CN110802508A - 抛光垫及化学机械抛光设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种抛光垫及化学机械抛光设备，属于半导体技术领域。抛光垫，包括衬底层和位于所述衬底层上的抛光层，所述抛光层包括多个沿周向设置、同圆心的周向沟槽，以及多个沿径向设置、连通相邻周向沟槽的径向沟槽。本发明能够提高抛光液的利用率、抛光垫的使用寿命和抛光质量。

Description

抛光垫及化学机械抛光设备

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是指一种抛光垫及化学机械抛光设备。

背景技术

在多线切割、研磨等加工过程中，会在硅片表面残留下微缺陷、形成表面应力损伤层和吸附各种金属离子等杂质，为了使硅片表面获得全局及局部平整度极高、粗糙度极低的洁净、光亮“镜面”，满足制备各种微电子器件对硅片的技术要求，需要对硅片表面进行抛光，去除其表面由前工序造成的微缺陷及表面损伤层。

化学机械平坦化或化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是硅片表面平坦化或抛光的关键技术之一，也是目前在实际的半导体芯片制造生产中能够实现全局平坦化的唯一技术。CMP的基本原理是将硅片在抛光液(含有SiO₂胶体悬浮颗粒的溶液)的存在下相对于抛光垫旋转，并施加一定的压力，依靠化学腐烛和机械磨削的交替作用完成抛光，以去除硅片研磨加工中的表面损伤层，同时获得高表面质量的硅片。化学作用与机械作用的匹配程度对硅片抛光质量和抛光速率起决定作用，而且抛光速率主要决定于两个过程中速度较慢的一个。因此化学作用过程与机械作用过程的良好匹配是实现高质量、高效率抛光的关键所在。在CMP过程中，抛光垫具有储存、运输抛光液、去除加工残余物质、传递机械载荷及维持抛光环境等功能。抛光垫性能受其材料特性、表面组织、表面沟槽形状及工作温度等因素的影响。这些因素中抛光垫的表面沟槽形状及宽度作为决定抛光垫性能的关键参数之一，它直接影响到抛光区域抛光液的分布和运动及温度分布，进而影响化学反应速率和机械去除作用，最终影响到化学机械抛光的抛光质量和抛光效率。

目前抛光垫的抛光层沟槽形状简单，功能单一，在实际使用过程中，会存在抛光废液和废屑不能及时排除沉积堵塞沟槽划伤硅片表面，或者抛光液在沟槽停留时间过短导致抛光液利用率降低，增加抛光液消耗等问题，这将破坏和阻碍抛光液在抛光区域的输送、分布均匀性、停留时间、新旧抛光液混合效率及改变硅片、抛光垫和抛光液三者之间的温度，影响硅片表面抛光速率和抛光效果，降低了硅片产出良率，浪费大量抛光液，还会缩短CMP抛光垫的使用寿命，造成CMP抛光垫过早失效。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种抛光垫及化学机械抛光设备，能够提高抛光液的利用率、抛光垫的使用寿命和抛光质量。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供一种抛光垫，包括衬底层和位于所述衬底层上的抛光层，所述抛光层包括多个沿周向设置、同圆心的周向沟槽，以及多个沿径向设置、连通相邻周向沟槽的径向沟槽。

可选地，所述周向沟槽的数量大于等于3。

可选地，从所述抛光层的圆心到圆周的方向上，所述多个周向沟槽分别为第1周向沟槽、第2周向沟槽、…、第K周向沟槽，K为周向沟槽的数量，所述径向沟槽包括连通第1周向沟槽至第K周向沟槽的第一径向沟槽。

可选地，所述第一径向沟槽的数量大于等于2。

可选地，所述径向沟槽包括仅连通相邻两个周向沟槽的第二径向沟槽。

可选地，所述第二径向沟槽将相邻两个周向沟槽之间的区域均匀分为N个子区域，N为大于1的整数。

可选地，所述第二径向沟槽将第k-1周向沟槽和第k周向沟槽之间的区域均匀分为m个子区域，所述第二径向沟槽将第k周向沟槽和第k+1周向沟槽之间的区域均匀分为m+d个子区域，m为大于1的整数，k为大于0小于K的整数；或

所述第二径向沟槽将第k-1周向沟槽和第k周向沟槽之间的区域均匀分为m个子区域，所述第二径向沟槽将第k周向沟槽和第k+1周向沟槽之间的区域均匀分为m*a个子区域。

可选地，d等于1，a等于2。

可选地，所述第一径向沟槽的宽度处处相等；或

所述第一径向沟槽包括交替排布的第一部分和第二部分，所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。

可选地，所述第一部分和所述第二部分仅位于相邻的两个周向沟槽之间。

可选地，所述第一部分的宽度等于所述周向沟槽的宽度。

可选地，所述第二径向沟槽的宽度等于所述周向沟槽的宽度；或

所述第二径向沟槽的宽度小于所述周向沟槽的宽度；或

所述第二径向沟槽的宽度大于所述周向沟槽的宽度。本发明的实施例还提供了一种化学机械抛光设备，包括如上所述的抛光垫。

本发明的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，在抛光层上设置有多个沿周向设置、同圆心的周向沟槽，周向沟槽具有局部的闭合结构，它的垂直槽壁能够抵抗抛光垫旋转产生的离心力，可以获得可观的抛光液储存容量，延长抛光液的流动路径，有效控制反应物停留时间，延缓了抛光液的排出速率，提高了抛光液的利用效率；在抛光垫上还设置有沿径向设置、连通相邻周向沟槽的径向沟槽，径向沟槽起到类似于通道的作用，可以使得抛光废液和废屑及时排除，将抛光过程中产生的热量输送出去，避免废屑沉积堵塞沟槽，划伤硅片表面，维持抛光垫的优良性能，进而提高抛光质量。本实施例的抛光垫将径向沟槽和周向沟槽进行结合，使抛光垫具有径向沟槽和周向沟槽的双重优点，既能便于抛光废液和废屑排出，减少废屑堵塞沟槽的几率又能提高抛光液的利用效率，维持稳定的抛光环境。通过改变周向沟槽和径向沟槽的宽度，可以适应不同的加工要求和环境，控制抛光液驻留时间和新旧抛光液的混合效率，使抛光液均匀输送分布在整个抛光区域，提供稳定的抛光速率，提高硅片的平整度。

附图说明

图1为本发明一实施例抛光垫的俯视结构示意图；

图2a为图1所示实施例的抛光垫的第一径向沟槽和周向沟槽交界区域的局部放大示意图；

图2b为图1所示实施例的抛光垫的另一种径向第一径向沟槽和周向沟槽交界区域的局部放大示意图；

图3为本发明另一实施例抛光垫的俯视结构示意图；

图4为本发明再一实施例抛光垫的俯视结构示意图；

图5a～图5c为图3和图4示出的三种径向第二径向沟槽和周向沟槽交界区域的局部放大示意图；

图6为本发明实施例的抛光垫与普通抛光垫的相对去除速率模拟结果示意图。

附图标记说明如下：

10-抛光垫；

11-圆周；

12-第一径向沟槽；

13-第二径向沟槽；

14-周向沟槽；

15-圆心；

16-抛光区；

121-第一径向沟槽宽沟槽处；

122-第一径向沟槽窄沟槽处；

210-抛光垫；

211-圆周；

213-第二径向沟槽；

214-周向沟槽；

215-圆心；

216-抛光区；

310-抛光垫；

311-圆周；

313-第二径向沟槽；

3131-第二径向沟槽(周向沟槽内侧)；

3132-第二径向沟槽(周向沟槽内侧)；

314-周向沟槽；

315-圆心；

316-抛光区；

4131-第二径向沟槽(周向沟槽内侧)；

4132-第二径向沟槽(周向沟槽内侧)；

414-周向沟槽；

416-抛光区；

5131-第二径向沟槽(周向沟槽内侧)；

5132-第二径向沟槽(周向沟槽外侧)；

514-周向沟槽；

516-抛光区。

具体实施方式

为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

目前抛光垫的抛光层的沟槽形状有圆环状、网格状、放射状、渐开线状、螺旋状或者是多种基本形状组合成不同复合形状，或者在基本形状的基础上改造与沟槽基本形状相互匹配，到达想要的抛光效果，满足设计、生产和使用要求，这些沟槽形状简单，功能单一，在实际使用过程中，会存在抛光废液和废屑不能及时排除沉积堵塞沟槽划伤硅片表面或者抛光液在沟槽停留时间过短导致抛光液利用率降低，增加抛光液消耗等问题，这将破坏和阻碍抛光液在抛光区域的输送、分布均匀性、停留时间、新旧抛光液混合效率及改变硅片、抛光垫和抛光液三者之间的温度，影响硅片表面抛光速率和抛光效果，降低了硅片产出良率，浪费大量抛光液，还会缩短抛光垫的使用寿命，造成抛光垫过早失效。

因此，需要设计出沟槽既能快速排出废屑废液、减少碎屑沉积、散失热量、满足抛光液输送和整体均匀分布的能力、减少硅片表面缺陷又能有效贮存抛光液、延长流动路径、减少抛光液用量的抛光垫，实现硅片表面抛光的高效率和高质量，保证硅片符合客户需求。

本发明实施例提供一种抛光垫，包括衬底层和位于所述衬底层上的抛光层，所述抛光层包括多个沿周向设置、同圆心的周向沟槽，以及多个沿径向设置、连通相邻周向沟槽的径向沟槽。

本实施例中，在抛光层上设置有多个沿周向设置、同圆心的周向沟槽，周向沟槽具有局部的闭合结构，它的垂直槽壁能够抵抗抛光垫旋转产生的离心力，可以获得可观的抛光液储存容量，延长抛光液的流动路径，有效控制反应物停留时间，延缓了抛光液的排出速率，提高了抛光液的利用效率；在抛光垫上还设置有沿径向设置、连通相邻周向沟槽的径向沟槽，径向沟槽起到类似于通道的作用，可以使得抛光废液和废屑及时排除，将抛光过程中产生的热量输送出去，避免废屑沉积堵塞沟槽，划伤硅片表面，维持抛光垫的优良性能，进而提高抛光质量。本实施例的抛光垫将径向沟槽和周向沟槽进行结合，使抛光垫具有径向沟槽和周向沟槽的双重优点，既能便于抛光废液和废屑排出，减少废屑堵塞沟槽的几率又能提高抛光液的利用效率，维持稳定的抛光环境。通过改变周向沟槽和径向沟槽的宽度，可以适应不同的加工要求和环境，控制抛光液驻留时间和新旧抛光液的混合效率，使抛光液均匀输送分布在整个抛光区域，提供稳定的抛光速率，提高硅片的平整度。

为了更好地储存抛光液，延长抛光液的流动路径，有效控制反应物停留时间，延缓抛光液的排出速率，提高抛光液的利用效率，所述周向沟槽的数量优选大于等于3。

具体地，从所述抛光层的圆心到圆周的方向上，所述多个周向沟槽分别为第1周向沟槽、第2周向沟槽、…、第K周向沟槽，K为周向沟槽的数量，所述径向沟槽包括连通第1周向沟槽至第K周向沟槽的第一径向沟槽。第一径向沟槽能够将圆心至圆周产生的抛光废液和废屑输出到外侧区域。

为了能够有效地将圆心至圆周产生的抛光废液和废屑输出到外侧区域，所述第一径向沟槽的数量优选大于等于2。

进一步地，所述径向沟槽包括仅连通相邻两个周向沟槽的第二径向沟槽。第二径向沟槽能够将相邻两周向沟槽产生的抛光废液和废屑由内侧的周向沟槽输送到外侧的周向沟槽。

本实施例的抛光垫可以仅包括第二径向沟槽，也可以包括第一径向沟槽和第二径向沟槽的组合。

周向沟槽的宽度和径向沟槽的宽度可以相等也可以不相等。周向沟槽和径向沟槽的宽度不相等时，可以是周向沟槽的宽度大于径向沟槽的宽度，也可以是径向沟槽的宽度大于周向沟槽的宽度。

一具体实施例中，所述第二径向沟槽可以将相邻两个周向沟槽之间的区域均匀分为N个子区域，N为大于1的整数。

另一具体实施例中，所述第二径向沟槽将第k-1周向沟槽和第k周向沟槽之间的区域均匀分为m个子区域，所述第二径向沟槽将第k周向沟槽和第k+1周向沟槽之间的区域均匀分为m+d个子区域，m为大于1的整数，k为大于0小于K的整数；或

所述第二径向沟槽将第k-1周向沟槽和第k周向沟槽之间的区域均匀分为m个子区域，所述第二径向沟槽将第k周向沟槽和第k+1周向沟槽之间的区域均匀分为m*a个子区域。

这样，第二径向沟槽交错设置，能促进抛光液在抛光区域的输送和分布均匀性，稳定抛光速率。

具体地，d可以等于1，a可以等于2。

可选地，所述第一径向沟槽的宽度处处相等；或

所述第一径向沟槽包括交替排布的第一部分和第二部分，所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。

可选地，所述第一部分和所述第二部分仅位于相邻的两个周向沟槽之间。

可选地，所述第一部分的宽度等于所述周向沟槽的宽度。

可选地，所述第二径向沟槽的宽度等于所述周向沟槽的宽度；或

所述第二径向沟槽的宽度小于所述周向沟槽的宽度；或

所述第二径向沟槽的宽度大于所述周向沟槽的宽度。

下面结合附图对本发明的具体实施方式进行说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。

实施例1

本实施例如图1和图2a所示，抛光垫10包括衬底层和抛光层，所述抛光层包括沿着周向从圆心15到圆周11依次设置的至少3个周向沟槽14及沿着径向设置的第一径向沟槽12和第二径向沟槽13；所述第一径向沟槽12连通圆心15和圆周11，将圆心15与圆周11之间的区域16分为圆扇区，圆扇区的数量等于第一径向沟槽12的沟槽数量；所述圆扇区从圆心15到圆周11以等差数列逐渐递增均匀划分相邻周向沟槽14之间的抛光区16，形成第二径向沟槽13，所述第二径向沟槽13将第k-1周向沟槽和第k周向沟槽之间的区域均匀分为m个子区域，所述第二径向沟槽13将第k周向沟槽和第k+1周向沟槽之间的区域均匀分为m+1个子区域；第一径向沟槽12、第二径向沟槽13和周向沟槽14的宽度相等。

假设抛光垫顺时针旋转，抛光液在离心力的作用下，沿着周向沟槽14、第一径向沟槽12和第二径向沟槽13以不同路径的组合方式从圆心15流向圆周11，抛光液流动可供选择的路径较多，如图2a是流入第一径向沟槽12的抛光液和周向沟槽14中的抛光液在径向沟槽和周向沟槽交界处交汇后又沿着第一径向沟槽12和周向沟槽14继续沿着周向和径向流动，如此循环下去将抛光液输送到圆周11，进行新旧抛光液更换，与此同时，携带走抛光过程中产生的废液和废屑。周向沟槽14具有局部的闭合结构，能够储存较多的抛光液，延长抛光液的流动路径，有效控制反应物停留时间，提高了抛光液的利用效率；第一径向沟槽12既能将圆心15至圆周11产生的抛光废液和废屑输送到外侧区域又能将沿途流入第一径向沟槽12的抛光液和废屑携带出去，避免废屑沉积阻塞沟槽，散失热量，减少划伤硅片表面，提高抛光垫的抛光效率；第二径向沟槽13将圆扇区划分为均等的抛光区16，能使抛光液输送到整个抛光区域，均匀分布，加快抛光废液和废屑由周向沟槽14内侧输送到外侧，直至输送到圆周11，第二径向沟槽13从圆心15到圆周11的形状呈折线状，沿径向流动的路径逐渐增多，路径在第二径向沟槽13与周向沟槽14连接点处发生改变，明显改变抛光液沿径向向外流的速率，使抛光液滞留时间有所增加，从而控制化学反应速率。

实施例2

本实施例基于实施例1，改变第一径向沟槽12的宽度，将第一径向沟槽12分为第一径向沟槽宽沟槽处121和第一径向沟槽窄沟槽处122，第一径向沟槽宽沟槽处121和第一径向沟槽窄沟槽处122沿径向交替出现如图2b所示，第一径向沟槽宽沟槽处121的宽度等于周向沟槽14的宽度，第一径向沟槽宽沟槽处121的宽度大于第一径向沟槽窄沟槽处122的宽度。将第一径向沟槽12分为宽槽和窄槽交替沿径向分布有利于控制抛光液沿第一径向沟槽12流出的速度，促使抛光液整体均匀分布，维持稳定的抛光环境，提高硅片平整度。

实施例3

本实施例如图3所示，抛光垫210包括衬底层和抛光层，所述抛光层包括沿着周向从圆心215到圆周211依次设置的至少3个周向沟槽214和沿着径向设置的第二径向沟槽213，第二径向沟槽213从圆心215到圆周211以等比数列逐渐递增均匀划分相邻周向沟槽214之间的抛光区216且与周向沟槽214连接的外侧径向第二径向沟槽213均匀分布在内侧第二径向沟槽213的两边，周向沟槽214的宽度等于径向第二径向沟槽213的宽度，所述第二径向沟槽213将第k-1周向沟槽和第k周向沟槽之间的区域均匀分为m个子区域，所述第二径向沟槽213将第k周向沟槽和第k+1周向沟槽之间的区域均匀分为m*2个子区域，这样的第二径向沟槽213设计能够保证抛光液沿每一个周向沟槽214的内侧径向第二径向沟槽213有均等的机会流向外侧径向的两个第二径向沟槽213，保证抛光液输送到整个抛光区域，均匀分布，径向流动路径从圆心215到圆周211逐渐增多，可以加快废液和废屑由不同径向第二径向沟槽213及时排出，将热量输送出去，促进新旧抛光液更替，维持抛光垫的优良性能，稳定抛光速率。

实施例4

本实施例如图4和图5a所示，抛光垫310包括衬底层和抛光层，所述抛光层包括沿着周向从圆心315到圆周311设置的至少3个周向沟槽314和沿着径向设置的第二径向沟槽313，第二径向沟槽313沿着径向对所有相邻周向沟槽314之间的抛光区316均匀划分为N(N≥2)等分交错分布，即与同一周向沟槽314连接的内径向第二径向沟槽3131和外径向第二径向沟槽3132交错均匀分布，周向沟槽314的宽度等于第二径向沟槽313的宽度。此种径向沟槽设计是为了使抛光液运送到整个抛光区域316，均匀分布，控制抛光液驻留时间，提高抛光液的利用效率也有促进废液和废屑排出的作用，维持稳定的抛光环境。

实施例5

本实施例基于实施例4，改变周向沟槽宽度即周向沟槽414的宽度如图5b所示，此时周向沟槽414的宽度小于第二径向沟槽413的宽度，能控制抛光液流入周向沟槽414的量，相对加快抛光液从圆心315流向圆周，较快速排出抛光过程产生的废屑和废液。

实施例6

本实施例基于实施例4，改变径向沟槽宽度即第二径向沟槽513的宽度如图5c所示，此时周向沟槽514的宽度大于第二径向沟槽513的宽度，这样设计的好处有利于延长抛光液的滞留时间，降低抛光液的消耗量。

本发明的实施例还提供了一种化学机械抛光设备，包括如上所述的抛光垫。

本实施例中，在抛光层上设置有多个沿周向设置、同圆心的周向沟槽，周向沟槽具有局部的闭合结构，它的垂直槽壁能够抵抗抛光垫旋转产生的离心力，可以获得可观的抛光液储存容量，延长抛光液的流动路径，有效控制反应物停留时间，延缓了抛光液的排出速率，提高了抛光液的利用效率；在抛光垫上还设置有沿径向设置、连通相邻周向沟槽的径向沟槽，径向沟槽起到类似于通道的作用，可以使得抛光废液和废屑及时排除，将抛光过程中产生的热量输送出去，避免废屑沉积堵塞沟槽，划伤硅片表面，维持抛光垫的优良性能，进而提高抛光质量。本实施例的抛光垫将径向沟槽和周向沟槽进行结合，使抛光垫具有径向沟槽和周向沟槽的双重优点，既能便于抛光废液和废屑排出，减少废屑堵塞沟槽的几率又能提高抛光液的利用效率，维持稳定的抛光环境。通过改变周向沟槽和径向沟槽的宽度，可以适应不同的加工要求和环境，控制抛光液驻留时间和新旧抛光液的混合效率，使抛光液均匀输送分布在整个抛光区域，提供稳定的抛光速率，提高硅片的平整度。

本发明的抛光垫相对普通抛光垫具有更好的抛光效果，对本发明的抛光垫与普通单一同心圆状沟槽抛光垫建立相对去除速率模型，通过Matlab编程及用Matlab软件对各抛光垫的相对去除速率进行模拟仿真，模拟结果如图6所示，曲线r代表普通单一同心圆状沟槽抛光垫的相对去除速率模拟曲线，曲线1-6分别代表本发明实施例1至实施例6的抛光垫的相对去除速率模拟曲线，其中，横轴为硅片的半径，纵轴为相对去除速率。由图可知，普通单一同心圆状沟槽抛光垫因抛光废液和废屑不能快速排除，抛光液更新不及时，在整个硅片表面的相对去除速率不稳定、不均匀，起伏波动较大；本发明的抛光垫，既能便于抛光废液和废屑排出，减少废屑堵塞沟槽的几率，使新的抛光液不断流入抛光区域，同时又能提高抛光液的利用效率，维持稳定的抛光环境，在整个硅片表面的相对去除速率变化幅度很小，较为均匀稳定。经生产实践证明，化学机械抛光过程中相对去除速率均匀稳定性可直接显示出抛光后硅片表面平坦度的好坏，相对去除速率越均匀，抛光后硅片表面的平坦度越好且抛光时间相对较少。因此，模拟曲线越趋近平直，抛光后得到的硅片表面越平坦，本发明的抛光垫相对去除速率模拟曲线相对平直。

由模拟结果可知，本发明的抛光垫抛光效果显著高于普通单一同心圆状沟槽抛光垫，能够保证硅片表面的平坦度。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种抛光垫，包括衬底层和位于所述衬底层上的抛光层，其特征在于，所述抛光层包括多个沿周向设置、同圆心的周向沟槽，以及多个沿径向设置、连通相邻周向沟槽的径向沟槽。

2.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述周向沟槽的数量大于等于3。

3.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，从所述抛光层的圆心到圆周的方向上，多个所述周向沟槽分别为第1周向沟槽、第2周向沟槽、…、第K周向沟槽，K为周向沟槽的数量，所述径向沟槽包括连通第1周向沟槽至第K周向沟槽的第一径向沟槽。

4.根据权利要求3所述的抛光垫，其特征在于，所述第一径向沟槽的数量大于等于2。

5.根据权利要求1或3所述的抛光垫，其特征在于，所述径向沟槽包括仅连通相邻两个周向沟槽的第二径向沟槽。

6.根据权利要求5所述的抛光垫，其特征在于，所述第二径向沟槽将相邻两个周向沟槽之间的区域均匀分为N个子区域，N为大于1的整数。

7.根据权利要求5所述的抛光垫，其特征在于，所述第二径向沟槽将第k-1周向沟槽和第k周向沟槽之间的区域均匀分为m个子区域，所述第二径向沟槽将第k周向沟槽和第k+1周向沟槽之间的区域均匀分为m+d个子区域，m为大于1的整数，k为大于0小于K的整数；或

所述第二径向沟槽将第k-1周向沟槽和第k周向沟槽之间的区域均匀分为m个子区域，所述第二径向沟槽将第k周向沟槽和第k+1周向沟槽之间的区域均匀分为m*a个子区域。

8.根据权利要求7所述的抛光垫，其特征在于，d等于1，a等于2。

9.根据权利要求3所述的抛光垫，其特征在于，所述第一径向沟槽的宽度处处相等；或

所述第一径向沟槽包括交替排布的第一部分和第二部分，所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。

10.根据权利要求9所述的抛光垫，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分仅位于相邻的两个周向沟槽之间。

11.根据权利要求9所述的抛光垫，其特征在于，所述第一部分的宽度等于所述周向沟槽的宽度。

12.根据权利要求5所述的抛光垫，其特征在于，

所述第二径向沟槽的宽度等于所述周向沟槽的宽度；或

所述第二径向沟槽的宽度小于所述周向沟槽的宽度；或

所述第二径向沟槽的宽度大于所述周向沟槽的宽度。

13.一种化学机械抛光设备，其特征在于，包括如权利要求1-12中任一项所述的抛光垫。

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