CN105453234B - 抛光新的或翻新的静电夹盘的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施方式提供适于抛光静电夹盘的抛光环组件及使用的方法。在一个实施方式中，抛光环组件具有保持环组件及静电夹盘固定装置。该保持环组件包含内径及顶部表面、多个外部驱动环，其中所述多个外部驱动环被放置于陶瓷保持环的顶部表面上。该静电夹盘固定装置包含相邻于该陶瓷保持环的内径的静电夹盘驱动平板。该静电夹盘驱动平板具有闭锁以将保持环组件与静电夹盘固定装置固定，而不会经由该闭锁机制由一个组件传递重物跨至其他组件。

Description

抛光新的或翻新的静电夹盘的方法
发明背景
发明领域
在此公开的实施方式一般涉及准备使用于半导体处理室的静电夹盘的设备及方法。
相关技术的描述
半导体处理涉及众多不同的化学及物理处理，由此，微型集成电路在基板上生成。形成集成电路的材料层通过化学气相沉积、物理气相沉积、外延生长及类似方法产生。一些材料层使用光刻胶掩模及湿或干蚀刻技术而图案化。用以形成集成电路的基板可为硅、砷化镓、磷化铟、玻璃、或其他合适的材料。
一般半导体处理室包含：室主体，所述室主体限定处理区、气体分配组件，所述气体分配组件适用以供应气体从气体供应源进入处理区、气体增强器(例如，等离子体产生器)，所述气体增强器用以激发处理气体以处理放置于基板支持组件的基板、及气体排气。该基板支持组件可包含夹盘，该夹盘在处理期间维持基板于该基板支持组件。半导体处理室中常用的夹盘的一个例子为静电夹盘。静电夹盘的质量及效能对基板装置效能及良率具有重大的影响。静电夹盘也提供背侧的气体，该气体流经该基板下方以在处理期间帮助维持该基板的温度。静电夹盘的边缘具有密封以防止背侧气体由基板下方流逸。然而，背侧气体的渗漏率常常是不可接受的，即便是新的静电夹盘。
图1图示了传统静电夹盘100。静电夹盘100包含定位盘(puck)120及铝盘130。定位盘120具有底部表面131及顶部表面121。在处理期间顶部表面121支持基板。铝盘130具有底部表面132及顶部表面122。在静电夹盘100的组装期间，在定位盘120的底部表面131与铝盘130的顶部表面122之间，形成接合140以连结定位盘120至铝盘130。然而，接合140时常引起定位盘120的顶部表面121弓起(如图标的参考符号145)。
在等离子体处理期间，平坦的基板(未显示)与定位盘120接触且形成沿着定位盘120的外侧边缘147的密封。然而，定位盘120中的弓起145时常导致该平坦基板与外侧边缘147无法维持持续接触，因此防止定位盘120与基板之间建立良好的密封，而同时增加由基板与定位盘120之间流出的冷却气体的渗漏率。过度的冷却气体漏出增加于定位盘120的顶部表面121上处理的基板的缺陷率。然而，试图由定位盘120移除弓起145导致圆化顶部表面121的边缘147，不利地增加冷却气体的渗漏率。
在等离子体处理期间，受激发的气体通常包含高腐蚀性气体种类而蚀刻及侵蚀静电夹盘100的暴露部分。如果静电夹盘100因试图移除弓起而具有圆化边缘，静电夹盘可能需要工作的更频繁。
因此，有必要改进静电夹盘的背侧气体密封。
发明概述
本发明的实施方式提供适于抛光静电夹盘的抛光环组件及使用的方法。在一个实施方式中，抛光环组件具有保持环组件及静电夹盘固定装置。该保持环组件包含内径及顶部表面、多个外部驱动环，其中所述多个外部驱动环被放置于陶瓷保持环的顶部表面上。该静电夹盘固定装置包含相邻于该陶瓷保持环的内径的静电夹盘驱动平板。该静电夹盘驱动平板具有闭锁以将保持环组件与静电夹盘固定装置固定，而不会经由该闭锁机制由一个组件传递重物跨至其他组件。
在另一个实施方式中，提供平坦化静电夹盘的方法。该方法包含对着抛光垫放置静电夹盘的顶部表面，该静电夹盘被也对着该抛光垫设置的保持环外切，旋转该抛光垫同时与该静电夹盘及保持环接触，且施加研磨浆至该抛光垫，同时静电夹盘与该保持环接触。
附图简要说明
为使本发明上述特征的方式可被详细理解，本发明的更特定的描述，简短总结于上，可通过参考实施方式而理解，其中一些在附图中图示。
图1为传统静电夹盘的横截面视图；
图2为具有一个抛光静电夹盘实施方式的示范半导体处理室的横截面视图；
图3为图2中展示的该抛光静电夹盘的分解透视视图。
图4图示用于平坦化及抛光静电夹盘的抛光环组件；
图5图示用于准备翻新静电夹盘的方法；以及
图6为用于抛光静电夹盘的方法。
然而需注意附图仅图示本发明一般实施方式，因此不应认定为限制其范围，因为本发明可容许其他同等有效的实施方式。
为了便于理解，尽可能的使用相同的参考数字符号以标示附图中普遍的相同元件。预期一个实施方式中的元件可有利于在其他实施方式中利用，而无须进一步的叙述。
具体描述
在此公开的实施方式一般涉及改进静电夹盘与放置于该静电夹盘上的基板间的密封。改进的密封减低背侧冷却气体(例如，氦)的渗漏率，该背侧冷却气体在静电夹盘与基板间流动。静电夹盘已平坦化且抛光，以提供沿着静电夹盘与基板的外部密封带的平滑密封表面。密封带的平滑平坦表面增加该密封带表面的总量，该密封带表面与该基板接触且产生该密封。因此，提供该密封带与该基板间的改进密封。该改进密封减低冷却气体渗漏率，因此减低基板制作的缺陷并改进基板支持组件使用寿命，同时减低维护及制造成本。
图2为示范半导体处理室200的横截面视图，具有设置于此的抛光静电夹盘250的一个实施方式。虽然于此描述抛光静电夹盘250的一个实施方式，预期可适用具有其他配置的静电夹盘以得益于本发明。
处理室200包含室主体202及封闭内部空间206的盖子204。室主体202一般由铝、不锈钢或其他合适材料制成。室主体202一般包含侧壁208及底部210。基板进出端口(未显示)一般限定于侧壁208及由狭缝阀可选择地密封，以利于基板244从处理室200的入口及出口。室主体202的尺寸及处理室200的相关部件并不受限，且一般成比例地较欲处理的基板244的尺寸大。基板尺寸的例子包含具有150mm直径、200mm直径、300mm直径及450mm直径(诸如此类)的基板。
排气口226限定于室主体202且使内部空间206与泵系统228耦合。泵系统228一般包含一个或更多个泵及节流阀用以抽空及调节处理室200的内部空间206的压力。在一个实施方式中，泵系统228维持内部空间206的内部压力于工作压力，该工作压力一般介于大约10mTorr至大约20mTorr之间。
盖子204被支持于侧壁208上，且将室主体202密封。盖子204可开启以允许超过处理室200的内部空间206的量。气体面板158耦接至处理室200以提供处理及/或清理气体经由气体分配组件230至内部空间206。处理气体的范例可在处理室中用以处理，包括含卤素气体，如C2F6、SF6、SiCl4、HBr、NF3、CF4、CHF3、CH2F3、Cl2及SiF4，诸如此类，及其他气体如O2或N2O。载气的范例包括N2、He、Ar、其他对处理为惰性的气体及非反应气体。气体分配组件230可在气体分配组件230的下游表面上具有多个孔洞232，以引导气体流向基板244的表面。气体分配组件230可由陶瓷材料制成及/或涂覆，如硅碳化物、大量的钇或氧化物以提供对含卤化物的阻抗，且防止气体分配组件230腐蚀。
基板支持组件248设置于处理室200的内部空间206中气体分配组件230下方。在处理期间基板支持组件248维持基板244。基板支持组件248一般包含设置多个升降销(未显示)，因此经配置以由基板支持组件248举起基板244且便于以传统方式交换基板244与机器手臂(未显示)。
在一个实施方式中，基板支持组件248包含座板262、支座252及静电夹盘250。静电夹盘250进一步包含基座264及定位盘266。座板262与室主体202的底部210耦接，且包含用于定路径功能至基座264及定位盘266的通路，例如流体、电力线及传感器引线，诸如此类。
定位盘266包括至少一个夹盘电极280，该夹盘电极280由位于处理室200外部的夹盘电源282控制。该夹盘电极280(或其他设置于定位盘266或基座264的电极)可进一步经由匹配电路288与一个或更多个射频电源284、286耦接，该匹配电路288用于维持形成于处理的等离子体及/或处理室200内的其他气体。电源284、286一般能够产生具有从大约50kHz至大约3GHz的频率的射频信号，及最高大约10,000瓦的功率。
至少一个基座264或定位盘266可包含至少一个可选的嵌入式加热器276、至少一个可选的嵌入式隔离器274及多个管道268、270以控制基板支持组件248的侧面温度轮廓。管道268、270流体地与流体源272耦接，经由该流体源272循环温度调节流体。嵌入式隔离器274在管道268、270之间设置。加热器276由电源278调节。管道268、270及加热器276用以控制基座264的温度，因此加热及/或冷却定位盘266。定位盘266及基座264的温度可使用多个温度传感器290、292以监测。
图3为图2中展示的抛光静电夹盘250的分解透视视图。静电夹盘250包含定位盘266及附着于定位盘266的基座264。定位盘266具有碟状外型带有环状周边322，该环状周边322实质匹配放置于其上的基板(未显示)的外型及尺寸。定位盘266可进一步包括密封带316、多个台面(mesa)310及气体通路308。形成于定位盘266的前侧表面306的气体通路308(例如，沟槽)流体地与传热(或背侧)气体(例如氦)源耦接。气体通路308包含径向通道，所述径向通道具有大约5度至大约10度的间隔且终止于内部圆形沟槽312。在操作时，可提供背侧气体进入气体通路308以经由多个背侧气体管道327增强定位盘266及基板244之间的传热。密封带316可位于定位盘266的环状周边322上，例如，离外部边缘323大约1.5mm，且提供基板244与定位盘266之间的密封，以防止气体通路308中的背侧气体过分地逸散进入处理室200的内部空间206。
在一个实施方式中，定位盘266可由陶瓷材料制成。陶瓷材料的合适范例包含氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氧化钛(TiO)、氮化钛(TiN)、碳化硅(SiC)及类似物。在另一个实施方式中，定位盘266可由包含稀土金属的陶瓷材料制成。而在另一个实施方式中，定位盘266可由Y2O3制成。
基底264具有碟状主要部分324及环状凸缘320，该环状凸缘320由主要部分324向外延伸且附着于定位盘266的下方。基底264可由具有实质匹配上覆的定位盘266的热性质的材料制成。在一个实施方式中，基底264可由金属制成，例如铝或不锈钢或其他合适材料。此外，基底264可由陶瓷及金属材料的合成物制成，该合成物提供良好的强度及持久性以及传热性质。该合成物材料具有可实质匹配上覆的定位盘266的热膨胀系数，以减低热膨胀的不匹配且减轻静电夹盘250的扭曲或基座264与定位盘266的分离。而在另一个实施方式中，基座264可由包含不同陶瓷及金属合成物的合成材料制成，例如具有分散陶瓷粒子的金属。
参照回图2，基座264可由连结材料238与定位盘266耦接。连结材料238便于在定位盘266与基座264之间交换热能，且减低两者间热膨胀的不匹配。在一个示范的实施方式中，连结材料238机械地连结基座264至定位盘266。在另一个实施方式中，连结材料238可为具有至少一个丙烯基化合物及硅基化合物的热传导膏或带。而在另一个实施方式中，连结材料238可为具有至少一个混合或加入金属或陶瓷充填物的丙烯基化合物及硅基化合物的热传导膏或带。该金属充填物可为铝、镁、钽、钛或其组合的至少一者，而该陶瓷充填物可为氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、硼化钛(TiB2)或其组合的至少一者。
以连结材料238连结定位盘266至基座265后，静电夹盘250的表面可变得弓起且可不再平坦化，增加冷却气体渗漏的机率。另外，在等离子体期间，受激发的气体通常包括蚀刻及侵蚀基板支持组件的暴露部分的高腐蚀性气体种类。特定地，密封带的冲蚀对维持冷却气体的有效密封是有问题的。
现在改进密封带的密封性质的传统作法是使用硬的陶瓷板与研磨浆以减低密封带316的表面粗糙度以抛光该密封带，因此增强基板与静电夹盘之间的接触。然而，使用硬的陶瓷抛光板抛光无法提供强健的密封表面。发明人发现可通过使用软垫抛光该密封带实现极致平滑的密封表面抛光。然而，软垫倾向使密封带316及静电夹盘250的外部边缘323圆化，而导致静电夹盘250的前侧表面306的非平坦化，因而提供静电夹盘250与基板之间的不良密封，因此允许所不期望的冷却气体渗漏。为了防止外部边缘323及静电夹盘250的密封带316的圆化，同时使用软垫(例如聚氨酯抛光垫)抛光密封表面以提供极致平滑的抛光，发明人发现抛光环组件减轻圆化，因此提供强健的密封表面并延长静电夹盘250的使用寿命。
图4图示用于平坦化及抛光静电夹盘250的抛光环组件400，而产生上述的强健的密封表面。静电夹盘250与基座264及连结的定位盘266，可使用抛光环组件400处理以改进新的、未使用的夹盘，或使用抛光环组件400处理以在重新使用前增强翻新夹盘的效能。抛光环组件400维持静电夹盘250，同时夹盘205在抛光器460上平坦化。抛光环组件400具有保持环组件及静电夹盘固定装置。抛光保持组件包含陶瓷保持环410及外部驱动环420。静电夹盘固定装置包含静电夹盘驱动平板430、清洁夹盘415、多个外部重物440及多个内部重物445。在抛光器460上平坦化时，抛光环组件400控制静电夹盘250的位置及动作。
抛光器460具有电机465，所述电机465由内部连接466耦接至压板462，抛光垫461处于该压板462上。抛光垫461可为圆形的外型且具有较抛光环组件400大的尺寸。
陶瓷保持环410的顶部表面411可与前侧表面306同平面。外部驱动环420设置于陶瓷保持环410的顶部且沿着外部周边412。静电夹盘驱动平板430可层叠于静电夹盘250之上且包含闭锁机制480，该闭锁机制480使静电夹盘250及多个外部重物440互锁。闭锁机制480固定了保持环组件与静电夹盘固定装置，而不会经由该闭锁机制480由一个组件传递重物跨至其他组件。闭锁机制480可为多个驱动插销434及驱动钥匙432的形式，或其他适合固定静电夹盘250及外部重物440的装置。每个驱动插销434可分别啮合在静电夹盘驱动平板430中的第一孔洞433(诸如是孔或槽)和在清洁固定装置415中的第二孔洞445，以锁定静电夹盘驱动平板430与清洁固定装置415的定向。此外，每个驱动钥匙432可分别啮合在静电夹盘驱动平板430中的第一开口437(诸如是孔或槽)和在重物440中的第二开口431，以锁定静电夹盘驱动平板430与重物440的定向。因此，闭锁机制480将静电夹盘驱动平板430、重物440和清洁固定装置415固定在一起。额外的内部重物445放置于静电夹盘驱动平板430的顶部。重物445、440提供固定的(即，预先定义的)压力迫使静电夹盘250对着抛光垫461。此外，静电夹盘驱动平板430可具有可不锁上的驱动钥匙。另外，陶瓷保持环410也可不锁上。静电夹盘组件旋转可因组件的移动而轻微地离开中心。然而，小的间隙确保对抛光末端结果有微小的影响。
抛光垫461可包含有足够深度与宽度的沟槽，以允许去离子水经由所述沟槽流动，同时基板被驱使对着抛光垫461。去离子水可由连接件450从静电夹盘250的背侧抽吸至静电夹盘驱动平板430的中心，静电夹盘驱动平板430流体地与背侧气体管道327连接。连接件450提供大约每分钟400至450毫升的去离子水在静电夹盘250的前侧表面306上流出背侧气体管道327。定量的水流防止变位的金刚石粒子、疏松的垫材料、及移除的静电夹盘材料进入静电夹盘的背侧气体管道327。
陶瓷保持环410在抛光时隔开排出的垫材料水波以免与基板接合。因此，当接触基板边缘时抛光垫461实质为平坦。在一个实施方式中，陶瓷保持环410可由陶瓷制成，例如99％的Al2O3以得到更长研磨寿命。在静电夹盘250位于抛光垫461上处理期间，陶瓷保持环410可施用相等压力于抛光垫461上，或陶瓷保持环410可施用稍微较低的压力于抛光垫461上，大约2PSI至3PSI。以此方式，陶瓷保持环410控制垫的形变且减低抛光垫461向陶瓷保持环410内变化的趋势，因此提供抛光静电夹盘250上实质平面的及平坦的表面，因此提供强健的前侧表面306抛光，而无须沿着边缘圆化。
可使用图5及图6中所述的用于翻新使用过的静电夹盘(例如，静电夹盘250)的方法以利用抛光环组件400。图5为用于准备翻新静电夹盘250的方法500。图6为用于改善背侧气体密封而抛光新的或翻新静电夹盘250的方法600。
静电夹盘250的顶部表面包含特征如台面310、密封带316、及气体通路308，看见于如图3中所展示的静电夹盘250的前侧表面306。在一些翻新的处理中，静电夹盘250的台面310及密封带316可通过平坦化前侧表面306至一平坦规格而移除。如果没有适当地执行，静电夹盘可具有大的圆化、高度污损的背侧气体管道、长的抛光时间及额外的材料移除。虽然预期该方法可使用多种合适的仪器来执行，方法500将使用以下仪器来描述：
●36英寸直径压板
●抛光环组件(包含如同参照图4所述的陶瓷保持环410、清洁固定装置415、外部驱动环420、静电夹盘驱动平板430、多个外部重物440及内部重物445)
●金刚石粉末100cts：类型MA 30μm
●金刚石粉末100cts：类型MA 3μm
●LP57 34”OD/12”ID(30μm)
●LP57 34”OD/12”ID(3μm)
●喷射器(30μm)
●喷射器(3μm)
●喷雾瓶(30μm)
●喷雾瓶(3μm)
●Hyprez Minimizer及带有自动搅动的电子分配器
方法500从区块1开始，其中静电夹盘为了平坦化而准备。可执行检测于静电夹盘以定位及纪录静电夹盘中的缺陷。可进行跨过静电夹盘表面的介质厚度的测量。在一个实施方式中，使用涡流计器或其他合适的厚度测量装置测量大约21个相等间隔的位置的厚度(以微米为单位)。可使用坐标测量机器(CMM)以空间精确度+/-1μm测量静电夹盘顶部“夹盘”表面的平坦度。在一个实施方式中，平坦度的测量可小于大约10μm。此外，可使用止滑表面测平器于该夹盘表面上大约4个位置处以测量密封带及台面轮廓。
背侧气体管道及其他静电夹盘顶部表面的孔洞被来自静电夹盘顶侧的橡皮塞塞住。可使用一带绕着基座遮蔽静电夹盘。该带的厚度可介于大约0.005英寸及大约0.007英寸之间，且可稍微包覆自身。在一个实施方式中，静电夹盘的外径可完全以大约1.0英寸的带包覆遮蔽。
在区块2，可使用装设于圆板上的化学机械平坦化(CMP)调节器调节该垫。该圆板的外径(OD)可为大约11.7英寸。该调节可在任何抛光或平坦化发生前完成，以移除干掉的研磨浆或钝化的金刚石。在一个实施方式中，支持该垫的压板可由电机以74RPM驱动大约5分钟，同时CMP调节器使用流率大约每分钟400毫升至大约每分钟500毫升的去离子水施加于该垫。
在区块3，抛光环组件400可被安装于静电夹盘250上。陶瓷保持环可被放置跨于该静电夹盘。陶瓷保持环及静电夹盘两者皆翻转于抛光垫上，使得静电夹盘的顶部表面与抛光垫接触。多个外部驱动环放置于陶瓷保持环的顶部上。外部驱动环在陶瓷保持环上旋转，以允许外部驱动环中的插销与陶瓷保持环中的接收器对齐。在对齐时，外部驱动环及陶瓷保持环变得发红且将外部驱动环的旋转及陶瓷保持环相互锁住。
静电夹盘驱动平板放置于静电夹盘上。静电夹盘驱动平板具有驱动插销及驱动钥匙，所述驱动插销与静电夹盘中的接收器对齐，所述驱动钥匙与放置于外部驱动环的顶部的多个外部重物对齐。在一个实施方式中，外部重物大约为55lbs至大约56.5lbs。多个内部重物放置跨于静电夹盘驱动平板。在一个实施方式中，内部重物可有从大约75lbs至大约93lbs的范围。
应监测抛光时间以防止静电夹盘边缘的圆化。内部重物及外部重物的组合对抛光环组件及触碰该垫的静电夹盘两者皆施以压力，因此减低处理该垫上的静电夹盘需要的抛光时间。在增加接触压力时通过减少接触表面面积抛光变得更有效率。在一个实施方式中，静电夹盘具有大约107.5平方英寸的面积，且可放置于抛光环组件中，该抛光环组件具有面积大约66平方英寸面积的陶瓷保持环。大约57lbs的重物放置于陶瓷保持环上，而大约75lbs的重物放置于静电夹盘上。所述重物使得静电夹盘和陶瓷保持环的各者皆相等地对该垫施以大约0.86PSI的压力。
在区块4，台面及密封带被从静电夹盘表面移除。在台面移除操作期间，具有30μm金刚石磨粒的一垫可粘着至该压板。提供具有30μm金刚石研磨物的研磨浆至已移除台面的该垫，且为静电夹盘的顶部粗糙度带来大约8微英寸的粗糙度。研磨浆包含大约1.3克至大约1.6克的30μm金刚石粉末，该金刚石粉末混合于大约425毫升至大约450毫升的去离子水。在使用30μm喷射器喷洒于该30μm金刚石垫上之前，30μm金刚石研磨浆可混合于自动搅拌器或其他合适的混合装置。喷射器可被指向该垫的中心轨道，且研磨浆可以大约8秒至大约25秒的时间区段喷洒于该垫上。研磨浆流率的范围可从大约每分钟9毫升至大约每分钟10毫升。支持30μm金刚石垫的该压板可由电机以大约54RPM驱动。可使用明亮的LED灯以检测静电夹盘上的剩余台面。移除静电夹盘上的台面的估计时间可为大约25分钟至大约1.75小时。
在从该垫上移除静电夹盘后，以去离子水清洁背侧气体管道。在一个实施方式中，清洁背侧气体管道大约1分钟。以去离子水清洁背侧气体管道防止研磨浆在背侧气体管道的孔洞中干掉。可接着清洗静电夹盘大约5分钟，且可用海绵清理静电夹盘的表面并以清理室擦拭擦干。
静电夹盘顶部表面的表面粗糙度可使用止滑表面轮廓仪或其他合适的测量装置来测量，该测量在均匀分布于静电夹盘表面上的多个位置进行。在一个实施方式中，表面粗糙度在沿着静电夹盘表面大约17个位置测量。以30μm金刚石垫及30μm金刚石研磨浆抛光后的表面粗糙度(Ra)应为大约10μin至大约13μin。如果在任一测量位置上表面粗糙度较大约13μin高，则抛光应持续直到在不同的位置上的所有表面粗糙度测量皆不再高于大约13μin。
用以移除台面及其他静电夹盘表面性质的该垫可由该压板移除。可移除用于研磨浆的30μm金刚石喷嘴，可通过移除任何粘着剂或污物清理该压板。可用平的方式安装抛光垫使得该垫下没有卡住气泡。抛光垫可具有包含3μm金刚石磨粒或其他合适的研磨物的研磨表面。该垫在开始调节该垫前对齐于该压板上。接着通过以电机大约90RPM驱动该压板大约5分钟以调节该垫，同时使用CMP类型的调节器调节该垫。
在区块5，使用具有3μm金刚石研磨物的研磨浆以平坦化静电夹盘。该研磨浆可包含大约1.3克至大约1.6克的3μm金刚石粉末与大约425毫升至大约450毫升的去离子水混合，以形成该3μm金刚石研磨浆。该研磨浆可混合于自动搅拌器或其他合适装置，以使得该研磨浆适于从3μm的研磨浆喷嘴喷洒。该研磨浆喷嘴可被引导使得喷洒的研磨浆接触该垫的中心，例如，离该垫中心大约1英寸。可在大约8秒至大约25秒的时间区段持续喷洒研磨浆。在一个实施方式中，可喷洒3μm金刚石研磨浆于以54RPM旋转的3μm金刚石垫中心上。该研磨浆的流率范围可为大约每分钟5毫升至大约每分钟50毫升。具有大约56.5lbs的外部重物及大约75lbs的内部重物的静电夹盘在清洗大约5分钟前，在3μm金刚石垫上抛光大约60分钟。
在从3μm金刚石垫移除静电夹盘后，背侧气体管道立刻以去离子水清洁。在一个实施方式中，清洁背侧气体管道大约1分钟。去离子水从管道移除研磨浆且防止管道因研磨浆干掉而阻塞。静电夹盘的前侧表面可用海绵清理。可执行额外的Al2O3 600砂上浆杆清理，直到移除所有剩余研磨浆。背侧气体管道及静电夹盘表面可被清理干空气吹干及被清理室擦拭擦干。
可使用止滑表面轮廓仪或其他适合测量装置测量表面粗糙度。可在沿着静电夹盘表面的大约17个均匀分布的位置进行测量。各个测量位置处的表面粗糙度应为介在大约6μin至大约9μin的范围。静电夹盘可如区块5所述重复平坦化，直到所有测量表面粗糙度的位置少于大约9μin。
可再次使用涡流计器或其他合适的厚度测量装置测量相等间隔的位置的介质厚度。在一个实施方式中，可使用CMM沿着静电夹盘表面在大约21个均匀分布的位置处测量静电夹盘顶部(或夹盘)表面的平坦度。静电夹盘可重复如步骤5所述的平坦化处理直到所有平坦度测量小于大约10μm。
在区块6，抛光环组件可从该垫及静电夹盘移除。首先移除多个外部重物及内部重物。可沿着驱动插销及钥匙移除静电夹盘驱动平板。可在翻转静电夹盘(即，定向顶部表面向上)前移除外部驱动环，以移除陶瓷保持环。在静电夹盘移除期间，将静电夹盘从该垫上拉开会得到警告，因为在静电夹盘及该垫之间的真空可证实此困难度，且可容易发生静电夹盘表面的损坏。
在区块7，可封装静电夹盘。被封装的静电夹盘已准备好用于最后抛光。
用于抛光新的或翻新静电夹盘的方法600于图6的流程图中描述。静电夹盘已准备好用于最后抛光，其中所有表面性质，例如台面及密封带尚未出现而将形成于上。虽然预期该方法可使用多种合适的仪器来执行，方法600将使用以下仪器来描述：
●36英寸直径压板
●抛光环组件400(包含如图4中所展示的陶瓷保持环410、清洁夹盘415、外部驱动环420、静电夹盘驱动平板430、多个外部重物440及内部重物445)
●Hyprez Diamond 0.5(S7520)60-SO研磨浆，该研磨浆经认证用于半导体
●抛光垫，带有12英寸内径的34英寸直径(仅0.5μm研磨浆)
●喷射器(仅0.5μm研磨浆)
●喷雾瓶(仅0.5μm研磨浆)
●Hyprez Minimizer及带有自动搅动的电子分配器
在区块1，可检测静电夹盘。可执行检测于静电夹盘上以定位及纪录静电夹盘中的缺陷。一些接下来的测量可已在图5的台面及密封带移除方法500中执行，因此不需再次执行。然而，针对新的静电夹盘，表面粗糙度可使用止滑表面轮廓仪或其他合适的测量装置来测量，该测量在均匀分布于该表面上的多个位置进行。此外，可在多个位置测量及记录边缘轮廓。在一个实施方式中，可在4个等距位置测量边缘轮廓，且可在沿着静电夹盘表面的大约17个均匀分布的位置处测量表面粗糙度。
可安装0.5μm研磨浆垫(LP57)且与该压板对齐。然而，额外的软研磨浆垫也可用于抛光，例如，用于半导体相关材料的未填充聚氨酯垫。该研磨浆垫可不具有填充物，具有密度范围大约0.41g/cm3至大约0.61g/cm3、硬度大约65至大约95的支柱、可压缩性大约4％至大约15％、及弹性回跳大约80％至大约95％。该研磨浆垫与该压板不对齐误差可为不小于大约5mm。在区块2，可使用装设于圆板上的化学机械平坦化(CMP)调节器以调节该0.5μm垫。该圆板的外径(OD)可具有大约11.7英寸的直径。CMP调节碟的外径与该圆板正切。该调节可在抛光或平坦化前执行，以移除干掉的研磨浆或钝化的金刚石。在一个实施方式中，支持该垫的该压板可由电机以74RPM驱动大约5分钟，同时CMP调节器提供大约每分钟400毫升至大约每分钟500毫升流率的去离子水以施加于该垫。
在区块3，静电夹盘可准备用以抛光。背侧气体管道及其他静电夹盘顶部表面的孔洞被来自静电夹盘顶侧的橡皮塞塞住。可使用一带绕着基座遮蔽静电夹盘。该带的厚度可介于大约0.005英寸及大约0.007英寸之间，且可稍微包覆自身。在一个实施方式中，静电夹盘的外径可完全以大约1.0英寸的带包覆遮蔽。
在区块4，抛光环组件可被安装于静电夹盘上。陶瓷保持环可被放置跨于该静电夹盘。陶瓷保持环及静电夹盘两者皆翻转于抛光垫上，使得静电夹盘的顶部表面与该垫接触。多个外部驱动环放置于陶瓷保持环的顶部上。外部驱动环在陶瓷保持环上旋转，以允许外部驱动环中的插销与陶瓷保持环中的接收器对齐。在对齐时，外部驱动环及陶瓷保持环变得发红且将外部驱动环的旋转及陶瓷保持环相互锁住。
静电夹盘驱动平板放置于静电夹盘上。静电夹盘驱动平板具有驱动插销及驱动钥匙，所述驱动插销与静电夹盘中的接收器对齐，所述驱动钥匙与放置于外部驱动环的顶部的多个外部重物对齐。在一个实施方式中，外部重物大约为55lbs至大约56.5lbs。多个内部重物放置跨于静电夹盘驱动平板。在一个实施方式中，内部重物的总重量可有从大约75lbs至大约93lbs的范围。
内部重物及外部重物的组合导致抛光环组件及静电夹盘对着该垫施以相等的力。在一个实施方式中，静电夹盘具有大约107.5平方英寸的面积，且放置于抛光环组件中，该抛光环组件具有面积大约66平方英寸的面积的陶瓷保持环。大约57lbs的重物放置于陶瓷保持环上，而大约75lbs的重物放置于静电夹盘上。所述重物使得静电夹盘及陶瓷保持环个别对该垫施以大约0.86PSI的压力。
在区块5，抛光静电夹盘。具有0.5μm金刚石研磨物的研磨浆可与去离子水以体积大约1:1的比例混合。该研磨浆可混合于自动搅拌器或其他合适装置，以使得该研磨浆适于从喷嘴喷洒。该喷嘴开口可为大约0.030英寸至大约0.040英寸，带有范围为大约每分钟5毫升至大约每分钟50毫升的对应流率。研磨浆喷嘴可被指引，使得被喷洒的研磨浆在靠近该垫中心处接触该垫。在一个实施方式中，研磨浆喷嘴指向喷洒研磨浆离该垫中心大约1英寸。可大约每25分钟持续喷洒该研磨浆大约8秒的时间区段。在一个实施方式中，可喷洒该0.5μm金刚石研磨浆至该垫上，同时该垫以54RPM旋转。该研磨浆的流率为大约每分钟9毫升至大约每分钟10毫升。静电夹盘对着该垫被大约56.5lbs的外部重物及大约75lbs的内部重物压着。静电夹盘可在大约5分钟的清洗前，抛光大约60分钟至大约90分钟。
在从该垫上移除静电夹盘后，可用去离子水执行背侧管道的初始清洁。可用置于背侧管道中的清洁固定装置执行背侧管道的最后清洁，该清洁装置以去离子水清洁背侧管道。在一个实施方式中，以去离子水清洁背侧管道大约5分钟。去离子水从管道移除研磨浆且防止管道被干掉的研磨浆阻塞。可用海绵清理静电夹盘的前侧表面。可执行额外的Al2O3600砂上浆杆清理，直到移除所有剩余研磨浆。静电夹盘可被清理室擦拭擦干。背侧气体管道及静电夹盘表面可被清理干空气吹干。在一个实施方式中，以清理干空气吹每个背侧气体管道大约2分钟。
表面粗糙度可使用止滑表面轮廓仪或其他合适的测量装置来测量，该测量在均匀分布于静电夹盘表面上的多个位置进行。在一个实施方式中，表面粗糙度在沿着静电夹盘表面大约17个位置测量。各个测量位置处的表面粗糙度应为小于大约3μin(0.0762μm)的大约范围。静电夹盘可使用区块5所述方法再次抛光额外大约15分钟，直到所有测量表面粗糙度的位置少于大约3μin(0.0762μm)。在区块6，可封装准备好于其上形成表面性质(例如台面及密封带)的静电夹盘。
在此提出的实施方式提供为了改善静电夹盘的气体密封的设备及方法。特定地，减低氦冷却气体的渗漏率的静电夹盘。为了平坦化及抛光静电夹盘的顶部表面，静电夹盘可装配抛光环组件。被抛光的表面提供基板及静电夹盘之间的平滑密封表面。该平滑密封表面减低冷却气体渗漏率，因此减低基板制造缺陷且改善基板支持组件的使用寿命，同时减低维持及制造的成本。
前述涉及本发明的实施方式，可设计出本发明其他及进一步的实施方式，而不远离其基本范围，且其范围由随附权利要求书决定。

Claims (15)

1.一种抛光环组件，包括：
保持环组件，包括：
陶瓷保持环，所述陶瓷保持环具有内径及顶部表面，
多个外部驱动环，所述多个外部驱动环适于处在所述陶瓷保持环的所述顶部表面上，及
静电夹盘固定装置，所述静电夹盘固定装置经配置以维持静电夹盘同时所述静电夹盘在抛光器上平坦化，所述静电夹盘固定装置包含：
静电夹盘驱动平板，所述静电夹盘驱动平板相邻于所述陶瓷保持环的所述内径，其中所述静电夹盘驱动平板具有闭锁机制以将所述陶瓷保持环、所述多个外部驱动环及所述静电夹盘驱动平板固定在一起。
2.如权利要求1所述的抛光环组件，其中所述静电夹盘固定装置进一步包括：
清洁固定装置。
3.如权利要求1所述的抛光环组件，进一步包括：
多个外部重物，所述多个外部重物经配置以与所述多个外部驱动环接合；及
多个内部重物，所述多个内部重物经配置以与所述静电夹盘驱动平板接合。
4.如权利要求1所述的抛光环组件，其中所述陶瓷保持环由Al2O3形成。
5.如权利要求1所述的抛光环组件，其中所述闭锁机制的一部分包括：
插销及钥匙。
6.一种平坦化静电夹盘的方法，所述方法包括以下步骤：
对着抛光垫放置静电夹盘的顶部表面，所述静电夹盘被保持环外切，所述保持环对着所述抛光垫设置并且经配置以在抛光时隔开排出的抛光垫材料水波以免与所述静电夹盘接合；
旋转所述抛光垫，同时与所述静电夹盘及所述保持环接触；及
施加研磨浆至所述抛光垫，同时所述静电夹盘与所述保持环接触。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述保持环锁至所述静电夹盘。
8.如权利要求6所述的方法，其中施加所述研磨浆的步骤包括以下步骤：
将介于1.3克至1.6克间的金刚石粉末与介于425毫升至450毫升间的去离子水混合。
9.如权利要求6所述的方法，包括以下步骤：
将第一数量的重物配置于所述静电夹盘上；及
将第二数量的重物配置于所述保持环上。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述第一数量的重物较所述第二数量的重物少。
11.如权利要求6所述的方法，其中施加所述研磨浆的步骤包括以下步骤：
施加包括30μm的金刚石粉末的研磨浆至所述抛光垫。
12.如权利要求6所述的方法，其中所述抛光垫包括30μm的金刚石磨粒。
13.如权利要求6所述的方法，包括以下步骤：
抛光所述静电夹盘的所述顶部表面。
14.如权利要求6所述的方法，其中所述抛光垫包括0.5μm的金刚石磨粒。
15.如权利要求14所述的方法，其中施加所述研磨浆的步骤包括以下步骤：
施加包括3.0μm的金刚石磨粒的第一研磨浆至所述抛光垫；
清洗所述静电夹盘的所述顶部表面及所述金刚石至所述抛光垫；
施加包括0.5μm的金刚石磨粒的第二研磨浆至所述抛光垫；及
抛光所述静电夹盘的所述顶部表面至0.0762μm的表面粗糙度。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180166311A1 (en) * 2016-12-12 2018-06-14 Applied Materials, Inc. New repair method for electrostatic chuck
US11289355B2 (en) 2017-06-02 2022-03-29 Lam Research Corporation Electrostatic chuck for use in semiconductor processing
US10654147B2 (en) 2017-10-17 2020-05-19 Applied Materials, Inc. Polishing of electrostatic substrate support geometries
CN109712908B (zh) * 2017-10-26 2020-10-30 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种用于真空处理装置的静电夹盘维护装置及维护方法
US11152238B2 (en) * 2017-11-30 2021-10-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor processing stage profiler jig
US11086233B2 (en) * 2018-03-20 2021-08-10 Lam Research Corporation Protective coating for electrostatic chucks
CN110189991A (zh) * 2019-04-30 2019-08-30 上海新昇半导体科技有限公司 一种外延片的制造方法
US11699611B2 (en) 2021-02-23 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Forming mesas on an electrostatic chuck
JP2022152042A (ja) * 2021-03-29 2022-10-12 株式会社ディスコ 研磨装置
CN115703205A (zh) * 2021-08-05 2023-02-17 中微半导体设备(上海)股份有限公司 表面形貌平整化设备及提高静电夹盘形貌平整度的方法
US20240017299A1 (en) * 2022-07-12 2024-01-18 Applied Materials, Inc. Methods for removing deposits on the surface of a chamber component

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1694784A (zh) * 2002-10-02 2005-11-09 恩辛格合成材料技术Gbr公司 用于将半导体晶片固定在化学－机械抛光设备中的固定环

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3631634A (en) * 1970-01-26 1972-01-04 John L Weber Polishing machine
US5149338A (en) * 1991-07-22 1992-09-22 Fulton Kenneth W Superpolishing agent, process for polishing hard ceramic materials, and polished hard ceramics
JPH07221168A (ja) * 1994-02-02 1995-08-18 Toto Ltd 静電チャックの表面研磨方法
JP3158934B2 (ja) * 1995-02-28 2001-04-23 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨装置
JP3804117B2 (ja) * 1996-09-20 2006-08-02 ソニー株式会社 基板研磨方法及びこの実施に用いる研磨装置
US5861086A (en) * 1997-03-10 1999-01-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for sputter etch conditioning a ceramic body
US6364957B1 (en) * 1997-10-09 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Support assembly with thermal expansion compensation
US6102777A (en) * 1998-03-06 2000-08-15 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
KR20010063395A (ko) * 1999-12-22 2001-07-09 고석태 내식성을 향상시킬 수 있는 정전척의 제조방법 및 그에따른 정전척
KR20010111058A (ko) * 2000-06-09 2001-12-15 조셉 제이. 스위니 전체 영역 온도 제어 정전기 척 및 그 제조방법
US20020127853A1 (en) * 2000-12-29 2002-09-12 Hubacek Jerome S. Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
US6648979B2 (en) * 2001-01-24 2003-11-18 International Business Machines Corporation Apparatus and method for wafer cleaning
SG131737A1 (en) * 2001-03-28 2007-05-28 Disco Corp Polishing tool and polishing method and apparatus using same
TWI261009B (en) * 2001-05-02 2006-09-01 Hitoshi Suwabe Polishing machine
US7252738B2 (en) * 2002-09-20 2007-08-07 Lam Research Corporation Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support
EP1458019A3 (de) * 2003-03-13 2005-12-28 VenTec Gesellschaft für Venturekapital und Unternehmensberatung Mobiler transportabler elektrostatischer Substrathalter
KR100586018B1 (ko) * 2004-02-09 2006-06-01 삼성전자주식회사 연마 헤드용 플렉서블 멤브레인 및 이를 포함하는 연마 장치
US7670436B2 (en) * 2004-11-03 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Support ring assembly
US7672110B2 (en) * 2005-08-29 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having textured contact surface
US9127362B2 (en) * 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US20070215463A1 (en) * 2006-03-14 2007-09-20 Applied Materials, Inc. Pre-conditioning a sputtering target prior to sputtering
JP4864757B2 (ja) * 2007-02-14 2012-02-01 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及びその表面処理方法
JP2009060035A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック部材、その製造方法及び静電チャック装置
JP4855366B2 (ja) * 2007-10-04 2012-01-18 株式会社アルバック 静電チャックのクリーニング方法
WO2011094230A2 (en) * 2010-01-27 2011-08-04 Applied Materials, Inc. Life enhancement of ring assembly in semiconductor manufacturing chambers
KR20120130851A (ko) * 2011-05-24 2012-12-04 엘지이노텍 주식회사 웨이퍼 연삭 및 연마 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1694784A (zh) * 2002-10-02 2005-11-09 恩辛格合成材料技术Gbr公司 用于将半导体晶片固定在化学－机械抛光设备中的固定环

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Publication number Publication date
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