TWI426556B - 溼式清潔用於電漿處理設備之電極總成的方法與裝置 - Google Patents

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Description

溼式清潔用於電漿處理設備之電極總成的方法與裝置
電漿處理設備用以藉由包括蝕刻、物理氣相沈積(PVD)、化學氣相沈積(CVD)、離子植入及抗蝕劑移除之技術來處理基板。在電漿處理中使用的一類型之電漿處理設備包括含有上部及底部電極之反應腔室。在該等電極之間建立電場以將處理氣體激發為電漿狀態以處理該反應腔室中之基板。
提供一種清潔用於電漿處理設備之電極總成之襯背板之方法的一例示性實施例，其包含：使該襯背板與一溶劑接觸，且擦拭該襯背板之外表面以自該外表面移除粒子；以水噴淋該襯背板以自該襯背板之外表面移除粒子，且移除該襯背板之氣體通道中含有之粒子；超音波方式清潔該襯背板；及在一封閉該襯背板之沖洗夾具中以一沖洗液體沖洗該襯背板以自該襯背板之該外表面移除粒子且移除該襯背板之該等氣體通道中含有之粒子。
提供一種清潔用於電漿處理總成之包含黏合至電極板的襯背板之電極總成之方法的一例示性實施例，其包含：使該襯背板及該電極板與一溶劑接觸，且擦拭該襯背板之外表面及該電極板之外表面以自該襯背板及該電極板之該等外表面移除粒子；以水噴淋該襯背板及該電極板以自該襯背板及該電極板之該等外表面移除粒子，且移除該襯背板及該電極板之氣體通道中含有之粒子；超音波方式清潔該 電極總成；及在一封閉該電極總成之沖洗夾具中以一沖洗液體沖洗該電極總成以自該襯背板及該電極板之該等外表面移除粒子，且移除該襯背板及該電極板之該等氣體通道中含有之粒子。
適於清潔用於電漿處理腔室之襯背板或包括該襯背板及一電極板之電極總成的沖洗夾具之一例示性實施例包含：一底板，其包含一包括一上表面之凹進內部部分、一外部部分、一下表面、在該上表面與該下表面之間延伸的複數個液體通道，該上表面經組態以支撐該襯背板或該電極總成；及一蓋板，其經組態以當該襯背板或該電極總成支撐於該底板之該上表面上時覆蓋該底板，該蓋板包括至少一液體通道，經由該液體通道，一沖洗液體引入至由該底板及該蓋板界定的該沖洗夾具之一內部，該沖洗液體穿過該襯背板中之氣體通道，或者穿過該電極總成之該襯背板及該電極板中之氣體通道，且經由該底板中之該等液體通道退出該沖洗夾具。
提供清潔用於電漿處理設備之襯背板及電極總成之方法。襯背板及電極總成可為新的、用過的或經修理過的。亦提供清潔襯背板及電極總成之裝置。
在半導體基板之電漿處理期間，需要使由腔室組件引入至電漿處理腔室內的粒子之數目最小化。被稱作"添加物(adder)"之此等粒子可沈積於基板上且因此降低製程良率。
電漿處理腔室可包括一上部電極總成及一面向該上部電極總成且具有一下部電極之基板支撐件。舉例而言，上部電極可為一蓮蓬頭式電極總成。蓮蓬頭式電極總成可為粒子源。此等總成可包括一電極板及一緊固至該電極板之托持部件(諸如，襯背板)。電極板及襯背板可具有氣體通道，經由該等氣體通道，處理氣體被引入至電漿處理腔室。舉例而言，襯背板可由石墨製成。石墨相對軟且脆。舉例而言，電極板可由矽製成。可將電極板黏合至襯背板。
電極板及/或襯背板可為粒子源。粒子可源自在電極總成之製造期間的不同源。舉例而言，粒子可由石墨襯背板之製造、電極板及/或襯背板之預黏合污染、黏合製程、處置及不充分的清潔及封裝產生。粒子可為無機(例如，石墨或金屬)或有機物質。
在達成可靠器件且獲得高良率過程中，在積體電路之製造期間，對半導體晶圓表面上之微粒污染之控制係必要的。在晶圓表面上的粒子之存在可局部破壞在光微影及蝕刻步驟期間的圖案轉印。結果，此等粒子可將疵點引入至關鍵特徵(包括閘結構、金屬間介電層或金屬互連線)，且引起積體電路組件之故障或失效。
提供增強型清潔方法，其可顯著減少在上部電極總成(諸如，蓮蓬頭式電極總成)上之粒子的數目。該等方法之實施例可用以僅清潔電極總成之襯背板。其他實施例可用以清潔包括緊固至襯背板之電極板的電極總成。
該等方法之實施例可用以清潔新的、用過的或經整修的襯背板及電極總成。如本文中所描述，"新的"襯背板及電極總成尚未使用於用於處理半導體基板之電漿處理腔室中；"用過的"襯背板及電極總成已使用於用於處理半導體基板之電漿處理腔室中；且"經整修的"襯背板及電極總成已使用於用於處理半導體基板之電漿處理腔室中，且該電極板隨後已經處理(例如，拋光)以移除在電漿處理期間形成於矽電極板之底(電漿暴露)表面上之不良的表面污染及/或表面結構(例如，黑矽)或者不平坦之表面區域。電極板之整個底表面或者僅該底表面之一部分可加以拋光，此視其條件而定。矽電極板可經一或多次整修。
舉例而言，電極總成之電極板可由矽(較佳地，單晶矽)或碳化矽構成。電極板通常為圓形，且舉例而言，可具有200 mm、300 mm或甚至更大之直徑。電極板可具有任何合適的厚度，諸如，自約0.25英吋(in)至約0.5 in。舉例而言，襯背板可由石墨或鋁構成。襯背板通常為圓形，且經定大小以與電極板之形狀及大小對應。電極總成可包括一外部電極，諸如外環，其圍繞電極板；及一外部托持部件，諸如外部托環，其圍繞襯背板。
增強型清潔方法之例示性實施例可包括至少以下四個步驟。為了僅清潔電極總成之襯背板，藉由含有一溶劑(諸如，異丙醇)之合適清潔液體來清潔襯背板。可將襯背板浸沒於清潔液體中。亦藉由一潔淨抹布來擦拭襯背板。溶劑可自襯背板移除由製造及/處理產生之有機材料。
在擦拭後，接著以水噴淋該襯背板。在該清潔方法之實施例中使用之水較佳為高純度去離子水。在選定之水壓下且在有效的時間量內進行噴淋。通常可在比用過的或經整修的零件之噴淋時間週期短的時間週期內噴淋新的零件以達成所要的清潔。新的、用過的及經整修的零件通常經噴淋一次以上。
在噴淋後，在液浴中對襯背板進行超音波方式清潔。在選定之功率位準、溫度下且在有效的時間量內進行超音波方式清潔以自襯背板移除粒子。液體較佳為高純度去離子水。此步驟可執行一次以上。通常可在比用過的或經整修的零件之超音波方式清潔時間週期短的時間週期內超音波方式清潔新零件以達成所要的結果。用過的及經整修的零件通常經超音波方式清潔一次以上。
襯背板亦可在下文更詳細描述之沖洗夾具中清潔。該沖洗夾具在高壓下利用沖洗液體以自襯背板(及/或電極總成之電極板)之氣體通道內移除粒子。
對於包括一緊固至電極板之襯背板之電極總成，在電極板及襯背板之暴露表面上執行藉由溶劑及藉由去離子水之清潔及藉由加壓去離子水之噴淋。
將參考對包括一矽電極板及一黏著性地黏合至該電極板之石墨或金屬(例如，鋁)襯背板的電極總成之一例示性實施例之清潔來描述增強型清潔方法之額外態樣。然而，如上所述，清潔方法之實施例可用以在將襯背板黏合至電極板之前清潔襯背板，例如，石墨襯背板或鋁襯背板。舉例 而言，該等方法可用以在將一石墨襯背板黏合至一矽電極之前清潔該石墨襯背板，且接著在已將石墨襯背板黏合至矽電極之後再次清潔電極總成。清潔移除了表面粒子以及襯背板及電極板之氣體通道中含有之粒子及該等板之間的粒子。電極總成可為新的、用過的或經整修的。
首先，視覺檢察電極總成之疵點。
藉由一溶劑處理電極總成，較佳地，藉由浸沒於一含有異丙醇或其類似物之溶劑貯槽中。處理(例如，浸沒)電極總成歷時所要的時間量(例如，約5分鐘至約15分鐘)。以潔淨抹布擦拭矽電極板及石墨板兩者以移除包括有機物及人為污染之表面污染物。
較佳地，在10級潔淨室中，在選定之壓力(通常，小於約50 psi壓力)下，使用去離子水、使用N2 或其類似物藉由噴淋槍噴淋矽電極板。通常，對矽電極板噴淋達至少約3至5分鐘，對石墨板噴淋達至少約2至5分鐘，及再次對矽電極板噴淋達至少約3至5分鐘，共計達至少約10分鐘。噴淋有效地自矽電極板及襯背板移除表面粒子，且亦移除此等板之氣體通道內部含有的粒子。
較佳地，在10級潔淨室中，藉由異丙醇/去離子水擦拭矽電極板，直至在擦拭布上看不到污染。亦藉由異丙醇/去離子水擦拭石墨襯背板，直至在擦拭布上看不到污染。擦拭移除了板上之表面粒子。
較佳地，在10000級潔淨室中，在約40℃至50℃之溫度下將電極總成浸沒於一含有去離子水之超音貯槽中達約5 分鐘至約20分鐘。超音波方式清潔自電極總成移除粒子。
較佳地，在10000級潔淨室中，在選定之壓力(通常，小於約50 psi)下使用去離子水如上所述藉由噴淋槍再次噴淋電極板。通常，對矽電極板噴淋達至少約3至5分鐘，對石墨板噴淋達至少約2至5分鐘，及再次對矽電極板噴淋達至少約3至5分鐘，共計達至少約10分鐘。噴淋有效地自矽電極板及襯背板移除表面粒子，且亦移除此等板之氣體通道內部含有的粒子。
較佳地，在10級潔淨室中，將電極總成安裝於一沖洗夾具中。經建構以清潔電極總成(或電極總成之襯背板)的沖洗夾具10之一例示性實施例展示於圖1至圖3中。沖洗夾具10包含一底板20及一蓋板50。圖1描繪移除了蓋板50之沖洗夾具10。所說明之底板20具有圓形組態，且包括一上表面22及一下表面24。上表面22包括一環狀第一突起26及一自第一突起26徑向向外定位之環狀第二突起28。上表面22包括一中心液體通道30、位於第一突起26與第二突起28之間的複數個圓形間隔液體通道32及位於第二突起28與底板20之外部部分36之間的複數個圓形間隔液體通道34，外部部分36圍繞內部部分。完全相對的對準孔38形成於外部部分36中。在圖1中，包括電極板72及一緊固至電極板72之下層襯背板74(圖5)之電極總成支撐於底板20上。
在該實施例中，底板20包括提供於外部部分36上之手柄40以允許使用者運送沖洗夾具10。舉例而言，使用者可握緊手柄40以將沖洗夾具10定位於與沖洗夾具10一起用於清 潔操作之貯槽之開放上端處。在沖洗夾具10之使用期間，使一沖洗液體(例如，高純度去離子水)流過底板20之流體通道30、32、34且進入貯槽內。
在該實施例中，圓形間隔閂鎖42提供於底板20之外部部分36上。閂鎖42中之每一者包括一扣件44。如圖2中所示，較佳地，使閂鎖42凹進，使得閂鎖42並不接觸支撐於底板20上之電極總成。
圖3中所示之沖洗夾具10之蓋板50經組態以覆蓋底板20。當將蓋板50安裝於底板20上時，蓋板50包含一經定大小以位於底板20之內部部分上方的凹進內部部分52及一調適成位於底板20之外部部分36上方的外部部分54。蓋板50包括對準插腳56，對準插腳56中之每一者經定大小以當將蓋板50置放於底板20上時被插入於底板20之外部部分36中之各別對準孔38內。對準插腳56較佳由軟質可撓性材料(諸如，聚四氟乙烯(PTFE))或其類似物製成以避免對電極總成之損壞。蓋板50亦包含形成於外部部分54中之複數個切口57，每一切口57經組態以收納閂鎖42之扣件44以將蓋板50緊固至底板20。
蓋板50之內部部分52包括至少一液體通道(較佳地，多個液體通道58)，經由液體通道，將沖洗液體引入至蓋板50之內部部分52與底板20之內部部分之間的空間內。在一實施例中，液體通道58中之每一者可與單獨的液體供應線流體連通地連接。
如圖4中所示，沖洗夾具10包括一外殼60，外殼60界定 提供於蓋板50之頂表面59上的充氣部62。外殼60包括一用於連接至液體供應線以將沖洗液體供應至液體通道58中之每一者之單一流體通道64。
蓋板50之外部部分54包括一圓形凹槽66(圖3)及一插入於凹槽66中之O形環68(圖5及圖6)。如下所述，當蓋板50緊固至底板20時，O形環68在蓋板50與支撐於底板20上的電極總成之一部分之間提供液密密封。
底板20及蓋板50係由與電極總成之材料相容之合適材料製成。在一較佳實施例中，底板20及蓋板50由諸如聚醚醯亞胺之聚合材料製成。關於底板20，閂鎖42可由其他合適材料製成。
圖5描繪蓋板50緊固至底板20之沖洗夾具10。包括電極板72及襯背板74之電極總成70支撐於底板20上且封閉於沖洗夾具10中。使電極板72黏合(例如，黏著性地黏合)至襯背板74。如上討論，電極總成可為新的、用過的或經整修的。電極板72可由(例如)矽或SiC構成。襯背板74可由(例如)石墨或鋁構成。電極總成70之電極可包括一外部電極(例如，一連續或多段環)，其經組態以圍繞電極環72。托持部件亦可包括一經組態以圍繞襯背板74之環。可在不使用沖洗夾具10之情況下清潔電極及托持部件之環，因為該等環通常包括僅少量的孔或無孔。亦即，可使用不同於使用沖洗夾具的清潔方法之步驟中之每一者來清潔電極及托持部件之環。
如圖5中所示，提供於蓋板50中之凹槽66中之O形環68在 電極板72之外周邊部分78處接觸電極板72之表面76(亦即，當將電極總成70安裝於電漿處理腔室中時暴露至電漿的表面)，且在電極板72與蓋板50之外部部分54之間形成液密密封。電極板72包括與襯背板74中之較大氣體通道82流體連通之氣體通道80。
為了清潔電極總成70，經由蓋板50中之液體通道58在高壓下將沖洗液體引入至沖洗夾具10內，且沖洗液體流過電極板72中之氣體通道80，且接著流過下層襯背板74中之氣體通道82。通常，沖洗液體為去離子水。沖洗液體可含有溶劑，諸如，異丙醇。通常在約40 psi至50 psi之壓力及約5加侖/分鐘至10加侖/分鐘之流動速率下引入沖洗液體。沖洗液體可處於環境溫度下或處於高溫(諸如，約40℃至50℃)下。較佳地，不使沖洗液體再循環。較佳地，沿著液體線提供粒子過濾器(例如，0.2 μm及1 μm)以自沖洗液體移除粒子。
電極板72之氣體通道80及/或襯背板74中含有之粒子，及在處置及黏合期間截留於電極板72與襯背板74之間的粒子夾帶於沖洗液體中，且自氣體通道80、82及自電極板72與襯背板74之間移除。沖洗液體接著經由底板20之內部部分中的液體通道30、32、34流出沖洗夾具10。如所示，電極總成70置放於底板20上，其中電極板72面向蓋板50，以允許自電極板72之氣體通道80移除之粒子穿過底板20之較大氣體通道82。若電極總成70替代地置放於底板20上，其中襯背板74面向蓋板50，則自襯背板74之氣體通道82移除 之大粒子可能截留於電極板72之較小氣體通道80中，且因此，可能不能自電極板72移除。
圖6描繪沖洗夾具10之另一實施例，其中蓋板50緊固至底板20，且僅電極總成70之襯背板74支撐於底板20上。在此實施例中，一配接器環84經提供以位於襯背板74之表面上且保護該表面。配接器環84包括一凹槽88，該凹槽88經定大小以收納襯背板74之外周邊部分86之凸起的周邊邊緣90以保護周邊邊緣90免受損壞。提供於蓋板50上之O形環68接觸配接器環84之表面，且在蓋板50與配接器環84之間形成液密密封。
為了清潔圖6中所示之襯背板74，經由蓋板50中之液體通道58，在壓力下將沖洗液體引入至沖洗夾具10內，且使沖洗液體流過襯背板中之氣體通道82。襯背板74之氣體通道82中含有之粒子被夾帶於沖洗液體中。
視襯背板或電極總成之條件而定，可在沖洗夾具10內一次或若干次地清潔襯背板或電極總成。舉例而言，可使用異丙醇沖洗(例如，2%異丙基沖洗)、熱去離子水沖洗及最終去離子水沖洗來清潔襯背板或電極總成。
在於沖洗夾具中清潔電極總成後，藉由異丙醇/去離子水擦拭矽電極板，直至在擦拭布上看不到污染。藉由異丙醇/去離子水擦拭石墨襯背板，直至在擦拭布上看不到污染。可再次藉由異丙醇/去離子水擦拭矽電極板，直至在擦拭布上看不到污染。擦拭自電極板及襯背板之表面移除粒子。
較佳地，在10級潔淨室中，在約40℃至50℃之溫度下將電極總成再次浸沒於一含有去離子水之超音貯槽中達約5至約20分鐘以移除粒子。
較佳地，在10級潔淨室中，藉由擦拭而以一混合酸清潔矽電極板之表面，以移除矽電極上之表面污染以減少表面粒子之數目。用於矽電極之合適的混合酸含有HF/HNO3 /HAc之混合物。舉例而言，可執行酸擦拭達約2至5分鐘。酸擦拭自矽表面移除金屬污染。在酸擦拭之間，藉由去離子水清洗矽電極板。
在酸擦拭後，較佳地，不存在矽電極板之表面的直接人為接觸，且所有接觸係藉由手套或裝備。
較佳地，在10級潔淨室中，在選定之壓力(通常，小於約50 psi)下使用去離子水藉由噴淋槍再次噴淋電極總成。通常，對矽電極板噴淋達至少約3至5分鐘，對石墨襯背板噴淋達至少約2至5分鐘，且再次對矽電極板噴淋達至少約3至5分鐘，共計達至少約10分鐘。噴淋有效地自矽電極板及石墨襯背板移除表面粒子，且亦移除此等板之氣體通道內部含有的粒子。
較佳地，在10級潔淨室中，藉由氮氣乾燥矽電極板。
接下來，較佳地，在10級潔淨室中，在約110℃至120℃之溫度下對電極總成加熱達約3至5小時之週期以自電極總成完全移除水。
較佳地，在10級潔淨室中，視覺檢察電極總成之物理疵點及表面疵點。
接著使電極總成經受表面粒子計數分析。
接著封裝電極總成。較佳地，在10級潔淨室中，將電極總成置放於耐綸內袋中。較佳地，在1000級潔淨室中，密封內袋。將內袋置放於經真空密封之外袋之內部。
實例 實例1
使用液體粒子計數器量測尚未經受超音波方式清潔的原樣石墨襯背板上之粒子之數目。接著在約50℃之溫度、40 kHz之超音頻率及石墨裝載後的10－20 W/in2 之功率密度下在去離子水中於一貯槽中超音波方式清潔石墨襯背板達1小時、2小時及3小時。亦即，石墨板經超音波方式清潔達1小時，接著自液浴移除且進行測試，接著經受超音波方式清潔達額外的1小時，接著再次自液浴移除且進行測試，接著經受超音波方式清潔達額外的1小時(總計達3小時)，接著再次自液浴移除且進行測試。接著使用液體粒子計數器在每一清潔時間週期內量測襯背板上的粒子之數目，液體粒子計數器分析石墨襯背板於其中清潔之液體。量測結果展示於表1中。
如表1中所示，超音波方式清潔顯著減少了石墨襯背板上每一大小種類的粒子之數目。然而，在3小時超音波方式清潔後，至少0.2 μm大小的粒子之數目仍為6,900,000。
實例2
使用液體粒子計數器量測已經受超音波方式清潔的原樣石墨襯背板上之粒子之數目。接著如實例1中描述而超音波方式清潔石墨襯背板。接著使用液體粒子計數器在每一清潔時間週期內量測襯背板上的粒子之數目。量測結果展示於表2中。
如表2中所示，超音波方式清潔減少了原樣石墨襯背板上每一大小種類的粒子之數目。石墨襯背板之後1小時、2小時及3小時超音波方式清潔進一步減少了粒子之數目。然而，在3小時超音波方式清潔後，至少0.2 μm大小的粒子之數目仍為2,100,000。
實例3
使用表面粒子計數器量測尚未經受超音波方式清潔的原 樣石墨襯背板之表面上的粒子之數目。對於至少0.3 μm大小的粒子，潔淨室外部的粒子計數量測如下：12,468計數/英吋2 、13,646計數/英吋2 及9,298計數/英吋2 ，平均值為11,804計數/英吋2 。
實例4
使用表面粒子計數器量測已經受超音波方式清潔的原樣石墨襯背板之表面上的粒子之數目。對於至少0.3 μm大小的粒子，潔淨室外部的粒子計數量測如下：4,794計數/英吋2 、4,213計數/英吋2 及4,274計數/英吋2 ，平均值為4,427計數/英吋2 。
實例5
在此實例中，根據增強型清潔方法之一例示性實施例，清潔實例3之尚未經受超音波方式清潔的原樣石墨襯背板。石墨清潔方法包括以下程序。檢察石墨襯背板，且在潔淨室外部的多個位置處使用雷射粒子計數器進行石墨襯背板之表面粒子計數。將石墨襯背板浸沒於異丙醇中達1分鐘且擦拭以移除重的黑粒子。在1000級潔淨室中，在40 psi至50 psi之壓力下，藉由去離子水對石墨襯背板之每一側噴淋達5分鐘。接著藉由高純度去離子水及異丙醇擦拭石墨襯背板，直至在擦拭布上看不到黑色汙跡。接一來，再次在40 psi至50 psi之壓力下，藉由去離子水對石墨襯背板之每一側噴淋達1分鐘。接著將石墨襯背板插入至如圖1及圖6中所描繪之沖洗夾具內(配接器環84未與石墨襯背板一起使用)。在40 psi至50 psi之壓力下使氮氣及高純度去 離子水沖洗達15分鐘。接下來，在40℃至50℃之液體溫度下，在10－20 W/in2 之超音功率下，將石墨襯背板在每一表面上浸沒於一超音波方式清潔貯槽中達約8分鐘。接著藉由異丙醇及高純度去離子水擦拭石墨襯背板之表面，直至在擦拭布上看不到黑色汙跡。再次在40 psi至50 psi之壓力下，藉由去離子水對石墨襯背板之每一側噴淋達1分鐘。接著藉由氮氣乾燥石墨襯背板。接下來，在一烘箱中於120℃之溫度下對石墨襯背板加熱達3小時。接著自烘箱移除石墨襯背板，且允許其冷卻至環境溫度。在潔淨室外部的多個位置處使用雷射粒子計數器進行五次表面粒子計數。對於至少0.3 μm大小的粒子，每一粒子計數讀數為0.0計數/英吋2 。
實例6
在此實例中，根據實例5中描述之清潔方法之例示性實施例，清潔實例4之已經受超音波方式清潔的原樣石墨襯背板。清潔後，在潔淨室外部的多個位置處使用雷射粒子計數器進行五次表面粒子計數。對於至少0.3 μm大小的粒子，每一粒子計數讀數為0.0計數/英吋2 。
實例7
使用液體粒子計數器分析實例5之石墨襯背板。測試結果展示於表3中。
如表3中所示，增強型清潔方法之實施例在3小時超音波方式清潔後將至少0.2 μm大小的粒子之數目減少至初始液體粒子計數器值之低值。
實例8
使用液體粒子計數器分析實例6之石墨襯背板。測試結果展示於表4中。
如表4中所示，增強型清潔方法之實施例將至少0.2 μm大小的粒子之數目減少至比表3中所示之值低的值。
實例1、實例2、實例7及實例8的至少0.2 μm大小的粒子之液體粒子計數結果總結於表5中。
藉由本文中描述之清潔方法之實施例清潔的襯背板(例如，石墨襯背板)及電極總成(例如，包括一石墨襯背板及一緊固至該襯背板之矽電極)可安裝於電漿處理腔室中，且用於對半導體基板之電漿處理中以與尚未經受清潔之襯背板或電極總成相比顯著減少此等基板上的粒子添加物之數目，較佳地減少至清潔方法之實施例可一貫地達成低的腔室粒子計數，且大體上無致命缺陷。舉例而言，對於大小自約0.2 μm至約1 μm的粒子添加物，清潔方法之實施例可達成小於20(諸如，小於10或小於5)之粒子添加物計數、大體上為零的大小大於約0.2 μm之粒子之面積添加物計數。
雖然已結合本發明之較佳實施例描述了本發明，但熟習此項技術者應瞭解，在不脫離如隨付申請專利範圍中界定之本發明之精神及範疇的情況下，可進行未經具體描述之 添加、刪除、修改及代替。
10‧‧‧沖洗夾具
20‧‧‧底板
22‧‧‧上表面
24‧‧‧下表面
26‧‧‧環狀第一突起
28‧‧‧環狀第二突起
30‧‧‧中心液體通道
32‧‧‧液體通道
34‧‧‧液體通道
36‧‧‧外部部分
38‧‧‧對準孔
40‧‧‧手柄
42‧‧‧閂鎖
44‧‧‧扣件
50‧‧‧蓋板
52‧‧‧蓋板之內部部分
54‧‧‧蓋板之外部部分
56‧‧‧對準插腳
57‧‧‧切口
58‧‧‧液體通道
59‧‧‧蓋板之頂表面
60‧‧‧外殼
62‧‧‧充氣部
64‧‧‧流體通道
66‧‧‧凹槽
68‧‧‧O形環
70‧‧‧電極總成
72‧‧‧電極板
74‧‧‧襯背板
80‧‧‧氣體通道
82‧‧‧氣體通道
84‧‧‧配接器環
86‧‧‧襯背板之外周邊部分
88‧‧‧凹槽
90‧‧‧周邊邊緣
圖1展示包括一自底板移除之蓋板的沖洗夾具之一例示性實施例。
圖2為圖1中所示之沖洗夾具之底板之頂部透視圖。
圖3為圖1中所示之沖洗夾具之蓋板之底部透視圖。
圖4展示包括一緊固至底板之蓋板的沖洗夾具之另一例示性實施例。
圖5為具有位於圖1中所示之沖洗夾具內部的電極總成之該沖洗夾具之一部分在組裝條件下的橫截面圖，該電極總成包括一電極板及一襯背板。
圖6為具有位於圖1中所示之沖洗夾具內部的電極總成之一襯背板之該沖洗夾具之一部分在組裝條件下的橫截面圖。
10‧‧‧沖洗夾具
20‧‧‧底板
40‧‧‧手柄
42‧‧‧閂鎖
50‧‧‧蓋板
58‧‧‧液體通道
59‧‧‧蓋板之頂表面
72‧‧‧電極板

Claims (40)

  1. 一種清潔用於一電漿處理設備之一電極總成之一襯背板之方法，該方法包含：使該襯背板與一溶劑接觸，且擦拭該襯背板之外表面以自該外表面移除粒子；以水噴淋該襯背板以自該襯背板之該外表面移除粒子，且移除該襯背板之氣體通道中含有之粒子；超音波方式清潔該襯背板；及在一封閉該襯背板之沖洗夾具中以一沖洗液體沖洗該襯背板，以自該襯背板之該外表面移除粒子且移除該襯背板之該等氣體通道中含有之粒子。
  2. 如請求項1之方法，其中該襯背板由石墨構成。
  3. 如請求項2之方法，其中該石墨板在該清潔後具有至少0.3 μm之一大小之粒子之0計數/英吋2 的一表面粒子計數。
  4. 如請求項1之方法，其中該襯背板由鋁構成。
  5. 如請求項1之方法，其中該襯背板為一新機背板。
  6. 如請求項5之方法，其進一步包含重複該噴淋至少一次。
  7. 如請求項1之方法，其中該襯背板為一用過的或經整修的襯背板。
  8. 如請求項7之方法，其進一步包含重複該噴淋、超音波方式清潔及沖洗至少一次。
  9. 如請求項1之方法，其中該接觸包含使用水及一有效地 自該襯背板移除有機物質之有機溶劑。
  10. 如請求項1之方法，其中該沖洗液體處於約40 psi至約50 Psi之一壓力下，且在約40 psi至約50 psi之一壓力下將該水噴淋至該襯背板上。
  11. 如請求項1之方法，其中該水為高純度去離子水。
  12. 如請求項1之方法，其中該溶劑為異丙醇。
  13. 一種清潔一用於一電漿處理總成之包含一黏合至一電極板的襯背板之電極總成之方法，該方法包含：使該襯背板及該電極板與一溶劑接觸，且擦拭該襯背板之外表面及該電極板之外表面以自該襯背板及該電極板之該等外表面移除粒子；以水噴淋該襯背板及該電極板以自該襯背板及該電極板之該等外表面移除粒子，且移除該襯背板及該電極板之氣體通道中含有之粒子；超音波方式清潔該電極總成；及在一封閉該電極總成之沖洗夾具中以一沖洗液體沖洗該電極總成以自該襯背板及該電極板之該等外表面移除粒子，且移除該襯背板及該電極板之該等氣體通道中含有之粒子。
  14. 如請求項13之方法，其中該襯背板由石墨構成，且電極板由矽構成。
  15. 如請求項14之方法，其中該石墨板在該清潔後具有至少0.3 μm之一大小之粒子之0計數/英吋2 的一表面粒子計數。
  16. 如請求項13之方法，其中該襯背板由鋁構成，且該電極板由矽構成。
  17. 如請求項13之方法，其中該電極板由矽構成，且該方法進一步包含使該電極板之該外表面與一含有HF、HNO3 及HAc之一混合物之混合酸接觸。
  18. 如請求項13之方法，其中該襯背板為一新襯背板。
  19. 如請求項18之方法，其進一步包含重複該噴淋至少一次。
  20. 如請求項13之方法，其中該襯背板為一用過的或經整修的襯背板。
  21. 如請求項20之方法，其進一步包含重複該噴淋、超音波方式清潔及沖洗至少一次。
  22. 如請求項13之方法，其中該接觸包含使用水及一有效地自該電極總成移除有機物質之有機溶劑。
  23. 如請求項13之方法，其中該沖洗液體處於約40 psi至約50 psi之一壓力下，且在約40 psi至約50 psi之一壓力下將該水噴淋至該電極總成上。
  24. 如請求項13之方法，其中該水為高純度去離子水。
  25. 如請求項13之方法，其中該溶劑為異丙醇。
  26. 一種適於清潔用於一電漿處理腔室之一襯背板或一包括該襯背板及一電極板之電極總成之沖洗夾具，該沖洗夾具包含：一底板，其包含一包括一上表面之凹進內部部分、一外部部分、一下表面、在該上表面與該下表面之間延伸 的複數個液體通道，該上表面經組態以支撐該襯背板或該電極總成；及一蓋板，其經組態以當該襯背板或電極總成支撐於該底板之該上表面上時覆蓋該底板，該蓋板包括至少一液體通道，經由該液體通道，一沖洗液體引入至由該底板及蓋板界定的該沖洗夾具之一內部，該沖洗液體穿過該襯背板中之氣體通道，或者穿過該電極總成之該襯背板及電極板中之氣體通道，且經由該底板中之該等液體通道退出該沖洗夾具。
  27. 如請求項26之沖洗夾具，其中該底板包含提供於該外部部分中之複數個圓周間隔對準孔，且該蓋板包括複數個對準插腳，該等對準插腳中之每一者經定大小以當該蓋板經定位以覆蓋該底板時收納於該底板之一對準孔中。
  28. 如請求項26之沖洗夾具，其進一步包含一配接器環，該配接器環經組態以定位於該蓋板與底板之間，且接觸該蓋板及襯背板之一表面以防止該襯背板之該表面接觸該蓋板。
  29. 如請求項26之沖洗夾具，其進一步包含一O形環，該O形環調適成當支撐於該底板之該上表面上時在該蓋板與該襯背板或該電極總成之間提供一液體密封。
  30. 一種清潔用於一電漿處理設備之一電極總成之一襯背板之方法，該方法包含：使該襯背板與一溶劑接觸，且擦拭該襯背板之外表面以自該外表面移除粒子； 以水噴淋該襯背板以自該襯背板之該外表面移除粒子，且移除該襯背板之氣體通道中含有之粒子；超音波方式清潔該襯背板；及將該襯背板置放於如請求項26之沖洗夾具中，以蓋板覆蓋該底板，且以一沖洗液體沖洗該襯背板以自該襯背板之該表面移除粒子，且移除該襯背板之該等氣體通道中含有之粒子。
  31. 如請求項30之方法，其中該襯背板由石墨構成。
  32. 如請求項30之方法，其中該襯背板由鋁構成。
  33. 如請求項30之方法，其中該襯背板為一新襯背板。
  34. 如請求項30之方法，其中該襯背板為一用過的或經整修的襯背板。
  35. 一種清潔一用於一電漿處理總成之包含一黏合至一電極板的襯背板之電極總成之方法，該方法包含：使該襯背板及該電極板與一溶劑接觸，且擦拭該襯背板之外表面及該電極板之外表面以自該襯背板及該電極板之該等外表面移除粒子；以水噴淋該襯背板及該電極板以自該襯背板及該電極板之該等外表面移除粒子，且移除該襯背板及該電極板之氣體通道中含有之粒子；超音波方式清潔該電極總成；及將該電極總成置放於如請求項26之沖洗夾具中，以蓋板覆蓋該電極總成，且以一沖洗液體沖洗該電極總成以自該襯背板及該電極板之該等外表面移除粒子，且移除 該襯背板及電極板之該等氣體通道中含有之粒子。
  36. 如請求項35之方法，其中該襯背板由石墨構成，且電極板由矽構成。
  37. 如請求項35之方法，其中該襯背板由鋁構成，且該電極板由矽構成。
  38. 如請求項35之方法，其中該電極板由矽構成，且該方法進一步包含使該電極板之該外表面與一含有HF、HNO3 及HAc之一混合物之混合酸接觸。
  39. 如請求項35之方法，其中該襯背板為一新襯背板。
  40. 如請求項35之方法，其中該襯背板為一用過的或經整修的襯背板。
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