JPH06763A - 半導体ウェハの研磨方法 - Google Patents
半導体ウェハの研磨方法Info
- Publication number
- JPH06763A JPH06763A JP4186239A JP18623992A JPH06763A JP H06763 A JPH06763 A JP H06763A JP 4186239 A JP4186239 A JP 4186239A JP 18623992 A JP18623992 A JP 18623992A JP H06763 A JPH06763 A JP H06763A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- polishing
- pad
- polished
- back face
- Prior art date
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- Pending
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハの片面鏡面研磨における研磨方
法に関し、ウェハの研磨工程を改善し、高品質の片面鏡
面研磨ウェハを得ることを目的とする。 【構成】 研磨する半導体ウェハの裏面をパッドに吸着
し、ウェハの表面を回転する研磨布によって研磨するワ
ックスレス研磨方法において、ウェハの表面と研磨布と
の間およびウェハの裏面とパッドとの間にそれぞれ研磨
液を供給し、摩擦抵抗の低下によって自転するウェハと
パッドとの間の相対運動によってウェハの裏面を研磨す
る。
法に関し、ウェハの研磨工程を改善し、高品質の片面鏡
面研磨ウェハを得ることを目的とする。 【構成】 研磨する半導体ウェハの裏面をパッドに吸着
し、ウェハの表面を回転する研磨布によって研磨するワ
ックスレス研磨方法において、ウェハの表面と研磨布と
の間およびウェハの裏面とパッドとの間にそれぞれ研磨
液を供給し、摩擦抵抗の低下によって自転するウェハと
パッドとの間の相対運動によってウェハの裏面を研磨す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハの片面鏡面
研磨における研磨方法に関するものである。
研磨における研磨方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハの片面鏡面研磨方法には、
ウェハをプレートにワックス等で貼り付けて表面のみを
研磨する方法と、ウェハをワックスレスパッドまたは吸
着によってプレートに固定して表面のみを研磨する方法
とがある。
ウェハをプレートにワックス等で貼り付けて表面のみを
研磨する方法と、ウェハをワックスレスパッドまたは吸
着によってプレートに固定して表面のみを研磨する方法
とがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前者の方法は研磨前に
ウェハをワックスでプレートに貼り付ける工程と、研磨
後に有機洗浄を行ってワックスをプレートから除去する
工程とが必要であるため工程が複雑となり、また、ウェ
ハとプレートとの間に異物が混入しやすく、ウェハの平
坦性が悪くなるという不都合がある。
ウェハをワックスでプレートに貼り付ける工程と、研磨
後に有機洗浄を行ってワックスをプレートから除去する
工程とが必要であるため工程が複雑となり、また、ウェ
ハとプレートとの間に異物が混入しやすく、ウェハの平
坦性が悪くなるという不都合がある。
【０００４】後者の方法は前者の方法に比べると工程は
簡素化されるが、研磨中に研磨液がウェハの裏面に回り
込み不完全なエッチングが行われるため、研磨後にウェ
ハの裏面外周にシミが生じるという不都合がある。本発
明は、ウェハの研磨工程を改善し、高品質の片面鏡面研
磨ウェハを得ることを目的とする。
簡素化されるが、研磨中に研磨液がウェハの裏面に回り
込み不完全なエッチングが行われるため、研磨後にウェ
ハの裏面外周にシミが生じるという不都合がある。本発
明は、ウェハの研磨工程を改善し、高品質の片面鏡面研
磨ウェハを得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体ウェ
ハの研磨方法は、研磨する半導体ウェハの裏面をパッド
に吸着し、ウェハの表面を回転する研磨布によって研磨
するワックスレス研磨方法において、ウェハの表面と研
磨布との間およびウェハの裏面とパッドとの間にそれぞ
れ研磨液を供給し、摩擦抵抗の低下によって自転するウ
ェハとパッドとの間の相対運動によりウェハの裏面を研
磨することを特徴とする。
ハの研磨方法は、研磨する半導体ウェハの裏面をパッド
に吸着し、ウェハの表面を回転する研磨布によって研磨
するワックスレス研磨方法において、ウェハの表面と研
磨布との間およびウェハの裏面とパッドとの間にそれぞ
れ研磨液を供給し、摩擦抵抗の低下によって自転するウ
ェハとパッドとの間の相対運動によりウェハの裏面を研
磨することを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明は、ウェハの表面と研磨布との間に研磨
液を供給しながら研磨布を回転させてウェハの表面を研
磨する。このとき、ウェハの裏面とパッドとの間にも研
磨液を供給するので、摩擦抵抗が低下してウェハが自転
し、この自転によるウェハの裏面とパッドとの間の相対
運動によりウェハの裏面が研磨される。これにより、従
来のワックスレス研磨で生じていた裏面外周のシミがな
くなり、高品質の片面鏡面研磨ウェハを得ることが出来
る。
液を供給しながら研磨布を回転させてウェハの表面を研
磨する。このとき、ウェハの裏面とパッドとの間にも研
磨液を供給するので、摩擦抵抗が低下してウェハが自転
し、この自転によるウェハの裏面とパッドとの間の相対
運動によりウェハの裏面が研磨される。これにより、従
来のワックスレス研磨で生じていた裏面外周のシミがな
くなり、高品質の片面鏡面研磨ウェハを得ることが出来
る。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明の研磨方法に使用する研磨装
置の一例を示す概略的構成図である。この装置は基本的
にはワックスレス研磨方式の装置で、ウェハを空気でワ
ックスレスパッドに吸着して研磨する装置である。
置の一例を示す概略的構成図である。この装置は基本的
にはワックスレス研磨方式の装置で、ウェハを空気でワ
ックスレスパッドに吸着して研磨する装置である。
【０００８】同図において、研磨するウェハ１は、回転
基盤２の上面に敷かれた研磨布３の上面に表面を下方に
向けて載置され、外周はテンプレート４によって規制さ
れ、裏面はプレート５の下面に固着された発泡ポリウレ
タン製の柔らかいワックスレスパッド６に空気によって
吸着されている。
基盤２の上面に敷かれた研磨布３の上面に表面を下方に
向けて載置され、外周はテンプレート４によって規制さ
れ、裏面はプレート５の下面に固着された発泡ポリウレ
タン製の柔らかいワックスレスパッド６に空気によって
吸着されている。
【０００９】プレート５は下面に凹部７ａを有する研磨
ブロック７の下面に凹部７ａを塞ぐようにして固定され
ており、このプレート５の下面にはワックスレスパッド
６が固着されている。プレート５およびワックスレスパ
ッド６には、図２に示すように、同じ位置に複数の孔５
ａおよび６ａが穿設されており、孔５ａおよび６ａによ
ってプレート５の上方とワックスレスパッド６の下方と
が通じるようになっている。
ブロック７の下面に凹部７ａを塞ぐようにして固定され
ており、このプレート５の下面にはワックスレスパッド
６が固着されている。プレート５およびワックスレスパ
ッド６には、図２に示すように、同じ位置に複数の孔５
ａおよび６ａが穿設されており、孔５ａおよび６ａによ
ってプレート５の上方とワックスレスパッド６の下方と
が通じるようになっている。
【００１０】研磨ブロック７はベアリング８を介して空
気供給用パイプ９に回転自在に取り付けられている。こ
の研磨ブロック７は回転基盤２の回転軸の上方に取り付
けられているセンターロール１０の回転に伴ってパイプ
９を中心に回転するように構成されており、空気供給用
パイプ９およびセンターロール１０の内部には、それぞ
れ研磨液供給用チューブ１１および１２が挿入されてい
る。
気供給用パイプ９に回転自在に取り付けられている。こ
の研磨ブロック７は回転基盤２の回転軸の上方に取り付
けられているセンターロール１０の回転に伴ってパイプ
９を中心に回転するように構成されており、空気供給用
パイプ９およびセンターロール１０の内部には、それぞ
れ研磨液供給用チューブ１１および１２が挿入されてい
る。
【００１１】この構成において、ウェハ１を研磨するに
は、パイプ９内の空気を吸い出してウェハ１をワックス
レスパッド６に吸着し、この状態でウェハ１の表面を研
磨布３に接触させ、回転基盤２を回転駆動する。回転基
盤２が回転するとセンターロール１０も同時に回転し、
センターロール１０の回転は研磨ブロック７に伝達され
て研磨ブロック７もパイプ９を中心に回転する。
は、パイプ９内の空気を吸い出してウェハ１をワックス
レスパッド６に吸着し、この状態でウェハ１の表面を研
磨布３に接触させ、回転基盤２を回転駆動する。回転基
盤２が回転するとセンターロール１０も同時に回転し、
センターロール１０の回転は研磨ブロック７に伝達され
て研磨ブロック７もパイプ９を中心に回転する。
【００１２】また、回転基盤２の回転と同時に研磨液供
給用チューブ１１および１２から研磨液を流し込み、チ
ューブ１１からの研磨液は研磨ブロック７の凹部７ａ、
プレート５の孔５ａおよびワックスレスパッド６の孔６
ａを経てウェハ１の裏面に、チューブ１２からの研磨液
は研磨布３を経てウェハ１の表面に、それぞれ供給す
る。
給用チューブ１１および１２から研磨液を流し込み、チ
ューブ１１からの研磨液は研磨ブロック７の凹部７ａ、
プレート５の孔５ａおよびワックスレスパッド６の孔６
ａを経てウェハ１の裏面に、チューブ１２からの研磨液
は研磨布３を経てウェハ１の表面に、それぞれ供給す
る。
【００１３】このようにすれば、ウェハ１は研磨布３お
よびワックスレスパッド６との間の摩擦抵抗の低下によ
って自転し、ウェハ１の表面は研磨布３によって研磨さ
れ、ウェハ１の裏面はワックスレスパッド６との間の相
対運動によって表面ほどではないが研磨される。
よびワックスレスパッド６との間の摩擦抵抗の低下によ
って自転し、ウェハ１の表面は研磨布３によって研磨さ
れ、ウェハ１の裏面はワックスレスパッド６との間の相
対運動によって表面ほどではないが研磨される。
【００１４】なお、前述の研磨装置では、センターロー
ルの回転によって研磨ブロックを回転させるようにした
が、研磨ブロックと空気供給用パイプとを固定し、パイ
プの回転によって研磨ブロックを回転させるようにして
もよい。また、研磨ブロックは回転のみでなく、左右方
向に振動させるようにしてもよい。
ルの回転によって研磨ブロックを回転させるようにした
が、研磨ブロックと空気供給用パイプとを固定し、パイ
プの回転によって研磨ブロックを回転させるようにして
もよい。また、研磨ブロックは回転のみでなく、左右方
向に振動させるようにしてもよい。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、ウェハの表面研磨と同
時にウェハの裏面も研磨するので、従来のワックスレス
研磨で生じていた裏面外周のシミがなくなり、高品質の
ウェハを得ることが出来る。
時にウェハの裏面も研磨するので、従来のワックスレス
研磨で生じていた裏面外周のシミがなくなり、高品質の
ウェハを得ることが出来る。
【図１】本発明を実施するための研磨装置の一例を示す
概略的構成図である。
概略的構成図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線上の矢視図である。
１ 半導体ウェハ ２ 回転基盤 ３ 研磨布 ４ テンプレート ５ プレート ６ ワックスレスパッド ７ 研磨ブロック ８ ベアリング ９ 空気供給用パイプ １０ センターロール １１，１２ 研磨液供給用チューブ
Claims (1)
- 【請求項１】 研磨する半導体ウェハの裏面をパッドに
吸着し、前記ウェハの表面を回転する研磨布によって研
磨するワックスレス研磨方法において、 前記ウェハの表面と前記研磨布との間および前記ウェハ
の裏面と前記パッドとの間にそれぞれ研磨液を供給し、
摩擦抵抗の低下によって自転する前記ウェハと前記パッ
ドとの間の相対運動により前記ウェハの裏面を研磨する
ことを特徴とする半導体ウェハの研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4186239A JPH06763A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 半導体ウェハの研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4186239A JPH06763A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 半導体ウェハの研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06763A true JPH06763A (ja) | 1994-01-11 |
Family
ID=16184792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4186239A Pending JPH06763A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 半導体ウェハの研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06763A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5658185A (en) * | 1995-10-25 | 1997-08-19 | International Business Machines Corporation | Chemical-mechanical polishing apparatus with slurry removal system and method |
| US5791973A (en) * | 1995-04-10 | 1998-08-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for holding substrate to be polished and apparatus and method for polishing substrate |
| US6074289A (en) * | 1996-12-17 | 2000-06-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for holding substrate to be polished |
| JP2000317812A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-11-21 | Applied Materials Inc | ポリシングスラリーを供給するキャリヤヘッド |
| JP2007021641A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Mat:Kk | 研磨装置 |
| CN110328606A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-10-15 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 一种全自动一体式单片单面研磨减薄设备 |
-
1992
- 1992-06-19 JP JP4186239A patent/JPH06763A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5791973A (en) * | 1995-04-10 | 1998-08-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for holding substrate to be polished and apparatus and method for polishing substrate |
| US5921853A (en) * | 1995-04-10 | 1999-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for polishing substrate using resin film or multilayer polishing pad |
| US5658185A (en) * | 1995-10-25 | 1997-08-19 | International Business Machines Corporation | Chemical-mechanical polishing apparatus with slurry removal system and method |
| US6074289A (en) * | 1996-12-17 | 2000-06-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for holding substrate to be polished |
| JP2000317812A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-11-21 | Applied Materials Inc | ポリシングスラリーを供給するキャリヤヘッド |
| JP4693203B2 (ja) * | 1999-03-26 | 2011-06-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ポリシングスラリーを供給するキャリヤヘッド |
| JP2007021641A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Mat:Kk | 研磨装置 |
| CN110328606A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-10-15 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 一种全自动一体式单片单面研磨减薄设备 |
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