JPH11221744A - 半導体ウェーハの面取り面研磨装置 - Google Patents
半導体ウェーハの面取り面研磨装置Info
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- JPH11221744A JPH11221744A JP2762398A JP2762398A JPH11221744A JP H11221744 A JPH11221744 A JP H11221744A JP 2762398 A JP2762398 A JP 2762398A JP 2762398 A JP2762398 A JP 2762398A JP H11221744 A JPH11221744 A JP H11221744A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハの面取り面研磨装置におい
て、面取り面を滑らかに形成するとともに、外周面をも
良好に研磨する。 【解決手段】 半導体ウェーハＷをその円周方向に回転
可能に保持するウェーハ回転機構１１と、該ウェーハ回
転機構に保持された半導体ウェーハの表面Ｆ側の面取り
面Ｍに研磨液を供給しながら表面用研磨布１４を押圧状
態に摺動可能に支持する表面側研磨機構１５と、ウェー
ハ回転機構に保持された半導体ウェーハの裏面Ｒ側の面
取り面に研磨液を供給しながら裏面用研磨布１２を押圧
状態に摺動可能に支持する裏面側研磨機構１３とを備
え、表面用研磨布および裏面用研磨布は、半導体ウェー
ハの表面側および裏面側の面取り面にそれぞれ同時に押
圧させられ、該押圧により半導体ウェーハの外側面側に
撓んだ部分が前記外側面に当接するようにそれぞれ設定
されている。
て、面取り面を滑らかに形成するとともに、外周面をも
良好に研磨する。 【解決手段】 半導体ウェーハＷをその円周方向に回転
可能に保持するウェーハ回転機構１１と、該ウェーハ回
転機構に保持された半導体ウェーハの表面Ｆ側の面取り
面Ｍに研磨液を供給しながら表面用研磨布１４を押圧状
態に摺動可能に支持する表面側研磨機構１５と、ウェー
ハ回転機構に保持された半導体ウェーハの裏面Ｒ側の面
取り面に研磨液を供給しながら裏面用研磨布１２を押圧
状態に摺動可能に支持する裏面側研磨機構１３とを備
え、表面用研磨布および裏面用研磨布は、半導体ウェー
ハの表面側および裏面側の面取り面にそれぞれ同時に押
圧させられ、該押圧により半導体ウェーハの外側面側に
撓んだ部分が前記外側面に当接するようにそれぞれ設定
されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
周縁に形成された面取り面を研磨する半導体ウェーハの
面取り面研磨装置に関する。
周縁に形成された面取り面を研磨する半導体ウェーハの
面取り面研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハ等の半導体ウェーハの
周縁に形成された面取り面を食刻加工（エッチング）す
る技術として、ＣＣＲ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｒｎｅ
ｒ Ｒｏｕｎｄｉｎｇ）加工が知られているが、このＣ
ＣＲ加工を施した場合、面取り面と半導体ウェーハ表裏
面との境界部分に突起が形成される。この突起は微小で
あるが、半導体ウェーハを樹脂製のカセットに収容した
とき、これがカセットに接触してカセットを削り、微小
な削り屑を生じてしまう。この削り屑が半導体ウェーハ
の性能を劣化させる原因となることはいうまでもない。
周縁に形成された面取り面を食刻加工（エッチング）す
る技術として、ＣＣＲ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｒｎｅ
ｒ Ｒｏｕｎｄｉｎｇ）加工が知られているが、このＣ
ＣＲ加工を施した場合、面取り面と半導体ウェーハ表裏
面との境界部分に突起が形成される。この突起は微小で
あるが、半導体ウェーハを樹脂製のカセットに収容した
とき、これがカセットに接触してカセットを削り、微小
な削り屑を生じてしまう。この削り屑が半導体ウェーハ
の性能を劣化させる原因となることはいうまでもない。
【０００３】そこで、ＣＣＲ加工とは別に半導体ウェー
ハの面取り面にＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａ
ｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）加工を施すことが知
られている。このＣＭＰ加工は、半導体ウェーハの面取
り面に向けて研磨液を供給しながら研磨布によって研磨
する技術であって、従来、このＣＭＰ加工を実施する装
置としては、図５に示すように、研磨布が巻回された研
磨ドラム１を、その軸線が半導体ウェーハＷの回転軸に
対して傾斜した状態で回転可能にかつ研磨布が面取り面
Ｍに沿って当接するように支持し、この研磨ドラム１を
回転させながら半導体ウェーハＷの面取り面Ｍに押し付
けることによって研磨を行なっていた。
ハの面取り面にＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａ
ｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）加工を施すことが知
られている。このＣＭＰ加工は、半導体ウェーハの面取
り面に向けて研磨液を供給しながら研磨布によって研磨
する技術であって、従来、このＣＭＰ加工を実施する装
置としては、図５に示すように、研磨布が巻回された研
磨ドラム１を、その軸線が半導体ウェーハＷの回転軸に
対して傾斜した状態で回転可能にかつ研磨布が面取り面
Ｍに沿って当接するように支持し、この研磨ドラム１を
回転させながら半導体ウェーハＷの面取り面Ｍに押し付
けることによって研磨を行なっていた。
【０００４】この従来の装置では、面取り面Ｍが半導体
ウェーハＷの表裏面にそれぞれ設けられているため、半
導体ウェーハＷの表裏面の一方の面を吸着手段によって
吸着し半導体ウェーハＷを保持した状態で、他方の面側
の面取り面Ｍを研磨し、その後、半導体ウェーハＷを反
転させ、今度は半導体ウェーハＷの表裏面の他方の面を
吸着し半導体ウェーハＷを保持するとともに、未研磨の
一方の面側の面取り面Ｍを研磨していた。
ウェーハＷの表裏面にそれぞれ設けられているため、半
導体ウェーハＷの表裏面の一方の面を吸着手段によって
吸着し半導体ウェーハＷを保持した状態で、他方の面側
の面取り面Ｍを研磨し、その後、半導体ウェーハＷを反
転させ、今度は半導体ウェーハＷの表裏面の他方の面を
吸着し半導体ウェーハＷを保持するとともに、未研磨の
一方の面側の面取り面Ｍを研磨していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｃ
ＭＰ加工装置では、以下のような課題が残されていた。
すなわち、表面側および裏面側の２度の研磨工程とその
間の反転工程が必要となり、工程数の増加によるスルー
プットの低下および反転させるための機構により構造の
複雑化や装置コストの増大という不都合があった。ま
た、半導体ウェーハＷは、その表裏面における面取り面
Ｍの間に外側面Ｓが形成されており、従来の面取り面研
磨装置では面取り面Ｍを研磨することができても外側面
Ｓを十分に研磨することができなかった。さらには、半
導体ウェーハを表裏面の両面側とも面取り面研磨する場
合には、最終的に表裏面の両面が吸着手段によって吸着
されることになり、半導体ウェーハの両面に不純物が付
着するおそれが高くなってしまう問題があった。近年、
高集積化および半導体ウェーハの大口径化に伴い、特に
素子が形成される製品面（以下、素子形成面という）に
ついて、できるだけ他の部材との接触を避けて不純物の
付着を極力抑えることが要望されている。例えば、８イ
ンチのＳｉ（シリコン）ウェーハでは、まだ両面の鏡面
研磨が行われていない状態で面取り面の研磨が行われて
いたが、１２インチのＳｉウェーハでは、不純物の付着
を極端に嫌うため、両面の鏡面研磨を行った後に面取り
面の研磨を行い、その後、素子形成面を再び鏡面研磨す
る工程が採られている。すなわち、１２インチのＳｉウ
ェーハでは、面取り面研磨工程の後に表面については仕
上げ研磨が施されるのに対し、裏面については行われ
ず、面取り面研磨工程における裏面は最終仕上げ面とな
る。このため、面取り面研磨工程において、最終仕上げ
面の裏面には吸着の跡を付けられず、吸着手段が裏面に
接触しないことが要求されている。
ＭＰ加工装置では、以下のような課題が残されていた。
すなわち、表面側および裏面側の２度の研磨工程とその
間の反転工程が必要となり、工程数の増加によるスルー
プットの低下および反転させるための機構により構造の
複雑化や装置コストの増大という不都合があった。ま
た、半導体ウェーハＷは、その表裏面における面取り面
Ｍの間に外側面Ｓが形成されており、従来の面取り面研
磨装置では面取り面Ｍを研磨することができても外側面
Ｓを十分に研磨することができなかった。さらには、半
導体ウェーハを表裏面の両面側とも面取り面研磨する場
合には、最終的に表裏面の両面が吸着手段によって吸着
されることになり、半導体ウェーハの両面に不純物が付
着するおそれが高くなってしまう問題があった。近年、
高集積化および半導体ウェーハの大口径化に伴い、特に
素子が形成される製品面（以下、素子形成面という）に
ついて、できるだけ他の部材との接触を避けて不純物の
付着を極力抑えることが要望されている。例えば、８イ
ンチのＳｉ（シリコン）ウェーハでは、まだ両面の鏡面
研磨が行われていない状態で面取り面の研磨が行われて
いたが、１２インチのＳｉウェーハでは、不純物の付着
を極端に嫌うため、両面の鏡面研磨を行った後に面取り
面の研磨を行い、その後、素子形成面を再び鏡面研磨す
る工程が採られている。すなわち、１２インチのＳｉウ
ェーハでは、面取り面研磨工程の後に表面については仕
上げ研磨が施されるのに対し、裏面については行われ
ず、面取り面研磨工程における裏面は最終仕上げ面とな
る。このため、面取り面研磨工程において、最終仕上げ
面の裏面には吸着の跡を付けられず、吸着手段が裏面に
接触しないことが要求されている。
【０００６】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、半導体ウェーハの表裏面の面取り面を一度に研磨
するとともに、外周面をも良好に研磨することができ、
さらには最終仕上げ面とされた裏面に接触せずに表裏面
の面取り面研磨を行うことができる半導体ウェーハの面
取り面研磨装置を提供することを目的とする。
ので、半導体ウェーハの表裏面の面取り面を一度に研磨
するとともに、外周面をも良好に研磨することができ、
さらには最終仕上げ面とされた裏面に接触せずに表裏面
の面取り面研磨を行うことができる半導体ウェーハの面
取り面研磨装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
１記載の半導体ウェーハの面取り面研磨装置では、半導
体ウェーハの周縁に形成された面取り面を研磨する半導
体ウェーハの面取り面研磨装置であって、前記半導体ウ
ェーハをその円周方向に回転可能に保持するウェーハ回
転機構と、該ウェーハ回転機構に保持された半導体ウェ
ーハの表面側の面取り面に研磨液を供給しながら表面用
研磨布を押圧状態に摺動可能に支持する表面側研磨機構
と、前記ウェーハ回転機構に保持された半導体ウェーハ
の裏面側の面取り面に研磨液を供給しながら裏面用研磨
布を押圧状態に摺動可能に支持する裏面側研磨機構とを
備え、前記表面用研磨布および前記裏面用研磨布は、前
記半導体ウェーハの表面側および裏面側の面取り面にそ
れぞれ同時に押圧させられ、該押圧により半導体ウェー
ハの外側面側に撓んだ部分が前記外側面に当接するよう
にそれぞれ設定されている技術が採用される。
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
１記載の半導体ウェーハの面取り面研磨装置では、半導
体ウェーハの周縁に形成された面取り面を研磨する半導
体ウェーハの面取り面研磨装置であって、前記半導体ウ
ェーハをその円周方向に回転可能に保持するウェーハ回
転機構と、該ウェーハ回転機構に保持された半導体ウェ
ーハの表面側の面取り面に研磨液を供給しながら表面用
研磨布を押圧状態に摺動可能に支持する表面側研磨機構
と、前記ウェーハ回転機構に保持された半導体ウェーハ
の裏面側の面取り面に研磨液を供給しながら裏面用研磨
布を押圧状態に摺動可能に支持する裏面側研磨機構とを
備え、前記表面用研磨布および前記裏面用研磨布は、前
記半導体ウェーハの表面側および裏面側の面取り面にそ
れぞれ同時に押圧させられ、該押圧により半導体ウェー
ハの外側面側に撓んだ部分が前記外側面に当接するよう
にそれぞれ設定されている技術が採用される。
【０００８】この半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
は、表面用研磨布および裏面用研磨布は、半導体ウェー
ハの表面側および裏面側の面取り面にそれぞれ同時に押
圧させているので、表裏面における面取り面が同時に研
磨されるとともに、押圧により半導体ウェーハの外側面
側に撓んだ部分が前記外側面に当接するようにそれぞれ
設定されているので、弾性変形して前記外側面側に撓ん
だ部分によって、当該外側面についても同時に研磨が行
われる。
は、表面用研磨布および裏面用研磨布は、半導体ウェー
ハの表面側および裏面側の面取り面にそれぞれ同時に押
圧させているので、表裏面における面取り面が同時に研
磨されるとともに、押圧により半導体ウェーハの外側面
側に撓んだ部分が前記外側面に当接するようにそれぞれ
設定されているので、弾性変形して前記外側面側に撓ん
だ部分によって、当該外側面についても同時に研磨が行
われる。
【０００９】請求項２記載の半導体ウェーハの面取り面
研磨装置では、請求項１記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨装置において、前記表面用研磨布および前記裏面
用研磨布は、前記半導体ウェーハの外側面側に撓んだ部
分が前記外側面の幅方向の少なくとも半分以上に当接す
るようにそれぞれ設定されている技術が採用される。
研磨装置では、請求項１記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨装置において、前記表面用研磨布および前記裏面
用研磨布は、前記半導体ウェーハの外側面側に撓んだ部
分が前記外側面の幅方向の少なくとも半分以上に当接す
るようにそれぞれ設定されている技術が採用される。
【００１０】この半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
は、前記表面用研磨布および前記裏面用研磨布が、半導
体ウェーハの外側面側に撓んだ部分が前記外側面の幅方
向の少なくとも半分以上、すなわち半導体ウェーハの厚
さ方向の中心を越えて当接するようにそれぞれ設定され
ているので、外側面全体に当接することになり未研磨な
部分が無く良好な研磨が行われる。
は、前記表面用研磨布および前記裏面用研磨布が、半導
体ウェーハの外側面側に撓んだ部分が前記外側面の幅方
向の少なくとも半分以上、すなわち半導体ウェーハの厚
さ方向の中心を越えて当接するようにそれぞれ設定され
ているので、外側面全体に当接することになり未研磨な
部分が無く良好な研磨が行われる。
【００１１】請求項３記載の半導体ウェーハの面取り面
研磨装置では、請求項１または２記載の半導体ウェーハ
の面取り面研磨装置において、前記表面用研磨布および
前記裏面用研磨布の前記半導体ウェーハの表裏面に対す
る角度が、研磨される前記面取り面の半導体ウェーハの
表裏面に対する角度より大きくそれぞれ設定されている
技術が採用される。
研磨装置では、請求項１または２記載の半導体ウェーハ
の面取り面研磨装置において、前記表面用研磨布および
前記裏面用研磨布の前記半導体ウェーハの表裏面に対す
る角度が、研磨される前記面取り面の半導体ウェーハの
表裏面に対する角度より大きくそれぞれ設定されている
技術が採用される。
【００１２】この半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
は、表面用研磨布および裏面用研磨布の半導体ウェーハ
の表裏面に対する角度が研磨される面取り面の半導体ウ
ェーハの表裏面に対する角度より大きくそれぞれ設定さ
れているので、表面用研磨布および裏面用研磨布をそれ
ぞれ面取り面に押圧させると、面取り面と外側面との間
の角部が面取り面にくい込むとともに面取り面が弾性変
形して外側面側に撓んで当接しやすくなる。また、面取
り面と表裏面との間の角部が研磨布にくい込み難くな
り、この角部が必要以上に研磨されることがない。
は、表面用研磨布および裏面用研磨布の半導体ウェーハ
の表裏面に対する角度が研磨される面取り面の半導体ウ
ェーハの表裏面に対する角度より大きくそれぞれ設定さ
れているので、表面用研磨布および裏面用研磨布をそれ
ぞれ面取り面に押圧させると、面取り面と外側面との間
の角部が面取り面にくい込むとともに面取り面が弾性変
形して外側面側に撓んで当接しやすくなる。また、面取
り面と表裏面との間の角部が研磨布にくい込み難くな
り、この角部が必要以上に研磨されることがない。
【００１３】請求項４記載の半導体ウェーハの面取り面
研磨装置では、請求項１から３のいずれかに記載の半導
体ウェーハの面取り面研磨装置において、前記半導体ウ
ェーハは、その表面が素子形成面とされ、前記ウェーハ
回転機構は、前記半導体ウェーハの表面を上面に配し、
該上面を吸着して半導体ウェーハを保持する表面吸着手
段を備えている技術が採用される。
研磨装置では、請求項１から３のいずれかに記載の半導
体ウェーハの面取り面研磨装置において、前記半導体ウ
ェーハは、その表面が素子形成面とされ、前記ウェーハ
回転機構は、前記半導体ウェーハの表面を上面に配し、
該上面を吸着して半導体ウェーハを保持する表面吸着手
段を備えている技術が採用される。
【００１４】この半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
は、ウェーハ回転機構が半導体ウェーハの表面を上面に
配し、該上面を吸着して半導体ウェーハを保持する表面
吸着手段を備えているので、最終仕上げ面とされる裏面
に吸着手段が接触することなく表裏面の両面における面
取り面が同時に研磨されるとともに、裏面が下面に配さ
れるので、上面に配された場合に比べて不純物の付着が
さらに抑制される。
は、ウェーハ回転機構が半導体ウェーハの表面を上面に
配し、該上面を吸着して半導体ウェーハを保持する表面
吸着手段を備えているので、最終仕上げ面とされる裏面
に吸着手段が接触することなく表裏面の両面における面
取り面が同時に研磨されるとともに、裏面が下面に配さ
れるので、上面に配された場合に比べて不純物の付着が
さらに抑制される。
【００１５】請求項５記載の半導体ウェーハの面取り面
研磨装置では、請求項１から４のいずれかに記載の半導
体ウェーハの面取り面研磨装置において、前記表面側研
磨機構および前記裏面側研磨機構は、外周面が前記表面
用研磨布および前記裏面用研磨布でそれぞれ覆われかつ
前記半導体ウェーハの軸線に対して傾斜した軸線を有し
て回転可能に支持された研磨ドラムと、該研磨ドラムを
回転させるドラム駆動手段とをそれぞれ備えている技術
が採用される。
研磨装置では、請求項１から４のいずれかに記載の半導
体ウェーハの面取り面研磨装置において、前記表面側研
磨機構および前記裏面側研磨機構は、外周面が前記表面
用研磨布および前記裏面用研磨布でそれぞれ覆われかつ
前記半導体ウェーハの軸線に対して傾斜した軸線を有し
て回転可能に支持された研磨ドラムと、該研磨ドラムを
回転させるドラム駆動手段とをそれぞれ備えている技術
が採用される。
【００１６】この半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
は、表面側研磨機構および裏面側研磨機構は、外周面が
表面用研磨布および裏面用研磨布でそれぞれ覆われかつ
半導体ウェーハの軸線に対して傾斜した軸線を有して回
転可能に支持された研磨ドラムと、該研磨ドラムを回転
させるドラム駆動手段とをそれぞれ備えているので、研
磨ドラムをドラム駆動手段で回転させるとともに面取り
面に押圧すると、研磨布が面取り面の周方向に沿って摺
動することにより、面取り面が良好な面粗度で研磨され
る。また、面取り面に摺動する研磨布の速度および移動
方向が研磨ドラムの回転速度および回転方向で制御可能
である。
は、表面側研磨機構および裏面側研磨機構は、外周面が
表面用研磨布および裏面用研磨布でそれぞれ覆われかつ
半導体ウェーハの軸線に対して傾斜した軸線を有して回
転可能に支持された研磨ドラムと、該研磨ドラムを回転
させるドラム駆動手段とをそれぞれ備えているので、研
磨ドラムをドラム駆動手段で回転させるとともに面取り
面に押圧すると、研磨布が面取り面の周方向に沿って摺
動することにより、面取り面が良好な面粗度で研磨され
る。また、面取り面に摺動する研磨布の速度および移動
方向が研磨ドラムの回転速度および回転方向で制御可能
である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体ウェー
ハの面取り面研磨装置の一実施形態を図１から図４を参
照しながら説明する。これらの図にあって、符号１１は
ウェーハ回転機構、１２は下面用研磨布（裏面用研磨
布）、１３は下面側研磨機構（裏面側研磨機構）、１４
は上面用研磨布（表面用研磨布）、１５は上面側研磨機
構（表面側研磨機構）を示している。
ハの面取り面研磨装置の一実施形態を図１から図４を参
照しながら説明する。これらの図にあって、符号１１は
ウェーハ回転機構、１２は下面用研磨布（裏面用研磨
布）、１３は下面側研磨機構（裏面側研磨機構）、１４
は上面用研磨布（表面用研磨布）、１５は上面側研磨機
構（表面側研磨機構）を示している。
【００１８】本実施形態の半導体ウェーハの面取り面研
磨装置は、図１および図２に示すように、半導体ウェー
ハＷをその円周方向に回転可能に保持するウェーハ回転
機構１１と、該ウェーハ回転機構１１に保持された半導
体ウェーハＷの裏面側の面取り面Ｍに研磨液を供給しな
がら下面用研磨布１２を押圧状態に当接させて弾性変形
させるとともに、該下面用研磨布１２を面取り面Ｍの周
方向に沿って摺動可能に支持する下面側研磨機構１３
と、ウェーハ回転機構１１に保持された半導体ウェーハ
Ｗの表面側の面取り面Ｍに研磨液を供給しながら上面用
研磨布１４を押圧状態に当接させて弾性変形させるとと
もに、該上面用研磨布１４を面取り面Ｍの周方向に沿っ
て摺動可能に支持する上面側研磨機構１５とを備えてい
る。
磨装置は、図１および図２に示すように、半導体ウェー
ハＷをその円周方向に回転可能に保持するウェーハ回転
機構１１と、該ウェーハ回転機構１１に保持された半導
体ウェーハＷの裏面側の面取り面Ｍに研磨液を供給しな
がら下面用研磨布１２を押圧状態に当接させて弾性変形
させるとともに、該下面用研磨布１２を面取り面Ｍの周
方向に沿って摺動可能に支持する下面側研磨機構１３
と、ウェーハ回転機構１１に保持された半導体ウェーハ
Ｗの表面側の面取り面Ｍに研磨液を供給しながら上面用
研磨布１４を押圧状態に当接させて弾性変形させるとと
もに、該上面用研磨布１４を面取り面Ｍの周方向に沿っ
て摺動可能に支持する上面側研磨機構１５とを備えてい
る。
【００１９】前記ウェーハ回転機構１１は、半導体ウェ
ーハＷを上方から吸着状態に保持するウェーハ吸着盤
（表面吸着手段）１６と、これらウェーハ吸着盤１６を
上下動かつ回転可能にそれぞれ支持する吸着盤支持部１
７とを備えている。該吸着盤支持部１７は、減速機が接
続された回転モータ（図示せず）と、ウェーハ吸着盤１
６の回転角を検出する回転角検出センサ（図示せず）
と、回転モータに接続され上下方向の軸線を中心として
回転可能に支持された支持ロッド１７ａとを備えてい
る。該支持ロッド１７ａは、図示しない吸引手段に接続
され上下に貫通する接続孔（図示せず）が内部に形成さ
れている。
ーハＷを上方から吸着状態に保持するウェーハ吸着盤
（表面吸着手段）１６と、これらウェーハ吸着盤１６を
上下動かつ回転可能にそれぞれ支持する吸着盤支持部１
７とを備えている。該吸着盤支持部１７は、減速機が接
続された回転モータ（図示せず）と、ウェーハ吸着盤１
６の回転角を検出する回転角検出センサ（図示せず）
と、回転モータに接続され上下方向の軸線を中心として
回転可能に支持された支持ロッド１７ａとを備えてい
る。該支持ロッド１７ａは、図示しない吸引手段に接続
され上下に貫通する接続孔（図示せず）が内部に形成さ
れている。
【００２０】前記ウェーハ吸着盤１６は、支持ロッド１
７ａの下端に上面が固定され、軸線を同じくして前記回
転モータの回転によって回転可能とされている。また、
ウェーハ吸着盤１６は、吸着する半導体ウェーハＷより
所定量小さな径に設定され、水切り性を高めるために略
円錐形状とされている。さらに、ウェーハ吸着盤１６の
下面には、前記接続孔に接続された吸引孔（図示せず）
が形成されている。
７ａの下端に上面が固定され、軸線を同じくして前記回
転モータの回転によって回転可能とされている。また、
ウェーハ吸着盤１６は、吸着する半導体ウェーハＷより
所定量小さな径に設定され、水切り性を高めるために略
円錐形状とされている。さらに、ウェーハ吸着盤１６の
下面には、前記接続孔に接続された吸引孔（図示せず）
が形成されている。
【００２１】前記下面側研磨機構１３および前記上面側
研磨機構１５は、外周面が下面用研磨布１２および上面
用研磨布１４でそれぞれ覆われかつ半導体ウェーハＷの
軸線に対して傾斜した軸線を有して回転可能に支持され
た研磨ドラム１８と、該研磨ドラム１８を回転させるド
ラム駆動手段１９とをそれぞれ備えている。それぞれの
研磨ドラム１８は、互いに半導体ウェーハＷを挟んで対
向する位置に配されている。
研磨機構１５は、外周面が下面用研磨布１２および上面
用研磨布１４でそれぞれ覆われかつ半導体ウェーハＷの
軸線に対して傾斜した軸線を有して回転可能に支持され
た研磨ドラム１８と、該研磨ドラム１８を回転させるド
ラム駆動手段１９とをそれぞれ備えている。それぞれの
研磨ドラム１８は、互いに半導体ウェーハＷを挟んで対
向する位置に配されている。
【００２２】前記研磨ドラム１８は、ドラム駆動手段１
９のモータ（図示せず）に接続された回転可能に支持さ
れたドラム回転軸部材２０と、該ドラム回転軸部材２０
の先端部に軸線を同じくして設けられアルミニウム合金
等で形成されたホイール本体２１とを備え、該ホイール
本体２１の外周面には、下面用研磨布１２または上面用
研磨布１４が巻回状態に固定されている。
９のモータ（図示せず）に接続された回転可能に支持さ
れたドラム回転軸部材２０と、該ドラム回転軸部材２０
の先端部に軸線を同じくして設けられアルミニウム合金
等で形成されたホイール本体２１とを備え、該ホイール
本体２１の外周面には、下面用研磨布１２または上面用
研磨布１４が巻回状態に固定されている。
【００２３】前記ドラム駆動手段１９は、研磨ドラム１
８を軸線方向に進退移動可能に支持する電動モータ等か
らなるドラム直動機構と、研磨ドラム１８の軸線が半導
体ウェーハＷの軸線に対して所定の角度で傾斜するよう
に研磨ドラム１８を傾斜設定可能なドラム傾斜機構と、
下面用研磨布１２または上面用研磨布１４を半導体ウェ
ーハＷの面取り面Ｍに所定の押圧力で当接させる押圧用
エアシリンダ等からなる押圧機構とを備えたものであ
る。なお、ドラム傾斜機構は、研磨ドラム１８の傾斜角
度を一定の角度範囲内で調整可能とされる。
８を軸線方向に進退移動可能に支持する電動モータ等か
らなるドラム直動機構と、研磨ドラム１８の軸線が半導
体ウェーハＷの軸線に対して所定の角度で傾斜するよう
に研磨ドラム１８を傾斜設定可能なドラム傾斜機構と、
下面用研磨布１２または上面用研磨布１４を半導体ウェ
ーハＷの面取り面Ｍに所定の押圧力で当接させる押圧用
エアシリンダ等からなる押圧機構とを備えたものであ
る。なお、ドラム傾斜機構は、研磨ドラム１８の傾斜角
度を一定の角度範囲内で調整可能とされる。
【００２４】また、下面用研磨布１２および上面用研磨
布１４の半導体ウェーハの表裏面に対する角度θDが、
図３に示すように、研磨される面取り面Ｍの半導体ウェ
ーハＷの表裏面に対する角度θMより大きくそれぞれ設
定されている。すなわち、θM＜θD＜９０゜の関係にな
るように設定される。本実施形態では、研磨すべき表裏
面の面取り面Ｍと半導体ウェーハＷの表裏面との角度θ
Mを２２゜としたとき、この面取り面Ｍに当接する下面
用研磨布１２および上面用研磨布１４と半導体ウェーハ
Ｗの表裏面との角度θDが２５゜となるように、両研磨
ドラム１８の傾斜角度が設定されている。
布１４の半導体ウェーハの表裏面に対する角度θDが、
図３に示すように、研磨される面取り面Ｍの半導体ウェ
ーハＷの表裏面に対する角度θMより大きくそれぞれ設
定されている。すなわち、θM＜θD＜９０゜の関係にな
るように設定される。本実施形態では、研磨すべき表裏
面の面取り面Ｍと半導体ウェーハＷの表裏面との角度θ
Mを２２゜としたとき、この面取り面Ｍに当接する下面
用研磨布１２および上面用研磨布１４と半導体ウェーハ
Ｗの表裏面との角度θDが２５゜となるように、両研磨
ドラム１８の傾斜角度が設定されている。
【００２５】なお、前記下面用研磨布１２および前記上
面用研磨布１４は、繊維の向きが一定でない不織布で形
成されている。また、研磨ドラム１８の近傍には、研磨
時に研磨液を研磨ドラム１８上に供給するとともに半導
体ウェーハＷの面取り面Ｍにも供給する研磨液供給手段
（図示せず）がそれぞれ設けられている。
面用研磨布１４は、繊維の向きが一定でない不織布で形
成されている。また、研磨ドラム１８の近傍には、研磨
時に研磨液を研磨ドラム１８上に供給するとともに半導
体ウェーハＷの面取り面Ｍにも供給する研磨液供給手段
（図示せず）がそれぞれ設けられている。
【００２６】次に、本発明に係る半導体ウェーハの面取
り面研磨装置の一実施形態における半導体ウェーハＷの
面取り面Ｍの研磨方法について、図４を参照しながら説
明する。
り面研磨装置の一実施形態における半導体ウェーハＷの
面取り面Ｍの研磨方法について、図４を参照しながら説
明する。
【００２７】まず、素子形成面とされる裏面Ｒを下面に
配した半導体ウェーハＷの表面（上面）Ｆを、ウェーハ
吸着盤１６によって軸線を同じくして吸着し、半導体ウ
ェーハＷを保持するとともにウェーハ吸着盤１６を下降
させ、半導体ウェーハＷを所定高さに配する。
配した半導体ウェーハＷの表面（上面）Ｆを、ウェーハ
吸着盤１６によって軸線を同じくして吸着し、半導体ウ
ェーハＷを保持するとともにウェーハ吸着盤１６を下降
させ、半導体ウェーハＷを所定高さに配する。
【００２８】次に、下面側研磨機構１３および上面側研
磨機構１５の両研磨ドラム１８を、ドラム駆動手段１９
のドラム直動機構等を駆動することによって、下面側研
磨機構１３の研磨ドラム１８は半導体ウェーハＷの下方
から、また上面側研磨機構１５の研磨ドラム１８は半導
体ウェーハＷの上方から保持状態の半導体ウェーハＷの
裏面Ｒ側および表面Ｆ側の面取り面Ｍへとそれぞれ移動
させる。また、研磨液供給手段によって、研磨液を下面
用研磨布１２および上面用研磨布１４上に供給するとと
もに、吸着盤支持部１７によって、ウェーハ吸着盤１６
を所定の回転速度で回転させる。
磨機構１５の両研磨ドラム１８を、ドラム駆動手段１９
のドラム直動機構等を駆動することによって、下面側研
磨機構１３の研磨ドラム１８は半導体ウェーハＷの下方
から、また上面側研磨機構１５の研磨ドラム１８は半導
体ウェーハＷの上方から保持状態の半導体ウェーハＷの
裏面Ｒ側および表面Ｆ側の面取り面Ｍへとそれぞれ移動
させる。また、研磨液供給手段によって、研磨液を下面
用研磨布１２および上面用研磨布１４上に供給するとと
もに、吸着盤支持部１７によって、ウェーハ吸着盤１６
を所定の回転速度で回転させる。
【００２９】さらに、それぞれのドラム駆動手段１９で
研磨ドラム１８を所定方向および所定回転速度で回転さ
せるとともに押圧機構等を作動させ、研磨ドラム１８の
下面用研磨布１２および上面用研磨布１４を、半導体ウ
ェーハＷの裏面Ｒ側および表面Ｆ側の面取り面Ｍに所定
の押圧力でそれぞれ当接、摺動させることにより、研磨
を行う。このとき、下面用研磨布１２および上面用研磨
布１４は、図４に示すように、押圧により半導体ウェー
ハＷの外側面Ｓ側に撓んだ部分が外側面Ｓの幅方向の少
なくとも半分以上に、すなわち半導体ウェーハＷの厚さ
方向の中心を越えて当接するようにそれぞれ押圧力等が
設定される。
研磨ドラム１８を所定方向および所定回転速度で回転さ
せるとともに押圧機構等を作動させ、研磨ドラム１８の
下面用研磨布１２および上面用研磨布１４を、半導体ウ
ェーハＷの裏面Ｒ側および表面Ｆ側の面取り面Ｍに所定
の押圧力でそれぞれ当接、摺動させることにより、研磨
を行う。このとき、下面用研磨布１２および上面用研磨
布１４は、図４に示すように、押圧により半導体ウェー
ハＷの外側面Ｓ側に撓んだ部分が外側面Ｓの幅方向の少
なくとも半分以上に、すなわち半導体ウェーハＷの厚さ
方向の中心を越えて当接するようにそれぞれ押圧力等が
設定される。
【００３０】なお、研磨ドラム１８は、ドラム駆動手段
１９のドラム直動機構等を駆動することによって、研磨
時に常に面取り面Ｍに当接した状態で、軸線方向に移動
させられ、研磨布全体が有効に用いられる。また、研磨
時においては、ウェーハ吸着盤１６の回転角が回転角検
出センサによって検出され、半導体ウェーハＷは正確に
３６０゜回転される。面取り面Ｍおよび外側面Ｓの研磨
工程終了後、半導体ウェーハＷは、洗浄水による洗浄工
程等へと移送される。
１９のドラム直動機構等を駆動することによって、研磨
時に常に面取り面Ｍに当接した状態で、軸線方向に移動
させられ、研磨布全体が有効に用いられる。また、研磨
時においては、ウェーハ吸着盤１６の回転角が回転角検
出センサによって検出され、半導体ウェーハＷは正確に
３６０゜回転される。面取り面Ｍおよび外側面Ｓの研磨
工程終了後、半導体ウェーハＷは、洗浄水による洗浄工
程等へと移送される。
【００３１】この半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
は、下面用研磨布１２および上面用研磨布１４は、半導
体ウェーハＷの裏面Ｒ側および表面Ｆ側の面取り面Ｍに
それぞれ同時に押圧させているので、表裏面における面
取り面Ｍが同時に研磨される。同時に、下面用研磨布１
２および上面用研磨布１４は、図４に示すように、押圧
により半導体ウェーハの外側面Ｓ側に撓んだ部分が外側
面Ｓに当接するようにそれぞれ設定されているので、弾
性変形して外側面Ｓ側に撓んだ部分によって、当該外側
面Ｓについても同時に研磨が行われる。
は、下面用研磨布１２および上面用研磨布１４は、半導
体ウェーハＷの裏面Ｒ側および表面Ｆ側の面取り面Ｍに
それぞれ同時に押圧させているので、表裏面における面
取り面Ｍが同時に研磨される。同時に、下面用研磨布１
２および上面用研磨布１４は、図４に示すように、押圧
により半導体ウェーハの外側面Ｓ側に撓んだ部分が外側
面Ｓに当接するようにそれぞれ設定されているので、弾
性変形して外側面Ｓ側に撓んだ部分によって、当該外側
面Ｓについても同時に研磨が行われる。
【００３２】このとき、前記撓んだ部分は、裏面Ｒ側お
よび表面Ｆ側の両側から外側面Ｓの幅方向において少な
くとも半分以上に当接しているので、外側面Ｓ全体に当
接することになり未研磨な部分が無く良好な研磨が行わ
れる。
よび表面Ｆ側の両側から外側面Ｓの幅方向において少な
くとも半分以上に当接しているので、外側面Ｓ全体に当
接することになり未研磨な部分が無く良好な研磨が行わ
れる。
【００３３】また、下面用研磨布１２および上面用研磨
布１４の半導体ウェーハの表裏面に対する角度θDが、
研磨される面取り面Ｍの半導体ウェーハＷの表裏面に対
する角度θMより大きくそれぞれ設定されているので、
下面用研磨布１２および上面用研磨布１４をそれぞれ面
取り面Ｍに押圧させると、面取り面Ｍと外側面Ｓとの間
の角部Ｖ１が面取り面Ｍにくい込むとともに面取り面Ｍ
が弾性変形して外側面Ｓ側に撓んで当接しやすくなる。
また、面取り面Ｍと表裏面との間の角部Ｖ２が下面用研
磨布１２または上面用研磨布１４にくい込み難くなり、
この角部Ｖ２が必要以上に研磨されることがない。
布１４の半導体ウェーハの表裏面に対する角度θDが、
研磨される面取り面Ｍの半導体ウェーハＷの表裏面に対
する角度θMより大きくそれぞれ設定されているので、
下面用研磨布１２および上面用研磨布１４をそれぞれ面
取り面Ｍに押圧させると、面取り面Ｍと外側面Ｓとの間
の角部Ｖ１が面取り面Ｍにくい込むとともに面取り面Ｍ
が弾性変形して外側面Ｓ側に撓んで当接しやすくなる。
また、面取り面Ｍと表裏面との間の角部Ｖ２が下面用研
磨布１２または上面用研磨布１４にくい込み難くなり、
この角部Ｖ２が必要以上に研磨されることがない。
【００３４】さらに、ウェーハ回転機構１１が半導体ウ
ェーハＷの表面Ｆを上面に配し、該上面を吸着して半導
体ウェーハＷを保持するウェーハ吸着盤１６を備えてい
るので、最終仕上げ面とされる裏面Ｒにウェーハ吸着盤
１６が接触することなく表裏面の両面における面取り面
Ｍが同時に研磨されるとともに、裏面Ｒが下面に配され
るので、上面に配された場合に比べて不純物の付着がさ
らに抑制される。
ェーハＷの表面Ｆを上面に配し、該上面を吸着して半導
体ウェーハＷを保持するウェーハ吸着盤１６を備えてい
るので、最終仕上げ面とされる裏面Ｒにウェーハ吸着盤
１６が接触することなく表裏面の両面における面取り面
Ｍが同時に研磨されるとともに、裏面Ｒが下面に配され
るので、上面に配された場合に比べて不純物の付着がさ
らに抑制される。
【００３５】そして、下面側研磨機構１３および上面側
研磨機構１５は、外周面が下面用研磨布１２および上面
用研磨布１４でそれぞれ覆われかつ半導体ウェーハＷの
軸線に対して傾斜した軸線を有して回転可能に支持され
た研磨ドラム１８と、該研磨ドラム１８を回転させるド
ラム駆動手段１９とをそれぞれ備えているので、研磨ド
ラム１８をドラム駆動手段１９で回転させるとともに面
取り面Ｍに押圧すると、研磨布が面取り面Ｍの周方向に
沿って摺動することにより、面取り面Ｍが良好な面粗度
で研磨される。
研磨機構１５は、外周面が下面用研磨布１２および上面
用研磨布１４でそれぞれ覆われかつ半導体ウェーハＷの
軸線に対して傾斜した軸線を有して回転可能に支持され
た研磨ドラム１８と、該研磨ドラム１８を回転させるド
ラム駆動手段１９とをそれぞれ備えているので、研磨ド
ラム１８をドラム駆動手段１９で回転させるとともに面
取り面Ｍに押圧すると、研磨布が面取り面Ｍの周方向に
沿って摺動することにより、面取り面Ｍが良好な面粗度
で研磨される。
【００３６】また、面取り面Ｍに摺動する研磨布の速度
および移動方向が研磨ドラム１８の回転速度および回転
方向で制御でき、半導体ウェーハＷの回転速度および回
転方向の制御と組み合わせることにより、研磨レート等
の研磨特性を調整することが容易となる。
および移動方向が研磨ドラム１８の回転速度および回転
方向で制御でき、半導体ウェーハＷの回転速度および回
転方向の制御と組み合わせることにより、研磨レート等
の研磨特性を調整することが容易となる。
【００３７】なお、本実施形態では、それぞれ一つの下
面側研磨機構１３および上面側研磨機構１５によって半
導体ウェーハＷの面取り面Ｍおよび外側面Ｓの研磨を行
ったが、これらを複数設けても構わない。なお、設置す
るスペースが許す限り研磨ドラム１８を複数設置するこ
とによって、半導体ウェーハの回転量を少なくでき、研
磨処理時間を短縮することができる。
面側研磨機構１３および上面側研磨機構１５によって半
導体ウェーハＷの面取り面Ｍおよび外側面Ｓの研磨を行
ったが、これらを複数設けても構わない。なお、設置す
るスペースが許す限り研磨ドラム１８を複数設置するこ
とによって、半導体ウェーハの回転量を少なくでき、研
磨処理時間を短縮することができる。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。 （１）請求項１記載の半導体ウェーハの面取り面研磨装
置によれば、表面用研磨布および裏面用研磨布は、半導
体ウェーハの表面側および裏面側の面取り面にそれぞれ
同時に押圧させているので、表裏面における面取り面が
同時に研磨されるとともに、押圧により半導体ウェーハ
の外側面側に撓んだ部分が前記外側面に当接するように
それぞれ設定されているので、当該外側面についても同
時に良好な研磨を行うことができる。したがって、表裏
面の面取り面および外側面を同時に研磨するので、半導
体ウェーハの外縁部全体に高い加工精度で研磨処理を行
うことができ、製造時の歩留まりや半導体ウェーハの特
性の劣化を抑制することができるとともに、研磨工程の
短縮化および装置等の簡略化等による低コスト化を図る
ことができる。
置によれば、表面用研磨布および裏面用研磨布は、半導
体ウェーハの表面側および裏面側の面取り面にそれぞれ
同時に押圧させているので、表裏面における面取り面が
同時に研磨されるとともに、押圧により半導体ウェーハ
の外側面側に撓んだ部分が前記外側面に当接するように
それぞれ設定されているので、当該外側面についても同
時に良好な研磨を行うことができる。したがって、表裏
面の面取り面および外側面を同時に研磨するので、半導
体ウェーハの外縁部全体に高い加工精度で研磨処理を行
うことができ、製造時の歩留まりや半導体ウェーハの特
性の劣化を抑制することができるとともに、研磨工程の
短縮化および装置等の簡略化等による低コスト化を図る
ことができる。
【００３９】（２）請求項２記載の半導体ウェーハの面
取り面研磨装置によれば、前記表面用研磨布および前記
裏面用研磨布が、半導体ウェーハの外側面側に撓んだ部
分が前記外側面の幅方向の少なくとも半分以上に当接す
るようにそれぞれ設定されているので、外側面全体に当
接することになり未研磨な部分が無く良好な研磨を行う
ことができる。
取り面研磨装置によれば、前記表面用研磨布および前記
裏面用研磨布が、半導体ウェーハの外側面側に撓んだ部
分が前記外側面の幅方向の少なくとも半分以上に当接す
るようにそれぞれ設定されているので、外側面全体に当
接することになり未研磨な部分が無く良好な研磨を行う
ことができる。
【００４０】（３）請求項３記載の半導体ウェーハの面
取り面研磨装置によれば、表面用研磨布および裏面用研
磨布の半導体ウェーハの表裏面に対する角度が研磨され
る面取り面の半導体ウェーハの表裏面に対する角度より
大きくそれぞれ設定されているので、面取り面が面取り
面と外側面との間の角部によって弾性変形して外側面側
に大きく撓んで当接しやすくなり、容易に外側面を研磨
することができる。また、面取り面と表裏面との間の角
部が必要以上に研磨されることがなくなり、より良好な
研磨面取り面を形成することができる。
取り面研磨装置によれば、表面用研磨布および裏面用研
磨布の半導体ウェーハの表裏面に対する角度が研磨され
る面取り面の半導体ウェーハの表裏面に対する角度より
大きくそれぞれ設定されているので、面取り面が面取り
面と外側面との間の角部によって弾性変形して外側面側
に大きく撓んで当接しやすくなり、容易に外側面を研磨
することができる。また、面取り面と表裏面との間の角
部が必要以上に研磨されることがなくなり、より良好な
研磨面取り面を形成することができる。
【００４１】（４）請求項４記載の半導体ウェーハの面
取り面研磨装置によれば、ウェーハ回転機構が半導体ウ
ェーハの表面を上面に配し、該上面を吸着して半導体ウ
ェーハを保持する表面吸着手段を備えているので、研磨
時において、最終仕上げ面とされる裏面の不純物の付着
を極力低減することができる。したがって、不純物排除
が特に重要な大口径の半導体ウェーハ等に好適な面取り
面研磨を容易に実現することができる。
取り面研磨装置によれば、ウェーハ回転機構が半導体ウ
ェーハの表面を上面に配し、該上面を吸着して半導体ウ
ェーハを保持する表面吸着手段を備えているので、研磨
時において、最終仕上げ面とされる裏面の不純物の付着
を極力低減することができる。したがって、不純物排除
が特に重要な大口径の半導体ウェーハ等に好適な面取り
面研磨を容易に実現することができる。
【００４２】（５）請求項５記載の半導体ウェーハの面
取り面研磨装置によれば、表面側研磨機構および裏面側
研磨機構は、半導体ウェーハの軸線に対して傾斜した軸
線を有して回転可能に支持された研磨ドラムと、該研磨
ドラムを回転させるドラム駆動手段とをそれぞれ備えて
いるので、研磨ドラムの研磨布が面取り面の周方向に沿
って摺動することにより、面取り面を良好な面粗度で研
磨することができる。また、面取り面に摺動する研磨布
の速度および移動方向が研磨ドラムの回転速度および回
転方向で制御でき、半導体ウェーハの回転速度および回
転方向の制御と組み合わせることにより、研磨レート等
の研磨特性を調整することが容易となる。
取り面研磨装置によれば、表面側研磨機構および裏面側
研磨機構は、半導体ウェーハの軸線に対して傾斜した軸
線を有して回転可能に支持された研磨ドラムと、該研磨
ドラムを回転させるドラム駆動手段とをそれぞれ備えて
いるので、研磨ドラムの研磨布が面取り面の周方向に沿
って摺動することにより、面取り面を良好な面粗度で研
磨することができる。また、面取り面に摺動する研磨布
の速度および移動方向が研磨ドラムの回転速度および回
転方向で制御でき、半導体ウェーハの回転速度および回
転方向の制御と組み合わせることにより、研磨レート等
の研磨特性を調整することが容易となる。
【図１】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の一実施形態を示す概略正面図である。
装置の一実施形態を示す概略正面図である。
【図２】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の一実施形態における研磨ドラムを示す軸線方向か
らの見た概略外観図である。
装置の一実施形態における研磨ドラムを示す軸線方向か
らの見た概略外観図である。
【図３】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の一実施形態における押圧前の半導体ウェーハの面
取り面と研磨布との位置関係を示すための要部を拡大し
た断面図である。
装置の一実施形態における押圧前の半導体ウェーハの面
取り面と研磨布との位置関係を示すための要部を拡大し
た断面図である。
【図４】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の一実施形態における押圧後の半導体ウェーハの面
取り面と研磨布との位置関係を示すための要部を拡大し
た断面図である。
装置の一実施形態における押圧後の半導体ウェーハの面
取り面と研磨布との位置関係を示すための要部を拡大し
た断面図である。
【図５】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の従来例における面取り面の研磨を説明するための
概略断面図である。
装置の従来例における面取り面の研磨を説明するための
概略断面図である。
１１ ウェーハ回転機構 １２ 下面用研磨布（裏面用研磨布） １３ 下面側研磨機構（裏面側研磨機構） １４ 上面用研磨布（表面用研磨布） １５ 上面側研磨機構（表面側研磨機構） １６ ウェーハ吸着盤（表面吸着手段） １８ 研磨ドラム １９ ドラム駆動手段 Ｆ 半導体ウェーハの表面 Ｍ 面取り面 Ｒ 半導体ウェーハの裏面 Ｓ 外側面 Ｗ 半導体ウェーハ
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの周縁に形成された面取
り面を研磨する半導体ウェーハの面取り面研磨装置であ
って、 前記半導体ウェーハをその円周方向に回転可能に保持す
るウェーハ回転機構と、 該ウェーハ回転機構に保持された半導体ウェーハの表面
側の面取り面に研磨液を供給しながら表面用研磨布を押
圧状態に摺動可能に支持する表面側研磨機構と、 前記ウェーハ回転機構に保持された半導体ウェーハの裏
面側の面取り面に研磨液を供給しながら裏面用研磨布を
押圧状態に摺動可能に支持する裏面側研磨機構とを備
え、 前記表面用研磨布および前記裏面用研磨布は、前記半導
体ウェーハの表面側および裏面側の面取り面にそれぞれ
同時に押圧させられ、該押圧により半導体ウェーハの外
側面側に撓んだ部分が前記外側面に当接するようにそれ
ぞれ設定されていることを特徴とする半導体ウェーハの
面取り面研磨装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨装置において、 前記表面用研磨布および前記裏
面用研磨布は、前記半導体ウェーハの外側面側に撓んだ
部分が前記外側面の幅方向の少なくとも半分以上に当接
するようにそれぞれ設定されていることを特徴とする半
導体ウェーハの面取り面研磨装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体ウェーハ
の面取り面研磨装置において、 前記表面用研磨布および前記裏面用研磨布の前記半導体
ウェーハの表裏面に対する角度が、研磨される前記面取
り面の半導体ウェーハの表裏面に対する角度より大きく
それぞれ設定されていることを特徴とする半導体ウェー
ハの面取り面研磨装置。 - 【請求項４】 請求項１から３のいずれかに記載の半導
体ウェーハの面取り面研磨装置において、 前記半導体ウェーハは、その表面が素子形成面とされ、 前記ウェーハ回転機構は、前記半導体ウェーハの表面を
上面に配し、該上面を吸着して半導体ウェーハを保持す
る表面吸着手段を備えていることを特徴とする半導体ウ
ェーハの面取り面研磨装置。 - 【請求項５】 請求項１から４のいずれかに記載の半導
体ウェーハの面取り面研磨装置において、 前記表面側研磨機構および前記裏面側研磨機構は、外周
面が前記表面用研磨布および前記裏面用研磨布でそれぞ
れ覆われかつ前記半導体ウェーハの軸線に対して傾斜し
た軸線を有して回転可能に支持された研磨ドラムと、 該研磨ドラムを回転させるドラム駆動手段とをそれぞれ
備えていることを特徴とする半導体ウェーハの面取り面
研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2762398A JPH11221744A (ja) | 1998-02-09 | 1998-02-09 | 半導体ウェーハの面取り面研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2762398A JPH11221744A (ja) | 1998-02-09 | 1998-02-09 | 半導体ウェーハの面取り面研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11221744A true JPH11221744A (ja) | 1999-08-17 |
Family
ID=12226088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2762398A Withdrawn JPH11221744A (ja) | 1998-02-09 | 1998-02-09 | 半導体ウェーハの面取り面研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11221744A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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