JP2016100477A - 化学機械研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ステップテラス構造を有する炭化ケイ素基板を酸化剤を用いて研磨する化学機械研磨方法において、短時間で研磨可能な化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】少なくとも酸化剤を含むスラリーを基板Wに供給する工程と、基板Wのステップテラス構造を昇る方向D1と基板の研磨方向D2とを略一致させた状態で前記基板を研磨する研磨工程と、を含む化学機械研磨方法であり、炭化ケイ素のステップテラス構造を昇る方向と研磨方向とを略一致させることにより、炭化ケイ素基板がスムーズに研磨されるため、炭化ケイ素基板を短時間で研磨することができる。
【選択図】図6
【解決手段】少なくとも酸化剤を含むスラリーを基板Wに供給する工程と、基板Wのステップテラス構造を昇る方向D1と基板の研磨方向D2とを略一致させた状態で前記基板を研磨する研磨工程と、を含む化学機械研磨方法であり、炭化ケイ素のステップテラス構造を昇る方向と研磨方向とを略一致させることにより、炭化ケイ素基板がスムーズに研磨されるため、炭化ケイ素基板を短時間で研磨することができる。
【選択図】図6
Description
本発明は、化学機械研磨方法に関し、特に、ステップテラス構造を有する炭化ケイ素の基板を研磨する化学機械研磨方法に関する。
半導体デバイスには、非常に硬く安定した物性を示す炭化ケイ素(SiC)基板が用いられることがある。炭化ケイ素基板を平坦に研磨する化学機械研磨方法(CMP)は、長時間かけて研磨処理が行われるため、非常に高コストになりがちである。そこで、炭化ケイ素基板の研磨の際には、酸化材を含むスラリーを用いることがある(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1記載の研磨方法は、過マンガン酸塩等の酸化剤を含むスラリーを用いて、炭化ケイ素基板を研磨するものである。過マンガン酸塩等の強い酸化剤を用いることにより、従来のようなコロイダルシリカを用いた研磨と比較して、短時間で研磨することが可能になった。
しかしながら、上述したような酸化剤を用いた研磨方法であっても、依然として炭化ケイ素基板の研磨には長時間を要するという問題があった。
そこで、炭化ケイ素基板を短時間で研磨するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明は、この課題を解決することを目的とする。
本発明者が鋭意研究を重ねた結果、ステップテラス構造を有する炭化ケイ素基板を研磨する際に、ステップテラス構造に対する研磨方向が炭化ケイ素基板の研磨レートに影響することを発見し、ステップテラス構造を昇る方向と研磨方向とを略一致させた状態で研磨するときの研磨レートが最も良好であることを見出した。
本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項1記載の発明は、ステップテラス構造を有する炭化ケイ素基板を研磨する化学機械研磨方法において、少なくとも酸化剤を含むスラリーを前記基板に供給する工程と、前記基板のステップテラス構造を昇る方向と前記基板の研磨方向とを略一致させた状態で前記基板を研磨する研磨工程と、を含む化学機械研磨方法を提供する。
この方法によれば、炭化ケイ素のステップテラス構造を昇る方向と研磨方向とを略一致させることにより、炭化ケイ素基板がスムーズに研磨されるため、炭化ケイ素基板を短時間で研磨することができる。なお、「ステップテラス構造」とは、炭化ケイ素の単結晶インゴットを結晶面に対して斜めに切断した際に現れる結晶面の階段状構造をいう。また、「ステップテラス構造を昇る方向」とは、ウェハの表面に沿って、且つケイ素原子が露出する面を階段の踏み面と見立てると階段を昇る方向をいう。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の化学機械研磨方法の構成に加えて、前記研磨工程は、前記プラテンを所定の回転方向に回転させ、前記基板のステップテラス構造を昇る方向と研磨方向とを略一致させた状態で前記基板を研磨する1次研磨工程と、前記研磨された基板の内周側と外周側とを入れ替える工程と、前記プラテンを前記所定の回転方向と逆向きに回転させ、前記基板のステップテラス構造を昇る方向と研磨方向とを略一致させた状態で前記基板を研磨する2次研磨工程と、を含む化学機械研磨方法を提供する。
この方法によれば、自転するプラテンで炭化ケイ素基板を研磨する際に、回転するプラテンにおける径方向の線速度に依存した研磨量のバラつきが低減されるため、精度良く研磨することができる。
請求項3記載の発明は、請求項2記載の化学機械研磨方法の構成に加えて、前記1次研磨工程の研磨時間と前記2次研磨工程の研磨時間とは略同一である化学機械研磨方法を提供する。
この方法によれば、自転するプラテンで炭化ケイ素基板を研磨する際に、回転するプラテンにおける径方向の線速度に依存した研磨量のバラつきが更に低減されるため、精度良く研磨することができる。
請求項4記載の発明は、請求項2又は3記載の化学機械研磨方法の構成に加えて、前記研磨工程の後に、前記基板と前記プラテンとを夫々自転させた状態で接触させ、前記基板を仕上げ研磨する仕上げ研磨工程を含む化学機械研磨方法を提供する。
この方法によれば、平面を滑らかに研磨することができる。
本発明は、炭化ケイ素のステップテラス構造を昇る方向と研磨方向とを略一致させることにより、炭化ケイ素基板がスムーズに研磨されるため、炭化ケイ素基板を短時間で研磨することができる。
本発明に係る化学機械研磨方法は、炭化ケイ素基板を短時間で研磨するという目的を達成するために、ステップテラス構造を有する炭化ケイ素基板を研磨する化学機械研磨方法において、少なくとも酸化剤を含むスラリーを基板に供給する工程と、基板のステップテラス構造を昇る方向と基板の研磨方向とを略一致させた状態で基板を研磨する研磨工程と、を含むことにより実現する。
以下、本発明の一実施例に係る化学機械研磨方法を適用するCMP装置1について、図1に基づいて説明する。図1は、CMP装置1の装置構成を示す模式図である。
CMP装置1は、プラテン2と、研磨パッド3と、キャリア4と、スラリー供給手段5と、を備えている。なお、図1中の符号6は、研磨パッド3を目立てするコンディショナーである。
プラテン2は、図示しない駆動装置上に載置されて中央の駆動軸回りに自転可能である。
研磨パッド3は、プラテン2の上面に保持されており、プラテン2の自転に応じて基板Wとの接触面が摩耗することにより基板Wが研磨される。なお、研磨パッド3は、本実施例のように円形に形成されて研磨パッド3の中央の回転軸回りに回転運動するものに限定されず、例えば、無端ベルト状に形成されて直線運動するものであっても構わない。
キャリア4は、プラテン2の上方に配置されており、基板Wを真空吸着して基板Wと一体化される。キャリア4は、図示しない駆動装置によってキャリア4の中央の回転軸回りに自転可能である。
スラリー供給手段5は、スラリー7を研磨パッド3上に吐出する。スラリー7は、プラテン2の自転に応じて研磨パッド3上に広がり、基板Wと研磨パッド3との接触領域に供給される。
スラリー7は、水等の液体キャリアと酸化剤とを含み、好ましくは、砥粒を更に含んでいる。スラリー7は、酸化剤及び研磨材の他に、添加剤を含むものであっても構わない。酸化剤は、例えば、過マンガン酸塩であるが、これに限定されるものではない。
次に、CMP装置1で研磨する基板Wについて図面に基づいて説明する。図2は、基板Wを示す平面図であり、図3は、基板Wのステップテラス構造を示す模式図である。
基板Wは、炭化ケイ素(SiC)の単結晶インゴットを切断して構成されている。基板Wには、第1のオリフラOF1と平行にステップテラス構造が形成されている。ここで、「ステップテラス構造」とは、図3に示すように、単結晶インゴットを結晶面に対して斜めに切断した際に現れる階段状構造をいい、本実施例にかかる基板Wでは、ケイ素(Si)原子及び炭素(C)原子の配列が結晶面に対する傾き、所謂、オフカット角が4度に設定されている。また、「ステップテラス構造を昇る方向D1」とは、ウェハWの表面に沿って、且つSi原子が露出する面を階段の踏み面と見立てると階段を昇る方向をいい、本実施例では図2の紙面左から右に向かう方向に一致する。なお、以下では、「ステップテラス構造を降りる方向」とは、ウェハWの表面に沿って、且つSi原子が露出する面を階段の踏み面と見立てると該階段を下りる方向とする。
次に、ステップテラス構造を昇る方向D1に対する研磨方向D2の向きを変えて行った研磨レートの評価試験について説明する。図4は、評価試験時のプラテン2、キャリア4、スラリー供給手段5の配置関係を示すものである。図5(a)〜(d)は、評価試験時のステップテラス構造と研磨方向D2との関係を示す模式図である。
評価試験は、ステップテラス構造に対する研磨方向D2の向きを変えて基板Wを研磨することで行った。評価試験では、プラテン2の回転数を100rpm、キャリア4の回転数を0rpm、キャリア加重を4psi、スラリー流量を100cc/minに設定した。その結果、図5(a)に示すように、研磨方向D2をステップテラス構造を昇る方向D1に略一致させた場合には、研磨レートが最大値(3.14μm/h)になった。また、図5(b)に示すように、研磨方向Dをステップテラス構造を降りる方向に一致させた場合には、研磨レートが最小値(1.25μm/h)になった。なお、図5(c)、(d)に示すように研磨方向D2をステップテラス構造を横切る方向に一致させた場合には、前者の場合の研磨レートが1.81μm/h、後者の場合の研磨レートが1.82μm/hとなった。なお、キャリアを103rpmで自転させた場合の研磨レートは、2.18μm/hであった。なお、「研磨方向D2をステップテラス構造を昇る方向D1に略一致させた」とは、研磨レートが著しく低下しない範囲内で、研磨方向D2をステップテラス構造を昇る方向D1から傾けても構わないことを意味する。
このように、ステップテラス構造を有する炭化ケイ素基板Wを研磨する際には、研磨方向D2をステップテラス構造を昇る方向D1と略一致に設定することにより、通常のようなキャリアを自転させながら行う研磨と比較して、効率的に研磨を行えることが分かった。
次に、炭化ケイ素基板Wの化学機械研磨方法について図6に基づいて説明する。図6(a)〜(d)は、化学機械研磨方法の各工程を示す模式図である。
化学機械研磨方法は、1次研磨工程と、基板の向きを変える工程と、2次研磨工程と、仕上げ研磨工程と、を含む。
1次研磨工程では、キャリア4を固定した状態でプラテン2のみを時計回りに自転させることにより、基板Wの研磨方向D2が図6(a)における紙面中の下方から上方に向かう方向に固定される。したがって、ステップテラス構造を昇る方向D1を研磨方向D2と略一致するように基板Wをキャリア4に位置決めする。本実施例では、基板Wは、第1のオリフラOF1を内周側、第2のオリフラOF2をプラテン2の回転方向の上流側に向けて位置決めされる。1次研磨工程の研磨条件を表1に示す。
ところで、基板Wの研磨量は、プラテン2の線速度の大小に応じて増減する。プラテン2の線速度は、内周側から外周側に向かう程早くなるため、基板Wの研磨量も、内周側から外周側に向かって大きくなる。すなわち、基板Wの研磨量は、プラテン2の径方向においてバラつきが生じ得る。そこで、以下の工程では、このような基板Wの径方向の研磨量のバラつきを解消する。
基板Wの向きを変える工程は、図6(b)に示すように、キャリア4を反時計回りに180度回動させる。これにより、基板Wの内周側と外周側とが、キャリア4の回動前後で逆になる。また、ステップテラス構造を昇る方向D1は図6(b)の紙面における上方から下方に向かう方向に一致する。
2次研磨工程は、図6(c)に示すように、キャリア4を固定した状態でプラテン2のみを反時計回りに自転させて基板Wを研磨する。2次研磨工程の研磨条件は、プラテン2の自転方向を除いて1次研磨工程と同様である。基板Wの研磨方向D2は、図6(c)の紙面における上方から下方に向かう方向に一致し、ステップテラス構造を昇る方向D1に一致する。
このようにして、1次研磨工程と2次研磨工程とで、基板Wの内周側と外周側とが逆になっていることにより、基板Wの径方向の研磨量のバラつきは解消され、基板Wは平坦に研磨される。1次研磨工程と2次研磨工程との研磨時間は、それぞれ同じ時間が好ましい。これにより、基板Wの径方向の研磨量のバラつきは更に解消される。
仕上げ研磨工程では、図6(d)に示すように、プラテン2及びキャリア4を反時計回りにそれぞれ自転させる。仕上げ研磨工程の研磨条件を表2に示す。これにより、基板Wの被研磨面全面の研磨量が均一になる。
このような手順で研磨を行うことにより、従来のようにステップテラス構造を考慮せずに研磨する場合と比較すると、1μmを研磨するのに必要な研磨時間を30分から20分に短縮することができた。
なお、基板の向きを変える工程及び2次研磨工程は、必ずしも必要ではなく、例えば、グラインダのような線速度にバラつきが生じにくい研磨であれば、これらの工程は省略しても構わない。
このようにして、上述した本実施例に係る化学機械研磨方法は、炭化ケイ素基板Wのステップテラス構造を昇る方向D1と研磨方向D2とを略一致させることにより、炭化ケイ素基板Wがスムーズに研磨されるため、炭化ケイ素基板Wを短時間で研磨することができる。
なお、本発明は、自転するプラテンにのみ適用されるものではなく、例えば、グラインダのような巻回された帯状の研磨手段で研磨されるものにも適用可能なことは言うまでもない。
また、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変をなすことができ、そして、本発明が該改変されたものにも及ぶことは当然である。
1 ・・・ 化学機械研磨装置
2 ・・・ プラテン
3 ・・・ 研磨パッド
4 ・・・ キャリア
5 ・・・ スラリー供給手段
6 ・・・ コンディショナー
7 ・・・ スラリー
D1・・・ ステップテラス構造を昇る方向
D2・・・ 研磨方向
2 ・・・ プラテン
3 ・・・ 研磨パッド
4 ・・・ キャリア
5 ・・・ スラリー供給手段
6 ・・・ コンディショナー
7 ・・・ スラリー
D1・・・ ステップテラス構造を昇る方向
D2・・・ 研磨方向
Claims (4)
- ステップテラス構造を有する炭化ケイ素基板を研磨する化学機械研磨方法において、
少なくとも酸化剤を含むスラリーを前記基板に供給する工程と、
前記基板のステップテラス構造を昇る方向と前記基板の研磨方向とを略一致させた状態で前記基板を研磨する研磨工程と、
を含むことを特徴とする化学機械研磨方法。 - 前記研磨工程は、
前記プラテンを所定の回転方向に回転させ、前記基板のステップテラス構造を昇る方向と研磨方向とを略一致させた状態で前記基板を研磨する1次研磨工程と、
前記研磨された基板の内周側と外周側とを入れ替える工程と、
前記プラテンを前記所定の回転方向と逆向きに回転させ、前記基板のステップテラス構造を昇る方向と研磨方向とを略一致させた状態で前記基板を研磨する2次研磨工程と、
を含むことを特徴とする請求項1記載の化学機械研磨方法。 - 前記1次研磨工程の研磨時間と前記2次研磨工程の研磨時間とは略同一であることを特徴とする請求項2記載の化学機械研磨方法。
- 前記研磨工程の後に、前記基板と前記プラテンとを夫々自転させた状態で接触させ、前記基板を仕上げ研磨する仕上げ研磨工程を含むことを特徴とする請求項2又は3記載の化学機械研磨方法。
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JP2014236838A JP2016100477A (ja) | 2014-11-21 | 2014-11-21 | 化学機械研磨方法 |
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---|---|---|---|---|
JP2020161662A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | ウェハ研磨方法及びウェハ研磨装置 |
-
2014
- 2014-11-21 JP JP2014236838A patent/JP2016100477A/ja active Pending
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JP2020161662A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | ウェハ研磨方法及びウェハ研磨装置 |
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