JPH1015823A - 化学機械研磨装置における研磨スラリー供給方法および装置 - Google Patents
化学機械研磨装置における研磨スラリー供給方法および装置Info
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- JPH1015823A JPH1015823A JP19384796A JP19384796A JPH1015823A JP H1015823 A JPH1015823 A JP H1015823A JP 19384796 A JP19384796 A JP 19384796A JP 19384796 A JP19384796 A JP 19384796A JP H1015823 A JPH1015823 A JP H1015823A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ等の基板の被研磨面と研磨パッドの当
接面に研磨スラリーを供給し、当接面に研磨スラリーを
滞留させることができる研磨スラリー供給方法および装
置を提供する。 【解決手段】 比較的大径の基板Ｗに対して研磨パッド
３を当接させる研磨ヘッド２に、その中央部にスラリー
供給源８に連通したスラリー供給用貫通孔１３を設け、
スラリー吸引源９に連通するスラリー吸引管１１を貫通
孔１３内に挿通して配設し、研磨ヘッド２の下面に貫通
孔５と複数の放射状溝６を設けた研磨パッド３を取り付
ける。研磨スラリーは、貫通孔１３を介して基板Ｗと研
磨パッド３の当接面に供給され、かつスラリー吸引管１
１を介して供給された研磨スラリーを吸引しつつ化学機
械研磨を行なう。
接面に研磨スラリーを供給し、当接面に研磨スラリーを
滞留させることができる研磨スラリー供給方法および装
置を提供する。 【解決手段】 比較的大径の基板Ｗに対して研磨パッド
３を当接させる研磨ヘッド２に、その中央部にスラリー
供給源８に連通したスラリー供給用貫通孔１３を設け、
スラリー吸引源９に連通するスラリー吸引管１１を貫通
孔１３内に挿通して配設し、研磨ヘッド２の下面に貫通
孔５と複数の放射状溝６を設けた研磨パッド３を取り付
ける。研磨スラリーは、貫通孔１３を介して基板Ｗと研
磨パッド３の当接面に供給され、かつスラリー吸引管１
１を介して供給された研磨スラリーを吸引しつつ化学機
械研磨を行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ等の基板を
高精度に研磨するための化学機械研磨装置における研磨
スラリー供給方法および装置に関するものである。
高精度に研磨するための化学機械研磨装置における研磨
スラリー供給方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスにおいては、超微細化や
高段差化が進み、これに伴なって、Ｓｉ、ＧａＡｓ、Ｉ
ｎＰ等の半導体ウエハ、あるいは表面上に複数の島状の
半導体領域が形成された石英やガラス基板等が用いら
れ、これらはいずれもフォトリソグラフィによりパター
ニングされた配線や絶縁領域を形成するために、平坦面
が要求されるものであり、その表面には絶縁膜または金
属膜或いはそれらが混在した面となっている。そしてこ
れらウエハ等の基板を高精度に平坦化するための加工手
段としては、化学機械研磨（ＣＭＰ）方式が知られてい
る。
高段差化が進み、これに伴なって、Ｓｉ、ＧａＡｓ、Ｉ
ｎＰ等の半導体ウエハ、あるいは表面上に複数の島状の
半導体領域が形成された石英やガラス基板等が用いら
れ、これらはいずれもフォトリソグラフィによりパター
ニングされた配線や絶縁領域を形成するために、平坦面
が要求されるものであり、その表面には絶縁膜または金
属膜或いはそれらが混在した面となっている。そしてこ
れらウエハ等の基板を高精度に平坦化するための加工手
段としては、化学機械研磨（ＣＭＰ）方式が知られてい
る。
【０００３】化学機械研磨（ＣＭＰ）を実施する装置と
しては、図３に示すような装置が用いられており、この
種の化学機械研磨装置は、研磨パッド１０２が取り付け
られた回転テーブル１０１と、被加工物であるウエハ等
の基板１０４を下面に着脱自在に保持する被加工物保持
体１０３と、研磨パッド上に研磨スラリー（研磨剤）１
０７を供給する研磨スラリー供給ノズル１０６とを備
え、基板１０４を研磨パッド１０２に当接させて、所定
の加工圧を与えるように研磨パッド１０２に押し付けた
状態で、回転テーブル１０１を回転させるとともに、被
加工物保持体１０３をも回転や直線運動を行なわせ、さ
らに同時に研磨パッド１０２と基板１０４との間に研磨
スラリーを供給しつつ化学機械研磨を行なうように構成
されている。
しては、図３に示すような装置が用いられており、この
種の化学機械研磨装置は、研磨パッド１０２が取り付け
られた回転テーブル１０１と、被加工物であるウエハ等
の基板１０４を下面に着脱自在に保持する被加工物保持
体１０３と、研磨パッド上に研磨スラリー（研磨剤）１
０７を供給する研磨スラリー供給ノズル１０６とを備
え、基板１０４を研磨パッド１０２に当接させて、所定
の加工圧を与えるように研磨パッド１０２に押し付けた
状態で、回転テーブル１０１を回転させるとともに、被
加工物保持体１０３をも回転や直線運動を行なわせ、さ
らに同時に研磨パッド１０２と基板１０４との間に研磨
スラリーを供給しつつ化学機械研磨を行なうように構成
されている。
【０００４】また、近年、図４に示すような部分的化学
機械研磨装置も開発されており、この化学機械研磨装置
は、比較的大径のウエハ等の基板２０２を着脱自在に保
持する回転テーブル２０１と、基板２０２に比して小径
の研磨パッド２０４を取り付けた研磨ヘッド２０３と、
回転テーブル２０１に保持された基板２０２上に研磨ス
ラリー（研磨剤）２０７を供給する研磨スラリー供給ノ
ズル２０６とを備え、研磨パッド２０４を基板２０２に
当接させて、所定の加工圧を与えるように研磨パッド２
０４を押し付けた状態で、回転テーブル２０１を回転さ
せるとともに、研磨ヘッド２０３を高速に回転させそし
て直線運動を行なわせ、さらに同時に基板２０２と研磨
パッド２０４との間に研磨スラリーを供給しつつ化学機
械研磨を行なうように構成されている。
機械研磨装置も開発されており、この化学機械研磨装置
は、比較的大径のウエハ等の基板２０２を着脱自在に保
持する回転テーブル２０１と、基板２０２に比して小径
の研磨パッド２０４を取り付けた研磨ヘッド２０３と、
回転テーブル２０１に保持された基板２０２上に研磨ス
ラリー（研磨剤）２０７を供給する研磨スラリー供給ノ
ズル２０６とを備え、研磨パッド２０４を基板２０２に
当接させて、所定の加工圧を与えるように研磨パッド２
０４を押し付けた状態で、回転テーブル２０１を回転さ
せるとともに、研磨ヘッド２０３を高速に回転させそし
て直線運動を行なわせ、さらに同時に基板２０２と研磨
パッド２０４との間に研磨スラリーを供給しつつ化学機
械研磨を行なうように構成されている。
【０００５】そして、化学機械研磨に使用される研磨ス
ラリーとしては、微粒子を含む液体が用いられ、微粒子
としては、シリカ（ＳｉＯ2 ）、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ
3 ）、酸化マンガン（ＭｎＯ2 ）、酸化セリウム（Ｃｅ
Ｏ）等があり、液体としては、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｈ2
Ｏ2 等が用いられている。これらの研磨スラリーは、基
板の研磨表面に応じて適宜選択されて使用され、例え
ば、半導体表面の研磨においては、シリカ分散水酸化ナ
トリウム溶液が用いられ、シリコン表面がＮａＯＨと反
応して反応生成物であるＮａ2 ＳｉＯ3 層を作り、これ
をシリカと研磨パッドによる機械的研磨により除去し、
新たなシリコン表面を露出させることで反応を進行させ
ることによって、半導体表面を高精度に平坦化するもの
である。
ラリーとしては、微粒子を含む液体が用いられ、微粒子
としては、シリカ（ＳｉＯ2 ）、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ
3 ）、酸化マンガン（ＭｎＯ2 ）、酸化セリウム（Ｃｅ
Ｏ）等があり、液体としては、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｈ2
Ｏ2 等が用いられている。これらの研磨スラリーは、基
板の研磨表面に応じて適宜選択されて使用され、例え
ば、半導体表面の研磨においては、シリカ分散水酸化ナ
トリウム溶液が用いられ、シリコン表面がＮａＯＨと反
応して反応生成物であるＮａ2 ＳｉＯ3 層を作り、これ
をシリカと研磨パッドによる機械的研磨により除去し、
新たなシリコン表面を露出させることで反応を進行させ
ることによって、半導体表面を高精度に平坦化するもの
である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した化
学機械研磨装置のいずれにおいても、研磨パッドと被加
工物である基板との間に研磨スラリーを供給するため
に、研磨スラリーは、供給ノズルを通して回転テーブル
に取り付けられた研磨パッドあるいは基板上であって研
磨パッドと基板の当接面の外部に供給されており、研磨
スラリーは研磨パッドや基板の回転に伴ない拡散して、
その供給された一部の研磨スラリーが基板と研磨パッド
の間に潜り込み、この基板と研磨パッドの当接部分に潜
り込んだ研磨スラリーが化学機械研磨作用に寄与してい
る。したがって、上述した化学機械研磨装置における研
磨スラリーの供給方式では、研磨スラリーは供給された
量のうち、研磨パッドと基板の当接面に潜り込んだ一部
のみが化学機械研磨作用に寄与するものであり、しかも
研磨パッドと基板の当接面に潜り込んだ研磨スラリーも
基板や研磨パッドの当接面を直ちに通過してしまい、ま
た基板と研磨パッドの当接部分の中央部は加工圧が高く
なっていることから、その中央部には研磨スラリーが充
分に行きわたらずに当接部分の中央部の研磨が不充分と
なる等の問題点があった。さらに、基板全面を支障なく
化学機械研磨を行なうために、研磨に本来必要とする研
磨スラリーの量以上に多量の研磨スラリーを供給するこ
とが必要であった。
学機械研磨装置のいずれにおいても、研磨パッドと被加
工物である基板との間に研磨スラリーを供給するため
に、研磨スラリーは、供給ノズルを通して回転テーブル
に取り付けられた研磨パッドあるいは基板上であって研
磨パッドと基板の当接面の外部に供給されており、研磨
スラリーは研磨パッドや基板の回転に伴ない拡散して、
その供給された一部の研磨スラリーが基板と研磨パッド
の間に潜り込み、この基板と研磨パッドの当接部分に潜
り込んだ研磨スラリーが化学機械研磨作用に寄与してい
る。したがって、上述した化学機械研磨装置における研
磨スラリーの供給方式では、研磨スラリーは供給された
量のうち、研磨パッドと基板の当接面に潜り込んだ一部
のみが化学機械研磨作用に寄与するものであり、しかも
研磨パッドと基板の当接面に潜り込んだ研磨スラリーも
基板や研磨パッドの当接面を直ちに通過してしまい、ま
た基板と研磨パッドの当接部分の中央部は加工圧が高く
なっていることから、その中央部には研磨スラリーが充
分に行きわたらずに当接部分の中央部の研磨が不充分と
なる等の問題点があった。さらに、基板全面を支障なく
化学機械研磨を行なうために、研磨に本来必要とする研
磨スラリーの量以上に多量の研磨スラリーを供給するこ
とが必要であった。
【０００７】そこで、本発明は、上記の技術の有する未
解決の課題に鑑みてなされたものであって、上述した化
学機械研磨装置におけるような必要量以上に多量の研磨
スラリーを要することなく、基板と研磨パッドとの当接
面に効率良く研磨スラリーを供給して、基板表面を均一
に高精度な研磨を行なうことができる化学機械研磨装置
における研磨スラリー供給方法および供給装置を提供す
ることを目的とするものである。
解決の課題に鑑みてなされたものであって、上述した化
学機械研磨装置におけるような必要量以上に多量の研磨
スラリーを要することなく、基板と研磨パッドとの当接
面に効率良く研磨スラリーを供給して、基板表面を均一
に高精度な研磨を行なうことができる化学機械研磨装置
における研磨スラリー供給方法および供給装置を提供す
ることを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の化学機械研磨装置における研磨スラリー供
給方法は、研磨ヘッドに取り付けられた研磨パッドを被
加工物の被研磨面に所定の加工圧を与えた状態で当接さ
せ、研磨パッドと被研磨面の当接面に研磨スラリーを供
給しつつ研磨を行なう化学機械研磨装置における研磨ス
ラリー供給方法において、研磨スラリーを前記研磨パッ
ドを介して前記研磨パッドと前記被研磨面の当接面に供
給するとともに、前記研磨パッドと前記被研磨面の当接
面に供給された研磨スラリーを前記研磨パッドの中央部
分に吸引するようになしたことを特徴とする。
に、本発明の化学機械研磨装置における研磨スラリー供
給方法は、研磨ヘッドに取り付けられた研磨パッドを被
加工物の被研磨面に所定の加工圧を与えた状態で当接さ
せ、研磨パッドと被研磨面の当接面に研磨スラリーを供
給しつつ研磨を行なう化学機械研磨装置における研磨ス
ラリー供給方法において、研磨スラリーを前記研磨パッ
ドを介して前記研磨パッドと前記被研磨面の当接面に供
給するとともに、前記研磨パッドと前記被研磨面の当接
面に供給された研磨スラリーを前記研磨パッドの中央部
分に吸引するようになしたことを特徴とする。
【０００９】さらに、本発明の化学機械研磨装置におけ
る研磨スラリー供給方法は、研磨ヘッドに取り付けられ
た研磨パッドを被加工物の被研磨面に所定の加工圧を与
えた状態で当接させ、研磨パッドと被研磨面の当接面に
研磨スラリーを供給しつつ研磨を行なう化学機械研磨装
置における研磨スラリー供給方法において、前記研磨ヘ
ッドに設けられたスラリー供給系により、研磨スラリー
を前記研磨パッドと前記被研磨面の当接面に供給すると
ともに、前記研磨ヘッドの中央部分に設けられたスラリ
ー吸引系により、前記研磨パッドと前記被研磨面の当接
面に供給された研磨スラリーをその中央部分に吸引する
ようになしたことを特徴とする。
る研磨スラリー供給方法は、研磨ヘッドに取り付けられ
た研磨パッドを被加工物の被研磨面に所定の加工圧を与
えた状態で当接させ、研磨パッドと被研磨面の当接面に
研磨スラリーを供給しつつ研磨を行なう化学機械研磨装
置における研磨スラリー供給方法において、前記研磨ヘ
ッドに設けられたスラリー供給系により、研磨スラリー
を前記研磨パッドと前記被研磨面の当接面に供給すると
ともに、前記研磨ヘッドの中央部分に設けられたスラリ
ー吸引系により、前記研磨パッドと前記被研磨面の当接
面に供給された研磨スラリーをその中央部分に吸引する
ようになしたことを特徴とする。
【００１０】また、化学機械研磨装置における研磨スラ
リー供給方法は、研磨スラリーを研磨パッドと被研磨面
の当接面の略中央部分に供給することあるいは研磨スラ
リーを研磨パッドと被研磨面の当接面の中心部から離間
した同心円周上に供給することが好ましく、さらに研磨
パッドは、その中央部に貫通孔を有し、被研磨面に当接
する表面に前記貫通孔から放射状に延びる複数の溝が設
けられていることが好ましい。
リー供給方法は、研磨スラリーを研磨パッドと被研磨面
の当接面の略中央部分に供給することあるいは研磨スラ
リーを研磨パッドと被研磨面の当接面の中心部から離間
した同心円周上に供給することが好ましく、さらに研磨
パッドは、その中央部に貫通孔を有し、被研磨面に当接
する表面に前記貫通孔から放射状に延びる複数の溝が設
けられていることが好ましい。
【００１１】そして、本発明の化学機械研磨装置におけ
る研磨スラリー供給装置は、研磨ヘッドに取り付けられ
た研磨パッドを被加工物の被研磨面に所定の加工圧を与
えた状態で当接させ、研磨パッドと被研磨面の当接面に
研磨スラリーを供給しつつ研磨を行なう化学機械研磨装
置における研磨スラリー供給装置において、前記研磨ヘ
ッドにスラリー供給源に連通したスラリー供給路および
スラリー吸引源に連通したスラリー吸引路を設け、前記
研磨ヘッドの下面に、前記スラリー供給路およびスラリ
ー吸引路にそれぞれ連通する孔を設けた研磨パッドを取
り付けて、研磨スラリーを前記スラリー供給路を介して
前記研磨パッドと前記被研磨面の当接面に供給するとと
もに、前記当接面に供給された研磨スラリーを前記スラ
リー吸引路により前記研磨ヘッドの中央部分に吸引する
ようになしたことを特徴とする。さらに、本発明研磨ス
ラリー供給装置は、研磨ヘッドに取り付けられた研磨パ
ッドを被加工物の被研磨面に所定の加工圧を与えた状態
で当接させ、研磨パッドと被研磨面の当接面に研磨スラ
リーを供給しつつ研磨を行なう化学機械研磨装置におけ
る研磨スラリー供給装置において、前記研磨ヘッドの中
央部にスラリー供給源に連通したスラリー供給用貫通孔
を設け、スラリー吸引源に連通したスラリー吸引管を前
記スラリー供給用貫通孔内に挿通して研磨ヘッドの中央
部分に位置付け、前記研磨ヘッドの下面に前記スラリー
供給用貫通孔に対応する中央貫通孔と該貫通孔から放射
状に延びる複数の溝を備えた研磨パッドを取り付けてな
り、研磨スラリーを前記スラリー供給用貫通孔を介して
前記研磨パッドと前記被研磨面の当接面に供給するとと
もに、前記当接面に供給された研磨スラリーを前記スラ
リー吸引管により前記研磨パッドの中央部分に吸引する
ようになしたことを特徴とする。
る研磨スラリー供給装置は、研磨ヘッドに取り付けられ
た研磨パッドを被加工物の被研磨面に所定の加工圧を与
えた状態で当接させ、研磨パッドと被研磨面の当接面に
研磨スラリーを供給しつつ研磨を行なう化学機械研磨装
置における研磨スラリー供給装置において、前記研磨ヘ
ッドにスラリー供給源に連通したスラリー供給路および
スラリー吸引源に連通したスラリー吸引路を設け、前記
研磨ヘッドの下面に、前記スラリー供給路およびスラリ
ー吸引路にそれぞれ連通する孔を設けた研磨パッドを取
り付けて、研磨スラリーを前記スラリー供給路を介して
前記研磨パッドと前記被研磨面の当接面に供給するとと
もに、前記当接面に供給された研磨スラリーを前記スラ
リー吸引路により前記研磨ヘッドの中央部分に吸引する
ようになしたことを特徴とする。さらに、本発明研磨ス
ラリー供給装置は、研磨ヘッドに取り付けられた研磨パ
ッドを被加工物の被研磨面に所定の加工圧を与えた状態
で当接させ、研磨パッドと被研磨面の当接面に研磨スラ
リーを供給しつつ研磨を行なう化学機械研磨装置におけ
る研磨スラリー供給装置において、前記研磨ヘッドの中
央部にスラリー供給源に連通したスラリー供給用貫通孔
を設け、スラリー吸引源に連通したスラリー吸引管を前
記スラリー供給用貫通孔内に挿通して研磨ヘッドの中央
部分に位置付け、前記研磨ヘッドの下面に前記スラリー
供給用貫通孔に対応する中央貫通孔と該貫通孔から放射
状に延びる複数の溝を備えた研磨パッドを取り付けてな
り、研磨スラリーを前記スラリー供給用貫通孔を介して
前記研磨パッドと前記被研磨面の当接面に供給するとと
もに、前記当接面に供給された研磨スラリーを前記スラ
リー吸引管により前記研磨パッドの中央部分に吸引する
ようになしたことを特徴とする。
【００１２】また、本発明の化学機械研磨装置における
研磨スラリー供給装置は、研磨ヘッドに取り付けられた
研磨パッドを被加工物の被研磨面に所定の加工圧を与え
た状態で当接させ、研磨パッドと被研磨面の当接面に研
磨スラリーを供給しつつ研磨を行なう化学機械研磨装置
における研磨スラリー供給装置において、前記研磨ヘッ
ドの中央部にスラリー吸引源に連通したスラリー吸引用
貫通孔を設け、スラリー供給源に連通した複数のスラリ
ー供給用貫通孔を中心部から離間した同心円周上に設
け、前記研磨ヘッドの下面に前記スラリー吸引用貫通孔
に対応する中央貫通孔と該貫通孔から放射状に延びると
ともに前記研磨ヘッドのスラリー供給用貫通孔にそれぞ
れ連通する複数の溝を備えた研磨パッドを取り付けてな
り、研磨スラリーを前記複数のスラリー供給用貫通孔を
介して前記研磨パッドと前記被研磨面の当接面に供給す
るとともに、前記当接面に供給された研磨スラリーを前
記スラリー吸引用貫通孔により前記研磨パッドの中央部
分に吸引するようになしたことを特徴とする。
研磨スラリー供給装置は、研磨ヘッドに取り付けられた
研磨パッドを被加工物の被研磨面に所定の加工圧を与え
た状態で当接させ、研磨パッドと被研磨面の当接面に研
磨スラリーを供給しつつ研磨を行なう化学機械研磨装置
における研磨スラリー供給装置において、前記研磨ヘッ
ドの中央部にスラリー吸引源に連通したスラリー吸引用
貫通孔を設け、スラリー供給源に連通した複数のスラリ
ー供給用貫通孔を中心部から離間した同心円周上に設
け、前記研磨ヘッドの下面に前記スラリー吸引用貫通孔
に対応する中央貫通孔と該貫通孔から放射状に延びると
ともに前記研磨ヘッドのスラリー供給用貫通孔にそれぞ
れ連通する複数の溝を備えた研磨パッドを取り付けてな
り、研磨スラリーを前記複数のスラリー供給用貫通孔を
介して前記研磨パッドと前記被研磨面の当接面に供給す
るとともに、前記当接面に供給された研磨スラリーを前
記スラリー吸引用貫通孔により前記研磨パッドの中央部
分に吸引するようになしたことを特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明によれば、比較的大径のウエハ等の基板
と基板に比して小径の研磨パッドの当接面に、研磨ヘッ
ドに設けたスラリー供給系を介して研磨スラリーを供給
するとともに、研磨ヘッドの中央部に設けたスラリー吸
引系によって研磨スラリーを当接面の中心部方向に吸引
しているために、研磨スラリーは、基板と研磨パッドの
当接面全面にわたって確実に保持、保有される。したが
って、研磨に必要な適当量を効率よく供給することがで
き、さらに基板表面の研磨を高精度に均一に行なうこと
ができる。
と基板に比して小径の研磨パッドの当接面に、研磨ヘッ
ドに設けたスラリー供給系を介して研磨スラリーを供給
するとともに、研磨ヘッドの中央部に設けたスラリー吸
引系によって研磨スラリーを当接面の中心部方向に吸引
しているために、研磨スラリーは、基板と研磨パッドの
当接面全面にわたって確実に保持、保有される。したが
って、研磨に必要な適当量を効率よく供給することがで
き、さらに基板表面の研磨を高精度に均一に行なうこと
ができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００１５】図１は、本発明の化学機械研磨装置におけ
る研磨スラリーの供給装置を示すものであり、比較的大
径のウエハ等の基板Ｗを着脱自在に保持して回転する回
転テーブル１と、この回転テーブル１の上方で回転テー
ブル１に対向して配設され、自転および公転さらには直
線移動を行ないうるように支持された研磨ヘッド２とを
有し、研磨ヘッド２は基板Ｗに比して小径の研磨パッド
３がヘッド本体４の下面に取り付けられて構成される。
そして、研磨ヘッド２のヘッド本体４は、その中心部に
軸芯方向に沿って貫通した中心孔１３が設けられ、この
中心孔１３は研磨スラリー供給管１４を介してスラリー
供給源８に連通される。この中心孔１３内には導管１２
を介してスラリー吸引源９に連通する吸引管１１が配置
されて、吸引管１１は中心孔１３の中央に位置しかつそ
の下端は中心孔１３の下面と略同一となるように保持さ
れている。
る研磨スラリーの供給装置を示すものであり、比較的大
径のウエハ等の基板Ｗを着脱自在に保持して回転する回
転テーブル１と、この回転テーブル１の上方で回転テー
ブル１に対向して配設され、自転および公転さらには直
線移動を行ないうるように支持された研磨ヘッド２とを
有し、研磨ヘッド２は基板Ｗに比して小径の研磨パッド
３がヘッド本体４の下面に取り付けられて構成される。
そして、研磨ヘッド２のヘッド本体４は、その中心部に
軸芯方向に沿って貫通した中心孔１３が設けられ、この
中心孔１３は研磨スラリー供給管１４を介してスラリー
供給源８に連通される。この中心孔１３内には導管１２
を介してスラリー吸引源９に連通する吸引管１１が配置
されて、吸引管１１は中心孔１３の中央に位置しかつそ
の下端は中心孔１３の下面と略同一となるように保持さ
れている。
【００１６】そして、ヘッド本体４の下面に取り付けら
れる研磨パッド３は、その中心部には研磨ヘッド２の中
心貫通孔１３と略同径の貫通孔５が開けられ、下面には
貫通孔５から放射状に複数の、本実施例においては８本
の、溝６が延設されている。この研磨パッド３が、研磨
ヘッド２の下面に取り付けられたときに、研磨パッド３
の貫通孔５は研磨ヘッド２のスラリー供給用の貫通孔１
３に連通して、放射状溝６とともにスラリー供給系を構
成し、また研磨ヘッド２の貫通孔１３内に挿通された吸
引管１１は、研磨パッド３の貫通孔５および放射状溝６
に連通してスラリー吸引系を構成する。
れる研磨パッド３は、その中心部には研磨ヘッド２の中
心貫通孔１３と略同径の貫通孔５が開けられ、下面には
貫通孔５から放射状に複数の、本実施例においては８本
の、溝６が延設されている。この研磨パッド３が、研磨
ヘッド２の下面に取り付けられたときに、研磨パッド３
の貫通孔５は研磨ヘッド２のスラリー供給用の貫通孔１
３に連通して、放射状溝６とともにスラリー供給系を構
成し、また研磨ヘッド２の貫通孔１３内に挿通された吸
引管１１は、研磨パッド３の貫通孔５および放射状溝６
に連通してスラリー吸引系を構成する。
【００１７】上記のような構造を備えた研磨ヘッド２を
用いて基板Ｗを研磨するに際して、研磨パッド３を回転
テーブル１に保持された基板Ｗに対して所定の加工圧を
付与して当接させ、回転テーブル１を回転させるととも
に、研磨パッド３を取り付けた研磨ヘッド２を自転およ
び公転さらに直線移動をさせる。同時に、研磨スラリー
供給源８からスラリー供給系を介して研磨スラリーを供
給しつつ、さらにスラリー吸引源９を作動させて供給さ
れた研磨スラリーを吸引させながら、化学機械研磨を行
なう。かくすることによって、研磨スラリーは、実線矢
印で示すように、研磨ヘッド２のスラリー供給用貫通孔
１３から研磨パッド３の貫通孔５へ供給され、さらに研
磨パッド３の下面に設けられた複数の放射状溝６を経て
研磨パッド３の外周方向へ流れるとともに、その際に基
板Ｗと研磨パッド３の当接面に入り込むこととなり、研
磨パッド３と基板Ｗの当接面に研磨スラリーを供給する
ことができる。さらに供給された研磨スラリーは、研磨
パッド３の回転や基板Ｗの回転により研磨パッドの外方
に拡散する傾向にあるとしても、研磨ヘッド２の中心部
分にスラリー吸引系を設けているために、研磨パッド３
の外方に拡散しようとする研磨スラリーは白抜き矢印で
示すように研磨パッド３の中心部に吸引される。したが
って、研磨スラリーは、研磨パッド３と基板Ｗの当接面
全面にわたって保持、保有されることとなり、基板Ｗの
研磨は、当接面に常に研磨スラリーが滞留している状態
で行なうことができる。
用いて基板Ｗを研磨するに際して、研磨パッド３を回転
テーブル１に保持された基板Ｗに対して所定の加工圧を
付与して当接させ、回転テーブル１を回転させるととも
に、研磨パッド３を取り付けた研磨ヘッド２を自転およ
び公転さらに直線移動をさせる。同時に、研磨スラリー
供給源８からスラリー供給系を介して研磨スラリーを供
給しつつ、さらにスラリー吸引源９を作動させて供給さ
れた研磨スラリーを吸引させながら、化学機械研磨を行
なう。かくすることによって、研磨スラリーは、実線矢
印で示すように、研磨ヘッド２のスラリー供給用貫通孔
１３から研磨パッド３の貫通孔５へ供給され、さらに研
磨パッド３の下面に設けられた複数の放射状溝６を経て
研磨パッド３の外周方向へ流れるとともに、その際に基
板Ｗと研磨パッド３の当接面に入り込むこととなり、研
磨パッド３と基板Ｗの当接面に研磨スラリーを供給する
ことができる。さらに供給された研磨スラリーは、研磨
パッド３の回転や基板Ｗの回転により研磨パッドの外方
に拡散する傾向にあるとしても、研磨ヘッド２の中心部
分にスラリー吸引系を設けているために、研磨パッド３
の外方に拡散しようとする研磨スラリーは白抜き矢印で
示すように研磨パッド３の中心部に吸引される。したが
って、研磨スラリーは、研磨パッド３と基板Ｗの当接面
全面にわたって保持、保有されることとなり、基板Ｗの
研磨は、当接面に常に研磨スラリーが滞留している状態
で行なうことができる。
【００１８】しかも、研磨スラリーを研磨パッド３と基
板Ｗの当接面の中心部分に供給することができ、かつス
ラリー吸引系によって研磨スラリーを当接面の中心方向
に吸引しているために、研磨スラリーの一部分が研磨パ
ッドの外周から外方へ拡散し流出するとしても、大部分
の研磨スラリーは中心部の吸引管１１を介してスラリー
吸引系により吸い上げられることとなり、研磨スラリー
は、研磨パッド３と基板Ｗとの当接面に確実に保持され
滞留するので、研磨に必要な適当量を供給するのみで良
く、必要以上に大量のスラリーを供給することを要さ
ず、さらに、研磨パッド３と基板Ｗとの当接面の中心部
から外周部にわたって研磨スラリーを充分に供給するこ
とが可能であって、高精度の均一性の高い化学機械研磨
を行なうことができる。
板Ｗの当接面の中心部分に供給することができ、かつス
ラリー吸引系によって研磨スラリーを当接面の中心方向
に吸引しているために、研磨スラリーの一部分が研磨パ
ッドの外周から外方へ拡散し流出するとしても、大部分
の研磨スラリーは中心部の吸引管１１を介してスラリー
吸引系により吸い上げられることとなり、研磨スラリー
は、研磨パッド３と基板Ｗとの当接面に確実に保持され
滞留するので、研磨に必要な適当量を供給するのみで良
く、必要以上に大量のスラリーを供給することを要さ
ず、さらに、研磨パッド３と基板Ｗとの当接面の中心部
から外周部にわたって研磨スラリーを充分に供給するこ
とが可能であって、高精度の均一性の高い化学機械研磨
を行なうことができる。
【００１９】次に、本発明の他の実施例を図２に基づい
て説明する。この実施例においては、研磨ヘッド２のヘ
ッド本体４は、その中心部にその軸芯方向に沿って貫通
した中心貫通孔２１が設けられ、この中心貫通孔２１は
導管２２を介してスラリー吸引源９に連通される。また
研磨ヘッド２のヘッド本体４の中心軸芯から離間した同
心円上に等間隔をおいて配設された複数の、本実施例に
おいては８個の、貫通孔２３が設けられている。この貫
通孔２３は、研磨ヘッド２の下面に取り付けられた研磨
パッド３に研磨スラリーを供給するためのものであっ
て、スラリー供給源８に供給管２４を介して連通されて
いる。
て説明する。この実施例においては、研磨ヘッド２のヘ
ッド本体４は、その中心部にその軸芯方向に沿って貫通
した中心貫通孔２１が設けられ、この中心貫通孔２１は
導管２２を介してスラリー吸引源９に連通される。また
研磨ヘッド２のヘッド本体４の中心軸芯から離間した同
心円上に等間隔をおいて配設された複数の、本実施例に
おいては８個の、貫通孔２３が設けられている。この貫
通孔２３は、研磨ヘッド２の下面に取り付けられた研磨
パッド３に研磨スラリーを供給するためのものであっ
て、スラリー供給源８に供給管２４を介して連通されて
いる。
【００２０】そして、ヘッド本体４の下面に取り付けら
れる研磨パッド３は、その中心部には研磨ヘッドの中心
貫通孔２１に対応する中心孔２５が開けられ、その下面
には中心孔から放射状に延びる複数の、本実施例におい
ては８本の、溝６が形成され、この放射状の溝６の中途
部にはそれぞれ研磨ヘッド２の貫通孔２３に対応する位
置に研磨パッド３の厚さ方向に延びる貫通孔２６が形成
されており、この研磨パッド３がヘッド本体４に取り付
けられたときに、研磨パッド３の中心孔２５は研磨ヘッ
ド２の中心貫通孔２１に連通して、スラリー吸引系を構
成し、また各放射状溝６の貫通孔２６はそれぞれ研磨ヘ
ッド２の貫通孔２３に連通して、放射状溝６とともに、
スラリー供給系を構成する。なお、研磨パッドとして不
織布や発泡ポリウレタン等を素材とするものが用いられ
るが、多孔質で連続気泡を備えたものを用いるときに
は、スラリー供給系としての貫通孔２６は省略すること
もできる。
れる研磨パッド３は、その中心部には研磨ヘッドの中心
貫通孔２１に対応する中心孔２５が開けられ、その下面
には中心孔から放射状に延びる複数の、本実施例におい
ては８本の、溝６が形成され、この放射状の溝６の中途
部にはそれぞれ研磨ヘッド２の貫通孔２３に対応する位
置に研磨パッド３の厚さ方向に延びる貫通孔２６が形成
されており、この研磨パッド３がヘッド本体４に取り付
けられたときに、研磨パッド３の中心孔２５は研磨ヘッ
ド２の中心貫通孔２１に連通して、スラリー吸引系を構
成し、また各放射状溝６の貫通孔２６はそれぞれ研磨ヘ
ッド２の貫通孔２３に連通して、放射状溝６とともに、
スラリー供給系を構成する。なお、研磨パッドとして不
織布や発泡ポリウレタン等を素材とするものが用いられ
るが、多孔質で連続気泡を備えたものを用いるときに
は、スラリー供給系としての貫通孔２６は省略すること
もできる。
【００２１】この実施例においても、先の実施例と同様
に、研磨パッド３を研磨ヘッド２に取り付けて、この研
磨パッド３を回転テーブル１に保持された基板Ｗに対し
て所定の加工圧を付与して当接させ、回転テーブル１を
回転させるとともに、研磨ヘッド２を自転および公転さ
らに直線移動をさせるとともに、スラリー供給源８から
スラリー供給系を介して研磨スラリーを供給しつつ、さ
らにスラリー吸引源９を作動させて研磨スラリーを吸引
させながら、化学機械研磨を行なう。かくすることによ
って、研磨スラリーは、スラリー供給系の貫通孔２３お
よび研磨パッド３の貫通孔２６を介して、研磨パッド３
の下面に設けられた複数の放射状溝６へ、矢印で示すよ
うに、供給される。放射状溝６に供給された研磨スラリ
ーは、研磨パッド３の回転や基板Ｗの回転により、その
一部分は、研磨パッド３と基板Ｗの当接面に入り込み、
また他の一部分は、矢印で示すように、放射状溝６を通
って研磨パッド３の外方へ拡散しようとする。しかし、
研磨ヘッド２の中心部分はスラリー吸引系に連通してい
るために、研磨パッド３の外方へ拡散しようとする研磨
スラリーは、白抜き矢印で示すように、研磨パッド３の
中心部に吸引される。したがって、研磨スラリーは、研
磨パッド３と基板Ｗの当接面全面にわたって保有され滞
留することとなり、基板Ｗの研磨は、当接面に常に研磨
スラリーが存在している状態で行なうことができ、高精
度の均一性の高い化学機械研磨を行なうことができる。
に、研磨パッド３を研磨ヘッド２に取り付けて、この研
磨パッド３を回転テーブル１に保持された基板Ｗに対し
て所定の加工圧を付与して当接させ、回転テーブル１を
回転させるとともに、研磨ヘッド２を自転および公転さ
らに直線移動をさせるとともに、スラリー供給源８から
スラリー供給系を介して研磨スラリーを供給しつつ、さ
らにスラリー吸引源９を作動させて研磨スラリーを吸引
させながら、化学機械研磨を行なう。かくすることによ
って、研磨スラリーは、スラリー供給系の貫通孔２３お
よび研磨パッド３の貫通孔２６を介して、研磨パッド３
の下面に設けられた複数の放射状溝６へ、矢印で示すよ
うに、供給される。放射状溝６に供給された研磨スラリ
ーは、研磨パッド３の回転や基板Ｗの回転により、その
一部分は、研磨パッド３と基板Ｗの当接面に入り込み、
また他の一部分は、矢印で示すように、放射状溝６を通
って研磨パッド３の外方へ拡散しようとする。しかし、
研磨ヘッド２の中心部分はスラリー吸引系に連通してい
るために、研磨パッド３の外方へ拡散しようとする研磨
スラリーは、白抜き矢印で示すように、研磨パッド３の
中心部に吸引される。したがって、研磨スラリーは、研
磨パッド３と基板Ｗの当接面全面にわたって保有され滞
留することとなり、基板Ｗの研磨は、当接面に常に研磨
スラリーが存在している状態で行なうことができ、高精
度の均一性の高い化学機械研磨を行なうことができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で、研磨スラリーは、大径の基板と小径の研磨パッドの
当接面に研磨ヘッドに設けたスラリー供給系を介して供
給することができ、また、研磨ヘッドの中央部に設けた
スラリー吸引系によって研磨スラリーを当接面の中心方
向に吸引しているために、研磨スラリーの一部分が研磨
パッドの外周から外方へ拡散し流出するとしても、大部
分の研磨スラリーは研磨ヘッドの中央部の吸引路を介し
てスラリー吸引系により吸い上げられることとなり、研
磨スラリーは、研磨パッドと基板との当接面に確実に保
持保有されるので、必要以上に大量の研磨スラリーを供
給することを必要とせず、研磨に必要な適当量を供給す
るのみで良く、さらに、研磨パッドと基板との当接面の
中心部から外周部にわたって研磨スラリーを充分に供給
し、かつ滞留させることが可能であって、基板表面を高
精度に均一性の高い化学機械研磨を行なうことができ
る。
で、研磨スラリーは、大径の基板と小径の研磨パッドの
当接面に研磨ヘッドに設けたスラリー供給系を介して供
給することができ、また、研磨ヘッドの中央部に設けた
スラリー吸引系によって研磨スラリーを当接面の中心方
向に吸引しているために、研磨スラリーの一部分が研磨
パッドの外周から外方へ拡散し流出するとしても、大部
分の研磨スラリーは研磨ヘッドの中央部の吸引路を介し
てスラリー吸引系により吸い上げられることとなり、研
磨スラリーは、研磨パッドと基板との当接面に確実に保
持保有されるので、必要以上に大量の研磨スラリーを供
給することを必要とせず、研磨に必要な適当量を供給す
るのみで良く、さらに、研磨パッドと基板との当接面の
中心部から外周部にわたって研磨スラリーを充分に供給
し、かつ滞留させることが可能であって、基板表面を高
精度に均一性の高い化学機械研磨を行なうことができ
る。
【図１】（ａ）は本発明の研磨スラリー供給方法を実施
するための研磨スラリー供給装置の模式断面図であり、
（ｂ）は研磨パッドの下面図であり、（ｃ）は（ｂ）の
Ｃ−Ｃ線の断面図である。
するための研磨スラリー供給装置の模式断面図であり、
（ｂ）は研磨パッドの下面図であり、（ｃ）は（ｂ）の
Ｃ−Ｃ線の断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の研磨スラリー供給方法を実施
するための他の研磨スラリー供給装置の模式断面図であ
り、（ｂ）は研磨パッドの下面図であり、（ｃ）は
（ｂ）のＣ−Ｃ線の断面図である。
するための他の研磨スラリー供給装置の模式断面図であ
り、（ｂ）は研磨パッドの下面図であり、（ｃ）は
（ｂ）のＣ−Ｃ線の断面図である。
【図３】従来の化学機械研磨装置の一例を示す模式斜視
図である。
図である。
【図４】化学機械研磨装置の一例を示す模式斜視図であ
る。
る。
Ｗ 基板 ２ 研磨ヘッド ３ 研磨パッド ４ ヘッド本体 ５ 貫通孔 ６ 放射状溝 ８ スラリー供給源 ９ スラリー吸引源 １１ スラリー吸引管 １３ スラリー供給用貫通孔 ２１ （スラリー吸引用）中心貫通孔 ２３ （スラリー供給用）貫通孔 ２５ 中心孔 ２６ 貫通孔
Claims (10)
- 【請求項１】 研磨ヘッドに取り付けられた研磨パッド
を被加工物の被研磨面に所定の加工圧を与えた状態で当
接させ、研磨パッドと被研磨面の当接面に研磨スラリー
を供給しつつ研磨を行なう化学機械研磨装置における研
磨スラリー供給方法において、 研磨スラリーを前記研磨パッドを介して前記研磨パッド
と前記被研磨面の当接面に供給するとともに、 前記研磨パッドと前記被研磨面の当接面に供給された研
磨スラリーを前記研磨パッドの中央部分に吸引するよう
になしたことを特徴とする化学機械研磨装置における研
磨スラリー供給方法。 - 【請求項２】 研磨スラリーを研磨パッドと被研磨面の
当接面の略中央部分に供給することを特徴とする請求項
１記載の化学機械研磨装置における研磨スラリー供給方
法。 - 【請求項３】 研磨スラリーを研磨パッドと被研磨面の
当接面の中心部から離間した同心円周上に供給すること
を特徴とする請求項１記載の化学機械研磨装置における
研磨スラリー供給方法。 - 【請求項４】 研磨ヘッドに取り付けられた研磨パッド
を被加工物の被研磨面に所定の加工圧を与えた状態で当
接させ、研磨パッドと被研磨面の当接面に研磨スラリー
を供給しつつ研磨を行なう化学機械研磨装置における研
磨スラリー供給方法において、 前記研磨ヘッドに設けられたスラリー供給系により、研
磨スラリーを前記研磨パッドと前記被研磨面の当接面に
供給するとともに、 前記研磨ヘッドの中央部分に設けられたスラリー吸引系
により、前記研磨パッドと前記被研磨面の当接面に供給
された研磨スラリーをその中央部分に吸引するようにな
したことを特徴とする化学機械研磨装置における研磨ス
ラリー供給方法。 - 【請求項５】 研磨スラリーが、スラリー供給系によっ
て研磨ヘッドの中央部分から研磨パッドと被研磨面の当
接面の略中央部分に供給されることを特徴とする請求項
４記載の化学機械研磨装置における研磨スラリー供給方
法。 - 【請求項６】 研磨スラリーが、スラリー供給系によっ
て研磨パッドと被研磨面の当接面の中心部から離間した
同心円周上に供給されることを特徴とする請求項４記載
の化学機械研磨装置における研磨スラリー供給方法。 - 【請求項７】 研磨パッドは、その中央部に貫通孔を有
し、被研磨面に当接する表面に前記貫通孔から放射状に
延びる複数の溝が設けられていることを特徴とする請求
項１ないし６項のいずれか１項記載の化学機械研磨装置
における研磨スラリー供給方法。 - 【請求項８】 研磨ヘッドに取り付けられた研磨パッド
を被加工物の被研磨面に所定の加工圧を与えた状態で当
接させ、研磨パッドと被研磨面の当接面に研磨スラリー
を供給しつつ研磨を行なう化学機械研磨装置における研
磨スラリー供給装置において、 前記研磨ヘッドにスラリー供給源に連通したスラリー供
給路およびスラリー吸引源に連通したスラリー吸引路を
設け、前記研磨ヘッドの下面に、前記スラリー供給路お
よびスラリー吸引路にそれぞれ連通する孔を設けた研磨
パッドを取り付けて、研磨スラリーを前記スラリー供給
路を介して前記研磨パッドと前記被研磨面の当接面に供
給するとともに、前記当接面に供給された研磨スラリー
を前記スラリー吸引路により前記研磨ヘッドの中央部分
に吸引するようになしたことを特徴とする化学機械研磨
装置における研磨スラリー供給装置。 - 【請求項９】 研磨ヘッドに取り付けられた研磨パッド
を被加工物の被研磨面に所定の加工圧を与えた状態で当
接させ、研磨パッドと被研磨面の当接面に研磨スラリー
を供給しつつ研磨を行なう化学機械研磨装置における研
磨スラリー供給装置において、 前記研磨ヘッドの中央部にスラリー供給源に連通したス
ラリー供給用貫通孔を設け、スラリー吸引源に連通した
スラリー吸引管を前記スラリー供給用貫通孔内に挿通し
て研磨ヘッドの中央部分に位置付け、前記研磨ヘッドの
下面に、前記スラリー供給用貫通孔に対応する中央貫通
孔と該貫通孔から放射状に延びる複数の溝を備えた研磨
パッドを取り付けてなり、研磨スラリーを前記スラリー
供給用貫通孔を介して前記研磨パッドと前記被研磨面の
当接面に供給するとともに、前記当接面に供給された研
磨スラリーを前記スラリー吸引管により前記研磨パッド
の中央部分に吸引するようになしたことを特徴とする化
学機械研磨装置における研磨スラリー供給装置。 - 【請求項１０】 研磨ヘッドに取り付けられた研磨パッ
ドを被加工物の被研磨面に所定の加工圧を与えた状態で
当接させ、研磨パッドと被研磨面の当接面に研磨スラリ
ーを供給しつつ研磨を行なう化学機械研磨装置における
研磨スラリー供給装置において、 前記研磨ヘッドの中央部にスラリー吸引源に連通したス
ラリー吸引用貫通孔を設け、スラリー供給源に連通した
複数のスラリー供給用貫通孔を中心部から離間した同心
円周上に設け、前記研磨ヘッドの下面に前記スラリー吸
引用貫通孔に対応する中央貫通孔と該貫通孔から放射状
に延びるとともに前記研磨ヘッドのスラリー供給用貫通
孔にそれぞれ連通する複数の溝を備えた研磨パッドを取
り付けてなり、研磨スラリーを前記複数のスラリー供給
用貫通孔を介して前記研磨パッドと前記被研磨面の当接
面に供給するとともに、前記当接面に供給された研磨ス
ラリーを前記スラリー吸引用貫通孔により前記研磨パッ
ドの中央部分に吸引するようになしたことを特徴とする
化学機械研磨装置における研磨スラリー供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19384796A JPH1015823A (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | 化学機械研磨装置における研磨スラリー供給方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19384796A JPH1015823A (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | 化学機械研磨装置における研磨スラリー供給方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1015823A true JPH1015823A (ja) | 1998-01-20 |
Family
ID=16314745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19384796A Pending JPH1015823A (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | 化学機械研磨装置における研磨スラリー供給方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1015823A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001043178A1 (fr) * | 1999-12-07 | 2001-06-14 | Ebara Corporation | Dispositif distribuant du produit de polissage et dispositif de polissage |
| KR100521368B1 (ko) * | 2002-12-13 | 2005-10-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조를 위한 화학 기계적 연마 장치 |
| KR100568258B1 (ko) | 2004-07-01 | 2006-04-07 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마용 연마 패드 및 이를 이용하는 화학적기계적 연마 장치 |
| CN100395079C (zh) * | 2004-11-10 | 2008-06-18 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种数控抛光用非接触式喷液磨头 |
| JP2010208014A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Lg Chem Ltd | フロートガラス研磨システム |
| CN101982303A (zh) * | 2010-10-11 | 2011-03-02 | 南京航空航天大学 | 开槽型冰冻固结磨料抛光垫及其制备方法 |
| JP2011093018A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨ホイール |
| JP2011235425A (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-24 | Asahi Glass Co Ltd | 研磨パッド及び研磨パッドを用いた研磨装置 |
| CN102335888A (zh) * | 2010-10-11 | 2012-02-01 | 南京航空航天大学 | 开槽型冰冻固结磨料抛光垫及其制备方法 |
| KR101210948B1 (ko) * | 2012-01-11 | 2012-12-11 | 김문식 | 웨이퍼 및 판넬 연마용 패드 |
| JP2013039639A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-02-28 | Asahi Glass Co Ltd | 板状体研磨装置及び研磨システム |
| CN103707154A (zh) * | 2013-12-17 | 2014-04-09 | 天津大学 | 一种基于动压效应的盘式抛光装置及抛光方法 |
| CN103831700A (zh) * | 2014-03-14 | 2014-06-04 | 天津大学 | 流体动压半接触固结磨料抛光装置 |
| KR101420900B1 (ko) * | 2007-06-25 | 2014-07-17 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | 슬러리의 수동적 제거를 제공하는 연마 어셈블리들을 구비한 ｃｍｐ 장치들 |
| JP2015179830A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-10-08 | 国立大学法人九州大学 | 加工方法及び該方法を用いる複合加工装置並びに該方法又は該装置により加工された加工物 |
| JP2016221636A (ja) * | 2015-06-01 | 2016-12-28 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
| CN110000689A (zh) * | 2018-01-05 | 2019-07-12 | 株式会社荏原制作所 | 用于面朝上式的研磨装置的研磨头、具备该研磨头的研磨装置及使用该研磨装置的研磨方法 |
| CN110802508A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-02-18 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 抛光垫及化学机械抛光设备 |
| CN111805412A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-10-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种抛光液施配器及抛光装置 |
| WO2021065102A1 (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 株式会社東京ダイヤモンド工具製作所 | 研削装置及び研削ヘッド |
| WO2022149346A1 (ja) * | 2021-01-08 | 2022-07-14 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN115026705A (zh) * | 2022-06-28 | 2022-09-09 | 广东先导微电子科技有限公司 | 抛光机 |
-
1996
- 1996-07-04 JP JP19384796A patent/JPH1015823A/ja active Pending
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001043178A1 (fr) * | 1999-12-07 | 2001-06-14 | Ebara Corporation | Dispositif distribuant du produit de polissage et dispositif de polissage |
| US6712678B1 (en) | 1999-12-07 | 2004-03-30 | Ebara Corporation | Polishing-product discharging device and polishing device |
| KR100521368B1 (ko) * | 2002-12-13 | 2005-10-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조를 위한 화학 기계적 연마 장치 |
| KR100568258B1 (ko) | 2004-07-01 | 2006-04-07 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마용 연마 패드 및 이를 이용하는 화학적기계적 연마 장치 |
| CN100395079C (zh) * | 2004-11-10 | 2008-06-18 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种数控抛光用非接触式喷液磨头 |
| KR101420900B1 (ko) * | 2007-06-25 | 2014-07-17 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | 슬러리의 수동적 제거를 제공하는 연마 어셈블리들을 구비한 ｃｍｐ 장치들 |
| JP2010208014A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Lg Chem Ltd | フロートガラス研磨システム |
| JP2011093018A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨ホイール |
| JP2011235425A (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-24 | Asahi Glass Co Ltd | 研磨パッド及び研磨パッドを用いた研磨装置 |
| CN102335888A (zh) * | 2010-10-11 | 2012-02-01 | 南京航空航天大学 | 开槽型冰冻固结磨料抛光垫及其制备方法 |
| CN101982303A (zh) * | 2010-10-11 | 2011-03-02 | 南京航空航天大学 | 开槽型冰冻固结磨料抛光垫及其制备方法 |
| JP2013039639A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-02-28 | Asahi Glass Co Ltd | 板状体研磨装置及び研磨システム |
| KR101210948B1 (ko) * | 2012-01-11 | 2012-12-11 | 김문식 | 웨이퍼 및 판넬 연마용 패드 |
| CN103707154A (zh) * | 2013-12-17 | 2014-04-09 | 天津大学 | 一种基于动压效应的盘式抛光装置及抛光方法 |
| JP2015179830A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-10-08 | 国立大学法人九州大学 | 加工方法及び該方法を用いる複合加工装置並びに該方法又は該装置により加工された加工物 |
| CN103831700A (zh) * | 2014-03-14 | 2014-06-04 | 天津大学 | 流体动压半接触固结磨料抛光装置 |
| JP2016221636A (ja) * | 2015-06-01 | 2016-12-28 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
| KR20190083970A (ko) | 2018-01-05 | 2019-07-15 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 페이스 업식 연마 장치를 위한 연마 헤드, 당해 연마 헤드를 구비하는 연마 장치 및 당해 연마 장치를 사용한 연마 방법 |
| CN110000689A (zh) * | 2018-01-05 | 2019-07-12 | 株式会社荏原制作所 | 用于面朝上式的研磨装置的研磨头、具备该研磨头的研磨装置及使用该研磨装置的研磨方法 |
| JP2019119012A (ja) * | 2018-01-05 | 2019-07-22 | 株式会社荏原製作所 | フェースアップ式の研磨装置のための研磨ヘッド、当該研磨ヘッドを備える研磨装置および当該研磨装置を用いた研磨方法 |
| US11440161B2 (en) | 2018-01-05 | 2022-09-13 | Ebara Corporation | Polishing head for face-up type polishing apparatus, polishing apparatus including the polishing head, and polishing method using the polishing apparatus |
| WO2021065102A1 (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 株式会社東京ダイヤモンド工具製作所 | 研削装置及び研削ヘッド |
| JP2021053738A (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 株式会社東京ダイヤモンド工具製作所 | 研削装置及び研削ヘッド |
| CN110802508A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-02-18 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 抛光垫及化学机械抛光设备 |
| CN110802508B (zh) * | 2019-11-12 | 2021-08-24 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 抛光垫及化学机械抛光设备 |
| CN111805412A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-10-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种抛光液施配器及抛光装置 |
| WO2022149346A1 (ja) * | 2021-01-08 | 2022-07-14 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN115026705A (zh) * | 2022-06-28 | 2022-09-09 | 广东先导微电子科技有限公司 | 抛光机 |
| CN115026705B (zh) * | 2022-06-28 | 2024-04-12 | 广东先导微电子科技有限公司 | 抛光机 |
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