TW202114823A - 磨削裝置及磨削頭 - Google Patents

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田代芳章
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Abstract

一種對被削物進行化學機械磨削之磨削裝置，具備：平台機構，其以可自由裝卸方式支持前述被削物；磨削頭，其相對向配置於該平台機構之上方；驅動機構，其令前述平台機構與前述磨削頭相對運動；及吸引泵，其透過吸引流路與前述磨削頭連接；又，前述磨削頭具備：頭本體，其形成為圓板狀，且於其外周下緣側保持配置成圓環狀之磨石；凹部，其以開口朝向前述平台機構側之方式形成於該頭本體之中央部；及吸引孔，其與該凹部連通，同時與前述吸引流路連通。

Description

磨削裝置及磨削頭
發明領域 本發明是有關於用以將矽晶圓等被削物之表面利用磨石進行研磨加工的磨削裝置及磨削頭。
背景技術 半導體製造領域中，構成半導體元件基板的矽晶圓之表面加工，一般會將已將矽單晶鑄錠切片的晶圓，經由研光步驟、蝕刻步驟、拋光步驟等數階段之步驟精加工成鏡面。在研光步驟中獲得平行度、平坦度等尺寸精度、形狀精度。接著，在蝕刻步驟中去除於研光步驟中產生的加工變質層。再者，於拋光步驟中，藉由進行使用了含游離磨粒之漿料的化學機械研磨(以下稱作「CMP」)，形成在維持良好形狀精度後具有鏡面等級之表面粗糙度的晶圓。又，與此同等的拋光步驟，亦可運用在去除半導體後段步驟中被稱作背磨的磨削加工之損傷時。
近年來運用的方法是使用磨削裝置進行利用乾式化學機械磨削(以下稱作「CMG」)的表面加工以取代拋光步驟(例如參照專利文獻1)。CMG步驟中使用已藉由硬質樹脂等樹脂結合劑將研磨材(磨粒)固定化的合成磨石。又，一邊使晶圓及合成磨石旋轉，一邊將合成磨石按壓於晶圓上(例如參照專利文獻2)。晶圓表面之凸部藉由與合成磨石之摩擦，微細之加工起點會被加熱、氧化而變脆並剝落。如此一來，只有晶圓之凸部會被磨削並且平坦化。乾式磨削裝置無需漿料之回收裝置等，可削減裝置成本或處理成本。
先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利第4573492號公報 專利文獻2：日本特開2004-87912號公報
發明概要 發明欲解決之課題 進行上述CMG的磨削裝置會有以下問題。即，如上述，CMG步驟中，由於屬於乾式加工，因此晶圓之磨削屑會變成粉塵而飛散，加工室因粉塵而受到汙染。故，必須進行加工室環境氣體的更換抑或定期清掃。又，粉塵是使用排水溝等進行處理，若粉塵堆積於晶圓上，則會有對加工點帶來不良影響之虞。
又，半導體元件之加工製程，其前提是在無塵室內進行處理，因此，難以導入粉塵浮游的CMG加工。
故，本發明是為解決上述課題而成者，目的在提供能有效率地去除因磨削加工而產生的粉塵之磨削裝置及磨削頭。
用以解決課題之手段 本實施形態之一種對被削物進行化學機械磨削之磨削裝置，具備：平台機構，其以可自由裝卸方式支持前述被削物；磨削頭，其相對向配置於該平台機構之上方；驅動機構，其令前述平台機構與前述磨削頭相對運動；及吸引泵，其透過吸引流路與前述磨削頭連接；又，前述磨削頭具備：頭本體，其形成為圓板狀，且於其外周下緣側保持配置成圓環狀之磨石；凹部，其以開口朝向前述平台機構側之方式形成於該頭本體之中央部；及吸引孔，其與該凹部連通，同時與前述吸引流路連通。
本實施形態之一種對被削物進行化學機械磨削之磨削裝置，具備：平台機構，其以可自由裝卸方式支持前述被削物；磨削頭，其相對向配置於該平台機構之上方；驅動機構，其令前述平台機構與前述磨削頭相對運動；及吸引泵，其透過吸引流路與前述磨削頭連接；又，前述磨削頭具備：頭本體，其形成為圓板狀，且於其外周下緣側保持配置成圓環狀之磨石；凹部，其以開口朝向前述平台機構側之方式形成於該頭本體之中央部；吸引孔，其與該凹部連通，同時與前述吸引流路連通；外部罩體，其覆蓋前述頭本體之外周側；及孔或溝，其設置於前述頭本體，並連通前述凹部內側與前述外部罩體內側。
本實施形態之一種對載置於平台機構的被削物進行化學機械磨削之磨削頭，具備：頭本體，其形成為圓板狀，且於其外周下緣側保持配置成圓環狀之磨石；凹部，其以開口朝向前述平台機構側之方式形成於該頭本體之中央部；及吸引孔，其設置於前述頭本體，並與前述凹部連通，同時與設置於外部的吸引泵連接。
本實施形態之一種對載置於平台機構的被削物進行化學機械磨削之磨削頭，具備：頭本體，其形成為圓板狀，且於其外周下緣側保持配置成圓環狀之磨石；凹部，其以開口朝向前述平台機構側之方式形成於該頭本體之中央部；吸引孔，其設置於前述頭本體，並與前述凹部連通，同時與設置於外部的吸引泵連接；外部罩體，其覆蓋前述頭本體之外周側；及孔或溝，其設置於前述頭本體，並連通前述頭本體外側與前述外部罩體內側。
發明效果 可以有效率地去除因磨削加工而產生的粉塵。
用以實施發明之形態 圖1~圖3所示者為本發明第1實施形態之CMG裝置(磨削裝置)10。另，該等圖中，W表示成為磨削對象的矽晶圓(被削物)。
如圖1所示，CMG裝置10具備：旋轉平台機構20，其支持晶圓W；及磨石支持機構30，其支持後述合成磨石100。CMG裝置10構成晶圓處理裝置的一部分。於CMG裝置10中，晶圓W可利用搬送機器人等搬入、搬出。
旋轉平台機構20具備：平台馬達21，其配置於地面上；平台軸22，其自該平台馬達21朝上方突出而配置；及平台23，其安裝於該平台軸22之上端。平台23具有將磨削對象之晶圓W以可自由裝卸方式保持的機構。保持機構例如包括真空吸附機構。
磨石支持機構30具備：架台31，其配置於地面上，同時於內部收納有馬達；垂直方向之搖動軸32，其支持於該架台31上，並利用架台31內的馬達朝圖1中箭頭方向搖動；臂部33，其設置於該搖動軸32之上端，並朝水平方向延伸設置；磨石驅動機構40，其設置於該臂部33之前端側；及吸引裝置60。
磨石驅動機構40具備旋轉馬達部41。旋轉馬達部41具備朝下方突出的旋轉軸42。於旋轉軸42之前端部安裝有磨削頭50。於旋轉軸42內部，形成有與後述設置於磨削頭50之吸引孔53連通的吸引流路43。旋轉軸42之下端形成有凸部42a。
磨削頭50具備圓板狀之頭本體51。頭本體51於下面中央部具有朝下方開口的凹部52。於頭本體51之中心部形成有在厚度方向上貫通的孔部51a。上述凸部42a嵌入孔部51a。於頭本體51之外周下緣側形成有保持合成磨石100的筒狀保持部51b。於頭本體51，包圍著孔部51a形成有8個在厚度方向上貫通的吸引孔53。各吸引孔53與上述吸引流路43連通。
於凹部52內部，包圍著孔部51a在周向上以每隔90度之間隔配置有槳葉54。槳葉54例如作成將2個圓錐之底面接起的形狀，並將其軸沿著徑向配置。
於頭本體51下面的保持部51b，遍及成為圓環狀地以可自由裝卸方式安裝有筒狀之合成磨石100。合成磨石100之外徑尺寸及內徑尺寸，與保持部51b之外徑尺寸及內徑尺寸一致。裝設合成磨石100時，從磨削頭50側將螺栓擰入設於合成磨石100的螺孔中來裝設。
合成磨石100是混合對晶圓W具有化學機械磨削作用的研磨材與結合劑而形成。研磨材可依照被削物之材質適當地選擇，當晶圓W為矽材製造時，例如以氧化鈰作為主成分。結合劑例如以酚樹脂等有機化合物系樹脂作為主成分。
吸引裝置60具備：吸引泵61；及吸引管62，其安裝於該吸引泵61之吸氣側。上述吸引流路43與吸引管62連接。
依此構成的CMG裝置10會如下述般來磨削晶圓W。即，將合成磨石100安裝於磨削頭50上。接著，利用搬送機器人將晶圓W安裝於平台23上。
其次，驅動平台馬達21，使平台23朝圖1中箭頭方向旋轉。又，驅動旋轉馬達部41，使磨削頭50及合成磨石100朝圖1中箭頭方向旋轉。使合成磨石100例如以600m/min之周速旋轉，同時以加工壓力300g/cm2 朝晶圓W側按壓。再者，使搖動軸32朝圖1中箭頭方向搖動。藉由該等連動，合成磨石100與晶圓W會滑動。再者，令吸引泵61作動，透過吸引管62、吸引流路43、吸引孔53吸引凹部52內的空氣。故，凹部52之內部形成負壓，且經由合成磨石100與晶圓W之些微間隙攝入空氣，藉此，從外部朝內部具有一定方向之空氣流。
若合成磨石100與晶圓W之表面接觸，則晶圓W表面之凸部會藉由與合成磨石100之摩擦，微細之加工起點受到加熱、氧化而變脆並剝落。如此一來，只有晶圓W之凸部會被磨削並且平坦化。經磨削的少量矽材之粉塵中已進入凹部52者從吸引孔53被吸入，並經由吸引流路43、吸引管62回收至吸引泵61內。
另，藉由設置有槳葉54，已掉落至晶圓W表面的粉塵再度被捲起至凹部52內，並且受到吸引。又，槳葉54附近的空氣流速加快，凹部52之圖2中上面附近的粉塵容易吸引至吸引孔53。
如此一來，藉由CMG裝置10，磨削晶圓W表面時產生的粉塵會被吸引而回收。因此，可防止加工室因粉塵而受到汙染。故，毋須進行加工室環境氣體的更換抑或定期清掃。又，亦無粉塵堆積於晶圓W上之虞，且不會對加工點產生不良影響，可實施預定磨削處理。再者，亦可於無塵室內處理半導體元件之磨削加工。
圖4~圖5所示者為本發明第2實施形態。該等圖中，與圖1~圖3相同機能部分會附上相同符號，並省略其詳細說明。本發明第2實施形態之CMG裝置10具備磨削頭70以取代上述磨削頭50。
磨削頭70具備圓板狀之頭本體71。頭本體71於下面中央部具有朝下方開口的凹部72。於頭本體71之中心部形成有在厚度方向上貫通的孔部71a。上述凸部42a嵌入孔部71a。於頭本體71之外周下緣側形成有保持合成磨石100的筒狀保持部71b。於頭本體71之上部外周面形成有錐形面71c。頭本體71具有外周面71d。
於頭本體71，包圍著孔部71a形成有8個在厚度方向上貫通的吸引孔73。各吸引孔73與上述吸引流路43連通。
於凹部72內部，包圍著孔部71a在周向上以每隔90度之間隔配置有槳葉74。槳葉74例如作成將2個圓錐之底面接起的形狀，並將其軸沿著徑向配置。
於頭本體71，在周向上以每隔90度之間隔配置有自凹部72朝外周面71d側貫通的空氣孔75。另，亦可形成溝以取代空氣孔75。
於頭本體71之錐形面71c上安裝有裙狀之外部罩體80。外部罩體80具備：圓板狀之罩體本體81；及罩體凹部82，其形成於該罩體本體81之下面側。罩體凹部82之下緣部82a形成為錐形狀。上述頭本體71同軸配置於罩體凹部82之內部。
於頭本體71下面的保持部71b，遍及成為圓環狀地以可自由裝卸方式安裝有筒狀之合成磨石100。合成磨石100之外徑尺寸及內徑尺寸，與保持部71b之外徑尺寸及內徑尺寸一致。裝設合成磨石100時，從磨削頭70側將螺栓擰入設於合成磨石100的螺孔中來裝設。合成磨石100之下部位於比外部罩體80更下方。
依此構成的CMG裝置10會如下述般來磨削晶圓W。即，將合成磨石100安裝於磨削頭70上。然後，以與使用上述磨削頭50之情形相同之方式進行磨削加工。藉由吸引泵61之作動，透過吸引管62、吸引流路43、吸引孔73吸引凹部72內的空氣。故，凹部72之內部形成負壓，但因空氣孔75與外部罩體80之罩體凹部82連通，所以罩體凹部82內會經由空氣孔75而形成負壓。由於罩體凹部82之下部開放，因此，合成磨石100周圍的空氣會被吸引至罩體凹部82內。
因合成磨石100與晶圓W之接觸而產生的少量矽材之粉塵中，已進入凹部72者會從吸引孔73被吸入，並經由吸引流路43、吸引管62回收至吸引泵61內。另一方面，於合成磨石100之徑向外側產生的粉塵則從罩體凹部82被吸入，並透過空氣孔75進入凹部72內，如上述般回收至吸引泵61內。
另，藉由設置有槳葉74，已掉落至晶圓W表面的粉塵再度被捲起至凹部72內，並且受到吸引。又，槳葉74附近的空氣流速加快，凹部72之圖4中上面附近的粉塵容易吸引至吸引孔73。
如此一來，藉由CMG裝置10，磨削晶圓W表面時產生的粉塵會被吸引而回收。因此，可防止加工室因粉塵而受到汙染。故，毋須進行加工室環境氣體的更換抑或定期清掃。又，亦無粉塵堆積於晶圓W上之虞，且不會對加工點產生不良影響，可實施預定磨削處理。再者，亦可於無塵室內處理半導體元件之磨削加工。
圖6~圖7所示者為本發明第3實施形態之CMG裝置(磨削裝置)200。如圖6所示，CMG裝置200具備：圓柱狀之框體210；旋轉驅動機構220，其設置於該框體210；磨削頭230，其以可自由裝卸方式安裝於該旋轉驅動機構220；及集塵機240。
框體210於中央設置有貫通孔211，於底面側形成有大於貫通孔211之內徑的中空部212。
旋轉驅動機構220具備：馬達221，其設置於框體210之貫通孔211之上部；加工軸222，其安裝於該馬達221之輸出軸；及軸承部225，其用以氣密性支持加工軸222且使其可自由旋轉。加工軸222具備：圓柱狀之主軸222a；凸緣部222b，其安裝於該主軸222a之下端側；及凸部222c，其安裝於下端。於凸緣部222b形成有相對於旋轉軸呈平行貫通的吸引流路224。
磨削頭230具備圓板狀之頭本體231。頭本體231於下面中央部具有朝下方開口的凹部232。於頭本體231之中心部形成有在厚度方向上貫通的孔部231a。上述凸部222c嵌入孔部231a。於頭本體231之外周下緣側形成有保持合成磨石300的筒狀保持部231b。於頭本體231下面的保持部231b，遍及成為圓環狀地以可自由裝卸方式安裝有筒狀之合成磨石300。合成磨石300之外徑尺寸及內徑尺寸，與保持部231b之外徑尺寸及內徑尺寸一致。
如圖7所示，於頭本體231包圍著孔部231a形成有4個在厚度方向上貫通的吸引孔233。各吸引孔233透過後述空氣流路235與上述吸引流路224連通。
於凹部232內部，包圍著孔部231a在周向上以每隔90度之間隔配置有槳葉234。槳葉234例如形成為板狀，並將其厚度方向沿著旋轉方向配置。
於頭本體231形成有沿著旋轉軸方向的空氣流路235。再者，在周向上以每隔90度之間隔配置有自空氣流路235之中途部朝頭本體231之外周面側貫通的空氣孔236。
於頭本體231之外周面上安裝有裙狀之外部罩體237。外部罩體237之下端緣位於比合成磨石300之下端更上方。
與吸引孔233鄰接，設置有用以將磨削頭230安裝於加工軸222的螺栓238。
依此構成的CMG裝置200會如下述般來磨削晶圓W。即，將合成磨石300安裝於磨削頭230之保持部231b上。
其次，驅動馬達221，使磨削頭230及合成磨石300旋轉。使合成磨石300例如以600m/min之周速旋轉，同時以加工壓力300g/cm2 朝晶圓W側按壓。令集塵機240作動，透過中空部212、吸引流路224及吸引孔233吸引凹部232內的空氣。
另，藉由設置有槳葉234，已掉落至晶圓W表面的粉塵再度被捲起至凹部232內，並且受到吸引。又，槳葉234附近的空氣流速加快，凹部232之圖6中上面附近的粉塵容易吸引至吸引孔233。
再者，透過空氣孔236，外部罩體237內部與空氣流路235連通，因此，外部罩體237內部空間會經由空氣流路235而形成負壓。外部罩體237之下部開放，因此，合成磨石300周圍的空氣會被吸引至外部罩體237內部空間。
若合成磨石300與晶圓W之表面接觸，則晶圓W表面之凸部會藉由與合成磨石300之摩擦，微細之加工起點受到加熱、氧化而變脆並剝落。如此一來，只有晶圓W之凸部會被磨削並且平坦化。經磨削的少量矽材之粉塵中已進入凹部232者從吸引孔233被吸入，並經由吸引流路224、中空部212回收至集塵機240內。另一方面，於合成磨石300之徑向外側產生的粉塵從外部罩體237被吸入，並透過空氣孔236，經由空氣流路235、吸引流路224、中空部212回收至集塵機240內。
如此一來，藉由CMG裝置200，磨削晶圓W表面時產生的粉塵會被吸引而回收。因此，可防止加工室因粉塵而受到汙染。故，毋須進行加工室環境氣體的更換抑或定期清掃。又，亦無粉塵堆積於晶圓W上之虞，且不會對加工點產生不良影響，可實施預定磨削處理。再者，亦可於無塵室內處理半導體元件之磨削加工。
上述實施形態中槳葉54、74、234之形狀、數量、配置為一例，依照裝置之大小、被磨削物之大小或材質之不同，只要是將空氣流誘導至心軸側的構造，即可適當地變更。舉例言之，亦可將槳葉54、74、234之形狀，作成相對於旋轉軸42帶有斜度的螺槳形狀。又，槳葉54、74、234之數量例如宜為3~6個。再者，設置槳葉54、74、234之位置，只要是頭本體之凹部內且為合成磨石之內側，即可適當地設定。又，吸引孔53、73、233之大小、形狀、數量、配置亦為一例，可依照裝置之大小、被磨削物之大小或材質適當地變更。又，合成磨石之外徑尺寸及內徑尺寸，例示者是與保持部之外徑尺寸及內徑尺寸一致，然而，只要能納入保持部之外徑尺寸及內徑尺寸內，亦可令外徑尺寸或內徑尺寸未與保持部之外徑尺寸及內徑尺寸一致。再者，磨石之形狀亦設為筒狀，惟不限於筒狀。舉例言之，亦可將複數個合成磨石在周向上隔著間隙並列設置。某一例中，可使用如圖8所示具有圓狀面的合成磨石400、如圖9所示扇形的合成磨石410、如圖10所示矩形狀的合成磨石420、如圖11所示橢圓狀的合成磨石430等。
此外，合成磨石100、300之周速宜在100m/min~1000m/min之範圍內，惟不限於該範圍。再者，除了工作台大於工具的研磨盤或拋光機等加工方式外，亦可應用在背磨機(橫向進給方式)。舉例言之，如圖12所示，亦可使用於平台23上安裝3個晶圓W且同時進行處理的批次方式。又，如圖13所示，亦可使用於平台23上安裝大型晶圓W且一片一片地進行處理的單片方式。在該等情形下，利用臂部33之搖動可任意為之。
另，本發明並不限於上述實施形態，實施階段中可於未脫離其要旨之範圍內進行各種變形。又，各實施形態亦可適當地組合而實施，在此情形下可獲得組合效果。再者，上述實施形態中包含有各種發明，藉由選自於所揭示複數個構成要件之組合，可取出各種發明。舉例言之，即便自實施形態所示全體構成要件中刪除數個構成要件，亦可解決課題並獲得效果時，已刪除該構成要件的構造便可取出作為發明。
10,200:CMG裝置(磨削裝置) 20:旋轉平台機構 21:平台馬達 22:平台軸 23:平台 30:磨石支持機構 31:架台 32:搖動軸 33:臂部 40:磨石驅動機構 41:旋轉馬達部 42:旋轉軸 42a,222c:凸部 43,224:吸引流路 50,70,230:磨削頭 51,71,231:頭本體 51a,71a,231a:孔部 51b,71b,231b:保持部 52,72,232:凹部 53,73,233:吸引孔 54,74,234:槳葉 60:吸引裝置 61:吸引泵 62:吸引管 71c:錐形面 71d:外周面 75,236:空氣孔 80,237:外部罩體 81:罩體本體 82:罩體凹部 82a:下緣部 100,300,400,410,420,430:合成磨石 210:框體 211:貫通孔 212:中空部 220:旋轉驅動機構 221:馬達 222:加工軸 222a:主軸 222b:凸緣部 225:軸承部 235:空氣流路 238:螺栓 240:集塵機 W:晶圓
圖1是顯示本發明第1實施形態之CMG裝置之立體圖。 圖2是將已裝入該CMG裝置之磨削頭以圖3中的I-I線切割之箭頭方向截面視圖。 圖3是顯示該磨削頭之底視圖。 圖4是顯示將已裝入本發明第2實施形態之CMG裝置之磨削頭以圖5中的II-II線切割之箭頭方向截面視圖。 圖5是顯示該磨削頭之底視圖。 圖6是顯示將已裝入本發明第3實施形態之CMG裝置之磨削頭以圖7中的III-III線切割之箭頭方向截面視圖。 圖7是顯示該磨削頭之底視圖。 圖8是顯示第1~第3實施形態中磨削頭之變形例之底視圖。 圖9是顯示該磨削頭之變形例之底視圖。 圖10是顯示該磨削頭之變形例之底視圖。 圖11是顯示該磨削頭之變形例之底視圖。 圖12是顯示第1~第3實施形態中CMG裝置之變形例之說明圖。 圖13是顯示第1~第3實施形態中CMG裝置之變形例之說明圖。
42:旋轉軸
42a:凸部
43:吸引流路
50:磨削頭
51:頭本體
51a:孔部
51b:保持部
52:凹部
53:吸引孔
54:槳葉
100:合成磨石

Claims (6)

  1. 一種磨削裝置，係對被削物進行化學機械磨削者，其具備： 平台機構，其以可自由裝卸方式支持前述被削物； 磨削頭，其相對向配置於該平台機構之上方； 驅動機構，其令前述平台機構與前述磨削頭相對運動；及 吸引泵，其透過吸引流路與前述磨削頭連接； 又，前述磨削頭具備： 頭本體，其形成為圓板狀，且於其外周下緣側保持配置成圓環狀之磨石； 凹部，其以開口朝向前述平台機構側之方式形成於該頭本體之中央部；及 吸引孔，其與該凹部連通，同時與前述吸引流路連通。
  2. 如請求項1之磨削裝置，其中於前述凹部內設置有槳葉。
  3. 一種磨削裝置，係對被削物進行化學機械磨削者，其具備： 平台機構，其以可自由裝卸方式支持前述被削物； 磨削頭，其相對向配置於該平台機構之上方； 驅動機構，其令前述平台機構與前述磨削頭相對運動；及 吸引泵，其透過吸引流路與前述磨削頭連接； 又，前述磨削頭具備： 頭本體，其形成為圓板狀，且於其外周下緣側保持配置成圓環狀之磨石； 凹部，其以開口朝向前述平台機構側之方式形成於該頭本體之中央部； 吸引孔，其與該凹部連通，同時與前述吸引流路連通； 外部罩體，其覆蓋前述頭本體之外周側；及 孔或溝，其設置於前述頭本體，並連通前述凹部內側與前述外部罩體內側。
  4. 如請求項3之磨削裝置，其中於前述凹部內設置有槳葉。
  5. 一種磨削頭，係對載置於平台機構的被削物進行化學機械磨削者，其具備： 頭本體，其形成為圓板狀，且於其外周下緣側保持配置成圓環狀之磨石； 凹部，其以開口朝向前述平台機構側之方式形成於該頭本體之中央部；及 吸引孔，其設置於前述頭本體，並與前述凹部連通，同時與設置於外部的吸引泵連接。
  6. 一種磨削頭，係對載置於平台機構的被削物進行化學機械磨削者，其具備： 頭本體，其形成為圓板狀，且於其外周下緣側保持配置成圓環狀之磨石； 凹部，其以開口朝向前述平台機構側之方式形成於該頭本體之中央部； 吸引孔，其設置於前述頭本體，並與前述凹部連通，同時與設置於外部的吸引泵連接； 外部罩體，其覆蓋前述頭本體之外周側；及 孔或溝，其設置於前述頭本體，並連通前述頭本體外側與前述外部罩體內側。
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