CN111941251A - 一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法，所述抛光垫包括与硅片接触的抛光面，所述抛光面开设有至少一个凹槽，所述凹槽的开槽位置使得在对硅片进行抛光时，所述硅片的边缘至少部分悬空在所述凹槽的上方。根据本发明的抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法可以在保持整片的抛光速率基本不变的情况下，只降低硅片边缘位置的抛光速率，从而改善硅片边缘厚度的平坦度，提升产品良率。

Description

一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法。
背景技术
随着IC(集成电路)技术的不断发展，半导体行业对硅片的要求越来越高，其中为了防止曝光时失焦，对硅片的平坦度要求也越来越严格。
硅片的表面抛光往往需要经过双面抛光(DSP，double side polish)和正面最终抛光(FP，final polish)两个抛光步骤来完成。双面抛光用于研磨晶圆的正反两面，且可以通过抛光盘的控制实现期望的晶圆形状，而最终抛光只对硅片正面进行抛光。
对于硅片的最终抛光工艺而言，极端边缘处的厚度控制是工艺中的困难点。在抛光过程中，抛光液很容易聚集在硅片的边缘，从而导致硅片的边缘的厚度较薄。以现有的常规工艺设备和工艺能力，往往在硅片边缘约145mm～149mm位置处无法实施准确调节，特别是在保持整片的抛光速率基本不变的情况下，只降低硅片边缘位置处的抛光速率，更加难以通过调节现有的工艺参数来实现。
本发明提供了一种抛光垫及硅片的抛光方法，用以解决现有技术中的问题。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
为了解决现有技术中的问题，本发明实施例一方面提供了一种抛光垫，用于对硅片进行抛光，所述抛光垫包括与硅片接触的抛光面，所述抛光面开设有至少一个凹槽，所述凹槽的开槽位置使得在对硅片进行抛光时，所述硅片的边缘至少部分悬空在所述凹槽的上方。
在一个实施例中，所述凹槽包括靠近所述抛光垫外围的第一环形槽与靠近所述抛光垫中心的第二环形槽。
在一个实施例中，所述第一环形槽的内沿与所述第二环形槽的外沿之间的距离小于硅片的直径，所述第一环形槽的外沿与所述第二环形槽的内沿之间的距离大于或等于硅片的直径。
在一个实施例中，所述抛光垫、所述第一环形槽和所述第二环形槽同心设置。
在一个实施例中，所述第一环形槽的宽度为3mm～8mm，深度为0.5mm～2mm，外沿半径为335mm～340mm，内沿半径为330mm～335mm。
在一个实施例中，所述第二环形槽的宽度为3mm～8mm，深度为0.5mm～2mm，外沿半径为35mm～45mm，内沿半径为30mm～40mm。
本发明实施例另一方面提供一种抛光设备，用于对硅片进行抛光，所述抛光设备包括：上述抛光垫；
抛光垫驱动装置，所述抛光垫设置于所述抛光垫驱动装置上，抛光垫驱动装置用于驱动所述抛光垫转动；
抛光头，用于固定硅片，使得所述硅片的正面与所述抛光垫接触，并使所述硅片的边缘悬空在所述抛光垫的凹槽上方。
本发明实施例又一方面提供一种硅片的抛光方法，包括：
通过抛光头固定待抛光的硅片；
由所述抛光头带动所述硅片，使所述硅片的正面接触抛光垫的抛光面，并使所述硅片的边缘位置悬空在所述抛光垫抛光面的凹槽上方；
驱动抛光头和抛光垫转动，以由所述抛光垫对所述硅片的正面进行抛光。
在一个实施例中，所述抛光垫与所述抛光头同向转动。
在一个实施例中，所述方法还包括：
通过控制所述抛光头运动来调整所述硅片的边缘与所述凹槽接触的面积，从而调整所述硅片边缘位置的抛光速率。
在一个实施例中，所述控制所述抛光头运动包括：
控制所述抛光头沿所述抛光垫的半径方向往复运动。
根据本发明的抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法可以在保持整片的抛光速率基本不变的情况下，只降低硅片边缘位置的抛光速率，从而改善硅片边缘厚度的平坦度，提升产品良率。
附图说明
本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。
附图中：
图1为根据本发明的一个实施例的抛光垫的结构示意图；
图2为根据本发明的一个实施例的抛光垫对硅片进行抛光的示意图；
图3为根据本发明的一个实施例的抛光垫和硅片的剖面图；
图4为根据本发明的一个实施例的抛光垫的凹槽的尺寸示意图；
图5为使用根据本发明实施例的抛光垫对硅片进行抛光时，凹槽相对于硅片的边缘位置的运动轨迹图；
图6为根据本发明一个实施例的抛光设备的示意图；
图7为根据本发明一个实施例的硅片的抛光方法的示意性流程图；
图8为在执行根据本发明实施例的硅片的抛光方法的过程中抛光头的运动示意图；
图9为在根据本发明实施例的硅片的抛光方法中，硅片的边缘进入凹槽不同深度时硅片的半径与相对移除厚度的关系图。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。
应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
为了解决硅片边缘处的厚度控制困难的问题，本发明实施例一方面提出了一种抛光垫，所述抛光垫包括与硅片接触的抛光面，所述抛光面开设有至少一个凹槽，所述凹槽的开槽位置使得在对硅片进行抛光时，所述硅片的边缘至少部分悬空在所述凹槽的上方。
本发明实施例另一方面提出了一种抛光设备，包括：本发明实施例第一方面提出的抛光垫；抛光垫驱动装置，所述抛光垫设置于所述抛光垫驱动装置上，抛光垫驱动装置用于驱动所述抛光垫转动；抛光头，用于固定硅片，使得所述硅片的正面与所述抛光垫接触，并使所述硅片的边缘悬空在所述抛光垫的凹槽上方。
本发明实施例又一方面提出了一种硅片的抛光方法，包括：通过抛光头固定待抛光的硅片；由所述抛光头带动所述硅片，使所述硅片的正面接触抛光垫的抛光面，并使所述硅片的边缘位置悬空在所述抛光垫抛光面的凹槽上方；驱动抛光头和抛光垫转动，以由所述抛光垫对所述硅片的正面进行抛光。
根据本发明实施例的抛光垫、抛光设备和硅片的抛光方法，由于在硅片边缘下方设置了凹槽，因而减少了抛光垫与硅片边缘的接触面积或降低了抛光垫与硅片边缘位置的接触时间，由此减弱了抛光工艺中对硅片边缘处的机械作用，实现在保持整片的抛光速率基本不变的情况下，只降低硅片边缘位置的抛光速率，从而能够改善硅片边缘厚度的平坦度，提升产品良率。
为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的结构及/或步骤，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
下面将参照图1-图5，对本发明一实施方式的抛光垫进行详细描述。
如图1所示，本发明一个实施例的抛光垫100可以为圆形抛光垫，其抛光面上开设的凹槽包括靠近抛光垫外围的第一环形槽101与靠近抛光垫中心的第二环形槽102，第一环形槽101与第二环形槽102之间的抛光面可以保持平坦。示例性地，第一环形槽101和第二环形槽102与抛光垫同心设置，第一环形槽101与第二环形槽102的横截面包括但不限于为矩形。
在一些实施例中，第一环形槽101的内沿与第二环形槽102的外沿之间的距离小于硅片的直径，所述第一环形槽101的外沿与所述第二环形槽102的内沿之间的距离大于或等于硅片的直径。由此，在利用抛光垫100对硅片进行抛光时，参照图2和图3，将硅片200设置在第一环形槽101与第二环形槽102之间，使硅片200相对的两个边缘同时悬空在第一环形槽101与第二环形槽102上方。作为示例，硅片200的边缘悬空在第一环形槽101上方的宽度与悬空在第二环形槽102上方的宽度基本相同。其中，硅片可以是经过双面抛光后的硅片。示例性的，硅片包括但不限于是单晶硅硅片、蓝宝石硅片、碳化硅硅片等半导体硅片。
针对12英寸的硅片，以下示出了能够提高硅片边缘145～149mm位置处的抛光效果的抛光垫100的一些具体参数。参照图4，在一种具体的实施方式种，第一环形槽101的宽度D1可以为3mm～8mm，例如可以为5mm，深度H1在0.5mm～2mm之间。其外沿(即靠近抛光垫边缘的外圈)半径在335mm～340mm之间，例如可以为339mm，内沿(即靠近抛光垫中心的内圈)半径在330mm～335mm之间，例如可以为334mm。
第二环形槽102的深度和宽度可以与第一环形槽101相同或近似，即第二环形槽102的宽度D2可以为3mm～8mm，例如可以为5mm，深度H2在0.5mm～2mm之间。其外沿(即靠近抛光垫边缘的外圈)半径在35mm～45mm之间，例如可以为40mm，内沿(即靠近抛光垫中心的内圈)半径在30mm～40mm之间，例如可以为35mm。
进一步地，继续参照图4，第一环形槽101的外沿与第二环形槽102的内沿之间的距离大于硅片的直径，则在将硅片设置在第一环形槽101和第二环形槽102之间时，第一环形槽101和第二环形槽102均部分位于硅片200下方，部分位于硅片200以外，由此，在抛光时可以通过控制硅片200沿抛光垫100的半径方向左右移动来调整硅片200与凹槽接触的面积，从而调整硅片200的抛光速率。
作为示例，第一环形槽101的外沿与硅片200的边缘之间的距离D3和第二环形槽102的内沿与硅片200的边缘之间的距离D6可以为1mm～2mm，第一环形槽101的内与硅片200的边缘之间的距离D4和第二环形槽102的外沿与硅片200的边缘之间的距离D5可以为2mm～3mm，即硅片200与凹槽接触的边缘的宽度为2mm～3mm，左右运动的幅度可以为2mm～4mm。
需要注意的是，虽然以上给出了抛光垫100的一些具体参数，但抛光垫的参数不限于此。本领域技术人员可根据硅片的尺寸或其他实际需要对其进行调整。
图5示出了在使用本发明一个实施例的抛光垫100对硅片进行抛光时，抛光垫的凹槽相对于硅片200的边缘位置的运动轨迹。如图5所示，由于抛光垫100在转动时，抛光头带动硅片200同向转动，若将硅片200视为静止，则相当于抛光垫100围绕硅片200的圆心转动，即抛光垫100上的第一环形槽101和第二环形槽102围绕硅片200的圆心转动，由此形成了如图5所示的运动轨迹。图5中，硅片200被两条虚线包围的区域为硅片的边缘经过凹槽的区域，其宽度即为图4中的D4或D5。由此可见，与硅片边缘以内的区域相比，第一环形槽和第二环形槽的存在减小了硅片的边缘与抛光垫接触的面积，降低了硅片的边缘与抛光垫的接触时间。
进一步地，由图5可以看出，由于硅片200在抛光时由抛光头带动发生转动，因而当抛光垫100上仅设置第一环形槽101或仅设置第二环形槽102时，凹槽同样能够遍历硅片200边缘的各个位置，因而在一些实施例中，抛光垫100上可以仅开设第一环形槽101或仅开设第二环形槽102。
在一个实施例中，抛光垫100还包括开设在其抛光面的一个或多个排液槽103，排液槽103连通凹槽与抛光垫100的边缘，以用于排出凹槽中的抛光液。如图1所示，本发明一个实施例的排液槽103一端连通第二环形槽102，贯穿第一环形槽101，另一端连通抛光垫100的边缘，从而在抛光垫100转动的过程中排出第一环形槽101和第二环形槽102中的抛光液，避免出现抛光液和废屑不能及时排出、淤积在凹槽中而损伤硅片表面的问题。
参见图2，在一个实施例中，排液槽103为弧形，弧形的凸起方向朝向抛光垫的转动方向，从而有助于利用抛光垫100转动时的离心力排出凹槽中的抛光液。示例性地，排液槽103可以与第二环形槽102的外沿相切。
作为示例，排液槽103的深度不小于第一环形槽101和第二环形槽102的深度，从而有助于第一环形槽101和第二环形槽102中的抛光液流向排液槽。排液槽103可以围绕抛光垫100的圆心中心对称设置；其深度可以均匀分布，也可以由抛光垫100的中心至边缘逐渐递增。排液槽103可以如图1和图2所示的自第二环形槽102开始贯穿第一环形槽101直至延伸至抛光垫100的边缘，或者，连通第二环形槽102和第一环形槽101的排液槽和连通第一环形槽101与抛光垫边缘的排液槽也可以独立设置，且二者的数目可以相同也可以不同，只要其能够排出第一环形槽101和第二环形槽102中的抛光液即可。
此外，虽然图1和图2中所示的排液槽103的数量为4个，但其数量并不限于此。排液槽的数量、宽度、深度、弧度等规格可以由本领域技术人员根据抛光液的流速、抛光垫的转速、第一环形槽101和第二环形槽102的尺寸等因素而调整，以更好地排出第一环形槽101和第二环形槽102内的抛光液。
根据本发明实施例的抛光垫可以在保持整片的抛光速率基本不变的情况下，只降低硅片边缘位置的抛光速率，从而改善硅片边缘厚度的平坦度，提升产品良率。
本发明实施例另一方面提供一种抛光设备，参照图6，所述抛光设备包括抛光垫100、抛光垫驱动装置400以及抛光头300。其中，抛光垫100可以是上文所描述的抛光垫，即抛光垫100的抛光面中开设有至少一个凹槽，在对硅片进行抛光时，所述凹槽至少部分位于硅片的边缘下方。抛光垫100设置于抛光垫驱动装置400上，抛光垫驱动装置400用于驱动所述抛光垫100转动。抛光头300用于固定硅片，使得硅片的正面与抛光垫100接触，并使所述硅片的边缘悬空在抛光垫100的凹槽上方。
其中，抛光垫驱动装置400可以为大转盘，其设置在抛光垫100下方，用于驱动抛光垫100顺时针或逆时针转动。
抛光头300设置在抛光垫100上方，用于装载硅片。示例性地，抛光头300包括基座、背衬垫和固定部，当装载硅片时，将基座和背衬垫之间的腔室抽为真空以吸取硅片，当抛光时，由抛光头300向硅片的背面施加压力，同时带动硅片以一定速度转动。硅片的转动方向可以与抛光垫100的转动方向相同。
示例性地，所述抛光垫上方设置有抛光液供应口，用于向抛光垫供应抛光液。
根据本发明实施例的抛光设备由于采用了在硅片的边缘下方设置有凹槽的抛光垫，因而可以基于现有的抛光设备配合上述抛光垫进行抛光，在保持整片的抛光速率基本不变的情况下，只降低硅片边缘位置的抛光速率，从而改善硅片边缘厚度的平坦度，提升产品良率。
本发明实施例还提供一种抛光方法，参照图7，图7示出了本发明实施例的抛光方法700的示意性流程图。如图7所示，抛光方法700包括如下步骤：
在步骤S710，通过抛光头固定待抛光的硅片。
其中，所述硅片可以是经过双面抛光以后的硅片。抛光头可以通过抽真空的方式吸取硅片。
在步骤S720，由所述抛光头带动所述硅片，使所述硅片的正面接触抛光垫的抛光面，并使所述硅片的边缘位置悬空在所述抛光垫抛光面的凹槽上方。
示例性地，抛光垫的抛光面上开设有靠近抛光垫外围的第一环形槽和/或靠近抛光垫中心的第二环形槽。抛光头可以带动硅片，使硅片固定在第一环形槽与第二环形槽之间。此时硅片的位于同一直径上的两个边缘分别悬空在第一环形槽和第二环形槽上方，此时硅片边缘的一定区域悬空在第一环形槽和第二环形槽上方，不与抛光垫接触。作为示例，第一环形槽的外沿与第二环形槽的内沿之间的距离大于硅片的直径，从而为硅片的左右运动预留一定的空间。
抛光垫的具体结构和硅片与抛光垫的位置关系可以参照上文，在此不做赘述。
在步骤S730，驱动抛光头和抛光垫转动，以由所述抛光垫对所述硅片的正面进行抛光。
具体地，在抛光时，抛光头向硅片的背面施加压力，同时带动硅片以一定速度转动；同时由抛光垫驱动装置驱动抛光垫转动。硅片的转动方向可以与抛光垫的转动方向相同，均为逆时针方向或均为顺时针方向。在抛光垫和硅片转动的过程中，由于硅片边缘的一定宽度不断经过第一环形槽和第二环形槽，从而减少了硅片边缘与抛光垫的抛光面接触的时间和每一时刻硅片边缘与抛光垫的抛光面接触的面积，由此在保持硅片边缘位置内部的抛光速率基本不变的情况下，只降低硅片边缘位置的抛光速率，提高了硅片边缘位置的平坦度。
在一些实施例中，抛光头除加压及转动的动作外，还可以通过控制抛光头运动来调整硅片位于所述凹槽上方的面积，从而调整硅片边缘位置的抛光速率。具体地，参照图8，可以控制抛光头沿抛光垫半径方向往复运动，可以理解的是，硅片左右运动的幅度越大，则硅片边缘经历凹槽上方的宽度越大。
参照图9，其中图9示出了硅片边缘与凹槽的接触距离为0、2mm和4mm时硅片半径与抛光过程中硅片表面相对移除厚度的关系曲线。由图9可以看出，硅片边缘与凹槽的接触距离越大，对于硅片边缘(半径145mm～149mm范围内)位置处的相对移除厚度越小，即硅片边缘位置处的抛光速率越慢。
以上示出了根据本发明实施例的硅片的抛光方法的主要步骤。根据本发明的硅片的抛光方法，可以在保持整片的抛光速率基本不变的情况下，只降低硅片边缘位置的抛光速率，从而改善硅片边缘厚度的平坦度，提升产品良率。
在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
类似地，应当理解，为了精简本发明并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在对本发明的示例性实施例的描述中，本发明的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该本发明的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本发明要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如相应的权利要求书所反映的那样，其发明点在于可以用少于某个公开的单个实施例的所有特征的特征来解决相应的技术问题。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本发明的单独实施例。
本领域的技术人员可以理解，除了特征之间相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的替代特征来代替。
此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。
应该注意的是上述实施例对本发明进行说明而不是对本发明进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。本发明可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式或对具体实施方式的说明，本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种抛光垫，用于对硅片进行抛光，其特征在于，所述抛光垫包括与硅片接触的抛光面，所述抛光面开设有至少一个凹槽，所述凹槽的开槽位置使得在对硅片进行抛光时，所述硅片的边缘至少部分悬空在所述凹槽的上方。
2.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述凹槽包括靠近所述抛光垫外围的第一环形槽与靠近所述抛光垫中心的第二环形槽。
3.根据权利要求2所述的抛光垫，其特征在于，所述第一环形槽的内沿与所述第二环形槽的外沿之间的距离小于硅片的直径，所述第一环形槽的外沿与所述第二环形槽的内沿之间的距离大于或等于硅片的直径。
4.根据权利要求2所述的抛光垫，其特征在于，所述抛光垫、所述第一环形槽和所述第二环形槽同心设置。
5.根据权利要求2所述的抛光垫，其特征在于，所述第一环形槽的宽度为3mm～8mm，深度为0.5mm～2mm，外沿半径为335mm～340mm，内沿半径为330mm～335mm。
6.根据权利要求2所述的抛光垫，其特征在于，所述第二环形槽的宽度为3mm～8mm，深度为0.5mm～2mm，外沿半径为35mm～45mm，内沿半径为30mm～40mm。
7.一种抛光设备，用于对硅片进行抛光，其特征在于，所述抛光设备包括：
如权利要求1-6之一所述的抛光垫；
抛光垫驱动装置，所述抛光垫设置于所述抛光垫驱动装置上，抛光垫驱动装置用于驱动所述抛光垫转动；
抛光头，用于固定硅片，使得所述硅片的正面与所述抛光垫接触，并使所述硅片的边缘悬空在所述抛光垫的凹槽上方。
8.一种硅片的抛光方法，其特征在于，包括：
通过抛光头固定待抛光的硅片；
由所述抛光头带动所述硅片，使所述硅片的正面接触抛光垫的抛光面，并使所述硅片的边缘位置悬空在所述抛光垫抛光面的凹槽上方；
驱动抛光头和抛光垫转动，以由所述抛光垫对所述硅片的正面进行抛光。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述抛光垫与所述抛光头同向转动。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：
通过控制所述抛光头运动来调整所述硅片的边缘与所述凹槽接触的面积，从而调整所述硅片边缘位置的抛光速率。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述控制所述抛光头运动包括：
控制所述抛光头沿所述抛光垫的半径方向往复运动。
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