KR101467591B1 - 플라즈마 처리 장치용 전극 어셈블리들을 습식 세정하는 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
전극 어셈블리들의 백킹 플레이트 (backing plate) 들, 또는 백킹 플레이트 및 전극 플레이트를 포함한 전극 어셈블리들을 세정하는 방법들이 제공된다. 그 방법들은 실리콘 전극 플레이트들 및 흑연과 알루미늄 백킹 플레이트들과 같은 다양한 재료로 이루어진 백킹 플레이트들 및 전극 플레이트들을 세정하는데 사용될 수 있다. 백킹 플레이트들 및 전극 플레이트들은 새로운 것, 사용된 것 또는 개조된 것일 수 있다. 그 세정 방법에 사용될 수 있는 플러싱 설비 (flushing fixture) 가 또한 제공된다.
플러싱 설비, 전극 어셈블리, 백킹 플레이트, 전극 플레이트, 플러즈마 처리 장치
Description
배경
플라즈마 처리 장치는 에칭, 물리 기상 증착 (PVD: physical vapor deposition), 화학 기상 증착 (CVD: chemical vapor deposition), 이온 주입 및 레지스트 제거를 포함한 기술에 의해 기판들을 처리하는데 이용된다. 플라즈마 처리 시에 이용되는 플라즈마 처리 장치의 한 종류는 상부 전극 및 하부 전극을 포함한 반응 챔버를 포함한다. 전극들 사이에 전계가 수립되어 반응 챔버 내의 기판들을 처리하는 플라즈마 상태로 프로세스 가스를 여기시킨다.
개요
플라즈마 처리 장치용 전극 어셈블리의 백킹 플레이트 (backing plate) 를 세정하는 방법의 예시적 실시형태를 제공하며, 여기서 그 방법은 외부 표면에서 파티클들을 제거하기 위하여 백킹 플레이트를 용매와 접촉시키고 백킹 플레이트의 외부 표면을 와이핑 (wiping) 하는 단계; 백킹 플레이트의 외부 표면으로부터의 파티클들 및 백킹 플레이트의 가스 통로들 내에 포함된 파티클들을 제거하기 위하여 백킹 플레이트에 물을 분무하는 단계; 백킹 플레이트를 초음파 세정하는 단계; 및 백킹 플레이트의 외부 표면으로부터의 파티클들 및 백킹 플레이트의 가스 통로들 내 에 포함된 파티클들을 제거하기 위하여 백킹 플레이트를 인클로우징 (enclosing) 하는 플러싱 설비 (flushing fixture) 내에서 플러싱 액체로 백킹 플레이트를 플러싱하는 단계를 포함한다.
플라즈마 처리 어셈블리용 전극 플레이트에 본딩된 백킹 플레이트를 구비한 전극 어셈블리를 세정하는 방법의 예시적 실시형태를 제공하며, 그 방법은 백킹 플레이트의 외부 표면 및 전극 플레이트의 외부 표면에서 파티클을 제거하기 위하여 백킹 플레이트 및 전극 플레이트를 용매와 접촉시키고 백킹 플레이트의 외부 표면 및 전극 플레이트의 외부 표면을 와이핑하는 단계; 백킹 플레이트의 외부 표면 및 전극 플레이트의 외부 표면, 및 백킹 플레이트와 전극 플레이트의 가스 통로들 내에 포함된 파티클들을 제거하기 위하여 백킹 플레이트 및 전극 플레이트에 물을 분무하는 단계; 전극 어셈블리를 초음파 세정하는 단계; 및 백킹 플레이트의 외부 표면 및 전극 플레이트의 외부 표면으로부터의 파티클들 및 백킹 플레이트와 전극 플레이트의 가스 통로들 내에 포함된 파티클들을 제거하기 위하여 백킹 플레이트를 인클로우징하는 플러싱 설비 내에서 플러싱 액체로 전극 어셈블리를 플러싱하는 단계를 포함한다.
플라즈마 처리 챔버를 위해 백킹 플레이트, 또는 백킹 플레이트 및 전극 플레이트를 포함한 전극 어셈블리를 세정하는데 구성된 플러싱 설비의 예시적 실시형태는 백킹 플레이트 또는 전극 어셈블리를 지지하도록 구성된 상부 표면을 포함한 리세싱된 내측부, 외측부, 하부 표면, 상부 표면과 하부 표면 사이에 연장된 복수의 액체 통로들을 구비한 베이스 플레이트; 및 백킹 플레이트 또는 전극 어셈블리 가 베이스 플레이트의 상부 표면 상에 지지되는 경우 베이스 플레이트를 덮도록 구성된 커버 플레이트로서, 베이스 플레이트 및 커버 플레이트에 의해 정의된 플러싱 설비의 내부로 플러싱 액체가 도입되는 적어도 하나의 액체 통로를 포함하는 커버 플레이트를 구비하고, 플러싱 액체는 백킹 플레이트의 가스 통로들 및 전극 어셈블리의 백킹 플레이트 및 전극 플레이트의 가스 통로들을 통과하고 베이스 플레이트의 액체 통로들을 통해 플러싱 설비를 빠져 나간다.
도면
도 1 은 베이스 플레이트에서 제거된 커버 플레이트를 포함한 플러싱 설비의 예시적 실시형태를 나타낸다.
도 2 는 도 1 에 도시된 플러싱 설비의 베이스 플레이트의 상부 사시도를 나타낸다.
도 3 은 도 1 에 도시된 플러싱 설비의 커버 플레이트의 저부 사시도를 나타낸다.
도 4 는 베이스 플레이트에 고정된 커버 플레이트를 포함한 플러싱 설비의 또다른 예시적 실시형태를 나타낸다.
도 5 는 플러싱 설비 내부에 전극 플레이트 및 백킹 플레이트를 포함한 전극 어셈블리가 배치되는 어셈블링 조건에서 도 1 에 도시된 플러싱 설비의 일부의 단면도이다.
도 6 은 플러싱 설비의 내부에 전극 어셈블리의 백킹 플레이트가 배치되는 어셈블링 조건에서 도 1 에 도시된 플러싱 설비의 일부의 단면도이다.
상세한 설명
플라즈마 처리 장치용 백킹 플레이트들 및 전극 어셈블리들을 세정하는 방법이 제공된다. 백킹 플레이트들 및 전극 어셈블리들은 새로운 것, 사용된 것 또는 수리 (recondition) 된 것일 수 있다. 백킹 플레이트들 및 전극 어셈블리들을 세정하는 장치가 또한 제공된다.
반도체 기판들의 플라즈마 처리 동안에는, 챔버 컴포넌트들에 의해 플라즈마 처리 챔버로 도입된 파티클의 수를 최소화하는 것이 바람하다. "애더 (adder)" 라 불리는 이러한 파티클들은 기판 상에 퇴적되고 결과적으로 프로세스 수율을 저하시킬 수 있다.
플라즈마 처리 챔버들은 상부 전극 어셈블리 및 그 상부 전극 어셈블리에 대향하고 하부 전극을 가지는 기판 지지체를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상부 전극은 샤워헤드 전극 어셈블리일 수도 있다. 샤워헤드 전극 어셈블리들은 파티클들의 소스일 수 있다. 이러한 어셈블리들은 전극 플레이트 및 그 전극 플레이트에 고정된 백킹 플레이트와 같은 백킹 부재 (backing member) 를 포함할 수 있다. 전극 플레이트 및 백킹 플레이트는 프로세스 가스가 플라즈마 처리 챔버로 도입되는 가스 통로들을 가질 수 있다. 예를 들어, 백킹 플레이트는 흑연으로 이루어질 수 있다. 흑연은 비교적 부드럽고 부서지기 쉽다. 예를 들어, 전극 플레이트는 실리콘으로 이루어질 수 있다. 전극 플레이트는 백킹 플레이트에 본딩될 수 있다.
전극 플레이트 및/또는 백킹 플레이트는 파티클들의 소스일 수 있다. 파 티클들은 전극 어셈블리들의 제조 동안 상이한 소스들로부터 생길 수 있다. 예를 들어, 파티클들은 흑연 백킹 플레이트의 제조, 전극 플레이트 및/또는 백킹 플레이트의 사전-본딩 오염, 본딩 프로세스, 취급 및 불충분한 세정 및, 패키징에서 유래될 수 있다. 파티클들은 무기 물질 (예를 들어, 흑연 또는 금속) 또는 유기 물질일 수 있다.
집적 회로들의 제조 동안 반도체 웨이퍼들의 표면 상의 특정 오염의 제어는 신뢰할 수 있는 디바이스를 달성하고 높은 수율을 획득하는데 필수적이다. 웨이퍼 표면 상의 파티클들의 존재는 포토리소그래피 단계 및 에칭 단계 동안 패턴 전사를 국소적으로 붕괴시킬 수 있다. 그 결과, 이들 파티클은 게이트 구조물들, 금속간 유전체층 또는 금속 상호접속선들을 포함한 중요 피쳐 (critical feature) 들에 결함들을 도입하고 집적 회로 컴포넌트들의 기능불량 또는 고장을 야기할 수 있다.
향상된 세정 방법들이 제공되며, 여기서 그 방법들은 샤워헤드 전극 어셈블리들과 같은 상부 전극 어셈블리들 상의 파티클들의 수를 현저하게 감소시킬 수 있다. 그 방법들의 실시형태들은 전극 어셈블리의 백킹 플레이트만을 세정하는데 사용될 수 있다. 다른 실시형태들은 백킹 플레이트에 고정된 전극 플레이트를 포함한 전극 어셈블리를 세정하는데 사용될 수 있다.
그 방법들의 실시형태들은 새로운, 사용된 또는 개조된 (refurbished) 백킹 플레이트들 및 전극 어셈블리들을 세정하는데 사용될 수 있다. 본 명세서에서 서술되는 바와 같이, "새로운" 백킹 플레이트들 및 전극 어셈블리들은 반도체 기판들을 처리하기 위한 플라즈마 처리 챔버 내에 사용된 적이 없다; "사용된" 백킹 플레이트들 및 전극 어셈블리들은 반도체 기판들을 처리하기 위한 플라즈마 처리 챔버 내에 사용된 적이 있다; 및 "개조된" 백킹 플레이트들 및 전극 어셈블리들은 반도체 기판들을 처리하기 위한 플라즈마 처리 챔버 내에 사용된 적이 있고 그 전극 플레이트가 그 다음 플라즈마 처리 동안 실리콘 전극 플레이트의 저부 (플라즈마-노출된) 표면 상에 형성된 원치않는 표면 오염 및/또는 표면 구조물, 예를 들어, 블랙 실리콘이나 울퉁불퉁한 표면 영역들을 제거하도록 처리 (예를 들어, 연마) 하였다. 전극 플레이트의 전체 저부 표면 또는 저부 표면의 단지 일부만이 그것의 상태에 따라 연마될 수 있다. 실리콘 전극 플레이트들은 일 회 이상 개조될 수도 있다.
전극 어셈블리의 전극 플레이트는 예를 들어, 실리콘 (바람직하게는 단결정 실리콘) 또는 실리콘 카바이드로 구성될 수 있다. 예를 들어, 전극 플레이트는 일반적으로 원형이고, 200㎜, 300㎜, 또는 심지어 보다 큰 직경을 가질 수 있다. 전극 플레이트는 약 0.25in 내지 약 0.5in 와 같은 임의의 적합한 두께를 가질 수 있다. 백킹 플레이트는 예를 들어, 흑연 또는 알루미늄으로 구성될 수 있다. 백킹 플레이트는 일반적으로 원형이고 전극 플레이트의 형상 및 사이즈에 대응하도록 사이징된다. 전극 어셈블리는 그 전극 플레이트를 포위하는 외부링과 같은 외부 전극 및 그 백킹 플레이트를 포위하는 외부 백킹 링과 같은 외부 백킹 부재를 포함할 수 있다.
향상된 세정 방법의 예시적 실시형태들은 적어도 다음의 4 개 단계들을 포함 할 수 있다. 전극 어셈블리 중 백킹 플레이트만을 세정하는 경우, 백킹 플레이트를 이소프로필 알코올과 같은 용매를 함유한 적합한 세정 액체로 세정한다. 백킹 플레이트가 세정 액체에 침지될 수 있다. 백킹 플레이트를 크린룸 클로스 (clean room cloth) 로 와이핑 (wiping) 한다. 그 용매는 제조 및/또는 처리로부터 유래한 유기 재료들을 백킹 플레이트에서 제거할 수 있다.
와이핑 후, 그 다음 백킹 플레이트에 물을 분무한다. 세정 방법의 실시형태들에 사용된 물은 고순도 탈이온수가 바람직하다. 분무는 선택된 수압에서 그리고 유효한 시간 동안 수행된다. 신규 부품들은 일반적으로 원하는 세정을 달성하기 위하여 사용되거나 개조된 부품들 보다 짧은 시간 주기 동안 분무될 수 있다. 신규, 사용된 및 개조된 부품은 일반적으로 2 번 이상 분무된다.
분무 후 백킹 플레이트를 액체조에서 초음파 세정한다. 초음파 세정은 백킹 플레이트에서 파티클들을 제거하기 위하여 선택된 전력 레벨, 온도 및 유효한 시간 동안 수행된다. 액체는 고순도, 탈이온수가 바람직하다. 본 단계는 2 번 이상 실시될 수 있다. 신규 부품들은 일반적으로 원하는 결과를 달성하기 위하여 사용되거나 개조된 부품들 보다 짧은 시간 주기 동안 초음파 세정될 수 있다. 사용된 부품 및 개조된 부품은 일반적으로 두 번이상 초음파 세정된다.
또한, 백킹 플레이트는 이하에서 보다 상세히 설명되는 플러싱 설비 내에서 세정된다. 플러싱 설비는 상승된 압력에서 플러싱 액체를 이용하여 백킹 플레이트 (및/또는 전극 어셈블리의 전극 플레이트) 의 가스 통로들 내에서 파티클들을 제거한다.
전극 플레이트에 고정된 백킹 플레이트를 포함한 전극 어셈블리의 경우, 용매 및 탈이온수를 이용한 세정과, 가압된 탈이온수를 이용한 분무는 전극 플레이트 및 백킹 플레이트의 노출된 표면들에 실시된다.
향상된 세정 방법들의 추가적인 양태들은 실리콘 전극 플레이트 및 그 전극 플레이트에 접착 본딩된 흑연이나 금속 (예를 들어, 알루미늄) 백킹 플레이트를 포함한 전극 어셈블리의 예시적 실시형태의 세정을 참고하여 설명될 것이다. 그러나, 상술한 바와 같이, 세정 방법의 실시형태들은 전극 플레이트들에 백킹 플레이트들, 예를 들어, 흑연 백킹 플레이트들 또는 알루미늄 백킹 플레이트들을 본딩하기 전에 백킹 플레이트들을 세정하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 그 방법들은 실리콘 전극에 본딩되기 전에 흑연 백킹 플레이트를 세정하고, 그 후 흑연 백킹 플레이트가 실리콘 전극에 본딩된 후에 전극 어셈블리를 다시 세정하는데 사용될 수 있다. 세정은 표면 파티클뿐만 아니라 백킹 플레이트와 전극 플레이트의 가스 통로들 내에 포함된 파티클들 및 플레이트들 사이의 파티클들을 제거한다. 전극 어셈블리는 새로운 것, 사용된 것 또는 개조된 것일 수 있다.
초기에는, 전극 어셈블리를 결함에 대해 육안 검사한다.
전극 어셈블리는 용매로, 바람직하게는 이소프로필 알코올 등을 함유한 용매 탱크 내의 침지에 의해 처리된다. 전극 어셈블리는 원하는 시간, 예를 들어, 약 5 분 내지 약 15 분 동안 처리 (예를 들어, 침지) 된다. 실리콘 전극 플레이트 및 흑연 플레이트 모두를 클린룸 클로스로 와이핑하여 유기 및 인간 오염 (human contamination) 을 포함한 표면 오염물질들을 제거한다.
바람직하게 클래스 10 클린룸에서는, 실리콘 전극 플레이트에 N2 등을 이용하여 일반적으로 약 50psi 압력 미만의 선택된 압력에서 탈이온수를 이용한 분무건 (spray gun) 으로 분무한다. 일반적으로, 실리콘 전극 플레이트는 적어도 약 3-5 분 동안 분무되고, 흑연 플레이트는 적어도 약 2-5 분 동안 분무되고, 실리콘 전극 플레이트는 적어도 약 3-5 분 동안 다시 분무되며, 전체적으로는 적어도 약 10 분 동안 분무된다. 그 분무는 실리콘 전극 플레이트 및 백킹 플레이트에서 표면 파티클들을 제거하는데, 또한 이들 플레이트들의 가스 통로들의 내부에 포함된 파티클들을 제거하는데 효과적이다.
바람직하게 클래스 10 클린룸에서는, 실리콘 전극 플레이트를 와이핑 시 어떤 오염도 육안으로 보이지 않을 때까지 이소프로필 알코올/탈이온수로 와이핑한다. 또한, 흑연 백킹 플레이트를 와이핑 시 어떤 오염도 육안으로 보이지 않을 때까지 와이핑한다. 와이핑은 플레이트들 상의 표면 파티클들을 제거한다.
바람직하게 클래스 10000 클린룸에서는, 전극 어셈블리를 약 40-50℃ 의 온도에서 약 5 분 내지 약 20 분 동안 탈이온수를 함유한 초음파 탱크 내에 침지한다. 초음파 세정은 전극 어셈블리에서 파티클들을 제거한다.
바람직하게 클래스 10000 클린룸에서는, 전극 플레이트를 일반적으로 약 50psi 미만의 선택된 압력에서 탈이온수를 이용하는 상술한 분무건으로 다시 분무한다. 일반적으로, 실리콘 전극 플레이트는 적어도 약 3-5 분 동안 분무되고, 흑연 플레이트는 적어도 약 2-5 분 동안 분무되고, 실리콘 전극 플레이트는 적어도 약 3-5 분 동안 다시 분무되며, 전체적으로는 적어도 약 10 분 동안 분무된다. 분무는 실리콘 전극 플레이트 및 백킹 플레이트에서 표면 파티클을 제거하는데, 또한 이들 플레이트들의 가스 통로들의 내부에 함유된 파티클들을 제거하는데 효과적이다.
바람직하게 클래스 10 클린룸에서는, 전극 어셈블리가 플러싱 설비 내에 설치된다. 전극 어셈블리 (또는 전극 어셈블리의 백킹 플레이트) 를 세정하도록 구성된 플러싱 설비 (10) 의 예시적 실시형태는 도 1 내지 도 3 에서 도시된다. 플러싱 설비 (10) 는 베이스 플레이트 (20) 및 커버 플레이트 (50) 를 구비한다. 도 1 에서는 커버 플레이트 (50) 가 제거된 플러싱 설비 (10) 를 나타낸다. 도시된 베이스 플레이트 (20) 는 원형 형상을 가지며 상부 표면 (22) 및 하부 표면 (24) 을 구비한다. 상부 표면 (22) 은 환형 제 1 돌출부 (26) 및 그 제 1 돌출부 (26) 에서 방사상으로 바깥에 위치된 환형 제 2 돌출부 (28) 를 포함한다. 상부 표면 (22) 은 중앙 액체 통로 (30), 제 1 돌출부 (26) 및 제 2 돌출부 (28) 사이에 위치된 복수의 원형으로 이격된 액체 통로 (32) 들, 및 제 2 돌출부 (28) 및 내측부 (inner portion) 를 포위하는 베이스 플레이트 (20) 의 외측부 (outer portion) (36) 사이에 위치된 복수의 원형으로 이격된 액체 통로 (34) 들을 포함한다. 직경적으로 반대인 정렬 홀 (38) 들은 외측부 (36) 에 형성된다. 도 1 에서는, 전극 플레이트 (72) 및 그 전극 플레이트 (72) 에 고정된 하지 (underlying) 백킹 플레이트 (74) (도 5) 를 포함한 전극 어셈블리가 베이스 플레이트 (20) 상에 지지된다.
실시형태에서, 베이스 플레이트 (20) 는 사용자가 플러싱 설비 (10) 를 이송하게 하도록 외측부 (36) 상에 제공된 핸들 (40) 을 포함한다. 예를 들어, 사용자는 핸들 (40) 을 잡아 세정 동작 동안 플러싱 설비 (10) 와 함께 사용되는 탱크의 개방된 상단에 플러싱 설비 (10) 를 배치할 수 있다. 플러싱 설비 (10) 의 사용 동안, 플러싱 액체, 예를 들어, 고순도, 탈이온수는 베이스 플레이트 (20) 의 유체 통로들 (30, 32, 34) 을 통과해 탱크로 흐른다.
실시형태에서, 원형으로 이격된 래치 (42) 들은 베이스 플레이트 (20) 의 외측부 (36) 에 제공된다. 각각의 래치 (42) 들은 체결부 (fastener; 44) 를 포함한다. 도 2 에 도시된 바와 같이, 래치 (42) 들은 바람직하게는 리세스되어 래치 (42) 들이 베이스 플레이트 (20) 상에 지지된 전극 어셈블리와 접촉되지 않는다.
도 3 에 도시된 플러싱 설비의 커버 플레이트 (50) 는 베이스 플레이트 (20) 를 덮도록 구성된다. 커버 플레이트 (50) 는 베이스 플레이트 (20) 상에 커버 플레이트 (50) 가 설치되는 경우, 베이스 플레이트 (20) 의 내측부를 오버레이 (overlay) 하도록 사이징된 리세싱된 내측부 (52), 및 베이스 플레이트 (20) 의 외측부 (36) 을 오버레이하도록 구성된 외측부 (54) 를 구비한다. 커버 플레이트 (50) 는 정렬 핀 (56) 들을 포함하며, 여기서 각각의 정렬 핀 (56) 은 커버 플레이트 (50) 가 베이스 플레이트 (20) 상에 놓일 경우 베이스 플레이트 (20) 의 외측부 (36) 내에 각각의 정렬 홀 (38) 로 삽입되도록 사이징된다. 정렬 핀 (56) 들은 전극 어셈블리에 손상을 방지하도록 폴리테트라플루오르에틸렌 (PTFE: polytetrafluorethylene) 과 같이 부드럽고, 유연한 재료 등으로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 커버 플레이트 (50) 는 외측부 (54) 에 형성된 복수의 절삭부 (cut-out; 57) 들을 구비하며, 각각의 절삭부 (57) 는 베이스 플레이트 (20) 에 커버 플레이트 (50) 를 고정시키도록 래치 (42) 의 체결부 (44) 를 수용하도록 구성된다.
커버 플레이트 (50) 의 내측부 (52) 는 플러싱 액체를 커버 플레이트 (50) 의 내측부 (52) 와 베이스 플레이트 (20) 의 내측부 사이의 공간으로 도입하는 적어도 하나의 액체 통로, 바람직하게는 복수의 액체 통로 (58) 들을 포함한다. 일 실시형태에서, 각각의 액체 통로 (58) 는 별도의 액체 공급 라인과 유체 연통하게 접속될 수 있다.
도 4 에 도시되는 바와 같이, 플러싱 설비 (10) 는 커버 플레이트 (50) 의 상부 표면 (59) 상에 제공된 플레넘 (plenum; 62) 을 정의하는 인클로우저 (enclosure; 60) 를 포함한다. 인클로우저 (60) 는 액체 공급 라인에 접속을 위해 단일 유체 통로 (64) 를 포함하여 각각의 액체 통로 (58) 들에 플러싱 액체를 공급한다.
커버 플레이트 (50) 의 외측부 (54) 는 원형 그루브 (66) (도 3) 및 그 그루브 (66) 내에 삽입된 O-링 (O-ring; 68) (도 5 및 도 6) 을 포함한다. 후술되는 바와 같이, O-링 (68) 은 커버 플레이트 (50) 및 커버 플레이트 (50) 가 베이스 플레이트 (20) 에 고정되는 경우 베이스 플레이트 (20) 상에 지지되는 전극 어셈블리의 일부 사이의 수밀성 시일 (water-tight seal) 을 제공한다.
베이스 플레이트 (20) 및 커버 플레이트 (50) 는 전극 어셈블리들의 재료와 양립가능한 적합한 재료로 이루어진다. 하나의 바람직한 실시형태에서, 베이스 플레이트 (20) 및 커버 플레이트 (50) 는 폴리에테르이미드와 같은 중합체 재료로 이루어진다. 베이스 플레이트 (20) 에 관해서, 래치 (42) 들은 다른 적합한 재료들로 이루어질 수 있다.
도 5 는 베이스 플레이트 (20) 에 고정된 커버 플레이트 (50) 를 갖는 플러싱 설비 (10) 를 나타낸다. 전극 플레이트 (72) 및 백킹 플레이트 (74) 를 포함한 전극 어셈블리 (70) 는 베이스 플레이트 (20) 상에 지지되고 플러싱 설비 (10) 내에 인클로우징된다. 전극 플레이트 (72) 는 백킹 플레이트 (74) 에 본딩 (예를 들어, 접착 본딩) 된다. 위에서 언급된 바와 같이, 전극 어셈블리는 새로운 것, 사용된 것 또는 개조된 것일 수 있다. 전극 플레이트 (72) 는 예를 들어, 실리콘 또는 SiC 로 구성될 수 있다. 백킹 플레이트 (74) 는 예를 들어, 흑연 또는 알루미늄으로 구성될 수 있다. 전극 어셈블리 (70) 의 전극은 전극 링 (72) 을 포위하도록 구성된 외부 전극, 예를 들어, 연속 또는 다중-세그먼트 링을 포함할 수 있다. 또한, 백킹 부재는 백킹 플레이트 (74) 를 포위하도록 구성된 링을 포함할 수 있다. 전극 및 백킹 부재의 링들은 일반적으로 적은 수의 홀들만을 포함하거나 홀을 포함하지 않기 때문에 플러싱 설비 (10) 를 이용하지 않고 세정될 수 있다. 즉, 전극 및 백킹 부재의 링들은 플러싱 설비를 이용하는 것 외의 다른 세정 방법들의 각각 단계들을 이용하여 세정될 수 있다.
도 5 에 도시되는 바와 같이, 커버 플레이트 (50) 의 그루브 (66) 내에 제공 된 O-링 (68) 은 전극 플레이트 (72) 의 외주부 (78) 에서 전극 플레이트 (72) 의 표면 (76) (즉, 전극 어셈블리 (70) 가 플라즈마 처리 챔버 내에 설치되는 경우 플라즈마에 노출되는 표면) 에 접촉되고, 전극 플레이트 (72) 및 커버 플레이트 (50) 의 외측부 (54) 간에 액밀성 시일 (liquid-tight seal) 을 형성한다. 전극 플레이트 (72) 는 백킹 플레이트 (74) 내의 보다 큰 가스 통로 (82) 들과 유체 연통하는 가스 통로 (80) 들을 포함한다.
전극 어셈블리 (70) 를 세정하기 위하여, 플러싱 액체는 고압에서 커버 플레이트 (50) 내의 액체 통로 (58) 들을 통해 플러싱 설비 (10) 로 도입되고 전극 플레이트 (72) 내의 가스 통로 (80) 들을 통해 그 후 하지 백킹 플레이트 (74) 내의 가스 통로 (82) 들을 통과해 흐른다. 일반적으로, 플러싱 액체는 탈이온수이다. 플러싱 액체는 이소프로필 알코올과 같은 용매를 함유할 수 있다. 플러싱 액체는 일반적으로 약 40-50psi 의 압력 및 약 5-10gallons/min 의 유량으로 도입된다. 플러싱 액체는 상온 (ambient temperature) 또는 약 40-50℃ 와 같이 상승된 온도일 수 있다. 플러싱 유체는 재순환되지 않는 것이 바람직하다. 바람직하게는, 파티클 필터 (예를 들어, 0.2㎛ 및 1㎛) 들은 액체 라인들을 따라 제공되어 플러싱 액체에서 파티클들을 제거한다.
전극 플레이트 (72) 및/또는 백킹 플레이트 (74) 의 가스 통로 (80, 82) 들 내에 포함된 파티클들 및 취급 및 본딩 동안 전극 플레이트 (72) 및 백킹 플레이트 (74) 사이에 트랩된 파티클들은 플러싱 액체에 동반되고 가스 통로들 (80, 82) 에서 그리고 전극 플레이트 (72) 및 백킹 플레이트 (74) 사이에서 제거된다. 이 후, 플러싱 액체는 베이스 플레이트 (20) 의 내측부의 액체 통로들 (30, 32, 34) 을 통해 플러싱 설비 (10) 밖으로 흐른다. 도시되는 바와 같이, 전극 플레이트 (72) 가 커버 플레이트 (50) 를 향하는 전극 어셈블리 (70) 는 베이스 플레이트 (20) 상에 놓여 전극 플레이트 (72) 의 가스 통로 (80) 들에서 제거된 파티클들이 백킹 플레이트 (74) 의 보다 큰 가스 통로 (82) 들을 통과하게 한다. 그 대신 백킹 플레이트 (74) 가 커버 플레이트 (50) 를 향하는 전극 어셈블리 (70) 가 베이스 플레이트 (20) 상에 놓이는 경우, 백킹 플레이트 (74) 의 가스 통로 (82) 들에서 제거된 큰 파티클들은 전극 플레이트 (72) 내의 보다 좁은 가스 통로 (80) 들에 트랩될 수 있고, 따라서 전극 플레이트 (72) 에서 제거될 수 없을 수도 있다.
도 6 은 커버 플레이트 (50) 가 베이스 플레이트 (20) 에 고정되고 전극 어셈블리 (70) 의 백킹 플레이트 (74) 만이 베이스 플레이트 (20) 상에 지지된 플러싱 설비 (10) 의 또다른 실시형태를 나타낸다. 본 실시형태에서, 어댑터 링 (84) 은 백킹 플레이트 (74) 의 표면을 오버레이하고 그 표면을 보호하도록 제공된다. 어댑터 링 (84) 은 백킹 플레이트 (74) 의 외주부 (86) 의 상승된 주변 에지 (90) 를 수용하도록 사이징된 그루브 (88) 를 포함하여 주변 에지 (90) 를 손상으로부터 보호한다. 커버 플레이트 (50) 상에 제공된 O-링 (68) 은 어댑터 링 (84) 의 표면에 접촉되고 커버 플레이트 (50) 와 어댑터 링 (84) 사이의 액밀성 시일을 형성한다.
도 6 에 도시된 백킹 플레이트 (74) 를 세정하기 위하여, 플러싱 액체는 압력하에서 플러싱 설비 (10) 로 커버 플레이트 (50) 내의 액체 통로 (58) 들을 통해 도입되고 백킹 플레이트 내의 가스 통로 (82) 들을 통과해 흐른다. 백킹 플레이트 (74) 의 가스 통로 (82) 들 내에 포함된 파티클들은 플러싱 액체에 동반된다.
백킹 플레이트 또는 전극 어셈블리는 백킹 플레이트 또는 전극 어셈블리의 조건에 따라 플러싱 설비 (10) 에서 한번 또는 수회 세정될 수 있다. 예를 들어, 백킹 플레이트 또는 전극 어셈블리는 이소프로필 알코올 플러싱 (예를 들어, 2% 이소프로필 플러싱), 고온 탈이온수 플러싱, 및 최종 탈이온수 플러싱을 이용하여 세정될 수 있다.
전극 어셈블리가 플러싱 설비 내에서 세정된 후, 실리콘 전극 플레이트는 와이핑 시 어떤 오염도 육안으로 보이지 않을 때까지 이소프로필 알코올/탈이온수로 와이핑된다. 흑연 백킹 플레이트는 와이핑 시 어떤 오염도 육안으로 보이지 않을 때까지 이소프로필 알코올/탈이온수로 와이핑된다. 실리콘 전극 플레이트는 와이핑 시 어떤 오염도 육안으로 보이지 않을 때까지 이소프로필 알코올/탈이온수로 다시 와이핑될 수 있다. 와이핑은 전극 플레이트 및 백킹 플레이트의 표면들에서 파티클들을 제거한다.
바람직하게 클래스 10 크린룸에서는, 전극 어셈블리가 약 40-50℃ 의 온도에서 약 5 분 내지 약 20 분 동안 탈이온수를 함유한 초음파 탱크 내에 다시 침지되어 파티클을 제거한다.
바람직하게 클래스 10 크린룸에서는, 실리콘 전극 플레이트의 표면이 표면 파티클의 수를 감소시키도록 실리콘 전극 상의 표면 오염을 제거하기 위해 와이핑에 의해 혼합된 산으로 세정된다. 실리콘 전극을 위한 적합한 혼합된 산은 HF/HNO3/HAc 의 혼합물을 함유한다. 예를 들어, 산 와이핑 (acid wiping) 은 약 2-5 분 동안 실시될 수 있다. 산 와이핑은 실리콘 표면에서 금속 오염을 제거한다. 실리콘 전극 플레이트는 산 와이핑 사이에서 탈이온수로 린싱된다.
산 와이핑 후에, 실리콘 전극 플레이트의 표면에 대한 사람의 접촉은 지양하는 것이 바람직하고, 모든 접촉은 장갑 또는 장비로 한다.
바람직하게 클래스 10 크린룸에서는, 전극 어셈블리가 일반적으로 약 50psi 미만의 선택된 압력에서 탈이온수를 이용한 분무건으로 다시 분무된다. 실리콘 전극 플레이트는 일반적으로 적어도 약 3-5 분 동안 분무되고, 흑연 백킹 플레이트는 적어도 약 2-5 분 동안 분무되고, 실리콘 전극 플레이트는 적어도 약 3-5 분 동안 다시 분무되며, 전체적으로는 적어도 약 10 분 동안 분무된다. 분무는 실리콘 전극 플레이트 및 흑연 백킹 플레이트에서 표면 파티클들을 제거하는데, 또한 이들 플레이트들의 가스 통로들 내부에 포함된 파티클들을 제거하는데 효과적이다.
바람직하게 클래스 10 크린룸에서는, 실리콘 전극 플레이트는 질소로 건조된다.
다음으로, 바람직하게 클래스 10 크린룸에서는, 전극 어셈블리가 약 110-120℃ 의 온도에서 약 3-5 시간의 주기 동안 가열되어 전극 어셈블리에서 물을 완전히 제거한다.
바람직하게 클래스 10 크린룸에서는, 전극 어셈블리를 물리적 결함 및 표면적 결함에 대해 육안 검사한다.
이후, 전극 어셈블리에 표면 파티클 카운트 분석을 행한다.
이후, 전극 어셈블리를 패키징한다. 바람직하게 클래스 10 크린룸에서는, 전극 어셈블리를 나일론 내부 백에 넣는다. 바람직하게 클래스 1000 크린룸에서는, 그 내부 백을 시일링한다. 그 내부 백을 진공 시일링되는 외부 백 안에 넣는다.
실시예
실시예 1
초음파 세정을 행하지 않았던 받은 그대로 (as-received) 의 흑연 백킹 플레이트 상의 파티클의 수를 액체 파티클 카운터를 이용하여 측정하였다. 이후, 흑연 백킹 플레이트를 약 50℃ 온도, 40㎑ 초음파 주파수 및 흑연 로딩 후 10-20W/in2 전력 밀도로 1 시간, 2 시간, 및 3 시간 동안 탈이온수의 탱크 내에서 초음파 세정하였다. 즉, 흑연 플레이트는 1 시간 동안 초음파 세정되었고, 이후 액체조에서 제거되고 검사되었고, 이후 추가 1 시간 동안 초음파 세정이 행해졌고, 이후 액체조에서 다시 제거되고 검사되었고, 이후 추가 1 시간 동안 (총 3 시간 동안) 초음파 세정이 행해졌고, 이후 액체조에서 다시 제거되고 검사되었다. 이후, 백킹 플레이트 상의 파티클의 수는 흑연 백킹 플레이트를 세정한 액체를 분석하는 액체 파티클 카운터를 이용하여 각각의 세정 시간 주기 동안 측정되었다. 측정 결과는 표 1 에 나타낸다.
표 1 에 도시되는 바와 같이, 초음파 세정은 흑연 백킹 플레이트에 대해 각각의 사이즈 카테고리마다 파티클의 수를 현저하게 감소시켰다. 그러나, 적어도 사이즈 0.2㎛ 의 파티클의 수는 3 시간 초음파 세정 후에 여전히 6,900,00 이었다.
실시예 2
초음파 세정을 행한 받은 그대로의 흑연 백킹 플레이트 상의 파티클의 수를 액체 파티클 카운터를 이용하여 측정하였다. 이후, 흑연 백킹 플레이트를 실시예 1 에서 기술한 바와 같이 초음파 세정하였다. 이후, 백킹 플레이트 상의 파티클의 수를 액체 파티클 카운터를 이용하여 각각의 세정 시간 주기 동안 측정하였다. 측정 결과는 표 2 에 나타낸다.
표 2 에 도시된 바와 같이, 초음파 세정은 각각의 사이즈 카테고리마다 받은 그대로의 흑연 백킹 플레이트 상의 파티클의 수를 감소시켰다. 흑연 백킹 플레이트에 대한 1 시간, 2 시간, 및 3 시간 초음파 세정 후는 파티클의 수를 더 감소시켰다. 그러나, 적어도 사이즈 0.2㎛ 인 파티클의 수는 3 시간 초음파 세정 후에 여전히 2,100,000 이었다.
실시예 3
초음파 세정을 행하지 않았던 받은 그대로의 흑연 백킹 플레이트의 표면 상의 파티클의 수를 표면 파티클 카운터를 이용하여 측정하였다. 적어도 사이즈 0.3㎛ 의 파티클들에 대해 크린룸 밖에서의 파티클 카운트 측정은 다음과 같았다: 12,468 개/in2, 13,646 개/in2 및 9,298 개/in2 이고, 평균 값은 11,804 개/in2 이었다.
실시예 4
초음파 세정을 행한 받은 그대로의 흑연 백킹 플레이트의 표면 상의 파티클 수를 표면 파티클 카운터를 이용하여 측정하였다. 적어도 사이즈 0.3㎛ 의 파티클들에 대해 크린룸 밖에서의 파티클 카운트 측정은 다음과 같았다: 4,794 개/in2, 4,213 개/in2 및 4,274 개/in2 이고, 평균 값은 4,427 개/in2 이었다.
실시예 5
본 실시예에서, 초음파 세정을 행하지 않았던 실시예 3 의 받은 그대로의 흑연 백킹 플레이트를 향상된 세정 방법의 예시적 실시형태에 따라 세정하였다. 흑연 세정 방법은 다음의 절차들을 포함한다. 흑연 백킹 플레이트를 검사하였고 크린룸 밖에서 복수의 위치들에서의 레이저 파티클 카운터를 이용하여 흑연 백킹 플레이트에 대해 표면 파티클의 카운트를 얻었다. 흑연 플레이트를 1 분 동안 이소프로필 알코올에 침지하고 와이핑하여 무거운 블랙 파티클들을 제거하였다. 클래스 1000 크린룸에서는, 흑연 백킹 플레이트의 각 면이 40-50psi 의 압력에서 5 분 동안 탈이온수로 분무되었다. 이후, 흑연 백킹 플레이트를 와이핑 시 블랙 얼룩들이 육안으로 보이지 않을 때까지 고순도 탈이온수 및 이소프로필 알코올로 와이핑하였다. 다음으로, 흑연 백킹 플레이트의 각 면에 40-50psi 의 압력에서 1 분 동안 탈이온수로 다시 분무하였다. 이후, 흑연 백킹 플레이트를 도 1 및 도 6 (어댑터 링 (84) 은 흑연 백킹 플레이트로 사용되지 않았음) 에 도시되는 바와 같은 플러싱 설비에 삽입하였다. 질소 및 고순도 탈이온수를 40-50psi 의 압력에서 15 분 동안 플러싱하였다. 다음으로, 흑연 백킹 플레이트를 각 표면에 대해 40-50℃ 의 액체 온도에서, 10-20W/in2 의 초음파 압력에서 약 8 분 동안 초음파 세정 탱크에 침지하였다. 이후, 흑연 백킹 플레이트의 표면을 와이핑 시 육안으로 블랙 얼룩이 없을 때까지 이소프로필 알코올 및 고순수 탈이온수로 와이핑하였다. 흑연 백킹 플레이트의 각 면은 40-50psi 의 압력에서 1 분 동안 다시 분무되었다. 흑연 백킹 플레이트는 이후 질소로 건조되었다. 다음으로, 흑연 백킹 플레이트는 120℃ 의 온도에서 3 시간 동안 오븐 내에서 가열되었다. 흑연 백킹 플레이트는 그 오븐에서 제거되고 상온까지 냉각하게 되었다. 5 개의 표면 파티클 카운트들을 크린룸 밖에서 복수의 위치들에서의 레이저 파티클 카운터를 이용하여 얻었다. 각 파티클 카운트 판독은 적어도 사이즈 0.3㎛ 의 파티클에 대해 0.0 개이었다.
실시예 6
본 실시예에서, 초음파 세정을 행한 실시예 4 의 받은 그대로의 흑연 백킹 플레이트를 실시예 5 에 기술된 세정 방법의 예시적 실시형태에 따라 세정하였다. 세정 후에, 5 개의 표면 파티클 카운트들을 크린룸 밖에서 복수의 위치들에서의 레이저 파티클 카운터를 이용하여 얻었다. 각 파티클 카운트 판독은 적어도 사이즈 0.3㎛ 의 파티클에 대해 0.0 개이었다.
실시예 7
실시예 5 의 흑연 백킹 플레이트를 액체 파티클 카운터를 이용하여 분석하였다. 검사 결과는 표 3 에 나타낸다.
표 3 에 도시되는 바와 같이, 향상된 세정 방법의 실시형태는 초기 액체 파티클 카운터 값 및 3 시간의 초음파 세정 후의 값들에 대해 적어도 사이즈 0.2㎛ 의 파티클의 수를 낮은 값으로 감소시켰다.
실시예 8
실시예 6 의 흑연 백킹 플레이트를 액체 파티클 카운터를 이용하여 분석하였다. 검사 결과는 표 4 에 나타낸다.
표 4 에 도시된 바와 같이, 향상된 세정 방법의 실시형태는 적어도 사이즈 0.2㎛ 의 파티클의 수를 표 3 에 도시된 것보다 낮은 값들로 감소시켰다.
실시예 1, 실시예 2, 실시예 7 및 실시예 8 의 경우 적어도 사이즈 0.2㎛ 의 파티클에 대한 액체 파티클 카운트 결과들은 표 5 에 요약되었다.
본 명세서에서 기술된 세정 방법들의 실시형태들에 의해 세정된 백킹 플레이트들 (예를 들어, 흑연 백킹 플레이트) 및 (예를 들어, 흑연 백킹 플레이트 및 그 백킹 플레이트에 고정된 실리콘 전극을 포함한) 전극 어셈블리들을 플라즈마 처리 챔버에 설치하고 반도체 기판들의 플라즈마 처리 시에 사용하여 파티클 애더들의 수, 바람직하게는 세정을 행하지 않았던 백킹 플레이트들 또는 전극 어셈블리들에 비교하여 이러한 기판들 상의 파티클 애더들의 수를 현저하게 감소시킬 수 있다. 세정 방법의 실시형태들은 일관되게 낮은 챔버 파티클 카운트 및 실질적으로 치명적인 결함이 없음을 달성할 수 있다. 예를 들어, 세정 방법의 실시형태들은 사이즈 약 0.2㎛ 내지 약 1㎛ 인 파티클 애더들의 경우 10 개 미만 또는 5 개 미만과 같은 20 개 미만의 파티클 애더 카운트 및 실질적으로 0 인 약 0.2㎛ 보다 큰 사이즈 파티클에 대한 면적 애더 카운트를 달성할 수 있다.
본 발명이 그 바람직한 실시형태와 관련하여 서술되었으나, 이것은 첨부된 청구범위에서 정의되는 바와 같이 본 발명의 사상 및 범위를 이탈하지 않는 한 특별히 당업자에 의해 구체적으로 서술되지 않은 부가, 삭제, 변경 및 대체를 행할 수도 있음이 이해될 것이다.
Claims (40)
- 플라즈마 처리 장치용 전극 어셈블리의 백킹 플레이트 (backing plate) 를 세정하는 방법으로서,외부 표면으로부터 파티클들을 제거하기 위하여 상기 백킹 플레이트를 용매와 접촉시키고 상기 백킹 플레이트의 상기 외부 표면을 와이핑 (wiping) 하는 단계;상기 백킹 플레이트의 상기 외부 표면으로부터의 파티클들 및 상기 백킹 플레이트의 가스 통로들 내에 포함된 파티클들을 제거하기 위하여 상기 백킹 플레이트에 물을 분무하는 단계;상기 백킹 플레이트를 초음파 세정하는 단계; 및복수의 액체 통로들을 갖는 베이스 (base) 플레이트 및 상기 베이스 플레이트를 덮도록 구성된 커버 플레이트에 의해 정의된 플러싱 설비 (flushing fixture) 내에서 백킹 플레이트를 인클로우징하는 (enclosing) 단계로서, 상기 커버 플레이트는 적어도 하나의 액체 통로를 포함하는, 상기 백킹 플레이트를 인클로우징하는 단계;상기 백킹 플레이트의 상기 가스 통로들 내에 포함된 파티클들을 제거하도록 상기 베이스 플레이트 내의 상기 복수의 액체 통로들을 통해, 상기 백킹 플레이트 내의 상기 가스 통로들을 통해, 및 상기 커버 플레이트 내의 상기 적어도 하나의 액체 통로를 통해 압력 하에서 플러싱 액체를 도입함으로써 상기 플러싱 설비 내의 상기 백킹 플레이트를 플러싱하는 단계; 및상기 백킹 플레이트를 플러싱하는 단계 동안 상기 베이스 플레이트의 상부 표면 상의 상기 백킹 플레이트를 지지하는 단계를 포함하는, 백킹 플레이트 세정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 백킹 플레이트는 흑연으로 구성되는, 백킹 플레이트 세정 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 백킹 플레이트는 세정 후 적어도 0.3㎛ 사이즈인 파티클들의 표면 파티클의 수가 0 개인, 백킹 플레이트 세정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 백킹 플레이트는 알루미늄으로 구성되는, 백킹 플레이트 세정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 백킹 플레이트는 새로운 백킹 플레이트인, 백킹 플레이트 세정 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 백킹 플레이트에 물을 분무하는 단계를 적어도 한번 반복하는 단계를 더 포함하는, 백킹 플레이트 세정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 백킹 플레이트는 사용된 백킹 플레이트 또는 개조된 (refurbished) 백킹 플레이트인, 백킹 플레이트 세정 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 백킹 플레이트에 물을 분무하는 단계, 상기 백킹 플레이트를 초음파 세정하는 단계 및 상기 백킹 플레이트를 플러싱하는 단계를 적어도 한번 반복하는 단계를 더 포함하는, 백킹 플레이트 세정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 백킹 플레이트를 용매와 접촉시키는 것은,물과 상기 백킹 플레이트로부터 유기 물질들을 제거하기 위한 유기 용매를 이용하는 것을 포함하는, 백킹 플레이트 세정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 플러싱 액체는 압력이 40psi 내지 50psi 이고, 상기 물은 40psi 내지 50psi 의 압력에서 상기 백킹 플레이트로 분무되는, 백킹 플레이트 세정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 물은 고순도(high purity), 탈이온수인, 백킹 플레이트 세정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 용매는 이소프로필 알코올인, 백킹 플레이트 세정 방법.
- 플라즈마 처리 어셈블리용 전극 플레이트에 본딩된 백킹 플레이트 (backing plate) 를 포함한 전극 어셈블리를 세정하는 방법으로서,상기 백킹 플레이트의 외부 표면 및 상기 전극 플레이트의 외부 표면으로부터 파티클들을 제거하기 위하여 상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 플레이트를 용매와 접촉시키고 상기 백킹 플레이트의 상기 외부 표면 및 상기 전극 플레이트의 상기 외부 표면을 와이핑 (wiping) 하는 단계;상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 플레이트의 외부 표면으로부터의 파티클, 및 상기 백킹 플레이트와 상기 전극 플레이트의 가스 통로들 내에 포함된 파티클들을 제거하기 위하여 상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 플레이트에 물을 분무하는 단계;상기 전극 어셈블리를 초음파 세정하는 단계;복수의 액체 통로들을 갖는 베이스 플레이트 및 상기 베이스 플레이트를 덮도록 구성된 커버 플레이트를 포함하는 플러싱 설비 내에서 상기 전극 어셈블리를 인클로우징하는 (enclosing) 단계로서, 상기 커버 플레이트는 적어도 하나의 액체 통로를 포함하는, 상기 전극 어셈블리를 인클로우징하는 단계;상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 플레이트의 상기 가스 통로들 내에 포함된 파티클들 및 상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 플레이트의 외부 표면들로부터의 파티클들을 제거하도록 상기 베이스 플레이트 내의 상기 복수의 액체 통로들을 통해, 상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 어셈블리의 상기 전극 플레이트 내의 상기 가스 통로들을 통해, 및 상기 커버 플레이트 내의 상기 적어도 하나의 액체 통로를 통해 압력 하에서 플러싱 액체를 도입함으로써 상기 플러싱 설비 내의 상기 전극 어셈블리를 플러싱하는 단계; 및상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 플레이트를 플러싱하는 단계 동안 상기 베이스 플레이트의 상부 표면 상의 상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 플레이트를 지지하는 단계를 포함하는, 전극 어셈블리 세정 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 백킹 플레이트는 흑연으로 구성되고, 상기 전극 플레이트는 실리콘으로 구성되는, 전극 어셈블리 세정 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 백킹 플레이트는 세정 후 적어도 0.3㎛ 사이즈인 파티클들의 표면 파티클의 수가 0 개인, 전극 어셈블리 세정 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 백킹 플레이트는 알루미늄으로 구성되고, 상기 전극 플레이트는 실리콘으로 구성되는, 전극 어셈블리 세정 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 전극 플레이트는 실리콘으로 구성되고,상기 전극 어셈블리 세정 방법은, 상기 전극 플레이트의 상기 외부 표면을 HF, HNO3 및 HAc 의 혼합물을 함유한 혼합된 산과 접촉시키는 단계를 더 포함하는, 전극 어셈블리 세정 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 백킹 플레이트는 새로운 백킹 플레이트인, 전극 어셈블리 세정 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 플레이트에 물을 분무하는 단계를 적어도 한번 반복하는 단계를 더 포함하는, 전극 어셈블리 세정 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 백킹 플레이트는 사용된 백킹 플레이트 또는 개조된 백킹 플레이트인, 전극 어셈블리 세정 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 플레이트에 물을 분무하는 단계, 상기 전극 어셈블리를 초음파 세정하는 단계 및 상기 플러싱 액체로 상기 전극 어셈블리를 플러싱하는 단계를 적어도 한번 반복하는 단계를 더 포함하는, 전극 어셈블리 세정 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 플레이트를 용매와 접촉시키는 것은,물 및 상기 전극 어셈블리로부터 유기 물질들을 제거하기 위한 유기 용매를 이용하는 것을 포함하는, 전극 어셈블리 세정 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 플러싱 액체는 압력이 40psi 내지 50psi 이고, 상기 물은 40psi 내지 50psi 의 압력에서 상기 전극 어셈블리로 분무되는, 전극 어셈블리 세정 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 물은 고순도(high purity), 탈이온수인, 전극 어셈블리 세정 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 용매는 이소프로필 알코올인, 전극 어셈블리 세정 방법.
- 플라즈마 처리 챔버용 백킹 플레이트 (backing plate) 또는 상기 백킹 플레이트 및 전극 플레이트를 포함한 전극 어셈블리를 세정하기 위해 구성된 플러싱 설비 (flushing fixture) 로서,상기 백킹 플레이트 또는 상기 전극 어셈블리를 지지하도록 구성된 상부 표면을 포함한 리세싱된 (recessed) 내측부, 외측부, 하부 표면, 상기 상부 표면과 상기 하부 표면 사이에 연장된 복수의 액체 통로들을 구비한 베이스 플레이트; 및상기 백킹 플레이트 또는 상기 전극 어셈블리가 상기 베이스 플레이트의 상기 상부 표면 상에 지지되는 경우 상기 베이스 플레이트를 덮도록 구성된 커버 플레이트로서, 상기 베이스 플레이트 및 상기 커버 플레이트에 의해 정의된 상기 플러싱 설비의 내부로 플러싱 액체가 도입되는 적어도 하나의 액체 통로를 포함하는, 상기 커버 플레이트를 구비하고,상기 플러싱 액체는 상기 백킹 플레이트의 가스 통로들 또는 상기 전극 어셈블리의 상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 플레이트의 가스 통로들을 통과하고, 상기 베이스 플레이트의 액체 통로들을 통해 상기 플러싱 설비를 빠져 나가는, 플러싱 설비.
- 제 26 항에 있어서,상기 베이스 플레이트는 상기 외측부에 제공된 복수의 원주 방향으로 이격된 정렬 홀들을 구비하고, 상기 커버 플레이트는 상기 베이스 플레이트를 덮도록 상기 커버 플레이트가 배치되는 경우 각각 상기 베이스 플레이트의 정렬 홀에 수용되는 크기를 갖는 복수의 정렬 핀들을 포함하는, 플러싱 설비.
- 제 26 항에 있어서,상기 커버 플레이트와 상기 베이스 플레이트 사이에 배치되고 상기 커버 플레이트 및 상기 백킹 플레이트의 표면과 접촉하여 상기 백킹 플레이트의 표면이 상기 커버 플레이트와 접촉하는 것을 방지하도록 구성된 어댑터 링 (adapter ring) 을 더 구비하는, 플러싱 설비.
- 제 26 항에 있어서,상기 베이스 플레이트의 상기 상부 표면 상에 지지되는 경우 상기 커버 플레이트와 상기 백킹 플레이트 또는 상기 전극 어셈블리 사이에 액체 시일 (liquid seal) 을 제공하도록 구성된 O-링 (O-ring) 을 더 구비하는, 플러싱 설비.
- 플라즈마 처리 장치용 전극 어셈블리의 백킹 플레이트 (backing plate) 를 세정하는 방법으로서,상기 백킹 플레이트를 용매와 접촉시키고 상기 백킹 플레이트의 외부 표면을 와이핑 (wiping) 하여 상기 외부 표면으로부터 파티클들을 제거하는 단계;상기 백킹 플레이트에 물을 분무하여 상기 백킹 플레이트의 상기 외부 표면으로부터의 파티클들 및 상기 백킹 플레이트의 가스 통로들 내에 포함된 파티클들을 제거하는 단계;상기 백킹 플레이트를 초음파 세정하는 단계; 및상기 백킹 플레이트를 제 26 항에 기재된 플러싱 설비 (flushing fixture) 내에 배치하고, 상기 베이스 플레이트를 상기 커버 플레이트로 덮고, 상기 백킹 플레이트를 플러싱 액체로 플러싱하여 상기 백킹 플레이트의 상기 표면으로부터의 파티클들 및 상기 백킹 플레이트의 상기 가스 통로들 내에 포함된 파티클들을 제거하는 단계를 포함하는, 백킹 플레이트 세정 방법.
- 제 30 항에 있어서,상기 백킹 플레이트는 흑연으로 구성되는, 백킹 플레이트 세정 방법.
- 제 30 항에 있어서,상기 백킹 플레이트는 알루미늄으로 구성되는, 백킹 플레이트 세정 방법.
- 제 30 항에 있어서,상기 백킹 플레이트는 새로운 백킹 플레이트인, 백킹 플레이트 세정 방법.
- 제 30 항에 있어서,상기 백킹 플레이트는 사용된 백킹 플레이트 또는 개조된 백킹 플레이트인, 백킹 플레이트 세정 방법.
- 플라즈마 처리 어셈블리용 전극 플레이트에 본딩된 백킹 플레이트 (backing plate) 를 구비한 전극 어셈블리를 세정하는 방법으로서,상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 플레이트를 용매와 접촉시키고 상기 백킹 플레이트의 외부 표면 및 상기 전극 플레이트의 외부 표면을 와이핑 (wiping) 하여 상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 플레이트의 외부 표면들로부터 파티클들을 제거하는 단계;상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 플레이트에 물을 분무하여 상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 플레이트의 외부 표면으로부터의 파티클들 및 상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 플레이트의 가스 통로들 내에 포함된 파티클들을 제거하는 단계;상기 전극 어셈블리를 초음파 세정하는 단계; 및상기 전극 어셈블리를 제 26 항에 기재된 플러싱 설비 (flushing fixture) 내에 배치하고, 상기 전극 어셈블리를 상기 커버 플레이트로 덮으며, 상기 전극 어셈블리를 플러싱 액체로 플러싱하여 상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 플레이트의 외부 표면들로부터의 파티클들 및 상기 백킹 플레이트 및 상기 전극 플레이트의 가스 통로들 내에 포함된 파티클들을 제거하는 단계를 포함하는, 전극 어셈블리 세정 방법.
- 제 35 항에 있어서,상기 백킹 플레이트는 흑연으로 구성되고 상기 전극 플레이트는 실리콘으로 구성되는, 전극 어셈블리 세정 방법.
- 제 35 항에 있어서,상기 백킹 플레이트는 알루미늄으로 구성되고 상기 전극 플레이트는 실리콘으로 구성되는, 전극 어셈블리 세정 방법.
- 제 35 항에 있어서,상기 전극 플레이트는 실리콘으로 구성되고,상기 전극 어셈블리 세정 방법은, 상기 전극 플레이트의 상기 외부 표면을 HF, HNO3 및 HAc 의 혼합물을 함유한 혼합된 산과 접촉시키는 단계를 더 포함하는, 전극 어셈블리 세정 방법.
- 제 35 항에 있어서,상기 백킹 플레이트는 새로운 백킹 플레이트인, 전극 어셈블리 세정 방법.
- 제 35 항에 있어서,상기 백킹 플레이트는 사용되거나 개조된 백킹 플레이트인, 전극 어셈블리 세정 방법.
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Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7942973B2 (en) * | 2006-10-16 | 2011-05-17 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for wet cleaning electrode assemblies for plasma processing apparatuses |
| US8171877B2 (en) | 2007-03-14 | 2012-05-08 | Lam Research Corporation | Backside mounted electrode carriers and assemblies incorporating the same |
| US7767028B2 (en) * | 2007-03-14 | 2010-08-03 | Lam Research Corporation | Cleaning hardware kit for composite showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses |
| US7578889B2 (en) * | 2007-03-30 | 2009-08-25 | Lam Research Corporation | Methodology for cleaning of surface metal contamination from electrode assemblies |
| US7736441B2 (en) * | 2007-10-09 | 2010-06-15 | Lam Research Corporation | Cleaning fixtures and methods of cleaning electrode assembly plenums |
| US8276898B2 (en) | 2008-06-11 | 2012-10-02 | Lam Research Corporation | Electrode transporter and fixture sets incorporating the same |
| US8075701B2 (en) * | 2008-06-30 | 2011-12-13 | Lam Research Corporation | Processes for reconditioning multi-component electrodes |
| US8276604B2 (en) | 2008-06-30 | 2012-10-02 | Lam Research Corporation | Peripherally engaging electrode carriers and assemblies incorporating the same |
| US8206506B2 (en) * | 2008-07-07 | 2012-06-26 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
| KR101698615B1 (ko) * | 2008-12-10 | 2017-01-20 | 램 리써치 코포레이션 | 실리콘 전극 연마를 용이하게 하는 플래튼 및 어댑터 어셈블리 |
| TWI368543B (en) * | 2009-01-12 | 2012-07-21 | Inotera Memories Inc | A showerhead clean rack and a ultrasonic cleaning method thereof |
| US8253058B2 (en) * | 2009-03-19 | 2012-08-28 | Integrated Photovoltaics, Incorporated | Hybrid nozzle for plasma spraying silicon |
| CN101848609A (zh) * | 2009-03-25 | 2010-09-29 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 壳体的制作方法 |
| CN102652350B (zh) * | 2009-12-18 | 2015-11-25 | 朗姆研究公司 | 从用于等离子体室内的上部电极清除金属污染物的方法 |
| US8444456B2 (en) * | 2010-11-02 | 2013-05-21 | Lam Research Corporation | Electrode securing platens and electrode polishing assemblies incorporating the same |
| US9396912B2 (en) | 2011-10-31 | 2016-07-19 | Lam Research Corporation | Methods for mixed acid cleaning of showerhead electrodes |
| US20160017263A1 (en) * | 2013-03-14 | 2016-01-21 | Applied Materials, Inc. | Wet cleaning of a chamber component |
| US10391526B2 (en) | 2013-12-12 | 2019-08-27 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck cleaning fixture |
| US20190070639A1 (en) * | 2017-09-07 | 2019-03-07 | Applied Materials, Inc. | Automatic cleaning machine for cleaning process kits |
| US11776822B2 (en) * | 2018-05-29 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Wet cleaning of electrostatic chuck |
| CN111336792B (zh) * | 2018-12-19 | 2022-03-11 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种干燥微水珠的腔体 |
| KR102258145B1 (ko) * | 2019-06-25 | 2021-05-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| KR20220077875A (ko) * | 2020-12-02 | 2022-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구 |
| KR102566972B1 (ko) * | 2022-11-18 | 2023-08-16 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 반도체 소자 제조 장치용 부품, 이의 제조방법, 이를 포함하는 반도체 소자 제조 장치 및 반도체 소자의 제조 방법 |
| KR102654366B1 (ko) * | 2024-03-06 | 2024-04-03 | 주식회사 디에프텍 | 반도체 제조공정에 사용되는 샤워헤드 세정 방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766180A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Sony Corp | プラズマ処理装置およびそのメンテナンス方法 |
| KR20030012828A (ko) * | 2002-11-18 | 2003-02-12 | 코리아세미텍 주식회사 | 웨이퍼 에칭용 전극 및 그 제조방법 |
| US20030190870A1 (en) * | 2002-04-03 | 2003-10-09 | Applied Materials, Inc. | Cleaning ceramic surfaces |
| US6787111B2 (en) * | 1998-07-02 | 2004-09-07 | Amersham Biosciences (Sv) Corp. | Apparatus and method for filling and cleaning channels and inlet ports in microchips used for biological analysis |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100445259B1 (ko) * | 2001-11-27 | 2004-08-21 | 삼성전자주식회사 | 세정방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치 |
| WO2003065433A1 (fr) | 2002-01-28 | 2003-08-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | Detergent liquide pour substrat de dispositif semi-conducteur et procede de nettoyage |
| JP4407944B2 (ja) | 2004-12-21 | 2010-02-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US7942973B2 (en) * | 2006-10-16 | 2011-05-17 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for wet cleaning electrode assemblies for plasma processing apparatuses |
-
2006
- 2006-12-19 US US11/640,975 patent/US7942973B2/en active Active
-
2007
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- 2007-10-16 TW TW096138748A patent/TWI426556B/zh active
-
2011
- 2011-04-06 US US13/081,210 patent/US8215321B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766180A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Sony Corp | プラズマ処理装置およびそのメンテナンス方法 |
| US6787111B2 (en) * | 1998-07-02 | 2004-09-07 | Amersham Biosciences (Sv) Corp. | Apparatus and method for filling and cleaning channels and inlet ports in microchips used for biological analysis |
| US20030190870A1 (en) * | 2002-04-03 | 2003-10-09 | Applied Materials, Inc. | Cleaning ceramic surfaces |
| KR20030012828A (ko) * | 2002-11-18 | 2003-02-12 | 코리아세미텍 주식회사 | 웨이퍼 에칭용 전극 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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