JP2008528300A - 基板研磨方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
研磨量に加えて、研磨対象物の表面温度、研磨パッドの厚み等のパラメータをも考慮して研磨プロファイルを最適化する研磨装置を提供する。制御ユニットCUの制御の下で研磨対象物を研磨するための研磨装置は、少なくとも2つの押圧部分を有し、それぞれの押圧部分ごとに任意の圧力を研磨対象物に印加することができるトップリングと、研磨対象物の研磨量を測定する測定装置IMと、研磨対象物の研磨状態を監視する監視装置SMとを具備する。制御ユニットCUは、測定装置IMと監視装置SMとの出力とに基づいて、研磨対象物の研磨プロファイルを最適化するのに必要な加工圧力をトップリングに設定するためのシミュレーション・ソフトにしたがって研磨対象物の研磨を行わせる。
Description
本発明は、半導体基板に代表される被研磨物の研磨装置において、消耗材の経時的変化を主たる要因とする、基板面内の残膜不均一性による歩留まり低下を抑制し、消耗材を長寿命化して運転コストを低減することが可能な基板研磨装置及び該方法を実施する研磨装置に関する。
背景技術
近年、半導体デバイスが微細化され、素子構造が複雑化されるに伴い、半導体デバイスの表面の凹凸が増え、段差が大きくなる傾向にある。その結果、薄膜形成時に段差部での膜厚が小さくなったり、配線の断線によるオープンや配線層間の絶縁不良によるショートが生じたりして歩留まりが低下する。こうした問題を解決するための平坦化技術として、例えば半導体基板上での半導体装置製造工程において、絶縁膜や配線金属膜の成膜過程で形成される表面の凹凸を平坦化する化学的機械的研磨(CMP)が採用されている。
近年、半導体デバイスが微細化され、素子構造が複雑化されるに伴い、半導体デバイスの表面の凹凸が増え、段差が大きくなる傾向にある。その結果、薄膜形成時に段差部での膜厚が小さくなったり、配線の断線によるオープンや配線層間の絶縁不良によるショートが生じたりして歩留まりが低下する。こうした問題を解決するための平坦化技術として、例えば半導体基板上での半導体装置製造工程において、絶縁膜や配線金属膜の成膜過程で形成される表面の凹凸を平坦化する化学的機械的研磨(CMP)が採用されている。
CMPにおいては、研磨対象物である基板を不織布等からなる研磨パッドに押圧して基板と研磨パッドとの間に砥粒を供給しながら互いに摺道運動させて研磨を行う。CMPでの研磨の際、パッド表面に同心円状又は格子状の溝加工を施すことが十分な量の砥粒を基板中央部まで供給するために有効であることが分かっている。また、CMPでは、研磨パッド表面に付着する研磨屑を除去する目的で、ダイヤモンド・ディスク等でパッド表面の一部を削り込む、いわゆるパッド・コンディショニングが施される。
基板上に積層された配線や絶縁膜を平坦に研磨するCMP工程では、製造ラインで運用する研磨条件は予め最適化され、最適化された条件で研磨部材の消耗度が限度に達するまで、同一条件で研磨処理される。しかしながら研磨部材が消耗していく過程で、基板上の配線や絶縁膜の研磨後の表面形状(これを研磨プロファイルという)は研磨部材の消耗度に合わせ経時的に変化していく。一般的に、研磨部材の交換時期は、これら経時変化がデバイスの性能に影響を与える前に設定される。
近年の半導体デバイスの微細化と配線の多層化、処理速度の高速化に伴って、配線メタルや絶縁膜の研磨後の表面形状即ち研磨プロファイルは一層精度の高い平坦度が求められる。即ち許容される研磨プロファイルの経時変化は、微細化や多層化の進んだデバイスにおいては一層狭められることになり、研磨部材の消耗交換頻度も高くなる。しかしながら、CMPの消耗部材は非常に高価であり、消耗交換頻度が高くなるとデバイスのコストに大きな影響を与えることになる。
一般に、研磨の世界ではプレストンの実験式として知られるQ∝kpvΔt(ただし、Qは研磨量、kは研磨パッドや研磨液、基板の材質等によって決められる係数、pは加工圧力、vは移動速度、Δtは下降時間である)から、研磨量Qを或る程度の精度で予測できることが広く知られており、CMPにおいても概ねプレストンの実験式が成立する。しかし、CMPにおいては、化学的作用による研磨速度が加工温度に大きく影響されるため、プレストンの実験式だけからでは精度の良い研磨量の予測が困難になる場合がある。また、研磨パッド表面の溝の中の砥粒の挙動は流体力学に基づくものであり、これもプレストンの実験式では考慮されていない要因である。更に、パッド・コンディショナのカットレートの低下に伴う目立て不足、研磨屑の除去量低下といった要因もプレストンの実験式ではカバーできていない。
発明の開示
本発明は上記の課題に鑑みて提案されたものであり、本発明の目的は、研磨装置内部でプレストンの実験式を基本式としたシミュレータを用いて加工圧力の最適化を自動的に行い、且つ、プレストンの実験式ではカバーしきれないパラメータをも十分にモニタリングすることにより補正精度の向上を図り、集積回路の更なる微細化に伴う研磨形状の均一化を実現するにある。
本発明は上記の課題に鑑みて提案されたものであり、本発明の目的は、研磨装置内部でプレストンの実験式を基本式としたシミュレータを用いて加工圧力の最適化を自動的に行い、且つ、プレストンの実験式ではカバーしきれないパラメータをも十分にモニタリングすることにより補正精度の向上を図り、集積回路の更なる微細化に伴う研磨形状の均一化を実現するにある。
さらに、本発明の他の目的は、従来は基板を一定枚数処理する毎に交換していた消耗材の状態を正確に管理することによって消耗材の長寿命化を図り、運転コストの低減を可能とすることにある。
上記の目的を達成するために、本願の発明に係る研磨装置は、ウエハ等の研磨対象物を研磨するために研磨対象物を保持しつつ研磨対象物に対して圧力を与えて研磨部材に押し付けるトップリングを備えている。トップリングは研磨対象物に対し、同心円状に区切られたエリアごとに圧力を任意に設定することができるので、研磨対象物と研磨部材との間の押圧力を制御することができる。したがって、研磨対象物の研磨形状が平坦にならない場合、例えば研磨量が不足している部分には、必要な研磨量分の押圧力を更に加えることが可能となり、平坦精度の高い研磨性能を得ることができる。
トップリングのエリア内の圧力は、通常、研磨後の研磨対象物に形成された配線メタルまたは層間絶縁膜の表面が平坦になるように設定される。従来、この圧力設定はエンジニアの経験則に従って行われるケースが多く、研磨対象物の面を平坦に研磨するための条件を作るまでに数枚の研磨対象物を研磨して調整しなければならなかった。
そこで、本発明では、上記の構造のトップリングにおける各エリアの圧力設定条件を入力することにより、研磨対象物の研磨プロファイルを予測算出する第一のシミュレーション・ソフトを利用する。この第一のシミュレーション・ソフトによるシミュレーション結果は、実際の研磨結果プロファイルと比較して1〜5%の誤差でしかないことが判明した。本発明により、圧力設定の調整段階で使用していた研磨対象物の無駄を省くことができ、また、シミュレーションにより瞬時に研磨プロファイルを予測することができるので、圧力設定に要する時間も短縮できる。
この第一のシミュレーション・ソフトは、比較的少数の測定点での残膜形状(もしくは研磨形状)の測定結果から求めることができる研磨係数(パッドやスラリーによる影響を含んだ係数)を更新するだけで、その測定点以外の多数の点の研磨後の残膜厚を予測することができるので、スラリーやパッド等の研磨部材の変化による影響を容易に補正でき、補正後の設定された研磨条件における研磨プロファイルを予測することが可能である。研磨係数の更新が、第一のシミュレーション・ソフトに使う研磨条件設定値に近いところで研磨された結果を用いて行われている場合には、誤差は1〜3%程度にまで低減できる。実際の半導体生産ラインで連続的に研磨されている場合には、連続した研磨対象物間での研磨条件設定値に大きな差が無いため、より精度の高いシミュレーションを行うことができる。なお、研磨形状の測定点が比較的少数の場合には、この測定点をなめらかに補間した曲線を用いて研磨係数を算出すればよい。
本発明は、ウエハ面上の膜形状を所望の膜厚とすることで所望の研磨プロファイルをも得るようにする。そのために、本発明では、所望の研磨時間、平均研磨量、残膜形状(研磨形状でもよい)を入力することにより、これらの条件を満たすよう各エリアの設定圧力を第二のシミュレーション・ソフトにより算出する。第二のシミュレーション・ソフトには、第一のシミュレーション・ソフトがモジュールとして組み込まれている。ある設定圧力における研磨プロファイルの予測値を第一のシミュレーション・ソフトにより算出し、この予測値を所望の研磨プロファイルと比較して設定圧力の修正値を算出する。第二のシミュレーション・ソフトによって、この研磨プロファイルの予測値の算出と、設定圧力の修正値の算出を繰り返し行えば、所望の研磨プロファイルにより近づくような設定圧力を算出することができる。
ここでは、設定した研磨時間は参考値(目標値)として扱い、研磨は、エンドポイント・システムで実際にモニタリングしている残膜量が所望の値になったところで終了してもよい。
本発明により、今までは平均研磨量を安定させていただけだったが、研磨後の平坦度もしくは所望の残膜形状をも制御して安定させることができる。そのために、本発明では、好ましくは1枚の試験研磨対象物を処理して研磨係数を更新した後に、第二のシミュレーション・ソフトにより所望の研磨時間、平均研磨量、残膜形状が得られるように最適化された研磨条件を得る。研磨対象物は、この最適化された研磨条件により研磨されるが、研磨部材の消耗度により適宜研磨係数を更新し、所望の研磨時間、平均研磨量、残膜形状が安定して得られるように研磨条件を再度最適化する。ここで、研磨した研磨対象物の研磨条件をフィードバックして研磨を行うようにすれば、研磨後の残膜の平坦性の精度や研磨条件によって影響を受けるフィードバック制御の精度を考慮すると、研磨後の研磨対象物に対する品質をより高い精度で確保することが可能になる。
本発明では、研磨形状に関するデータを、光学式の測定器で計測できる生成膜ばかりでなく金属膜に対しても計測可能な測定器を用いて取得してフィードバック制御を行うことが可能であり、CMP工程のアプリケーションに制限を受けず汎用性に富む。また、膜厚データの取得方法も、研磨中にモニタリングできる計測器による計測方法、研磨後に計測器までウエハを搬送して計測する方法、CMP装置外で測定したデータをCMP装置へ転送・入力する方法など、任意の手段を選ぶことができ、また、運用のし易いよう研磨前と研磨後の膜厚データを異なる方法でそれぞれ取得する等、上記の方法の任意の組合せも可能である。
更に、本発明においては、プレストンの実験式ではカバーしきれないパラメータをも十分にモニタリングすることにより補正精度の向上を図り、集積回路の更なる微細化に伴う研磨形状の均一化を実現する。このために、本発明は、研磨表面温度、パッド厚さ、パッド溝深さ及びドレッサのカットレート値をも考慮して研磨動作を制御する。
そこで、本願の請求項1の発明は、
制御ユニットの制御の下で研磨対象物を研磨するための研磨装置であって、
少なくとも2つの押圧部分を有し、それぞれの前記押圧部分ごとに任意の圧力を前記研磨対象物に印加することができるトップリングと、
研磨対象物の研磨量を測定する測定装置と、
前記研磨対象物の研磨状態を監視する監視装置と、
を具備し、前記制御ユニットが、前記測定装置の出力及び前記監視装置の出力とに基づいて、前記研磨対象物の研磨プロファイルを最適化するのに必要な加工圧力を前記トップリングに設定するためのシミュレーション・ソフトにしたがって前記研磨対象物の研磨を行わせることを特徴とする研磨装置、
を提供する。
制御ユニットの制御の下で研磨対象物を研磨するための研磨装置であって、
少なくとも2つの押圧部分を有し、それぞれの前記押圧部分ごとに任意の圧力を前記研磨対象物に印加することができるトップリングと、
研磨対象物の研磨量を測定する測定装置と、
前記研磨対象物の研磨状態を監視する監視装置と、
を具備し、前記制御ユニットが、前記測定装置の出力及び前記監視装置の出力とに基づいて、前記研磨対象物の研磨プロファイルを最適化するのに必要な加工圧力を前記トップリングに設定するためのシミュレーション・ソフトにしたがって前記研磨対象物の研磨を行わせることを特徴とする研磨装置、
を提供する。
請求項2の発明は、前記少なくとも2つの押圧部分が、複数の同心円状のエアバックと、該エアバッグを囲むリテーナリングとを含み、前記リテーナリングの圧力を、前記エアバックの圧力の総和の平均値の2割よりも大きい値に維持することを特徴とする。
請求項3の発明は、前記監視装置の出力が、前記リテーナリングの摩耗量が閾値を下回ったことを示したとき、前記制御ユニットが研磨を中止するよう指令することを特徴とする。
請求項4の発明は、前記監視装置の出力が、前記研磨対象物の表面温度が所定の設定温度を越えたことを示したとき、前記制御ユニットが、前記シミュレーション・ソフトの使用を中止し、又は研磨を中止するよう指令し、前記監視装置の出力が、前記表面温度が前記設定温度よりも下がったことを示したとき、前記制御ユニットが研磨を再開するよう指令することを特徴とする。
請求項5の発明は、前記トップリングによって押圧された状態で前記研磨対象物を研磨するための研磨パッドを更に備え、前記監視装置の出力が、前記研磨パッドの厚みが閾値を下回ったことを示したとき、前記制御ユニットが、前記シミュレーション・ソフトの使用を中止し、又は研磨を中止するよう指令することを特徴とする。
請求項6の発明は、前記監視装置が、前記研磨パッドの厚みを測定するためのレーザー変位計を備えることを特徴とする。
請求項7の発明は、前記トップリングによって押圧された状態で前記研磨対象物を研磨するための研磨パッドと、前記研磨パッドをコンディショニングするためのドレッサとを更に備え、前記監視装置の出力が、前記ドレッサのカットレートが閾値を下回ったことを示したとき、前記制御ユニットが、前記シミュレーション・ソフトの使用を中止し、又は研磨を中止するよう指令することを特徴とする。
請求項7の発明は、前記トップリングによって押圧された状態で前記研磨対象物を研磨するための研磨パッドと、前記研磨パッドをコンディショニングするためのドレッサとを更に備え、前記監視装置の出力が、前記ドレッサのカットレートが閾値を下回ったことを示したとき、前記制御ユニットが、前記シミュレーション・ソフトの使用を中止し、又は研磨を中止するよう指令することを特徴とする。
請求項8の発明は、前記ドレッサを駆動するためのモータのトルクを用いて前記カットレートを監視することを特徴とする。
請求項9の発明は、前記制御ユニットが、前記研磨状態に応じてスラリーの供給量を調整することができることを特徴とする。
請求項9の発明は、前記制御ユニットが、前記研磨状態に応じてスラリーの供給量を調整することができることを特徴とする。
なお、通常、研磨装置には作業者が運転上検討を入力するためのタッチパネルが設けられ、制御ユニットがシミュレーション・ソフトの使用中止を指令したとき、この旨がタッチパネルに表示される。これを受けて、作業者は研磨を続行するか中止するかを決定する。また、制御ユニットからシミュレーション・ソフトの使用中止の指令が出たときに研磨を中止する設定を選択するよう、予めタッチパネルの操作によって設定しておくことも可能である。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明に係る研磨方法及び装置の実施の形態について、図面を参照しながら詳述する。まず、本発明に係る研磨装置の一つの実施の形態を、その各部の配置構成を示す平面図である図1と同研磨装置の斜視図を示す図2とを用いて説明する。図1および図2において、領域A、B内に配置された2つの研磨部に共通の搬送機構として、2つの研磨部にそれぞれ専用の搬送機構として往復直線移動をする2台のステージを備えたリニア・トランスポータが個別に配置される。すなわち、図1および図2に示す研磨装置は、多数の半導体ウエハをストックするウエハ・カセット1を載置するロード・アンロード・ステージ2を4つ備えている。ロード・アンロード・ステージ2上の各ウエハ・カセット1に到達可能となるように、走行機構3の上に2つのハンドを有した搬送ロボット4が配置されている。走行機構3にはリニアモータからなる走行機構が採用されている。リニアモータからなる走行機構を採用することにより、ウエハが大口径化し重量が増加しても高速且つ安定した搬送ができる。
以下、本発明に係る研磨方法及び装置の実施の形態について、図面を参照しながら詳述する。まず、本発明に係る研磨装置の一つの実施の形態を、その各部の配置構成を示す平面図である図1と同研磨装置の斜視図を示す図2とを用いて説明する。図1および図2において、領域A、B内に配置された2つの研磨部に共通の搬送機構として、2つの研磨部にそれぞれ専用の搬送機構として往復直線移動をする2台のステージを備えたリニア・トランスポータが個別に配置される。すなわち、図1および図2に示す研磨装置は、多数の半導体ウエハをストックするウエハ・カセット1を載置するロード・アンロード・ステージ2を4つ備えている。ロード・アンロード・ステージ2上の各ウエハ・カセット1に到達可能となるように、走行機構3の上に2つのハンドを有した搬送ロボット4が配置されている。走行機構3にはリニアモータからなる走行機構が採用されている。リニアモータからなる走行機構を採用することにより、ウエハが大口径化し重量が増加しても高速且つ安定した搬送ができる。
図1に示す研磨装置では、ウエハ・カセット1を載置するロード・アンロード・ステージ2としてSMIF(Standard Manufacturing Interface)ポッド又はFOUP(Front Opening Unified Pod)を用い、ロード・アンロード・ステージが外付けされている。SMIF、FOUPは、中にウエハカセットを収納して隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。SMIFもしくはFOUPを、研磨装置のロード・アンロード・ステージ2として設置した場合、研磨装置側のハウジングHに設けられたシャッターS及びSMIFもしくはFOUP側のシャッターが開くことにより、研磨装置側とウエハ・カセット側とが一体化する。
SMIFもしくはFOUPは、研磨工程が終わると、シャッターを閉じて研磨装置と分離し、別の処理工程へ自動的に又は手動で搬送されるため、その内部雰囲気を清浄に保っておくことが必要である。そのため、ウエハがカセットに戻る直前に通る領域Cの上部には、ケミカル・フィルタを通して清浄な空気のダウン・フローが形成されている。また、搬送ロボット4の移動にリニアモータを用いているため、発塵が抑えられ、領域Cの雰囲気をより正常に保つことができる。なお、ウエハ・カセット1内のウエハを清浄に保つために、SMIFやFOUPの様な密閉容器にケミカル・フィルタやファンを内蔵し、自らクリーン度を維持するクリーン・ボックスを用いるようにしてもよい。
搬送ロボット4の走行機構3を対称軸に、ウエハ・カセット1とは反対側に2台の洗浄機5、6が配置される。各洗浄機5、6は搬送ロボット4のハンドが到達可能な位置に配置される。2台の洗浄機5、6の間で且つロボット4が到達可能な位置に、4つの半導体ウエハの載置台7、8、9、10を備えたウエハ・ステーション50が配置される。
洗浄機5、6及び載置台7、8、9、10が配置されている領域Dとウエハ・カセット1及び搬送ロボット4が配置されている領域Cとのクリーン度を分けるために、隔壁14が配置され、互いの領域の間で半導体ウエハを搬送するための隔壁の開口部にシャッター11が設けられる。洗浄機5と3つの載置台7、9、10に到達可能な位置には搬送ロボット20が配置され、洗浄機6と3つの載置台8、9、10とに到達可能な位置には搬送ロボット21が配置される。
洗浄機5と隣接するように且つ搬送ロボット20のハンドが到達可能な位置に、洗浄機22が配置される。また、洗浄機6と隣接するように且つ搬送ロボット21のハンドが到達可能な位置に、洗浄機23が配置される。洗浄機22、23は両面洗浄が可能な洗浄機である。これら洗浄機5、6、22、23、ウエハ・ステーション50の載置台7、8、9、10及び搬送ロボット20、21は全て領域Dの中に配置されていて、領域C内の気圧よりも低い気圧に調整されている。
図1及び図2に示す研磨装置は、各機器を囲むハウジングHを有しており、ハウジングH内は隔壁14及び隔壁24A、24Bにより複数の部屋(領域C、Dを含む)に区画されている。隔壁24Aおよび24Bによって、領域Dと区分された2つの領域A、Bに区分され、2つの研磨室が形成される。2つの領域A、Bにはそれぞれ、2つの研磨テーブルと、1枚の半導体ウエハを保持し且つ半導体ウエハを前記研磨テーブルに対して押し付けながら研磨するための1つのトップリングとが配置される。即ち、領域Aには研磨テーブル34、36、領域Bには研磨テーブル35、37がそれぞれ配置されており、また、領域Aにはトップリング32、領域Bにはトップリング33がそれぞれ配置されている。領域A内には、研磨テーブル34に研磨砥液を供給するための砥液ノズル40と、研磨テーブル34のドレッシングを行うための機械的ドレッサ38とが配置され、領域B内には、研磨テーブル35に研磨砥液を供給するための砥液ノズル41と、研磨テーブル35のドレッシングを行うための機械的ドレッサ39とが配置される。さらに、領域A内の研磨テーブル36のドレッシングを行うためのドレッサ48と、領域B内の研磨テーブル37のドレッシングを行うためのドレッサ49とが配置される。
研磨テーブル34、35は、機械的ドレッサー38、39の他に、流体圧によるドレッサーとして、アトマイザー44、45を備えている。アトマイザーとは、液体(例えば純水)と気体(例えば窒素)の混合流体を霧状にして複数のノズルから研磨面に噴射して、研磨面上に堆積し又は目詰まりした研磨カスやスラリー粒子を洗い流すものである。アトマイザーの流体圧による研磨面の浄化と、機械的接触であるドレッサー38、39による研磨面の目立て作業により、より望ましいドレッシング、即ち研磨面の再生を達成することができる。
図3はトップリング32と研磨テーブル34、36との関係を示す図である。なお、トップリング33と研磨テーブル35、37との関係も同様である。図3に示すように、トップリング32は回転可能なトップリング駆動軸91によってトップリング・ヘッド31から吊下されている。トップリング・ヘッド31は位置決め可能な揺動軸92によって支持されており、トップリング32は研磨テーブル34、36にアクセス可能になっている。ドレッサ38は回転可能なドレッサ駆動軸93によってドレッサ・ヘッド94から吊下されている。ドレッサ・ヘッド94は位置決め可能な揺動軸95によって支持されており、ドレッサ38は待機位置と研磨テーブル34上のドレッサ位置との間を移動することができる。ドレッサ・ヘッド(揺動アーム)97は位置決め可能な揺動軸98によって支持されており、ドレッサ48は待機位置と研磨テーブル36上のドレッサ位置との間を移動することができる。
ドレッサ38はテーブル36の直径よりも長い長尺状の形状を成しており、ドレッサ・ヘッド97が揺動軸98を中心に揺動する。ドレッサ・ヘッド97の揺動軸98と反対側のドレッサ固定機構96とドレッサ48がピボット運動することにより、ドレッサ48は自転を伴わず車のワイパーの様な動きで、研磨テーブル36上をドレッシングできるように、ドレッサ固定機構96によってドレッサ・ヘッド97から吊り下げられている。研磨テーブル36、37としては、スクロール型研磨テーブルを使用することができる。
ここで図1に戻って、隔壁24Aによって領域Dとは仕切られた領域Aの中にあって、搬送ロボット20のハンドが到達可能な位置に、半導体ウエハを反転させる反転機28が配置される。同様に、隔壁24Bによって領域Dとは仕切られた領域Bの中にあって、搬送ロボット21のハンドが到達可能な位置に、半導体ウエハを反転させる反転機28’が配置されている。また、領域Dと領域A、Bとを仕切る隔壁24A、24Bには、半導体ウエハ搬送用の開口部が設けられ、該開口部にはそれぞれ、反転機28、28’専用のシャッター25、26が設けられている。
それぞれの反転機28、28’は、半導体ウエハをチャックするチャック機構と、半導体ウエハの表面と裏面を反転させる反転機構と、半導体ウエハを前記チャック機構によりチャックしているかどうかを確認するウエハ有無検知センサとを備えている。反転機28には搬送ロボット20によって半導体ウエハが搬送され、反転機28’には搬送ロボット21によって半導体ウエハが搬送される。
一方の研磨室を構成する領域A内には、反転機28とトップリング32との間で半導体ウエハを移送するための搬送機構を構成するリニア・トランスポータ27Aが配置されている。他方の研磨室を構成する領域B内には、反転機28’とトップリング33との間で半導体ウエハを移送するための搬送機構を構成するリニア・トランスポータ27Bが配置されている。リニア・トランスポータ27A、27Bは直線往復移動する2個のステージを備えており、半導体ウエハはリニア・トランスポータとトップリング又は反転機との間でウエハ・トレイを介して受け渡される。
図3の右側部分には、リニア・トランスポータ27Aとリフタ29とプッシャー30との位置関係が示されている。リニア・トランスポータ27Bとリフタ29’とプッシャー30’との位置関係も図3に示すものと同様である。以下ではリニア・トランスポータ27A、リフタ29およびプッシャー30のみを説明する。図3に示すように、リフタ29とプッシャー30とはリニア・トランスポータ27Aの下方に配置される。リニア・トランスポータ27Aの上方に反転機28が配置される。トップリング32は、揺動した際、プッシャー30およびリニア・トランスポータ27Aの上方に位置することができる。
図4はリニア・トランスポータと反転機、およびリニア・トランスポータとトップリングとの間の半導体ウエハの受け渡しを説明するための図である。図4に示すように、搬送ロボット20により反転機28に搬送された研磨前の半導体ウエハ101は、反転機28により反転される。リフタ29が上昇すると、ロード用ステージ901上のウエハ・トレイ925がリフタ29に移載され、リフタ29が更に上昇すると、半導体ウエハ101は反転機28からリフタ29上のウエハ・トレイ925に移載される。その後、リフタ29が下降し、半導体ウエハ101はウエハ・トレイ925とともにロード用ステージ901に載置される。ウエハ・トレイ925と半導体ウエハ101はロード用ステージ901の直線移動によりプッシャー30の上方へ搬送される。このとき、アンロード用ステージ902はウエハ・トレイ925を介して研磨済の半導体ウエハ101をトップリング32から受け取り、リフタ29に向かって移動する。ロード用ステージ901とアンロード用ステージ902は移動途中ですれ違うこととなる。ロード用ステージ901がプッシャー30の上方へ到達したときには、トップリング32は図4に示す位置に予め揺動している。次に、プッシャー30が上昇し、プッシャー30はロード用ステージ901からウエハ・トレイ925および半導体ウエハ101を受け取った後にさらに上昇し、半導体ウエハ101のみをトップリング32へ移送する。
トップリング32に移送されたウエハ101は、トップリング32の真空吸着機構により吸着されて研磨テーブル34まで吸着されたまま搬送され、次いで、ウエハ101は研磨テーブル34上に取り付けられた研磨パッド又は砥石等からなる研磨面で研磨される。トップリング32がそれぞれに到達可能な位置に第2の研磨テーブル36が配置されている。これにより、ウエハは第1の研磨テーブル34で研磨が終了した後、第2の研磨テーブル36で研磨される。しかしながら、半導体ウエハに形成された膜種によっては、第2の研磨テーブル36で研磨した後に第1の研磨テーブル34で研磨してもよい。
研磨が終了したウエハ101は、前述とは逆のルートで反転機28まで戻される。反転機28まで戻されたウエハは、純水もしくは洗浄用の薬液によりリンス・ノズルによってリンスされる。また、ウエハを離脱したトップリング32のウエハ吸着面は、トップリング洗浄ノズルから純水もしくは薬液によって洗浄される。
ここで、図1〜図4に示す研磨装置で行われる処理工程の概略を説明する。2段洗浄の2カセット・パラレル処理の場合には、一方のウエハは、ウエハ・カセット(CS1)→搬送ロボット4→ウエハ・ステーション50の置き台7→搬送ロボット20→反転機28→リニア・トランスポータ27Aのロード用ステージ901→トップリング32→研磨テーブル34→研磨テーブル36(必要に応じ)→リニア・トランスポータ27Aのアンロード用ステージ902→反転機28→搬送ロボット20→洗浄機22→ 搬送ロボット20→洗浄機5→搬送ロボット4→ウエハ・カセット(CS1)に至る経路をたどる。また、他方のウエハは、ウエハ・カセット(CS2)→搬送ロボット4→ウエハ・ステーション50の置き台8→搬送ロボット21→反転機28’→リニア・トランスポータ27Bのロード用ステージ901→トップリング33→研磨テーブル35→トップリング33→リニア・トランスポータ27Bのアンロード用ステージ902→反転機28’→搬送ロボット21→洗浄機23→搬送ロボット21→洗浄機6→搬送ロボット4→ウエハ・カセット(CS2)に至る経路を経る。
3段洗浄の2カセット・パラレル処理の場合には、一方のウエハは、ウエハ・カセット(CS1)→搬送ロボット4→ウエハ・ステーション50の置き台7→搬送ロボット21→洗浄機6→搬送ロボット21→ウエハ・ステーション50の置き台9→搬送ロボット20→反転機28→リニア・トランスポータ27Aのロード用ステージ901→トップリング32→研磨テーブル34→研磨テーブル36(必要に応じ)→リニア・トランスポータ27Aのアンロード用ステージ902→反転機28→搬送ロボット20→洗浄機22→搬送ロボット20→ウエハ・ステーション50の置き台10→搬送ロボット20→洗浄機5→搬送ロボット4→ウエハ・カセット(CS1)に至る経路をたどる。また、他方のウエハは、ウエハ・カセット(CS2)→搬送ロボット4→ウエハ・ステーション50の置き台8→搬送ロボット21→反転機28’→リニア・トランスポータ27Bのロード用ステージ901→トップリング33→研磨テーブル35→研磨テーブル37(必要に応じ)→リニア・トランスポータ27Bのアンロード用ステージ902→反転機28’→搬送ロボット21→洗浄機23→搬送ロボット21→洗浄機6→搬送ロボット21→ウエハ・ステーション50の置き台9→搬送ロボット20→洗浄機5→搬送ロボット4→ウエハ・カセット(CS2)に至る経路を経る。
さらに、3段洗浄のシリーズ処理の場合には、ウエハは、ウエハ・カセット(CS1)→搬送ロボット4→ウエハ・ステーション50の置き台7→搬送ロボット20→反転機28→リニア・トランスポータ27Aのロード用ステージ901→トップリング32→研磨テーブル34→研磨テーブル36(必要に応じ)→リニア・トランスポータ27Aのアンロード用ステージ902→反転機28→搬送ロボット20→洗浄機22→搬送ロボット20→ウエハ・ステーション50の置き台10→反転機28’→リニア・トランスポータ27Bのロード用ステージ901→研磨テーブル35→研磨テーブル37(必要に応じ)→リニア・トランスポータ27Bのアンロード用ステージ902→トップリング33→反転機28’→搬送ロボット21→洗浄機23→搬送ロボット21→洗浄機6→搬送ロボット21→ウエハ・ステーション50の置き台9→搬送ロボット20→洗浄機5→搬送ロボット4→ウエハ・カセット(CS1)に至る経路を経る。1
図1〜図4に示す研磨装置によれば、各研磨部に専用の搬送機構として、直線往復移動する少なくとも2台のステージ(置き台)を有したリニア・トランスポータを備えるため、反転機とトップリングとの間で研磨対象物を移送するのに要する時間を短縮することができ、単位時間当たりの研磨対象物の処理枚数を増すことが可能である。また、研磨対象物がリニア・トランスポータのステージと反転機との間で移送されるとき、研磨対象物はウエハ・トレイと反転機との間で移送され、研磨対象物がリニア・トランスポータのステージとトップリングとの間で移送されるとき、研磨対象物はウエハ・トレイとトップリングとの間で移送されるので、ウエハ・トレイは移送時の衝撃を吸収でき、研磨対象物の移送速度を増加させることができるばかりでなく、研磨対象物のスループットを向上させることができる。また、反転機からトップリングへのウエハの移載をリニア・トランスポータの各ステージに着脱自在に保持したトレイを介して行うことで、例えば、リフタとリニア・トランスポータとの間、リニア・トランスポータとプッシャーとの間でのウエハの移し替えをなくして、発塵や把持ミスに伴う損傷を防止することができる。
図1〜図4に示す研磨装置によれば、各研磨部に専用の搬送機構として、直線往復移動する少なくとも2台のステージ(置き台)を有したリニア・トランスポータを備えるため、反転機とトップリングとの間で研磨対象物を移送するのに要する時間を短縮することができ、単位時間当たりの研磨対象物の処理枚数を増すことが可能である。また、研磨対象物がリニア・トランスポータのステージと反転機との間で移送されるとき、研磨対象物はウエハ・トレイと反転機との間で移送され、研磨対象物がリニア・トランスポータのステージとトップリングとの間で移送されるとき、研磨対象物はウエハ・トレイとトップリングとの間で移送されるので、ウエハ・トレイは移送時の衝撃を吸収でき、研磨対象物の移送速度を増加させることができるばかりでなく、研磨対象物のスループットを向上させることができる。また、反転機からトップリングへのウエハの移載をリニア・トランスポータの各ステージに着脱自在に保持したトレイを介して行うことで、例えば、リフタとリニア・トランスポータとの間、リニア・トランスポータとプッシャーとの間でのウエハの移し替えをなくして、発塵や把持ミスに伴う損傷を防止することができる。
さらに、複数のトレイを研磨前の研磨対象物を保持するロード専用のトレイと、研磨後の研磨対象物を保持するアンロード専用のトレイに2分することで、研磨前のウエハはプッシャーからでなく、ロード専用のトレイからトップリングへ受け渡され、研磨後のウエハはトップリングからプッシャーにではなくアンロード専用のトレイに受け渡されるので、トップリングへのウエハのロードとトップリングからのウエハのアンロードが、別の治具又は部材で行われることになり、研磨後のウエハに付着した砥液等がロードとアンロード共通のウエハの支持部材に付着、固化して砥液等が研磨前のウエハを傷つけたり、付着したりするという問題点を解決できる。
以上説明した研磨装置の領域Cの適所にはインライン・モニタIMが設置され、研磨及び洗浄が終了したウエハは搬送ロボットによりインライン・モニタIMへ搬送され、そこでウエハの膜厚やプロファイルが計測される。ライン・モニタIMは研磨前のウエハを測定することも可能であり、研磨前後の膜厚差は研磨量に等しいとみなすことができる。こうしてインライン・モニタIMは膜厚測定装置として動作する。実際には、インライン・モニタIMはロボット3の上方に配置される。更に、研磨装置は、研磨面の表面温度、研磨パッドの厚さ、ドレッサのカットレート、リテーナリングの摩耗量といった、研磨装置の動作状態を表すパラメータを監視する状態モニタSMを備える。研磨装置全体の動作は制御ユニットCUによって制御される。制御ユニットCU内には、後述するシミュレーション・ソフトや、研磨面の表面温度、パッド厚さ、パッド溝深さ、ドレッサのカットレート値及びトップリングにおけるリテーナリングの摩耗量のうち任意の値を測定し、研磨を最適化するための制御フローのプログラムが格納されている。制御ユニットCUは、図1に示すように研磨装置内に設けられていてよいし、研磨装置とは別体であってもよい。なお、状態モニタSM、インライン・モニタIM及び制御ユニットCUは図2では省略されている。
ウエハ表面を研磨パッドに押し付ける押圧力と研磨量とは概ね比例することがプレストンの式から知られている。しかし、押圧力を求めるためには、複雑な構造のトップリングをモデル化し、弾性材料である研磨パッドの非線形性や、薄板であるウエハの大きな変形、特にウエハの端面に顕著に表れる応力集中を考慮する必要があり、解析的に数式的な解を得ることは困難である。一方、押圧力を有限要素法や境界要素法を用いて求めるのでは、対象物を多数の要素に分割することになるので、計算量はきわめて大量になり、多大な計算時間と高い計算能力が必要となる。そのうえ、適切な結果を得るためには作業者に数値解析の専門知識が必要となるため、現場で簡易的な調整を行う際の参考にすることやCMP装置に組み込んで利用することはコスト面や実用面から事実上不可能である。
そこで、上記の構成の研磨装置におけるトップリングをプロファイル・コントロール型とする。ここで言うプロファイル・コントロール型トップリングは、複数の押圧部分を有するトップリングの総称である。即ち、複数のメンブレンで同心円状に区画されたエアバックやウォータバックによる複数の押圧部分を有するもの、区画された空気室に加圧することによりウェハ裏面を空気圧で直接押圧する部分を複数有するもの、圧力をばねによって発生する部分を有するもの、1つ又は複数の圧電素子を配置して局所的な押圧部分を有するものや、これらの組み合わせでもよい。
以下、押圧部分として、同心円状に区画された複数のエアバックを有するトップリングを用いて説明する。すなわち、図5に示すように、トップリングは複数の同心円状のエアバックを備え、ウエハのそれぞれのエリアに対して各エアバックから印加される圧力を調整する。なお、以下では、ウエハのエアバック側をウエハ裏面、研磨パッド側をウエハ表面と呼ぶ。図5は、本発明に係る研磨装置で使用されるトップリングの回転軸を含む面での断面図を示しており、トップリングTは、中心の円盤状のエアバックE1と、該エアバックE1を囲むドーナツ状のエアバックE2と、該エアバックE2を囲むドーナツ状のエアバックE3と、該エアバックE3を囲むドーナツ状のエアバックE4と、該エアバックE4を囲むドーナツ状のリテナーリングE5とを有する。図示のように、リテーナリングE5はパッドに接触可能となるように構成され、研磨テーブルの上に載置されたウエハWはリテーナリングE5によって囲まれた空間内に収容されてエアバックE1〜E4によって個別に加圧される。
なお、トップリングTを構成するエアバックの数は4個に限定されるものではなく、ウエハのサイズに応じて増減され得る。また、図5には示されていないが、これらのエアバックE1〜E4がウエハWの裏面に対して加える圧力を調整するための空気圧力供給装置が各エアバック毎にトップリングTの適所に設けられる。また、リテーナリングE5への圧力は、リテーナリングE5のうえにエアバックを設けてその他のエアバックと同様に制御してもよいし、トップリングTを支持するシャフトから直接に圧力を伝達して制御してもよい。本発明においては、各エアバックE1〜E4及びリテーナリングE5がウエハWの裏面及びウエハWの周辺の研磨パッドに印加する圧力の組み合わせとそれに対するウエハWの表面の押圧力の分布を、研磨装置の制御ユニットCUのメモリに予め記憶させておく。なお、ウエハのスリップアウトを防止するため、リテーナリングE5の押圧力を、エアバックE1〜E4の押圧力の総和の平均値の2割以上に設定することが望ましい。
こうした構造を用いることにより、エアバックからウエハ裏面に与える圧力及びリテーナリングから研磨パッドに与える圧力(以下、裏面圧力と呼ぶ)の実用上の圧力設定範囲を100〜500hPaと仮定し、空気圧の範囲が±200hPaの範囲であり、ウエハWの表面における押圧力分布は実質的に線形(即ち、実質的に重ね合わせの原理が成立する)であるとみなした場合、各エアバックがウエハ裏面の対応エリアに加える所望の圧力によるウエハ表面の押圧力分布は、100hPa、300hPa、500hPaの3種類の裏面圧力の組み合わせによるウエハ表面の押圧力分布を合成することによって、±200hPaの裏面圧力の設定範囲において求めることができる。
すなわち、表面押圧力の変化が実質的に線形(重ね合わせの原理が成立する)とみなせる範囲に裏面の設定圧力を区分して、あらかじめ計算したウエハ表面の押圧力分布のデータを複数のケースについて用意し、その中から適切に選択して合成することにより、有限要素法などによる複雑な計算を行うことなく、任意のウエハ裏面の設定圧力に対応するウエハ表面の押圧力分布を求める。こうしたウエハ表面の押圧力分布を求める手順をコンピュータに記憶させることにより、ウエハ裏面における設定圧力に対するウエハ表面の押圧力分布を得るシミュレーション・ツールを作ることができる。
こうして、ウエハ表面での押圧力分布が求まると、この押圧力分布と、研磨すべきウエハについて予め求められた、ウエハ表面上の研磨係数の分布データとを乗算することによって、当該ウエハの研磨プロファイル予測値を求めることができる。ウエハの研磨量Qは、前述のプレストンの実験式から、各エアバックがウエハを押し付ける圧力すなわち押圧力Pと接触面の移動速度vと研磨時間Δtとの積に概ね比例することが知られている。ウエハ表面上での接触面の移動速度(即ち、ウエハ表面と研磨パッドとの相対速度)vはウエハ表面上の場所で異なり、研磨時間Δtも研磨条件によって異なるが、単位圧力当たりの研磨レートを研磨係数とするならば、研磨係数はkvに相当し、ウエハ表面上についてプレストンの式のkvに相当する値の分布を求めておけば、ウエハ表面上における研磨量Qや単位時間当たりの研磨量Qすなわち研磨レートQ/Δtの分布を押圧力Pから求めることができる。このような簡単な計算によりウエハの研磨量(研磨レート)を求めることができるため、シミュレーション・ツールによる計算結果を現場での簡易な調整の参考としたり、CMP装置に組み込んで利用することができる。
図6は、ウエハ表面上の研磨係数の分布データを得る手順の一例を示している。まず、ステップS1において、或るウエハ上の成膜形状を予め測定する。次いでステップS2において、その測定したウエハを特定の設定圧力条件と研磨時間で実際に研磨する。このとき、ステップS3において、この圧力条件でのウエハ表面の押圧力分布をシミュレーション・ツールを用いて計算しておく。こうして研磨されたウエハの表面上の膜形状を再度測定し、研磨前と研磨後との差から、ウエハ表面上の研磨量の分布を算出する(ステップS4)。次いで、ステップS5において、算出された研磨量の分布を研磨時間及び計算された押圧力分布で割って、ウエハ表面上の各点での単位圧力あたりの研磨レートの分布、すなわちウエハ表面上の研磨係数の分布を求める。なお、ここで、研磨時間で割らず、単位圧力当たりの研磨量の分布を求めてもよい。また、研磨パッドの初期状態、或る程度使用した状況および使用限度近傍の研磨係数の分布をそれぞれ予め算出しておき、研磨係数の経時変化のデータとして制御ユニットCU内部に記憶させておいてもよい。
ここまで説明したとおり、本方式はエアバックによるプロファイル・コントロール形のトップリングに限るものではなく、ウェハ裏面から作用している力が判れば、それをもとにウェハ表面の押圧力分布を求めてプロファイルを予測できることは明らかである。従って、本方式が応用できるトップリングとしては、各押圧部分が、純水などの加圧液体を内部に受け入れることができる液体バック、区画された空気室を加圧気体で直接加圧するもの、圧力を弾性体例えばばねによって発生させるもの、圧電素子により押圧するものなどがあり、これらの組み合わせで構成したトップリングであってもよい。
こうしたシミュレーション・ツールを用いて、本発明においては、トップリングをエリアごとに研磨圧力が設定できるよう構成し、目標とする研磨プロファイルを得るために各エリアに設定することが必要な圧力を予測計算し、算出された圧力値を以降に研磨されるウエハに対してフィードバックする。これにより、研磨部材の消耗度で研磨プロファイルが経時的に変化しても、その変化を適時に補正し、安定して所望の研磨プロファイルを得ることが可能となる。
これを実現するために、本発明においては、以下の制御フローが実施される。
1.任意の研磨条件にてウエハを研磨する。
2.研磨後のウエハ上の配線メタルまたは絶縁膜の厚さの分布を測定する。この測定は、研磨装置に設置された膜厚測定器で又は研磨装置外の測定器で行うことができ、測定データの取り込みはオンラインでもよいし、他の記憶媒体に記録された測定データを取り込むのでもよい。測定は各エリア内の少なくとも1個所で行う。
1.任意の研磨条件にてウエハを研磨する。
2.研磨後のウエハ上の配線メタルまたは絶縁膜の厚さの分布を測定する。この測定は、研磨装置に設置された膜厚測定器で又は研磨装置外の測定器で行うことができ、測定データの取り込みはオンラインでもよいし、他の記憶媒体に記録された測定データを取り込むのでもよい。測定は各エリア内の少なくとも1個所で行う。
3.上の測定結果に基づいて、目標とする研磨プロファイルを作り出すための研磨圧力条件を算出する。これは以下の手順で行われる。
3−1) 目標とする研磨プロファイルを設定する。例えば、ウエハ表面上で、研磨量を管理したい任意の点を複数指定し、指定された各点における研磨量QTを設定する方法や、各点における研磨レートQTΔt=QT/Δtを設定する方法などがあり、どの方法でも処理が可能である。ここでは、研磨量を設定する場合について説明する。
3−1) 目標とする研磨プロファイルを設定する。例えば、ウエハ表面上で、研磨量を管理したい任意の点を複数指定し、指定された各点における研磨量QTを設定する方法や、各点における研磨レートQTΔt=QT/Δtを設定する方法などがあり、どの方法でも処理が可能である。ここでは、研磨量を設定する場合について説明する。
3−2) 実際に研磨したウエハの各エリア毎の研磨量Qpoliを算出する。なお、研磨量を算出するためには研磨前ウエハの初期膜厚のデータが必要であり、その初期膜厚の測定は研磨装置内に設置される測定器又は研磨装置外に設置されている測定器のどちらかで行う。初期膜厚データの取り込みは2.で説明した方法のいずれかで行われる。
3−3) 算出された各点における研磨量をその点が含まれるエリアの圧力Pで割って、単位面圧あたりの研磨量QpoliΔp=Qpoli/Pを算出する。
3−4) 上記2.で測定された測定点に最も近い点の目標研磨量QTを抽出する。もしくは、測定点の近傍の二点から、線形で目標研磨量QTを近似してもよい。
3−4) 上記2.で測定された測定点に最も近い点の目標研磨量QTを抽出する。もしくは、測定点の近傍の二点から、線形で目標研磨量QTを近似してもよい。
3−5) それぞれ各点において、3−1で設定した目標研磨量QTと3−2で算出された研磨量Qpoliの差QT−Qpoliを求め、その差に相当する分の研磨量を3−3で算出した単位面圧あたりの研磨量で割算し、補正研磨圧力(QT−Qpoli)/QpoliΔpを計算する。
3−6) 上記3−5で算出した補正研磨圧力を研磨時に設定した圧力に加算して圧力値Pinputを求める。エリア内に複数の測定点が含まれる場合には、複数点で算出した圧力値を平均し、これをエリアの圧力値Pinputとする。
3−7) 上記3−6で算出した圧力値Pinputを本発明に係るシュミレーション・ツールに入力し、3−1で指定した各点における研磨量を予測計算して、予測計算された研磨量Qestを求める。
3−8) 予測計算された研磨量Qestと目標研磨量QTとの差QT−Qestを計算する。
3−9) 上記3−7で算出した研磨量Qestを圧力値Pinputで割算し、単位面圧あたりの研磨量QestΔp=Qest/Pinputを算出する。
3−9) 上記3−7で算出した研磨量Qestを圧力値Pinputで割算し、単位面圧あたりの研磨量QestΔp=Qest/Pinputを算出する。
3−10) 上記3−8で算出した差QT−Qestを3−9で算出した単位面圧あたりの研磨量QestΔpで割算し、補正圧力値(QT−Qest)/QestΔpを求め、これを圧力値Pinputに加算する。エリア内の点における算出圧力値を平均し、それらを各エリアにおける推奨圧力値Poutputとする。
3−11) 上記3−10)で算出した推奨圧力値Poutputをシュミレーション・ツールに再入力し、各点において予測計算された研磨量と目標研磨量の差が予め任意に設定された許容範囲内にあれば、この推奨圧力値Poutputを以降に実際に研磨されるウエハに対して適用する(フィードバックする)。差が許容範囲外であれば、許容範囲内になるまで、3−7から3−10までの手順を繰り返し、推奨圧力値を求める。
なお、フィードバックの周期は自由に設定可能で、周期の設定例として全てのウエハに対して測定を行って次に研磨されるウエハにフィードバックをかける方法や、研磨部材の消耗度合が少ないときは研磨プロファイルの変化が小さいのでフィードバックをかけず、消耗度合が多くなってきた時点からフィードバックをかける方法がある。更に後者で設定される周期も任意のウエハ毎に測定を行い、一度測定が行われてから次にウエハが測定されるまでは、その直前にフィードバックされた研磨条件を適用し続ける方法があり、消耗が更に進んだ時点ではその周期を短くしていくように設定することも可能である。なお、研磨レートを設定する場合は、上記3のプロセスにおいて各研磨量を研磨時間で割ればよい。
さらに、研磨プロファイルの予測の際に行っていたエッジ形状の影響による研磨係数を補正する代わりに、上記推奨圧力値の算出後にエッジ形状測定結果による裏面圧力の補正を行うことにより、エッジ部研磨プロファイルの補正を行うことができ、エッジ形状によるウエハ外周部の研磨ばらつきを抑制することができる。例えば、酸化膜ウエハの場合、リテーナリング部(E5)の推奨圧力値に、ロールオフの大きさに応じた圧力補正係数を乗じればよい(補正リテーナリング部圧力値=圧力補正係数×リテーナリング部推奨圧力値)。ここで、圧力補正係数は、例えば事前に既知のロールオフを持つウエハをリテーナリング圧力を変えて実際に研磨することで作成される。また、有限要素法により押圧力とロールオフの大きさとの関係を計算して作成してもよい。
また、ロールオフの大きさは研磨されることによって時々刻々と変化するので、研磨装置に設置された測定器で研磨中にロールオフの大きさを測定することにより、研磨中に圧力を補正することもできる。また、圧力補正係数を研磨時間をも考慮して作成することにより、研磨中にロールオフの大きさを測定することなく圧力を補正することができる。
金属膜ウエハの金属膜端部の形状についても、酸化膜のロールオフの補正方法と同様の方法で補正することができる。なお、圧力補正係数によるエッジ形状の補正方法は、上記推奨圧力値の算出を実施しない場合にも適応可能である。
図1に示す研磨装置はトップリングを交換することで、様々な研磨対象に適用することができる。研磨対象を変更するためにトップリングを交換した際には、一般にはトップリングの形状に合わせて予め計算しておく研磨対象物表面の押圧力分布の組みを変更する必要がある。これは、別途に予め計算してある押圧力分布の計算結果を設定してもよいし、研磨装置の初期立ち上げ時にトップリングのエアバックの数や使用圧力範囲などのパラメータを入力してそれに対応した複数の研磨対象物表面の押圧力分布を研磨装置内部で計算してコントロール・ユニットに記憶させておく方式としてもよい。
このように、図1の研磨装置においては、平坦に研磨する場合のみならず特有の形状に研磨するようにもレシピを作ることが可能であり、研磨前のウエハの膜表面形状が平坦でない場合にも、その形状を考慮して、研磨後の残膜形状を平坦にするレシピを作ることが可能になる。また、研磨条件の最適化も従来のようにエンジニアの経験則に頼ることが無く、最適条件を算出して所望の研磨プロファイルになるよう研磨することができ、複数枚の試験ウエハを研磨してから研磨条件を設定する従来に較べ、手間、時間、コストを削減することができる。
これまでの説明においては、シミュレーション・ソフトはウエハの初期膜厚及び研磨後の膜厚とトップリングの押圧力との2つの変数を使用していた。更に、本発明においては、プレストンの実験式ではカバーしきれないパラメータをも十分にモニタリングすることにより補正精度の向上を図り、集積回路の更なる微細化に伴う研磨形状の均一化を実現するため、更に、研磨面の表面温度、パッド厚さ、パッド溝深さ、ドレッサのカットレート値及びトップリングにおけるリテーナリングの摩耗量をも研磨に反映させる。
これを実施するために、本発明に係る研磨装置の状態モニタSM(図1)は以下の動作を行い、その出力を制御ユニットCUに供給することにより、シミュレーション・ソフトでは考慮されていないパラメータを用いて更に研磨を最適化する。
(1)研磨面の表面温度に関しては、研磨を続行してもよい温度範囲を設定し、状態モニタSMによって研磨面表面温度をモニタする。これは、状態モニタSMに例えば放射温度計を設けることで実施される。モニタの結果、研磨面の表面温度が設定された温度範囲の上限又は下限を越えたことを状態モニタSMが検出したとき、制御ユニットCUは研磨を中止させて研磨面を冷却させる。研磨面の冷却は以下のように行われる。研磨テーブル内部には水等の冷却媒体を流通させるための流路が設けられている。制御ユニットから研磨の中止信号が出力された際には、冷却媒体の流量を増大し、又は冷却媒体そのものの温度を下げる。なお、ここでは制御ユニットからの中止信号を基に冷却媒体の流量や温度を操作したが、状態モニタIMの出力に応じて、即ち、研磨面の温度変化の応じて冷却媒体の流量や温度を操作しても良い。その後、状態モニタSMが研磨面の表面温度が上記温度範囲内に入ったことを検出したならば、制御ユニットCUは研磨を再開させる。この場合、研磨を中止している期間には、シミュレーション・ソフトを停止させておいてもよい。
(2)状態モニタSMは研磨テーブル上の研磨パッドの厚み又は研磨パッドの溝の深さをも監視する(これについては図7によって詳述する)。状態モニタSMが研磨パッドの厚み又は研磨パッドの溝の深さが0.1mm減少したことを検出する毎に、これまで研磨してきたウエハに代えてモニターウエハを研磨し、その研磨結果からシミュレーション・ソフトのデフォルト値を修正して、次に研磨するウエハに対する、トップリング内のリテーナリング及びエアバッグの圧力バランスを最適化する。こうして研磨を行っていき、研磨パッドの厚さや溝の深さが所定の閾値を下回ったことを状態モニタSMが検出すると、制御ユニットCUは研磨を停止させる。これに応じてオペレータは研磨パッドを張り替える。
なお、状態モニタSMはレーザー変位計を備えており、研磨パッドの厚さは、研磨パッドの表面をレーザー変位計によって直接監視することにより、又は、研磨パッドに接触する部材までの距離をレーザー変位計で測定することにより、モニタリングすることができるが、これに限られるものではない。
(3)ドレッサの目立て不足や研磨屑の除去量の低下を防止するため、状態モニタSMは、パッド・コンディショニングを行う際のドレッサのカットレートをモニタリングする。このカットレートが所定の閾値を下回ったことを状態モニタSMが検出したとき、制御ユニットCUは研磨を中止させ、又は、ドレッサによるコンディショニング時間、つまり研磨パッドを削る時間を延長させる。これにより、研磨パッドに対して常に一定の削り込みを行うことができるので、精度の良い研磨が可能になる。なお、上記カットレートの変化は、ドレッサがコンディショニングのために使用するモータのトルクを監視することによって検出することができる。
(4)更に、状態モニタSMはトップリング内のリテーナリングの摩耗量を監視することができる。そこで、状態モニタSMがリテーナリングの摩耗量が或る閾値を下回ったことを検出したとき、制御ユニットCUは研磨の中止を指令する。
なお、以上のとおり、プレストンの基本式ではカバーしきれないパラメータをも考慮して研磨を行っても所望の結果が得られないときには、スラリーの供給量を調整することが好ましい。なお、上述した(1)から(4)までの制御フローはプログラムとして制御ユニットCU内に格納される。
図7Aは、研磨パッドの厚さを検出するために状態モニタSMに設けられたレーザー変位計によって機械的ドレッサ38、39(図1)の位置の相対変化を測定する構成の一例を概略的に示す図である。図示のとおり、それぞれのドレッサの駆動軸93の適所に、レーザ光を反射することができる材質から形成された、又はレーザ光を反射することができる膜が表面に形成されたバー部材1001が取り付けられる。このバー部材1001に対してレーザ光を照射し且つバー部材1001から反射されたレーザ光を受光することができる位置に、適宜の取り付け手段によってレーザー変位計1002が取り付けられる。これにより、コンディショニングの進行とともに研磨パッドの厚さが減少すると、レーザー変位計1002はバー部材1001とレーザー変位計1002との間の距離の変化、すなわち研磨パッドの厚さの減少に対応する信号を出力する。
図7Bは、レーザー変位計1003からの出力を利用して求めた、コンディショニング時間と研磨パッドの厚さの減少との関係を示している。このグラフから、研磨パッドの厚さはコンディショニングの進行と共にほぼ線形に減少することが分かる。これを利用することにより、研磨パッドの厚さの時間的変化率、すなわちドレッサのカットレートを求めることができる。
以上説明したとおりの研磨装置を用いて実際にウエハの研磨を行ったところ、以下の結果を得た。なお、研磨は、研磨パッドにはIC1000/Suba400(K−gr)を、スラリーにはSS−25を使用し、研磨テーブルの回転速度を毎分70/71回転、トップリングの回転速度を毎分71回転とし、エアバックの圧力のデフォルト値は250hPa、ドレッサの押圧力は200Nに設定して行った。
こうした条件の下で研磨を次の手順で行った。まず、研磨パッドを張り替えた後、モニタ・ウエハを研磨し、その研磨結果からトップリング内のエアバックの圧力バランスを最適化してウエハを研磨する。次いで、研磨パッドを0.1mm削り込んだ後、モニタ・ウエハを研磨し、その結果からトップリング内のエアバックの圧力バランスを最適化してウエハを研磨する。更に研磨パッドを0.1mm削り込んだ後、モニタ・ウエハを研磨し、その結果からエアバックの圧力バランスを最適化してウエハを研磨する。以下、この手順を所要回数だけ反復する。
なお、機械的ドレッサ38、39をボールねじ等の機構で送り込む場合には、送り込みのためのモータ駆動にかかるパルス数を計測することによって機械的ドレッサの送り量を算定することもできる。
図8Aは、本願の発明を適用した場合と適用しなかった場合とにおけるCMP前後の残膜の状態を説明する図である。ウエハ表面は平坦ではなく、部分的に凹凸や高低がある。ウエハの研磨対象膜の膜厚の最大値と最小値との差を膜厚差と呼ぶ。ウエハの被研磨面が平坦のとき、膜厚差はゼロである。また、研磨後の膜厚差と研磨前の膜厚差との差を残膜差と呼ぶ。
図8Aは、本願発明適用時と未適用時とにおける残膜差Δを、トップリング内のエアバックE1〜E5の圧力を図示のごとく設定した条件下で且つ研磨パッドの溝の深さが0.4mm、0.3mm及び0.2mmである場合について示している。即ち、残膜差Δは
溝の深さが0.4mmで本願発明を適用しなかったときには3.3nm
溝の深さが0.4mmで本願の発明を適用したときには−43.5nm
溝の深さが0.3mmで本願の発明を適用しなかったとときには7.2nm
溝の深さが0.3mmで本願の発明を適用したときには−29.4nm
溝の深さが0.2mmで本願の発明を適用しなかったときには68.6nm
溝の深さが0.2mmで本願の発明を適用したときには−65.3nm
であった。これをグラフ化したものが図8Bである。残膜差がマイナスであれば、研磨後の膜厚差の方が研磨前の膜厚差よりも小さいので、研磨前に比べて膜厚差が改善された、すなわち平坦度が改善されたことになる。したがって、本願の発明を適用することによりCMP後の膜厚差が大幅に減少したことが分かる。
溝の深さが0.4mmで本願発明を適用しなかったときには3.3nm
溝の深さが0.4mmで本願の発明を適用したときには−43.5nm
溝の深さが0.3mmで本願の発明を適用しなかったとときには7.2nm
溝の深さが0.3mmで本願の発明を適用したときには−29.4nm
溝の深さが0.2mmで本願の発明を適用しなかったときには68.6nm
溝の深さが0.2mmで本願の発明を適用したときには−65.3nm
であった。これをグラフ化したものが図8Bである。残膜差がマイナスであれば、研磨後の膜厚差の方が研磨前の膜厚差よりも小さいので、研磨前に比べて膜厚差が改善された、すなわち平坦度が改善されたことになる。したがって、本願の発明を適用することによりCMP後の膜厚差が大幅に減少したことが分かる。
次に、図9は研磨パッドの使用量が0.0mmである場合の膜厚と研磨率とを示しており、●は本願の発明を適用したときの値、◆は本願の発明を適用しなかったときの値である。図9Aは、300mmウエハの中心からの半径方向距離とCMP前の膜厚との関係を示すグラフ、図9Bは、図9Aにおけるウエハの中心からの半径方向距離とCMP後の膜厚との関係を示すグラフである。そこで、本願の発明を適用したときと適用しなかったときについてCMP前後の膜厚から研磨率を求めたところ、図9Cに示すグラフを得た。このグラフに研磨率のシミュレーション結果(○で示す)をプロットしたところ、本願の発明を適用したときの研磨率はシミュレーション結果と良く一致することが分かった。
図10は研磨パッドの使用量が0.1mmである場合の膜厚と研磨率とを示しており、●は本願の発明を適用したときの値、◆は本願の発明を適用しなかったときの値である。図10Aは、300mmウエハの中心からの半径方向距離とCMP前の膜厚との関係を示すグラフ、図10Bは、図10Aにおけるウエハの中心からの半径方向距離とCMP後の膜厚との関係を示すグラフである。そこで、本願の発明を適用したときと適用しなかったときについてCMP前後の膜厚から研磨率を求めたところ、図10Cに示すグラフを得た。ここに研磨率のシミュレーション結果(○で示す)をプロットしたところ、研磨パッドの消耗すなわち研磨パッドの溝が浅くなるのに伴い、研磨率は若干ではあるが中心で低下するが、中心部での研磨率はシミュレーション結果と良く一致しており、外周部においては実際の値とシミュレーション結果とが多少相違することが認められた。
図11は、研磨パッドの使用量が0.2mmである場合の膜厚と研磨率とを示しており、●は本願の発明を適用したときの値、◆は本願の発明を適用しなかったときの値である。図9及び図10と同様に、図11Aは、300mmウエハの中心からの半径方向距離とCMP前の膜厚との関係を示すグラフ、図11Bは、図11Aにおけるウエハの中心からの半径方向距離とCMP後の膜厚との関係を示すグラフである。そこで、本願の発明を適用したときと適用しなかったときについてCMP前後の膜厚から研磨率を求めたところ、図11Cに示すグラフを得た。このグラフに、○で示す研磨率のシミュレーション結果をプロットしたところ、研磨率は中心で大幅に低下し、外周部ではシミュレーション結果と大きく相違することが認められた。シミュレーション・アプリケーションのデフォルト値は修正される必要がある。
産業上の利用可能性
以上説明したところから理解されるとおり、本発明は、プレストンの基本式に基づくシミュレーション・ソフトを用いて加工圧力の最適化を図るとともにプレストンの基本式ではカバーしきれないパラメータをも考慮して研磨を実行するようにしたので、集積回路の更なる微細化に伴って要求されるウエハの研磨形状の均一化を実現することができる。更に、消耗材の状態を正確に管理することによって消耗材の寿命を延ばし、運転コストを低減することができる。
以上説明したところから理解されるとおり、本発明は、プレストンの基本式に基づくシミュレーション・ソフトを用いて加工圧力の最適化を図るとともにプレストンの基本式ではカバーしきれないパラメータをも考慮して研磨を実行するようにしたので、集積回路の更なる微細化に伴って要求されるウエハの研磨形状の均一化を実現することができる。更に、消耗材の状態を正確に管理することによって消耗材の寿命を延ばし、運転コストを低減することができる。
Claims (10)
- 制御ユニットの制御の下で研磨対象物を研磨するための研磨装置であって、
少なくとも2つの押圧部分を有し、それぞれの前記押圧部分ごとに任意の圧力を前記研磨対象物に印加することができるトップリングと、
研磨対象物の研磨量を測定する測定装置と、
前記研磨対象物の研磨状態を監視する監視装置と、
を具備し、前記制御ユニットが、前記測定装置の出力及び前記監視装置の出力とに基づいて、前記研磨対象物の研磨プロファイルを最適化するのに必要な加工圧力を前記トップリングに設定するためのシミュレーション・ソフトにしたがって前記研磨対象物の研磨を行わせることを特徴とする研磨装置。 - 前記少なくとも2つの押圧部分が、複数の同心円状のエアバックと、該エアバッグを囲むリテーナリングとを含み、
前記リテーナリングの圧力を、前記エアバックの圧力の総和の平均値の2割よりも大きい値に維持する
ことを特徴とする、請求項1に記載の研磨装置。 - 前記トップリングで押圧された状態で前記研磨対象物を研磨するための研磨パッドを更に備え、
前記監視装置が、前記研磨パッドが所定厚さ削り込まれたことを検出すると、前記制御ユニットが、前記研磨対象物に代えてモニタ・ウエハを研磨するよう前記研磨装置に指令することを特徴とする、請求項1又は2に記載の研磨装置。 - 前記監視装置の出力が、前記リテーナリングの摩耗量が閾値を下回ったことを示したとき、前記制御ユニットが研磨を中止するよう指令することを特徴とする、請求項2に記載の研磨装置。
- 前記監視装置の出力が、前記研磨対象物の表面温度が所定の設定温度を越えたことを示したとき、前記制御ユニットが、前記シミュレーション・ソフトの使用を中止し、又は研磨を中止するよう指令し、
前記監視装置の出力が、前記表面温度が前記設定温度よりも下がったことを示したとき、前記制御ユニットが研磨を再開するよう指令する
ことを特徴とする、請求項1又は2に記載の研磨装置。 - 前記トップリングによって押圧された状態で前記研磨対象物を研磨するための研磨パッドを更に備え、
前記監視装置の出力が、前記研磨パッドの厚みが閾値を下回ったことを示したとき、前記制御ユニットが、前記シミュレーション・ソフトの使用を中止し、又は研磨を中止するよう指令することを特徴とする、請求項1又は2に記載の研磨装置。 - 前記監視装置が、前記研磨パッドの厚みを測定するためのレーザー変位計を備えることを特徴とする、請求項6に記載の研磨装置。
- 前記トップリングによって押圧された状態で前記研磨対象物を研磨するための研磨パッドと、前記研磨パッドをコンディショニングするためのドレッサとを更に備え、
前記監視装置の出力が、前記ドレッサのカットレートが閾値を下回ったことを示したとき、前記制御ユニットが、前記シミュレーション・ソフトの使用を中止し、又は研磨を中止するよう指令することを特徴とする、請求項1又は2に記載の研磨装置。 - 前記ドレッサを駆動するためのモータのトルクを用いて前記カットレートを監視することを特徴とする、請求項7に記載の研磨装置。
- 前記制御ユニットが、前記研磨状態に応じてスラリーの供給量を調整することができることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか一つに記載の研磨装置。
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