JP2006167907A - 研磨媒体利用度を改善するために設けられた溝を有するｃｍｐ研磨パッド - Google Patents

Abstract

【課題】一定又は徐々に変化する深さを有する溝のネットワークにおいては、かなりの量の研磨スラリーがウエーハと接触しないおそれがある。研磨層に供給されるスラリーの十分に利用されない量を減らし、スラリーの浪費を減らす溝を有する研磨層が要望される。
【解決手段】研磨パッド１０４は、ウェーハ１２０を研磨するための環状研磨トラック１５２を有する。ウェーハトラック内には、複数の溝１１２が、パッドの回転性に対して半径方向かつ周方向に互いに離間し、パッドに対して少なくとも部分的に非周方向であるように設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明は一般にケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）の分野に関する。特に、本発明は、研磨媒体利用度を改善するために設けられた溝を有する研磨ＣＭＰパッドに関する。

集積回路及び他の電子機器の製造においては、導体、半導体及び誘電体材料の多数の層を半導体ウェーハの表面上に付着させたり同表面から除去したりする。導体、半導体及び誘電体材料の薄い層は、多数の付着技術を使用して付着させることができる。最新のウェーハ加工で一般的な付着技術としては、とりわけ、スパッタリングとも知られる物理蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）、プラズマ化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ）及び電気化学的めっき法がある。一般的な除去技術としては、とりわけ、湿式及び乾式の等方性及び異方性エッチングがある。

材料層が逐次に付着され、除去されるにつれ、ウェーハの一番上の表面が非平坦になる。後続の半導体加工（たとえばメタライゼーション）はウェーハが平坦面を有することを要するため、ウェーハは平坦化されなければならない。望ましくない表面トポグラフィーならびに表面欠陥、たとえば粗面、凝集した材料、結晶格子の損傷、スクラッチ及び汚染された層又は材料を除去するためにはプラナリゼーション（平坦化）が有用である。

ケミカルメカニカルプラナリゼーション又はケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）は、半導体ウェーハのような加工物を平坦化するために使用される一般的な技術である。従来のＣＭＰでは、ウェーハキャリヤ又は研磨ヘッドがキャリヤアセンブリに取り付けられる。研磨ヘッドがウェーハを保持し、ＣＭＰ装置内で研磨パッドの研磨層と接する状態に配置する。キャリヤアセンブリがウェーハと研磨パッドとの間に制御可能な圧を供給する。それと同時に、スラリー又は他の研磨媒体が研磨パッド上に流され、ウェーハと研磨層との間の隙間に流し込まれる。研磨を起こさせるためには、研磨パッド及びウェーハを互いに対して動かす、通常は回転させる。ウェーハ面は、研磨層及び表面上の研磨媒体の化学的かつ機械的作用によって研磨され、平坦化される。研磨パッドがウェーハの下で回転すると、ウェーハは、ウェーハ面が研磨層と直接対面するところの、通常は環状の研磨トラック又は研磨領域を描き出す。

研磨層を設計する際の重要な考慮事項としては、とりわけ、研磨層の表面にわたる研磨媒体の分散、研磨トラックへの新鮮な研磨媒体の流れ、研磨トラックからの使用済み研磨媒体の流れ及び実質的に使用されないまま研磨ゾーンを通過する研磨媒体の量がある。これらの考慮事項に対処する一つの方法は、研磨層に溝を設けることである。何年にもわたり、かなり多くの異なる溝パターン及び配置が具現化されてきた。従来技術の溝パターンとしては、とりわけ、放射状、同心円状、デカルト格子状及びらせん状がある。従来技術の溝配置としては、すべての溝の深さが均一である配置及び溝の深さが溝ごとに異なる配置がある。

ＣＭＰ実施者の間では、同等の材料除去速度を達成する場合に特定の溝パターンが他のパターンよりも高いスラリー消費を結果的に生じさせるということが一般に認知されている。研磨層の外周に接続しない円形の溝は、パッド回転から生じる力の下でスラリーがパッド円周に達するための可能な最短経路を提供する半径方向の溝よりもスラリー消費が少ない傾向にある。研磨層の外周までに様々な長さの経路を提供するデカルト格子状の溝は中間的な立場をとる。

従来技術において、スラリー消費を減らし、研磨層上でのスラリー滞留時間を最大にしようとする種々の溝パターンが開示されている。たとえば、Osterheldらへの米国特許第６，２４１，５９６号は、パッドの中心から外方へ概ね外側へ放射するジグザグ路を画定する溝を有する回転タイプ研磨パッドを開示している。一つの実施態様では、Osterheldらのパッドは、長方形の「ｘ−ｙ」格子状の溝を含む。ジグザグ路は、ｘ方向の溝とｙ方向の溝との間の交差点のいくつかを選択的に塞ぎ、他の交差点を塞がずにおくことによって画定される。もう一つの実施態様では、Osterheldらのパッドは、概ね放射状の複数の不連続なジグザグ溝を含む。一般に、ｘ−ｙ格子状の溝内に画定される、又は不連続なジグザグ溝によって画定されるジグザグ路は、少なくとも、閉塞のない長方形のｘ−ｙ格子状溝及びまっすぐな半径方向溝に対して、対応する溝を通過するスラリーの流れを抑制する。スラリー滞留時間を増大させるとして記載されているもう一つの従来技術の溝パターンは、パッド回転の力の下でスラリーを研磨層の中心に向けて押すと考えられるらせん溝パターンである。

最先端技術の計算流体力学的シミュレーションを含む今日までのＣＭＰの研究及びモデル化が、一定又は徐々に変化する深さを有する溝のネットワークにおいては、各溝の最深部のスラリーが接触なしでウェーハの下を流れるため、かなりの量の研磨スラリーがウェーハと接触しないおそれがあることを明らかにした。溝は、スラリーを確実に運ぶために最小限の深さで設けられなければならないが、従来の研磨層においては、スラリーが研磨に関与することなく流れる途切れのない流路が加工物の下に存在するため、研磨層の表面が損耗するにつれ、過度の深さが、研磨層に供給されたスラリーの一部が利用されない結果を生じさせる。したがって、研磨層に供給されるスラリーの十分に利用されない量を減らし、結果的にスラリーの浪費を減らすような手法で設けられた溝を有する研磨層が要望される。

本発明の一つの態様で、ａ）研磨媒体の存在で磁性、光学又は半導体基材の少なくとも一つの表面を研磨するように構成され、回転軸、外周及び回転軸と同心的な環状研磨トラックを含む研磨層、ならびに環状研磨トラック内に全部が位置する第一のセットの溝を含む、研磨層中に形成された複数の溝を含む研磨パッドであって、第一のセットの溝の各溝が、ｉ）第一のセットの溝の他の溝から回転軸に対して半径方向に離間しており、ii）第一のセットの溝の他の溝から研磨パッドに対して周方向に離間しており、iii）長手方向の軸を有し、その長手方向の軸の少なくとも一部が研磨パッドに対して非周方向に向けられて、ランド領域が外周への流れを中断させるところで、研磨媒体のための不連続な流れを形成するものである研磨パッドを提供する。

本発明のもう一つの態様で、ａ）研磨媒体の存在で磁性、光学又は半導体基材の少なくとも一つの表面を研磨するように構成され、ｉ）回転軸、ii）外周、iii）回転軸と同心的な環状研磨トラック、及びiv）環状研磨トラックと外周との間に位置する周辺領域を含む研磨層、ならびにｂ）研磨層中に形成された複数の溝を含む研磨パッドであって、複数の溝が、ｉ）環状研磨トラック内に全部が位置する第一のセットの溝を含み、第一のセットの溝の少なくともいくつかの溝それぞれが、Ａ）第一のセットの溝の他の溝から研磨層の回転軸に対して半径方向に離間しており、Ｂ）第一のセットの溝の他の溝から研磨パッドに対して周方向に離間しており、複数の溝がさらに、ii）それぞれが環状研磨トラック及び周辺領域内だけに位置して、ランド領域が外周への流れを中断させるところで、研磨媒体のための不連続な流れを形成する第二のセットの溝を含むものである研磨パッドを提供する。

図面を参照すると、図１は、符号１００によって指定される本発明のケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）システムを示す。ＣＭＰシステム１００は、半導体ウェーハ１２０又は他の加工物、たとえば、とりわけガラス、シリコンウェーハ及び磁気情報記憶ディスクの研磨の際に研磨パッドに適用される研磨媒体１１６の利用度を改善するように設けられ、配置された複数の溝１１２を含む研磨層１０８を有する研磨パッド１０４を含む。便宜上、以後の記載では用語「ウェーハ」を使用する。しかし、当業者は、ウェーハ以外の加工物が本発明の範囲に入るということを理解するであろう。以下、研磨パッド１０４及びその独自の特徴を詳細に説明する。

ＣＭＰシステム１００は、プラテンドライバ（図示せず）によって軸１２８を中心に回転可能である研磨プラテン１２４を含むことができる。プラテン１２４は、研磨パッド１０４が取り付けられる上面を有することができる。軸１３６を中心に回転可能であるウェーハキャリヤ１３２を研磨層１０８の上方に支持することができる。ウェーハキャリヤ１３２は、ウェーハ１２０と係合する下面を有することができる。ウェーハ１２０は面１４０を有し、この面が研磨層１０８と対面し、研磨中に平坦化される。ウェーハキャリヤ１３２は、ウェーハ１２０を回転させ、ウェーハ面１４０を研磨層１０８に対して押し付けるための下向きの力Ｆを提供して、研磨中にウェーハ面と研磨層との間に所望の圧力を存在させるように適合されたキャリヤ支持アセンブリ（図示せず）によって支持することができる。

ＣＭＰシステム１００はまた、研磨層１０８に研磨媒体１１６を供給するための供給システム１４４を含むことができる。供給システム１４４は、研磨媒体１１６を保持するリザーバ（図示せず）、たとえば温度制御式リザーバを含むことができる。導管１４８が研磨媒体１１６をリザーバから研磨パッド１０４に隣接する位置まで運ぶことができ、その位置で研磨媒体が研磨層１０８の上に小出しされる。流量制御弁（図示せず）を使用してパッド１０４への研磨媒体１１６の小出しを制御してもよい。

研磨作業中、プラテンドライバがプラテン１２４及び研磨パッド１０４を回転させ、供給システム１４４が起動されて研磨媒体１１６を回転中の研磨パッド上に小出しする。研磨媒体１１６は、研磨パッド１０４の回転により、研磨層１０８上に、ウェーハ１２０と研磨パッド１０４との間の隙間を含めて延展する。ウェーハキャリヤ１３２は、ウェーハ面１４０が研磨層１０８に対して動くよう、選択した速度、たとえば０rpm〜１５０rpmで回転させることができる。ウェーハキャリヤ１３２はまた、ウェーハ１２０と研磨パッド１０４との間に所望の圧力、たとえば０psi〜１５psiの圧力を誘発するため、下向きの力Ｆを提供するように制御することができる。研磨プラテン１２４は通常０〜１５０rpmの速度で回転させられる。研磨パッド１０４がウェーハ１２０の下で回転すると、ウェーハの表面１４０は、通常は環状のウェーハトラック又は研磨トラック１５２を研磨層１０８上に描き出す。

特定の状況の下、研磨トラック１５２は厳密に環状でなくてもよいということが理解されよう。たとえば、ウェーハ１２０の表面１４０が、その一つの寸法が別の寸法よりも長く、それらの寸法が研磨層１０８上の同じ場所で常に同様の方向に向けられるような特定の速度でウェーハ及び研磨パッド１０４が回転させられるならば、研磨トラック１５２は概ね環状になるであろうが、長い方の寸法から短い方の寸法まで異なる幅を有するであろう。ウェーハ１２０の表面１４０が円形又は正方形の場合のように二軸対称であるが、ウェーハがその表面の回転中心に対して偏心的に取り付けられる場合にも、特定の回転速度で同様な効果が生じるであろう。研磨トラック１５２が全体的には環状にならないさらに別の例は、ウェーハ１２０が、研磨層１０８に対して平行な平面で振動し、研磨パッド１０４が、研磨層に対する振動によるウェーハの位置がパッドの各回転で同じになるような速度で回転する場合である。通常は例外的であるこれらすべての場合でも、研磨トラック１５２は本質的には環状であり、したがって、追加した請求の範囲で使用する用語「環状」の範囲に入ると見なされる。

図２は、図１の研磨パッド１０４をさらに詳細に示す。研磨トラック１５２内には、溝１１２が、研磨パッド１０４の回転性に対して半径方向１５６かつ周方向に互いに離間するように設けられている。研磨中、ウェーハが研磨パッド１０４と対面する関係でたとえば回転方向１６６に回転すると、主としてウェーハ１２０の影響の下でのみ、研磨媒体、たとえば図１の研磨媒体１１６が研磨トラック１５２内で溝１１２から溝１１２へと移動する（矢印１６４によって示す）。研磨媒体は一般にウェーハ１２０が存在する場合のみ移動するため、研磨媒体は、研磨トラック中を途切れずに延びる溝を有する従来のパッド（図示せず）の場合よりも効率的に利用される傾向にある。理由は、このような途切れのない溝の中では、研磨媒体は往々にして、パッドの回転の影響の下、ウェーハが存在するか存在しないかにかかわらず、研磨トラック中を流れるからである。その結果、これらの状況の下、研磨媒体は往々にして、本発明の研磨パッド、たとえばパッド１０４の場合よりも従来の研磨パッドの場合で急速に使用される。従来の研磨パッドによる研磨媒体のより急速な利用は、最適な必要量よりも多くの研磨媒体の消費及び、研磨副産物によって増強される研磨の場合、副産物のレベルが最適レベルよりも低いことをはじめとする多数の欠点を抱えてしまう。

溝１１２が半径方向かつ周方向に互いに離間していることに加え、各溝の長手方向の軸１６８の少なくとも一部が研磨パッド１０４に対して非周方向に向けられていることが望ましい。換言するならば、溝１１２の長手方向の軸１６８は、単に、研磨パッド１０４の回転軸１２８と同心的な円弧ではないことが望ましい。このような溝１１２を設けると、研磨パッド１０４が回転するとき、その回転によって生じる遠心力の効果によって研磨媒体の流れを促進することができる。この例では、溝１１２は概ねらせんの弧であり、したがって、その全長にわたって非周方向である。本発明の溝構造の、必ずしもすべてではないがいくつかでは、各溝の終点と終点との間の、それらの終点を接続する直線沿いの距離が、研磨される基材の表面の、その表面の回転中心を通過して延びる最小寸法よりも小さいことが望ましい。たとえば、その同心的中心を中心に回転する円形面の場合、この基準を使用する各溝の終点間の直線距離は、その表面の直径よりも小さい値になるであろう。他方、長さＬの長辺及び長さＳの短辺を有する長方形の場合、この基準の下では、溝の終点間の直線距離は、短辺の長さＳよりも小さい値になるであろう。

溝１１２はまた、研磨層１０８の、研磨トラック１５２よりも半径方向内側にある中央領域１７６中に一部が位置し、研磨トラック中に一部が位置するサブセット１７２を含むことができる。溝１１２のこのサブセット１７２は、たとえば、研磨媒体が中央領域１７６に小出しされる研磨システム、たとえば図１のＣＭＰシステム１００に関連して、中央領域から研磨トラック１５２への研磨媒体の流れを向上させるのに有用である。加えて、溝１１２は、研磨トラック１５２から、研磨トラックよりも半径方向外側にある周辺領域１８４（設けられている場合）まで延びる溝のサブセット１８０を含むことができる。サブセット１８０中の溝１１２はまた、望むならば、研磨パッド１０４の周縁１８８まで延びることもできる。溝１１２のサブセット１８０は、たとえば、研磨トラック１５２から出る研磨媒体の流れを向上させるのに有用である。

以下に説明する図３から容易に理解されるように、溝１１２は、多様な構造及び配置のいずれを有してもよい。しかし、図２では、溝１１２はグループ１９２中で直列的に配置されて、各グループ中の溝が、中央領域１７６から研磨トラック１５２を通って周縁１８８まで延びる、対応する滑らかな経路、この場合はらせん経路１９４に沿って延びるようになっている。当業者が理解するように、溝１１２のグループ１９２は、他の形状及び向きの滑らかな経路に沿って、たとえば、とりわけ直線的かつ半径方向、直線的かつ研磨パッド１０４の設計回転方向１９８に対して斜めの方向、円弧状かつ概ね半径方向、円弧状かつ非半径方向の経路に沿って同様に設けてもよい。

図３は、本発明の異なる研磨パッド３０４、４０４、５０４の３個の円セグメント３００、４００、５００を複合したもの２００を示す。セグメント３００、４００、５００は、それぞれの、互いに異なる３種の溝構造３０８、４０８、５０８を含む。しかし、３種の溝構造はすべて、図２に関して先に説明したように、ウェーハが研磨パッド３０４、４０４、５０４と対面しながら回転するとき、主に対応するウェーハ３１６、４１６、５１６の影響の下で研磨媒体が各研磨トラック３１２、４１２、５１２内で移動するための「途切れた」経路を提供している。先に論じたように、これらの途切れた経路は、研磨媒体が研磨パッド３０４、４０４、５０４の回転の影響の下で流れることを概ね可能にする個々に離間した溝３２０、４２０、５２０によって画定される。溝３２０、４２０、５２０の間のランド区域３２４、４２４、５２４は、対照的に、各ウェーハ３１６、４１６、５１６がランド区域と直接対面しながら回転する場合を除き、研磨媒体の移動を概ね抑制する。各セグメント３００、４００、５００中の各矢印３２８、４２８、５２８は、対応するウェーハ３１６、４１６、５１６の、図示する回転方向３３２、４３２、５３２への回転によって生じるランド区域３２４、４２４、５２４上での研磨媒体の動きを表す。好ましい実施態様では、各溝３２０、４２０、５２０の終点間の直線距離は、対応するウェーハ３１６、４１６、５１６の直径よりも小さい。概ね、この特徴は、研磨スラリーが、研磨に関与することなく、対応するウェーハ３１６、４１６、５１６の下を妨げられずに通過することを阻止する。

各溝構造３０８、４０８、５０８は、対応する研磨トラック３１２、４１２、５１２内から、少なくとも対応する周辺領域３４０、４４０、５４０の中まで延び、さらに場合によっては周縁３４４、４４４、５４４まで延びるそれぞれの溝３３６、４３６、５３６を含む。溝３３６、４３６、５３６は概ね、研磨トラック３１２、４１２、５１２からの研磨媒体の輸送を向上させる。各溝構造３０８、４０８、５０８はまた、対応する中央領域３５２、４５２、５５２から研磨トラック３１２、４１２、５１２の中まで延びるそれぞれの溝３４８、４４８、５４８を含む。これらのパッド３０４、４０４、５０４のいずれか１個が、研磨媒体をパッドの各中央領域３５２、４５２、５５２に供給する研磨システム、たとえば図１のＣＭＰシステム１００とで使用される場合、対応する溝３４８、４４８、５４８は、中央領域から研磨トラック３１２、４１２、５１２への研磨媒体の輸送を向上させるであろう。溝３２０、４２０、５２０と同様に、対応する研磨トラック３１２、４１２、５１２内の各溝３３６、４３６、５３６、３４８、４４８、５４８の終点と、その同じ溝が研磨トラックの境界線と交差する点との間の直線距離もまた、好ましくは、各ウェーハ３１６、４１６、５１６の直径よりも小さい。図２の研磨パッド１０４と同様に、溝３３６、４３６、５３６又は溝３４８、４４８、５４８又は両方のセットは、代替態様では設けなくてもよい。

構造３０８、４０８は、それぞれ、規則的なパターンで設けられた溝３２０、３３６、３４８、４２０、４３６、４４８を含む。構造３０８の場合、溝３２０、３３６、３４８は、二つの大まかな配置、すなわち部分円形配置及び直線状配置を有する。図２の溝１１２と同様に、溝３２０は、半径方向かつ周方向に互いに離間しており、非周方向部分を有している。上述したように、各溝３２０の終点間の直線距離は、好ましくは、ウェーハ３１６の直径よりも小さい。たとえば、溝３２０、３３６、３４８のうち、間に割り込む溝を構造から除去し、残りの部分円形の溝を完全に円形にすることにより、完全に円の溝（図示せず）を使用する代替態様を容易に想定することができる。望むならば、他の部分的又は完全に閉じた溝形状、たとえば、とりわけ多角形又は楕円形を使用してもよい。

構造４０８は、概ね、長方形格子の溝に対する変形である。しかし、構造４０８の溝４２０、４３６、４４８は、互いに十字に交差して交差点を形成するような連続的な格子溝ではなく、交差点を除くように配置されている。この場合もまた、図２の溝１１２と同様に、構造４０８の溝４２０は、構造中の研磨トラック４１２内の他の溝４２０から半径方向かつ周方向に離間しており、研磨パッド４０４に対して全体的に非周方向である。上記のように、各溝４２０、４３６、４４８は、好ましくは、ウェーハ４１６の直径よりも小さい長さを有している。十字に交差する他の構造に基づく代替態様、たとえば菱形の格子及び波状、湾曲又はジグザグの溝を含む格子を容易に想定することができる。

本明細書で開示したいくつかの構造のうち、構造５０８が、本発明の基礎を成す概念を取り入れることができる極端な例をもっとも端的に示す。構造５０８の溝５２０は概ね自由造形であり、種々の配置、向き及び長さを有している。しかし、構造５０８に関してさえ、研磨トラック５１２内の溝５２０は半径方向かつ周方向に互いに離間しており、研磨パッド５０４に対して（大部分）非周方向であることが見てとれる。この場合もまた、ウェーハトラック５１２内に全部が位置する自由造形の溝５２０の終点間の直線距離は、好ましくは、ウェーハ５１６の直径よりも小さいが、場合によっては、溝の形状をたどる距離はウェーハの直径を超える。さらに、一部がウェーハトラック５１２内に位置し、一部がウェーハトラック５１２外に位置する溝５４８、５３６の場合、ウェーハトラック内のそのような各溝の終点と、その溝がウェーハトラックの境界線と交差する点との間の距離もまた、好ましくは、ウェーハの直径よりも小さい。したがって、これらの自由造形の溝５２０、５３６、５４８は、互いに連係して、実質的にウェーハ５１６の影響の下でのみ、研磨媒体を１本の溝から次の溝まで移動させることにより、研磨媒体利用度を高めるように作用する。

本発明のケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）システムの部分斜視図である。 図１の研磨パッドの平面図である。 ３種の異なる溝構造を示す、本発明の代替研磨パッド３種を複合した平面図である。

Claims (10)

1. ａ）研磨媒体の存在で磁性、光学又は半導体基材の少なくとも一つの表面を研磨するように構成され、回転軸、外周及び回転軸と同心的な環状研磨トラックを含む研磨層、ならびに
   ｂ）環状研磨トラック内に全部が位置する第一のセットの溝を含む、研磨層中に形成された複数の溝
   を含む研磨パッドであって、第一のセットの溝の各溝が、
   ｉ）第一のセットの溝の他の溝から回転軸に対して半径方向に離間しており、
   ii）第一のセットの溝の他の溝から研磨パッドに対して周方向に離間しており、
   iii）長手方向の軸を有し、その長手方向の軸の少なくとも一部が研磨パッドに対して非周方向に向けられて、ランド領域が外周への流れを中断させるところで、研磨媒体のための不連続な流れを形成するものである研磨パッド。
2. 基材の表面が、回転中心を有し、回転中心を通過して延びる線に沿った最小の寸法を含み、第一のセットの溝の各溝が、第一端及び第一端から表面の最小寸法よりも小さな距離だけ離間した第二端を有する、請求項１記載の研磨パッド。
3. 複数の溝が、滑らかな経路に沿って直列的に設けられた複数の溝をそれぞれが含む複数のグループとして配置されている、請求項１記載の研磨パッド。
4. 複数の溝それぞれが湾曲している、請求項３記載の研磨パッド。
5. 前記研磨層が、環状研磨トラックと外周との間に延びる周辺領域をさらに含み、複数の溝が第二のセットの溝をさらに含み、第二のセットの各溝が環状研磨トラック及び周辺領域だけに存在する、請求項１記載の研磨パッド。
6. 環状研磨トラックが、研磨層の中央領域を画定する内周を有し、複数の溝が第三のセットの溝をさらに含み、第三のセットの各溝が環状研磨トラック及び中央領域だけに存在する、請求項１記載の研磨パッド。
7. ａ）研磨媒体の存在で磁性、光学又は半導体基材の少なくとも一つの表面を研磨するように構成され、
   ｉ）回転軸、
   ii）外周、
   iii）回転軸と同心的な環状研磨トラック、及び
   iv）環状研磨トラックと外周との間に位置する周辺領域
   を含む研磨層、ならびに
   ｂ）研磨層中に形成された複数の溝
   を含む研磨パッドであって、複数の溝が、
   ｉ）環状研磨トラック内に全部が位置する第一のセットの溝を含み、第一のセットの溝の少なくともいくつかの溝それぞれが、
   Ａ）第一のセットの溝の他の溝から研磨層の回転軸に対して半径方向に離間しており、
   Ｂ）第一のセットの溝の他の溝から研磨パッドに対して周方向に離間しており、複数の溝がさらに、
   ii）それぞれが環状研磨トラック及び周辺領域内だけに位置して、ランド領域が外周への流れを中断させるところで、研磨媒体のための不連続な流れを形成する第二のセットの溝を含むものである研磨パッド。
8. 研磨トラックが内周をさらに含み、研磨層がさらに、
   ａ）回転軸と同心的であり、環状研磨トラックの内周によって画定される中央領域、及び
   ｂ）第三のセットの溝を含み、第三のセットの溝それぞれが中央領域及び環状研磨トラックだけに存在する、請求項７記載の研磨パッド。
9. 第一のセットの溝の各溝が長手方向の軸を有し、その長手方向の軸の少なくとも一部が研磨パッドに対して非周方向に向けられている、請求項７記載の研磨パッド。
10. 複数の溝が、滑らかな経路に沿って直列的に設けられた複数の溝をそれぞれが含む複数のグループとして設けられている、請求項７記載の研磨パッド。
    

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