JP4693203B2 - ポリシングスラリーを供給するキャリヤヘッド - Google Patents

ポリシングスラリーを供給するキャリヤヘッド Download PDF

Info

Publication number
JP4693203B2
JP4693203B2 JP2000087215A JP2000087215A JP4693203B2 JP 4693203 B2 JP4693203 B2 JP 4693203B2 JP 2000087215 A JP2000087215 A JP 2000087215A JP 2000087215 A JP2000087215 A JP 2000087215A JP 4693203 B2 JP4693203 B2 JP 4693203B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
slurry
retaining ring
carrier head
annular
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000087215A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000317812A (ja
Inventor
ディー. トレス ロバート
ヒューイ シドニー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2000317812A publication Critical patent/JP2000317812A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4693203B2 publication Critical patent/JP4693203B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B24B37/32Retaining rings
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B30PRESSES
    • B30BPRESSES IN GENERAL
    • B30B9/00Presses specially adapted for particular purposes
    • B30B9/32Presses specially adapted for particular purposes for consolidating scrap metal or for compacting used cars
    • B30B9/321Presses specially adapted for particular purposes for consolidating scrap metal or for compacting used cars for consolidating empty containers, e.g. cans
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B30PRESSES
    • B30BPRESSES IN GENERAL
    • B30B15/00Details of, or accessories for, presses; Auxiliary measures in connection with pressing
    • B30B15/0082Dust eliminating means; Mould or press ram cleaning means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B30PRESSES
    • B30BPRESSES IN GENERAL
    • B30B15/00Details of, or accessories for, presses; Auxiliary measures in connection with pressing
    • B30B15/32Discharging presses

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に、基板のケミカルメカニカルポリシングに関し、特に、ケミカルメカニカルポリシングに使用するためのキャリヤヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】
集積回路は、通常、導電層、半導体層、または絶縁層の連続的な堆積によって、基板上、特にシリコンウェーハ上に形成される。各層が堆積した後、各層は、回路図形をつくるためにエッチングされる。一連の層が連続的に堆積およびエッチングされると、基板の外面または最上面、即ち、基板の露出した表面は徐々に平坦性を失う。この非平坦な表面は、集積回路製造プロセスのホトリソグラフィステップに問題をもたらす。従って、基板表面を定期的に平坦化させる必要がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ケミカルメカニカルポリシング(CMP)は、一般に受け入れられている平坦化方法の一つである。この平坦化法では、通常、基板をキャリヤまたは研磨ヘッド上に載せて、回転するポリシングパッドに押し付ける必要がある。ポリシングパッドは、研磨面を含んでいてもよい。ポリシングプロセスを補助するために、研磨化学溶液またはスラリーをポリシングパッド上に導入してもよい。スラリーは、ポリシングパッド全体にわたって実質的に均一な層で分布させるべきである。これによって、平坦化の均一性が向上する。
【0004】
【課題を解決するための手段】
一つの態様では、本発明は、ケミカルメカニカルポリシング装置用のキャリヤヘッドに関する。このキャリヤヘッドは、基板受取面と、基板受取面を取り囲む保持リングと、キャリヤヘッド上に形成されたスラリーリザーバと、を有している。リザーバは、保持リングの底面と連通して流体が流れるようになっており、ポリシングスラリをリザーバからポリシングパッドへ送る。
【0005】
本発明の実施形態は、次のような特徴を含んでいてもよい。リザーバは、キャリヤヘッドのハウジングの上面、保持リングを取り囲むスラリー供給部材の上面または保持リングの上面に形成することができる。ハウジング、保持リング、および/またはスラリー供給部材を貫通するように通路を形成してもよい。スラリーは、リザーバから保持リングの底面またはスラリー供給部材の底面へ送ってもよい。スラリーを内向きに送るように、スラリー供給部材または保持リングの底面にチャネルを形成してもよい。
【0006】
別の態様では、本発明は、キャリヤヘッド用保持リングに関する。保持リングは、基板を保持する内面を有する環状体と、保持リングの上面に位置するトラフと、保持リングを通ってトラフから保持リングの下面へと延びる複数のチャネルと、を有している。
【0007】
本発明の実施形態は、次の特徴を含んでいてもよい。各チャネルは、保持リングの下面の溝で終端してもよい。トラフ中のリップは、保持リングが回転する間、スラリーをトラフ内に保持することができる。
【0008】
別の態様では、本発明は、ケミカルメカニカルポリシング用のキャリヤヘッドに関する。このキャリヤヘッドは、基板受取面と、基板受取面を取り囲む保持リングと、保持リングを貫通し、キャリヤヘッドのトラフを保持リングの底面に連通させて、ポリシングパッド上にポリシングスラリーを供給する少なくとも一つのチャネルと、を有する。
【0009】
本発明の実施形態は、次の特徴を含んでいてもよい。複数のチャネルがあってもよい。トラフは、キャリヤヘッドが回転する間、ポリシングスラリーを含有するためにリップを含んでいてもよい。ポリシングスラリーは、約25〜100ml/分の範囲の速度でトラフへ計量しながら供給され、あるいは約25〜100ml/分の範囲の速度でトラフへ重力供給される。チューブが、キャリヤヘッド駆動シャフト内の通路をトラフに接続してもよい。内側に向かって延びる溝が保持リングキャリヤの底面に形成され、少なくとも一つの通路に連通していてもよい。円形溝が、保持リングキャリヤの底面に形成され、この少なくとも一つの通路に連通していてもよい。
【0010】
別の態様では、本発明は、ケミカルメカニカルポリシング装置に関する。この装置は、ポリシングパッドとキャリヤヘッドを有している。キャリヤヘッドは、基板受取面、基板受取面を取り囲む保持リング、保持リング上面にあるトラフ、またはポリシングパッド上にポリシングスラリーを供給するためにトラフを保持リングの底面に連通する少なくとも一つのチャネルを含んでいる。トラフにポリシングスラリーを供給するためにアームがポリシングパッド上に延在している。
【0011】
本発明の実施形態は、次の特徴が含んでいてもよい。アームは、マシンベースにピボット式に連結されている。
【0012】
他の態様では、本発明は、ケミカルメカニカルポリシングの方法に関する。この方法では、ポリシングスラリーは、保持リング内の通路を通ってポリシングパッドに送られる。
【0013】
本発明の実施形態は、次の特徴を含んでいてもよい。ポリシングスラリーは、通路と連通する保持リング上のトラフ内に供給してもよい。ポリシングスラリーは、例えば、約25〜100ml/分の範囲の速度で連続的に供給してもよいし、例えば、予め選択された数の基板を研磨するのに十分なスラリーを用いて断続的に供給してもよい。
【0014】
本発明は、基板とポリシングパッドとの境界付近の領域にスラリーを好適に供給する。スラリー含有トラフは、一様かつ均一にスラリーをポリシングパッド上に分布させる。このようなスラリーの分布により、CMP装置は、基板をより均一に平坦化し、優れた平坦化に伴う利点を与える。本発明は、また、使用されるポリシングスラリーの量を適切に節約する。ポリシングスラリーは、高価な消耗品であり、パッド表面の全体にわたって供給するのではなく、基板/ポリシングパッド境界に供給することで使用量を控えている。パッドに供給されるスラリー量を減らすことによって、CMP装置は比較的清浄で乾燥スラリーのない状態を保ちやすくなり、それによって基板にダメージを与える可能性が低くなる。
【0015】
本発明の更なる利点は、下記の説明で示されており、その一部は下記の説明から自明であり、また、本発明の実施から知ることのできるものもある。本発明のこれらの利点は、特許請求の範囲において特に指摘される手段または組合せによって理解することができる。
【0016】
本発明は、本明細書に示される詳細な説明または添付の図面から完全に理解されるであろう。しかしながら、図面は、本明細書に図示または説明された個々の実施形態に本発明を限定するものとして解釈されるべきではない。
【0017】
【発明の実施の形態】
種々の図面において、同様の要素を示すために同様の参照符号が示されている。プライムの付いた参照番号は、要素が修正された機能、動作または構造をもつことを意味する。
【0018】
図1に示されるように、基板10をケミカルメカニカルポリシング(CMP)装置20によって研磨する。類似したCMP装置の説明は、米国特許第5,738,574号に見られ、この全開示内容は本明細書に援用されている。CMP装置20は、三つのポリシングステーション25および搬送ステーション27を支持するマシンベース22が含まれる。各ポリシングステーションは、ポリシングパッド32が載置される回転プラテン30を含んでいる。各ポリシングステーション25は、このポリシングパッド32の研摩条件を維持する対応パッドコンディショナ部材43を更に含んでいてもよい。
【0019】
CMP装置は、四つのキャリヤヘッドシステム70を支持する回転マルチヘッドカルーセル60も含んでいる。カルーセル60は、キャリヤヘッドシステム70とそれに取り付けられた基板10をポリシングステーション25と搬送ステーション27との間で周回させるように回転することができる。各キャリヤヘッドシステムは、研磨ヘッドまたはキャリヤヘッド100を含んでいる。各キャリヤヘッド100は、自身の軸の周りを独立に回転する。各キャリヤヘッド100は、カルーセル支持プレート66に形成されたラジアルスロット72内で独立して横方向に振動する。キャリヤ駆動シャフト78は、スロット72を通って延在し、キャリヤヘッド回転モータ76(カバー68の1/4を取り除いて図示)をキャリヤヘッド100に連結している。モータ76と駆動シャフト78は、キャリヤヘッド100を横方向に振動させるようにラジアルドライブモータ(図示せず)によってスロット72に沿って直線的に駆動されるスライダ(図示せず)上で支持してもよい。
【0020】
図2に示されるように、キャリヤヘッド100は、ハウジングまたはベース102と、ローディングチャンバ106を形成するためにハウジング102にクランプされた可撓膜104を含むことができる。ハウジング102は、駆動シャフト78に連結され、基板10の円形の外形に対応するように略円形とすることができる。流体は、ローディングチャンバ106を加圧し、基板に荷重(即ち、下向きの圧力)をかけるためにハウジング102内の通路108を通ってローディングチャンバ106内に注入することができる。同様のキャリヤヘッドの説明は、本発明の譲受人に譲渡された米国特許出願第08/861,260号「A Carrier Head With A Flexible Membrane for a Chemical Mechanical Polishing System(ケミカルメカニカルポリシングシステム用の可撓膜付きキャリヤヘッド)」に見られ、この全開示内容は本明細書に援用されている。
【0021】
図2〜6について説明する。キャリヤヘッド100は、ハウジング102の外縁に、例えば、ボルト(図示せず)によって固定することができる保持リング110も含んでいる。保持リング110は、基板10を係合させ基板がポリシング中にキャリヤヘッド100の下からスリップまたはスライドすることを防止する内面120と、ポリシングパッドと接触して圧縮することができる底面122と、を有している。チャネル132が存在する領域を除いて、保持リング110の底面122は実質的に平坦である(図4を参照)。保持リング110の上面124は、基板10に圧力を伝達するために用いられる可撓膜と係合する周囲リブ126を含んでいる。
【0022】
ハウジング102から外向きに突出する保持リングの上面124の一部は、スラリーを保持するためにトラフ112を有している。スラリートラフ112は、キャリヤヘッドの周囲全体に延びる環状のくぼみとすることができる。スラリートラフ112は、キャリヤヘッドが回転する間、スラリーを含有するために、内側に傾斜したリップ114を含んでいる。リップ114は、遠心力がスラリーをトラフ上にこぼすことを防止するために、キャリヤヘッドの回転軸に向かって内角に傾斜している。トラフ112を保持リング110の底面122に連通するために、複数の通路130(例えば、3〜12個の通路)が保持リング110を貫通して形成される。特に、重力の作用によって、トラフ112内のポリシングスラリーは、通路130を通って流れ出て、ポリシングパッド面上に蓄積する。ある実施形態では、各通路130は、ほぼ対角線の部分140とほぼ垂直の部分142を含むことができる。保持リングは、ポリフェニルスルフィド(polyphenyl sulfide)、ステンレス鋼またはその組合せから構成することができ、通路130は精密機械加工により形成することができる。
【0023】
対角線通路140の角度φと直径Dは、スラリーリザーバの有効容積を決定し、また、リザーバが排出を行う速度を決定する。角度φは約5°〜60°とするのがよく、直径Dは典型的な溝幅より短く、例えば約0.015〜0.040インチとするのがよい。通路が上から下に大きい角度φで内側に傾斜しているとすると、遠心力はスラリーが通路を通って流れることを阻止する傾向にあり、したがってスラリー供給速度が下がる。通路の直径も、スラリーがトラフ112からあまり速く流出しないように注意深く制御することが必要である。通路の直径が大きくなるとスラリー流量が大きくなり、通路の直径が小さくなるとスラリー流量が小さくなる。
【0024】
任意で設けることのできるチャネル132は、各通路130の底面122に形成することができる。各チャネル132は、対応する通路130の下端から保持リング110の内面120まで延びている。チャネル132は、遠心力がキャリヤヘッド100の下方からスラリーを排出することを防止するための後壁134も含んでいる。チャネル132は、パッド−基板間の境界にスラリーが流れるのを補助する。
【0025】
トラフ112は大気に開放されており、外部供給管160によってポリシングスラリー50を供給することができる。ある実施形態では、供給管160は、ハウジング102に固定されている。例えば、供給管160は、駆動シャフト78を貫通する通路164に連結されるように、ハウジングフランジ162を貫通して延びている。スラリー50は、カルーセル60内に位置する計量型ポンプ(図示せず)によって供給管160を通じて計量しながら供給される。スラリーは、ポリシング中に消費されるスラリーを補うために、約25〜100ml/分(例えば、75〜100ml/分)の流量で計量しながら供給される。スラリー50はトラフ112内に供給され、水平チャネル132で画成された領域まで通路130を通って進む。その領域では、スラリー50がポリシングパッドに供給され、ポリシングパッドと基板との境界128に分配される。
【0026】
スラリー50は、反応剤(例えば、酸化物ポリシング用の純水)および化学反応性触媒(例えば、酸化物ポリシング用の水酸化カリウム)を含むことができる。ポリシングパッド32が標準的なパッドである場合、スラリー50は、研摩粒子、例えば、コロイドシリカまたはヒュームドシリカの形の酸化物ポリシング用二酸化シリコンを含んでいてもよい。
【0027】
他の実施形態では、図7に示されるように、通路130′の経路は保持リングの上下面間でジグザグ形状を有している。通路130′は、保持リングの内径壁120からトラフ112まで上部水平孔170を機械加工することにより形成することができる。水平孔170は、内壁120からトラフ112の下方において保持リングの外径壁136に達しない点174まで機械加工される。水平孔170をチャネル132に連結するために、垂直孔180がチャネル132の後壁134から水平孔170まで機械加工される。通路130′は、水平孔170の内径部分182を適切な物質(例えば、金属)で塞ぐことにより完成する。通路に関して他の多くの実装や構造が可能であることは当然である。例えば、通路は、直線的な対角線部分または直線的な垂直部分であってもよい。通路の対角線部分は、内側または外側に傾斜していてもよい。
【0028】
図8(a)および(b)を参照すると、他の実施形態では、保持リングはチャネル132を含まない。代わりに、保持リングの底面122に形成された円形溝190が通路130に連通している。小さなスラリー溜りが溝190内に蓄積する。ポリシングパッドがキャリヤヘッドの下方で矢印192によって示される向きに進むと、ポリシングパッド32内の穿孔または溝194がスラリーで満たされる。スラリーは、ポリシングパッドが回転する間、保持リングおよび基板の下方でそれらの穿孔または溝に保持される。穿孔または溝のサイズや形状は、通路130を通るスラリーの流量に影響を与えうる。特に、溝は、スラリーが保持リングとポリシングパッドとの間の接触領域から急速に流れ出ることを可能にする。対照的に、穿孔は、穿孔を満たしているスラリーのみを送り出す傾向がある。広いまたは深い溝または穿孔が、狭いまたは浅い溝または穿孔より多くのスラリーを送ることは当然のことである。
【0029】
図9(a)および(b)に示されるように、他の実施形態では、スラリーはポリシングパッド32の表面上に延びているスラリー供給アーム40によってトラフ112に送ることができる。供給アーム40は、マシンベース22にピボット式に取り付けられ、チューブ出口42(図9(a)に示されている)がスラリーをトラフ112へ直接供給するように配置することができる。キャリヤヘッドが静止状態の間にスラリーを供給することができ、あるいは中央処理コントローラ(図示せず)によってキャリヤヘッドの振動と協調するようにアーム40の旋回運動を制御して、キャリヤヘッド100が振動しているときにスラリーをトラフ112内に供給してもよい。供給アーム40は、スラリー供給動作が完了すると、旋回してポリシングパッドから回転して離れることができる。
【0030】
スラリー50は、マシンベース22内に位置する計量型ポンプ(図示せず)によって供給アーム40を通じで計量されながら供給される。スラリー50は、連続的にまたは断続的にトラフに供給される。スラリーが連続的に供給されるとすると、供給スラリーの流量はスラリー消費速度から計算することができる。流量は、ポリシングパッド32がスラリーに覆われた状態を保つように消費速度よりわずかに速いものとすることができる。例えば、スラリーは約25〜100ml/分、例えば75〜100ml/分の流量で計量供給することができる。また、スラリーが断続的に供給される場合には、あるセット数の基板(例えば、1枚の基板)を研磨するのに十分なスラリーがトラフ112に供給される。セット数の基板が研磨されると、供給アーム40が位置に移動し、スラリーリザーバが再び満たされる。このスラリー供給システムは、従来の保持リング構造のいずれとも組み合わせることができる。
【0031】
供給アーム40は、クリーニング液、例えば、純粋をトラフ112へ供給するために使用することもできる。これにより、通路130からのスラリーをリンスして、乾燥スラリーの蓄積を防止することができる。キャリヤヘッド(または少なくとも保持リング)は、トラフ112がリンスされる前に持ち上げられてポリシングパッドから離れる。ポリシング面によって形成された保持リングの下面のバリヤを除去することにより、トラフ内のスラリーが速やかに通路130から流れ出て、スラリーがトラフからなくなる。
【0032】
図10を参照すると。他の実施形態では、環状スラリー供給部材300がキャリヤヘッド100′に取り付けられ、保持リング110′を取り囲んでいる。スラリー供給部材は、その上面304に形成されたリザーバ302、またはリザーバ302からスラリー供給部材300の底面310内のチャネル308までほぼ垂直に延びている通路306を含んでいる。リザーバ302は、1回の供給量分のスラリー312を保持する。このスラリーは、重力の作用のもとでチャネル308を通ってポリシングパッド上に流れる。リザーバ302に貯蔵されるスラリーの量は数分間のポリシングに十分なものとすべきである。溝314(想像線で図示)を底面310内に形成することができ、この溝は、スラリーを基板10に送るように保持リング110′の底面の溝316(想像線で図示)と連通させることができる。
【0033】
図11を参照すると、他の実施形態では、リザーバ350がキャリヤヘッド100″のハウジング202″の上面352に形成されている。通路354は、保持リング110″内の通路356に連通するようにハウジング202″を貫通して延びている。通路354および356は、リザーバ350を保持リング110″の底面360のチャネル358に連結する。リザーバ350は、1回の供給量分のスラリー362を保持する。このスラリーは、重力の作用のもとで通路354を通ってポリシングパッド上に流れる。スラリーを基板10へ送るために、溝366(想像線で図示)を保持リング110″の底面に形成してもよい。本実施形態の利点は、キャリヤヘッド100″がキャリヤヘッド100′より直径が小さいことである。
【0034】
このように、本発明は、スラリーを基板と回転ポリシングパッドとの境界に近接する領域にスラリーを供給することにより、パッドに供給されるスラリー量を好適に減少させる。本発明は、また、基板の平坦化を改善および向上させ、優れた平坦化に伴う利点を与える。
【0035】
本発明を多くの実施形態を用いて説明したが、本発明は図示および記載された実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲は特許請求の範囲によって限定される。
【図面の簡単な説明】
【図1】ケミカルメカニカルポリシング装置の分解斜視図である。
【図2】スラリー含有トラフを伴う保持リングと外部供給ラインを有する例示のキャリヤヘッドの断面図である。
【図3】図2のキャリヤヘッドの保持リングを貫通する通路を示す拡大図である。
【図4】図3の保持リングの底面斜視図である。
【図5】図3の保持リングの一部が切り取られた斜視底面図である。
【図6】図5の切り取られた部分の拡大図である。
【図7】スラリー含有トラフを有する保持リングの他の実施形態の断面図である。
【図8】(a)は、底面上に環状溝を有する保持リングの他の実施形態の底面図であり、(b)は、この保持リングの側断面図である。
【図9】(a)は、スラリーをキャリヤヘッド上のスラリートラフへ供給することができるスラリー供給アームの概略側面図であり、(b)は、このスラリー供給アームの平面図である。
【図10】保持リングを取り囲んむ環状スラリー供給部材を有するキャリヤヘッドの一部の断面図である。
【図11】キャリヤハウジングの上面に形成されたスラリー供給リザーバを有するキャリヤヘッドの一部の断面図である。
【符号の説明】
10…基板、20…ケミカルメカニカルポリシング(CMP)装置、22…マシンベース、32…ポリシングパッド、40…スラリー供給アーム、42…チューブ出口、50…ポリシングスラリー、100…キャリヤヘッド、102…ハウジング、104…可撓膜、106…ローディングチャンバ、108…通路、110…保持リング、112…トラフ、114…内側傾斜リップ、128…境界、130…通路、132…チャネル。

Claims (6)

  1. ケミカルメカニカルポリシング装置用のキャリヤヘッドであって、
    保持リングと、
    当該キャリヤヘッド上に形成される環状スラリーリザーバであって、当該環状リザーバは、大気に開放されており、基板を研磨するのに十分な量のポリシングスラリーを保持するよう構成され、前記ポリシングスラリーを当該環状リザーバからポリシングパッドへ送るように前記保持リングの底面と連通している環状スラリーリザーバと、
    を備え
    前記環状リザーバが、当該キャリヤヘッドに取り付けられると共に前記保持リングを取り囲む環状スラリー供給部材の上面に形成されており、前記環状リザーバが、前記保持リングの径方向において前記保持リングを越えて広がる領域を囲んでいる、キャリヤヘッド。
  2. スラリーを前記環状リザーバから前記環状スラリー供給部材の底面へ送るように通路が前記環状スラリー供給部材を貫通して形成されている、請求項記載のキャリヤヘッド。
  3. スラリーを内向きに前記保持リングへ送るようにチャネルが前記環状スラリー供給部材の底面に形成されている、請求項記載のキャリヤヘッド。
  4. 前記環状リザーバは、前記キャリヤヘッドが回転する間、前記ポリシングスラリーを保持するためのリップを含んでいる、請求項1記載のキャリヤヘッド。
  5. ポリシングスラリーを、キャリヤヘッドに位置する環状トラフから、保持リング内の通路を通してポリシングパッド上に送るステップを備え
    前記環状トラフが、大気に開放されており、基板を研磨するのに十分な量のポリシングスラリーを保持し、
    前記環状トラフが、前記キャリヤヘッドに取り付けられると共に前記保持リングを取り囲む環状スラリー供給部材の上面に形成されており、前記環状トラフが、前記保持リングの径方向において前記保持リングを越えて広がる領域を囲んでいる、ケミカルメカニカルポリシング方法。
  6. 前記ポリシングスラリーが前記環状トラフ内に断続的に供給される、請求項記載の方法。
JP2000087215A 1999-03-26 2000-03-27 ポリシングスラリーを供給するキャリヤヘッド Expired - Fee Related JP4693203B2 (ja)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US27685399A 1999-03-26 1999-03-26
US09/276853 1999-03-26
US14306099P 1999-07-09 1999-07-09
US60/143060 1999-07-09
US09/421453 1999-10-19
US09/421,453 US6527624B1 (en) 1999-03-26 1999-10-19 Carrier head for providing a polishing slurry

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000317812A JP2000317812A (ja) 2000-11-21
JP4693203B2 true JP4693203B2 (ja) 2011-06-01

Family

ID=27385887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000087215A Expired - Fee Related JP4693203B2 (ja) 1999-03-26 2000-03-27 ポリシングスラリーを供給するキャリヤヘッド

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6527624B1 (ja)
EP (1) EP1038636A3 (ja)
JP (1) JP4693203B2 (ja)
KR (1) KR100726507B1 (ja)
TW (1) TW550143B (ja)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6225224B1 (en) * 1999-05-19 2001-05-01 Infineon Technologies Norht America Corp. System for dispensing polishing liquid during chemical mechanical polishing of a semiconductor wafer
JP3797861B2 (ja) * 2000-09-27 2006-07-19 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
JP2002187060A (ja) * 2000-10-11 2002-07-02 Ebara Corp 基板保持装置、ポリッシング装置、及び研磨方法
JP3969069B2 (ja) * 2000-12-04 2007-08-29 株式会社東京精密 ウェーハ研磨装置
US6893327B2 (en) * 2001-06-04 2005-05-17 Multi Planar Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus and method having a retaining ring with a contoured surface
US6648734B2 (en) * 2001-08-30 2003-11-18 Agere Systems Inc. Polishing head for pressurized delivery of slurry
US6746313B1 (en) * 2001-10-24 2004-06-08 Lam Research Corporation Polishing head assembly in an apparatus for chemical mechanical planarization
US6769959B2 (en) * 2002-01-15 2004-08-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method and system for slurry usage reduction in chemical mechanical polishing
JP2005515904A (ja) * 2002-01-22 2005-06-02 マルチ プレイナー テクノロジーズ インコーポレイテッド スラリー分配のための形状付けされた表面を持つ保持リングを有する化学的機械研磨装置及び方法
TW523443B (en) * 2002-01-28 2003-03-11 Mitsubishi Materials Corp Polishing head, polishing device and polishing method
FR2838365B1 (fr) * 2002-04-11 2004-12-10 Soitec Silicon On Insulator Machine de polissage mecanico-chimique d'une plaquette de materiau et dispositif de distribution d'abrasif equipant une telle machine
TWM255104U (en) * 2003-02-05 2005-01-11 Applied Materials Inc Retaining ring with flange for chemical mechanical polishing
US20050113002A1 (en) * 2003-11-24 2005-05-26 Feng Chen CMP polishing heads retaining ring groove design for microscratch reduction
US7232363B2 (en) * 2004-07-22 2007-06-19 Applied Materials, Inc. Polishing solution retainer
US7520795B2 (en) * 2005-08-30 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Grooved retaining ring
US20080171494A1 (en) * 2006-08-18 2008-07-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for slurry distribution
US7575504B2 (en) * 2006-11-22 2009-08-18 Applied Materials, Inc. Retaining ring, flexible membrane for applying load to a retaining ring, and retaining ring assembly
US7727055B2 (en) 2006-11-22 2010-06-01 Applied Materials, Inc. Flexible membrane for carrier head
US7666068B2 (en) * 2007-05-21 2010-02-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Retainer ring
DE102007026292A1 (de) * 2007-06-06 2008-12-11 Siltronic Ag Verfahren zur einseitigen Politur nicht strukturierter Halbleiterscheiben
TWI535527B (zh) * 2009-07-20 2016-06-01 智勝科技股份有限公司 研磨方法、研磨墊與研磨系統
JP5505713B2 (ja) * 2010-04-26 2014-05-28 株式会社Sumco 研磨液分配装置及びこれを備えた研磨装置
TWI540021B (zh) 2010-08-06 2016-07-01 應用材料股份有限公司 以扣環調校基板邊緣
KR101239372B1 (ko) * 2011-07-18 2013-03-05 주식회사 케이씨텍 리테이너 링의 유지 보수가 용이한 캐리어 헤드
KR101239377B1 (ko) * 2011-07-18 2013-03-05 주식회사 케이씨텍 캐리어 헤드
US9592585B2 (en) 2012-12-28 2017-03-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for CMP station cleanliness
JP5821883B2 (ja) * 2013-03-22 2015-11-24 信越半導体株式会社 テンプレートアセンブリ及びテンプレートアセンブリの製造方法
TWI692385B (zh) * 2014-07-17 2020-05-01 美商應用材料股份有限公司 化學機械硏磨所用的方法、系統與硏磨墊
US10105812B2 (en) 2014-07-17 2018-10-23 Applied Materials, Inc. Polishing pad configuration and polishing pad support
US10510563B2 (en) 2016-04-15 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Wafer carrier assembly
CN106826478A (zh) * 2016-07-08 2017-06-13 深圳市普盛旺科技有限公司 砂带抛光机
KR102561746B1 (ko) 2016-07-25 2023-07-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Cmp를 위한 리테이닝 링
KR102708236B1 (ko) * 2018-11-28 2024-09-23 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 리테이너 링 및 이를 구비한 캐리어 헤드
KR102702996B1 (ko) * 2018-12-10 2024-09-04 삼성전자주식회사 연마 균일도를 제어할 수 있는 화학 기계적 연마 장치
JP7339741B2 (ja) * 2019-02-26 2023-09-06 富士紡ホールディングス株式会社 基板保持リング
CN110842755B (zh) * 2019-11-26 2021-12-31 湖南大合新材料有限公司 一种碲锌镉晶片表面研磨装置
CN111451932B (zh) * 2020-03-23 2021-09-07 中国科学院上海光学精密机械研究所 大口径异形平面元件光学加工夹具及加工方法
CN111958479B (zh) * 2020-07-21 2022-06-28 北京烁科精微电子装备有限公司 一种抛光装置及化学机械平坦化设备
CN114473852A (zh) * 2020-10-28 2022-05-13 中国科学院微电子研究所 一种抛光头及化学机械平坦化设备
US20230129597A1 (en) * 2021-10-27 2023-04-27 Sch Power Tech Co., Ltd. Retaining Ring for Wafer Polishing
CN114952610B (zh) * 2021-11-10 2024-02-09 华海清科股份有限公司 一种用于化学机械抛光的承载头和抛光设备

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60103648U (ja) * 1983-12-19 1985-07-15 株式会社 表面加工技術研究所 両面ラツピング装置
JPS6114855A (ja) * 1984-06-28 1986-01-23 Toshiba Mach Co Ltd ポリシング装置
JPH01153273A (ja) * 1987-12-10 1989-06-15 Hitachi Cable Ltd 半導体ウエハの研磨方法
JPH0549253U (ja) * 1991-11-29 1993-06-29 三菱マテリアル株式会社 半導体ウェーハの研磨機
JPH05251413A (ja) * 1992-03-04 1993-09-28 Kawasaki Steel Corp ワックスレス型研磨装置
JPH06763A (ja) * 1992-06-19 1994-01-11 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウェハの研磨方法
JPH0957612A (ja) * 1995-08-21 1997-03-04 Nec Corp 研磨装置
JPH09300210A (ja) * 1996-05-15 1997-11-25 Sony Corp ウェハ研磨装置およびウェハ研磨方法
JPH1190819A (ja) * 1997-09-01 1999-04-06 United Microelectron Corp 化学的機械研磨機の研磨ヘッド用保持リング

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2944176B2 (ja) * 1990-09-19 1999-08-30 三菱マテリアル株式会社 ウェーハの超精密研磨方法及び研磨装置
US5205082A (en) 1991-12-20 1993-04-27 Cybeq Systems, Inc. Wafer polisher head having floating retainer ring
US5938504A (en) 1993-11-16 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
US5695392A (en) * 1995-08-09 1997-12-09 Speedfam Corporation Polishing device with improved handling of fluid polishing media
US5709593A (en) 1995-10-27 1998-01-20 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for distribution of slurry in a chemical mechanical polishing system
JP3111892B2 (ja) * 1996-03-19 2000-11-27 ヤマハ株式会社 研磨装置
US5664990A (en) 1996-07-29 1997-09-09 Integrated Process Equipment Corp. Slurry recycling in CMP apparatus
JP3106418B2 (ja) 1996-07-30 2000-11-06 株式会社東京精密 研磨装置
US6183354B1 (en) 1996-11-08 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system
JPH10163138A (ja) 1996-11-29 1998-06-19 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法および研磨装置
US5851140A (en) 1997-02-13 1998-12-22 Integrated Process Equipment Corp. Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate
JPH10277927A (ja) * 1997-04-07 1998-10-20 Toshiba Mach Co Ltd 平面研磨装置
US6007411A (en) * 1997-06-19 1999-12-28 Interantional Business Machines Corporation Wafer carrier for chemical mechanical polishing
DE19839086B4 (de) * 1997-09-01 2007-03-15 United Microelectronics Corp. Rückhaltering für eine chemisch-mechanische Poliervorrichtung und chemisch-mechanische Poliervorrichtung damit
US6110012A (en) 1998-12-24 2000-08-29 Lucent Technologies Inc. Chemical-mechanical polishing apparatus and method
US6179694B1 (en) * 1999-09-13 2001-01-30 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Extended guide rings with built-in slurry supply line

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60103648U (ja) * 1983-12-19 1985-07-15 株式会社 表面加工技術研究所 両面ラツピング装置
JPS6114855A (ja) * 1984-06-28 1986-01-23 Toshiba Mach Co Ltd ポリシング装置
JPH01153273A (ja) * 1987-12-10 1989-06-15 Hitachi Cable Ltd 半導体ウエハの研磨方法
JPH0549253U (ja) * 1991-11-29 1993-06-29 三菱マテリアル株式会社 半導体ウェーハの研磨機
JPH05251413A (ja) * 1992-03-04 1993-09-28 Kawasaki Steel Corp ワックスレス型研磨装置
JPH06763A (ja) * 1992-06-19 1994-01-11 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウェハの研磨方法
JPH0957612A (ja) * 1995-08-21 1997-03-04 Nec Corp 研磨装置
JPH09300210A (ja) * 1996-05-15 1997-11-25 Sony Corp ウェハ研磨装置およびウェハ研磨方法
JPH1190819A (ja) * 1997-09-01 1999-04-06 United Microelectron Corp 化学的機械研磨機の研磨ヘッド用保持リング

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000317812A (ja) 2000-11-21
US6527624B1 (en) 2003-03-04
KR100726507B1 (ko) 2007-06-11
TW550143B (en) 2003-09-01
EP1038636A3 (en) 2003-05-14
EP1038636A2 (en) 2000-09-27
KR20000076973A (ko) 2000-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4693203B2 (ja) ポリシングスラリーを供給するキャリヤヘッド
US11806835B2 (en) Slurry distribution device for chemical mechanical polishing
US5658185A (en) Chemical-mechanical polishing apparatus with slurry removal system and method
KR100363039B1 (ko) 일정한 연마압력을 갖는 연마 장치 및 방법
US5902173A (en) Polishing machine with efficient polishing and dressing
US8382554B2 (en) Substrate polishing apparatus and method of polishing substrate using the same
US7086933B2 (en) Flexible polishing fluid delivery system
US6059920A (en) Semiconductor device polishing apparatus having improved polishing liquid supplying apparatus, and polishing liquid supplying method
US7997958B2 (en) Apparatuses and methods for conditioning polishing pads used in polishing micro-device workpieces
US8845395B2 (en) Method and device for the injection of CMP slurry
WO2003071592A1 (fr) Procede et dispositif de polissage
JP2001038604A (ja) 可撓膜及びエッジロードリングを有するキャリヤヘッド
US6679765B2 (en) Slurry supply system disposed above the rotating platen of a chemical mechanical polishing apparatus
US5964413A (en) Apparatus for dispensing slurry
US6652366B2 (en) Dynamic slurry distribution control for CMP
US6234883B1 (en) Method and apparatus for concurrent pad conditioning and wafer buff in chemical mechanical polishing
US5921849A (en) Method and apparatus for distributing a polishing agent onto a polishing element
US6682396B1 (en) Apparatus and method for linear polishing
US20080171494A1 (en) Apparatus and method for slurry distribution
US20030077986A1 (en) Front-reference carrier on orbital solid platen
EP1144155A2 (en) Ultrasonic transducer slurry dispenser
CN118204900A (zh) 研磨垫、化学机械研磨设备及研磨方法
KR20070055167A (ko) 웨이퍼 연마 장치
KR20060129897A (ko) 재생 웨이퍼용 연마장치 및 그 연마방법
JP2003159645A (ja) 研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091006

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100105

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100108

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100205

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100330

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100628

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100701

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100728

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20101130

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110125

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110222

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees