TW201438136A - 氮化鋁靜電夾盤之溫度管理 - Google Patents

氮化鋁靜電夾盤之溫度管理 Download PDF

Info

Publication number
TW201438136A
TW201438136A TW103100096A TW103100096A TW201438136A TW 201438136 A TW201438136 A TW 201438136A TW 103100096 A TW103100096 A TW 103100096A TW 103100096 A TW103100096 A TW 103100096A TW 201438136 A TW201438136 A TW 201438136A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
ceramic body
grinding
roughness
support assembly
substrate support
Prior art date
Application number
TW103100096A
Other languages
English (en)
Inventor
Sumanth Banda
Jennifer Y Sun
Douglas A Buchberger Jr
Shane C Nevil
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of TW201438136A publication Critical patent/TW201438136A/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T279/00—Chucks or sockets
    • Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826—Assembling or joining

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

未經乾燥處理的基板支撐組件包括陶瓷主體及接合至陶瓷主體的下表面的導熱底座。基板支撐組件進一步包括陶瓷主體的上表面，該陶瓷主體的上表面具有第一部分，該第一部分靠近陶瓷主體的上表面的中心及具有第一粗糙度輪廓，及第二部分，該第二部分遠離陶瓷主體的上表面的中心及具有粗糙度低於第一粗糙度輪廓的第二粗糙度輪廓，其中第一部分及第二部分的區域基於與陶瓷主體的中心的徑向距離。

Description

氮化鋁靜電夾盤之溫度管理 【相關申請案】
此專利申請案根據專利法主張於2013年1月18日提出申請的美國臨時專利申請案第61/754,346號的權益。
本發明的實施例大體係關於諸如靜電夾盤的基板支撐組件，該基板支撐組件具有帶有多個部分的陶瓷主體，其中每一部分具有不同的表面粗糙度輪廓。
在半導體工業中，藉由許多產生不斷減少的尺寸的結構的製造製程製造裝置。一些製造製程(諸如電漿蝕刻及電漿清洗製程)暴露基板至高速流電漿以蝕刻或清洗基板。電漿可為高度腐蝕性的及可腐蝕處理腔室及暴露至電漿的其他表面。此腐蝕可產生顆粒，該等顆粒經常污染正在處理的基板，造成裝置缺陷。
傳統的靜電夾盤藉由多步驟製造製程製造，該多步驟製造製程可包括陶瓷定位盤至金屬冷卻板的矽氧樹脂接合。陶瓷定位盤至金屬冷卻板的矽氧樹脂接合製程可在陶瓷 定位盤的表面上引入碳及其他污染物，該等污染物可影響陶瓷定位盤的溫度分配性質。當大功率製作方法或操作程序使用此類傳統的靜電夾盤執行時，靜電夾盤的邊緣可顯示相較於靜電夾盤中心實質上更高的溫度。
在一個實施例中，基板支撐組件包含陶瓷主體及接合至陶瓷主體的下表面的導熱底座。陶瓷主體的上表面具有第一部分，該第一部分靠近陶瓷主體中心及具有第一粗糙度輪廓，及第二部分，該第二部分遠離陶瓷主體的中心及具有第二粗糙度輪廓。第一部分及第二部分的區域基於第一及第二部分與陶瓷主體的中心的各別徑向距離。可執行氧灰化以從陶瓷主體的上表面移除碳污染物。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧腔室主體
104‧‧‧蓋
106‧‧‧內部體積
108‧‧‧側壁
110‧‧‧底部
116‧‧‧外部襯墊
118‧‧‧內部襯墊
126‧‧‧排氣口
128‧‧‧泵系統
130‧‧‧氣體分配組件
132‧‧‧孔
136‧‧‧保護層
138‧‧‧接合材料
144‧‧‧基板
146‧‧‧石英環
148‧‧‧基板支撐組件
150‧‧‧靜電夾盤
152‧‧‧台座
158‧‧‧氣體面板
162‧‧‧安裝板
164‧‧‧導熱底座
166‧‧‧靜電定位盤
168‧‧‧導管
170‧‧‧導管
172‧‧‧流體源
174‧‧‧嵌入隔離器
176‧‧‧加熱器
178‧‧‧加熱器功率源
180‧‧‧夾電極
182‧‧‧夾持功率源
184‧‧‧RF功率源
186‧‧‧RF功率源
188‧‧‧匹配電路
190‧‧‧溫度感測器
192‧‧‧溫度感測器
195‧‧‧控制器
198‧‧‧第一部分
199‧‧‧第二部分
206‧‧‧上表面
208‧‧‧通道
210‧‧‧凸台
212‧‧‧通道
216‧‧‧外環
220‧‧‧環形凸緣
222‧‧‧環形周邊
224‧‧‧主要部分
450‧‧‧靜電夾盤
455‧‧‧導熱底座
460‧‧‧陶瓷主體
475‧‧‧孔
480‧‧‧凸台
482‧‧‧平均表面粗糙度
485‧‧‧電極
490‧‧‧上部
495‧‧‧下部
497‧‧‧第一部分
498‧‧‧第二部分
500‧‧‧製程
505‧‧‧方塊
510‧‧‧方塊
515‧‧‧方塊
520‧‧‧方塊
525‧‧‧方塊
530‧‧‧方塊
在隨附圖式的圖中藉由舉例而不是限制方式說明本發明，在該等隨附圖式中相同元件符號指示類似元件。應注意到，本案中「一」或「一個」實施例的不同引用不一定代表相同實施例及此類引用意謂至少一個。
第1圖繪示處理腔室的一個實施例的剖視圖；第2圖繪示基板支撐組件的一個實施例的分解視圖；第3圖繪示基板支撐組件的一個實施例的側面視圖；第4A圖繪示基板支撐組件的一個實施例的分解側面視圖； 第4B圖繪示基板支撐組件的另一實施例的分解側面視圖；第5圖圖示用於形成具有多個粗糙度輪廓的基板支撐表面的陶瓷主體的製程的一個實施例；第6圖圖示基板支撐組件的一個實施例的溫度資料；第7圖圖示基板支撐組件的一個實施例的表面粗糙度資料；第8A圖圖示基板支撐組件的一個實施例的溫度資料；以及第8B圖圖示基板支撐組件的又一實施例的溫度資料。
本發明的實施例提供基板支撐組件(例如，靜電夾盤)，該基板支撐組件具有陶瓷主體、接合至陶瓷主體的下表面的導熱底座，及陶瓷主體的上表面，該上表面具有靠近陶瓷主體中心、具有第一粗糙度輪廓的研磨的第一部分及遠離陶瓷主體的中心(例如，靠近陶瓷主體的邊緣)、具有第二粗糙度輪廓的研磨的第二部分。第一及第二部分的區域可基於與陶瓷主體的中心的徑向距離。第二部分可具有比第一部分更低的表面粗糙度。研磨的第一及第二部分可改良陶瓷主體與導熱底座之間的熱接觸。在又一實施例中，在基板支撐組件上執行氧(O2)灰化以從陶瓷主體的上表面移除碳污染物。O2灰化可進一步改良陶瓷主體與導熱底座之間的熱接 觸。改良的熱接觸可引起基板支撐組件的溫度在處理期間減少及提供跨過基板支撐組件支撐的基板的更一致的溫度分配。
第1圖為具有基板支撐組件148安置於其中的半導體處理腔室100的一個實施例的剖視圖。圖示的實施例中的基板支撐組件148具有保護層136，保護層136可為耐電漿陶瓷，諸如AlN(氮化鋁)、Al2O3(氧化鋁)、Y2O3(氧化釔)、Y4Al2O9(YAM)、釔合金或釔合金的氧化物。在一個實施例中，保護層為高效能材料(high performance material；HPM)陶瓷複合物。保護層136可為燒結塊體陶瓷製品，該陶瓷製品由陶瓷粉或陶瓷粉的混合物產生。替代地，保護層136可為電漿噴塗層或熱噴塗層，該層藉由電漿噴塗(或熱噴塗)陶瓷粉的混合物產生。替代地，保護層136可為離子輔助沉積(ion assisted deposition；IAD)塗層，該塗層使用塊體HPM靶材沉積。替代地，基板支撐組件148可不包括保護層。
HPM陶瓷複合物由Y4Al2O9(YAM)化合物及Y2-xZrxO3固溶體(Y2O3-ZrO2固溶體)組成。在一個實施例中，HPM陶瓷複合物包含77% Y2O3、15% ZrO2及8% Al2O3。在另一實施例中，HPM陶瓷複合物包含63% Y2O3、23% ZrO2及14% Al2O3。在又另一實施例中，HPM陶瓷複合物包含55% Y2O3、20% ZrO2及25% Al2O3。相對百分比可以莫爾比為單位。舉例而言，HPM陶瓷複合物可包含77莫爾% Y2O3、15莫爾% ZrO2及8莫爾% Al2O3。該等陶瓷粉的其他分配亦可用於HPM材料。
處理腔室100包括腔室主體102及蓋104，蓋104封閉內部體積106。腔室主體102可由鋁、不銹鋼或其他適當的材料製造。腔室主體102大體包括側壁108及底部110。外部襯墊116可經安置鄰近側壁108以保護腔室主體102。外部襯墊116可由耐受電漿或含鹵素氣體材料製造及/或塗覆。在一個實施例中，外部襯墊116由氧化鋁製造。在另一實施例中，外部襯墊116由氧化釔、釔合金或釔合金的氧化物製造或塗覆。
排氣口126可在腔室主體102中界定及可耦合內部體積106至泵系統128。泵系統128可包括一或更多個泵及節流閥，該一或更多個泵及節流閥用以排出及調節處理腔室100的內部體積106的壓力。
蓋104可支撐在腔室主體102的側壁108上。可打開蓋104以允許進入處理腔室100的內部體積106，及當關閉時可提供對處理腔室100的密封。氣體面板158可耦合至處理腔室100以經由氣體分配組件130提供處理及/或清洗氣體至內部體積106，氣體分配組件130為蓋104的一部分。處理氣體的實例可用於處理腔室中的處理，該等處理氣體之實例包括含鹵氣體，諸如C2F6、SF6、SiCl4、HBr、NF3、CF4、CHF3、CH2F3、Cl2及SiF4等等，以及其他氣體，諸如O2或N2O。載氣的實例包括N2、He、Ar及處理氣體的其他惰性氣體(例如，不反應的氣體)。氣體分配組件130可在氣體分配組件130的下游表面上具有多個孔132以引導氣流至基板144的表面。此外，氣體分配組件130可具有中心孔，在該中心孔處 氣體經由陶瓷氣體噴嘴供給。氣體分配組件130可由陶瓷材料(諸如碳化矽、氧化釔等等)製造及/或塗覆以提供對含鹵化學物質的耐受性，從而防止氣體分配組件130腐蝕。
基板支撐組件148安置在處理腔室100的內部體積106中在氣體分配組件130下方。基板支撐組件148在處理期間固持基板144。內部襯墊118可覆蓋在基板支撐組件148的周邊上。內部襯墊118可為耐受含鹵氣體材料，諸如參閱外部襯墊116論述的彼等襯墊。在一個實施例中，內部襯墊118可由與外部襯墊116相同的材料製造。
在一個實施例中，基板支撐組件148包括安裝板162，安裝板162支撐台座152及靜電夾盤150。靜電夾盤150進一步包括導熱底座164及陶瓷主體(稱為靜電定位盤166)。靜電定位盤166可由諸如氮化鋁(AlN)或氧化鋁(Al2O3)的陶瓷材料製造。靜電定位盤166的上表面可能或不可能藉由保護層136覆蓋。在一個實施例中，保護層136安置在靜電定位盤166的上表面上。在另一實施例中，保護層136安置在靜電夾盤150的整個表面上，包括導熱底座164的外部及側面周邊及靜電定位盤166。替代地，可能不存在保護層136。
靜電定位盤166的上表面可包括多個不同部分或區域，每一部分或區域具有不同的及獨特的表面粗糙度輪廓。若靜電定位盤166藉由保護層136覆蓋，則保護層可包括多個不同部分或區域，每一部分或區域具有不同的表面粗糙度輪廓。靠近靜電定位盤166的上表面的中心的第一部分198 可經研磨至第一粗糙度及遠離上表面的中心的第二部分199可經研磨至比第一粗糙度更低的第二粗糙度。
安裝板162耦合至腔室主體102的底部110及包括用於佈線設施(例如，流體、電源線、感測器引線等等)至導熱底座164及靜電定位盤166的通道。
導熱底座164及/或靜電定位盤166可包括一或更多個可選的嵌入加熱元件176、嵌入熱隔離器174及/或導管168、170以控制支撐組件148的橫向溫度輪廓。導管168、170可流體地耦合流體源172，流體源172經由導管168、170循環溫度調節流體。在一個實施例中，嵌入隔離器174可安置在導管168、170之間。加熱器176藉由加熱器功率源178調節。可使用導管168、170及加熱器176控制導熱底座164的溫度，從而加熱及/或冷卻靜電定位盤166及正在處理的基板(例如，晶圓)。靜電定位盤166及導熱底座164的溫度可使用複數個溫度感測器190、192監視，該等複數個溫度感測器可使用控制器195監視。
靜電定位盤166可進一步包括多個氣體通道，諸如凹槽、凸台及其他表面特徵，該等氣體通道可形成在定位盤166的上表面及/或保護層中。凹槽、凸台及/或其他表面特徵可在研磨靜電定位盤166的表面之前形成。因此，在一個實施例中，研磨可研磨凸台及/或其他表面特徵。氣體通道可流體地耦合至傳熱(或背側)氣體源，諸如經由鑽入定位盤166中的孔的He。操作中，背側氣體可在控制的壓力下提供至氣體通道中以增強靜電定位盤166與基板144之間的傳熱。
靜電定位盤166包括夾持功率源182控制的至少一個夾電極180。電極180(或安置在定位盤166或底座164中的其他電極)可經由匹配電路188進一步耦合至一或更多個RF功率源184、186，用於維持由處理腔室100內部之處理及/或其他氣體形成的電漿。源184、186大體能夠產生RF訊號，該RF訊號具有從大約50kHz至大約3GHz的頻率及高達大約10,000瓦特的功率。
第2圖繪示基板支撐組件148的一個實施例的分解視圖。基板支撐組件148繪示靜電夾盤150及台座152的分解視圖。靜電夾盤150包括靜電定位盤166及附接到靜電定位盤166的導熱底座164。靜電定位盤166具有碟形形狀，該碟形形狀具有環形周邊222，環形周邊222可實質上匹配位於其上的基板144的形狀及尺寸。靜電定位盤166的上表面206可具有外環216、多個凸台210及凸台之間的通道208、212。如所圖示，靜電定位盤166可包括第一部分198及第二部分199。第一部分198的區域可從靜電定位盤的上表面的中心延伸至第一半徑。第二部分199的區域可從第二半徑延伸至靜電定位盤166的環形周邊222。第一部分(例如，第一部分中的凸台的頂部)可研磨至第一粗糙度，而第二部分(例如，第二部分中的凸台的頂部)可研磨至第二粗糙度。
附接於靜電定位盤166下方的導熱底座164可具有碟形主要部分224及環形凸緣220，該環形凸緣220從主要部分224向外延伸及定位在台座152上。導熱底座164可由具有實質上匹配覆蓋的定位盤166的熱性質的熱性質的材料製 造。在一個實施例中，導熱底座164可由諸如鋁或不銹鋼的金屬或其他適當的材料製造。替代地，導熱底座164可由陶瓷及金屬材料的複合材料製造，該複合材料提供良好的強度及耐用性以及傳熱性質。複合材料可具有實質上匹配覆蓋的定位盤166的熱膨脹係數以減少熱膨脹失配。
第3圖圖示靜電夾盤150的一個實施例的剖面側視圖。參閱第3圖，導熱底座164藉由接合材料138耦合至靜電定位盤166。接合材料138促進靜電定位盤166與導熱底座164之間的熱能交換及可減少靜電定位盤166與導熱底座164之間的熱膨脹失配。在一個示例性實施例中，接合材料138機械地接合導熱底座164至靜電定位盤166。在另一實施例中，接合材料138可為導熱膏或帶，該導熱膏或帶具有丙烯酸系化合物及矽氧樹脂系化合物中的至少一者。在又一實施例中，接合材料138可為導熱膏或帶，該導熱膏或帶具有丙烯酸系化合物及矽氧樹脂系化合物中的至少一者，其中金屬或陶瓷填充物與丙烯酸系化合物及矽氧樹脂系化合物中的至少一者混合或添加至該丙烯酸系化合物及矽氧樹脂系化合物中的至少一者。金屬填充物可為Al、Mg、Ta、Ti或以上各者的組合中的至少一者及陶瓷填充物可為氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、二硼化鈦(TiB2)或以上各者的組合中的至少一者。
石英環146或其他保護環圍繞及覆蓋靜電夾盤150的部分。定位盤166包括夾電極180。在一個實施例中，保護層136黏附於定位盤166的上表面。基板144下降至靜電定位盤166的上方及經由靜電力固持就位。
保護層136可藉由所屬技術領域中已知的物理氣相沉積(physical vapor deposition；PVD)、化學氣相沉積(chemical vapor deposition；CVD)、離子輔助沉積(IAD)、浸沒塗敷、濺射、熱噴塗(例如，電漿噴塗)、熱均壓、冷均壓、疊層、壓模、鑄造、壓縮、燒結或共同燒結技術塗覆。在一個實施例中，保護層經電漿噴塗至定位盤166上。在另一實施例中，使用離子輔助沉積(IAD)將保護層136沉積在定位盤166上。在又另一實施例中，保護層136為塊體燒結HPM陶瓷複合製品，該製品擴散接合至定位盤166的上表面。如圖所示，靜電定位盤166可包括第一部分198及第二部分199。第一部分198的區域可從靜電定位盤的上表面的中心延伸至第一半徑。第二部分199的區域可從第二半徑延伸至靜電定位盤166的外邊緣。第一部分(例如，第一部分中的凸台的頂部)可研磨至第一粗糙度，而第二部分(例如，第二部分中的凸台的頂部)可研磨至第二粗糙度。
第4A圖圖示在多步驟研磨製程的執行之前靜電夾盤450的一個實施例的剖面側視圖。靜電夾盤450具有稱作靜電定位盤的陶瓷主體460。在一個實施例中，陶瓷主體460包括電極485、電極485上方的上部490及電極下方的下部495。上部490可具有大於近似200微米的厚度(例如，在一個實施例中5密耳)。在另一實施例中，陶瓷主體460具有大約200微米與500微米之間的厚度。陶瓷主體460的下表面經由諸如矽氧樹脂接合劑的接合劑接合至導熱底座455(例如，金屬底座)。陶瓷主體460形成之後，陶瓷主體460可 藉由使用(例如)去離子水及/或丙酮浴清洗，及孔475亦可鑽入陶瓷主體460中。靜電夾盤450可用於Johnson-Raybeck靜電夾持應用及Columbic靜電夾持應用兩者。
凸台480可形成在陶瓷主體460的上表面上。凸台可藉由(例如)噴珠或噴鹽陶瓷主體460的表面形成。凸台480的表面可具有遍及凸台480的整個表面區域的大於20微吋的平均表面粗糙度482。
第4B圖圖示在多步驟研磨製程的執行之後靜電夾盤450的一個實施例的剖面側視圖。在一個實施例中，陶瓷主體460劃分為二個區域或部分。第一部分497靠近陶瓷主體460的上表面的中心，而第二部分498遠離陶瓷主體460的上表面的中心(例如，靠近陶瓷主體460的上表面的外邊緣)。在替代的實施例中，陶瓷主體460可劃分為三個或更多個區域(未圖示)。
陶瓷主體460的第一部分497可在第一研磨製程中研磨。第一研磨製程可使用第一研磨工具(諸如研磨機)及第一研磨漿料(例如，具有第一砂礫的漿料)執行。在一個實施例中，陶瓷主體的整個表面(包括第一部分197及第二部分198)在第一研磨製程中研磨。在此實施例中，研磨機可具有研磨臂，該研磨臂從陶瓷主體460的外徑延伸至陶瓷主體的中心。當研磨臂壓靠陶瓷主體的表面時，陶瓷主體可圍繞陶瓷主體的中心旋轉，其中漿料塗覆陶瓷主體的表面。
第一研磨製程完成之後，陶瓷主體460可藉由使用(例如)去離子水及/或丙酮浴清洗。在實施例中，用於第一 部分497的研磨製程可減少第一部分497的平均表面粗糙度，從大於20微吋減少至10微吋及16微吋之間。第一研磨製程可額外地減少第二部分198的平均表面粗糙度，從大於20微吋減少至10微吋與16微吋之間。
陶瓷主體460的第二部分498可在第二研磨製程中研磨。第二研磨製程可使用第二研磨工具(諸如研磨機)及第二研磨漿料(例如，具有第二砂礫)執行。在一個實施例中，第二研磨製程研磨第二部分498，不研磨第一部分497。在此實施例中，研磨機可具有研磨臂，該研磨臂從陶瓷主體460的外徑延伸至第一部分的外徑。當研磨臂壓靠第二部分498處的陶瓷主體的表面時，陶瓷主體可圍繞陶瓷主體的中心旋轉，其中漿料塗覆陶瓷主體的表面。
為了實現第二部分498的更光滑的表面，第二研磨漿料可具有比各別第一研磨漿料更精細的砂礫。第二部分498研磨之後，陶瓷主體460可藉由使用(例如)去離子水或丙酮浴清洗。在實施例中，用於第二部分498的研磨製程可減少第二部分498的平均表面粗糙度，從大於20微吋減少至4微吋及10微吋之間。若第二部分498亦在第一研磨製程中研磨，則第二部分可從近似10至16微吋的平均表面粗糙度減少至近似4至10微吋的平均表面粗糙度。
注意到在替代的實施例中，陶瓷主體可塗覆有保護層。保護層可經形成具有或不具有已經形成在陶瓷主體上的表面特徵(例如，凸台)。若保護層經形成後不具有表面特徵形成在陶瓷主體中，則表面特徵將形成在保護層中。在包 括保護層的實施例中，可能不研磨陶瓷主體的上表面。代替地，研磨製程可在保護層上而不是陶瓷主體的上表面上執行。
第5圖圖示用於製造靜電夾盤的製程500的一個實施例。在製程500的方塊505處，提供陶瓷主體。陶瓷主體可為用於靜電夾盤的金屬化陶瓷定位盤。在一個實施例中，陶瓷主體為氮化鋁陶瓷主體。陶瓷主體可包含加熱元件、電極、冷卻通道及/或其他特徵。在方塊510處，凸台形成在陶瓷主體的上表面上。
在方塊515處，使用第一研磨工具及第一漿料研磨陶瓷主體的上表面的第一部分。可隨後清洗陶瓷主體(例如，使用去離子水以移除第一漿料的殘餘物)。第一部分靠近陶瓷主體的表面的中心及可從中心延伸至第一半徑。在方塊520處，使用第二研磨工具及第二漿料研磨陶瓷主體的上表面的第二部分。可隨後清洗陶瓷主體(例如，移除第二漿料的殘餘物)。第二部分靠近陶瓷主體的邊緣及可從陶瓷主體的第一半徑延伸至陶瓷主體的第二外徑。
在方塊525處，陶瓷主體的下表面接合至導熱底座。接合製程可形成陶瓷主體與導熱底座之間的矽氧樹脂接合。接合製程產生陶瓷主體的表面上的污染。污染可包括(例如)矽及碳污染。此污染可減少表面處的陶瓷主體的導熱性及可損害在使用處理中的陶瓷主體期間陶瓷主體與固持的基板之間的熱接觸。接合製程完成之後，陶瓷主體460可藉由使用(例如)去離子水及/或丙酮浴清洗。
在方塊530處，在陶瓷主體上執行氧灰化。氧灰化 或剝離為可用於從陶瓷主體移除污染的製程。氧灰化的製程包括藉由在高溫下施加氧電漿至陶瓷主體從基板移除有機物質。氧灰化製程的產物包括氧化碳及水蒸汽，該等氧化碳及水蒸汽可藉由真空系統抽離。暴露至氧電漿長達一段持續時間(例如，大於1小時)最終移除諸如碳及氫的有機化合物，留下少量殘餘物。
第6圖圖示根據本案的基板支撐組件的實施例的溫度資料。第6圖的圖表圖示在ESC上執行大功率製作方法或操作程序之後靜電夾盤(electrostatic chuck；ESC)的陶瓷主體的溫度和到ESC的中心的徑向距離之間的關係。第6圖顯示針對以下內容的溫度資料：1)新的ESC，沒有經研磨及沒有經歷射頻小時數(Radio Frequency Hour；RFHr)，例如，ESC的乾燥處理或循環時間；2)新的ESC，沒有經研磨及已經經歷近似50個RFHr的處理；及3)研磨的ESC，沒有經歷任何RFHr的處理或經歷僅少量RFHr的處理(例如，新的晶圓或經歷了少量處理(諸如小於20個RFHr的處理)的未乾燥的晶圓)。
當大功率程序在沒有經研磨及沒有經歷近似50個RFHr的處理的新的ESC上執行時，相較於ESC的中心(例如，85度)，ESC的陶瓷主體的邊緣顯示非常高的溫度(例如，115度)。未研磨的ESC具有遍及ESC的整個表面區域的大約20微吋至26微吋的平均表面粗糙度。高邊緣溫度及從中心至邊緣的溫度變化為有問題的及可不利地影響ESC的使用壽命及/或受支撐的基板上產生的產品效能。
當使用已經經歷近似50個RFHr的ESC時邊緣溫度減少(例如，從近似115度減少至小於95度)。溫度下降的理由可歸因於由於ESC及ESC支撐的基板之間的熱膨脹係數的失配暴露至近似50個RFHr引起的ESC的逐漸光滑。
根據本發明的實施例，研磨ESC顯示ESC的溫度管理的進一步改良。舉例而言，如上所述，未研磨的ESC具有遍及ESC的整個表面區域的大約20微吋至26微吋的平均表面粗糙度。在實施例中，ESC的中心及邊緣經研磨使得ESC的中心部分(例如，具有與ESC的中心近似0至140mm的徑向距離)具有大約10至16微吋的平均表面粗糙度，而ESC的邊緣部分(例如，具有與ESC的中心近似140至150mm的徑向距離)具有大約4至10微吋的平均表面粗糙度。藉由以此方式研磨ESC的中心及邊緣，在大功率製程期間陶瓷主體的表面溫度減少(例如，靠近ESC的中心從大約85度減少至70攝氏度及靠近ESC的邊緣從大約115攝氏度減少至大約85度)。此外，ESC的中心及邊緣之間的熱梯度大量減少(例如，研磨的ESC的中心及邊緣之間大約15度差異，與不具有RFHr處理的未研磨的ESC的大約30度差異形成對比)。
第7圖圖示基板支撐組件的實施例的表面粗糙度資料。第7圖的圖表圖示靜電夾盤(ESC)的陶瓷主體的平均表面粗糙度(Ra，以微吋為單位)和到ESC的中心的徑向距離之間的關係。舉例而言，針對具有3區域研磨的ESC，距離中心0至75mm的Ra為大約13微吋，距離中心75至140mm的Ra為大約10微吋及距離中心140至150mm的Ra為大約 4.5微吋。因為處理期間ESC的邊緣通常變得比ESC的中心溫度更高，故邊緣比ESC的中心研磨得更多。以此方式研磨ESC的表面改良陶瓷主體的表面與晶圓的表面之間的接觸，此使得晶圓更好地冷卻。
表格1顯示基板支撐組件的一個實施例的氧灰化資料。如上所論述，從ESC的接合(例如，丙烯酸或矽氧樹脂接合)及機加工製程引入污染。此污染可為(但不限於)碳及矽的形式。氧灰化或剝離為可用於移除陶瓷主體上的污染的製程。此污染移除改良ESC的導熱性。在實施例中，氧灰化可在執行接合之後在陶瓷主體上執行，其中在執行氧灰化之後，陶瓷主體的上表面上的碳原子濃度小於上表面上的顆粒的10%。
表格1顯示緊挨執行氧灰化之前陶瓷主體的上表面具有相對較高的碳(C)及矽(Si)污染物水平。舉例而言，在0小時處，陶瓷主體的上表面具有39%的碳及4.9%的矽的原子濃度，其中百分比為上表面上的總顆粒數。在一個小時的氧灰化處，原子濃度分別減少至8.5%的碳及3.8%的矽。在五個小時的氧灰化處，表面上的污染水平減少至近似8.1%及在18個小時的氧灰化處，污染減少至近似6.6%。如所顯示，大約1個小時的氧灰化之後存在遞減返回。因此，在一個實施例中，執行氧灰化長達近似一個小時。在陶瓷主體的表面上執行氧灰化移除污染，此舉幫助改良ESC的溫度效能。
第8A圖圖示諸如ESC的基板支撐組件的一個實施例的溫度資料。第8A圖的圖表圖示在ESC上執行大功率製作方法或操作程序之後ESC的陶瓷主體的溫度和到ESC的中心的徑向距離之間的關係。第8A圖顯示沒有經歷任何射頻小時數(RFHr)處理或經歷少量射頻小時數(RFHr)處理(例如，ESC的少量乾燥處理或循環時間)的新的或未乾燥處理的ESC的溫度資料。針對以下情況顯示溫度資料：1)3區域研磨ESC；2)2區域研磨ESC；及3)交替2區域研磨ESC。在實施例中，交替2區域研磨ESC可使用NGK公司執行的研磨技術研磨。
根據本發明的實施例，第8A圖中的圖表顯示多區域研磨ESC具有ESC的溫度管理的改良。舉例而言，具有2區域及3區域研磨的ESC的溫度為靠近ESC中心大約80攝氏溫度及靠近ESC邊緣大約100攝氏溫度。交替2區域研磨 ESC的溫度為靠近ESC中心大約75度及靠近ESC邊緣大約87度。
第8B圖圖示基板支撐組件的又一實施例的溫度資料。第8B圖的圖表圖示在ESC上執行大功率製作方法或操作程序之後ESC的陶瓷主體的溫度和到ESC的中心的徑向距離之間的關係。第8B圖顯示已經經歷大約50個RFHr的乾燥處理之後ESC的溫度資料。針對以下情況顯示溫度資料：1)3區域研磨ESC；2)2區域研磨ESC；及3)交替2區域研磨ESC。
根據本發明的實施例，第8B圖中的圖表顯示具有大約50個RFHr的處理的ESC顯示ESC的溫度管理的額外改良。舉例而言，具有2區域及3區域研磨的ESC的溫度為靠近ESC的中心大約78度及靠近ESC的邊緣大約92度，及交替2區域研磨ESC的溫度為靠近ESC的中心大約75度及靠近ESC的邊緣大約83度。
之前的描述闡明許多具體細節，諸如具體系統、組件、方法等等的實例，從而提供對本發明的數個實施例的良好理解。然而，對熟習此項技術者將顯而易見的是本發明的至少一些實施例可無需該等具體細節實踐。在其他情況中，沒有詳細描述或以簡單的方塊圖格式呈現眾所周知的組件或方法以避免不必要地模糊本發明。因此，闡明的具體細節僅為示例性的。特定實施可根據該等示例性細節變化及仍然考慮在本發明的範疇內。
遍及此說明書引用「一個實施例」及「一實施例」意謂與實施例相關描述的特定特徵、結構或特性包括在至少 一個實施例中。因此，遍及此說明書各處的詞組「在一個實施例中」、「在一實施例中」的出現不一定全部代表相同實施例。此外，術語「或」意欲意謂包括性的「或」而不是排除性的「或」。當本文使用術語「大約」或「近似」時，此術語意欲意謂±10%內出現的標稱值為準確的。
儘管本文的方法的操作以特定順序顯示及描述，然而每一方法的操作順序可改變使得某些操作可以反向順序執行或使得某些操作可至少部分地與其他操作同時執行。在另一實施例中，不同操作的指令或子操作可為間歇的及/或交替的方式。
將理解以上描述意欲為說明性的而不是限制性的。在閱讀及理解以上描述之後許多其他實施例對於熟習此項技術者將是顯而易見的。因此應參閱隨附申請專利範圍連同授權此申請專利範圍的等效物的全部範圍決定本發明的範圍。
450‧‧‧靜電夾盤
455‧‧‧導熱底座
460‧‧‧陶瓷主體
475‧‧‧孔
480‧‧‧凸台
490‧‧‧上部
495‧‧‧下部
497‧‧‧第一部分
498‧‧‧第二部分

Claims (20)

  1. 一種未乾燥處理的基板支撐組件，該基板支撐組件包含：一陶瓷主體，該陶瓷主體的一上表面包含：一第一部分，該第一部分靠近該陶瓷主體的一中心及具有一第一粗糙度輪廓，及一第二部分，該第二部分遠離該陶瓷主體的該中心及具有一粗糙度低於該第一粗糙度輪廓的一第二粗糙度輪廓，其中該第一部分及該第二部分的區域基於與該陶瓷主體的該中心的徑向距離；以及接合至該陶瓷主體的一下表面的一導熱底座。
  2. 如請求項1所述之未經乾燥處理的基板支撐組件，其中該第一粗糙度輪廓包含大於10微吋的一平均粗糙度且該第二粗糙度輪廓包含小於10微吋的一平均粗糙度。
  3. 如請求項1所述之未經乾燥處理的基板支撐組件，其中該陶瓷主體的該上表面上的一碳原子濃度為小於該上表面上的顆粒的10%。
  4. 如請求項1所述之未經乾燥處理的基板支撐組件，其中該陶瓷主體包含氮化鋁(AlN)及其中該導熱底座藉由一矽氧樹脂接合劑接合至該陶瓷主體的該下表面。
  5. 如請求項1所述之未經乾燥處理的基板支撐組件，其中該未經乾燥處理的基板支撐組件經歷小於20個小時的處理。
  6. 一種製造一基板支撐組件的方法，該方法包含以下步驟：提供該基板支撐組件的一陶瓷主體；研磨該陶瓷主體的一上表面的一第一部分至一第一粗糙度，其中該第一部分靠近該陶瓷主體的該上表面的一中心；研磨該陶瓷主體的該上表面的一第二部分至低於該第一粗糙度的一第二粗糙度，其中該第二部分遠離該陶瓷主體的該上表面的該中心；以及研磨該第二部分之後接合一導熱底座至該陶瓷主體的一下表面。
  7. 如請求項6所述之方法，其中該第一部分具有一平均粗糙度大於10微吋的一第一粗糙度輪廓，且其中該第二部分具有一平均粗糙度小於10微吋的一第二粗糙度輪廓。
  8. 如請求項6所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：在執行該接合之後在該陶瓷主體上執行氧灰化，其中在執行該氧灰化之後，該陶瓷主體的該上表面上的一碳原子濃度小於該上表面上的顆粒的10%。
  9. 如請求項8所述之方法，其中執行該氧灰化達一個小時或以上的一持續時間。
  10. 如請求項6所述之方法，其中 研磨該陶瓷主體的該第一部分之步驟包含使用一第一研磨工具及具有一第一砂礫的一第一漿料；以及研磨該陶瓷主體的該第二部分之步驟包含使用一第二研磨工具及具有比該第一砂礫更精細的一第二砂礫的一第二漿料。
  11. 如請求項6所述之方法，其中研磨該第一部分之步驟包含研磨該上表面的一第一區域，該上表面包括該第一部分及該第二部分兩者；以及研磨該第二部分之步驟包含研磨排除該第一部分的該上表面的一第二區域。
  12. 如請求項6所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：在研磨該第一部分之後執行該陶瓷主體的一第一清洗；在研磨該第二部分之後執行該陶瓷主體的一第二清洗；以及在該接合之後執行該基板支撐組件的一第三清洗。
  13. 如請求項6所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：研磨該陶瓷主體的一上表面的一第三部分至一第三粗糙度，其中該第三部分靠近該陶瓷主體的一外邊緣及遠離該陶瓷主體的該上表面的該中心。
  14. 一種藉由一製造製程製造的靜電夾盤，該製造製程包含以下步驟：提供該基板支撐組件的一陶瓷主體；研磨該陶瓷主體的一上表面的一第一部分至一第一粗糙度，其中該第一部分靠近該陶瓷主體的該上表面的一中心；研磨該陶瓷主體的該上表面的一第二部分至低於該第一粗糙度的一第二粗糙度，其中該第二部分遠離該陶瓷主體的該上表面的該中心；以及在研磨該第二部分之後接合一導熱底座至該陶瓷主體的一下表面。
  15. 如請求項14所述之靜電夾盤，其中該第一部分具有一平均粗糙度大於近似10微吋的一第一粗糙度輪廓，且其中該第二部分具有一平均粗糙度小於近似10微吋的一第二粗糙度輪廓。
  16. 如請求項14所述之靜電夾盤，該製造製程進一步包含以下步驟：在執行該接合之後在該陶瓷主體上執行氧灰化，其中在執行該氧灰化之後，該陶瓷主體的該上表面上的一碳原子濃度小於該上表面上的顆粒的10%。
  17. 如請求項16所述之靜電夾盤，其中執行該氧灰化達一個小時或以上的一持續時間。
  18. 如請求項14所述之靜電夾盤，其中：研磨該陶瓷主體的該第一部分之步驟包含使用一第一研磨工具及具有一第一砂礫的一第一漿料；以及研磨該陶瓷主體的該第二部分之步驟包含使用一第二研磨工具及具有比該第一砂礫更精細的一第二砂礫的一第二漿料。
  19. 如請求項14所述之靜電夾盤，其中：研磨該第一部分之步驟包含研磨該上表面的一第一區域，該上表面包括該第一部分及該第二部分兩者；以及研磨該第二部分之步驟包含研磨排除該第一部分的該上表面的一第二區域。
  20. 如請求項14所述之靜電夾盤，該方法進一步包含以下步驟：在研磨該第一部分之後執行該陶瓷主體的一第一清洗；在研磨該第二部分之後執行該陶瓷主體的一第二清洗；以及在該接合之後執行該基板支撐組件的一第三清洗。
TW103100096A 2013-01-18 2014-01-02 氮化鋁靜電夾盤之溫度管理 TW201438136A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361754346P 2013-01-18 2013-01-18
US14/139,116 US9358702B2 (en) 2013-01-18 2013-12-23 Temperature management of aluminium nitride electrostatic chuck

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201438136A true TW201438136A (zh) 2014-10-01

Family

ID=51207132

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103100096A TW201438136A (zh) 2013-01-18 2014-01-02 氮化鋁靜電夾盤之溫度管理

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9358702B2 (zh)
TW (1) TW201438136A (zh)
WO (1) WO2014113244A1 (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11229968B2 (en) * 2011-11-30 2022-01-25 Watlow Electric Manufacturing Company Semiconductor substrate support with multiple electrodes and method for making same
US9916998B2 (en) 2012-12-04 2018-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having a plasma resistant protective layer
US9685356B2 (en) 2012-12-11 2017-06-20 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having metal bonded protective layer
US9976211B2 (en) 2014-04-25 2018-05-22 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant thin film coating for high temperature application
US10196728B2 (en) 2014-05-16 2019-02-05 Applied Materials, Inc. Plasma spray coating design using phase and stress control
US10325800B2 (en) * 2014-08-26 2019-06-18 Applied Materials, Inc. High temperature electrostatic chucking with dielectric constant engineered in-situ charge trap materials
US10020218B2 (en) 2015-11-17 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly with deposited surface features
US11289355B2 (en) 2017-06-02 2022-03-29 Lam Research Corporation Electrostatic chuck for use in semiconductor processing
US10654147B2 (en) 2017-10-17 2020-05-19 Applied Materials, Inc. Polishing of electrostatic substrate support geometries
JP7374103B2 (ja) 2018-01-31 2023-11-06 ラム リサーチ コーポレーション 静電チャック（ｅｓｃ）ペデスタル電圧分離
US11086233B2 (en) * 2018-03-20 2021-08-10 Lam Research Corporation Protective coating for electrostatic chucks
US20200035535A1 (en) * 2018-07-27 2020-01-30 Applied Materials, Inc. Metal bonded electrostatic chuck for high power application
US11600517B2 (en) * 2018-08-17 2023-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Screwless semiconductor processing chambers
JP2020105590A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 キオクシア株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6839314B2 (ja) * 2019-03-19 2021-03-03 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置及びその製法
US11756819B2 (en) * 2019-05-16 2023-09-12 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for minimizing substrate backside damage
US11946137B2 (en) * 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
US20230294208A1 (en) * 2022-03-21 2023-09-21 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with laser-machined mesas
US20240017299A1 (en) * 2022-07-12 2024-01-18 Applied Materials, Inc. Methods for removing deposits on the surface of a chamber component

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4439248A (en) 1982-02-02 1984-03-27 Cabot Corporation Method of heat treating NICRALY alloys for use as ceramic kiln and furnace hardware
JP3129452B2 (ja) * 1990-03-13 2001-01-29 富士電機株式会社 静電チャック
US5381944A (en) 1993-11-04 1995-01-17 The Regents Of The University Of California Low temperature reactive bonding
US5631803A (en) 1995-01-06 1997-05-20 Applied Materials, Inc. Erosion resistant electrostatic chuck with improved cooling system
US5548470A (en) 1994-07-19 1996-08-20 International Business Machines Corporation Characterization, modeling, and design of an electrostatic chuck with improved wafer temperature uniformity
US5792562A (en) 1995-01-12 1998-08-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with polymeric impregnation and method of making
JPH09213777A (ja) * 1996-01-31 1997-08-15 Kyocera Corp 静電チャック
KR100471728B1 (ko) 1996-04-12 2005-03-14 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 플라즈마 처리장치
JP3160229B2 (ja) 1997-06-06 2001-04-25 日本エー・エス・エム株式会社 プラズマｃｖｄ装置用サセプタ及びその製造方法
US6194083B1 (en) 1997-07-28 2001-02-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Ceramic composite material and its manufacturing method, and heat resistant member using thereof
US6361645B1 (en) 1998-10-08 2002-03-26 Lam Research Corporation Method and device for compensating wafer bias in a plasma processing chamber
JP2000306986A (ja) 1999-04-19 2000-11-02 Nippon Eng Kk 静電チャック
DE60045384D1 (de) 1999-09-29 2011-01-27 Tokyo Electron Ltd Mehrzonenwiderstandsheizung
JP4272786B2 (ja) 2000-01-21 2009-06-03 トーカロ株式会社 静電チャック部材およびその製造方法
US6891263B2 (en) 2000-02-07 2005-05-10 Ibiden Co., Ltd. Ceramic substrate for a semiconductor production/inspection device
JP2001308075A (ja) 2000-04-26 2001-11-02 Toshiba Ceramics Co Ltd ウェーハ支持体
US7441688B2 (en) 2003-11-04 2008-10-28 Reactive Nanotechnologies Methods and device for controlling pressure in reactive multilayer joining and resulting product
JP3798319B2 (ja) 2000-05-02 2006-07-19 ジョンズ ホプキンス ユニバーシティ 自立形反応性多層フォイル
US6506254B1 (en) 2000-06-30 2003-01-14 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved particle performance
US6805952B2 (en) 2000-12-29 2004-10-19 Lam Research Corporation Low contamination plasma chamber components and methods for making the same
US6581275B2 (en) 2001-01-22 2003-06-24 Applied Materials Inc. Fabricating an electrostatic chuck having plasma resistant gas conduits
US6616031B2 (en) 2001-07-17 2003-09-09 Asm Assembly Automation Limited Apparatus and method for bond force control
JP2003146751A (ja) 2001-11-20 2003-05-21 Toshiba Ceramics Co Ltd 耐プラズマ性部材及びその製造方法
JP4493251B2 (ja) 2001-12-04 2010-06-30 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャックモジュールおよび基板処理装置
US6942929B2 (en) 2002-01-08 2005-09-13 Nianci Han Process chamber having component with yttrium-aluminum coating
US20080264564A1 (en) 2007-04-27 2008-10-30 Applied Materials, Inc. Method of reducing the erosion rate of semiconductor processing apparatus exposed to halogen-containing plasmas
DE10224137A1 (de) 2002-05-24 2003-12-04 Infineon Technologies Ag Ätzgas und Verfahren zum Trockenätzen
US6784096B2 (en) 2002-09-11 2004-08-31 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for forming barrier layers in high aspect ratio vias
FR2850790B1 (fr) 2003-02-05 2005-04-08 Semco Engineering Sa Semelle de collage electrostatique avec electrode radiofrequence et moyens thermostatiques integres
US20040187787A1 (en) 2003-03-31 2004-09-30 Dawson Keith E. Substrate support having temperature controlled substrate support surface
US7072166B2 (en) 2003-09-12 2006-07-04 Axcelis Technologies, Inc. Clamping and de-clamping semiconductor wafers on a J-R electrostatic chuck having a micromachined surface by using force delay in applying a single-phase square wave AC clamping voltage
CN100432024C (zh) 2003-10-31 2008-11-12 株式会社德山 氮化铝接合体及其制造方法
US20050230350A1 (en) 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
US7544251B2 (en) 2004-10-07 2009-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
FR2881869A1 (fr) 2005-02-04 2006-08-11 St Microelectronics Sa Memoire dynamique pour terminal cellulaire
US7718007B2 (en) 2005-03-17 2010-05-18 Tokyo Electron Limited Substrate supporting member and substrate processing apparatus
US7354659B2 (en) 2005-03-30 2008-04-08 Reactive Nanotechnologies, Inc. Method for fabricating large dimension bonds using reactive multilayer joining
US7672110B2 (en) 2005-08-29 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having textured contact surface
US20080016684A1 (en) 2006-07-06 2008-01-24 General Electric Company Corrosion resistant wafer processing apparatus and method for making thereof
JP2008016709A (ja) 2006-07-07 2008-01-24 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャックおよびその製造方法
US20080029032A1 (en) 2006-08-01 2008-02-07 Sun Jennifer Y Substrate support with protective layer for plasma resistance
US7701693B2 (en) 2006-09-13 2010-04-20 Ngk Insulators, Ltd. Electrostatic chuck with heater and manufacturing method thereof
US7469640B2 (en) 2006-09-28 2008-12-30 Alliant Techsystems Inc. Flares including reactive foil for igniting a combustible grain thereof and methods of fabricating and igniting such flares
US7696117B2 (en) 2007-04-27 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus which reduce the erosion rate of surfaces exposed to halogen-containing plasmas
US9202736B2 (en) 2007-07-31 2015-12-01 Applied Materials, Inc. Method for refurbishing an electrostatic chuck with reduced plasma penetration and arcing
US7848076B2 (en) 2007-07-31 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing an electrostatic chuck with reduced plasma penetration and arcing
US8108981B2 (en) 2007-07-31 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Method of making an electrostatic chuck with reduced plasma penetration and arcing
US8367227B2 (en) 2007-08-02 2013-02-05 Applied Materials, Inc. Plasma-resistant ceramics with controlled electrical resistivity
US7649729B2 (en) 2007-10-12 2010-01-19 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck assembly
US20090214825A1 (en) 2008-02-26 2009-08-27 Applied Materials, Inc. Ceramic coating comprising yttrium which is resistant to a reducing plasma
DE102008021167B3 (de) 2008-04-28 2010-01-21 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Erzeugung einer hermetisch dichten, elektrischen Durchführung mittels exothermer Nanofolie und damit hergestellte Vorrichtung
TWI475594B (zh) 2008-05-19 2015-03-01 Entegris Inc 靜電夾頭
US7929269B2 (en) 2008-09-04 2011-04-19 Momentive Performance Materials Inc. Wafer processing apparatus having a tunable electrical resistivity
JP5357486B2 (ja) 2008-09-30 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8206829B2 (en) 2008-11-10 2012-06-26 Applied Materials, Inc. Plasma resistant coatings for plasma chamber components
US20100116788A1 (en) 2008-11-12 2010-05-13 Lam Research Corporation Substrate temperature control by using liquid controlled multizone substrate support
US20100177454A1 (en) 2009-01-09 2010-07-15 Component Re-Engineering Company, Inc. Electrostatic chuck with dielectric inserts
US7964517B2 (en) 2009-01-29 2011-06-21 Texas Instruments Incorporated Use of a biased precoat for reduced first wafer defects in high-density plasma process
US8404572B2 (en) 2009-02-13 2013-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Multi-zone temperature control for semiconductor wafer
JP5595795B2 (ja) 2009-06-12 2014-09-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法
JP5604888B2 (ja) 2009-12-21 2014-10-15 住友大阪セメント株式会社 静電チャックの製造方法
JP5423632B2 (ja) 2010-01-29 2014-02-19 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP5267603B2 (ja) 2010-03-24 2013-08-21 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャック
WO2011150311A1 (en) 2010-05-28 2011-12-01 Praxair Technology, Inc. Substrate supports for semiconductor applications
US9969022B2 (en) 2010-09-28 2018-05-15 Applied Materials, Inc. Vacuum process chamber component and methods of making
US8916021B2 (en) 2010-10-27 2014-12-23 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck and showerhead with enhanced thermal properties and methods of making thereof
CN103493194B (zh) 2011-06-02 2016-05-18 应用材料公司 静电夹盘的氮化铝电介质修复
JP5665679B2 (ja) 2011-07-14 2015-02-04 住友重機械工業株式会社 不純物導入層形成装置及び静電チャック保護方法
KR20130098707A (ko) 2012-02-28 2013-09-05 삼성전자주식회사 정전 척 장치 및 그 제어방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20140203526A1 (en) 2014-07-24
US9358702B2 (en) 2016-06-07
WO2014113244A1 (en) 2014-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201438136A (zh) 氮化鋁靜電夾盤之溫度管理
JP6681857B2 (ja) 希土類酸化物系モノリシックチャンバ材料
JP6660658B2 (ja) 単体静電チャック
CN108352354B (zh) 具有沉积表面特征结构的基板支撑组件
CN110194681B (zh) 制造制品的方法
US20180102275A1 (en) Protective cover for electrostatic chuck
TW201428886A (zh) 具有抗電漿保護層之基板支撐組件