KR100838028B1 - 연마공구와 이것을 사용하는 연마방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (59)
- 지지부재(4) 및 상기 지지부재(4)에 고정된 연마수단(6)을 구비하고, 상기 연마수단(6)은 밀도가 0.20g/㎤ 이상이고 경도가 30이상인 펠트와 상기 펠트 중에 분산시킨 숫돌입자로 구성되어 있으며, 상기 연마수단(6)의 연마면(8)은 상기 펠트의 코오스면(H)과 웨일면(V) 쌍방을 포함하고 있고, 여기서 경도는 JIS규격 K6253의 5(듀로메타경도시험)에 따라 측정된 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 1항에 있어서,상기 펠트의 밀도는 0.40g/㎤인 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 1항에 있어서,상기 펠트의 경도는 50이상인 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 1항에 있어서,상기 연마수단(6)은 0.05 내지 1.00g/㎤ 의 숫돌입자를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 4항에 있어서,상기 연마수단(6)은 0.20 내지 0.70g/㎤의 숫돌입자를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 1항에 있어서,상기 펠트는 중량비율로 90%이상의 양모를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 숫돌입자는 0.01 내지 100㎛의 입자지름을 갖는 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 1항에 있어서,상기 숫돌입자는 실리카, 알루미나, 포스테라이트, 스테아타이트, 물라이트, 입방정질화붕소, 다이아몬드. 질화규소, 탄화규소, 탄화붕소, 탄산바륨, 탄산칼슘, 산화철, 산화마그네슘, 산화지르코니아, 산화세륨, 산화크롬, 산화주석, 산화티탄 중 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 1항에 있어서,상기 지지부재(4)는 원형지지면을 갖고, 상기 연마수단(6)은 상기 원형지지면에 접합된 원판형상인 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 피가공물을 회전시킴과 동시에 연마수단(6)을 회전시키고, 상기 피가공물의 연마해야할 면에 상기 연마수단(6)을 프레스하는 연마방법에 있어서,상기 연마수단(6)은 밀도가 0.20g/㎤이고 경도가 30이상인 펠트에 숫돌입자를 분산시켜 구성되어 있으며, 상기 연마수단(6)의 연마면은 상기 펠트의 코오스면(H)과 웨일면(V) 쌍방을 포함하고 있고, 여기서 경도는 JIS규격 K6253의 5(듀로메타경도시험)에 따라 측정된 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 11항에 있어서,상기 피가공물은 반도체 웨이퍼(W)이고, 상기 연마해야할 면은 연삭된 이면인 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 11항에 있어서,상기 펠트의 밀도는 0.40g/㎤인 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 11항에 있어서,상기 펠트의 경도는 50이상인 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 11항에 있어서,상기 연마수단(6)은 0.05 내지 1.00g/㎤의 숫돌입자를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 15항에 있어서,상기 연마수단(6)은 0.20 내지 0.70g/㎤의 숫돌입자를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 11항에 있어서,상기 펠트는 중량비율로 90%이상의 양모를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 삭제
- 제 11항에 있어서,상기 숫돌입자는 0.01 내지 100㎛의 입자지름을 갖는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 11항에 있어서,상기 숫돌입자는 실리카, 알루미나, 포스테라이트, 스테아타이트, 물라이트, 입방정질화붕소, 다이아몬드, 질화규소, 탄화규소, 탄화붕소, 탄산바륨, 탄산칼슘, 산화철, 산화마그네슘, 산화지르코니아, 산화세륨, 산화크롬, 산화주석, 산화티탄 중 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 11항에 있어서,상기 피가공물과 상기 연마수단(6)은 상호 역방향으로 회전하게 되는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 21항에 있어서,상기 피가공물의 회전속도는 5 내지 200rpm이고, 상기 연마수단(6)의 회전속도는 2000 내지 20000rpm인 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 22항에 있어서,상기 피가공물의 회전속도는 10내지 30rpm이고, 상기 연마수단(6)의 회전속도는 5000 내지 8000rpm인 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 연마수단(6)은 100 내지 300g/㎠의 프레스력으로 피가공물에 프레스되는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 24항에 있어서, 상기 연마수단(6)은 180 내지 220g/㎠의 프레스력으로 피가공물에 프레스되는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 11항에 있어서,상기 피가공물은 원판형상의 반도체 웨이퍼(W)이고, 상기 연마수단(6)은 원판형상이며, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 외경과 상기 연마수단(6)의 외경은 동일하고, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 중심축선과 상기 연마수단(6)의 중심축선은 상기 반도체 웨이퍼(W)의 반경의 1/3 내지 1/2 변위하여 위치하게 되는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 21항에 있어서,상기 연마수단(6)은 상기 회전중심축선에 대하여 수직이고, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 중심축선과 상기 연마수단(6)의 중심축선의 변위방향에 대하여 수직인 방향으로, 상기 피가공물에 대하여 상대적으로 왕복으로 움직이게 되어있는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 27항에 있어서,상기 연마수단(6)은 상기 반도체 웨이퍼(W)의 직경과 동일 및 상기 반도체 웨이퍼(W)의 직경보다 큰 진폭으로 30 내지 60초에 한번 왕복하는 속도로 움직이는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 연삭부재에 의해 연삭하는 연삭공정과,상기 연삭공정 후에 상기 반도체 웨이퍼(W)를 회전하게 함과 동시에 펠트에 숫돌입자를 분산시켜 구성되어 있는 연마수단(6)을 회전시키고, 상기 연마수단(6)을 상기 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 프레스하는 연마공정을 포함하는 연삭·연마방법.
- 제 29항에 있어서,상기 연삭공정 후에 또한 상기 연삭공정 전에, 상기 반도체웨이퍼(W)의 이면에 세정액을 분사하는 세정공정과,상기 세정공증의 후에 또한 상기 연마공정의 전에, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 공기를 분사하는 건조공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 연삭·연마방법.
- 회전가능하게 장착된, 피가공물을 보호유지하기 위한 척수단(44)과, 회전가능하게 장착된 연마공구(2)을 구비하고,상기 연마공구(2)은 밀도가 0.20g/㎤이상이고 경도가 30이상인 펠트에 숫돌입자를 분산시켜 구성된 연마수단(6)을 갖고,상기 척수단(44)이 회전하게 됨과 동시에 상기 연마공구(2)가 회전하게 되고, 상기 척수단(44)에 보호유지되어있는 피가공물에 상기 연마공구(2)의 상기 연마수단(6)이 프레스되어 피가공물이 연마되며, 여기서 경도는 JIS규격 K6253의 5(듀로메타경도시험)에 따라 측정된 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 31항에 있어서,상기 척수단(44) 상에는 상기 피가공물인 반도체 웨이퍼(W)가 보호유지되고, 상기 연마수단(6)은 상기 반도체 웨이퍼(W)의 연삭된 이면을 연마하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 31항에 있어서,상기 척수단(44)과 상기 연마수단(6)과는 상호 역방향으로 회전하게 되는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 33항에 있어서,상기 척수단(44)의 회전속도는 5 내지 200rpm이고, 상기 연마공구(2)의 회전속도는 2000 내지 20000rpm인 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 34항에 있어서,상기 척수단의 회전속도는 10내지 30rpm이고, 상기 연마공구의 회전속도는 5000 내지 8000rpm인 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 31항에 있어서,상기 연마수단(6)은 100 내지 300g/㎠의 프레스력으로 상기 피가공물에 프레스하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 36항에 있어서,상기 연마수단(6)은 180 내지 220g/㎠의 프레스력으로 상기 피가공물에 프레스하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 31항에 있어서,상기 피가공물은 원판형상의 반도체 웨이퍼(W)이고, 상기 연마수단(6)은 원판형상이고, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 외경과 상기 연마수단(6)의 외경은 동일하고, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 중심축선과 상기 연마수단(6)의 중심축선은 상기 반도체 웨이퍼(W)의 반경의 1/3 내지 1/2 변위하여 위치하게 되는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 38항에 있어서,상기 연마공구(2)는 상기 회전중심축선에 대하여 수직이고, 동시에 상기 반도체 웨이퍼(W)의 중심축선과 상기 연마수단(6)의 중심축선의 변위방향에 대하여 수직인 방향으로, 상기 척수단(44)에 대하여 상대적으로 왕복으로 움직이게 되는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 39항에 있어서,상기 연마수단(6)은 상기 반도체 웨이퍼(W)의 직경과 동일 및 상기 반도체 웨이퍼(W)의 직경보다 큰 진폭으로 30 내지 60초에 한번 왕복하는 속도로 왕복으로 움직이게 되는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 연삭하고, 이어서 연마하기 위한 연삭·연마기에 있어서,간헐적으로 회전시키게되는 턴테이블(42)과, 상기 턴테이블(42)에 회전가능하게 장착된 적어도 1개의 척수단(44)과, 상기 적어도 1개의 연삭장치(18a, 18b)와, 연마장치(66)를 구비하고,연삭하고 연마해야할 상기 반도체 웨이퍼(W)는 이면을 드러낸 상태로 상기 척수단(44) 위에 보호유지되고,상기 턴테이블(42)이 간헐적으로 회전하게 되는 것에 의해, 상기 척수단(44)이 적어도 1개의 연삭영역(48, 50)과 연마영역(46)에 순차로 위치하게 되고,상기 연삭장치(18a, 18b)는 연마공구(2)를 포함하고, 상기 연삭영역(48, 50)에 위치하게 되어 있는 상기 척수단(44)에 보호유지되어 있는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 상기 연삭공구(2)가 작용하게 되어 상기 반도체 웨이퍼(W)의 이면이 연삭되고,상기 연마장치(66)는 회전가능하게 장착된 연마공구(2)를 포함하고, 상기 연마공구(2)는 펠트에 숫돌입자를 분산하여 구성된 연마수단(6)을 갖고, 상기 연마영역(46)에 위치하게 되어 있는 상기 척수단(44)이 회전하게 됨과 동시에 상기 연마공구(2)가 회전하게 되고, 상기 척수단(44)에 보호유지되어있는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 상기 연마수단(6)이 프레스되어 상기 반도체 웨이퍼(W)의 이면이 연마되는 것을 특징으로 하는 연삭·연마기.
- 제 41항에 있어서,상기 연마영역(46)에 위치하게 된 상기 척수단(44)에 보호유지 되어있는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 세정액을 분사하기 위한 세정수단(116)과, 상기 연마영역(46)에 위치하게 된 상기 척수단(44)에 보호유지 되어있는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 공기를 분사하는 건조수단(118)을 구비하는 것을 특징으로 하는 연삭·연마기.
- 지지부재(304) 및 상기 지지부재(304)에 고정된 연마수단(306)을 구비하고, 상기 연마수단(306)은 각종의 동물털을 포함하는 천연섬유 및 합성섬유 중에서 선택된 적어도 2종의 섬유로 형성된 괴상체와 상기 괴상체 중에 분산되어있는 숫돌입자로 구성되어 있으며, 상기 괴상체는 복수개의 보이드가 형성된 본체와, 상기 보이드에 삽입되어 있는 삽입체로 구성되어 있고, 상기 연마수단(306)의 연마면에서는 상기 삽입체가 상기 본체에 분산되어 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 43항에 있어서,상기 본체는 제1의 섬유로 형성된 제1의 펠트(210)이고, 상기 삽입체는 제2의 섬유로 형성된 제2의 펠트(212)인 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 44항에 있어서,상기 제1의 섬유는 양모 또는 산양모이고, 상기 제2의 섬유는 산양모 또는 양모인 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 삭제
- 제 43항에 있어서,상기 본체는 제1의 섬유로 형성된 제1의 펠트(310)이고, 상기 삽입체는 제2의 섬유로 형성된 섬유다발(312)인 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 47항에 있어서,상기 제 1의 섬유는 양모 또는 산양모이고, 상기 제 2의 섬유는 양모 또는 산양모 이외의 동물털인 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 삭제
- 제 43항에 있어서,상기 괴상체는 적어도 2종의 섬유를 혼합하여 형성된 펠트(410)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 50항에 있어서,상기 괴상체는 양모와 산양모를 혼합하여 형성된 펠트(410)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 43항에 있어서,상기 괴상체는 밀도가 0.20g/㎤이상이고, 경도가 30이상이며, 여기서 경도는 JIS규격 K6253의 5(듀로메타경도시험)에 따라 측정된 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 52항에 있어서,상기 괴상체의 밀도는 0.40g/㎤이상인 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 52항에 있어서,상기 괴상체의 경도는 50이상인 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 43에 있어서,상기 연마수단은 0.05 내지 1.00g/㎤의 숫돌입자를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 55항에 있어서,상기 연마수단은 0.20 내지 0.70g/㎤의 숫돌입자를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 43항에 있어서,상기 숫돌입자는 0.01 내지 100㎛의 입자지름을 갖는 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 43항에 있어서,상기 숫돌입자는 실리카, 알루미나, 포스테라이트, 스테아타이트, 물라이트, 입방정질화붕소, 다이아몬드. 질화규소, 탄화규소, 탄화붕소, 탄산바륨, 탄산칼슘, 산화철, 산화마그네슘, 산화지르코니아, 산화세륨, 산화크롬, 산화주석, 산화티탄 중 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마공구.
- 제 43항에 있어서,상기 지지부재(404)는 원형지지면을 갖고, 상기 연마수단(406)은 상기 원형지지면에 접합된 원판형상인 것을 특징으로 하는 연마공구.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102053651B1 (ko) * | 2018-05-30 | 2019-12-09 | 이화다이아몬드공업 주식회사 | 사파이어, 실리콘카바이드, 유리 및 실리콘 웨이퍼 폴리싱을 위한 고정지립 패드 및 그 패드의 제조방법 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7252736B1 (en) * | 2004-03-31 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | Compliant grinding wheel |
US7329174B2 (en) * | 2004-05-20 | 2008-02-12 | Jsr Corporation | Method of manufacturing chemical mechanical polishing pad |
JP2007081322A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Jsr Corp | 化学機械研磨パッドの製造方法 |
JP2006108428A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの分割方法 |
US20080220701A1 (en) * | 2005-12-30 | 2008-09-11 | Chung-Ching Feng | Polishing Pad and Method for Making the Same |
JP2008108792A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
DE102009048436B4 (de) * | 2009-10-07 | 2012-12-20 | Siltronic Ag | Verfahren zum Schleifen einer Halbleiterscheibe |
CN101885164B (zh) * | 2010-06-08 | 2011-12-14 | 沈阳理工大学 | 一种仿生结构的锡固结金刚石磨料抛光垫及制造方法 |
US8684791B2 (en) * | 2011-11-09 | 2014-04-01 | Alvin Gabriel Stern | Linear, automated apparatus and method for clean, high purity, simultaneous lapping and polishing of optics, semiconductors and optoelectronic materials |
US10090207B2 (en) * | 2012-11-28 | 2018-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multi-point chemical mechanical polishing end point detection system and method of using |
CN105453234B (zh) * | 2013-08-10 | 2018-11-02 | 应用材料公司 | 抛光新的或翻新的静电夹盘的方法 |
CN103552005A (zh) * | 2013-11-08 | 2014-02-05 | 谢泽 | 一种含纤维绳、磨料以及空心微球的抛磨一体轮 |
CN104130750B (zh) * | 2014-08-15 | 2016-05-04 | 常州华森医疗器械有限公司 | 雨花石的新用途 |
CN104842239A (zh) * | 2015-04-28 | 2015-08-19 | 深圳青羽机器人自动化有限公司 | 一种打磨设备 |
JP6831835B2 (ja) * | 2015-08-14 | 2021-02-17 | エム キューブド テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 被加工物を仕上げるための、高度に制御可能な処理ツールを有する機械 |
KR101658921B1 (ko) | 2015-12-03 | 2016-09-22 | 이인영 | 압출용 마그네슘 합금 빌렛의 제조방법 |
USD866891S1 (en) * | 2016-01-22 | 2019-11-12 | 3M Innovative Properties Company | Scouring article |
USD787768S1 (en) * | 2016-04-11 | 2017-05-23 | Linda Daoud | Sponge |
CN205668186U (zh) * | 2016-05-12 | 2016-11-02 | 东莞市晶研仪器科技有限公司 | 智能bga芯片维修仪器 |
USD795518S1 (en) * | 2016-06-24 | 2017-08-22 | Un Hwa Chung | Rotary mop with durable gear drive unit |
EP3421180B1 (en) * | 2017-06-30 | 2023-07-12 | Guido Valentini | Polishing pad of a hand-held power tool and power tool with such a polishing pad |
CN109202695A (zh) * | 2017-06-30 | 2019-01-15 | 盖多·瓦伦蒂尼 | 手持式动力工具的抛光垫和带有这种抛光垫的动力工具 |
USD843672S1 (en) * | 2017-07-31 | 2019-03-19 | 3M Innovative Properties Company | Floor pad |
USD843073S1 (en) * | 2017-08-09 | 2019-03-12 | 3M Innovative Properties Company | Floor pad |
USD843673S1 (en) * | 2017-08-09 | 2019-03-19 | 3M Innovtive Properties Company | Floor pad |
USD844272S1 (en) * | 2017-08-09 | 2019-03-26 | 3M Innovative Properties Company | Floor pad |
USD854768S1 (en) * | 2017-08-09 | 2019-07-23 | 3M Innovative Properties Company | Floor pad |
CN108044473A (zh) * | 2018-01-05 | 2018-05-18 | 苏州川鹏塑料有限公司 | 用于塑品表面光泽处理的设备 |
CN110877282A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-03-13 | 郝松涛 | 弯管自动仿形砂光或抛光设备 |
CN111805413A (zh) * | 2020-07-23 | 2020-10-23 | 中国科学院微电子研究所 | 化学机械研磨方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06155311A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-03 | Kanai Hiroyuki | 不織布研磨材 |
JPH06155310A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-03 | Kanai Hiroyuki | 不織布研磨材 |
JPH11309653A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-09 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハの平面加工装置 |
JP2000343440A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨砥石及び研磨砥石の製造方法 |
JP2001018162A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-23 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 平面加工装置 |
KR20010022571A (ko) * | 1997-08-06 | 2001-03-26 | 콘래드 캐딩 | 개선된 연마용 패드 및 연마 방법 |
JP2001259999A (ja) * | 2000-01-03 | 2001-09-25 | Freudenberg Nonwovens Lp | 高強度及び寸法安定性を有する研磨、艶出し用不織マテリアル |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5656382A (en) | 1979-10-11 | 1981-05-18 | Asahi Glass Co Ltd | Manufacture of laminated grinding buff |
US4728552A (en) * | 1984-07-06 | 1988-03-01 | Rodel, Inc. | Substrate containing fibers of predetermined orientation and process of making the same |
DE3438381A1 (de) * | 1984-10-19 | 1986-04-24 | Jack 3330 Helmstedt Brand | Filzkoerper als technisches hilfsmittel sowie verfahren und vorrichtung zu dessen herstellung |
US5369916A (en) * | 1988-08-01 | 1994-12-06 | Dentsply Research & Development Corp. | Polishing element |
JPH03190675A (ja) | 1989-12-20 | 1991-08-20 | Kanai Hiroyuki | 不織布研磨材 |
US6069080A (en) * | 1992-08-19 | 2000-05-30 | Rodel Holdings, Inc. | Fixed abrasive polishing system for the manufacture of semiconductor devices, memory disks and the like |
JP2914166B2 (ja) * | 1994-03-16 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 研磨布の表面処理方法および研磨装置 |
DE69611381T2 (de) * | 1995-12-04 | 2001-08-09 | Minnesota Mining & Mfg | Schleifteller mit schaumstoffschicht für schleifartikel |
JPH09193008A (ja) | 1996-01-17 | 1997-07-29 | Sony Corp | 平坦化研磨装置およびその方法 |
JP3560051B2 (ja) * | 1996-11-15 | 2004-09-02 | 株式会社荏原製作所 | 基板の研磨方法及び装置 |
US6126532A (en) * | 1997-04-18 | 2000-10-03 | Cabot Corporation | Polishing pads for a semiconductor substrate |
JP3076291B2 (ja) | 1997-12-02 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | 研磨装置 |
US6156056A (en) * | 1998-01-09 | 2000-12-05 | Ethicon, Inc. | Suture buttress |
JP3401706B2 (ja) | 1998-01-19 | 2003-04-28 | 株式会社東京精密 | 平面研削装置 |
US6705934B1 (en) * | 1998-08-28 | 2004-03-16 | Toray Industries, Inc. | Polishing pad |
JP2000254857A (ja) | 1999-01-06 | 2000-09-19 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 平面加工装置及び平面加工方法 |
JP2000301459A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-10-31 | Nippei Toyama Corp | 砥石およびこれを用いた研磨方法 |
US6328634B1 (en) * | 1999-05-11 | 2001-12-11 | Rodel Holdings Inc. | Method of polishing |
TW428306B (en) * | 1999-07-01 | 2001-04-01 | Viking Tech Corp | Packaging method for thin-film passive device on silicon |
IT249604Y1 (it) * | 2000-04-28 | 2003-05-20 | Cressi Sub Spa | Giubbetto equilibratore per sub con valvole di scarico rapido adazionamento sincronizzato |
US6764388B2 (en) * | 2002-05-09 | 2004-07-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | High-pressure pad cleaning system |
JP2004023009A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Nikon Corp | 研磨体、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 |
US7182673B2 (en) * | 2004-06-29 | 2007-02-27 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for post-CMP cleaning of a semiconductor work piece |
-
2002
- 2002-03-13 SG SG200201425-6A patent/SG131737A1/en unknown
- 2002-03-14 DE DE10211342.4A patent/DE10211342B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-15 TW TW091104995A patent/TW528656B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-03-20 US US10/100,901 patent/US7713107B2/en active Active
- 2002-03-28 KR KR1020020017003A patent/KR100838028B1/ko active IP Right Grant
- 2002-03-28 CN CNB021198187A patent/CN1246885C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-03-05 HK HK03101637.4A patent/HK1054815B/zh not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-11-29 US US11/987,382 patent/US7736215B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06155311A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-03 | Kanai Hiroyuki | 不織布研磨材 |
JPH06155310A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-03 | Kanai Hiroyuki | 不織布研磨材 |
KR20010022571A (ko) * | 1997-08-06 | 2001-03-26 | 콘래드 캐딩 | 개선된 연마용 패드 및 연마 방법 |
JPH11309653A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-09 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハの平面加工装置 |
JP2000343440A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨砥石及び研磨砥石の製造方法 |
JP2001018162A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-23 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 平面加工装置 |
JP2001259999A (ja) * | 2000-01-03 | 2001-09-25 | Freudenberg Nonwovens Lp | 高強度及び寸法安定性を有する研磨、艶出し用不織マテリアル |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102053651B1 (ko) * | 2018-05-30 | 2019-12-09 | 이화다이아몬드공업 주식회사 | 사파이어, 실리콘카바이드, 유리 및 실리콘 웨이퍼 폴리싱을 위한 고정지립 패드 및 그 패드의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7736215B2 (en) | 2010-06-15 |
TW528656B (en) | 2003-04-21 |
HK1054815B (zh) | 2006-11-03 |
DE10211342B4 (de) | 2017-06-29 |
DE10211342A1 (de) | 2002-10-24 |
US7713107B2 (en) | 2010-05-11 |
CN1384534A (zh) | 2002-12-11 |
HK1054815A1 (en) | 2003-12-12 |
US20080085662A1 (en) | 2008-04-10 |
SG131737A1 (en) | 2007-05-28 |
KR20020077190A (ko) | 2002-10-11 |
CN1246885C (zh) | 2006-03-22 |
US20020173244A1 (en) | 2002-11-21 |
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