TW201505760A - 拋光新的或翻新的靜電吸座之方法 - Google Patents

拋光新的或翻新的靜電吸座之方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201505760A
TW201505760A TW103117922A TW103117922A TW201505760A TW 201505760 A TW201505760 A TW 201505760A TW 103117922 A TW103117922 A TW 103117922A TW 103117922 A TW103117922 A TW 103117922A TW 201505760 A TW201505760 A TW 201505760A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrostatic chuck
polishing
slurry
pad
retaining ring
Prior art date
Application number
TW103117922A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI640395B (zh
Inventor
William Ming-Ye Lu
Boyd, Jr
Stacy Meyer
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of TW201505760A publication Critical patent/TW201505760A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI640395B publication Critical patent/TWI640395B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B24B37/32—Retaining rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本發明之實施例提供適於拋光靜電吸座之拋光環組件及使用的方法。在一個實施例中，拋光環組件具有一固定環組件及一靜電吸座夾具。該固定環組件包含內徑及頂部表面、複數個外部驅動環，其中該等複數個外部驅動環被放置於陶瓷固定環之頂部表面上。該靜電吸座夾具包含相鄰於該陶瓷固定環之內徑的一靜電吸座驅動平板。該靜電吸座驅動平板具有閉鎖以將固定環組件與靜電吸座夾具固定，而不會經由該閉鎖機制由一個組件傳遞重物跨至其他組件。

Description

拋光新的或翻新的靜電吸座之方法
此間揭露之實施例一般與準備使用於半導體處理室之靜電吸座之設備及方法相關。
半導體處理涉及眾多不同的化學及物理處理，藉此，微型積體電路在一基板上生成。形成積體電路之材料層藉由化學氣相沉積、物理氣相沉積、磊晶生長及類似方法產生。一些材料層使用光阻光罩及溼或乾蝕刻技術而圖型化。用以形成積體電路之基板可為矽、砷化鎵、磷化銦、玻璃、或其他合適的材料。
一般半導體處理室包含：一室主體以定義處理區、一氣體分配組件適用以供應氣體從氣體供應源進入處理區、一氣體增強器(例如，電漿產生器)用以激發處理氣體以處理放置於一基板支持組件的基板、及一氣體排氣。該基板支持組件可包含一吸座，該吸座在處理期間維持基板於該基板支持組件。半導體處理室中常用的吸座的一個例子為靜電吸座。靜電吸座的品質及效能對基板裝置效能及良率具有重大的影 響。靜電吸座也提供背側的氣體，該氣體流經該基板下方以在處理期間幫助維持該基板之溫度。靜電吸座之邊緣具有密封以防止背側氣體由基板下方流逸。然而，背側氣體之滲漏率常常是不可接受的，即便是新的靜電吸座。
第1圖圖示了傳統靜電吸座100。靜電吸座100包含定位盤120及鋁盤130。定位盤120具有底部表面131及頂部表面121。在處理期間頂部表面121支持基板。鋁盤130具有底部表面132及頂部表面122。在靜電吸座100之組裝期間，在定位盤120之底部表面131與鋁盤130之頂部表面122之間，形成接合140以連結定位盤120至鋁盤130。然而，接合140時常引起定位盤120之頂部表面121弓起(如圖示之參考符號145)。
在電漿處理期間，一平坦的基板(未顯示)與定位盤120接觸且形成沿著定位盤120之外側邊緣147的密封。然而，定位盤120中的弓起145時常導致該平坦基板與外側邊緣147無法維持持續接觸，因此防止定位盤120與基板之間建立良好的密封，而同時增加由基板與定位盤120之間流出的冷卻氣體的滲漏率。過度的冷卻氣體漏出增加於定位盤120之頂部表面121上處理的基板之瑕疵率。然而，意圖由定位盤120移除弓起145導致圓化頂部表面121之邊緣147，有缺陷地增加冷卻氣體的滲漏率。
在電漿處理期間，受激發的氣體通常包含高腐蝕性氣體種類而蝕刻及侵蝕靜電吸座100之曝露部分。如果靜電吸座100因意圖移除弓起而具有圓化邊緣，靜電吸座可能需 要工作的更頻繁。
因此，有必要改進靜電吸座之背側氣體密封。
本發明之實施例提供適於拋光靜電吸座之拋光環組件及使用的方法。在一個實施例中，拋光環組件具有一固定環組件及一靜電吸座夾具。該固定環組件包含內徑及頂部表面、複數個外部驅動環，其中該等複數個外部驅動環被放置於陶瓷固定環之頂部表面上。該靜電吸座夾具包含相鄰於該陶瓷固定環之內徑的一靜電吸座驅動平板。該靜電吸座驅動平板具有閉鎖以將固定環組件與靜電吸座夾具固定，而不會經由該閉鎖機制由一個組件傳遞重物跨至其他組件。
在另一個實施例中，提供平坦化靜電吸座的方法。該方法包含對著一拋光墊放置靜電吸座之頂部表面，該靜電吸座被也對著該拋光墊設置的一固定環外切，旋轉該拋光墊同時與該靜電吸座及固定環接觸，且施加研磨漿至該拋光墊，同時靜電吸座與該固定環接觸。
100‧‧‧靜電吸座
120‧‧‧定位盤
121‧‧‧頂部表面
122‧‧‧頂部表面
130‧‧‧鋁盤
131‧‧‧底部表面
132‧‧‧底部表面
140‧‧‧接合
145‧‧‧弓起
147‧‧‧外側邊緣
158‧‧‧氣體面板
200‧‧‧處理室
202‧‧‧室主體
204‧‧‧蓋子
206‧‧‧內部體積
208‧‧‧側牆
210‧‧‧底部
226‧‧‧排氣口
228‧‧‧泵浦系統
230‧‧‧氣體分配組件
232‧‧‧孔洞
238‧‧‧連結材料
244‧‧‧基板
248‧‧‧基板支持組件
250‧‧‧靜電吸座
252‧‧‧支座
262‧‧‧座板
264‧‧‧基座
266‧‧‧定位盤
268‧‧‧管道
270‧‧‧管道
272‧‧‧流體來源
274‧‧‧阻隔器
276‧‧‧加熱器
278‧‧‧加熱電源
280‧‧‧夾具電極
282‧‧‧夾具電源
284‧‧‧電源
286‧‧‧電源
288‧‧‧匹配電路
290‧‧‧溫度感應器
292‧‧‧溫度感應器
306‧‧‧前側表面
308‧‧‧氣體通路
310‧‧‧凸形
312‧‧‧內部圓形溝槽
316‧‧‧密封帶
320‧‧‧環狀凸緣
322‧‧‧環狀周邊
324‧‧‧主要部分
327‧‧‧背側氣體管道
400‧‧‧拋光環組件
410‧‧‧固定陶瓷環
411‧‧‧頂部表面
412‧‧‧外部周邊
415‧‧‧清洗夾具
420‧‧‧外部驅動環
430‧‧‧靜電吸座驅動平板
431‧‧‧驅動插銷
432‧‧‧驅動鑰
440‧‧‧外部重物
445‧‧‧內部重物
450‧‧‧連接
460‧‧‧拋光器
462‧‧‧壓板
465‧‧‧馬達
466‧‧‧內部連接
500‧‧‧方法
600‧‧‧方法
為使本發明上述特徵之方式可被詳細理解，本發明之更特定的描述，簡短總結於上，可藉由參考實施例而理解，其中一些在附加圖式中圖示。
第1圖為一傳統靜電吸座之橫截面視圖；第2圖為一具有一個拋光靜電吸座實施例之示範半導體處理室之橫截面視圖；第3圖為第2圖中展示之該拋光靜電吸座之拆解透 視視圖。
第4圖圖示用於平坦化及拋光靜電吸座的拋光環組件；第5圖圖示用於準備翻新靜電吸座的方法；第6圖為一用於拋光靜電吸座的方法。
然而需注意附加圖式僅圖示本發明一般實施例，因此不應認定為限制其範圍，因為本發明可容許其他相等地有效實施例。
為了便於理解，盡可能的使用相同的參考數字符號以標示圖式中普遍的相同元件。預期一個實施例中的元件可有利於在其他實施例中利用，而無須進一步的敘述。
此間揭露之實施例一般相關於改進靜電吸座與放置於該靜電吸座上之基板間的密封。改進的密封減低背側冷卻氣體(例如，氦)之滲漏率，該背側冷卻氣體在靜電吸座與基板間流動。靜電吸座已平坦化且拋光，以提供沿著靜電吸座與基板之一外部密封帶的平滑密封表面。密封帶之平滑平坦表面增加該密封帶表面之總量，該密封帶表面與該基板接觸且產生該密封。因此，提供該密封帶與該基板間的改進密封。該改進密封減低冷卻氣體滲漏率，因此減低基板製作之缺陷並改進基板支持組件使用壽命，同時減低維護及製造成本。
第2圖為一示範半導體處理室200之橫截面視圖，具有設置於此之拋光靜電吸座250的一個實施例。雖然於此描述拋光靜電吸座250的一個實施例，預期可適用具有其他 配置的靜電吸座以得益於本發明。
處理室200包含室主體202及封閉內部體積206的蓋子204。室主體202一般由鋁、不鏽鋼或其他合適材料製成。室主體202一般包含側牆208及底部210。基板存取埠(未顯示)一般定義於側牆208及藉由狹縫閥可選擇地密封，以利於基板244從處理室200之入口及出口。室主體202之尺寸及處理室200之相關元件並不受限，且一般成比例地較欲處理的基板244之尺寸大。基板尺寸的例子包含具有150mm直徑、200mm直徑、300mm直徑及450mm直徑(諸如此類)的基板。
排氣口226界定於室主體202且使內部體積206與泵浦系統228耦合。泵浦系統228一般包含一個或更多個泵浦及節流閥用以抽空及調節處理室200之內部體積206的壓力。在一個實施例中，泵浦系統228維持內部體積206之內部壓力於工作壓力，該工作壓力一般介於大約10mTorr至大約20mTorr之間。
蓋子204被支持於側牆208上，且將室主體202密封。蓋子204可開啟以允許超過處理室200之內部體積206的量。氣體面板158耦接至處理室200以提供處理及/或清理氣體經由氣體分配組件230至內部體積206。處理氣體之範例可在處理室中用以處理，包括含鹵素氣體，如C2F6、SF6、SiCl4、HBr、NF3、CF4、CHF3、CH2F3、Cl2及SiF4，諸如此類，及其他氣體如O2或N2O。載送氣體之範例包括N2、He、Ar、其他對處理為惰性之氣體及非反應氣體。氣體分配組件 230可在氣體分配組件230之下游表面上具有複數個孔洞232，以引導氣體流向基板244之表面。氣體分配組件230可藉由陶瓷材料製成及/或塗覆，如矽碳化物、大量的釔或氧化物以提供對含鹵化物的阻抗，且防止氣體分配組件230腐蝕。
基板支持組件248設置於處理室200之內部體積206中氣體分配組件230下方。在處理期間基板支持組件248維持基板244。基板支持組件248一般包含設置複數個升降銷(未顯示)，因此經配置以由基板支持組件248舉起基板244且便於以傳統方式交換基板244與機器手臂(未顯示)。
在一個實施例中，基板支持組件248包含座板262、支座252及靜電吸座250。靜電吸座250進一步包含基座264及定位盤266。座板262與室主體202之底部210耦接，且包含用於定路徑功能至基座264及定位盤266之通路，例如流體、電力線及感應器引線，諸如此類。
定位盤266包括至少一個夾具電極280，該夾具電極280藉由位於處理室200外部之夾具電源282控制。該夾具電極280(或其他設置於定位盤266或基座264的電極)可進一步經由匹配電路288與一個或更多個射頻電源284、286耦接，該匹配電路288用於維持形成於處理的電漿及/或處理室200內的其他氣體。電源284、286一般能夠產生具有從大約50kHz至大約3GHz之頻率的射頻訊號，及最高大約10,000瓦的電力。
至少一個基座264或定位盤266可包含至少一個可選的嵌入式加熱器276、至少一個可選的嵌入式阻隔器274 及複數個管道268、270以控制基板支持組件248之側面溫度剖線。管道268、270流體地與流體來源272耦接，經由該流體來源272循環一溫度調節流體。嵌入式阻隔器274在管道268、270之間設置。加熱器276藉由電源278調節。管道268、270及加熱器276用以控制基座264的溫度，因此加熱及/或冷卻定位盤266。定位盤266及基座264之溫度可使用複數個溫度感應器290、292以監測。
第3圖為第2圖中展示之拋光靜電吸座250之拆解透視視圖。靜電吸座250包含定位盤266及附著於定位盤266之基座264。定位盤266具有碟狀外型帶有環狀周邊322，該環狀周邊322實質匹配放置於其上之基板(未顯示)的外型及尺寸。定位盤266可進一步包括密封帶316、複數個凸形310及氣體通路308。形成於定位盤266之前側表面306的氣體通路308(例如，溝槽)流體地與一傳熱(或背側)氣體(例如氦)來源耦接。氣體通路308包含徑向通道，該等徑向通道具有大約5度至大約10度的間隔且終止於內部圓形溝槽312。在操作時，可提供背側氣體進入氣體通路308以經由複數個背側氣體管道327增強定位盤266及基板244之間的傳熱。密封帶316可位於定位盤266之環狀周邊322上，例如，離外部邊緣323大約1.5mm，且提供基板244與定位盤266之間的密封，以防止氣體通路308中的背側氣體過分地逸散進入處理室200之內部體積206。
在一個實施例中，定位盤266可由陶瓷材料製成。陶瓷材料的合適範例包含氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氧化 鈦(TiO)、氮化鈦(TiN)、碳化矽(SiC)及類似物。在另一個實施例中，定位盤266可由包含稀土金屬之陶瓷材料製成。而在另一個實施例中，定位盤266可由Y2O3製成。
基底264具有碟狀主要部分324及環狀凸緣320，該環狀凸緣320由主要部分324向外延伸且附著於定位盤266之下方。基底264可由具有實質匹配上覆之定位盤266的熱性質之材料製成。在一個實施例中，基底264可由金屬製成，例如鋁或不鏽鋼或其他合適材料。此外，基底264可由陶瓷及金屬材料之合成物製成，該合成物提供好的強度及持久性以及傳熱性質。該合成物材料具有可實質匹配上覆的定位盤266的熱膨脹係數，以減低熱膨脹之不匹配且減輕靜電吸座250之扭曲或基座264與定位盤266之分離。而在另一個實施例中，基座264可由包含不同陶瓷及金屬合成物之合成材料製成，例如具有分散陶瓷粒子的金屬。
參照回第2圖，基座264可藉由連結材料238與定位盤266耦接。連結材料238便於在定位盤266與基座264之間交換熱能，且減低兩者間熱膨脹的不匹配。在一個示範的實施例中，連結材料238機械地連結基座264至定位盤266。在另一個實施例中，連結材料238可為具有至少一個丙烯基化合物及矽基化合物的熱傳導膏或帶。而在另一個實施例中，連結材料238可為具有至少一個混合或加入金屬或陶瓷充填物之丙烯基化合物及矽基化合物的熱傳導膏或帶。該金屬充填物可為鋁、鎂、鉭、鈦或其組合之至少一者，而該陶瓷充填物可為氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、硼化鈦(TiB2) 或其組合之至少一者。
以連結材料238連結定位盤266至基座265後，靜電吸座250之表面可變得弓起且可不再平坦化，增加冷卻氣體滲漏的機率。另外，在電漿期間，受激發的氣體通常包括蝕刻及侵蝕基板支持組件之曝露部分的高腐蝕性氣體種類。特定地，密封帶的沖蝕對維持冷卻氣體的有效密封是有問題的。
現在改進密封帶之密封性質的傳統作法，係使用硬的陶瓷板與研磨漿以減低密封帶316之表面粗糙度以拋光該密封帶，因此增強基板與靜電吸座之間的接觸。然而，使用硬的陶瓷拋光板拋光無法提供強健的密封表面。發明人發現可藉由使用一軟墊拋光該密封帶達成極致平滑的密封表面拋光。然而，軟墊傾向使密封帶316及靜電吸座250之外部邊緣323圓化，而導致靜電吸座250之前側表面306的非平坦化，因而提供靜電吸座250與基板之間的不良密封，因此允許所不欲的冷卻氣體滲漏。為了防止外部邊緣323及靜電吸座250之密封帶316的圓化，同時使用軟墊(例如聚氨酯拋光墊)拋光密封帶以提供極致平滑的拋光，發明人發現拋光環組件減輕圓化，因此提供強健的密封表面並延長靜電吸座250之使用壽命。
第4圖圖示用於平坦化及拋光靜電吸座250的拋光環組件400，而產生上述之強健的密封表面。靜電吸座250與基座264及連結的定位盤266，可使用拋光環組件400處理以改進新的、未使用的吸座，或使用拋光環組件400處理以 在重新使用前增強翻新吸座的效能。拋光環組件400維持靜電吸座250，同時吸座205在拋光器460上平坦化。拋光環組件400具有固定環組件及靜電吸座夾具。拋光固定組件包含陶瓷固定環410及外部驅動環420。靜電吸座夾具包含靜電吸座驅動平板430、清洗夾具415、複數個外部重物440及複數個內部重物445。在拋光器460上平坦化時，拋光環組件400控制靜電吸座250之位置及動作。
拋光器460具有藉由內部連接466與壓板462耦接之馬達465，拋光墊461處於該壓板462上。拋光墊461可為圓形的外型且具有較拋光環組件400大的尺寸。
陶瓷固定環410之頂部表面411可與前側表面306同平面。外部驅動環420設置於陶瓷固定環410之頂部且沿著外部周邊412。靜電吸座驅動平板430可堆疊於靜電吸座250之上且包含閉鎖機制，該閉鎖機制使靜電吸座250及複數個外部重物440互鎖。閉鎖機制固定了固定環組件與靜電吸座夾具，而不會經由該閉鎖機制由一個組件傳遞重物跨至其他組件。閉鎖機制可為複數個驅動插銷431及驅動鑰鈕432的形式，或其他適合固定靜電吸座250及外部重物的裝置。額外的內部重物445放置於靜電吸座驅動平板430之頂部。重物445、440提供固定的(亦即，預先定義的)壓力迫使靜電吸座250對著拋光墊461。此外，靜電吸座驅動平板430可具有可不鎖上的驅動鑰鈕。另外，陶瓷固定環410也可不鎖上。靜電吸座組件旋轉可因組件的移動而輕微地離開中心。然而，小的間隙確保對拋光末端結果有微小的影響。
拋光墊461可包含有足夠深度與寬度的溝槽，以允許去離子水經由該等溝槽流動，同時基板被驅使對著拋光墊461。藉由連接450至靜電吸座驅動平板430之中心，去離子水可由靜電吸座250之背側抽吸，靜電吸座驅動平板430流體地與背側氣體管道327連接。連接450提供大約每分鐘400至450毫升的去離子水在靜電吸座250之前側表面306上流出背側氣體管道327。定量的水流防止變位的金剛石粒子、疏鬆的墊材料、及移除的靜電吸座材料進入靜電吸座之背側氣體管道327。
陶瓷固定環410在拋光時隔開排出的墊材料水波以免與基板接合。因此，當接觸基板邊緣時拋光墊461實質為平坦。在一個實施例中，陶瓷固定環410可由陶瓷製成，例如99%的Al2O3以得到更長研磨壽命。在靜電吸座250位於拋光墊461上處理期間，陶瓷固定環410可施用相等壓力於拋光墊461上，或陶瓷固定環410可施用稍微較低的壓力於拋光墊461上，大約2PSI至3PSI。以此方式，陶瓷固定環410控制墊的形變且減低拋光墊461向陶瓷固定環410內變化的趨勢，因此提供拋光靜電吸座250上實質平面的及平坦的表面，因此提供強健的前側表面306拋光，而無須沿著邊緣圓化。
可使用第5圖及第6圖中所述之用於翻新使用過之靜電吸座(例如，靜電吸座250)之方法以利用拋光環組件400。第5圖為一用於準備翻新靜電吸座250的方法500。第6圖為一用於改善背側氣體密封而拋光新的或翻新靜電吸座 250的方法600。
靜電吸座250之頂部表面包含特徵如凸形310、密封帶316、及氣體通路308，看見於如第3圖中所展示的靜電吸座250之前側表面306。在一些翻新的處理中，靜電吸座250之凸形310及密封帶316可藉由平坦化前側表面306至一平坦規格而移除。如果沒有適當地執行，靜電吸座可具有大的圓化、高度污損的背側氣體管道、長的拋光時間及額外的材料移除。雖然預期該方法可使用多種合適的儀器來執行，方法500將使用以下儀器來描述：
●36吋直徑壓板
●拋光環組件(包含如同參照第4圖所述的陶瓷固定環410、清洗夾具415、外部驅動環420、靜電吸座驅動平板430、複數個外部重物440及內部重物445)
●金剛石粉末100cts：類型MA 30μm
●金剛石粉末100cts：類型MA 3μm
●LP57 34”OD/12”ID(30μm)
●LP57 34”OD/12”ID(3μm)
●噴射器(30μm)
●噴射器(3μm)
●噴霧瓶(30μm)
●噴霧瓶(3μm)
●Hyprez Minimizer及帶有自動攪動之電子分配器
方法500從區塊1開始，其中靜電吸座為了平坦化而準備。可執行檢測於靜電吸座以定位及紀錄靜電吸座中的 瑕疵。可進行跨過靜電吸座表面的介質厚度之量測。在一個實施例中，使用渦流計器或其他合適的厚度量測裝置量測大約21個相等間隔的位置之厚度(以微米之單位)。可使用座標量測機器(CMM)以體積精確度+/- 1μm量測靜電吸座頂部「夾具」表面之平坦度。在一個實施例中，平坦度的量測可小於大約10μm。此外，可使用止滑表面測平器於該夾具表面上大約4個位置處以量測密封帶及凸形剖線。
背側氣體管道及其他靜電吸座頂部表面之孔洞被來自靜電吸座頂側的橡皮塞塞住。可使用一帶繞著基座遮蔽靜電吸座。該帶的厚度可介於大約0.005吋及大約0.007吋之間，且可稍微包覆自身。在一個實施例中，靜電吸座之外徑可完全以大約1.0吋的帶包覆遮蔽。
在區塊2，可使用裝設於圓板上的化學機械平坦化(CMP)調理器調理該墊。該圓板之外徑(OD)可為大約11.7吋。該調理可在任何拋光或平坦化發生前完成，以移除乾掉的研磨漿或鈍化的金剛石。在一個實施例中，支持該墊的壓板可藉由馬達以74RPM驅動大約5分鐘，同時CMP調理器使用流率大約每分鐘400毫升至大約每分鐘500毫升的去離子水施加於該墊。
在區塊3，拋光環組件400可被安裝於靜電吸座250上。陶瓷固定環可被放置跨於該靜電吸座。陶瓷固定環及靜電吸座兩者皆翻轉於拋光墊上，使得靜電吸座之頂部表面與拋光墊接觸。複數個外部驅動環放置於陶瓷固定環之頂部上。外部驅動環在陶瓷固定環上旋轉，以允許外部驅動環中 的插銷與陶瓷固定環中的接收器對齊。在對齊時，外部驅動環及陶瓷固定環變得發紅且將外部驅動環的旋轉及陶瓷固定環相互鎖住。
靜電吸座驅動平板放置於靜電吸座上。靜電吸座驅動平板具有驅動插銷及驅動鑰鈕，該等驅動插銷與靜電吸座中的接收器對齊，該等驅動鑰鈕與放置於外部驅動環之頂部的複數個外部重物對齊。在一個實施例中，外部重物大約為55lbs至大約56.5lbs。複數個內部重物放置跨於靜電吸座驅動平板。在一個實施例中，內部重物可有從大約75lbs至大約93lbs的範圍。
應監測拋光時間以防止靜電吸座邊緣的圓化。內部重物及外部重物的組合對拋光環組件及觸碰該墊的靜電吸座兩者皆施以壓力，因此減低處理該墊上之靜電吸座需要的拋光時間。在增加接觸壓力時拋光藉由減少接觸表面面積變得更有效率。在一個實施例中，靜電吸座具有大約107.5平方吋的面積，且可放置於拋光環組件中，該拋光環組件具有面積大約66平方吋之面積的陶瓷固定環。大約57lbs的重物放置於陶瓷固定環上，而大約75lbs的重物放置於靜電吸座上。該等重物使得靜電吸座及陶瓷固定環之各者皆相等地對該墊施以大約0.86PSI的壓力。
在區塊4，凸形及密封帶被從靜電吸座表面移除。在凸形移除操作期間，具有30μm金剛石砂的一墊可黏著至該壓板。提供具有30μm金剛石研磨物的研磨漿至已移除凸形之該墊，且為靜電吸座之頂部粗糙度帶來大約8微吋的粗 糙度。研磨漿包含大約1.3克至大約1.6克的30μm金剛石粉末，該金剛石粉末混合於大約425毫升至大約450毫升的去離子水。該30μm金剛石研磨漿在使用30μm噴射器噴灑於該30μm金剛石墊上之前，可混合於自動攪拌器或其他合適的混合裝置。噴射器可被指向該墊之中心軌道，且研磨漿可以大約8秒至大約25秒的時間區段噴灑於該墊上。研磨漿流率之範圍可從大約每分鐘9毫升至大約每分鐘10毫升。支持30μm金剛石墊之該壓板可藉由馬達以大約54RPM驅動。可使用明亮的LED燈以檢測靜電吸座上的剩餘凸形。移除靜電吸座上的凸形之估計時間可為大約25分鐘至大約1.75小時。
在從該墊上移除靜電吸座後，以去離子水清洗背側氣體管道。在一個實施例中，清洗背側氣體管道大約1分鐘。以去離子水清洗背側氣體管道防止研磨漿在背側氣體管道的孔洞中乾掉。可接著沖洗靜電吸座大約5分鐘，且可用海綿清理靜電吸座的表面並以清理室擦拭擦乾。
靜電吸座頂部表面的表面粗糙度可使用止滑表面輪廓儀或其他合適的量測裝置來量測，該量測在均勻分佈於靜電吸座表面上的複數個位置進行。在一個實施例中，表面粗糙度在沿著靜電吸座表面大約17個位置量測。以30μm金剛石墊及30μm金剛石研磨漿拋光後的表面粗糙度(Ra)應為大約10μin至大約13μin。如果在任一量測位置上表面粗糙度較大約13μin高，則拋光應持續直到在不同的位置上的所有表面粗糙度量測皆不再高於大約13μin。
用以移除凸形及其他靜電吸座表面性質的該墊可由 該壓板移除。可移除用於研磨漿的30μm金剛石噴嘴，可藉由移除任何黏著劑或污物清理該壓板。可用平的方式安裝拋光墊使得該墊下沒有卡住氣泡。拋光墊可具有包含3μm金剛石砂或其他合適的研磨物的研磨表面。該墊在開始調理該墊前對齊於該壓板上。接著藉由以馬達大約90RPM驅動該壓板大約5分鐘以調理該墊，同時使用CMP類型的調理器調理該墊。
在區塊5，使用具有3μm金剛石研磨物的研磨漿以平坦化靜電吸座。該研磨漿可包含大約1.3克至大約1.6克的3μm金剛石粉末與大約425毫升至大約450毫升的去離子水混合，以形成該3μm金剛石研磨漿。該研磨漿可混合於自動攪拌器或其他合適裝置，以使得該研磨漿適於從3μm的研磨漿噴嘴噴灑。該研磨漿噴嘴可被引導使得噴灑的研磨漿接觸該墊之中心，例如，離該墊中心大約1吋。可在大約8秒至大約25秒的時間區段持續噴灑研磨漿。在一個實施例中，可噴灑3μm金剛石研磨漿於以54RPM旋轉的3μm金剛石墊中心上。該研磨漿之流率範圍可為大約每分鐘5毫升至大約每分鐘50毫升。具有大約56.5lbs的外部重物及大約75lbs的內部重物之靜電吸座在沖洗大約5分鐘前，在3μm金剛石墊上拋光大約60分鐘。
在從3μm金剛石墊移除靜電吸座後，背側氣體管道立刻以去離子水清洗。在一個實施例中，沖洗背側氣體管道大約1分鐘。去離子水從管道移除研磨漿且防止管道因研磨漿乾掉而阻塞。靜電吸座之前側表面可用海綿清理。可執 行額外的Al2O3 600砂上漿桿清理，直到移除所有剩餘研磨漿。背側氣體管道及靜電吸座表面可被清理乾空氣吹乾及被清理室擦拭擦乾。
可使用止滑表面輪廓儀或其他適合量測裝置量測表面粗糙度。可在沿著靜電吸座表面的大約17個均勻分佈的位置進行量測。各個量測位置處之表面粗糙度應為介在大約6μin至大約9μin的範圍。靜電吸座可如區塊5所述重複平坦化，直到所有量測表面粗糙度的位置少於大約9μin。
可再次使用渦流計器或其他合適的厚度量測裝置量測相等間隔的位置之介質厚度。在一個實施例中，可使用CMM沿著靜電吸座表面在大約21個均勻分佈的位置處量測靜電吸座頂部(或夾具)表面的平坦度。靜電吸座可重複如步驟5所述的平坦化處理直到所有平坦度量測小於大約10μm。
在區塊6，拋光環組件可從該墊及靜電吸座移除。首先移除複數個外部重物及內部重物。可沿著驅動插銷及鑰鈕移除靜電吸座驅動平板。可在翻轉靜電吸座(亦即，定向頂部表面向上)前移除外部驅動環，以移除陶瓷固定環。在靜電吸座移除期間，將靜電吸座從該墊上拉開會得到警告，因為在靜電吸座及該墊之間的真空可證實此困難度，且可容易發生靜電吸座表面的損壞。
在區塊7，可封裝靜電吸座。被封裝的靜電吸座已準備好用於最後拋光。
用於拋光新的或翻新靜電吸座的方法600於第7圖的流程圖中描述。靜電吸座已準備好用於最後拋光，其中所 有表面性質，例如凸形及密封帶尚未出現而將形成於上。雖然預期該方法可使用多種合適的儀器來執行，方法600將使用以下儀器來描述：
●36吋直徑壓板
●拋光環組件400(包含如第4圖中所展示的陶瓷固定環410、清洗夾具415、外部驅動環420、靜電吸座驅動平板430、複數個外部重物440及內部重物445)
●Hyprez Diamond 0.5(S7520)60-SO研磨漿，該研磨漿經認證用於半導體
●拋光墊，帶有12吋內徑之34吋直徑(僅0.5μm研磨漿)
●噴射器(僅0.5μm研磨漿)
●噴霧瓶(僅0.5μm研磨漿)
●Hyprez Minimizer及帶有自動攪動之電子分配器
在區塊1，可檢測靜電吸座。可執行檢測於靜電吸座上以定位及紀錄靜電吸座中的瑕疵。一些接下來的量測可已在第5圖之凸形及密封帶移除方法500中執行，因此不需再次執行。然而，針對新的靜電吸座，表面粗糙度可使用止滑表面輪廓儀或其他合適的量測裝置來量測，該量測在均勻分佈於該表面上的複數個位置進行。此外，可在複數個位置量測及記錄邊緣剖線。在一個實施例中，可在4個等距位置量測邊緣剖線，且可在沿著靜電吸座表面的大約17個均勻分佈的位置處量測表面粗糙度。
可安裝0.5μm研磨漿墊(LP57)且與該壓板對齊。然 而，額外的軟研磨漿墊也可用於拋光，例如，用於半導體相關材料的未填充聚氨酯墊。該研磨漿墊可不具有填充物，具有密度範圍大約0.41g/cm3至大約0.61g/cm3、硬度大約65至大約95的支柱、可壓縮性大約4%至大約15%、及彈性回跳大約80%至大約95%。該研磨漿墊與該壓板不對齊誤差可為不小於大約5mm。在區塊2，可使用裝設於圓板上的化學機械平坦化(CMP)調理器以調理該0.5μm墊。該圓板之外徑(OD)可具有大約11.7吋的直徑。CMP調理碟之外徑與該圓板正切。該調理可在拋光或平坦化前執行，以移除乾掉的研磨漿或鈍化的金剛石。在一個實施例中，支持該墊的該壓板可藉由馬達以74RPM驅動大約5分鐘，同時CMP調理器提供大約每分鐘400毫升至大約每分鐘500毫升流率的去離子水以施加於該墊。
在區塊3，靜電吸座可準備用以拋光。背側氣體管道及其他靜電吸座頂部表面之孔洞被來自靜電吸座頂側的橡皮塞塞住。可使用一帶繞著基座遮蔽靜電吸座。該帶的厚度可介於大約0.005吋及大約0.007吋之間，且可稍微包覆自身。在一個實施例中，靜電吸座之外徑可完全以大約1.0吋的帶包覆遮蔽。
在區塊4，拋光環組件可被安裝於靜電吸座上。陶瓷固定環可被放置跨於該靜電吸座。陶瓷固定環及靜電吸座兩者皆翻轉於拋光墊上，使得靜電吸座之頂部表面與該墊接觸。複數個外部驅動環放置於陶瓷固定環之頂部上。外部驅動環在陶瓷固定環上旋轉，以允許外部驅動環中的插銷與陶 瓷固定環中的接收器對齊。在對齊時，外部驅動環及陶瓷固定環變得發紅且將外部驅動環的旋轉及陶瓷固定環相互鎖住。
靜電吸座驅動平板放置於靜電吸座上。靜電吸座驅動平板具有驅動插銷及驅動鑰鈕，該等驅動插銷與靜電吸座中的接收器對齊，該等驅動鑰鈕與放置於外部驅動環之頂部的複數個外部重物對齊。在一個實施例中，外部重物大約為55lbs至大約56.5lbs。複數個內部重物放置跨於靜電吸座驅動平板。在一個實施例中，內部重物的總重量可有從大約75lbs至大約93lbs的範圍。
內部重物及外部重物的組合導致拋光環組件及靜電吸座對著該墊施以相等的力。在一個實施例中，靜電吸座具有大約107.5平方吋的面積，且放置於拋光環組件中，該拋光環組件具有面積大約66平方吋之面積的陶瓷固定環。大約57lbs的重物放置於陶瓷固定環上，而大約75lbs的重物放置於靜電吸座上。該等重物使得靜電吸座及陶瓷固定環個別對該墊施以大約0.86PSI的壓力。
在區塊5，拋光靜電吸座。具有0.5μm金剛石研磨物之研磨漿可與去離子水以體積大約1：1的比例混合。該研磨漿可混合於自動攪拌器或其他合適裝置，以使得該研磨漿適於從噴嘴噴灑。該噴嘴開口可為大約0.030吋至大約0.040吋，帶有範圍為大約每分鐘5毫升至大約每分鐘50毫升之對應流率。研磨漿噴嘴可被指引，使得被噴灑的研磨漿在靠近該墊中心處接觸該墊。在一個實施例中，研磨漿噴嘴指向噴 灑研磨漿離該墊中心大約1吋。可大約每25分鐘持續噴灑該研磨漿大約8秒的時間區段。在一個實施例中，可噴灑該0.5μm金剛石研磨漿至該墊上，同時該墊以54RPM旋轉。該研磨漿之流率為大約每分鐘9毫升至大約每分鐘10毫升。靜電吸座對著該墊被大約56.5lbs的外部重物及大約75lbs的內部重物壓著。靜電吸座可在大約5分鐘的沖洗前，拋光大約60分鐘至大約90分鐘。
在從該墊上移除靜電吸座後，可用去離子水執行背側管道之初始清洗。可用置於背側管道中之清洗夾具執行背側管道之最後清洗，該清洗夾具以去離子水清洗背側管道。在一個實施例中，以去離子水清洗背側管道大約5分鐘。去離子水從管道移除研磨漿且防止管道被乾掉的研磨漿阻塞。可用海綿清理靜電吸座之前側表面。可執行額外的Al2O3 600砂上漿桿清理，直到移除所有剩餘研磨漿。靜電吸座可被清理室擦拭擦乾。背側氣體管道及靜電吸座表面可被清理乾空氣吹乾。在一個實施例中，以清理乾空氣吹每個背側氣體管道大約2分鐘。
表面粗糙度可使用止滑表面輪廓儀或其他合適的量測裝置來量測，該量測在均勻分佈於靜電吸座表面上的複數個位置進行。在一個實施例中，表面粗糙度在沿著靜電吸座表面大約17個位置量測。各個量測位置處之表面粗糙度應為小於大約3μin的大約範圍。靜電吸座可使用區塊5所述方法再次拋光額外大約15分鐘，直到所有量測表面粗糙度的位置少於大約3μin。在區塊6，可封裝準備好於其上形成表面性 質(例如凸形及密封帶)之靜電吸座。
此間提出的實施例提供為了改善靜電吸座之氣體密封的設備及方法。特定地，減低氦冷卻氣體的滲漏率之靜電吸座。為了平坦化及拋光靜電吸座之頂部表面，靜電吸座可裝配拋光環組件。被拋光的表面提供基板及靜電吸座之間的平滑密封表面。該平滑密封表面減低冷卻氣體滲漏率，因此減低基板製造瑕疵且改善基板支持組件的使用壽命，同時減低維持及製造的成本。
前述係本發明之實施例，可設計出本發明其他及進一步的實施例，而不遠離其基本範圍，且其範圍由以下專利申請範圍決定。
500‧‧‧方法

Claims (18)

  1. 一種拋光環組件，包括：一固定環組件，包括：一陶瓷固定環，該陶瓷固定環具有一內徑及一頂部表面，複數個外部驅動環，該等複數個外部驅動環適於處在該陶瓷固定環之該頂部表面上，及一靜電吸座夾具，包含：一靜電吸座驅動平板，該靜電吸座驅動平板相鄰於該陶瓷固定環之該內徑，其中該靜電吸座驅動平板具有一閉鎖機制以將該陶瓷固定環、該等複數個外部驅動環及該靜電吸座驅動平板固定在一起。
  2. 如請求項1所述之拋光環組件，其中該靜電吸座夾具進一步包括：一清洗夾具。
  3. 如請求項1所述之拋光環組件，進一步包括：複數個外部重物，該等複數個外部重物經配置以與該等複數個外部驅動環接合；及複數個內部重物，該等複數個內部重物經配置以與該靜電吸座驅動平板接合。
  4. 如請求項1所述之拋光環組件，其中該陶瓷固定環由 Al2O3形成。
  5. 如請求項1所述之拋光環組件，其中該閉鎖機制包括：複數個插銷及複數個鑰鈕。
  6. 一種平坦化一靜電吸座的方法，該方法包括以下步驟：對著一拋光墊放置一靜電吸座之一頂部表面，該靜電吸座被一固定環外切，該固定環也對著該拋光墊設置；旋轉該拋光墊，同時與該靜電吸座及該固定環接觸；及施加一研磨漿至該拋光墊，同時該靜電吸座與該固定環接觸。
  7. 如請求項6所述之方法，其中該固定環鎖至該靜電吸座。
  8. 如請求項6所述之方法，其中施加該研磨漿之步驟包括以下步驟：將介於1.3克至1.6克間之金剛石粉末與介於425毫升至450毫升間之去離子水混合。
  9. 如請求項6所述之方法，包括以下步驟：將一第一數量之重物配置於該靜電吸座上；及將一第二數量之重物配置於該固定環上。
  10. 如請求項9所述之方法，其中該靜電吸座及該固定環對 著該拋光墊施加每單元面積實質相等的力。
  11. 如請求項9所述之方法，其中該第一數量之重物較該第二數量之重物少。
  12. 如請求項6所述之方法，包括以下步驟：從該靜電吸座之該頂部表面移除複數個凸形及一密封帶。
  13. 如請求項12所述之方法，其中施加該研磨漿之步驟包括以下步驟：施加包括一30μm的金剛石粉末之一研磨漿至該拋光墊。
  14. 如請求項12所述之方法，其中該拋光墊包括一30μm的金剛石砂。
  15. 如請求項6所述之方法，包括以下步驟：拋光該靜電吸座之該頂部表面。
  16. 如請求項15所述之方法，其中該拋光墊包括一0.5μm的研磨漿墊。
  17. 如請求項15所述之方法，其中施加該研磨漿之步驟包括 以下步驟：施加包括3.0μm的金剛石之一第一研磨漿至該拋光墊；沖洗該靜電吸座之該頂部表面及該金剛石至該拋光墊；及施加包括0.5μm的金剛石之一第二研磨漿至該拋光墊。
  18. 如請求項17所述之方法，其中拋光該靜電吸座之該頂部表面之步驟包括以下步驟：拋光該靜電吸座之該頂部表面至一3μin之表面粗糙度。
TW103117922A 2013-08-10 2014-05-22 拋光新的或翻新的靜電吸座之方法 TWI640395B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361864525P 2013-08-10 2013-08-10
US61/864,525 2013-08-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201505760A true TW201505760A (zh) 2015-02-16
TWI640395B TWI640395B (zh) 2018-11-11

Family

ID=52449041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103117922A TWI640395B (zh) 2013-08-10 2014-05-22 拋光新的或翻新的靜電吸座之方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11260498B2 (zh)
KR (1) KR102238750B1 (zh)
CN (1) CN105453234B (zh)
TW (1) TWI640395B (zh)
WO (1) WO2015023329A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI831300B (zh) * 2021-08-05 2024-02-01 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 表面形貌平整化設備及提高靜電夾盤形貌平整度的方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180166311A1 (en) * 2016-12-12 2018-06-14 Applied Materials, Inc. New repair method for electrostatic chuck
US11289355B2 (en) 2017-06-02 2022-03-29 Lam Research Corporation Electrostatic chuck for use in semiconductor processing
US10654147B2 (en) * 2017-10-17 2020-05-19 Applied Materials, Inc. Polishing of electrostatic substrate support geometries
CN109712908B (zh) * 2017-10-26 2020-10-30 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种用于真空处理装置的静电夹盘维护装置及维护方法
US11152238B2 (en) * 2017-11-30 2021-10-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor processing stage profiler jig
KR102655866B1 (ko) 2018-01-31 2024-04-05 램 리써치 코포레이션 정전 척 (electrostatic chuck, ESC) 페데스탈 전압 분리
US11086233B2 (en) * 2018-03-20 2021-08-10 Lam Research Corporation Protective coating for electrostatic chucks
CN110189991A (zh) * 2019-04-30 2019-08-30 上海新昇半导体科技有限公司 一种外延片的制造方法
US11699611B2 (en) 2021-02-23 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Forming mesas on an electrostatic chuck
JP2022152042A (ja) * 2021-03-29 2022-10-12 株式会社ディスコ 研磨装置
US20240017299A1 (en) * 2022-07-12 2024-01-18 Applied Materials, Inc. Methods for removing deposits on the surface of a chamber component

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3631634A (en) * 1970-01-26 1972-01-04 John L Weber Polishing machine
US5149338A (en) * 1991-07-22 1992-09-22 Fulton Kenneth W Superpolishing agent, process for polishing hard ceramic materials, and polished hard ceramics
JPH07221168A (ja) * 1994-02-02 1995-08-18 Toto Ltd 静電チャックの表面研磨方法
JP3158934B2 (ja) * 1995-02-28 2001-04-23 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨装置
JP3804117B2 (ja) * 1996-09-20 2006-08-02 ソニー株式会社 基板研磨方法及びこの実施に用いる研磨装置
US5861086A (en) * 1997-03-10 1999-01-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for sputter etch conditioning a ceramic body
US6364957B1 (en) * 1997-10-09 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Support assembly with thermal expansion compensation
US6102777A (en) 1998-03-06 2000-08-15 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
KR20010063395A (ko) * 1999-12-22 2001-07-09 고석태 내식성을 향상시킬 수 있는 정전척의 제조방법 및 그에따른 정전척
KR20010111058A (ko) * 2000-06-09 2001-12-15 조셉 제이. 스위니 전체 영역 온도 제어 정전기 척 및 그 제조방법
US20020127853A1 (en) * 2000-12-29 2002-09-12 Hubacek Jerome S. Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
US6648979B2 (en) * 2001-01-24 2003-11-18 International Business Machines Corporation Apparatus and method for wafer cleaning
SG131737A1 (en) * 2001-03-28 2007-05-28 Disco Corp Polishing tool and polishing method and apparatus using same
TWI261009B (en) * 2001-05-02 2006-09-01 Hitoshi Suwabe Polishing machine
US7252738B2 (en) * 2002-09-20 2007-08-07 Lam Research Corporation Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support
DE10247179A1 (de) * 2002-10-02 2004-04-15 Ensinger Kunststofftechnologie Gbr Haltering zum Halten von Halbleiterwafern in einer chemisch-mechanischen Poliervorrichtung
EP1458019A3 (de) * 2003-03-13 2005-12-28 VenTec Gesellschaft für Venturekapital und Unternehmensberatung Mobiler transportabler elektrostatischer Substrathalter
KR100586018B1 (ko) * 2004-02-09 2006-06-01 삼성전자주식회사 연마 헤드용 플렉서블 멤브레인 및 이를 포함하는 연마 장치
US7670436B2 (en) * 2004-11-03 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Support ring assembly
US7672110B2 (en) * 2005-08-29 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having textured contact surface
US9127362B2 (en) * 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
TW200741022A (en) * 2006-03-14 2007-11-01 Applied Materials Inc Pre-conditioning a sputtering target prior to sputtering
JP4864757B2 (ja) * 2007-02-14 2012-02-01 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及びその表面処理方法
JP2009060035A (ja) 2007-09-03 2009-03-19 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック部材、その製造方法及び静電チャック装置
JP4855366B2 (ja) 2007-10-04 2012-01-18 株式会社アルバック 静電チャックのクリーニング方法
KR200479167Y1 (ko) * 2010-01-27 2015-12-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 제조 챔버의 링 어셈블리
KR20120130851A (ko) * 2011-05-24 2012-12-04 엘지이노텍 주식회사 웨이퍼 연삭 및 연마 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI831300B (zh) * 2021-08-05 2024-02-01 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 表面形貌平整化設備及提高靜電夾盤形貌平整度的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11260498B2 (en) 2022-03-01
CN105453234B (zh) 2018-11-02
KR20160042061A (ko) 2016-04-18
US11648639B2 (en) 2023-05-16
WO2015023329A1 (en) 2015-02-19
US20220088743A1 (en) 2022-03-24
TWI640395B (zh) 2018-11-11
CN105453234A (zh) 2016-03-30
US20150044947A1 (en) 2015-02-12
KR102238750B1 (ko) 2021-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI640395B (zh) 拋光新的或翻新的靜電吸座之方法
US11179965B2 (en) Electrostatic chuck optimized for refurbishment
JP6860564B2 (ja) 堆積された表面フィーチャを有する基板支持アセンブリ
TWI409878B (zh) 自電極組件清除表面金屬污染的方法
TWI426556B (zh) 溼式清潔用於電漿處理設備之電極總成的方法與裝置
KR102330711B1 (ko) 정전기 기판 지지 기하학적 구조들의 연마
JP3287761B2 (ja) 真空吸着装置および加工装置
US6223447B1 (en) Fastening device for a purge ring
JP2002313898A5 (zh)
JP2008110471A (ja) 基板研磨装置、基板研磨方法、基板受取方法
KR20080076802A (ko) 기판 탑재대 및 그 표면 처리 방법
US20130102156A1 (en) Components of plasma processing chambers having textured plasma resistant coatings
TW201438136A (zh) 氮化鋁靜電夾盤之溫度管理
WO2014149676A1 (en) Polishing pad cleaning with vacuum apparatus
US20230326780A1 (en) Forming mesas on an electrostatic chuck
CN114248199A (zh) 一种晶圆平坦化工序中作为连接件的双面吸附装置
JP2004009165A (ja) 吸着用チャック
JP3612599B2 (ja) 研磨方法およびその装置
CN216657548U (zh) 一种晶圆平坦化工序中作为连接件的双面吸附装置
JPH03173129A (ja) 研磨装置
KR100537555B1 (ko) 반도체 제조장비용 핫플레이트의 부식 방지방법
JP2001162535A (ja) ウェーハの研磨方法及びその装置