが、かかる場合にはブレード１を再びドレ
ツシングすればよい。
＜実施例及び比較例＞
次に、本発明の実施例及び比較例について述べ
る。
る。
実施例
ニツケルイオンを含む電解液を使用する公知の
電着法によつて、第１図に図示する通りの形態の
研削ホイールを製作した。この際、ブレードを形
成するダイヤモンド砥粒として、U.S.メツシユ番
号で400（従つて粒径30乃至40μm）の合成ダイヤ
モンド砥粒を用いた。製作した研削ホイールにお
けるブレードの自由端部の厚さは300μm、ブレー
ドの自由端部の傾斜角度（即ち研削すべき面とブ
レードの自由端部とが成す角度）は45度、ブレー
ドの自由端の外径200mmであつた。
電着法によつて、第１図に図示する通りの形態の
研削ホイールを製作した。この際、ブレードを形
成するダイヤモンド砥粒として、U.S.メツシユ番
号で400（従つて粒径30乃至40μm）の合成ダイヤ
モンド砥粒を用いた。製作した研削ホイールにお
けるブレードの自由端部の厚さは300μm、ブレー
ドの自由端部の傾斜角度（即ち研削すべき面とブ
レードの自由端部とが成す角度）は45度、ブレー
ドの自由端の外径200mmであつた。
上記研削ホイールのブレードを第２図を参照し
て説明した通りの様式によつてドレツシングし
た。この際には、国際的に慣用されている表示法
でWA320NB（即ち、U.S.メツシユ番号で320のホ
ワイトアランダム砥粒を結合度Ｎでレジンボンド
したもの）であり、厚さ１mmの円板状ドレツサを
使用した。ブレードを2000rpmの速度で回転せし
め、ドレツサを保持した保持具を第２図において
右方へ150mm／minの速度で移動せしめた。研削
深さt1（第２図）は50μmであり、研削域には冷却
水を噴射した。
て説明した通りの様式によつてドレツシングし
た。この際には、国際的に慣用されている表示法
でWA320NB（即ち、U.S.メツシユ番号で320のホ
ワイトアランダム砥粒を結合度Ｎでレジンボンド
したもの）であり、厚さ１mmの円板状ドレツサを
使用した。ブレードを2000rpmの速度で回転せし
め、ドレツサを保持した保持具を第２図において
右方へ150mm／minの速度で移動せしめた。研削
深さt1（第２図）は50μmであり、研削域には冷却
水を噴射した。
上記ドレツシングの後に、第３図を参照して説
明した通りの様式によつて、略円板状のシリコン
ウエーハの片面を研削した。この際には、ブレー
ドを2000rpmの速度で回転せしめ、シリコンウエ
ーハを保持した保持具を第３図において右方へ
150mm／minの速度で移動せしめた。研削深さt2
（第３図）は15μmであり、研削域には冷却水を噴
射した。
明した通りの様式によつて、略円板状のシリコン
ウエーハの片面を研削した。この際には、ブレー
ドを2000rpmの速度で回転せしめ、シリコンウエ
ーハを保持した保持具を第３図において右方へ
150mm／minの速度で移動せしめた。研削深さt2
（第３図）は15μmであり、研削域には冷却水を噴
射した。
第６図ａ及びｂは、上記の通りにして研削した
シリコンウエーハの片面を200倍に拡大して示す
拡大平面図及び拡大断面図である。第６図ａ及び
ｂから明らかな如く、研削されたシリコンウエー
ハの片面は、ソーマークが実質上存在しない梨地
面であつた。
シリコンウエーハの片面を200倍に拡大して示す
拡大平面図及び拡大断面図である。第６図ａ及び
ｂから明らかな如く、研削されたシリコンウエー
ハの片面は、ソーマークが実質上存在しない梨地
面であつた。
比較例
実施例の研削ホイールと同一の研削ホイールの
ブレードを、使用したドレツサがGC320LV（即
ち、U.S.メツシユ番号で320のグリーンカーボラ
ンダム砥粒を結合度Ｌでビトリフアイドボンドし
たもの）であること以外は実施例と同様にしてド
レツシングした。
ブレードを、使用したドレツサがGC320LV（即
ち、U.S.メツシユ番号で320のグリーンカーボラ
ンダム砥粒を結合度Ｌでビトリフアイドボンドし
たもの）であること以外は実施例と同様にしてド
レツシングした。
しかる後に、実施例と同様にして、略円板状の
シリコンウエーハの片面を研削した。
シリコンウエーハの片面を研削した。
第５図ａ及びｂは、かくして研削されたシリコ
ンウエーハの片面を200倍に拡大して示す拡大平
面図及び拡大断面図である。第５図ａ及びｂから
明らかな如く、研削されたシリコンウエーハの片
面は、顕著なソーマークが存在する非梨地面であ
つた。
ンウエーハの片面を200倍に拡大して示す拡大平
面図及び拡大断面図である。第５図ａ及びｂから
明らかな如く、研削されたシリコンウエーハの片
面は、顕著なソーマークが存在する非梨地面であ
つた。
第１図は、本発明の方法に使用し得る研削ホイ
ールの一具体例を示す断面図。第２図は、本発明
に従つて、第１図の研削ホイールのブレードをド
レツシングする様式の一例を示す部分断面図。第
３図は、本発明に従つて、ブレードがドレツシン
グされた第１図の研削ホイールによつてシリコン
ウエーハの面を研削する様式の一例を示す部分断
面図。第４図は、本発明の方法に使用し得る研削
ホイールの他の具体例を示す断面図。第５図ａ及
びｂは、比較例において研削されたシリコンウエ
ーハの面を200倍に拡大して示す拡大平面図及び
拡大断面図。第６図ａ及びｂは、実施例において
研削されたシリコンウエーハの面を200倍に拡大
して示す拡大平面図及び拡大断面図。 １……ブレード、２……支持部材、４……ドレ
ツサ、６……シリコンウエーハ。
ールの一具体例を示す断面図。第２図は、本発明
に従つて、第１図の研削ホイールのブレードをド
レツシングする様式の一例を示す部分断面図。第
３図は、本発明に従つて、ブレードがドレツシン
グされた第１図の研削ホイールによつてシリコン
ウエーハの面を研削する様式の一例を示す部分断
面図。第４図は、本発明の方法に使用し得る研削
ホイールの他の具体例を示す断面図。第５図ａ及
びｂは、比較例において研削されたシリコンウエ
ーハの面を200倍に拡大して示す拡大平面図及び
拡大断面図。第６図ａ及びｂは、実施例において
研削されたシリコンウエーハの面を200倍に拡大
して示す拡大平面図及び拡大断面図。 １……ブレード、２……支持部材、４……ドレ
ツサ、６……シリコンウエーハ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 固定ダイヤモンド砥粒製ブレードをその回転
軸線がシリコンウエーハの面に対して略垂直にな
るように配置し、該ブレードを回転駆動すると共
に、該ブレードと該シリコンウエーハとを該ブレ
ードの該回転軸線に対して略垂直な方向に相対的
に移動せしめて、該シリコンウエーハの面を該ブ
レードによつて研削する方法において； 該シリコンウエーハの面を該ブレードによつて
研削するのに先立つて、該シリコンウエーハの面
を研削する際と実質上同様に、該ブレードを回転
駆動すると共に、該ブレードと固定アランダム系
砥粒製ドレツサとを該ブレードの該回転軸線に対
して略垂直な方向に相対的に移動せしめて、該ド
レツサを該ブレードによつて研削し、これによつ
て該ブレードをドレツシングする、ことを特徴と
する方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57068161A JPS58184727A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | シリコンウェ−ハの面を研削する方法 |
| US06/486,464 US4947598A (en) | 1982-04-23 | 1983-04-19 | Method for grinding the surface of a semiconductor wafer |
| DE8383103958T DE3364665D1 (en) | 1982-04-23 | 1983-04-22 | Method for grinding the surface of a semiconductor wafer |
| EP83103958A EP0092818B1 (en) | 1982-04-23 | 1983-04-22 | Method for grinding the surface of a semiconductor wafer |
| KR1019830001712A KR900001663B1 (ko) | 1982-04-23 | 1983-04-22 | 반도체 웨이퍼의 표면 연마방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57068161A JPS58184727A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | シリコンウェ−ハの面を研削する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58184727A JPS58184727A (ja) | 1983-10-28 |
| JPS6312741B2 true JPS6312741B2 (ja) | 1988-03-22 |
Family
ID=13365750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57068161A Granted JPS58184727A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | シリコンウェ−ハの面を研削する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4947598A (ja) |
| EP (1) | EP0092818B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58184727A (ja) |
| KR (1) | KR900001663B1 (ja) |
| DE (1) | DE3364665D1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62107909A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-19 | Disco Abrasive Sys Ltd | 二枚刃コアドリルの生産方法 |
| JP2610703B2 (ja) * | 1990-09-05 | 1997-05-14 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| US5081051A (en) * | 1990-09-12 | 1992-01-14 | Intel Corporation | Method for conditioning the surface of a polishing pad |
| DE4136566C1 (ja) * | 1991-11-07 | 1993-04-22 | Gmn Georg Mueller Nuernberg Ag, 8500 Nuernberg, De | |
| DE4335980C2 (de) * | 1993-10-21 | 1998-09-10 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zum Positionieren einer Werkstückhalterung |
| KR20010030567A (ko) * | 1997-08-21 | 2001-04-16 | 헨넬리 헬렌 에프 | 반도체 웨이퍼의 가공방법 |
| US5827111A (en) * | 1997-12-15 | 1998-10-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for grinding wafers |
| US5827112A (en) * | 1997-12-15 | 1998-10-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for grinding wafers |
| JP3770752B2 (ja) * | 1998-08-11 | 2006-04-26 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法及び加工装置 |
| US6214704B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-04-10 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage |
| US6283836B1 (en) * | 1999-03-08 | 2001-09-04 | Speedfam-Ipec Corporation | Non-abrasive conditioning for polishing pads |
| US6294469B1 (en) | 1999-05-21 | 2001-09-25 | Plasmasil, Llc | Silicon wafering process flow |
| EP1075898A3 (en) * | 1999-08-13 | 2003-11-05 | Mitsubishi Materials Corporation | Dresser and dressing apparatus |
| JP4387010B2 (ja) * | 1999-11-10 | 2009-12-16 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
| US6465353B1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-10-15 | International Rectifier Corporation | Process of thinning and blunting semiconductor wafer edge and resulting wafer |
| US20030209310A1 (en) * | 2002-05-13 | 2003-11-13 | Fuentes Anastacio C. | Apparatus, system and method to reduce wafer warpage |
| US7163441B2 (en) * | 2004-02-05 | 2007-01-16 | Robert Gerber | Semiconductor wafer grinder |
| US7011567B2 (en) * | 2004-02-05 | 2006-03-14 | Robert Gerber | Semiconductor wafer grinder |
| US9855966B2 (en) * | 2012-11-20 | 2018-01-02 | Glenn S. Welch | Sharpening tool, sharpening system and kit |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140285A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Hitachi Metals Ltd | Crystal processing method |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU393073A1 (ru) * | 1970-12-04 | 1973-08-10 | Способ повышения долговечности алмазных, например выглаживающих инструментов | |
| US4226055A (en) * | 1979-06-08 | 1980-10-07 | General Electric Company | Dressing and conditioning resin-bonded diamond grinding wheel |
| NL8006599A (nl) * | 1980-02-01 | 1981-09-01 | Disco Co Ltd | Slijpwiel voor vlakke platen alsmede werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
| JPS56152562A (en) * | 1980-04-24 | 1981-11-26 | Fujitsu Ltd | Grinder |
| FR2505713A1 (fr) * | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Procedes Equip Sciences Ind Sa | Porte-plaquette pour machines a polir des plaquettes minces, fragiles et deformables |
-
1982
- 1982-04-23 JP JP57068161A patent/JPS58184727A/ja active Granted
-
1983
- 1983-04-19 US US06/486,464 patent/US4947598A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-04-22 EP EP83103958A patent/EP0092818B1/en not_active Expired
- 1983-04-22 DE DE8383103958T patent/DE3364665D1/de not_active Expired
- 1983-04-22 KR KR1019830001712A patent/KR900001663B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140285A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Hitachi Metals Ltd | Crystal processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0092818A1 (en) | 1983-11-02 |
| JPS58184727A (ja) | 1983-10-28 |
| US4947598A (en) | 1990-08-14 |
| KR840004827A (ko) | 1984-10-24 |
| DE3364665D1 (en) | 1986-08-28 |
| EP0092818B1 (en) | 1986-07-23 |
| KR900001663B1 (ko) | 1990-03-17 |
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