JP2019119012A - フェースアップ式の研磨装置のための研磨ヘッド、当該研磨ヘッドを備える研磨装置および当該研磨装置を用いた研磨方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 357
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 321
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 55
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 9
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 7
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
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Abstract
Description
する部品)」を指す用語であり、「回転軸」とは「回転運動の中心となる直線(数学的または仮想的な直線)」を指す用語である。研磨装置100はさらに研磨ヘッド120をZ方向に移動させるための上下動機構124を備える。上下動機構124により研磨ヘッド120を下降させることによって、研磨パッド121の下面が基板111の上面に押し付けられる。研磨パッド121が基板111に押し付けられた状態で研磨ヘッド120を回転させることにより、基板111が研磨される。
ノズル130に接続されている。代替として、複数の液体源131を1つの液体供給ノズル130に接続してもよい。複数の液体源131を1つの液体供給ノズル130に接続した場合、1つの液体供給ノズル130から複数の種類の液体を供給することが可能になる。さらに、液体供給ノズル130の数は1つに限らない。液体供給ノズル130を複数設ける場合、それぞれの液体供給ノズル130に1つまたは複数の別個独立した液体源131を接続してもよい。一方で、液体供給ノズル130を複数設ける場合、1つの液体源131を複数の液体供給ノズル130に接続してもよい。
に従って下降し、液体排出口127から排出される。
ド120の回転速度、研磨ヘッド120の寸法、液体供給ノズル130から供給される液体の性質、および、液体供給ノズル130からの液体の供給のしやすさなどの種々のパラメータを考慮して決定されてよい。図2のオーバーハング部220の上部および/または下部に、追加のオーバーハング部を設けてもよい。
矢印で示されているとおり、液体リザーバ部126の底面にオーバーハング部220が設けられている場合は、液体の流れはオーバーハング部220により阻害される。その結果、液体リザーバ部126内の液体のうち少なくとも一部は液体リザーバ部126の外壁に達せず、液体排出口127にから排出されやすくなり得る。
を導き得る。
下動機構124、水平移動機構125および/または回転機構122により行われる必要はない。研磨装置100が、定盤110を上下動および/または水平移動させるための移動機構を備える場合、ステップ400およびステップ440は定盤110のための移動機構により実行されてもよい。例えば、研磨ヘッド120は、研磨装置100とは独立したアクチュエータなどにより移動または回転させられてもよい。極端な例では、ユーザが研磨ヘッド120を移動または回転させてもよい。図4のフローチャートに示された手法以外の手法に従って研磨を実行してもよい。
110…定盤
111…基板
120…研磨ヘッド
121…研磨パッド
122…回転機構
123…シャフト
124…上下動機構
125…水平移動機構
126…液体リザーバ部
127…液体排出口
128…パッド孔
130…液体供給ノズル
131…液体源
132…流量調整機構
140…制御部
200…開口
210…流路
220…オーバーハング部
Claims (10)
- 基板の研磨面が上向きとなるように前記基板を保持する研磨装置のための研磨ヘッドであって、
前記研磨ヘッドの回転軸の周囲に設けられた、液体を受けるための液体リザーバ部と、
前記研磨ヘッドの下面に設けられた、前記液体リザーバ部により受けられた液体を排出するための液体排出口と、
を備え、
前記研磨ヘッドの上部に、前記研磨ヘッドの回転軸を中心とした環状の開口が形成されており、
前記液体リザーバ部が、前記開口を介して前記研磨ヘッドの外部の空間と連通する、研磨ヘッド。 - 請求項1に記載の研磨ヘッドであって、前記液体リザーバ部の底面がすり鉢状に傾斜している、研磨ヘッド。
- 請求項1または2に記載の研磨ヘッドであって、前記液体リザーバ部の外壁および/または底面に設けられたオーバーハング部であって、前記開口の径方向内側に向かって延びるオーバーハング部をさらに備える、研磨ヘッド。
- 請求項1から3のいずれか一項に記載の研磨ヘッドであって、前記液体リザーバ部と前記液体排出口を繋ぐ流路が設けられている、研磨ヘッド。
- 請求項1から4のいずれか一項に記載の研磨ヘッドであって、前記液体排出口は前記研磨ヘッドの下面の中心に設けられている、研磨ヘッド。
- 上面に基板を着脱可能に支持するための定盤と、
前記定盤に対向するように設けられた、請求項1から5のいずれか一項に記載の研磨ヘッドと、
前記研磨ヘッドの前記開口を介して前記液体リザーバに液体を供給するための液体供給ノズルと、
を備える、研磨装置。 - 請求項6に記載の研磨装置を用いた研磨方法であって、
(a)前記研磨ヘッドの下面に取り付けられた研磨パッドを前記基板に接触させるステップと、
(b)前記液体供給ノズルから前記液体リザーバ部に研磨液を供給しながら、前記研磨ヘッドを回転させるステップと、
(c)前記液体供給ノズルから前記液体リザーバ部に洗浄液を供給しながら、前記研磨ヘッドを回転させるステップと、
(d)前記研磨パッドを前記基板から引き離すステップと、
を含む、研磨方法。 - 請求項7に記載の研磨方法であって、
前記研磨装置は、前記研磨ヘッドを回転させるための回転機構をさらに備え、
前記ステップ(b)および前記ステップ(c)における前記研磨ヘッドの回転は、前記回転機構により行われる、研磨方法。 - 請求項7または8に記載の研磨方法であって、
前記研磨装置は、前記研磨ヘッドを上下動させるための上下動機構をさらに備え、
前記ステップ(a)における前記研磨パッドを前記基板に接触させることおよび前記ステップ(d)における前記研磨パッドを前記基板から引き離すことは、前記上下動機構により行われる、研磨方法。 - 請求項7から9のいずれか一項に記載の研磨方法であって、前記ステップ(b)における前記研磨液の単位時間あたりの供給量は、前記研磨液の前記液体排出口からの単位時間あたりの排出量と同一である、研磨方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018000729A JP7201322B2 (ja) | 2018-01-05 | 2018-01-05 | フェースアップ式の研磨装置のための研磨ヘッド、当該研磨ヘッドを備える研磨装置および当該研磨装置を用いた研磨方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018000729A JP7201322B2 (ja) | 2018-01-05 | 2018-01-05 | フェースアップ式の研磨装置のための研磨ヘッド、当該研磨ヘッドを備える研磨装置および当該研磨装置を用いた研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019119012A true JP2019119012A (ja) | 2019-07-22 |
JP7201322B2 JP7201322B2 (ja) | 2023-01-10 |
Family
ID=67139275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018000729A Active JP7201322B2 (ja) | 2018-01-05 | 2018-01-05 | フェースアップ式の研磨装置のための研磨ヘッド、当該研磨ヘッドを備える研磨装置および当該研磨装置を用いた研磨方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11440161B2 (ja) |
JP (1) | JP7201322B2 (ja) |
KR (1) | KR102655100B1 (ja) |
CN (1) | CN110000689B (ja) |
TW (1) | TWI788474B (ja) |
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KR102655100B1 (ko) | 2024-04-08 |
US11440161B2 (en) | 2022-09-13 |
CN110000689B (zh) | 2023-06-20 |
CN110000689A (zh) | 2019-07-12 |
KR20190083970A (ko) | 2019-07-15 |
JP7201322B2 (ja) | 2023-01-10 |
TWI788474B (zh) | 2023-01-01 |
TW201936318A (zh) | 2019-09-16 |
US20190210187A1 (en) | 2019-07-11 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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