JP3137515U - 半導体被処理物を薄肉化するためのシステム - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ウエハ、フラットパネル表示装置、硬質ディスク媒体、光媒体、薄膜ヘッド等の半導体被処理物を薄肉化するのに用いる方法及び装置を提供する。
【解決手段】新規な装置および方法により、より薄くしかも同時に強いままである被処理物の製造。特に、本体部と、当該本体部に着脱可能に装着される保持器１４と、封止部材とを含むチャック１０が提供され、被処理物５０がチャック本体部の上に置かれ、保持器が本体部に係合したときに、被処理物の裏面の周辺部が保持器に覆われ、一方、被処理物の裏面の内側領域が露出する。その後、被処理物の露出する裏面にウェット化学エッチング処理が施されることにより、被処理物が薄肉化され、被処理物の周辺部に半導体材料からなる相対的に厚い縁部が形成される。厚い縁部、ないし、たが部によって、それなしでは壊れ易い薄肉化半導体被処理物５０に、強度が付与される。
【選択図】図１Ａ

Description

本考案は、マイクロ電子回路、データ記憶素子、データ記憶層あるいはマイクロ機械部品をその上に形成することのできる基板から形成される被処理物であって、半導体ウエハ、フラットパネル表示装置、硬質ディスク媒体、光媒体、薄膜ヘッド、その他の被処理物のために用いられる方法および装置に関する。本明細書では、これらのもの、あるいはこれらと同様のものは、まとめて「ウエハ」または「被処理物」と称する。特定的には、本考案は、半導体被処理物を薄肉化するのに用いる方法および装置に関する。

最先端の電子技術（例えば、携帯電話機、携帯端末（ＰＤＡ）、およびスマートカード）は、より薄い集積回路（「ＩＣＤ」）を必要としている。これに加えて、半導体装置の先進的な実装技術（例えば、積層チップあるいは「フリップチップ」）は、実装における寸法上の制約を伴うため、極度に薄いチップを必要としている。その上に、ＩＣＤの動作速度が上昇を続けるのに伴い、熱の放散がますます重要となりつつある。その理由の大半は、ＩＣＤが非常に高い速度で動作するのに伴って、大量の熱を発生することにある。この熱は、熱応力による装置の破壊を回避するためにも、またキャリア移動度の減少による周波数応答の劣化を回避するためにも、ＩＣＤから取り除かなければならない。ＩＣＤからの熱伝達を高めて、温度による悪影響を緩和する１つの方法は、ＩＣＤが作り込まれる半導体ウエハを薄くすることである。半導体ウエハを薄くする他の理由として、信号の伝達特性の最適化、チップ中へのビアホールの形成、および個々の半導体装置とパッケージとの間の熱膨張係数による影響の最小化を挙げることができる。

半導体ウエハを薄くする技術は、これまでに一貫して増大してきた、より小さくより高性能のＩＣＤへの需要に応えて、開発されてきたものである。代表的には、半導体装置は、当該装置がウエハの形態をなしているときに薄肉化される。ウエハの厚さは、ウエハの寸法によって変わるものである。例えば、直径１５０ｍｍのシリコン半導体ウエハの厚さは、約６５０ミクロンであるが、直径２００ないし３００ｍｍのウエハは７２５ミクロンの厚さである。ウエハを薄肉化する標準的な方法は、半導体の裏面を機械的に研磨することである。このような加工は、「裏面研磨」と称されている。一般に、裏面研磨加工には、半導体ウエハの前面すなわち素子面を保護する方法が用いられる。半導体ウエハの素子面を保護する従来の方法は、ウエハの素子面に保護用テープを貼着したりフォトレジスト層を塗布したりする工程を含んでいた。その後で、ウエハが望ましい厚さになるまでウエハの裏面を研磨していた。

しかしながら、従来の裏面研磨加工には、つぎのような問題点があった。機械研磨によって、ウエハの表面および端部に応力が発生し、それによって微小割れや端部の欠損を伴う場合があった。ウエハに発生するこの応力によって、性能の劣化やウエハの破損が生じる場合があり、それにより収量が低いものとなっていた。それに加えて、裏面研磨加工を用いて半導体ウエハを薄肉化するには、ある限界がある。例えば、半導体ウエハが（上述のように）標準的な厚さである場合には、一般に約２５０〜１５０ミクロンの範囲の厚さに薄くすることができる。

従って、半導体ウエハを裏面研磨により薄肉化した後に、この半導体ウエハに化学研磨処理を施すのが一般的となっている。この処理は、応力緩和エッチング、化学薄肉化、化学エッチング、あるいは化学研磨と広く称されている。上記の処理により、ウエハ内に発生した応力が緩和され、ウエハの裏面から研磨の痕跡が除去され、それにより比較的均一なウエハ厚さが実現する。さらに、裏面研磨の後に化学エッチングを施すことにより、従来の裏面研磨の能力を超えて、半導体ウエハを薄くすることが可能となる。例えば、裏面研磨の後にウェット化学エッチング処理を用いることにより、標準的な２００および３００ｍｍの半導体ウエハを１００ミクロンないしそれ以下にまで薄くすることが可能となる。ウェット化学エッチングは、代表的にはウエハの裏面を、酸化／還元剤（例えば、ＨＦ、ＨＮＯ_３、Ｈ_３ＰＯ_４、Ｈ_２ＳＯ_４）、あるいはそれに替えて苛性アルカリ溶液（例えば、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、Ｈ_２Ｏ_２）に晒す工程を含んでいる。ウェット化学エッチング処理の例は、２００３年７月３０日に提出され、本考案の譲受人に譲渡された同時係属中の米国特許出願第１０／６３１，３７６号に記載されている。特許出願第１０／６３１，３７６号が教示する内容は、参照することにより本出願に組み込まれる。

半導体ウエハを薄肉化する方法は知られているが、その方法には限界がないわけではない。例えば、半導体ウエハを（広く知られているように）取り付け具すなわち「チャック」に取り付け、それによりウエハを薄肉化する工程では、高価な塗布や接着のための設備や材料が必要であり、処理時間が長くなり、しかも処理区域が汚染される恐れがある。それに加えて、ウエハをチャックに接着するための接着剤は、機械研磨処理には有用かもしれないが、ウェット化学エッチングで用いられる化学処理液には耐えられないと考えられる。その上、現在使われているフォトレジストあるいは接着テープでは、裏面研磨処理の間、あるいはその後の取り扱いや処理の間に、非常に薄いウエハを機械的に支持することができない。テープを使用することによって、除去処理の中で障害も発生する。例えば、テープを除去する際に、ウエハに望ましくない曲げ応力が加わる可能性がある。フォトレジストについては、その材料は、溶媒を用いることによりウエハの素子面から洗浄除去される。このときに、処理時間と薬品の使用とが追加的に必要となり、しかも汚染の危険が増大する。テープや保護用ポリマーを使用することは、コスト高ともなる。なぜなら、保護用の媒体を適用し、かつ除去するには、設備と材料との双方を要するからである。

さらに、薄肉化した半導体ウエハは、反ったり撓んだりし易い。しかも、薄肉化した半導体ウエハは非常に脆いために、その後に処理を施す際の取り扱い時に破損し易い。薄肉化した半導体ウエハ（例えば、２５０ミクロン未満）では、ウエハを自動的に取り扱う際に、取り扱いが複雑となる。なぜなら一般に、現存する取扱設備は、標準的な厚さのウエハ（例えば、１５０ｍｍウエハについては６５０ミクロン、２００および３００ｍｍウエハについては７２５ミクロン）に適合するように設計されているからである。

このように、より薄い半導体被処理物を製造するための方法と設備とが求められている。同時に、破損の恐れを最小化し得るほどに強く、しかも従来の半導体ウエハの自動取扱設備と両立する、より薄い被処理物を提供することが求められている。最後に、半導体被処理物を薄肉化するための処理工程の数を低減するシステムを開発することができれば、それは有益なものとなろう。

本考案は、半導体ウエハを処理するのに使用されるシステム、方法および装置を提供する。当該新規なシステムおよび装置によれば、より薄く、同時に強くて撓んだり反ったりし難いウエハの製造が可能となる。その結果、本方法によって製造されるウエハは、より破損し難いものとなる。本考案の方法および設備により、処理工程の数を低減しつつ、薄肉化したウエハの取り扱いに関して改善された製品構造が実現する。その結果、何よりも、収量が改善され、かつ処理効率が改善される。

１つの局面において本考案は、素子面と面取り部と裏面とを有する半導体被処理物を受けて支持するチャックを提供する。当該チャックは、被処理物を支持する本体部と、当該本体部に着脱可能に装着され、被処理物の裏面の周辺部を覆うように構成されている保持器と、当該保持器と被処理物の裏面との間を封止する少なくとも１つの部材とを備えている。この構成によれば、チャックは被処理物の裏面の周辺部を保護すると同時に、被処理物の裏面の内側領域が露出することを可能にする。被処理物は、その後にウェットエッチング処理を通じて薄肉化される。その結果、薄肉化された本体部（例えば、約１２５ミクロン未満）と厚い縁部（例えば、約６００から７２５ミクロンの範囲）とを有する半導体被処理物が出来上がる。相対的に厚い縁部によって、薄肉化された被処理物が強くなり、追加の処理を施すために従来の自動取扱設備によって被処理物を取り扱うことが可能となる。

別の局面において本考案は、半導体材料からなる本体部と縁部とを有する半導体被処理物を提供する。本体部は縁部に一体的につながっており、縁部の厚さの約５０％未満の厚さを有している。相対的に厚い縁部によって、被処理物に強度が付与され、その結果、本体部が撓んだり反ったりすることを防ぐことができる。ところで、半導体被処理物の本体部は、３００ミクロン未満の厚さに薄くすることができ、好ましくは１２５ミクロン未満、より好ましくは１００ミクロン未満、特に５０ミクロン未満、さらには２５ミクロン未満に、薄くすることが可能である。本考案による薄肉化した半導体被処理物の構造上の構成は、今日の最先端の電子技術や先進的な実装技術に必要とされる薄いＩＣＤへの工業上の要件を充足すると同時に、薄い被処理物が壊れやすい状態にあることによる破損の恐れを低減するものとなっている。

本考案はさらに、半導体被処理物を薄肉化するための幾つかの方法を提供する。１つの局面において本考案の方法は、半導体被処理物の裏面の約９５％を露出させつつ半導体被処理物の裏面の周辺部を覆うように構成されたチャックの中に、半導体被処理物を置く工程を含んでいる。半導体被処理物は、その後、ウェット化学エッチング処理によって薄肉化される。このとき、被処理物の裏面は、酸化剤（例えば、ＨＦ、ＨＮＯ_３、Ｈ_３ＰＯ_４、Ｈ_２ＳＯ_４）、あるいはそれに替えて苛性アルカリ溶液（例えば、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、Ｈ_２Ｏ_２）に晒される。ウェット化学エッチング工程では、被処理物の露出する裏面は、ウェット化学エッチング前の被処理物の厚さの５０％未満の厚さに薄肉化される。その結果、被処理物の周辺部に縁部、あるいは、当産業分野で広く称されているように「禁止領域」が形成される。縁部は、ウェット化学エッチング工程の前の被処理物の厚さ（例えば、６００から７２５ミクロンの範囲）におおよそ等しい厚さを有している。被処理物の残りの部分（すなわち、薄肉化した本体部）は、縁部の厚さの５０％未満の厚さ（例えば、３００ミクロン未満、好ましくは１２５ミクロン未満、より好ましくは１００ミクロン未満、特に５０ミクロン未満、さらには２５ミクロン未満の厚さ）を有する。この方法によれば、上に述べた半導体被処理物を薄肉化する周知の方法に付随する限界が取り払われ、全体的な製造効率が高められる。

本考案はさらに、１束の半導体被処理物をまとめて薄肉化する方法を提供する。この方法は、被処理物の裏面が露出するように半導体被処理物をチャック本体部の中に置く工程と、１束の被処理物をキャリア組立体の中に挿入する工程と、半導体被処理物が傾斜して配置されるようにキャリア組立体を回転組立体の中に載荷する工程と、回転組立体を回転させ、それによりキャリア組立体とその中に保持される被処理物とに回転運動を付与する工程と、被処理物の露出する裏面に処理液を噴霧する工程とを含んでいる。このシステムを通じて、被処理物の裏面が好みの厚さ（好ましくは１２５ミクロン未満）に薄肉化される。被処理物が薄肉化された後に、開示する装置及びシステムが、被処理物の洗浄および乾燥を可能にする。このシステムは、使用済み処理液の再循環および再利用をも可能にする。

半導体ウエハの一括処理を実行するために、本考案はさらに、バッチ方式による半導体被処理物のウェット化学薄肉化により１２５ミクロン未満にまで薄くすることを可能にする処理室を含むシステムを提供する。この処理室は、第１端部と外壁と前記第１端部に設けられ空洞部に通じる開口部とを有する処理室本体部を備えている。この処理室は傾斜して処理用機械内に支持され、処理室内の半導体被処理物も同様に傾斜してその中に支持される。また、扉組立体が処理室本体部の第１端部に隣接して設けられる。この扉組立体は、処理室本体部の開口部を選択的に閉塞する扉を有している。処理室はさらに、処理室本体部の空洞部の中、および半導体被処理物の露出部分の上に、処理液を噴霧するノズルを有するスプレー組立体を有している。ある実施の形態では、スプレー組立体は、反対の方向から処理室の中に液体を導入する二重の吸入／排出機構を有している。

別の局面によれば、処理室は排気部と排出口または排液部とを有している。排気部は、処理室の空洞部からガスと蒸気とを排気する。排液部は、処理室の処理室本体部の空洞部から、余った使用済みの処理液を除去する。排液部は、余った使用済みの処理液を処理室から供給槽へ戻す再循環システムに接続されている。

別の局面によれば、システムは、複数の被処理物を保持するキャリア組立体を含んでいる。キャリア組立体は処理室の空洞部内に置かれ、噴霧される処理液が被処理物の上に良好に行き渡るように、処理室内で回転する。ある実施の形態では、キャリア組立体は、おおよそその本体部の長さに沿った複数の位置決め部材を有している。位置決め部材は、半導体被処理物をキャリア組立体内の特定の位置に保持し、隣接する半導体被処理物の間に空隙を形成するために使用される。さらに、キャリア組立体の位置決め部材の形状により、キャリア組立体内の被処理物は、概ね、キャリア組立体と一緒に回転するとともに、キャリア組立体の回転とはある程度独立して回転する。

別の局面によれば、システムは、回転組立体を含んでいる。回転組立体は処理室の空洞部内に配置され、キャリア組立体は全体として回転組立体の空洞部内に配置される。処理室に付随するモータは、回転組立体を駆動して処理室本体部の空洞部内で回転組立体を回転させる。回転組立体は、キャリア組立体とその中に保持される半導体被処理物とに回転運動を付与する。

本考案によると、以下が提供され、上記目的が達成される。
（項目１）
素子面と裏面とを有する半導体被処理物を受けて支持するチャックであって、
前記被処理物を支持する本体部と、
前記本体部に着脱可能に装着され、前記被処理物の前記裏面の周辺部を覆うように構成されている保持器と、
前記保持器と前記被処理物の前記裏面との間を封止する部材とを備えるチャック。
（項目２）
前記本体部は、前記保持器の部分を受け入れる溝を備える項目１記載のチャック。
（項目３）
前記本体部は、ポリ四フッ化エチレンからなる項目１記載のチャック。
（項目４）
前記保持器は、ポリフッ化ビニリデンからなる項目１記載のチャック。
（項目５）
前記部材は、圧縮性材料からなる項目１記載のチャック。
（項目６）
前記圧縮性材料は、フルオロエラストマーである項目５記載のチャック。
（項目７）
前記圧縮性材料は、５０以上のデュロメータ硬さを有する項目５記載のチャック。
（項目８）
前記部材は、フルオロエラストマーのＯ−リングである項目１記載のチャック。
（項目９）
前記部材は、前記保持器の環状溝に配置されている項目１記載のチャック。
（項目１０）
前記保持器は、前記被処理物の前記裏面の約１ｍｍと１０ｍｍとの間の前記周辺部を覆う項目１記載のチャック。
（項目１１）
前記保持器は、前記被処理物の前記裏面の約１ｍｍと５ｍｍとの間の前記周辺部を覆う項目１０記載のチャック。
（項目１２）
前記保持器は、前記被処理物の前記裏面の約２ｍｍと４ｍｍとの間の前記周辺部を覆う項目１１記載のチャック。
（項目１３）
素子面と面取り部と裏面とを有する半導体被処理物を受けて支持するチャックであって、
前記半導体被処理物支持面を有する本体部と、
前記本体部に着脱可能に装着され、前記被処理物の前記裏面の周辺部を覆うように構成されている保持器と、
前記保持器に設けられ、前記保持器と前記被処理物の前記裏面との間を封止する第１封止部材と、
前記保持器に設けられ、前記保持器と前記本体部との間を封止する第２封止部材とを備えるチャック。
（項目１４）
前記本体部は、自身に形成され、前記半導体被処理物を前記被処理物支持面の中心に位置決めする段差を有する項目１３記載のチャック。
（項目１５）
前記保持器は係合部材を備え、前記本体部は、前記係合部材を受け入れて前記保持器を前記本体部へ係合させるように構成された後退部を備える項目１３記載のチャック。
（項目１６）
前記本体部は係合部材を備え、前記保持器は、前記係合部材を受け入れて前記保持器を前記本体部へ係合させるように構成された後退部を備える項目１３記載のチャック。
（項目１７）
前記係合部材と前記後退部とは、前記第１封止部材と前記第２封止部材との間に配置されている項目１５記載のチャック。
（項目１８）
前記係合部材と前記後退部とは、前記第１封止部材と前記第２封止部材との間に配置されている項目１６記載のチャック。
（項目１９）
前記保持器は、前記被処理物が前記本体部に装着されたときに、前記被処理物の前記面取り部と前記裏面の前記周辺部とを覆う項目１３記載のチャック。
（項目２０）
前記保持器と前記本体部との各々は、前記保持器が前記本体部に係合したときにノッチを形成するように構成された外端部を有する項目１３記載のチャック。
（項目２１）
前記ノッチは、前記保持器が前記本体部から外れるのを容易にする項目１８記載のチャック。
（項目２２）
前記本体部はデュロメータ硬さＢＤＨを有する材料からなり、前記保持器はデュロメータ硬さＲＤＨを有する材料からなり、ＢＤＨはＲＤＨよりも大きい項目１３記載のチャック。
（項目２３）
素子面と面取り部と裏面とを有する半導体被処理物を支持し、薄肉化処理の間に処理液が前記被処理物の前記素子面と前記面取り部と前記裏面の周辺部とに接触するのを防ぐチャックであって、
後退部と前記被処理物を支持する面とを有する本体部と、
保持環とを備え、
当該保持環は、
前記本体部の前記後退部と協働して着脱可能に前記保持環を前記本体部へ装着し、それにより前記保持環が前記被処理物の前記面取り部と前記裏面の前記周辺部とを覆うように構成された係合部材と、
前記保持環と前記被処理物との間を封止する圧縮性部材が自身の中に設けられた環状空洞部とを有し、
前記封止は、前記処理液が前記被処理物の前記裏面の前記周辺部と前記面取り部とに接触するのを防止するチャック。
（項目２４）
前記保持環は、前記保持環と前記被処理物との間を封止する第２の圧縮性部材が自身の中に配設された第２の環状空洞部をさらに備える項目２３記載のチャック。
（項目２５）
前記圧縮性材料は、耐腐食性材料からなる項目２３記載のチャック。
（項目２６）
前記本体部は、前記被処理物の全体を支持する項目２３記載のチャック。
（項目２７）
複数の半導体被処理物を処理する処理室であって、
第１端部と第２端部と外壁と前記第１端部に設けられ空洞部に通じる開口部とを有し、複数の被処理物を保持するキャリアが取り出し可能に前記処理室の前記空洞部内に配置される処理室本体部と、
前記処理室本体部の前記第１端部に隣接して設けられ、前記処理室本体部の前記開口部を閉塞する扉を有する扉組立体と、
前記処理室本体部に接続され、前記処理室本体部の前記空洞部内で前記キャリアを回転させるモータと、
前記処理室本体部の前記空洞部の中、および前記キャリアに保持される前記複数の被処理物の露出部分の上に、処理液を噴霧するノズルを有するスプレー組立体と、
前記処理室本体部に設けられ、前記処理室本体部の前記第１端部付近から前記第２端部付近へ延在し、前記処理室の前記空洞部から蒸気を排気する排気部と、
前記処理室本体部に設けられ、前記処理室本体部の前記第１端部付近から前記第２端部付近へ延在し、前記処理室本体部の前記空洞部から処理液を排出する排液溝とを備える処理室。
（項目２８）
前記排気部と前記排液溝とは、前記処理室本体部の径方向反対領域に設けられている項目２７記載の処理室。
（項目２９）
前記処理室本体部の前記空洞部内に配置された回転組立体を更に備え、前記キャリアは、前記回転組立体の内部に配置され、前記モータは、前記処理室本体部内で前記回転組立体を回転させるように当該回転組立体を駆動し、当該回転組立体は、前記キャリアと当該キャリアに保持された前記複数の被処理物とに回転運動を付与する項目２７記載の処理室。
（項目３０）
前記キャリアは、当該キャリア内で前記複数の被処理物の端部を保持する複数の位置決め部材を有し、当該位置決め部材は隣り合う被処理物の間に空隙を形成する項目２７記載の処理室。
（項目３１）
前記複数の被処理物は、前記キャリア内で独立して回転自在である項目３０記載の処理室。
（項目３２）
前記ハウジングは、自身の前記空洞部内に裏張りを有しており、当該裏張りは、ポリ四フッ化エチレンとステンレス鋼との少なくとも一方から作られている項目２７記載の処理室。
（項目３３）
前記スプレー組立体は、前記処理室本体部の前記第１端部に略隣接する部位から前記処理室本体部の前記第２端部付近までにわたって延在する項目２７記載の処理室。
（項目３４）
前記スプレー組立体は、複数のノズルを有するスプレー多岐管を備える項目２７記載の処理室。
（項目３５）
前記スプレー多岐管は、２つの吸入口を有する項目３４記載の処理室。
（項目３６）
前記２つの吸入口は、前記スプレー多岐管の互いに反対側の端部に設けられている項目３５記載の処理室。
（項目３７）
前記スプレー組立体は、複数のノズルを有する第１スプレー多岐管と、複数のノズルを有する第２スプレー多岐管とを備える項目２７記載の処理室。
（項目３８）
前記第１スプレー多岐管は２つの吸入口を有し、前記第２スプレー多岐管は２つの吸入口を有する項目３７記載の処理室。
（項目３９）
前記処理室本体部に接続され、当該処理室本体部とその中の被処理物とを傾斜して支持する取り付け部材をさらに備える項目２７記載の処理室。
（項目４０）
前記扉は第１位置から第２位置へ動くものであり、前記扉は第１位置にあるときには前記処理室本体部の前記空洞部の前記開口部を密閉し、前記扉が前記第２位置にあるときには前記空洞部は前記開口部を通じて出し入れ可能である項目２７記載の処理室。
（項目４１）
前記扉を支持する線形軌道をさらに備え、前記扉は前記線形軌道に沿って前記第１位置から第２位置へ動く項目４０記載の処理室。
（項目４２）
複数の半導体被処理物を処理する処理室であって、
第１端部と第２端部と外壁と前記第１端部に設けられ空洞部に通じる開口部とを有し、複数の被処理物を保持するキャリアが取り出し可能に前記処理室の前記空洞部内に配置される処理室本体部と、
前記処理室本体部の前記第１端部に隣接して設けられ、前記処理室本体部の前記開口部を閉塞する扉を有する扉組立体と、
前記処理室本体部に接続され、前記処理室本体部の前記空洞部内で前記キャリアを回転させるモータと、
多岐管と当該多岐管に連通する複数のノズルとを有し、前記処理室本体部の前記空洞部の中、および前記キャリアに保持される前記複数の被処理物の露出部分の上に、処理液を噴霧するスプレー組立体とを備え、
前記多岐管は、当該多岐管に処理液を供給する第１吸入口とそれとは反対側に位置する第２吸入口とを有する処理室。
（項目４３）
前記第１吸入口は前記多岐管の第１端部にあって、前記第２吸入口は前記多岐管の第２端部にある項目４２記載の処理室。
（項目４４）
自身に連通する複数のノズルを有する第２の多岐管をさらに備え、当該第２の多岐管は、第１吸入口とこれとは反対側に位置する第２吸入口とを有する項目４２記載の処理室。
（項目４５）
前記第２の多岐管の前記第１吸入口は、前記第２の多岐管の第１端部に位置し、前記第２の多岐管の前記第２吸入口は、前記第２の多岐管の第２端部に位置する項目４４記載の処理室。
（項目４６）
複数の半導体被処理物を薄肉化する装置であって、
キャビネットと、
前記キャビネット内に設けられた処理室とを備え、当該処理室は、
第１端部と、第２端部と、外壁と、前記第１端部に設けられ空洞部に通じる開口部と、前記処理室本体部に設けられ前記空洞部から蒸気を排気する排気部と、前記処理室本体部に設けられ前記空洞部から処理液を排出する排液溝とを有する処理室本体部と、
前記処理室本体部の前記第１端部に隣接して前記処理室本体部に接続されて設けられ、前記処理室本体部の前記開口部を閉塞する扉を有する扉組立体と、
複数のノズルを伴う多岐管を有し、前記処理室本体部の前記空洞部の中、および前記複数の半導体被処理物の上に、処理液を噴霧するスプレー組立体と、
前記処理室に液体が通じるようになっており、ある容積の前記処理液を保持し、自身から前記処理室のスプレー組立体へ前記処理液を供給する供給槽と、
前記処理室の前記排出口と前記供給槽との間を液体が通じるように連結し、使用済み処理液を前記処理室から前記供給槽へ通す再循環システムとを備える装置。
（項目４７）
前記排気部は、実質的に前記処理室本体部の前記第１端部から前記第２端部へ延在し、前記排液溝は、実質的に前記処理室本体部の前記第１端部から前記第２端部へ延在して前記処理室本体部の前記空洞部から処理液を排出する項目４６記載の装置。
（項目４８）
前記スプレー組立体は、前記処理室本体部の略前記第１端部付近から前記処理室本体部の前記第２端部付近までにわたって延在する項目４６記載の装置。
（項目４９）
前記多岐管は２つの吸入口を有する項目４６記載の装置。
（項目５０）
前記２つの吸入口は前記多岐管の互いに反対側の端部に設けられている項目４９記載の装置。
（項目５１）
前記スプレー組立体は、複数のノズルを有する第１多岐管と、複数のノズルを有する第２多岐管とを備える項目４６記載の装置。
（項目５２）
前記第１多岐管は互いに反対側に位置する２つの吸入口を有し、前記第２多岐管は互いに反対側に位置する２つの吸入口を有する項目５１記載の装置。
（項目５３）
前記複数の被処理物を保持するキャリアをさらに備え、当該キャリアは、前記処理室の前記空洞部内に配置される回転組立体の内部に取り出し可能に配置され、前記モータは、前記処理室本体部内で前記回転組立体を回転させるように当該回転組立体を駆動し、当該回転組立体は、前記キャリアと当該キャリアに保持された前記複数の半導体被処理物とに回転運動を付与する項目４６記載の装置。
（項目５４）
前記キャリアは、当該キャリア内で前記複数の半導体被処理物の端部を保持する複数の位置決め部材を有し、当該位置決め部材は隣り合う被処理物の間に空隙を形成し、それにより前記複数の被処理物が前記キャリア内で独立して回転可能となっている項目５３記載の装置。
（項目５５）
前記供給槽は、当該供給槽内の処理液の温度を調節する熱交換コイルを有する項目４６記載の装置。
（項目５６）
前記キャビネット内の受け部に係合し、前記キャビネット内で前記処理室本体部を傾斜して支持する前記処理室本体部の取り付け部材をさらに備える項目４６記載の装置。
（項目５７）
前記処理室と液体が通じるようになっており、前記半導体被処理物を薄肉化するために前記処理室で用いられる処理液を収容する複数の計量容器をさらに備える項目４６記載の装置。
（項目５８）
各計量容器に対して設けられ、適切な濃度の薬品を前記供給槽内に維持するために、前記供給槽内に前記処理液を選択的に添加する計量ポンプをさらに備える項目５７記載の装置。
（項目５９）
前記供給槽と前記処理室との間に、ポンプとフィルタと流量計とをさらに備え、前記ポンプは処理液を前記供給槽から処理室へ供給し、前記フィルタは前記処理室に送られる前記処理液を濾過し、前記流量計は前記処理室へ供給されている処理液の量を計測する項目４６記載の装置。
（項目６０）
前記供給槽と前記処理室との間に設けられ、前記処理室へ供給される前記処理液中の各流体の濃度を判定する濃度モニタをさらに備える項目５９記載の装置。
（項目６１）
前記キャビネット内に第２の処理室をさらに備える項目４６記載の装置。
（項目６２）
前記キャビネット内に設けられ、前記被処理物が薄肉化された後に当該被処理物を乾燥および洗浄する乾燥洗浄室をさらに備える項目４６記載の装置。
（項目６３）
複数の半導体被処理物を同時に処理する方法であって、
キャリア内に複数の被処理物を置く工程と、
処理室内に前記キャリアを載荷する工程とを備え、前記処理室は、
第１端部と第２端部と外壁と前記第１端部に設けられ空洞部に通じる開口部とを有する処理室本体部と、
前記処理室本体部の前記第１端部に隣接し、前記処理室本体部に接続されて設けられ、かつ扉を有し、当該扉は前記処理室本体部の前記空洞部への前記開口部を閉塞する第１位置から前記処理室本体部の前記空洞部への前記開口部を出し入れ可能にする第２位置へ動く扉組立体と、
前記処理室本体部の前記空洞部の中に処理液を噴霧する複数のノズルに連通する多岐管を有し、当該多岐管は前記処理液を受け入れる第１吸入口とその反対側に位置する第２吸入口とを有するスプレー組立体とを備えており、
前記方法は、
前記処理室の前記空洞部内で前記キャリアを回転させる工程と、
前記複数のノズルから、前記キャリアに保持される前記複数の被処理物の露出部分の上に、処理液を噴霧させる工程とをさらに備える方法。
（項目６４）
前記キャリアは複数の位置決め部材を有し、前記複数の被処理物は、前記複数の位置決め部材の間に端部が保持されるように前記キャリアの中に挿入される項目６３記載の方法。
（項目６５）
前記複数の被処理物の前記複数の保持器は複数のチャックを備え、前記方法は、
前記キャリアの中であって且つその複数の位置決め部材の間に前記複数のチャックを配置する工程をさらに備える項目６３記載の方法。
（項目６６）
前記チャックは、前記被処理物の裏面の面積の少なくとも９５％が露出するように前記被処理物の裏面の周辺部を覆うものである項目６５記載の方法。
（項目６７）
前記処理室がモータを有し、前記方法は、
前記キャリアを前記処理室内の回転組立体の中に置く工程と、
前記処理室内で前記回転組立体を回転させるように前記モータに電力を供給する工程とをさらに備える項目６３記載の方法。
（項目６８）
前記キャリアは、少なくとも部分的にはポリ四フッ化エチレンから作られている項目６３記載の方法。
（項目６９）
前記処理室の前記空洞を同時に排気および排液する工程をさらに備え、前記処理室は、前記処理室本体部の前記第１端部付近から前記処理室本体部の前記第２端部付近へ延在する排気部と、前記処理室本体部の前記第１端部付近から前記処理室本体部の前記第２端部付近へ延在する排液溝とを有する項目６３記載の方法。
（項目７０）
前記複数の被処理物を薄肉化した後に、当該複数の被処理物を洗浄し且つ乾燥させる工程をさらに備える項目６３記載の方法。
（項目７１）
前記複数の被処理物を洗浄する前記工程は、脱イオン水を前記複数の被処理物に適用する工程を備える項目７０記載の方法。
（項目７２）
前記複数の被処理物を乾燥させる前記工程は、イソプロピルアルコールまたは加熱窒素のうちの少なくとも一方を前記複数の被処理物に適用する工程を備える項目７０記載の方法。
（項目７３）
前記複数の被処理物の上に前記処理液を噴霧させる前記工程は、前記複数の被処理物が前記処理室の中で回転している時に、前記スプレー組立体の前記複数のノズルを通じて前記処理液を前記被処理物の上に噴霧させる工程を備える項目６３記載の方法。
（項目７４）
前記処理液は、水、過酸化水素、オゾン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、フッ化水素酸、硝酸、硫酸、酸性酸およびリン酸からなる群から選ばれたものである項目７３記載の方法。
（項目７５）
前記処理室内からの使用済み処理液を再利用する工程をさらに備える項目７３記載の方法。
（項目７６）
前記キャリア組立体内の前記複数の被処理物の露出部分の上に、前記スプレー組立体から前記処理液を噴霧させる前記工程は、
洗浄溶液で前記処理室内の前記複数の被処理物を予め洗浄して表面の汚染を除去する工程と、
エッチング液を用いて前記処理室内の前記複数の被処理物を化学的にエッチングし、前記複数の被処理物を薄肉化する工程と、
前記処理室内の前記複数の被処理物を洗浄する工程とを備える項目６３記載の方法。
（項目７７）
前記複数の被処理物を予め洗浄する前記工程は、洗浄溶液を前記被処理物に適用する工程を備える項目７６記載の方法。
（項目７８）
前記洗浄溶液は、Ｈ_２Ｏ、Ｈ_２Ｏ_２およびＮＨ_４ＯＨのうちの少なくとも１つを含む項目７７記載の方法。
（項目７９）
前記キャリア組立体内の前記複数の被処理物を化学的にエッチングする前記工程は、前記処理室内で前記複数の被処理物に粗い化学エッチングを行う工程と、前記処理室内で前記複数の被処理物に精密な化学エッチングを行う工程と、を備える項目７６記載の方法。
（項目８０）
前記粗い化学エッチングのエッチング速度は、前記精密な化学エッチングのエッチング速度よりも高い項目７９記載の方法。
（項目８１）
前記複数の被処理物を化学的にエッチングする前記工程は、ＨＦ、ＨＮＯ_３およびＨ_３ＰＯ_４の溶液を前記複数の被処理物に適用する工程を備える項目７６記載の方法。
（項目８２）
前記複数の被処理物を洗浄する前記工程は、Ｈ_３ＰＯ_４の溶液を前記処理室内の前記複数の被処理物に適用する工程を備える項目７６記載の方法。
（項目８３）
１束の被処理物をまとめて化学的に薄肉化するシステムであって、
少なくとも１つが装置を有する複数の被処理物処理台を備え、前記装置は処理室を備えており、当該処理室は、第１端部と第２端部と外壁と前記第１端部に設けられ空洞部に通じる開口部とを有する処理室本体部と、前記処理室本体部の前記第１端部付近から前記処理室本体部の前記第２端部付近へ延在し、前記処理室の前記空洞部から蒸気を排気する排気部と、前記処理室本体部の前記第１端部付近から前記処理室本体部の前記第２端部付近へ延在し、前記処理室の前記空洞部から処理液を排出する排液溝とを有しており、
前記装置は、
前記処理室の前記空洞部に配置され、複数の被処理物を当該複数の被処理物の周辺部のまわりで保持するキャリアと、
前記処理室本体部の前記第１端部に隣接して設けられ、前記処理室本体部の前記開口部を選択的に閉塞する扉を有する扉組立体と、
前記処理室本体部に接続され、前記キャリアと当該キャリアに保持される前記複数の被処理物とを回転させるモータと、
前記複数の被処理物を薄肉化するために、前記処理室本体部の前記空洞部の中、および前記半導体被処理物の上に、処理液を噴霧するノズルを有し、前記処理室に付随するスプレー組立体とをさらに備えるシステム。
（項目８４）
前記キャリアを支持し、前記モータに結合した駆動部材を有する回転組立体をさらに備え、前記モータは、前記回転組立体を回転させるように前記駆動部材に回転運動を付与する項目８３記載のシステム。
（項目８５）
前記キャリアは複数の位置決め部材を有し、前記複数の被処理物は前記キャリアの前記複数の位置決め部材の間に保持され、前記キャリアは前記回転組立体の内部に配置される項目８４記載のシステム。
（項目８６）
前記キャビネットの複数の受け部に係合し、前記キャビネット内に前記処理室を傾斜して支持する前記処理室の取り付け部材をさらに備える項目８３記載のシステム。
（項目８７）
前記スプレー組立体は、前記処理室本体部の前記第１端部に略隣接する部位から前記処理室本体部の前記第２端部付近までにわたって延在し、前記スプレー多岐管は、前記スプレー多岐管の互いに反対側の端部に設けられた２つの吸入口を有する項目８３記載のシステム。
（項目８８）
前記スプレー組立体は、複数のノズルを有する第２のスプレー多岐管をさらに備え、当該第２のスプレー多岐管は、前記第２の多岐管の互いに反対側の端部に設けられた２つの吸入口を有する項目８７記載のシステム。
（項目８９）
前記扉組立体は線形のアクチュエータガイドをさらに備え、前記扉は当該線形アクチュエータガイドに従って第１の閉塞位置から第２の開放位置へ動く項目８３記載のシステム。
（項目９０）
少なくとももう１つの処理台が、二次的な処理室を備える装置を有する項目８３記載のシステム。
（項目９１）
前記二次的な処理室は、前記複数の被処理物が薄肉化された後に当該複数の被処理物を乾燥および洗浄する乾燥洗浄室を備える項目９０記載のシステム。
（項目９２）
前記処理室に液体が通じるようになっており、ある容積の前記処理液を収容する供給槽をさらに備える項目８３記載のシステム。
（項目９３）
前記処理液は、水、過酸化水素、オゾン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、フッ化水素酸、硝酸、硫酸、酸性酸およびリン酸のうち少なくとも１つを含む項目９２記載のシステム。
（項目９４）
前記排出口と前記供給槽とに液体が通じるようになっており、処理液を前記処理室から前記供給槽へ通す再循環システムをさらに備える項目９２記載のシステム。
（項目９５）
約１５０ミクロン未満の厚さを有する本体部と、
前記本体部に接続され約１５０から７２５ミクロンの範囲の厚さを有する縁部とを備える半導体被処理物。
（項目９６）
前記本体部の厚さは１００ミクロン未満である項目９５記載の半導体被処理物。
（項目９７）
前記本体部の厚さは５０ミクロン未満である項目９５記載の半導体被処理物。
（項目９８）
前記本体部の厚さは２５ミクロン未満である項目９５記載の半導体被処理物。
（項目９９）
前記縁部と前記本体部は一体となっている項目９５記載の半導体被処理物。
（項目１００）
前記縁部と前記本体部はシリコンからなる項目９５記載の半導体被処理物。
（項目１０１）
前記縁部は約６００〜７２５ミクロンの範囲の厚さを有する項目９５記載の半導体被処理物。
（項目１０２）
前記縁部は約３００〜７２５ミクロンの範囲の厚さを有する項目９５記載の半導体被処理物。
（項目１０３）
裏面の面積ＢＳＳＡを有する半導体被処理物であって、
前記ＢＳＳＡの約５％未満を占め、厚さＲＴを有する縁部と、
ＲＴの約５０％よりも小さい厚さＭＢＴを有する本体部とを備える半導体被処理物。
（項目１０４）
前記縁部は前記ＢＳＳＡの約３％未満を占める項目１０３記載の半導体被処理物。
（項目１０５）
前記縁部は前記ＢＳＳＡの約１％未満を占める項目１０３記載の半導体被処理物。
（項目１０６）
前記ＭＢＴは前記ＲＴの約４０％未満である項目１０３記載の半導体被処理物。
（項目１０７）
前記ＭＢＴは前記ＲＴの約３０％未満である項目１０３記載の半導体被処理物。
（項目１０８）
前記ＭＢＴは前記ＲＴの約２０％未満である項目１０３記載の半導体被処理物。
（項目１０９）
前記ＭＢＴは前記ＲＴの約１０％未満である項目１０３記載の半導体被処理物。
（項目１１０）
前記ＭＢＴは前記ＲＴの約５％未満である項目１０３記載の半導体被処理物。
（項目１１１）
前記縁部は前記本体部と構造的に一体である項目１０３記載の半導体被処理物。
（項目１１２）
裏面の面積ＢＳＳＡを有する半導体被処理物であって、
前記ＢＳＳＡの少なくとも９５％を占める本体部と、
前記本体部につながっており、前記ＢＳＳＡの約５％未満を占め、厚さＲＴを有し、前記本体部と同一の材料で形成されている縁部とを備え、
前記本体部は、前記ＲＴの約５０％未満の厚さを有する半導体被処理物。
（項目１１３）
前記同一の材料はシリコンである項目１１２記載の半導体被処理物。
（項目１１４）
前記本体部は、前記ＲＴの約４０％未満の厚さを有する項目１１２記載の半導体被処理物。
（項目１１５）
前記本体部は、前記ＲＴの約３０％未満の厚さを有する項目１１２記載の半導体被処理物。
（項目１１６）
前記本体部は、前記ＲＴの約２０％未満の厚さを有する項目１１２記載の半導体被処理物。
（項目１１７）
前記本体部は、前記ＲＴの約１０％未満の厚さを有する項目１１２記載の半導体被処理物。
（項目１１８）
表面の面積ＢＳＳＡを有する半導体被処理物の裏面を薄肉化する方法であって、
前記ＢＳＳＡの９５％以上を露出させて前記被処理物の裏面の周辺部を覆うように構成されたチャックの中に前記半導体被処理物を置く工程と、
前記被処理物の前記露出する裏面を薄肉化して、厚さＲＴを有する縁部を形成し、前記本体部が前記ＲＴの約５０％未満の厚さを有するようにする工程とを備える方法。
（項目１１９）
前記本体部は前記ＲＴの約４０％未満の厚さを有する項目１１８記載の方法。
（項目１２０）
前記本体部は前記ＲＴの約３０％未満の厚さを有する項目１１８記載の方法。
（項目１２１）
前記本体部は前記ＲＴの約２０％未満の厚さを有する項目１１８記載の方法。
（項目１２２）
前記本体部は前記ＲＴの約１０％未満の厚さを有する項目１１８記載の方法。
（項目１２３）
前記ＢＳＳＡの９７％以上が露出する項目１１８記載の方法。
（項目１２４）
前記ＢＳＳＡの９９％以上が露出する項目１１８記載の方法。
（項目１２５）
前記縁部は前記被処理物の前記周辺に形成される項目１１８記載の方法。
（項目１２６）
前記ＲＴは２００から７２５ミクロンの範囲にある項目１１８記載の方法。
（項目１２７）
前記本体部は約１００から１２０ミクロンの範囲の厚さを有する項目１２６記載の方法。
（項目１２８）
前記本体部は約５０から１００ミクロンの範囲の厚さを有する項目１２６記載の方法。
（項目１２９）
前記本体部は約２５から５０ミクロンの範囲の厚さを有する項目１２６記載の方法。
（項目１３０）
前記本体部は約１００から１２０ミクロンの範囲の厚さを有する項目１１８記載の方法。
（項目１３１）
前記本体部は約５０から１００ミクロンの範囲の厚さを有する項目１１８記載の方法。
（項目１３２）
前記本体部は約２５から５０ミクロンの範囲の厚さを有する項目１１８記載の方法。
（項目１３３）
厚さＷＰＴを有する半導体被処理物の裏面を薄肉化する方法であって、
前記被処理物の前記裏面が露出するように、チャック本体部の上に前記半導体被処理物を置く工程と、
前記被処理物が前記チャックに固定され且つ前記被処理物の前記裏面の周辺部が保持器で覆われるように、当該保持器を前記チャック本体部に装着する工程と、
前記被処理物の前記露出する裏面を薄肉化して縁部と本体部とを形成し、前記本体部が前記ＷＰＴの５０％未満の厚さＭＢＴを有するようにする工程とを備える方法。
（項目１３４）
前記被処理物の前記裏面の前記露出部分を薄肉化する前記工程は、前記被処理物の前記裏面の前記露出部分から半導体材料を、化学エッチングにより除去する工程を備える項目１３３記載の方法。
（項目１３５）
前記被処理物の前記裏面の前記露出部分を薄肉化する前記工程は、前記被処理物の前記裏面の前記露出部分を研磨する工程を備える項目１３４記載の方法。
（項目１３６）
厚さＷＰＴを有する半導体被処理物の裏面を薄肉化する方法であって、
前記被処理物の前記裏面の本体部が露出するように、前記被処理物の前記裏面の周辺部を囲むように構成されたチャックの上に前記半導体被処理物を置く工程と、
前記チャックと前記被処理物とを処理容器の中に置く工程と、
前記被処理物の前記裏面の前記露出する本体部に処理液を適用して、前記ＷＰＴの５０％未満となるように前記本体部を薄肉化する工程とを備える方法。
（項目１３７）
前記露出する本体部に処理液を適用する前記工程は、前記被処理物の前記裏面の前記本体部の上に処理液をノズルから噴霧する工程を備える項目１３６記載の方法。
（項目１３８）
前記露出する本体部に処理液を適用する前記工程は、前記露出する本体部をある容積の前記処理液の中に浸漬する工程を備える項目１３６記載の方法。
（項目１３９）
前記処理液は、水、過酸化水素、オゾン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、フッ化水素酸、硝酸、硫酸、酸性酸およびリン酸からなる群から選ばれたものである項目１３６記載の方法。
（項目１４０）
前記被処理物を薄肉化した後に当該被処理物の前記本体部を洗浄する工程をさらに備える項目１３６記載の方法。
（項目１４１）
前記洗浄工程は、前記被処理物を薄肉化した後に当該被処理物の前記本体部にリン酸を適用する工程を備える項目１４０記載の方法。
（項目１４２）
前記薄肉化した被処理物を乾燥させる工程をさらに備える項目１４０記載の方法。
（項目１４３）
前記処理液を、前記露出する本体部に第１のエッチング速度で適用し、その後に第２のエッチング速度で適用する項目１３６記載の方法。
（項目１４４）
前記第１のエッチング速度は前記第２のエッチング速度よりも高い項目１４３記載の方法。
（項目１４５）
前記被処理物の前記本体部の前記厚さを計測する工程をさらに備える項目１３６記載の方法。
（項目１４６）
前記処理液は、流量、濃度および温度を有し、前記方法は、前記処理液の前記流量、濃度および温度のうちの少なくとも１つを監視する工程をさらに備える項目１３６記載の方法。
（項目１４７）
前記半導体被処理物の裏面を薄肉化する方法であって、
前記半導体被処理物をチャックの上に置く工程と、
前記保持器を前記チャックに装着することにより、前記被処理物の前記裏面の本体部が露出するように、前記被処理物を前記チャックに固定し且つ前記被処理物の前記裏面の周辺部を囲む工程と、
前記チャックを前記キャリアの中に配置する工程と、
前記キャリアを処理容器の中に載荷する工程と、
前記処理容器内の前記チャックを回転させる工程と、
前記チャックが回転するときに前記被処理物の前記裏面の前記露出する本体部に処理液を適用することにより、前記被処理物の前記裏面の前記本体部をある厚さにまで薄肉化し、且つ前記本体部の厚さより大きい厚さを有する縁部を形成する工程とを備える方法。
（項目１４８）
素子面と裏面と内側領域と外周領域と厚さＷＰＴを有する半導体被処理物を準備する工程と、
前記半導体被処理物の前記裏面の前記外周領域を遮蔽する工程と、
前記半導体被処理物の前記裏面の前記内側領域を処理液に晒すことにより、前記内側領域を０．５×ＷＰＴ未満の厚さにまで薄肉化する工程とにより製造された半導体被処理物。
（項目１４９）
前記内側領域が０．４×ＷＰＴ未満の厚さにまで薄肉化されている項目１４８記載の半導体被処理物。
（項目１５０）
前記内側領域が０．３×ＷＰＴ未満の厚さにまで薄肉化されている項目１４８記載の半導体被処理物。
（項目１５１）
前記内側領域が０．２×ＷＰＴ未満の厚さにまで薄肉化されている項目１４８記載の半導体被処理物。
（項目１５２）
前記半導体被処理物の前記裏面の前記内側領域を前記処理液に晒すことにより前記内側領域を薄肉化する前記工程は、前記半導体被処理物の前記外周領域に縁部を形成する項目１４８記載の半導体被処理物。
（項目１５３）
前記縁部は実質的にＷＰＴと同一の厚さを有する項目１５２記載の半導体被処理物。
（項目１５４）
前記縁部は、前記半導体被処理物の前記外周領域の処理前の構成と実質的に同一の構成を有する項目１５２記載の半導体被処理物。
（項目１５５）
前記縁部は前記半導体被処理物と構造的に一体である項目１５２記載の半導体被処理物。
（項目１５６）
素子面と面取り部と裏面とを有する半導体被処理物であって、
シリコンからなり、厚さＷＰＴを有する半導体被処理物を準備する工程と、
本体部と保持器とを有するチャックの上に、前記素子面を下にして前記半導体被処理物を置く工程と、
前記保持器が前記面取り部の周りに張り出し且つ前記被処理物の前記裏面の周辺部を遮蔽するように前記保持器を前記本体部に係合させる工程と、
前記半導体被処理物の前記裏面の内側領域を露出させる工程と、
前記半導体被処理物の前記裏面の前記露出する内側領域に処理液を適用することにより、前記内側領域を０．５０×ＷＰＴ未満の厚さに薄肉化し、且つ前記ＷＰＴと実質的に同一の厚さを有するシリコンからなる縁部を形成する工程とを備える方法に従って薄肉化された半導体被処理物。

考案の記述された局面のいずれも、最適な結果を得るために、組合せることができ、および／または１回ないしより多くの回数まで繰り返すことができる。本考案は、記述された局面のサブコンビネーションにも存在する。本考案におけるこれらおよびその他の目的、特徴および効果は、添付の図面を参照することにより、本考案の好ましい実施の形態についての以下の記述から明らかとなる。

Ａ．半導体被処理物を支持するチャック
図１Ａ〜１Ｅを参照しつつ、本考案の１つの実施の形態による処理の間に半導体被処理物５０を支持するチャック１０について説明する。チャック１０は、支持本体部１２、保持器１４および封止部材１６、２４からなる。保持器１４は、２本の溝すなわち後退部１８を有している。封止部材１６、２４は、それぞれ環状溝１８に収納されている。保持器１４は、好ましくは環状であり、着脱可能に支持本体部１２に装着されている。使用時には、装置面５１、面取り部（すなわち、周辺端部）５２および裏面５３を有する被処理物５０が、チャック５０の支持本体部１２の支持面１８の上に、素子面５１を下にして置かれる。その後に、保持器１４が支持本体部１２の外周部に装着される。図１Ｃに示すように、保持器１４は支持本体部１２に係合するときに、支持本体部１２の外端部の周りを包囲し、被処理物５０の裏面５３の周辺部を覆うことにより、被処理物５０をチャック１０の中に固定する。

保持器１４は、好ましくは係合したときに、被処理物５０の裏面５３のわずかな周辺部のみを覆い、被処理物５０の裏面５３の大部分を露出したままにする。１つの好ましい実施の形態では、保持器１４によって覆われる裏面５３の表面領域は、面取り部５２から内側に約１〜１０ｍｍの距離まで延び、より好ましくは約１〜５ｍｍにあり、特には約２〜４ｍｍの間にある。好ましくは、被処理物５０の裏面５３の面積の少なくとも９５％（あるいは、さらには９７％ないし９９％）が露出したままとなる。被処理物５０の裏面５３の露出部は、その後に処理液の適用を受け、望ましい厚さにまで薄肉化される。薄肉化される間、被処理物５０の裏面５３の周辺部が覆われるので、処理液は被処理物５０の裏面５３の周辺部に作用を及ぼさない。したがって、被処理物５０の裏面５３の周辺部は、実質的に、薄肉化の前と同一の形状、構造および厚さのままで残る。本考案の目的のために、薄肉化の後に被処理物５０の周辺部に残る半導体材料は、縁部と称される。薄肉化された被処理物５０に強度を付与し、本考案による処理が施される薄肉化された半導体被処理物５０を、自動取扱設備が取り扱うのを可能にするのは縁部である。

図１Ｄおよび１Ｅに移って、支持本体部１２への保持器１４の装着を容易にするために、保持器１４は、支持本体部１２に形成された後退部２２と協働する係合部材２０を有している。このようにして、保持器１４と支持本体部１２との間の簡単で機械的なスナップ結合が実現する。図１Ａ〜１Ｄには示さないが、本考案は、係合部材２０が支持本体部１２から延び、保持器１４に形成された後退部２２と協働することにより、着脱可能に保持器１４と支持本体部１２とを結合する構成を含んでいる。いずれの構成においても、好ましくは、係合部材２０と後退部２２とは、第１および第２の封止部材１６、２４の間に配置される。

図１Ｃを参照して、保持器１４は、傾斜面３２が形成された外周端部３０を有している。保持器１４が支持本体部１２に装着されるときに、保持器１４の外周端部３０の傾斜面３２は、支持本体部１２の外周端部にある傾斜面３４と一緒になって、ノッチ３６を形成する。ノッチ３６は、工具（不図示）を受け入れて、保持器１４を支持本体部１２から取り外すのを容易にする。

図１Ｅに移って、支持本体部１２は、その周囲に縁あるいは段差２６を有している。縁２６は、被処理物５０がチャック１０に載荷されるときに、被処理物５０を位置合わせ、あるいは案内する役割を果たす。被処理物５０は、適切に位置合わせされると、支持本体部１２の支持面２８の上に全体が納まる。チャック１０は、どのような形状（例えば、正方形、長方形、円形、その他）であっても良いが、図１Ａ〜１Ｅに示すように、好ましい実施の形態においては、チャックは、円盤状であり、処理すべき被処理物５０の直径よりもわずかに大きい直径を有することになろう。

図２Ａ〜２Ｂを参照して、本考案によるチャック１０の別の実施の形態について説明する。図１Ａ〜１Ｅに示したチャック１０と同様に、チャック１０は支持本体部１２と保持器１４とを含んでいる。保持器１４は、環状溝１８、３８内に設けられた第１および第２の封止部材１６、２４を有している。しかし、図２Ａ〜２Ｂに例示される実施の形態における機械的装着機構は、図１Ａ〜１Ｅに示した機構とはわずかながら異なっている。係合部材２０は、支持本体部１２の外周部から張り出している。同様に、保持器１４は支持本体部１２の係合部材２０と協働する後退部２２を有し、保持器１４を支持本体部１２に装着するための簡単なスナップ係合を実現する。保持器１４の上部は、封止部材１６を含んでおり、係合部内にある被処理物５０の裏面５３の禁止領域を覆っている。この好ましい実施の形態では、保持器１４は、チャック１０に形成された空洞部から処理液が逃げることができるように、複数のリンス孔４０を有している。係合部材２０と機械的スナップ結合を実現する保持器１４の下部４２は、支持本体部１２の下部４６と一緒に環状後退部４４を形成している。工具（不図示）を環状後退部４４に挿入することができ、それにより、処理が完了した後に、チャック１０の支持本体部１２から保持器１４を簡単に取り外すことができる。

２つの封止部材１６、２４を有する実施の形態（図１Ａ〜１Ｅおよび２Ａ〜２Ｂに開示）では、封止部材１６は、被処理物５０と保持器１４との間の柔軟な接触と封止とを実現し、それにより処理液が被処理物５０の素子面５１と面取り部５２とに侵入するのを防いでいる。柔軟な接触によって、さらに、チャック１０の組み立ておよび分解の際に被処理物５０に作用する応力が、ある程度緩和される。また、封止部材２４により、保持器１４と支持本体部１２との間に柔軟な接触が実現し、同様に、チャック１０の組み立ておよび分解の際に被処理物５０に作用する応力がある程度緩和される。

図３Ａ〜３Ｂから図７Ａ〜７Ｂを参照して、単一の封止部材１６のみを有する様々なチャック１０の設計について説明する。特に、図３Ａ〜３Ｂには、保持器１４、支持本体部１２、および図２Ａ〜２Ｂに示し且つ上に述べた係合機構と同様の係合機構を有するチャック１０を例示している。しかし保持器１４は、封止部材１６を収容するように構成された単一の環状溝１８のみを有している。この実施の形態では、環状溝１８はＶ字状であり、正方形状の圧縮性封止部材１６を受け入れる。好ましくは、正方形状の封止部材１６は、溝１８に確実に且つ適切に嵌め込まれるように、４つの角のそれぞれから突起した半円形状の張り出し部を有する。

図４Ａ〜４Ｂおよび５Ａ〜５Ｂは、支持本体部１２の底外周部の周囲に取り付けられた係合環４８を有するチャック１０を示している。係合環４８は、支持本体部１２から径方向外側に張り出しており、支持本体部１２と係合環４８との間に段のある関係を形成し、係合部材２０を形成している。保持器１４は、自身の中にＵ字状の後退部２２を形成した下部４２を有している。Ｕ字状の後退部２２は、係合部材２０を受け入れる。保持器１４の下部４２は、係合部材２０の周りを包囲し、保持器１４と支持本体部１２の係合環４６との間の機械的スナップ結合を形成する張り出し部４９を有している。図４Ａ〜４Ｂにおいて、保持器１４は、頭部と底部とを有する封止部材１６を受け入れる２段階の環状溝１８を有している。封止部材１６の頭部は、環状溝１８の１つの段に挿入するためのある幅を有し、底部は、環状溝１８の第２の段に挿入するための第２の幅を有している。図５Ａ〜５Ｂにおいて、保持器１４は、封止部材１６を収容するＶ字状の環状溝１８を有しており、この実施の形態では、封止部材１６は圧縮性のＯ−リングである。

図６Ａ〜６Ｂは、本考案によるチャック１０の別の好ましい実施の形態を例示する。この実施の形態では、保持器１４の下部４２は内側壁６０を有しており、この内側壁６０には自身から外側に張り出している凸部６２を有している。支持本体部１２は端部壁６４を有しており、この端部壁６４は、保持器１４の下部４２の内側壁６０に形成された凸部６２を受け入れる凹部６６を有している。このようにして、保持器１４は支持本体部１２と係合し、チャック１０の支持面２８の上に被処理物５０を固定する。

単一の封止部材１６のみを有する実施の形態（図３Ａ〜３Ｂから６Ａ〜６Ｂに開示）では、封止部材１６は、被処理物５０と支持本体部１２との間の柔軟な接触を実現し、それにより被処理物５０の素子面５１と面取り部５２とに処理液が作用するのを防止し、且つ組み立て／分解処理の際に被処理物に作用する応力を緩和する。

図７Ａ〜７Ｂに移って、先の実施の形態の保持器１４と封止部材１６とを組み合わせたチャック１０の好ましい実施の形態について説明する。この実施の形態では、保持器１４は単一の部品である圧縮性の輪環であり、この輪環は、保持器１４の中央に周に沿って形成された環状溝１８を有している。支持本体部１２は外端部１３を有しており、この外端部１３は、保持器１４の環状溝１８の中に挿入される。保持器１４によって支持本体部１２と被処理物５０とに加えられる圧縮力により、保持器１４は支持本体部１２に係合した状態を維持する。装着された位置では、被処理物５０の外周部（例えば、禁止領域）は、やはり環状溝１８内に位置する。この好ましい実施の形態において、保持器１４は、被処理物５０の裏面５３との間の封止を実現し、処理が行われる際に、被処理物５０の面取り部５２および素子面５１に処理液が侵入するのを防止する。

本考案によるチャック１０の実施の形態に用いるのに適した材料について説明する。一般的には、チャック１０は、安定していて高度に化学的耐性のある数多くのポリマー材料から作ることができる。好ましくは、支持本体部１２は、ポリ四フッ化エチレンを含んでおり、保持器１４は、好ましくはフルオロポリマーであり、例えばＡｔｏｆｉｎａ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社からＫＹＮＡＲという商品名で販売されているポリフッ化ビニリデンである。図７Ａ〜７Ｂに例示される実施の形態では、保持器１４は好ましくは、フルオロポリマーよりも小さく、且つ封止部材について以下で述べるエラストマー系材料よりも大きいデュロメータ硬さを有する材料により形成される。すなわち、被処理物５０を封止するほどに十分な圧縮性を有し、同時に、保持器１４が支持本体部１２を受け入れる構造を実現するのに十分な剛性を有する材料である。本考案のいずれの実施の形態においても、保持器１４の支持本体部１２への装着性を向上させるためには、支持本体部１２は、保持器１４を形成する材料のデュロメータ硬さよりも大きいデュロメータ硬さを有する材料からなるのが望ましい。

図１Ａ〜１Ｅ、２Ａ〜２Ｂ、５Ａ〜５Ｂおよび６Ａ〜６Ｂに例示するように、封止部材１６、２４は、好ましくは「Ｏ−リング」のような形状をなすが、他の形状も同様に使用可能であることが予期されている（例えば、図３Ａ〜３Ｂおよび４Ａ〜４Ｂに示している）。封止部材１６、２４は、好ましくはデュロメータ硬さが５０以上である圧縮性材料から形成される。適切なエラストマー系材料について具体例として、ＤｕＰｏｎｔ社からＫａｌｒｅｚの商品名で販売されている過フルオロエラストマー、Ｇｒｅｅｎｅ、Ｔｗｅｅｄ＆Ｃｏ．社からＣｈｅｍｒａｚという商品名で販売されている過フルオロエラストマー、ＤｕＰｏｎｔ社からＶｉｔｏｎという商品名で販売されているフルオロエラストマー、およびＥＰＤＭという商品名で販売されている炭化水素エラストマーが挙げられる。

Ｂ．単一の半導体被処理物を薄肉化する方法
本考案による被処理物の薄肉化方法に移って、図８は、被処理物５０の裏面５３を薄肉化するのに上述のチャック１０と被処理物５０を用いるときに実行される方法についての１つの実施の形態を例示するものである。ステップ２００では、素子面５１、面取り部５２および裏面５３を有する被処理物５０が準備される。被処理物５０の裏面５３は、その寸法によって決められた面積を有するであろう。同時に、処理物５０は決められた厚さを有している。

ステップ２１０では、チャック１０の支持本体部１２に素子面５１が直接隣接するように、被処理物５０がチャック１０の支持面２８の上に置かれる。保持器１４が、支持本体部１２に装着され、それにより、被処理物５０の裏面５３の周辺部（例えば、被処理物５０の禁止領域）が覆われる。ステップ２１０では、被処理物５０がチャック１０に固定される。チャック１０の構成により、保持器１４が支持本体部１２に装着されると、ステップ２２０で裏面５３の面積の大部分（好ましくは、９５％以上、より好ましくは９７％以上、特に９９％以上）が露出し、その一方で、被処理物５０の裏面５３のわずかな周辺部が覆われる。

その後、ステップ２３０において、被処理物５０の露出する裏面５３に処理液を適用することにより、被処理物５０が望みの厚さに薄肉化される。保持器１４が重なり合う構成を有しているために、ステップ２４０で被処理物の露出する裏面５３を薄肉化することにより、被処理物５０に縁部および本体部が形成される。縁部は被処理物５０の外周部に形成されて厚さＲＴを有し、被処理物５０の本体部は厚さＭＢＴを有する。図８に示す好ましい実施の形態では、ＭＢＴはＲＴの約５０％未満である。望まれるＭＢＴは、好ましくはＲＴの約４０％未満であり、より好ましくは、ＲＴの約３０％未満であり、特にＲＴの約２０％未満であり、さらにはＲＴの約１０％未満である。被処理物５０の薄肉化の後に、ＲＴは薄肉化処理前の被処理物５０の厚さと実質的に同一となるはずである点を理解すべきである。したがって、従来の２００ｍｍおよび３００ｍｍ被処理物に対して、薄肉化後のＲＴは、７２５ミクロンとなる。また、従来の１５０ｍｍ被処理物の薄肉化後のＲＴは、約６５０ミクロンとなる。

しかし、例えば機械研磨など、他の何らかの方法により先に薄肉化されている被処理物５０を処理することも、本考案の範囲内である。したがって、１５０〜７２５ミクロンのいずれの厚さを持った被処理物５０であっても、本考案によって薄肉化することができ、被処理物５０と実質的に同じ厚さの範囲にあるＲＴ（すなわち、約１５０〜７２５ミクロン、あるいはさらに約６００〜７２５、あるいはさらに約３００〜７２５）を有する縁部と、約２５〜３００ミクロンの範囲、好ましくは約１００〜１２５ミクロンの範囲、より好ましくは約５０〜１００ミクロンの範囲、特に約２５〜５０ミクロンの範囲のＭＢＴを有する本体部とを有する被処理物５０を形成することができる。

図９に移って、上に述べたチャック１０が被処理物５０の薄肉化に用いられるときに実行される可能性のある別の実施の形態による方法について説明する。ステップ３００では、厚さＷＰＴを有する被処理物５０が準備される。被処理物５０は、素子面５１、面取り部５２および裏面５３を有するものである。ステップ３１０では、チャック１０の支持本体部１２に素子面５１が直接隣接するように、被処理物５０がチャック１０の上に置かれる。ステップ３２０では、保持器１４が支持本体部１２に装着され、それにより、被処理物５０の裏面５３の周辺部が覆われる。このステップでは、被処理物５０がチャック１０に固定される。チャック１０の構成により、保持器１４が支持本体部１２に装着されると、覆われている禁止領域を除いて、実質的に被処理物５０の裏面５３のすべてが露出する。

図９をさらに参照して、ステップ３３０では、チャック１０と被処理物５０とが処理室内に置かれる。処理室は手動または自動であり、好ましくは、モンタナ州カリスペルのＳｅｍｉｔｏｏｌ，Ｉｎｃ．社から入手可能なものと同様のスプレー・アシッド・ツール処理台の中に置かれる。一旦処理室内に置かれると、ステップ３４０において、被処理物５０の露出する裏面５３に処理液が適用される。ステップ３４０の薄肉化処理は、好ましくは、従来のウェット化学エッチング処理または研磨処理を含んでいる。いずれの処理においても、処理液は、好ましくは脱イオン水、過酸化水素、オゾン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、フッ化水素酸、硝酸、硫酸、酸性酸およびリン酸のうちの１つまたは組合せからなる。他の多くの酸性および塩基性の溶液も、取り扱うべき特定の表面に応じて、また、除去すべき材料に応じて使用することが可能である。

従来のどのような方法によっても、処理液を被処理物５０に適用することができる。しかし１つの好ましい実施の形態では、単一または複数のノズルから被処理物５０の裏面５３の上に処理液を噴霧する。別の好ましい実施の形態では、チャック１０と被処理物５０とを、ある容積の処理液の中に浸漬し、あるいは、複数容積の（異なる濃度または温度の）同一の処理液または異なる処理液の中に、次々と浸漬する。

除去すべき材料の組成、および除去すべき材料の量（すなわち、被処理物の望ましい最終的な厚さ）に依存して、処理液には、望ましい濃度、温度および流量がある。これらの処理液に関する変数を監視し、維持することにより、被処理物５０の露出する裏面５３に処理液を第１のエッチング速度で適用し、その後に第２のエッチング速度で適用することができる。好ましくは、第１のエッチング速度は第２のエッチング速度よりも高い。すなわち半導体材料は、最初は速くエッチング除去され、その後に、被処理物５０の厚さが望みの厚さに達するように、緩やかに除去される。

図９のステップ３５０を参照して、薄肉化処理により、縁部７０と本体部７２とが被処理物５０の中に形成される。薄肉化処理は、本体部７２が望みの厚さＭＢＴに達するまで行われる。好ましくは、ＭＢＴはＷＰＴの５０％未満であり、より好ましくはＷＰＴの４０％未満であり、さらに好ましくはＷＰＴの３０％未満であり、特にＷＰＴの２０％未満であり、特に望ましくはＷＰＴの１０％未満である。半導体被処理物５０の本体部７２の厚さは、薄肉化処理の全体を通じて計測するのが望ましい。それは、従来の赤外線監視技術を処理室内に応用することによっても、例えば容量計測技術といった他のどのような周知の計測技術によっても、実現することができる。もしも必要であれば、上に述べた処理液の変数は、被処理物の厚さを継続して監視することによって、調節することが可能である。

ステップ３６０では、薄肉化した被処理物５０を洗浄し、乾燥させる。例えば、被処理物は、洗浄工程で脱イオン水、硝酸またはリン酸の流れを使って噴霧することができ、その後に、周知の乾燥技術のうちの１つ以上のどのような技術を適用することも可能である。最後に、被処理物５０が、チャックから取り外され（ステップ３７０）、薄肉化した被処理物５０が、複数のチップを得るように賽の目に切り出される（ステップ３８０）。

Ｃ．半導体被処理物を薄肉化するための一括処理室およびシステム
本考案によれば、半導体被処理物５０の薄肉化は、単一の被処理物５０に対して行うこともできるが、複数の被処理物５０に対して同時に行うことも可能である。複数の被処理物５０を薄肉化するときには、まず各被処理物５０を対応するチャック１０の中に置いてから、複数のチャック１０と被処理物５０とをキャリアの中に配置するのが望ましい。このようなキャリアとして、例えば同時係属中の米国特許出願第１０／２００，０７４号及び１０／２００，０７５号に開示されるキャリアが挙げられる。これらの出願の開示内容は、参照することにより本出願に組み込まれる。一旦、複数の被処理物５０（および付随するチャック１０）がキャリアの中に配置されると、その後、キャリアが処理容器の中に載荷され、複数の被処理物５０の露出する裏面５３に処理液が適用される。被処理物５０に処理液が適切に適用されることを確実なものとするためには、薄肉化処理の間に処理容器の中で、チャック１０またはキャリア、あるいはそれら双方を回転させるのが望ましい。処理容器は、独立した装置であってもよく、さらに大きい被処理物５０薄肉化システムを構成する複数の処理台のうちの１つであっても良い。

次に図１２、１３および２７を参照して、被処理物４１２を処理するための機械ないし装置４１０について説明する。装置４１０は、好ましくは第１の処理モジュール４１６と第２の処理モジュール４１８とを収納するキャビネット４１４を含んでいるが、処理が未完の被処理物のためのポッドあるいはモジュールを装置４１０に追加し得ることが理解される。第１の処理モジュール４１６は、代表的には図１４に示す処理室４２０のような半導体被処理物４１２を薄肉化するための処理室であり、第２の処理モジュール４１８は、代表的には被処理物４１２を薄肉化した後に乾燥および洗浄を行うための乾燥洗浄室４２２である。装置４１０は電子制御領域４２５をも有しており、この電子制御領域４２５は、制御盤４２４、表示装置４２６、およびシステムの動作を制御および監視するプロセッサといった機器が付属している。それに加えて、装置４１０は、処理ポッドに被処理物を収容する別のモジュール４２７を有する。システムの他の特徴および部品については、以下に詳細に説明する。

上に説明したように、このシステムは、複数の被処理物４１２を処理室４２０の中で薄肉化する。好ましい実施の形態では、各被処理物４１２は、処理室４２０の中に置く前に、処理のための個別のチャック４３０に取り付けられる。被処理物と様々なチャックの構成との間の配置については、図１〜７とともに既に詳細に説明している。取り付けられた複数の被処理物を、その後、複数の被処理物４１２を保持するためのキャリア組立体４５２の中に配置する。図１５〜１６を参照して、キャリア組立体４５２は、おおよそ被処理物４１２をその周辺部で保持する。この実施の形態では、キャリア組立体４５２は、互いに接続されてキャリア組立体４５２を形成する第１のキャリア部材４５４と第２のキャリア部材４５６とを備えている。約２５枚の被処理物４１２を、キャリア組立体４５２の中に保持することが可能である。各キャリア部材４５４、４５６は、キャリア組立体４５２に剛性を付与する複数の支持脚４５８を有している。好ましい実施の形態では、図１５に示すように各キャリア部材４５４、４５６は、径方向に延び、概ね等間隔で配置される４本の支持脚４５８を有している。支持脚４５８の間に隙間があるために、処理室４２０の中の被処理物４１２に処理液が到達することができる。さらに、支持脚４５８には、キャリア部材４５４、４５６の重量を軽減するために、複数の孔４６０が開けられている。図１５に示すように、第１および第２のキャリア部材４５４、４５６が結合したときには、第１および第２の係合部材４５７、４５９がキャリア組立体４５２から張り出す。係合部材４５７、４５９は、回転組立体４７４（後に説明する）と係合し、キャリア組立体４５２を回転組立体４７４内の所定の位置に保持する。

キャリア組立体４５２は、中心空洞領域４６２を有している。中心空洞領域４６２の周囲において、キャリア組立体４５２は、半導体被処理物４１２をキャリア組立体４５２内に位置決めし且つ保持する複数の位置決め部材４６４を有している。位置決め部材４６４は、おおよそ支持脚４５８から径方向内側に延びている。したがって、位置決め部材４６４は、キャリア組立体４５２の中で隣接する被処理物４１２の間に空隙を形成し、それにより被処理物４１２の裏面全体に処理液が作用することを可能にしている。図１６に最も良く表されているように、位置決め部材４６４は、既に説明したようにチャック４３０に取り付けられた被処理物４１２を、キャリア組立体４５２の中で端部で保持することを可能にする。それにも拘わらず、位置決め部材４６４の位置関係のために、被処理物４１２はキャリア組立体４５２内に配置されたときに、径方向と回転方向との双方に、わずかながら自由に動くことができる。したがって、各被処理物４１２は、キャリア組立体４５２内で、ある程度独立して回転することができる。キャリア組立体４５２は、代表的には、ポリ四フッ化エチレンまたはステンレス鋼から作られる。好ましい実施の形態では、キャリア組立体４５２はポリ四フッ化エチレンから作られる。

別のキャリア組立体４６６を図１７に示す。この実施の形態では、キャリア組立体４６６は、第１の端板４６８と、第２の端板４７０と、第１の端板４６８と第２の端板４７０の間に延在する複数の連結部材４７２とを有している。少なくとも１本の連結部材４７２は、それに依存するともに径方向内側に延びてキャリア組立体４６６内で被処理物４１２を位置決めし且つ保持する位置決め部材４６４を有している。上に述べたキャリア組立体４５２の場合と同様に、キャリア組立体４６６内の位置決め部材４６４は、チャック４３０に固定された被処理物４１２を、キャリア組立体４６８の中で端部で保持することを可能にする。さらに、上に述べたキャリア組立体の場合と同様に、位置決め部材４６４は、被処理物４１２が、キャリア組立体４６６内に位置決めされたときに、径方向と回転方向との双方にわずかながら自由に動くことを可能にする。キャリア組立体４５２、４６６は、様々な寸法の被処理物４１２を処理するのに使用することができるが、代表的には１つの寸法の被処理物４１２、例えば直径２００ｍｍまたは３００ｍｍの半導体ウエハを処理するように構成される。

適切なキャリア組立体（例示の目的で、以下の説明ではキャリア組立体４５２を用いることとする）は、被処理物４１２が載荷された後に、処理室４２０の空洞部５０６内に収容される回転組立体４７４の中にはめ込まれる。回転組立体４７４の一例を図１８および１９に示し、キャリア組立体４５２が載荷された回転組立体４７４の一例を図１４に示す。概略的に述べると、回転組立体４７４は、略円筒状の回転部４７６、略円形の基板４７８および駆動軸４８０を備えている。回転部４７６は、外側環４８２、基部４８４、および基部４８４と外側環４８２との間に延在する複数の連結部材４８６を有している。基部４８４の内側と連結部材４８６と外側環４８２との間に、空洞部４８８が規定されている。空洞部４８８は、キャリア組立体４５２を受け入れるような形状をなしている。駆動軸４８０は駆動板４９０に接続され、当該駆動板４９０は駆動軸４８０とともに回転する。同様に、複数の補助駆動棒４９２が駆動板４９０に接続されている。駆動棒４９２は、接続部材４８６の中を通るように延びており、それにより回転組立体４７４の駆動を可能にしている。代表的には、回転部４７６はポリ四フッ化エチレンから作られるが、他の材料も許容される。加えて、十分な剛性を維持しつつ重量を軽減するために、補助駆動棒４９２は、カーボン・グラファイトから作られる。駆動軸４８０と駆動板４９０とは、代表的にはステンレス鋼、あるいは他の適切な材料から作られる。回転組立体４７４の内側部品へ処理液が侵入しないことを確実なものとするために、封止部材４９４が用いられる。

図１４と２２を参照して、キャリア組立体４５２は、処理室４２０の空洞部５０６内に置かれた回転組立体４７４に載荷される。処理室４２０は処理室本体部４９６を備えており、この処理室本体部４９６は、第１端部４９８と、第２端部５００と、外壁５０２と、処理室本体部４９６の第１端部４９８に設けられ処理室４２０の空洞部５０６に通じる開口部５０４とを有している。空洞部５０６は、複数の被処理物４１２が載荷されたキャリア組立体４５２で満たされる回転組立体４７４を収容する形状をなしている。処理室本体部４９６は、処理室本体部４９６の第１端部４９８につながる分轄リング組立体４９７を有していても良い。好ましい実施の形態では、処理室本体部４９６は、例えば厚さ約２５ｍｍなど、相当に厚いポリ四フッ化エチレンから作られている。この材料は、エッチング／薄肉化処理で用いられる様々な腐食性で苛性のエッチング剤に対して実質的に不活性である。しかし、同様の性質を有するものであれば、他の材料も裏張りとして用い得ることが理解される。代わりに、処理室４２０は、このような材料で作られた裏張り５０７を有していても良い。

処理室４２０は、扉組立体５０８およびモータ組立体５１２を含めて、自身に接続された様々な組立体をも有している。図１４および２１に示すように、モータ組立体５１２は概ね、モータ５１４と取り付け板５１６とを備えている。モータ５１４は、取り付け板５１６に接続され、同様に取り付け板５１６は処理室４２０の処理室本体部４９６の第２端部５００に接続されている。好ましい実施の形態では、モータ５１２は、ブラシレスＤＣサーボモータを備えている。図２３に示すように、回転組立体４７４の駆動軸４８０は、処理室本体部４９６の第２端部５００に形成された孔５１８を通過して、処理室４２０の外側に延びている。駆動軸４８０は、モータ５１４の中に挿入され、それによりモータ５１４が駆動軸４８０を駆動する、すなわち回転運動を付与することを可能にしている。したがって、回転組立体４７４の駆動軸４８０を通じて、モータ５１４はキャリア組立体４５２とその中に置かれた被処理物４１２とを回転させることが可能となっている。

処理室４２０は、処理液を処理室の中に噴出するスプレー組立体５１０をも含んでいる。好ましい実施の形態では、スプレー組立体５１０は、処理室４２０と一体となっている。好ましい実施の形態では、図１４および２０〜２４に示すように、スプレー組立体５１０は、処理液をより均一に供給するために、二重に重複した１対のスプレー多岐管５２０を有している。多岐管５２０の各々は、２つの吸入口５２１と、ノズル受け部５２３に位置する複数のノズル５２２と、複数の開口部５２５とを有しており、当該開口部５２５を通じてノズル５２２から処理室４２０の中に処理液が噴霧される。図２４に示すように、多岐管５２０は、供給槽５４６から処理液の供給を吸入口５２１で受け、この処理液を多岐管５２０の長さに沿って複数のノズル５２２へ分配する。ノズル保持部５２４は、ノズル５２２を覆っている。ノズル５２２は、回転組立体４７４によって回転している時に、処理室４２０の空洞部５０６の中、およびキャリア組立体４５２に保持された被処理物の露出部の上に、処理液を噴霧する。

好ましい実施の形態では、各多岐管５２０は、処理室４２０の第１端部４９８と第２端部５００との双方に吸入口５２１を有しており、さらに実質的に処理室４２０の全長にわたって延在するノズル５２２を有している。これにより、多岐管５２０に対して反対の方向に、処理液の二重の吸入口が設けられる。多岐管５２０に処理液の二重の吸入口を設けることにより、多岐管５２０にわたる圧力降下を軽減し、処理室４２０に導入される液体の流量あるいは容積を増大させることができる。

図２０を参照して、扉組立体５０８は、処理室４２０の空洞部５０６の中への出し入れを可能にするために、処理室本体部４９６の第１端部４９８に隣接して張り出している。扉組立体５０８は、好ましくは、処理室４２０の第１端部４９８との封止を実現する。図２０に示すように、扉組立体５０８は概ね、支持板５２６、前面パネル板５２８、扉５３０、および１対の線形の軌道または案内５３２を備えている。好ましい実施の形態では、線形軌道５３２は線形のアクチュエータを備えている。支持板５２６は、扉組立体５０８を処理室４２０に固定するために、処理室本体部４９６に接続されている。前面パネル板５２８は、支持板５２６の下方に延び、線形アクチュエータ５３２の下端部を支持する。線形アクチュエータ５３２は、扉５３０を支持し、扉５３０が第１の位置から第２の位置へ移動することを可能にする。第１の位置では、扉５３０は処理室本体部４９６の空洞部５０６へ通じる開口部５０４を密閉し、第２の位置では（図２０に示すように）空洞部５０６は出し入れ可能となる。扉５３０はさらに、処理室４２０の中を目視検査できるように、窓５３４を有しても良い。

図１３に最も良く示すように、処理室４２０は概ね、機械４１０のキャビネット４１４内に傾斜角をもって固定されている。好ましい実施の形態では、処理室４２０は、処理室本体部５９６の両側に取り付け部材５３６を有している。取り付け部材５３６は、機械４１０の受け部（不図示）と係合して処理室４２０を支持する。この実施の形態では、取り付け部材５３６は、雄型の係合部材として機能し、受け部は雌型の係合部材として機能する。しかし、処理室本体部４９６上の取り付け部材５３６が雌型であって機械４１０の受け部が雄型である形態を含めて、他の種類の取り付け形態も、本考案の範囲を逸脱することなく可能であることが理解される。

処理室４２０は水平に配向していても良いが、傾斜角をもって配向するのが好ましい。好ましい実施の形態ではさらに、処理室本体部４９６の第１端部４９８は、例えば５から３０°、最も好ましくは約１０°の角度をもって上向きに傾斜し、それにより、処理室４２０の第１端部４９８が処理室４２０の第２端部５００よりも高い位置にある。このような配向を実現するために、好ましい実施の形態では、キャビネット４１４内の受け部は、適切な傾斜角をもって設けられる。処理室４２０の処理室本体部４９６は、上に述べた取り付け部材５３６を介して受け部に接続される。それにより半導体被処理物が、処理室４２０と約同一の傾斜角で配置されるということが理解される。

図２１〜２３に示すように、処理室４２０は、排気部５４０と排出口ないし排液部５４２とを有している。排気部５４０は、処理室４２０の空洞部５０６から排気口５４１の外へ、ガスと蒸気とを排気する。好ましい実施の形態では、排気部５４０は概ね、実質的に処理室本体部４９６の全長にわたって延在する。使用済みの処理液と除去されたシリコンとを処理室４２０の下から外部に排液する好ましい実施の形態では、排液部５４２は、同様に実質的に処理室本体部４９６の全長にわたって延在する排液溝を備えている。図２２に示すように、排気部５４０は、排液部５４２とは処理室本体部の反対側の部位に配置しても良い。排液部５４２は、余った使用済みの処理液とシリコンとを処理室４２０の処理室本体部４９６の空洞部５０６から排液するために、再循環システム５４４に接続された排液口５４３を有していても良い。再循環システム５４４は、代表的には、余った使用済みの液体を処理室から適切な供給槽５４６へ供給する。それに加えて、処理液と除去されたシリコンとは、処理室４２０から排液し再循環する代わりに廃棄してもよい。排気部５４０と排液部５４２とは、余剰／使用済み処理液と後ガスとを、処理室から単一の経路で除去するように構成される。後ガスは上方に排気部５４０から排気され、使用済みの処理液およびシリコンとは、下方に排液部５４２から排液される。

好ましい実施の形態では、現在のシステムで用いられる処理液は、水、過酸化水素、オゾン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、フッ化水素酸、硝酸、硫酸、酸性酸およびリン酸のうちの１つ以上を含んでいる。他の処理液も可能である。処理液は、システムの具体的な要求を満たすように混合および調整可能である。

代表的には、ある容積の処理液が、処理室４２０へ供給するために供給槽５４６に収容される。しかし、供給槽５４６から処理室４２０へ液体を供給するのに、システム全体の一部として、追加の部品を設けても良い。液体を供給する１つの概略構成を図２６に例示する。この例では、供給槽５４６から処理室４２０へ処理液を圧送するのにポンプ５４８が用いられる。フィルタ５５０は、供給槽５４６と処理室４２０との間に設けられ、処理液を濾過する。さらに、供給槽５４６と処理室４２０との間に濃度モニタ５５２を設けて、処理室４２０へ供給されている処理液の濃度を監視しても良い。最後に、処理室４２０に供給される処理液の容積を監視するために、流量計５５４が用いられる。さらに、熱交換器５５６を供給槽５４６に接続して設け、その中にある処理液の温度を調整するようにしてもよい。これらの部品は、代表的には装置４１０全体の中に収容される。

システムはまた、濃縮されたある容積の様々な処理液を収容する計量容器５５８を含んでいても良い。例えば図２６に示すように、３個の計量容器５５８を設けても良い。この例では、ある計量容器はフッ化水素酸を収容し、別の計量容器は硝酸を収容し、別の計量容器はリン酸を収容している。各計量容器５５８は、代表的には、特定の処理液を計量容器５５８から供給槽５４６に供給するために、自身に付随する計量ポンプ５６０を有している。供給槽５４６内の液体の必要な濃度を維持するために、処理液の濃度に依存し、通常は濃度モニタ５５２による判定に応じて、１つないしそれ以上の計量ポンプ５６０が、適切な供給槽５４６内に処理液の溶液を添加する。計量容器５５８は、装置４１０内に収容しても良く、装置の外部に収容し、単に計量ポンプ５６０を介して液体を装置４１０へ圧送するようにしてもよい。

被処理物を処理する方法について以下に説明するように、様々な洗浄およびエッチング工程が提供される。各工程では、代表的には別個の供給槽５４６が準備される。したがって、予備洗浄工程６１２に必要な処理液が１つの供給槽５４６に収容され、粗エッチング工程６１４に必要な処理液が別個の供給槽５４６に収容され、精密エッチング工程６１６に必要な処理液がもう１つ別個の供給槽５４６に収容され、洗浄工程６１８に必要な処理液がさらにもう１つ別個の供給槽５４６に収容される。したがって計量容器５５８は、適切な供給槽５４６に個別に処理液を供給するのに使用される（図２６には単一の供給槽のみを示している）。それに加えて、再循環システムは、処理室から現在処理中の工程に応じた適切な供給槽５４６へ、余った使用済み処理液を供給する。

Ｄ．１束の半導体被処理物をまとめて薄肉化する処理
１束の半導体被処理物をまとめて処理する１つの方法を図２５に例示する。図に示すように、被処理物を処理する際に通常行われる第１のステップ６００では、被処理物４１２の裏面が露出するように被処理物４１２がチャック４３０に置かれる。第２のステップ６０２は、被処理物４１２（既にチャック４３０の中にある）を、キャリア組立体４５２の中に、且つキャリア組立体の位置決め部材の間に載荷する工程を含んでいる。キャリア組立体４５２を満杯にするように、代表的に２５から５０枚の被処理物である複数の被処理物４１２が載荷された後に、ステップ６０４において、処理室４２０の空洞部５０６内の回転組立体４７４の中にキャリア組立体４５２が置かれる。被処理物４１２が処理室４２０内の回転組立体４７４の中に載荷された後に、扉５３０が第１の位置へ移動し、処理室本体部４９６の空洞部５０６に通じる開口部５０４を密閉する（ステップ６０８）。

被処理物４１２が空洞部５０６内に置かれ、処理室４２０の扉５３０が閉塞された後に、被処理物の処理の準備がなされる。代表的には、被処理物４１２は、処理室４２０内で回転しつつ処理を受ける。したがってステップ６１０では、処理室４２０内の回転組立体４７４を回転させるために、モータ５１４が起動される。被処理物４１２は、回転組立体４７４内のキャリア組立体４５２とともに回転し、同時に被処理物４１２は、上に説明したように、ある程度独立して回転したり径方向に動いたりする。次に、被処理物が回転組立体４７４によって回転しているときに、スプレー組立体５１０のノズル５２２からキャリア組立体４５２内の被処理物の露出部分の上に、処理液が噴霧される。

１つの実施の形態では、第１の予備的な洗浄スプレー工程（ステップ６１２）が実行される。このステップ６１２では、被処理物４１２上の表面汚染を除去するために、スプレー組立体５１０を通じて処理室４２０内の被処理物４１２の露出部分の上に洗浄液が噴霧される。洗浄溶液は、第１の供給槽に収容され、Ｈ_２Ｏ、Ｈ_２Ｏ_２およびＮＨ_４ＯＨのうちの少なくとも１つを含んでいて良い。次にステップ６１４で、最初の粗い化学エッチングが施される。この第１の化学エッチング工程では、比較的大量の基板を被処理物４１２から除去するために、高いエッチング速度が採用される。被処理物４１２に粗い化学エッチングが施された後に、ステップ６１６において精密な化学エッチングが被処理物４１２に施される。精密な化学エッチングのエッチング速度は、粗い化学エッチングのエッチング速度よりも低い。好ましい実施の形態では、被処理物４１２を化学的にエッチングする工程は、ＨＦ、ＨＮＯ_３およびＨ_３ＰＯ_４の溶液を被処理物４１２に適用する工程を含んでいる。粗および精密エッチング処理のための溶液を収容するのに２つの異なる供給槽が用いられる。これら２つの工程を通じて、１束の被処理物４１２が処理室４２０内で薄肉化される。被処理物４１２は、１００ミクロン未満の厚さに薄肉化することができる。次にステップ６１８において、被処理物４１２が処理室内で洗浄される。被処理物４１２を洗浄する工程は概ね、処理室４２０内でＨ_３ＰＯ_４の溶液を被処理物４１２に適用する工程を含んでいる。この溶液は、さらにもう１つの供給槽５４６に収容されている。これらの工程のエッチングの間に、使用済み処理液は、代表的には再循環システム５４４を介して再利用され、処理室４２０から適切な供給槽５４６へ供給される。

被処理物４１２は薄肉化され洗浄された後に、代表的には、ステップ６２０において処理室４２０から取り出される。一般的には、被処理物４１２はキャリア組立体４５２の中に置かれたままであり、キャリア組立体４５２が処理室４２０内の回転組立体４７４から取り出される。ステップ６２４では、キャリア組立体４５２は、被処理物４１２を保持したままで、被処理物の乾燥および洗浄のための第２の処理モジュール４１８の中に置かれる。乾燥および洗浄室４２２内で被処理物４１２を乾燥および洗浄する工程は、概ね、最初に脱イオン水を被処理物４１２に適用し当該被処理物４１２を洗浄する工程と、次にイソプロピルアルコールの蒸気または高温窒素ガスを被処理物に適用し、被処理物４１２を乾燥させる工程とを含んでおり、これらの工程の間中ずっと被処理物４１２が回転している。これらの液体のいずれもが、さらにもう１つの供給槽に保持されてもよい。

被処理物４１２が洗浄され乾燥化された後に、ステップ６２６においてキャリア組立体４５２が第２の処理室４２２から取り出される。ステップ６２８では、被処理物４１２がキャリア組立体４５２から取り出され、最後にステップ６３０で同被処理物４１２がチャック４３０から取り出される。

Ｅ．薄肉化半導体被処理物
次に図１０〜１１を参照して、本考案の方法によって処理することによって得られる薄肉化半導体被処理物５０について述べる。上に述べたように、薄肉化された被処理物５０は、縁部７０と本体部７２とからなる。縁部７０は、被処理物５０の周辺部に形成され、本体部７２と一体となっている。一般に、標準的な半導体被処理物５０を処理するときには、処理された被処理物５０は、１２５ミクロン未満の厚さの本体部７２と、約６００から７２５ミクロンの範囲の厚さの縁部７０とを有することになろう。好ましい実施の形態では、本体部７２の厚さは、１００ミクロン未満となり、好ましくは５０ミクロン未満となり、特に２５ミクロン未満となろう。既に述べたように、縁部７０は、被処理物５０の禁止領域に形成され、１〜１０ｍｍの範囲、好ましくは１〜５ｍｍの範囲、特に１〜２ｍｍの範囲の幅（図１０にｗで示す）を有することになろう。本体部７２と縁部７０とは、薄肉化前の被処理物５０と実質的に同一の材料から形成される。最も好ましくは、本体部７２と縁部７０とは、シリコンからなる。

また上に述べたように、別の処理によって先に薄肉化されている被処理物５０が本考案によって薄肉化可能であることも予期されている。これらの例では、本考案によって薄肉化される被処理物５０の最初の厚さは、２００ミクロン以下であってもよい。その場合には、本考案により薄肉化される被処理物５０の本体部７２の厚さは、縁部７０の厚さの約５０％未満であり、好ましくは縁部７０の厚さの約４０％未満であり、より好ましくは縁部７０の厚さの３０％未満であり、優先的には縁部７０の２０％未満であり、さらには縁部７０の厚さの１０％未満であり、特には縁部７０の厚さの５％未満である。本考案は寸法の異なる複数の被処理物５０を薄肉化するのに適用可能であることも、予期されている。したがって縁部７０は、好ましくは被処理物５０の裏面５３の面積（ＢＳＳＡ）の約５％未満を占め、より好ましくはＢＳＳＡの３％未満を占め、さらにはＢＳＳＡの１％未満を占めることになろう。

上述した考案に対して、当該考案の基本的教示内容から逸脱することなく、数多くの改変を加えることが可能である。本考案は、１以上の特定の実施の形態を参照しつつ相当に詳細に記述されているが、当技術分野における知識を有する者であれば、本考案の範囲および神髄から逸脱することなく本考案に変更を加えることが可能であることを理解するはずである。

本考案によるチャックについて、薄肉化前にその中に固定された半導体被処理物とともに示す斜視図である。 図１Ａに示したチャックと被処理物との断面図である。 図１Ｂに示したチャックと被処理物とについて、チャックと被処理物との協働関係を示す部分拡大図である。 図１Ａに示したチャックと被処理物の分解図である。 図１ＤにＸとして識別されたチャックと被処理物の切断面の部分拡大図である。 本考案によるチャックの別の実施の形態について、薄肉化前にその中に固定された被処理物とともに示す断面図である。 図２Ａに示したチャックと被処理物とについて、チャックと被処理物との協働関係を示す部分拡大図である。 本考案によるチャックのさらに別の実施の形態について、薄肉化前にその中に固定された被処理物とともに示す断面図である。 図３Ａに示したチャックと被処理物とについて、チャックと被処理物との協働関係を示す部分拡大図である。 本考案によるチャックの別の実施の形態について、薄肉化前にその中に固定された被処理物とともに示す断面図である。 図４Ｂに示したチャックと被処理物とについて、チャックと被処理物との協働関係を示す部分拡大図である。 本考案によるチャックの別の実施の形態について、薄肉化前にその中に固定された被処理物とともに示す断面図である。 図５Ａに示したチャックと被処理物とについて、チャックと被処理物との協働関係を示す部分拡大図である。 本考案によるチャックのさらに別の実施の形態について、薄肉化前にその中に固定された被処理物とともに示す断面図である。 図６Ａに示したチャックと被処理物とについて、チャックと被処理物との協働関係を示す部分拡大図である。 本考案によるチャックの別の実施の形態について、薄肉化前にその中に固定された被処理物とともに示す断面図である。 図７Ａに示したチャックと被処理物とについて、チャックと被処理物との協働関係を示す部分拡大図である。 本考案による処理の流れの特徴を示すフロー図である。 本考案による処理の流れの特徴を示すフロー図である。 本考案の方法により薄肉化された半導体被処理物の斜視図である。 図１０に示した薄肉化された半導体被処理物の断面図である。 半導体被処理物を取り扱う装置の斜視図である。 図１２の装置について、パネルを除去することにより、装置内に傾斜して設置される処理台を開示する斜視図である。 図１２の装置の処理台に用いられる処理室の実施の形態の分解斜視図である。 処理室とともに用いられるキャリア組立体の実施の形態の斜視図である。 図１５の線Ａ−Ａで切断したキャリア組立体の横断立面図である。 図１４の処理室とともに用いられるキャリア組立体の別の実施の形態の斜視図である。 被処理物のための処理システムの中で用いられる回転組立体の正面斜視図である。 図１８の回転組立体の分解後面斜視図である。 図１４の処理室の正面斜視図である。 図１４の処理室の後面斜視図である。 図２１の処理室の後面断面図である。 排気部と排液部の組立体を透かして図２１の処理室を見た側面断面図である。 スプレー組立体を透かして図２１の処理室を見た側面断面図である。 処理室の中で被処理物を薄肉化する１つの方法を例示するフロー図である。 処理液を供給する１つの概略構成を例示するフロー図である。 図１４の処理室を組み込む装置の概略図である。

Claims (23)

1. 約１５０ミクロン未満の厚さを有する本体部と、
   前記本体部に接続され約１５０から７２５ミクロンの範囲の厚さを有する縁部とを備える半導体被処理物。
2. 前記本体部の厚さは１００ミクロン未満である請求項１記載の半導体被処理物。
3. 前記本体部の厚さは５０ミクロン未満である請求項１記載の半導体被処理物。
4. 前記本体部の厚さは２５ミクロン未満である請求項１記載の半導体被処理物。
5. 前記縁部と前記本体部は一体となっている請求項１記載の半導体被処理物。
6. 前記縁部と前記本体部はシリコンからなる請求項１記載の半導体被処理物。
7. 前記縁部は約６００〜７２５ミクロンの範囲の厚さを有する請求項１記載の半導体被処理物。
8. 前記縁部は約３００〜７２５ミクロンの範囲の厚さを有する請求項１記載の半導体被処理物。
9. 裏面の面積ＢＳＳＡを有する半導体被処理物であって、
   前記ＢＳＳＡの約５％未満を占め、厚さＲＴを有する縁部と、
   ＲＴの約５０％よりも小さい厚さＭＢＴを有する本体部とを備える半導体被処理物。
10. 前記縁部は前記ＢＳＳＡの約３％未満を占める請求項９記載の半導体被処理物。
11. 前記縁部は前記ＢＳＳＡの約１％未満を占める請求項９記載の半導体被処理物。
12. 前記ＭＢＴは前記ＲＴの約４０％未満である請求項９記載の半導体被処理物。
13. 前記ＭＢＴは前記ＲＴの約３０％未満である請求項９記載の半導体被処理物。
14. 前記ＭＢＴは前記ＲＴの約２０％未満である請求項９記載の半導体被処理物。
15. 前記ＭＢＴは前記ＲＴの約１０％未満である請求項９記載の半導体被処理物。
16. 前記ＭＢＴは前記ＲＴの約５％未満である請求項９記載の半導体被処理物。
17. 前記縁部は前記本体部と構造的に一体である請求項９記載の半導体被処理物。
18. 裏面の面積ＢＳＳＡを有する半導体被処理物であって、
    前記ＢＳＳＡの少なくとも９５％を占める本体部と、
    前記本体部につながっており、前記ＢＳＳＡの約５％未満を占め、厚さＲＴを有し、前記本体部と同一の材料で形成されている縁部とを備え、
    前記本体部は、前記ＲＴの約５０％未満の厚さを有する半導体被処理物。
19. 前記同一の材料はシリコンである請求項１８記載の半導体被処理物。
20. 前記本体部は、前記ＲＴの約４０％未満の厚さを有する請求項１８記載の半導体被処理物。
21. 前記本体部は、前記ＲＴの約３０％未満の厚さを有する請求項１８記載の半導体被処理物。
22. 前記本体部は、前記ＲＴの約２０％未満の厚さを有する請求項１８記載の半導体被処理物。
23. 前記本体部は、前記ＲＴの約１０％未満の厚さを有する請求項１８記載の半導体被処理物。

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