JP2009095952A - ウェハの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ウェハを研削するに際し、ウェハの加工効率を向上させる。
【解決手段】ウェハ60の一面61をロータリー研削盤にて研削するに際し、ウェハ60の周囲にドレスボート30を配置し、砥石50でウェハ60を研削すると同時にドレスボート30を砥石50の加工面51に接触させる。もしくは、砥石50の加工面51のドレッシングのみを行う。これにより、加工面51をドレッシングするためにウェハ60の研削を中止する必要がなく、ウェハ60の加工効率を向上させることができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、砥石をドレッシングしながらウェハを研削するウェハの製造方法に関する。
従来より、ロータリー研削盤を用いてウェハの一面を研削する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。図3は、ロータリー研削盤を用いてウェハを研削する工程を示した図である。ロータリー研削盤を用いてウェハを研削するに際し、まず、図3(a)に示す工程では、砥石90をドレッシングする。
砥石90は、ダイヤモンドの砥粒が砥石ボンド材にて固められたものであり、砥石ボンド材から突出した砥粒が研削に作用する。ウェハ91の研削を行うと、この砥粒が摩耗してしまうため、砥石ボンド材から砥粒を突出させる必要がある。そこで、ウェハ91を研削する前に、砥石90をドレッシングすることで、砥石ボンド材から砥粒を突出させる。
このため、セラミック製の台座92の上に、多孔質構造および負圧を利用したウェハ吸着用のテーブルとしてのポーラスチャック93を配置する。また、ポーラスチャック93の上に砥石90をドレッシングするためのドレスボート94を配置する。
そして、ドレスボート94に研削水95を流しつつ、砥石90を回転させながら、当該砥石90をドレスボート94に押し付ける。これにより、砥石ボンド材が削られ、砥石ボンド材から砥粒が適度に突出する。
なお、ドレスボート94を用いずにコンパウンド(砥粒)を用いて砥石90をドレッシングしても良い。
この後、図3(b)に示す工程では、ウェハ91の研削を行う。すなわち、ポーラスチャック93の上に研削対象となるウェハ91を載せる。そして、研削水95を流しながら、砥石90をウェハ91に押し付けて台座92と砥石90とを互いに逆方向に回転させることで、ウェハ91を研削する。この際、砥石ボンド材が削られること、また砥粒の劈開によって新しい鋭利な切れ刃が出現する自生作用によって研削加工が連続的に進行する。
特開2003−229396号公報
しかしながら、上記従来の技術では、難削材料(超硬質材料)や特に高番手砥石を用いた加工において砥石90の自生作用が進行せず目詰まりが早く、ウェハ91を研削できなくなってしまう。したがって、砥石90をドレッシングする頻度が増加し、図3(a)に示す工程、図3(b)に示す工程を繰り返すこととなる。これにより、ウェハ91の加工の段取りや加工時間が増大してしまうという問題がある。
本発明は、上記点に鑑み、ウェハを研削するに際し、ウェハの加工効率と加工精度を向上させることを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、ウェハ(60)を用意する工程と、ウェハ(60)の周囲に砥石(50)の加工面(51)をドレッシングするドレスボート(30)を配置すると共に、ウェハ(60)の一面(61)と砥石(50)の加工面(51)とを対向させる工程と、砥石(50)の加工面(51)をウェハ(60)の一面(61)に押し付けて当該一面(61)を研削する工程とを含んでおり、ウェハ(60)の一面(61)を研削する工程では、砥石(50)の加工面(51)にウェハ(60)の一面(61)とドレスボート(30)とを接触させ、ウェハ(60)の一面(61)の研削と、砥石(50)の加工面(51)のドレッシングとを同時に行う場合と、ウェハ(60)の一面(61)の研削のみを行う場合とを含んでいることを特徴とする。
これによると、ウェハ(60)の周囲にドレスボート(30)を配置してウェハ(60)の一面(61)を研削することによって、砥石(50)の加工面(51)が摩耗してしまったとしても、ウェハ(60)の研削と砥石(50)の加工面(51)のドレッシングとを同時に行う場合により、砥石(50)の加工面(51)をドレッシングすることができるため、加工面(51)をドレッシングするためにウェハ(60)の研削を中止する必要がない。これにより、ウェハ(60)の加工効率を向上させることができる。また、ウェハ(60)の一面(61)の研削のみを行う場合が含まれるため、砥石(50)の加工面(51)のドレッシングを間欠的に行うこともできる。このため、最良の状態で砥石(50)の加工が進行するため難削材や高番手砥石を用いた加工でも加工精度を悪化させることなく加工が終了できる。
この場合、ウェハ(60)の一面(61)を研削する工程では、ウェハ(60)の位置を固定し、ドレスボート(30)を砥石(50)の加工面(51)側に移動させることで、砥石(50)の加工面(51)にウェハ(60)の一面(61)とドレスボート(30)とを接触させることができる。
他方、ウェハ(60)の一面(61)を研削する工程では、ドレスボート(30)の位置を固定し、ウェハ(60)を砥石(50)の加工面(51)側に移動させることで、砥石(50)の加工面(51)にウェハ(60)の一面(61)とドレスボート(30)とを接触させることもできる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る研削工程に用いられるロータリー研削盤の概略断面図である。この図に示されるように、ロータリー研削盤は、台座10と、テーブル20と、ドレスボート30と、ガイド40と、砥石50とを備えて構成されている。
台座10は、板状のウェハ60をテーブル20に吸着させるための土台となる円板状のものであり、台座10を貫通する通路11が設けられている。この通路11は、図示しない真空ポンプ機構に接続されている。また、この台座10には図示しない回転機構が設けられており、中心軸を中心にして回転させられるようになっている。
テーブル20は、ウェハ60を吸着固定する円板状のものであり、両端面を貫通する複数の図示しない孔が設けられたものである。このテーブル20は、台座10の上に配置され、図示しない孔と台座10の通路11とが繋がった状態とされる。
ドレスボート30は、砥石50の目詰まりを解消するために砥石50をドレッシングするものである。このドレスボート30は、台座10の上に配置される共に、テーブル20の周囲に配置されている。本実施形態では、ドレスボート30は、テーブル20を一周して囲むリング状をなしている。
ガイド40は、ドレスボート30をテーブル20との間で挟み込むものであり、ドレスボート30の周囲に配されている。本実施形態では、ドレスボート30がリング状であるため、ガイド40もドレスボート30を一周して囲むリング状をなしている。これにより、ドレスボート30はガイド40の側面およびテーブル20の側面に沿って、すなわち台座10の端面に対して垂直方向に移動可能になっている。このように、ガイド40は、ドレスボート30の突き出しバラツキを高精度に行うための専用ガイドとして機能する。
また、台座10のうちドレスボート30が配置される場所には、台座10を貫通する通路12が設けられている。そして、図示しない加圧ポンプ機構により、エアーや水が通路12を通過してテーブル20側に押し出されるようになっている。これにより、ドレスボート30が台座10から離れるように持ち上げられるようになっている。また加圧力を調整することでドレスボード30を台座10側に下げることも可能である。
このようにしてドレスボート30を台座10から離れるように持ち上げる場合、上記のようにエアーや水を用いる他に、例えば通路12にスプリングを配置し、弾性変形させられたスプリングの復元力によってドレスボート30を持ち上げる機構になっていても構わない。この場合、台座10に通路12を設けずに、テーブル20の側面とガイド40の側面との間にスプリングを配置しても良い。また、磁石を用いてドレスボート30を浮き上がらせる手法を採用することもできる。
砥石50は、結合材等によって固定された硬度の高い砥粒を工具とするものである。具体的に、砥石50は、円板状の土台に難削材料(超硬質材料)であるダイヤモンドの砥粒が砥石ボンド材にて固められたものであり、加工面51にて研削対象物を研削するものである。本実施形態では、例えばカップ形のものが採用される。このカップ形の砥石50は、容器の開口端に加工面51が設けられたタイプのものである。このようなカップ形の砥石50として、加工面51が一周するリング状のものや、加工面51が一定長さごとに区切られた破線状のものなどが採用される。
本実施形態では、砥石50と台座10とは、砥石50の端面の外縁部が台座10の中心軸に対向する配置関係になっている。また、砥石50には図示しない回転機構が設けられており、中心軸を中心にして台座10とは逆方向に回転させられるようになっている。そして、砥石50をウェハ60に押し付けて加工する。以上が、本実施形態に係るロータリー研削盤の構成である。
次に、上記ロータリー研削盤を用いて、ウェハ60を研削する工程について説明する。まず、ワークとなるウェハ60として、例えば炭化珪素単結晶により構成される炭化珪素半導体ウェハを研削する場合について説明する。すなわち、ウェハ製造工程にて図1に示されるロータリー研削盤を用いて、ウェハ60を研削加工する。
まず、炭化珪素で形成されたウェハ60を用意し、テーブル20の上に配置する。そして、図示しない真空ポンプ機構にて真空引きすることにより、テーブル20の図示しない孔、台座10の通路11を介してテーブル20側から台座10側に空気を吸入する。これにより、ウェハ60をテーブル20に吸着して固定する。
続いて、吸着テーブル20および砥石50をそれぞれ逆方向に回転させる。そして、ウェハ60に研削水70を掛けながら、砥石50を吸着テーブル20側に移動させ、砥石50の加工面51をウェハ60の一面61に押し付けて研削する。研削台80(後述する図2参照)を砥石50側に移動させて、研削してもよい。
この場合、通路12を介してエアーや水をドレスボート30に押し当て、エアーや水の圧力によって、吸着テーブル20から離れるようにドレスボート30を移動させて砥石50の加工面51に接触させる。これによると、砥石50の加工面51にウェハ60の一面61とドレスボート30とが接触するため、砥石50の加工面51にてウェハ60の一面61を研削しつつ、砥石50の加工面51をドレスボート30によってドレッシングする。つまり、ウェハ60の一面61の研削と、砥石50のドレッシングとを同時に行う。
上記のようにしてウェハ60の一面61を研削する際に、常に加工面51をドレッシングする必要はなく、一定時間ごとに加工面51をドレッシングしても良い。加工面51に砥粒が突出した状態が維持されれば良く、定期的にドレッシングすれば良い。
これにより、ウェハ60の研削中に砥石50の加工面51のドレッシングを行うことができるため、砥石50の加工面51の目詰まりが起こることはなく、ウェハ60における研削量が低下することもない。
また、上記のように硬い炭化珪素のウェハ60を研削する場合や、高番手砥石を用いる場合では、加工面51の砥粒が早く摩耗してしまうが、上記の方法によってウェハ60の研削中に加工面51に常に砥粒が突出した形態を保つことができる。これにより、硬いものや高番手砥石を用いる場合に本実施形態に係る研削方法が特に有効である。
そして、所望の厚さになるまで、または所望の研削量になるまで砥石50でウェハ60を研削する。このようにして、研削工程が完了し、研削加工された炭化珪素のウェハ60が得られる。
この後、上記のようにして研削加工されたウェハ60は必要ならば研磨加工を経て鏡面加工されたウェハとなり、半導体デバイス工程にて半導体デバイスが作り込まれる基板として用いられ、半導体デバイスが作り込まれたものがダイシングカットされてチップ状に分割されることで半導体装置が完成する。
以上説明したように、本実施形態では、ワークとしてのウェハ60の一面61をロータリー研削盤にて研削するに際し、ウェハ60の周囲にドレスボート30を配置し、砥石50の加工面51にウェハ60の一面61を接触させて研削すると共に、ドレスボート30を加工面51に接触させ、砥石50にてウェハ60の一面61の研削とドレスボート30によるドレッシングとを同時に行うことが特徴となっている。
これにより、ウェハ60の研削と砥石50のドレッシングとを繰り返し交互に行う必要はなく、さらに研削とドレッシングとを同時に行うことできるので、加工時間や加工効率を向上させることができる。特に、高番手砥石のような砥粒の摩耗が早い砥石50を用いて研削を行う場合に有効で加工精度を向上できる。つまり、加工がスムーズに進行することで(精度悪化無く)特にウェハ60の平坦度を維持向上することができる。
また、砥石50のドレッシングのために砥石50等を移動させることはないため、再度高さ調整等のアライメントを行う必要もない。このため、ロータリー研削盤の装置精度を維持した状態でウェハ60を研削し続けることができる。
(第2実施形態)
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第1実施形態では、ウェハ60の位置が固定され、ドレスボート30が砥石50側に移動させられる構成となっていたが、本実施形態では、ドレスボートの位置が固定され、ウェハ60が砥石50側に移動させられる構成となっている。
図2は、本実施形態に係る研削工程に用いられるロータリー研削盤の概略断面図である。この図に示されるように、ロータリー研削盤は、研削台80と、砥石50とを備えて構成されている。このうち、砥石50は第1実施形態で示されたものと同様のものである。
研削台80は、ウェハ60を保持すると共に、砥石50をドレッシングする円柱状のものである。このような研削台80には、当該研削台80の一端面にウェハ60が収納される凹部81が設けられており、この凹部81の底面と研削台80の他端面とが貫通する通路82が設けられている。凹部81の径は、ウェハ60の径とほぼ同じになっている。
この通路82には、図示しない加圧機構が接続されており、この加圧機構からエアー、あるいは水が通路82に送り込まれ、研削台80の凹部81の底面から凹部81内にエアー、あるいは水が吹き出すようになっている。
また、研削台80の一端面、すなわち凹部81の開口端にドレスボート30が配置されている。凹部81にウェハ60が収納された場合、ドレスボート30はウェハ60の周囲に配置されることとなる。なお、このドレスボート30は、第1実施形態と同様のものであり、リング状のものや一定間隔で配置されたものが採用される。
以上が、本実施形態に係るロータリー研削盤の構成である。このようなロータリー研削盤では、砥石50を研削台80側に移動させた後に、砥石50の位置が固定され、ウェハ60が砥石50側に移動させられるようになっている。
次に、上記ロータリー研削盤を用いて、ウェハ60を研削する方法について説明する。まず、ウェハ60を用意し、このウェハ60を研削台80の凹部81内に配置する。そして、図示しない加圧機構によって研削台80の通路82にエアー、あるいは水を送り込み、凹部81内にエアー、あるいは水を供給する。これにより、エアー、あるいは水によってウェハ60を浮遊させる。これにより、ウェハ60が砥石50側に移動する。また加圧力を調整することでウェハ60を下げ、砥石50の加工面51のドレッシングのみを行うことも可能である。
続いて、研削台80および砥石50をそれぞれ逆方向に回転させる。そして、ウェハ60に研削水70を掛けながら、砥石50を研削台80側に移動させ、砥石50の加工面51をウェハ60の一面61に押し付けて研削する。研削台80を砥石50側に移動させて、研削してもよい。
これにより、砥石50の加工面51がウェハ60の一面61を研削すると共にドレスボート30に接触させてドレッシングを行う。この場合、ドレスボート30は砥石50をドレッシングすると共に、砥石50によって削られる。
以上説明したように、ドレスボート30の位置を固定した場合であっても、ウェハ60を砥石50側に移動させることによって、砥石50の加工面51にドレスボート30とウェハ60とを接触させることで、砥石50によってウェハ60の研削と砥石50のドレッシングとを同時に行うことができる。これにより、ウェハ60の加工時間や加工効率を向上させることができる。
(他の実施形態)
上記実施形態では、ウェハ60として炭化珪素半導体ウェハを例に説明したが、例えばサファイヤやダイヤモンド等で形成されたウェハ60を研削する場合に本発明の方法を採用することができる。このような硬いものを研削する場合、砥石50が摩耗しやすいため、砥石50のドレッシングとウェハ60の研削とを同時に行うことにより、加工効率を上げることができる。
上記各実施形態では、1枚のウェハ60を研削する場合について説明したが、複数枚のウェハ60を同時に研削しても良い。
上記各実施形態では、砥石50として、カップ形のものを用いたが、他の形態のものであっても構わない。
上記第2実施形態では、エアー、あるいは水によってウェハ60を浮遊させていたが、エアー、あるいは水を用いずにウェハ60の位置を固定しても良い。この場合、ウェハ60の周囲にドレスボート30を配置し、ウェハ60の一面とドレスボート30の高さとが同じになるように調節することで、ウェハ60の研削と砥石50のドレッシングとを同時に行うことができる。
上記各実施形態では、砥石50の加工面51にウェハ60の一面61とドレスボート30とを接触させ、ウェハ60の一面61の研削と、砥石50の加工面51のドレッシングとを同時に行う場合について説明したが、ウェハ60の位置やドレスボード30の位置を調節することにより、上記同時に行う場合の他に、ウェハ60の一面61の研削のみを行う場合もある。すなわち、ウェハ60の一面61を研削する工程では、これら2つの場合を含み、各場合のうちいずれかを行うようにすることができる。これにより、砥石50の砥石面51のドレッシングを間欠的に行うこともできる。
本発明の第1実施形態に係る研削工程に用いられるロータリー研削盤の概略断面図である。 本発明の第2実施形態に係る研削工程に用いられるロータリー研削盤の概略断面図である。 従来において、ロータリー研削盤を用いてウェハを研削する工程を示した図である。
符号の説明
30…ドレスボート、50…砥石、51…加工面、60…ウェハ、61…ウェハの一面。

Claims (4)

  1. 砥石(50)の加工面(51)を板状のウェハ(60)の一面(61)に押し付けて当該一面(61)をロータリー研削する研削工程を含んだウェハの製造方法であって、
    前記研削工程は、
    前記ウェハ(60)を用意する工程と、
    前記ウェハ(60)の周囲に前記砥石(50)の加工面(51)をドレッシングするドレスボート(30)を配置すると共に、前記ウェハ(60)の一面(61)と前記砥石(50)の加工面(51)とを対向させる工程と、
    前記砥石(50)の加工面(51)を前記ウェハ(60)の一面(61)に押し付けて当該一面(61)を研削する工程とを含んでおり、
    前記ウェハ(60)の一面(61)を研削する工程では、前記砥石(50)の加工面(51)に前記ウェハ(60)の一面(61)と前記ドレスボート(30)とを接触させ、前記ウェハ(60)の一面(61)の研削と、前記砥石(50)の加工面(51)のドレッシングとを同時に行う場合と、前記ウェハ(60)の一面(61)の研削のみを行う場合とを含んでいることを特徴とするウェハの製造方法。
  2. 前記ウェハ(60)の一面(61)を研削する工程では、前記ウェハ(60)の位置を固定し、前記ドレスボート(30)を前記砥石(50)の加工面(51)側に移動させることで、前記砥石(50)の加工面(51)に前記ウェハ(60)の一面(61)と前記ドレスボート(30)とを接触させることを特徴とする請求項1に記載のウェハの製造方法。
  3. 前記ウェハ(60)の一面(61)を研削する工程では、前記ドレスボート(30)の位置を固定し、前記ウェハ(60)を前記砥石(50)の加工面(51)側に移動させることで、前記砥石(50)の加工面(51)に前記ウェハ(60)の一面(61)と前記ドレスボート(30)とを接触させることを特徴とする請求項1に記載のウェハの製造方法。
  4. 前記ウェハ(60)を用意する工程では、前記ウェハ(60)として炭化珪素で形成されたものを用意することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載のウェハの製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009248282A (ja) * 2008-04-10 2009-10-29 Showa Denko Kk 研磨装置及び研磨補助装置、ならびに、研磨方法
US20120058716A1 (en) * 2009-06-15 2012-03-08 Tsuyoshi Yagi Grinding device
WO2014064855A1 (ja) * 2012-10-22 2014-05-01 坂東機工株式会社 ガラス板の研削方法及び研削装置
JP2014100786A (ja) * 2014-01-17 2014-06-05 Bando Kiko Co Ltd ガラス板の研削方法及び研削装置
JP2018187730A (ja) * 2017-05-10 2018-11-29 株式会社ディスコ 保持テーブル
JP2020104213A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 株式会社ディスコ 研削方法及び研削装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61146471A (ja) * 1984-12-19 1986-07-04 Hitachi Seiko Ltd ドレツシング装置
JPH1148123A (ja) * 1997-08-04 1999-02-23 Sony Corp 半導体基板の研磨装置及び研磨方法と半導体製造装置
JP2001347449A (ja) * 2000-06-06 2001-12-18 Applied Materials Inc ウェハー研磨装置
JP2003170338A (ja) * 2001-12-04 2003-06-17 Seiko Epson Corp 研削方法及び装置
JP2003229396A (ja) * 2002-02-05 2003-08-15 Hitachi Cable Ltd ウェハ研削装置及びウェハ研削方法
JP2007144564A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Ebara Corp 研磨装置
JP2009088067A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Okamoto Machine Tool Works Ltd 半導体基板ホルダー機構およびそれを用いて基板を研削する方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61146471A (ja) * 1984-12-19 1986-07-04 Hitachi Seiko Ltd ドレツシング装置
JPH1148123A (ja) * 1997-08-04 1999-02-23 Sony Corp 半導体基板の研磨装置及び研磨方法と半導体製造装置
JP2001347449A (ja) * 2000-06-06 2001-12-18 Applied Materials Inc ウェハー研磨装置
JP2003170338A (ja) * 2001-12-04 2003-06-17 Seiko Epson Corp 研削方法及び装置
JP2003229396A (ja) * 2002-02-05 2003-08-15 Hitachi Cable Ltd ウェハ研削装置及びウェハ研削方法
JP2007144564A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Ebara Corp 研磨装置
JP2009088067A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Okamoto Machine Tool Works Ltd 半導体基板ホルダー機構およびそれを用いて基板を研削する方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009248282A (ja) * 2008-04-10 2009-10-29 Showa Denko Kk 研磨装置及び研磨補助装置、ならびに、研磨方法
US20120058716A1 (en) * 2009-06-15 2012-03-08 Tsuyoshi Yagi Grinding device
US9108294B2 (en) * 2009-06-15 2015-08-18 Ntn Corporation Grinding device
WO2014064855A1 (ja) * 2012-10-22 2014-05-01 坂東機工株式会社 ガラス板の研削方法及び研削装置
JP5967212B2 (ja) * 2012-10-22 2016-08-10 坂東機工株式会社 ガラス板の研削方法及び研削装置
JP2014100786A (ja) * 2014-01-17 2014-06-05 Bando Kiko Co Ltd ガラス板の研削方法及び研削装置
JP2018187730A (ja) * 2017-05-10 2018-11-29 株式会社ディスコ 保持テーブル
JP2020104213A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 株式会社ディスコ 研削方法及び研削装置

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