JP2020161662A - ウェハ研磨方法及びウェハ研磨装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記ウェハ研磨装置は、第1軸心と直交する方向に延びる研磨パッドを有し、前記第1軸心周りに回転される定盤と、前記第1軸心と平行な第2軸心と直交する方向に延びて前記研磨パッドと対面する固定面に前記ウェハが固定され、前記ウェハと前記研磨パッドとが所定の面圧の下で前記第2軸心周りに回転されるキャリヤとを備え、
前記ウェハは、円弧の中心である第1中心点と、オリエンテーションフラット又はノッチからなる基準縁とを有するとともに、Si原子が最表面にあるSi面を結晶軸に対して傾斜させているSiC単結晶からなり、
前記固定面には、前記第1中心点が前記第2軸心から離間し、前記基準縁が前記第2軸心から見て外側に向くように前記ウェハが固定されることを特徴とする。
前記第1軸心と平行な第2軸心と直交する方向に延びて前記研磨パッドと対面する固定面にウェハが固定され、前記第2軸心周りに回転されるキャリヤとを備え、
前記ウェハは、円弧の中心である第1中心点と、オリエンテーションフラット又はノッチからなる基準縁とを有するとともに、Si原子が最表面にあるSi面を結晶軸に対して傾斜させているSiC単結晶からなり、
前記固定面には、前記第1中心点が前記第2軸心から離間し、前記基準縁が前記第2軸心から見て外側に向くように前記ウェハが固定されることを特徴とする。
研磨パッドの大きさ:直径910(mm)
キャリヤの回転数:35(rpm)
加工面圧:300(gf/cm2)
研磨液:KMnO4系研磨液(濃度0.25mol、pH=3)
研磨液の供給タイミング:700ml/分
研磨時間:2時間
O1…第1軸心
5…研磨パッド
1…定盤
O2…第2軸心
3a…固定面
3…キャリヤ
A…第1中心点
B…オリエンテーションフラット、基準縁
0…座標中心
B0…第2中心点
L1…第1仮想線
L2…第2仮想線
Claims (7)
- ウェハ研磨装置を用いてCMP法によりウェハを研磨するウェハ研磨方法であって、
前記ウェハ研磨装置は、第1軸心と直交する方向に延びる研磨パッドを有し、前記第1軸心周りに回転される定盤と、前記第1軸心と平行な第2軸心と直交する方向に延びて前記研磨パッドと対面する固定面に前記ウェハが固定され、前記ウェハと前記研磨パッドとが所定の面圧の下で前記第2軸心周りに回転されるキャリヤとを備え、
前記ウェハは、円弧の中心である第1中心点と、オリエンテーションフラット又はノッチからなる基準縁とを有するとともに、Si原子が最表面にあるSi面を結晶軸に対して傾斜させているSiC単結晶からなり、
前記固定面には、前記第1中心点が前記第2軸心から離間し、前記基準縁が前記第2軸心から見て外側に向くように前記ウェハが固定されることを特徴とするウェハ研磨方法。 - 前記固定面において、前記第2軸心を座標中心とし、前記第1中心点と、前記基準縁の中心である第2中心点とを結ぶ第1仮想線を仮定し、
前記第2軸心から前記第1中心点に向かって延びる第2仮想線を仮定し、
前記第2仮想線が前記座標中心に向かうy軸であり、前記y軸が前記座標中心でx軸と直交するxy座標を仮定した場合、
前記第1仮想線は、第1象限及び第2象限に位置している請求項1記載のウェハ研磨方法。 - 前記第1仮想線は、前記xy座標に仮定されるy=ax+b(−1<a<1、b>0)上に位置している請求項2記載のウェハ研磨方法。
- 前記第1仮想線は、前記y軸上に位置している請求項3記載のウェハ研磨方法。
- 前記固定面には、前記第2軸心周りに複数枚の前記ウェハが固定される請求項1乃至4のいずれか1項記載のウェハ研磨方法。
- 前記研磨パッドは、樹脂からなり、複数の気泡が形成された母材と、前記気泡内に保持された研磨粒子とを有する研磨砥粒遊離型のものであり、
前記研磨パッドと前記ウェハとの間には、前記研磨粒子を含まない研磨液を供給する請求項1乃至5のいずれか1項記載のウェハ研磨方法。 - 第1軸心と直交する方向に延びる研磨パッドを有し、前記第1軸心周りに回転される定盤と、
前記第1軸心と平行な第2軸心と直交する方向に延びて前記研磨パッドと対面する固定面にウェハが固定され、前記第2軸心周りに回転されるキャリヤとを備え、
前記ウェハは、円弧の中心である第1中心点と、オリエンテーションフラット又はノッチからなる基準縁とを有するとともに、Si原子が最表面にあるSi面を結晶軸に対して傾斜させているSiC単結晶からなり、
前記固定面には、前記第1中心点が前記第2軸心から離間し、前記基準縁が前記第2軸心から見て外側に向くように前記ウェハが固定されることを特徴とするウェハ研磨装置。
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2019
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