KR102243872B1 - 피가공물의 연삭 방법 - Google Patents

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Abstract

(과제) 복수의 피가공물의 전체를 적절히 평탄화할 수 있는 피가공물의 연삭 방법을 제공한다.
(해결 수단) 복수의 피가공물 (11) 을 동시에 연삭 가공하는 피가공물의 연삭 방법으로서, 복수의 피가공물을 유지 부재 (13) 에 첩착하는 피가공물 첩착 공정과, 유지 부재에 첩착된 복수의 피가공물을 척 테이블 (14) 로 유지하는 유지 공정과, 연삭 휠 (36) 을 복수의 피가공물에 접촉시켜 복수의 피가공물을 동시에 연삭 가공하는 연삭 공정을 구비하고, 연삭 휠은, 원반상의 휠 기대 (38) 와, 휠 기대의 제 1 면 (38a) 에 환상으로 배열된 복수의 제 1 연삭 지석 (40) 과, 복수의 제 1 연삭 지석의 반경 방향 내측에서 복수의 제 1 연삭 지석과 동심원상으로 배열된 복수의 제 2 연삭 지석 (42) 을 포함하고, 복수의 제 1 연삭 지석과 복수의 제 2 연삭 지석의 반경 방향의 간격 (D2) 은, 인접하는 피가공물의 최소 간격 (D1) 보다 넓은 구성으로 하였다.

Description

피가공물의 연삭 방법{METHOD OF GRINDING WORKPIECE}
본 발명은, 판상의 피가공물을 연삭 가공하는 연삭 방법에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 전자 디바이스는, 일반적으로 실리콘 웨이퍼를 사용하여 제조된다. 이에 대하여, LED 등의 광 디바이스는, 기계적, 열적으로 우수한 특성을 나타내고, 화학적으로도 안정적인 사파이어 기판을 사용하여 제조되는 경우가 많다. 또한, 최근에는 고내압화, 저손실화에 유리한 SiC 기판을 사용하여, 전력 제어용 파워 디바이스를 제조하는 경우도 있다.
실리콘 웨이퍼에 비해 고가인 사파이어 기판이나 SiC 기판에서는, 2 인치 내지 4 인치 정도의 직경이 주류가 되고 있다. 이와 같은 작은 직경의 기판을 1 장씩 연삭 가공하면, 충분한 생산성을 유지할 수 없게 되므로, 복수의 기판을 동시에 연삭 가공할 수 있는 연삭 방법이 검토되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).
일본 공개특허공보 2010-247311호
그러나, 상기 서술한 연삭 방법으로 복수의 기판을 동시에 연삭 가공하면, 기판의 중앙 부분보다 외주 부분이 많이 연삭되어, 기판 전체를 평탄화할 수 없는 경우가 있다. 본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적으로 하는 바는, 복수의 피가공물의 전체를 적절히 평탄화할 수 있는 피가공물의 연삭 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 판상의 피가공물을 유지하는 척 테이블과, 그 피가공물을 연삭 가공하는 연삭 휠을 장착한 연삭 수단을 구비하는 연삭 장치를 사용하여, 복수의 그 피가공물을 동시에 연삭 가공하는 피가공물의 연삭 방법으로서, 복수의 그 피가공물을 유지 부재에 첩착 (貼着) 하는 피가공물 첩착 공정과, 그 유지 부재에 첩착된 그 복수의 피가공물을 그 척 테이블로 유지하는 유지 공정과, 그 연삭 휠을 그 복수의 피가공물에 접촉시켜 그 복수의 피가공물을 동시에 연삭 가공하는 연삭 공정을 구비하고, 그 연삭 휠은, 원반상의 휠 기대와, 그 휠 기대의 제 1 면에 환상으로 배열된 복수의 제 1 연삭 지석과, 그 복수의 제 1 연삭 지석의 반경 방향 내측에서 그 복수의 제 1 연삭 지석과 동심원상으로 배열된 복수의 제 2 연삭 지석을 포함하고, 그 복수의 제 1 연삭 지석과 그 복수의 제 2 연삭 지석의 그 반경 방향의 간격은, 인접하는 그 피가공물의 최소 간격보다 넓은 것을 특징으로 하는 피가공물의 연삭 방법이 제공된다.
본 발명에 있어서, 상기 휠 기대에 배열된 상기 제 2 연삭 지석의 수는, 상기 휠 기대에 배열된 상기 제 1 연삭 지석의 수보다 적은 것이 바람직하다.
또, 본 발명에 있어서, 상기 휠 기대에 배열된 상기 제 2 연삭 지석의 내소모성은, 상기 휠 기대에 배열된 상기 제 1 연삭 지석의 내소모성보다 낮은 것이 바람직하다.
또, 본 발명에 있어서, 상기 피가공물은, 예를 들어, 사파이어 기판 또는 SiC 기판이다.
본 발명에 관련된 피가공물의 연삭 방법에서는, 동심원상으로 배열된 복수의 제 1 연삭 지석과 복수의 제 2 연삭 지석의 반경 방향의 간격이 인접하는 피가공물의 최소 간격보다 넓은 연삭 휠을 사용하여 복수의 피가공물을 동시에 연삭 가공하므로, 제 1 연삭 지석과 제 2 연삭 지석으로 연삭의 압력을 분산하여, 특히, 피가공물의 외주 부분에 가해지는 연삭의 압력을 낮게 억제할 수 있다.
이로써, 피가공물의 중앙 부분보다 외주 부분이 많이 연삭되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 본 발명에 관련된 피가공물의 연삭 방법에 의하면, 복수의 피가공물의 전체를 적절히 평탄화할 수 있다.
도 1 은 연삭 장치의 구성예를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 2 는 피가공물 첩착 공정을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 3 은 연삭 휠의 구성예를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 4 는 각 피가공물과 연삭 휠의 위치 관계의 예를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 5 는 비교예에 있어서의 각 피가공물과 연삭 휠의 위치 관계의 예를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 6 은 변형예에 관련된 피가공물 첩착 공정을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 7 은 변형예에 있어서의 각 피가공물과 연삭 휠의 위치 관계의 예를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 8 은 비교예에 있어서의 각 피가공물과 연삭 휠의 위치 관계의 예를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 9 의 (A) 및 도 9 의 (B) 는 복수의 피가공물을 점착 테이프에 첩착한 상태를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 본 실시형태에 관련된 피가공물의 연삭 방법은, 피가공물 첩착 공정, 유지 공정, 및 연삭 공정을 포함한다. 피가공물 첩착 공정에서는, 연삭의 대상이 되는 복수의 피가공물을 유지 부재에 첩착한다.
유지 공정에서는, 유지 부재에 첩착된 복수의 피가공물을 척 테이블로 유지한다. 연삭 공정에서는, 연삭 휠을 복수의 피가공물에 접촉시켜 동시에 복수의 피가공물을 연삭 가공한다. 이하, 본 실시형태에 관련된 피가공물의 연삭 방법에 대해 상세히 서술한다.
먼저, 본 실시형태에 관련된 피가공물의 연삭 방법에서 사용되는 연삭 장치에 대해 설명한다. 도 1 은 연삭 장치의 구성예를 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 연삭 장치 (2) 는, 각 구조가 탑재되는 직방체상의 기대 (4) 를 구비하고 있다. 기대 (4) 의 후단에는, 지지벽 (6) 이 세워져 형성되어 있다.
기대 (4) 의 상면에는, X 축 방향 (전후 방향) 으로 긴 사각형상의 개구 (4a) 가 형성되어 있다. 이 개구 (4a) 내에는, X 축 이동 테이블 (8), X 축 이동 테이블 (8) 을 X 축 방향으로 이동시키는 X 축 이동 기구 (도시 생략), 및 X 축 이동 기구를 덮는 방진 방적 (防滴) 커버 (10) 가 배치되어 있다. 또, 개구 (4a) 의 전방에는, 연삭 조건 등을 입력하기 위한 조작 패널 (12) 이 설치되어 있다.
X 축 이동 기구는, X 축 방향으로 평행한 1 쌍의 X 축 가이드 레일 (도시 생략) 을 구비하고 있고, X 축 가이드 레일에는, X 축 이동 테이블 (8) 이 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. X 축 이동 테이블 (8) 의 하면측에는, 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부에는, X 축 가이드 레일과 평행한 X 축 볼 나사 (도시 생략) 가 나사 결합되어 있다.
X 축 볼 나사의 일단부에는, X 축 펄스 모터 (도시 생략) 가 연결되어 있다. X 축 펄스 모터로 X 축 볼 나사를 회전시킴으로써, X 축 이동 테이블 (8) 은 X 축 가이드 레일을 따라 X 축 방향으로 이동한다.
X 축 이동 테이블 (8) 상에는, 판상의 피가공물 (11) (도 2 등 참조) 을 흡인 유지하는 척 테이블 (14) 이 형성되어 있다. 척 테이블 (14) 은, 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 과 연결되어 있고, Z 축 방향 (연직 방향) 과 평행한 회전축의 둘레로 회전한다. 또, 척 테이블 (14) 은, 상기 서술한 X 축 이동 기구에 의해, X 축 이동 테이블 (8) 과 함께 X 축 방향으로 이동한다.
척 테이블 (14) 의 상면은, 피가공물 (11) 을 흡인 유지하는 유지면 (14a) 으로 되어 있다. 이 유지면 (14a) 은, 척 테이블 (14) 의 내부에 형성된 유로 (도시 생략) 를 통하여 흡인원 (도시 생략) 과 접속되어 있다. 척 테이블 (14) 에 재치 (載置) 된 피가공물 (11) 은, 유지면 (14a) 에 작용하는 흡인원의 부압으로 척 테이블 (14) 에 흡인 유지된다.
지지벽 (6) 의 전면 (前面) 에는, Z 축 이동 기구 (16) 가 형성되어 있다. Z 축 이동 기구 (16) 는, Z 축 방향으로 평행한 1 쌍의 Z 축 가이드 레일 (18) 을 구비하고 있고, 이 Z 축 가이드 레일 (18) 에는, Z 축 이동 플레이트 (20) 가 슬라이드 가능하게 설치되어 있다.
Z 축 이동 플레이트 (20) 의 후면측 (이면측) 에는, 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부에는, Z 축 가이드 레일 (18) 과 평행한 Z 축 볼 나사 (22) 가 나사 결합되어 있다. Z 축 볼 나사 (22) 의 일단부에는, Z 축 펄스 모터 (24) 가 연결되어 있다. Z 축 펄스 모터 (24) 로 Z 축 볼 나사 (22) 를 회전시킴으로써, Z 축 이동 플레이트 (20) 는 Z 축 가이드 레일 (18) 을 따라 Z 축 방향으로 이동한다.
Z 축 이동 플레이트 (20) 의 전면 (표면) 에는, 전방으로 돌출된 지지 구조 (26) 가 형성되어 있고, 이 지지 구조 (26) 에는, 피가공물 (11) 을 연삭 가공하는 연삭 유닛 (연삭 수단) (28) 이 지지되어 있다. 연삭 유닛 (28) 은, 지지 구조 (26) 에 고정된 스핀들 하우징 (30) 을 포함한다. 스핀들 하우징 (30) 에는, 회전축이 되는 스핀들 (32) 이 회전 가능하게 지지되어 있다.
스핀들 (32) 의 하단부 (선단부) 에는, 원반상의 휠 마운트 (34) 가 형성되어 있다. 휠 마운트 (34) 의 하면에는, 휠 마운트 (34) 와 대략 동일 직경으로 구성된 원반상의 연삭 휠 (36) 이 볼트 등으로 고정되어 있다. 연삭 휠 (36) 의 상세한 내용에 대해서는 후술한다.
스핀들 (32) 의 상단측 (기단측) 에는, 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 이 연결되어 있다. 연삭 휠 (36) 은, 이 회전 구동원으로부터 전달되는 회전력에 의해, Z 축 방향과 평행한 회전축의 둘레로 회전한다. 척 테이블 (14) 과 연삭 휠 (36) 을 상대적으로 회전시키면서, 연삭 휠 (36) 을 하강시키고, 순수 등의 연삭액을 공급하면서 피가공물 (11) 에 접촉시킴으로써, 피가공물 (11) 을 연삭 가공할 수 있다.
다음으로, 상기 서술한 연삭 장치 (2) 를 사용하여 실시되는 피가공물의 연삭 방법을 설명한다. 본 실시형태에 관련된 피가공물의 연삭 방법에서는, 먼저, 연삭의 대상이 되는 복수의 피가공물 (11) 을 유지 부재에 첩착하는 피가공물 첩착 공정을 실시한다. 도 2 는 피가공물 첩착 공정을 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 피가공물 첩착 공정에서는, 3 장의 피가공물 (11) 을 유지 부재 (13) 에 첩착한다.
각 피가공물 (11) 은, 예를 들어, 650 ㎛ 의 두께로 형성된 원반상의 사파이어 기판, 또는 SiC 기판이다. 단, 본 발명에서 연삭되는 피가공물은, 이것에 한정되지 않는다. 판상의 피가공물이면, 본 발명의 연삭 방법으로 적절히 연삭 가공할 수 있다. 본 실시형태에서는, 이 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측을 연삭 가공한다.
유지 부재 (13) 는, 예를 들어, 복수의 피가공물 (11) 을 중첩시키지 않고 재치할 수 있는 크기의 판상물로서, 세라믹스 등의 재료로 형성된다. 본 실시형태에서는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 3 장의 피가공물 (11) 을 배치할 수 있는 크기의 원반상의 유지 부재 (13) 를 사용한다. 단, 본 발명의 유지 부재는 이것에 한정되지 않는다.
피가공물 첩착 공정에서는, 유지 부재 (13) 의 표면 (13a) 과 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 을 대면시키도록 3 장의 피가공물 (11) 을 유지 부재 (13) 에 재치한다. 3 장의 피가공물 (11) 은, 서로 중첩되지 않도록 재치된다. 또, 유지 부재 (13) 와 각 피가공물 (11) 사이에는, 왁스 (접착제) 를 개재시킨다. 이로써, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측을 유지 부재 (13) 의 표면 (13a) 측에 첩착할 수 있다.
피가공물 첩착 공정 후에는, 유지 부재 (13) 에 첩착된 각 피가공물 (11) 을척 테이블 (14) 로 유지하는 유지 공정을 실시한다. 이 유지 공정에서는, 유지 부재 (13) 의 이면 (13b) 과 척 테이블 (14) 의 유지면 (14a) 을 대면시키도록 유지 부재 (13) 를 척 테이블 (14) 에 재치하고, 흡인원의 부압을 작용시킨다. 이로써, 유지 부재 (13) 에 첩착된 각 피가공물 (11) 은, 유지 부재 (13) 를 통하여 척 테이블 (14) 에 흡인 유지된다.
유지 공정 후에는, 각 피가공물 (11) 을 연삭 가공하는 연삭 공정을 실시한다. 도 3 은 연삭 휠 (36) 의 구성예를 모식적으로 나타내는 사시도이고, 도 4 는 연삭 공정 중의 각 피가공물 (11) 과 연삭 휠 (36) 의 위치 관계의 예를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 연삭 휠 (36) 은, 중앙에 개구를 구비한 원반상의 휠 기대 (38) 를 포함한다. 휠 기대 (38) 의 제 1 면 (38a) 에는, 복수의 제 1 연삭 지석 (40) 이 환상으로 배열되어 있다.
또, 복수의 제 1 연삭 지석 (40) 보다 내측 (복수의 제 1 연삭 지석 (40) 의 반경 방향 내측) 의 영역에는, 복수의 제 2 연삭 지석 (42) 이 환상으로 배열되어 있다. 즉, 휠 기대 (38) 의 제 1 면 (38a) 에는, 복수의 제 1 연삭 지석 (40) 과 복수의 제 2 연삭 지석 (42) 이 동심원상으로 배치되어 있다.
또, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 복수의 제 1 연삭 지석 (40) 과 복수의 제 2 연삭 지석 (42) 의 간격 (반경 방향의 간격) (D2) 은, 서로 인접하는 2 장의 피가공물 (11) 의 최소 간격 (D1) 보다 넓게 되어 있다. 연삭 휠 (36) 은, 제 1 연삭 지석 (40) 및 제 2 연삭 지석 (42) 이 고정된 제 1 면 (38a) 과는 반대의 제 2 면 (38b) 을 접촉시킴으로써, 휠 마운트 (34) 의 하면에 장착된다.
연삭 공정에서는, 먼저, 척 테이블 (14) 및 연삭 휠 (36) 을 소정의 회전 방향 (R1, R2) 으로 각각 소정의 회전수로 회전시킨다. 척 테이블 (14) 의 회전수는, 예를 들어, 300 rpm 정도, 연삭 휠 (36) 의 회전수는, 예를 들어, 800 rpm 정도로 한다. 단, 연삭의 조건은 이것들에 한정되지 않는다.
다음으로, 연삭 휠 (36) 을 하강시키고, 순수 등의 연삭액을 공급하면서 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 에 제 1 연삭 지석 (40) 및 제 2 연삭 지석 (42) 의 하면을 접촉시킨다. 이로써, 복수의 피가공물 (11) 이 동시에 연삭 가공된다. 피가공물 (11) 이 원하는 두께 (예를 들어, 160 ㎛) 까지 연삭 가공되면, 연삭 공정은 종료된다.
도 5 는 비교예의 연삭 방법에 있어서 각 피가공물 (11) 과 연삭 휠의 위치 관계를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, 비교예의 연삭 휠 (46) 은, 원반상의 휠 기대 (48) 와, 환상으로 배열된 복수의 연삭 지석 (50) 으로 구성되어 있다. 도 5 에서는, 2 장의 피가공물 (11) 의 외주 부분에만 연삭의 압력이 가해지고 있다.
이에 대하여, 본 실시형태의 연삭 휠 (36) 에서는, 복수의 제 1 연삭 지석 (40) 과 복수의 제 2 연삭 지석 (42) 이 동심원상으로 배치되고, 또, 제 1 연삭 지석 (40) 과 제 2 연삭 지석 (42) 의 간격 (D2) 은, 피가공물 (11) 의 최소 간격 (D1) 보다 넓게 되어 있다. 그 때문에, 도 4 에서는, 3 장의 피가공물 (11) 에 연삭의 압력이 가해지고 있다.
이와 같이, 본 실시형태에 관련된 피가공물의 연삭 방법에서는, 제 1 연삭 지석 (40) 과 제 2 연삭 지석 (42) 으로 연삭의 압력을 분산하면서 피가공물 (11) 을 연삭 가공할 수 있으므로, 특히, 피가공물 (11) 의 외주 부분에 가해지는 연삭의 압력을 낮게 억제할 수 있다. 이로써, 피가공물 (11) 의 중앙 부분보다 외주 부분이 많이 연삭되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 본 실시형태에 관련된 피가공물의 연삭 방법에 의하면, 복수의 피가공물 (11) 의 전체를 적절히 평탄화할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 연삭 휠 (36) 에 있어서, 제 2 연삭 지석 (42) 은 제 1 연삭 지석 (40) 보다 내측에 배치되어 있으므로, 연삭시에 있어서, 제 2 연삭 지석 (42) 의 피가공물 (11) 에 대한 이동 속도는, 제 1 연삭 지석 (40) 의 피가공물 (11) 에 대한 이동 속도보다 낮아진다. 그 결과, 제 1 연삭 지석 (40) 의 소모량 (마모량) 과 제 2 연삭 지석 (42) 의 소모량에 차이가 발생하기 쉽다.
이 문제에 대해서는, 예를 들어, 연삭 휠 (36) 에 배열되는 제 2 연삭 지석 (42) 의 수를 연삭 휠 (36) 에 배열되는 제 1 연삭 지석 (40) 의 수보다 줄이면 된다. 또는, 제 2 연삭 지석 (42) 의 내소모성을 제 1 연삭 지석 (40) 의 내소모성보다 낮게 하면 된다. 이것들에 의해, 제 1 연삭 지석 (40) 의 소모량과 제 2 연삭 지석 (42) 의 소모량의 차이를 충분히 작게 하여, 복수의 피가공물 (11) 의 전체를 적절히 평탄화할 수 있다.
제 2 연삭 지석 (42) 의 내소모성을 제 1 연삭 지석 (40) 의 내소모성보다 낮게 하려면, 예를 들어, 제 2 연삭 지석 (42) 에 함유되는 지립의 집중도를 제 1 연삭 지석 (40) 에 함유되는 지립의 집중도보다 낮게 한다. 또는, 제 2 연삭 지석 (42) 에 함유되는 결합 재료를 제 1 연삭 지석 (40) 에 함유되는 결합 재료보다 부드럽게 한다. 제 1 연삭 지석 (40) 및 제 2 연삭 지석 (42) 의 내소모성은, 예를 들어, 영률이나 굽힘 강도 등에 기초하여 판정할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태의 기재에 한정되지 않으며, 다양하게 변경하여 실시 가능하다. 예를 들어, 상기 실시형태에서는, 유지 부재 (13) 에 3 장의 피가공물 (11) 을 첩착하여 3 장의 피가공물 (11) 을 동시에 연삭하고 있는데, 유지 부재 (13) 에 첩착되는 피가공물 (11) 의 수는 특별히 한정되지 않는다.
도 6 은 변형예에 관련된 피가공물 첩착 공정을 모식적으로 나타내는 사시도이고, 도 7 은 변형예에 있어서의 각 피가공물 (11) 과 연삭 휠 (36) 의 위치 관계의 예를 모식적으로 나타내는 도면이고, 도 8 은 비교예에 있어서의 각 피가공물 (11) 과 연삭 휠 (46) 의 위치 관계의 예를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 변형예에 관련된 피가공물의 연삭 방법에서는, 유지 부재 (13) 에 5 장의 피가공물 (11) 을 첩착하고 있다. 이 경우에도, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 복수의 제 1 연삭 지석 (40) 과 복수의 제 2 연삭 지석 (42) 의 간격 (반경 방향의 간격) (D2) 이 인접하는 피가공물 (11) 의 최소 간격 (D1) 보다 넓게 되도록 연삭 휠 (36) 을 구성한다.
그 결과, 도 7 에 나타내는 상태에서는, 4 장의 피가공물 (11) 에 연삭의 압력이 가해지게 된다. 한편, 도 8 에 나타내는 비교예에서는, 2 장의 피가공물 (11) 의 외주 부분에만 연삭의 압력이 가해지고 있다.
이와 같이, 변형예에 관련된 피가공물의 연삭 방법에서도, 제 1 연삭 지석 (40) 과 제 2 연삭 지석 (42) 으로 연삭의 압력을 분산하여, 특히, 피가공물 (11) 의 외주 부분에 가해지는 연삭의 압력을 낮게 억제할 수 있다. 이로써, 피가공물 (11) 의 중앙 부분보다 외주 부분이 많이 연삭되는 것을 방지할 수 있다.
또, 상기 실시형태 및 변형예에서는, 세라믹스 등의 재료로 이루어지는 판상물을 유지 부재 (13) 로서 사용하고 있는데, 점착 테이프 등을 유지 부재로서 사용해도 된다. 도 9 의 (A) 및 도 9 의 (B) 는 복수의 피가공물 (11) 을 점착 테이프에 첩착한 상태를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 9 의 (A) 및 도 9 의 (B) 에 나타내는 바와 같이, 복수의 피가공물 (11) 을 점착 테이프 (유지 부재) (15) 에 첩착하는 경우에도, 동일한 순서로 피가공물 (11) 을 연삭 가공할 수 있다. 또한, 이 경우에는, 점착 테이프 (15) 의 외주 부분에 환상의 프레임 (17) 을 고정시켜 두면 된다.
그 밖에 상기 실시형태 및 변형예에 관련된 구성, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절히 변경하여 실시할 수 있다.
11 : 피가공물
11a : 표면
11b : 이면
13 : 유지 부재
13a : 표면
13b : 이면
15 : 점착 테이프 (유지 부재)
17 : 프레임
2 : 연삭 장치
4 : 기대
4a : 개구
6 : 지지벽
8 : X 축 이동 테이블
10 : 방진 방적 커버
12 : 조작 패널
14 : 척 테이블
14a : 유지면
16 : Z 축 이동 기구
18 : Z 축 가이드 레일
20 : Z 축 이동 플레이트
22 : Z 축 볼 나사
24 : Z 축 펄스 모터
26 : 지지 구조
28 : 연삭 유닛 (연삭 수단)
30 : 스핀들 하우징
32 : 스핀들
34 : 휠 마운트
36 : 연삭 휠
38 : 휠 기대
38a : 제 1 면
38b : 제 2 면
40 : 제 1 연삭 지석
42 : 제 2 연삭 지석
46 : 연삭 휠
48 : 휠 기대
50 : 연삭 지석
D1 : 최소 간격
D2 : 간격 (반경 방향의 간격)
R1 : 회전 방향
R2 : 회전 방향

Claims (4)

  1. 판상의 피가공물을 유지하는 척 테이블과, 그 피가공물을 연삭 가공하는 연삭 휠을 장착한 연삭 수단을 구비하는 연삭 장치를 사용하여, 복수의 그 피가공물을 동시에 연삭 가공하는 피가공물의 연삭 방법으로서,
    복수의 그 피가공물을, 인접하는 2 장의 그 피가공물에 간격 (0 을 제외한다) 이 형성되도록 유지 부재에 첩착하는 피가공물 첩착 공정과,
    그 유지 부재에 첩착된 그 복수의 피가공물을 그 척 테이블로 유지하는 유지 공정과,
    그 연삭 휠을 그 복수의 피가공물에 접촉시켜 그 복수의 피가공물을 동시에 연삭 가공하는 연삭 공정을 구비하고,
    그 연삭 휠은, 원반상의 휠 기대와, 그 휠 기대의 제 1 면에 환상으로 배열된 복수의 제 1 연삭 지석과, 그 복수의 제 1 연삭 지석의 반경 방향 내측에서 그 복수의 제 1 연삭 지석과 동심원상으로 배열된 복수의 제 2 연삭 지석을 포함하고, 그 복수의 제 1 연삭 지석과 그 복수의 제 2 연삭 지석의 그 반경 방향의 간격은, 인접하는 2 장의 그 피가공물의 최소 간격보다 넓은 것을 특징으로 하는 피가공물의 연삭 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 휠 기대에 배열된 상기 제 2 연삭 지석의 수는, 상기 휠 기대에 배열된 상기 제 1 연삭 지석의 수보다 적은 것을 특징으로 하는 피가공물의 연삭 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 휠 기대에 배열된 상기 제 2 연삭 지석의 내소모성은, 상기 휠 기대에 배열된 상기 제 1 연삭 지석의 내소모성보다 낮은 것을 특징으로 하는 피가공물의 연삭 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 피가공물은, 사파이어 기판 또는 SiC 기판인 것을 특징으로 하는 피가공물의 연삭 방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6887722B2 (ja) * 2016-10-25 2021-06-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法及び切削装置
JP6858539B2 (ja) * 2016-12-08 2021-04-14 株式会社ディスコ 研削装置
US10876517B2 (en) * 2017-12-22 2020-12-29 Wind Solutions, Llc Slew ring repair and damage prevention
JP7118558B2 (ja) * 2019-01-17 2022-08-16 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060063478A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Toyoda Koki Kabushiki Kaisha Grinding wheel
JP2010123822A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法及び研削ホイール
JP2014004663A (ja) * 2012-06-26 2014-01-16 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物の加工方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5139496A (ja) * 1974-09-30 1976-04-02 Sohei Nakano Kensakuban
JPS5760929Y2 (ko) * 1980-07-07 1982-12-25
JPS61226272A (ja) * 1985-03-29 1986-10-08 Toshiba Corp ウエ−ハ研削用砥石
CN1897226A (zh) * 2005-07-11 2007-01-17 上海华虹Nec电子有限公司 一种化学机械抛光机
JP2009166150A (ja) * 2008-01-11 2009-07-30 Denso Corp ウェハの製造方法
JP2010247311A (ja) 2009-04-20 2010-11-04 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物の研削方法
JP5619559B2 (ja) * 2010-10-12 2014-11-05 株式会社ディスコ 加工装置
US9120194B2 (en) * 2011-07-21 2015-09-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus for wafer grinding

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060063478A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Toyoda Koki Kabushiki Kaisha Grinding wheel
JP2010123822A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法及び研削ホイール
JP2014004663A (ja) * 2012-06-26 2014-01-16 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物の加工方法

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