KR840004827A - 반도체 웨이퍼의 표면 연마방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼의 표면 연마방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 웨이퍼의 표면 연마방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 방법에 사용되는 연마 휠의 실시예를 도시한 단면도.
제2도는 본 발명의 방법에 사용되는 연마 휠의 다른 실시예를 도시한 단면도.
제3도는 제1도에 도시한 연마 휠의 날(blade)을 드레싱하는 방법의 실시예를 도시한 부분 단면도.

Claims (22)

  1. 고성능의 연마제가 접착된 회전날도 반도체웨이퍼의 표면을 연마하기 위한 방법에 있어서, 웨이퍼 표면을 연마하기 전에 알런덤형 연마제가 접착된 드레서로 상기 회전날을 연마하는데 의해 상기 날을 드레싱하는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 표면 연마방법.
  2. 제1항의 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼의 연마시에 날은 그 회전축이 웨이퍼 표면에 거의 직교하도록 배치되고, 날과 반도체 웨이퍼는 날의 회전축에 직교하는 방향으로 상대적으로 미동되며, 날의 드레싱시에서 반도체 웨이퍼의 연마시와 같은 방법으로 날과 드레서가 날의 회전축에 거의 직교하는 방향으로 상대적으로 이동되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항의 방법에 있어서, 날에는 다이아몬드 연마제가 접착되어 있는 방법.
  4. 제3항의 방법에 있어서, 다이아몬드 연마제의 그레인 규격이 미합중국 규격용 1200번 내지 100번인 방법.
  5. 제4항의 방법에 있어서, 다이아몬드 연마제의 그레인 규격이 미합중국 규격용 1000번 내지 150번인 방법.
  6. 제5항의 방법에 있어서, 다이아몬드 연마제의 그레인규격이 미합중국 규격용 800번 내지 230번인 방법.
  7. 제1항의 방법에 있어서, 날이 회전 지지부재의 고리형 자유단부에 설치되는 방법.
  8. 제7항의 방법에 있어서, 날이 지지부재의 고리형 자유단부의 전체 원주를 따라 연장된 고리형인 방법.
  9. 제3항의 방법에 있어서, 다이아몬드 연마제가 도금접착되는 방법.
  10. 제3항의 방법에 있어서, 금속접착법으로 다이아몬드 연마제를 접착하여 날을 소정형태로 형성하는 방법.
  11. 제1항의 방법에 있어서, 날의 자유단부는 날의 회전축에 대해 100℃내지 160°각도α로 연장되는 방법.
  12. 제11항의 방법에 있어서, 각도 α가 110°내지 150°인 방법.
  13. 제12항의 방법에 있어서, 각도 α가 120°내지 140°인 방법.
  14. 제11항의 방법에 있어서, 날의 자유단부 두께가 0.05내지 2.00mm인 방법.
  15. 제14항의 방법에 있어서, 날의 자유단부 두께가 0.08내지 1.00mm인 방법.
  16. 제15항의 방법에 있어서, 날의 자유단부 두께가 0.10내지 0.50mm인 방법.
  17. 제1항의 방법에 있어서, 날의 자유단의 주변속도가 200내지 3000m/분인 방법.
  18. 제17항의 방법에 있어서, 날의 자유단의 주변속도가 300내지 2000m/분인 방법.
  19. 제18항의 방법에 있어서, 날의 자유단의 주변속도가 400내지 1300m/분인 방법.
  20. 제2항의 방법에 있어서, 날과 반도체 웨이퍼의 상대적인 이동속도가 1000mm/분 정도인 방법.
  21. 제1항의 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼가 실리콘인 방법.
  22. 제1항의 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼는 그위에 회로가 설치되기 이전의 것인 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019830001712A 1982-04-23 1983-04-22 반도체 웨이퍼의 표면 연마방법 KR900001663B1 (ko)

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