JP3137515U6 - 半導体被処理物を薄肉化するためのシステム - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体ウエハ、フラットパネル表示装置、硬質ディスク媒体、光媒体、薄膜ヘッド等の半導体被処理物を薄肉化するのに用いる方法及び装置を提供する。
【解決手段】新規な装置および方法により、より薄くしかも同時に強いままである被処理物の製造。特に、本体部と、当該本体部に着脱可能に装着される保持器14と、封止部材とを含むチャック10が提供され、被処理物50がチャック本体部の上に置かれ、保持器が本体部に係合したときに、被処理物の裏面の周辺部が保持器に覆われ、一方、被処理物の裏面の内側領域が露出する。その後、被処理物の露出する裏面にウェット化学エッチング処理が施されることにより、被処理物が薄肉化され、被処理物の周辺部に半導体材料からなる相対的に厚い縁部が形成される。厚い縁部、ないし、たが部によって、それなしでは壊れ易い薄肉化半導体被処理物50に、強度が付与される。
【選択図】図1A
【解決手段】新規な装置および方法により、より薄くしかも同時に強いままである被処理物の製造。特に、本体部と、当該本体部に着脱可能に装着される保持器14と、封止部材とを含むチャック10が提供され、被処理物50がチャック本体部の上に置かれ、保持器が本体部に係合したときに、被処理物の裏面の周辺部が保持器に覆われ、一方、被処理物の裏面の内側領域が露出する。その後、被処理物の露出する裏面にウェット化学エッチング処理が施されることにより、被処理物が薄肉化され、被処理物の周辺部に半導体材料からなる相対的に厚い縁部が形成される。厚い縁部、ないし、たが部によって、それなしでは壊れ易い薄肉化半導体被処理物50に、強度が付与される。
【選択図】図1A
Description
本考案は、マイクロ電子回路、データ記憶素子、データ記憶層あるいはマイクロ機械部品をその上に形成することのできる基板から形成される被処理物であって、半導体ウエハ、フラットパネル表示装置、硬質ディスク媒体、光媒体、薄膜ヘッド、その他の被処理物のために用いられる方法および装置に関する。本明細書では、これらのもの、あるいはこれらと同様のものは、まとめて「ウエハ」または「被処理物」と称する。特定的には、本考案は、半導体被処理物を薄肉化するのに用いる方法および装置に関する。
最先端の電子技術(例えば、携帯電話機、携帯端末(PDA)、およびスマートカード)は、より薄い集積回路(「ICD」)を必要としている。これに加えて、半導体装置の先進的な実装技術(例えば、積層チップあるいは「フリップチップ」)は、実装における寸法上の制約を伴うため、極度に薄いチップを必要としている。その上に、ICDの動作速度が上昇を続けるのに伴い、熱の放散がますます重要となりつつある。その理由の大半は、ICDが非常に高い速度で動作するのに伴って、大量の熱を発生することにある。この熱は、熱応力による装置の破壊を回避するためにも、またキャリア移動度の減少による周波数応答の劣化を回避するためにも、ICDから取り除かなければならない。ICDからの熱伝達を高めて、温度による悪影響を緩和する1つの方法は、ICDが作り込まれる半導体ウエハを薄くすることである。半導体ウエハを薄くする他の理由として、信号の伝達特性の最適化、チップ中へのビアホールの形成、および個々の半導体装置とパッケージとの間の熱膨張係数による影響の最小化を挙げることができる。
半導体ウエハを薄くする技術は、これまでに一貫して増大してきた、より小さくより高性能のICDへの需要に応えて、開発されてきたものである。代表的には、半導体装置は、当該装置がウエハの形態をなしているときに薄肉化される。ウエハの厚さは、ウエハの寸法によって変わるものである。例えば、直径150mmのシリコン半導体ウエハの厚さは、約650ミクロンであるが、直径200ないし300mmのウエハは725ミクロンの厚さである。ウエハを薄肉化する標準的な方法は、半導体の裏面を機械的に研磨することである。このような加工は、「裏面研磨」と称されている。一般に、裏面研磨加工には、半導体ウエハの前面すなわち素子面を保護する方法が用いられる。半導体ウエハの素子面を保護する従来の方法は、ウエハの素子面に保護用テープを貼着したりフォトレジスト層を塗布したりする工程を含んでいた。その後で、ウエハが望ましい厚さになるまでウエハの裏面を研磨していた。
しかしながら、従来の裏面研磨加工には、つぎのような問題点があった。機械研磨によって、ウエハの表面および端部に応力が発生し、それによって微小割れや端部の欠損を伴う場合があった。ウエハに発生するこの応力によって、性能の劣化やウエハの破損が生じる場合があり、それにより収量が低いものとなっていた。それに加えて、裏面研磨加工を用いて半導体ウエハを薄肉化するには、ある限界がある。例えば、半導体ウエハが(上述のように)標準的な厚さである場合には、一般に約250〜150ミクロンの範囲の厚さに薄くすることができる。
従って、半導体ウエハを裏面研磨により薄肉化した後に、この半導体ウエハに化学研磨処理を施すのが一般的となっている。この処理は、応力緩和エッチング、化学薄肉化、化学エッチング、あるいは化学研磨と広く称されている。上記の処理により、ウエハ内に発生した応力が緩和され、ウエハの裏面から研磨の痕跡が除去され、それにより比較的均一なウエハ厚さが実現する。さらに、裏面研磨の後に化学エッチングを施すことにより、従来の裏面研磨の能力を超えて、半導体ウエハを薄くすることが可能となる。例えば、裏面研磨の後にウェット化学エッチング処理を用いることにより、標準的な200および300mmの半導体ウエハを100ミクロンないしそれ以下にまで薄くすることが可能となる。ウェット化学エッチングは、代表的にはウエハの裏面を、酸化/還元剤(例えば、HF、HNO3、H3PO4、H2SO4)、あるいはそれに替えて苛性アルカリ溶液(例えば、KOH、NaOH、H2O2)に晒す工程を含んでいる。ウェット化学エッチング処理の例は、2003年7月30日に提出され、本考案の譲受人に譲渡された同時係属中の米国特許出願第10/631,376号に記載されている。特許出願第10/631,376号が教示する内容は、参照することにより本出願に組み込まれる。
半導体ウエハを薄肉化する方法は知られているが、その方法には限界がないわけではない。例えば、半導体ウエハを(広く知られているように)取り付け具すなわち「チャック」に取り付け、それによりウエハを薄肉化する工程では、高価な塗布や接着のための設備や材料が必要であり、処理時間が長くなり、しかも処理区域が汚染される恐れがある。それに加えて、ウエハをチャックに接着するための接着剤は、機械研磨処理には有用かもしれないが、ウェット化学エッチングで用いられる化学処理液には耐えられないと考えられる。その上、現在使われているフォトレジストあるいは接着テープでは、裏面研磨処理の間、あるいはその後の取り扱いや処理の間に、非常に薄いウエハを機械的に支持することができない。テープを使用することによって、除去処理の中で障害も発生する。例えば、テープを除去する際に、ウエハに望ましくない曲げ応力が加わる可能性がある。フォトレジストについては、その材料は、溶媒を用いることによりウエハの素子面から洗浄除去される。このときに、処理時間と薬品の使用とが追加的に必要となり、しかも汚染の危険が増大する。テープや保護用ポリマーを使用することは、コスト高ともなる。なぜなら、保護用の媒体を適用し、かつ除去するには、設備と材料との双方を要するからである。
さらに、薄肉化した半導体ウエハは、反ったり撓んだりし易い。しかも、薄肉化した半導体ウエハは非常に脆いために、その後に処理を施す際の取り扱い時に破損し易い。薄肉化した半導体ウエハ(例えば、250ミクロン未満)では、ウエハを自動的に取り扱う際に、取り扱いが複雑となる。なぜなら一般に、現存する取扱設備は、標準的な厚さのウエハ(例えば、150mmウエハについては650ミクロン、200および300mmウエハについては725ミクロン)に適合するように設計されているからである。
このように、より薄い半導体被処理物を製造するための方法と設備とが求められている。同時に、破損の恐れを最小化し得るほどに強く、しかも従来の半導体ウエハの自動取扱設備と両立する、より薄い被処理物を提供することが求められている。最後に、半導体被処理物を薄肉化するための処理工程の数を低減するシステムを開発することができれば、それは有益なものとなろう。
本考案は、半導体ウエハを処理するのに使用されるシステム、方法および装置を提供する。当該新規なシステムおよび装置によれば、より薄く、同時に強くて撓んだり反ったりし難いウエハの製造が可能となる。その結果、本方法によって製造されるウエハは、より破損し難いものとなる。本考案の方法および設備により、処理工程の数を低減しつつ、薄肉化したウエハの取り扱いに関して改善された製品構造が実現する。その結果、何よりも、収量が改善され、かつ処理効率が改善される。
1つの局面において本考案は、素子面と面取り部と裏面とを有する半導体被処理物を受けて支持するチャックを提供する。当該チャックは、被処理物を支持する本体部と、当該本体部に着脱可能に装着され、被処理物の裏面の周辺部を覆うように構成されている保持器と、当該保持器と被処理物の裏面との間を封止する少なくとも1つの部材とを備えている。この構成によれば、チャックは被処理物の裏面の周辺部を保護すると同時に、被処理物の裏面の内側領域が露出することを可能にする。被処理物は、その後にウェットエッチング処理を通じて薄肉化される。その結果、薄肉化された本体部(例えば、約125ミクロン未満)と厚い縁部(例えば、約600から725ミクロンの範囲)とを有する半導体被処理物が出来上がる。相対的に厚い縁部によって、薄肉化された被処理物が強くなり、追加の処理を施すために従来の自動取扱設備によって被処理物を取り扱うことが可能となる。
別の局面において本考案は、半導体材料からなる本体部と縁部とを有する半導体被処理物を提供する。本体部は縁部に一体的につながっており、縁部の厚さの約50%未満の厚さを有している。相対的に厚い縁部によって、被処理物に強度が付与され、その結果、本体部が撓んだり反ったりすることを防ぐことができる。ところで、半導体被処理物の本体部は、300ミクロン未満の厚さに薄くすることができ、好ましくは125ミクロン未満、より好ましくは100ミクロン未満、特に50ミクロン未満、さらには25ミクロン未満に、薄くすることが可能である。本考案による薄肉化した半導体被処理物の構造上の構成は、今日の最先端の電子技術や先進的な実装技術に必要とされる薄いICDへの工業上の要件を充足すると同時に、薄い被処理物が壊れやすい状態にあることによる破損の恐れを低減するものとなっている。
本考案はさらに、半導体被処理物を薄肉化するための幾つかの方法を提供する。1つの局面において本考案の方法は、半導体被処理物の裏面の約95%を露出させつつ半導体被処理物の裏面の周辺部を覆うように構成されたチャックの中に、半導体被処理物を置く工程を含んでいる。半導体被処理物は、その後、ウェット化学エッチング処理によって薄肉化される。このとき、被処理物の裏面は、酸化剤(例えば、HF、HNO3、H3PO4、H2SO4)、あるいはそれに替えて苛性アルカリ溶液(例えば、KOH、NaOH、H2O2)に晒される。ウェット化学エッチング工程では、被処理物の露出する裏面は、ウェット化学エッチング前の被処理物の厚さの50%未満の厚さに薄肉化される。その結果、被処理物の周辺部に縁部、あるいは、当産業分野で広く称されているように「禁止領域」が形成される。縁部は、ウェット化学エッチング工程の前の被処理物の厚さ(例えば、600から725ミクロンの範囲)におおよそ等しい厚さを有している。被処理物の残りの部分(すなわち、薄肉化した本体部)は、縁部の厚さの50%未満の厚さ(例えば、300ミクロン未満、好ましくは125ミクロン未満、より好ましくは100ミクロン未満、特に50ミクロン未満、さらには25ミクロン未満の厚さ)を有する。この方法によれば、上に述べた半導体被処理物を薄肉化する周知の方法に付随する限界が取り払われ、全体的な製造効率が高められる。
本考案はさらに、1束の半導体被処理物をまとめて薄肉化する方法を提供する。この方法は、被処理物の裏面が露出するように半導体被処理物をチャック本体部の中に置く工程と、1束の被処理物をキャリア組立体の中に挿入する工程と、半導体被処理物が傾斜して配置されるようにキャリア組立体を回転組立体の中に載荷する工程と、回転組立体を回転させ、それによりキャリア組立体とその中に保持される被処理物とに回転運動を付与する工程と、被処理物の露出する裏面に処理液を噴霧する工程とを含んでいる。このシステムを通じて、被処理物の裏面が好みの厚さ(好ましくは125ミクロン未満)に薄肉化される。被処理物が薄肉化された後に、開示する装置及びシステムが、被処理物の洗浄および乾燥を可能にする。このシステムは、使用済み処理液の再循環および再利用をも可能にする。
半導体ウエハの一括処理を実行するために、本考案はさらに、バッチ方式による半導体被処理物のウェット化学薄肉化により125ミクロン未満にまで薄くすることを可能にする処理室を含むシステムを提供する。この処理室は、第1端部と外壁と前記第1端部に設けられ空洞部に通じる開口部とを有する処理室本体部を備えている。この処理室は傾斜して処理用機械内に支持され、処理室内の半導体被処理物も同様に傾斜してその中に支持される。また、扉組立体が処理室本体部の第1端部に隣接して設けられる。この扉組立体は、処理室本体部の開口部を選択的に閉塞する扉を有している。処理室はさらに、処理室本体部の空洞部の中、および半導体被処理物の露出部分の上に、処理液を噴霧するノズルを有するスプレー組立体を有している。ある実施の形態では、スプレー組立体は、反対の方向から処理室の中に液体を導入する二重の吸入/排出機構を有している。
別の局面によれば、処理室は排気部と排出口または排液部とを有している。排気部は、処理室の空洞部からガスと蒸気とを排気する。排液部は、処理室の処理室本体部の空洞部から、余った使用済みの処理液を除去する。排液部は、余った使用済みの処理液を処理室から供給槽へ戻す再循環システムに接続されている。
別の局面によれば、システムは、複数の被処理物を保持するキャリア組立体を含んでいる。キャリア組立体は処理室の空洞部内に置かれ、噴霧される処理液が被処理物の上に良好に行き渡るように、処理室内で回転する。ある実施の形態では、キャリア組立体は、おおよそその本体部の長さに沿った複数の位置決め部材を有している。位置決め部材は、半導体被処理物をキャリア組立体内の特定の位置に保持し、隣接する半導体被処理物の間に空隙を形成するために使用される。さらに、キャリア組立体の位置決め部材の形状により、キャリア組立体内の被処理物は、概ね、キャリア組立体と一緒に回転するとともに、キャリア組立体の回転とはある程度独立して回転する。
別の局面によれば、システムは、回転組立体を含んでいる。回転組立体は処理室の空洞部内に配置され、キャリア組立体は全体として回転組立体の空洞部内に配置される。処理室に付随するモータは、回転組立体を駆動して処理室本体部の空洞部内で回転組立体を回転させる。回転組立体は、キャリア組立体とその中に保持される半導体被処理物とに回転運動を付与する。
本考案によると、以下が提供され、上記目的が達成される。
(項目1)
素子面と裏面とを有する半導体被処理物を受けて支持するチャックであって、
前記被処理物を支持する本体部と、
前記本体部に着脱可能に装着され、前記被処理物の前記裏面の周辺部を覆うように構成されている保持器と、
前記保持器と前記被処理物の前記裏面との間を封止する部材とを備えるチャック。
(項目2)
前記本体部は、前記保持器の部分を受け入れる溝を備える項目1記載のチャック。
(項目3)
前記本体部は、ポリ四フッ化エチレンからなる項目1記載のチャック。
(項目4)
前記保持器は、ポリフッ化ビニリデンからなる項目1記載のチャック。
(項目5)
前記部材は、圧縮性材料からなる項目1記載のチャック。
(項目6)
前記圧縮性材料は、フルオロエラストマーである項目5記載のチャック。
(項目7)
前記圧縮性材料は、50以上のデュロメータ硬さを有する項目5記載のチャック。
(項目8)
前記部材は、フルオロエラストマーのO−リングである項目1記載のチャック。
(項目9)
前記部材は、前記保持器の環状溝に配置されている項目1記載のチャック。
(項目10)
前記保持器は、前記被処理物の前記裏面の約1mmと10mmとの間の前記周辺部を覆う項目1記載のチャック。
(項目11)
前記保持器は、前記被処理物の前記裏面の約1mmと5mmとの間の前記周辺部を覆う項目10記載のチャック。
(項目12)
前記保持器は、前記被処理物の前記裏面の約2mmと4mmとの間の前記周辺部を覆う項目11記載のチャック。
(項目13)
素子面と面取り部と裏面とを有する半導体被処理物を受けて支持するチャックであって、
前記半導体被処理物支持面を有する本体部と、
前記本体部に着脱可能に装着され、前記被処理物の前記裏面の周辺部を覆うように構成されている保持器と、
前記保持器に設けられ、前記保持器と前記被処理物の前記裏面との間を封止する第1封止部材と、
前記保持器に設けられ、前記保持器と前記本体部との間を封止する第2封止部材とを備えるチャック。
(項目14)
前記本体部は、自身に形成され、前記半導体被処理物を前記被処理物支持面の中心に位置決めする段差を有する項目13記載のチャック。
(項目15)
前記保持器は係合部材を備え、前記本体部は、前記係合部材を受け入れて前記保持器を前記本体部へ係合させるように構成された後退部を備える項目13記載のチャック。
(項目16)
前記本体部は係合部材を備え、前記保持器は、前記係合部材を受け入れて前記保持器を前記本体部へ係合させるように構成された後退部を備える項目13記載のチャック。
(項目17)
前記係合部材と前記後退部とは、前記第1封止部材と前記第2封止部材との間に配置されている項目15記載のチャック。
(項目18)
前記係合部材と前記後退部とは、前記第1封止部材と前記第2封止部材との間に配置されている項目16記載のチャック。
(項目19)
前記保持器は、前記被処理物が前記本体部に装着されたときに、前記被処理物の前記面取り部と前記裏面の前記周辺部とを覆う項目13記載のチャック。
(項目20)
前記保持器と前記本体部との各々は、前記保持器が前記本体部に係合したときにノッチを形成するように構成された外端部を有する項目13記載のチャック。
(項目21)
前記ノッチは、前記保持器が前記本体部から外れるのを容易にする項目18記載のチャック。
(項目22)
前記本体部はデュロメータ硬さBDHを有する材料からなり、前記保持器はデュロメータ硬さRDHを有する材料からなり、BDHはRDHよりも大きい項目13記載のチャック。
(項目23)
素子面と面取り部と裏面とを有する半導体被処理物を支持し、薄肉化処理の間に処理液が前記被処理物の前記素子面と前記面取り部と前記裏面の周辺部とに接触するのを防ぐチャックであって、
後退部と前記被処理物を支持する面とを有する本体部と、
保持環とを備え、
当該保持環は、
前記本体部の前記後退部と協働して着脱可能に前記保持環を前記本体部へ装着し、それにより前記保持環が前記被処理物の前記面取り部と前記裏面の前記周辺部とを覆うように構成された係合部材と、
前記保持環と前記被処理物との間を封止する圧縮性部材が自身の中に設けられた環状空洞部とを有し、
前記封止は、前記処理液が前記被処理物の前記裏面の前記周辺部と前記面取り部とに接触するのを防止するチャック。
(項目24)
前記保持環は、前記保持環と前記被処理物との間を封止する第2の圧縮性部材が自身の中に配設された第2の環状空洞部をさらに備える項目23記載のチャック。
(項目25)
前記圧縮性材料は、耐腐食性材料からなる項目23記載のチャック。
(項目26)
前記本体部は、前記被処理物の全体を支持する項目23記載のチャック。
(項目27)
複数の半導体被処理物を処理する処理室であって、
第1端部と第2端部と外壁と前記第1端部に設けられ空洞部に通じる開口部とを有し、複数の被処理物を保持するキャリアが取り出し可能に前記処理室の前記空洞部内に配置される処理室本体部と、
前記処理室本体部の前記第1端部に隣接して設けられ、前記処理室本体部の前記開口部を閉塞する扉を有する扉組立体と、
前記処理室本体部に接続され、前記処理室本体部の前記空洞部内で前記キャリアを回転させるモータと、
前記処理室本体部の前記空洞部の中、および前記キャリアに保持される前記複数の被処理物の露出部分の上に、処理液を噴霧するノズルを有するスプレー組立体と、
前記処理室本体部に設けられ、前記処理室本体部の前記第1端部付近から前記第2端部付近へ延在し、前記処理室の前記空洞部から蒸気を排気する排気部と、
前記処理室本体部に設けられ、前記処理室本体部の前記第1端部付近から前記第2端部付近へ延在し、前記処理室本体部の前記空洞部から処理液を排出する排液溝とを備える処理室。
(項目28)
前記排気部と前記排液溝とは、前記処理室本体部の径方向反対領域に設けられている項目27記載の処理室。
(項目29)
前記処理室本体部の前記空洞部内に配置された回転組立体を更に備え、前記キャリアは、前記回転組立体の内部に配置され、前記モータは、前記処理室本体部内で前記回転組立体を回転させるように当該回転組立体を駆動し、当該回転組立体は、前記キャリアと当該キャリアに保持された前記複数の被処理物とに回転運動を付与する項目27記載の処理室。
(項目30)
前記キャリアは、当該キャリア内で前記複数の被処理物の端部を保持する複数の位置決め部材を有し、当該位置決め部材は隣り合う被処理物の間に空隙を形成する項目27記載の処理室。
(項目31)
前記複数の被処理物は、前記キャリア内で独立して回転自在である項目30記載の処理室。
(項目32)
前記ハウジングは、自身の前記空洞部内に裏張りを有しており、当該裏張りは、ポリ四フッ化エチレンとステンレス鋼との少なくとも一方から作られている項目27記載の処理室。
(項目33)
前記スプレー組立体は、前記処理室本体部の前記第1端部に略隣接する部位から前記処理室本体部の前記第2端部付近までにわたって延在する項目27記載の処理室。
(項目34)
前記スプレー組立体は、複数のノズルを有するスプレー多岐管を備える項目27記載の処理室。
(項目35)
前記スプレー多岐管は、2つの吸入口を有する項目34記載の処理室。
(項目36)
前記2つの吸入口は、前記スプレー多岐管の互いに反対側の端部に設けられている項目35記載の処理室。
(項目37)
前記スプレー組立体は、複数のノズルを有する第1スプレー多岐管と、複数のノズルを有する第2スプレー多岐管とを備える項目27記載の処理室。
(項目38)
前記第1スプレー多岐管は2つの吸入口を有し、前記第2スプレー多岐管は2つの吸入口を有する項目37記載の処理室。
(項目39)
前記処理室本体部に接続され、当該処理室本体部とその中の被処理物とを傾斜して支持する取り付け部材をさらに備える項目27記載の処理室。
(項目40)
前記扉は第1位置から第2位置へ動くものであり、前記扉は第1位置にあるときには前記処理室本体部の前記空洞部の前記開口部を密閉し、前記扉が前記第2位置にあるときには前記空洞部は前記開口部を通じて出し入れ可能である項目27記載の処理室。
(項目41)
前記扉を支持する線形軌道をさらに備え、前記扉は前記線形軌道に沿って前記第1位置から第2位置へ動く項目40記載の処理室。
(項目42)
複数の半導体被処理物を処理する処理室であって、
第1端部と第2端部と外壁と前記第1端部に設けられ空洞部に通じる開口部とを有し、複数の被処理物を保持するキャリアが取り出し可能に前記処理室の前記空洞部内に配置される処理室本体部と、
前記処理室本体部の前記第1端部に隣接して設けられ、前記処理室本体部の前記開口部を閉塞する扉を有する扉組立体と、
前記処理室本体部に接続され、前記処理室本体部の前記空洞部内で前記キャリアを回転させるモータと、
多岐管と当該多岐管に連通する複数のノズルとを有し、前記処理室本体部の前記空洞部の中、および前記キャリアに保持される前記複数の被処理物の露出部分の上に、処理液を噴霧するスプレー組立体とを備え、
前記多岐管は、当該多岐管に処理液を供給する第1吸入口とそれとは反対側に位置する第2吸入口とを有する処理室。
(項目43)
前記第1吸入口は前記多岐管の第1端部にあって、前記第2吸入口は前記多岐管の第2端部にある項目42記載の処理室。
(項目44)
自身に連通する複数のノズルを有する第2の多岐管をさらに備え、当該第2の多岐管は、第1吸入口とこれとは反対側に位置する第2吸入口とを有する項目42記載の処理室。
(項目45)
前記第2の多岐管の前記第1吸入口は、前記第2の多岐管の第1端部に位置し、前記第2の多岐管の前記第2吸入口は、前記第2の多岐管の第2端部に位置する項目44記載の処理室。
(項目46)
複数の半導体被処理物を薄肉化する装置であって、
キャビネットと、
前記キャビネット内に設けられた処理室とを備え、当該処理室は、
第1端部と、第2端部と、外壁と、前記第1端部に設けられ空洞部に通じる開口部と、前記処理室本体部に設けられ前記空洞部から蒸気を排気する排気部と、前記処理室本体部に設けられ前記空洞部から処理液を排出する排液溝とを有する処理室本体部と、
前記処理室本体部の前記第1端部に隣接して前記処理室本体部に接続されて設けられ、前記処理室本体部の前記開口部を閉塞する扉を有する扉組立体と、
複数のノズルを伴う多岐管を有し、前記処理室本体部の前記空洞部の中、および前記複数の半導体被処理物の上に、処理液を噴霧するスプレー組立体と、
前記処理室に液体が通じるようになっており、ある容積の前記処理液を保持し、自身から前記処理室のスプレー組立体へ前記処理液を供給する供給槽と、
前記処理室の前記排出口と前記供給槽との間を液体が通じるように連結し、使用済み処理液を前記処理室から前記供給槽へ通す再循環システムとを備える装置。
(項目47)
前記排気部は、実質的に前記処理室本体部の前記第1端部から前記第2端部へ延在し、前記排液溝は、実質的に前記処理室本体部の前記第1端部から前記第2端部へ延在して前記処理室本体部の前記空洞部から処理液を排出する項目46記載の装置。
(項目48)
前記スプレー組立体は、前記処理室本体部の略前記第1端部付近から前記処理室本体部の前記第2端部付近までにわたって延在する項目46記載の装置。
(項目49)
前記多岐管は2つの吸入口を有する項目46記載の装置。
(項目50)
前記2つの吸入口は前記多岐管の互いに反対側の端部に設けられている項目49記載の装置。
(項目51)
前記スプレー組立体は、複数のノズルを有する第1多岐管と、複数のノズルを有する第2多岐管とを備える項目46記載の装置。
(項目52)
前記第1多岐管は互いに反対側に位置する2つの吸入口を有し、前記第2多岐管は互いに反対側に位置する2つの吸入口を有する項目51記載の装置。
(項目53)
前記複数の被処理物を保持するキャリアをさらに備え、当該キャリアは、前記処理室の前記空洞部内に配置される回転組立体の内部に取り出し可能に配置され、前記モータは、前記処理室本体部内で前記回転組立体を回転させるように当該回転組立体を駆動し、当該回転組立体は、前記キャリアと当該キャリアに保持された前記複数の半導体被処理物とに回転運動を付与する項目46記載の装置。
(項目54)
前記キャリアは、当該キャリア内で前記複数の半導体被処理物の端部を保持する複数の位置決め部材を有し、当該位置決め部材は隣り合う被処理物の間に空隙を形成し、それにより前記複数の被処理物が前記キャリア内で独立して回転可能となっている項目53記載の装置。
(項目55)
前記供給槽は、当該供給槽内の処理液の温度を調節する熱交換コイルを有する項目46記載の装置。
(項目56)
前記キャビネット内の受け部に係合し、前記キャビネット内で前記処理室本体部を傾斜して支持する前記処理室本体部の取り付け部材をさらに備える項目46記載の装置。
(項目57)
前記処理室と液体が通じるようになっており、前記半導体被処理物を薄肉化するために前記処理室で用いられる処理液を収容する複数の計量容器をさらに備える項目46記載の装置。
(項目58)
各計量容器に対して設けられ、適切な濃度の薬品を前記供給槽内に維持するために、前記供給槽内に前記処理液を選択的に添加する計量ポンプをさらに備える項目57記載の装置。
(項目59)
前記供給槽と前記処理室との間に、ポンプとフィルタと流量計とをさらに備え、前記ポンプは処理液を前記供給槽から処理室へ供給し、前記フィルタは前記処理室に送られる前記処理液を濾過し、前記流量計は前記処理室へ供給されている処理液の量を計測する項目46記載の装置。
(項目60)
前記供給槽と前記処理室との間に設けられ、前記処理室へ供給される前記処理液中の各流体の濃度を判定する濃度モニタをさらに備える項目59記載の装置。
(項目61)
前記キャビネット内に第2の処理室をさらに備える項目46記載の装置。
(項目62)
前記キャビネット内に設けられ、前記被処理物が薄肉化された後に当該被処理物を乾燥および洗浄する乾燥洗浄室をさらに備える項目46記載の装置。
(項目63)
複数の半導体被処理物を同時に処理する方法であって、
キャリア内に複数の被処理物を置く工程と、
処理室内に前記キャリアを載荷する工程とを備え、前記処理室は、
第1端部と第2端部と外壁と前記第1端部に設けられ空洞部に通じる開口部とを有する処理室本体部と、
前記処理室本体部の前記第1端部に隣接し、前記処理室本体部に接続されて設けられ、かつ扉を有し、当該扉は前記処理室本体部の前記空洞部への前記開口部を閉塞する第1位置から前記処理室本体部の前記空洞部への前記開口部を出し入れ可能にする第2位置へ動く扉組立体と、
前記処理室本体部の前記空洞部の中に処理液を噴霧する複数のノズルに連通する多岐管を有し、当該多岐管は前記処理液を受け入れる第1吸入口とその反対側に位置する第2吸入口とを有するスプレー組立体とを備えており、
前記方法は、
前記処理室の前記空洞部内で前記キャリアを回転させる工程と、
前記複数のノズルから、前記キャリアに保持される前記複数の被処理物の露出部分の上に、処理液を噴霧させる工程とをさらに備える方法。
(項目64)
前記キャリアは複数の位置決め部材を有し、前記複数の被処理物は、前記複数の位置決め部材の間に端部が保持されるように前記キャリアの中に挿入される項目63記載の方法。
(項目65)
前記複数の被処理物の前記複数の保持器は複数のチャックを備え、前記方法は、
前記キャリアの中であって且つその複数の位置決め部材の間に前記複数のチャックを配置する工程をさらに備える項目63記載の方法。
(項目66)
前記チャックは、前記被処理物の裏面の面積の少なくとも95%が露出するように前記被処理物の裏面の周辺部を覆うものである項目65記載の方法。
(項目67)
前記処理室がモータを有し、前記方法は、
前記キャリアを前記処理室内の回転組立体の中に置く工程と、
前記処理室内で前記回転組立体を回転させるように前記モータに電力を供給する工程とをさらに備える項目63記載の方法。
(項目68)
前記キャリアは、少なくとも部分的にはポリ四フッ化エチレンから作られている項目63記載の方法。
(項目69)
前記処理室の前記空洞を同時に排気および排液する工程をさらに備え、前記処理室は、前記処理室本体部の前記第1端部付近から前記処理室本体部の前記第2端部付近へ延在する排気部と、前記処理室本体部の前記第1端部付近から前記処理室本体部の前記第2端部付近へ延在する排液溝とを有する項目63記載の方法。
(項目70)
前記複数の被処理物を薄肉化した後に、当該複数の被処理物を洗浄し且つ乾燥させる工程をさらに備える項目63記載の方法。
(項目71)
前記複数の被処理物を洗浄する前記工程は、脱イオン水を前記複数の被処理物に適用する工程を備える項目70記載の方法。
(項目72)
前記複数の被処理物を乾燥させる前記工程は、イソプロピルアルコールまたは加熱窒素のうちの少なくとも一方を前記複数の被処理物に適用する工程を備える項目70記載の方法。
(項目73)
前記複数の被処理物の上に前記処理液を噴霧させる前記工程は、前記複数の被処理物が前記処理室の中で回転している時に、前記スプレー組立体の前記複数のノズルを通じて前記処理液を前記被処理物の上に噴霧させる工程を備える項目63記載の方法。
(項目74)
前記処理液は、水、過酸化水素、オゾン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、フッ化水素酸、硝酸、硫酸、酸性酸およびリン酸からなる群から選ばれたものである項目73記載の方法。
(項目75)
前記処理室内からの使用済み処理液を再利用する工程をさらに備える項目73記載の方法。
(項目76)
前記キャリア組立体内の前記複数の被処理物の露出部分の上に、前記スプレー組立体から前記処理液を噴霧させる前記工程は、
洗浄溶液で前記処理室内の前記複数の被処理物を予め洗浄して表面の汚染を除去する工程と、
エッチング液を用いて前記処理室内の前記複数の被処理物を化学的にエッチングし、前記複数の被処理物を薄肉化する工程と、
前記処理室内の前記複数の被処理物を洗浄する工程とを備える項目63記載の方法。
(項目77)
前記複数の被処理物を予め洗浄する前記工程は、洗浄溶液を前記被処理物に適用する工程を備える項目76記載の方法。
(項目78)
前記洗浄溶液は、H2O、H2O2およびNH4OHのうちの少なくとも1つを含む項目77記載の方法。
(項目79)
前記キャリア組立体内の前記複数の被処理物を化学的にエッチングする前記工程は、前記処理室内で前記複数の被処理物に粗い化学エッチングを行う工程と、前記処理室内で前記複数の被処理物に精密な化学エッチングを行う工程と、を備える項目76記載の方法。
(項目80)
前記粗い化学エッチングのエッチング速度は、前記精密な化学エッチングのエッチング速度よりも高い項目79記載の方法。
(項目81)
前記複数の被処理物を化学的にエッチングする前記工程は、HF、HNO3およびH3PO4の溶液を前記複数の被処理物に適用する工程を備える項目76記載の方法。
(項目82)
前記複数の被処理物を洗浄する前記工程は、H3PO4の溶液を前記処理室内の前記複数の被処理物に適用する工程を備える項目76記載の方法。
(項目83)
1束の被処理物をまとめて化学的に薄肉化するシステムであって、
少なくとも1つが装置を有する複数の被処理物処理台を備え、前記装置は処理室を備えており、当該処理室は、第1端部と第2端部と外壁と前記第1端部に設けられ空洞部に通じる開口部とを有する処理室本体部と、前記処理室本体部の前記第1端部付近から前記処理室本体部の前記第2端部付近へ延在し、前記処理室の前記空洞部から蒸気を排気する排気部と、前記処理室本体部の前記第1端部付近から前記処理室本体部の前記第2端部付近へ延在し、前記処理室の前記空洞部から処理液を排出する排液溝とを有しており、
前記装置は、
前記処理室の前記空洞部に配置され、複数の被処理物を当該複数の被処理物の周辺部のまわりで保持するキャリアと、
前記処理室本体部の前記第1端部に隣接して設けられ、前記処理室本体部の前記開口部を選択的に閉塞する扉を有する扉組立体と、
前記処理室本体部に接続され、前記キャリアと当該キャリアに保持される前記複数の被処理物とを回転させるモータと、
前記複数の被処理物を薄肉化するために、前記処理室本体部の前記空洞部の中、および前記半導体被処理物の上に、処理液を噴霧するノズルを有し、前記処理室に付随するスプレー組立体とをさらに備えるシステム。
(項目84)
前記キャリアを支持し、前記モータに結合した駆動部材を有する回転組立体をさらに備え、前記モータは、前記回転組立体を回転させるように前記駆動部材に回転運動を付与する項目83記載のシステム。
(項目85)
前記キャリアは複数の位置決め部材を有し、前記複数の被処理物は前記キャリアの前記複数の位置決め部材の間に保持され、前記キャリアは前記回転組立体の内部に配置される項目84記載のシステム。
(項目86)
前記キャビネットの複数の受け部に係合し、前記キャビネット内に前記処理室を傾斜して支持する前記処理室の取り付け部材をさらに備える項目83記載のシステム。
(項目87)
前記スプレー組立体は、前記処理室本体部の前記第1端部に略隣接する部位から前記処理室本体部の前記第2端部付近までにわたって延在し、前記スプレー多岐管は、前記スプレー多岐管の互いに反対側の端部に設けられた2つの吸入口を有する項目83記載のシステム。
(項目88)
前記スプレー組立体は、複数のノズルを有する第2のスプレー多岐管をさらに備え、当該第2のスプレー多岐管は、前記第2の多岐管の互いに反対側の端部に設けられた2つの吸入口を有する項目87記載のシステム。
(項目89)
前記扉組立体は線形のアクチュエータガイドをさらに備え、前記扉は当該線形アクチュエータガイドに従って第1の閉塞位置から第2の開放位置へ動く項目83記載のシステム。
(項目90)
少なくとももう1つの処理台が、二次的な処理室を備える装置を有する項目83記載のシステム。
(項目91)
前記二次的な処理室は、前記複数の被処理物が薄肉化された後に当該複数の被処理物を乾燥および洗浄する乾燥洗浄室を備える項目90記載のシステム。
(項目92)
前記処理室に液体が通じるようになっており、ある容積の前記処理液を収容する供給槽をさらに備える項目83記載のシステム。
(項目93)
前記処理液は、水、過酸化水素、オゾン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、フッ化水素酸、硝酸、硫酸、酸性酸およびリン酸のうち少なくとも1つを含む項目92記載のシステム。
(項目94)
前記排出口と前記供給槽とに液体が通じるようになっており、処理液を前記処理室から前記供給槽へ通す再循環システムをさらに備える項目92記載のシステム。
(項目95)
約150ミクロン未満の厚さを有する本体部と、
前記本体部に接続され約150から725ミクロンの範囲の厚さを有する縁部とを備える半導体被処理物。
(項目96)
前記本体部の厚さは100ミクロン未満である項目95記載の半導体被処理物。
(項目97)
前記本体部の厚さは50ミクロン未満である項目95記載の半導体被処理物。
(項目98)
前記本体部の厚さは25ミクロン未満である項目95記載の半導体被処理物。
(項目99)
前記縁部と前記本体部は一体となっている項目95記載の半導体被処理物。
(項目100)
前記縁部と前記本体部はシリコンからなる項目95記載の半導体被処理物。
(項目101)
前記縁部は約600〜725ミクロンの範囲の厚さを有する項目95記載の半導体被処理物。
(項目102)
前記縁部は約300〜725ミクロンの範囲の厚さを有する項目95記載の半導体被処理物。
(項目103)
裏面の面積BSSAを有する半導体被処理物であって、
前記BSSAの約5%未満を占め、厚さRTを有する縁部と、
RTの約50%よりも小さい厚さMBTを有する本体部とを備える半導体被処理物。
(項目104)
前記縁部は前記BSSAの約3%未満を占める項目103記載の半導体被処理物。
(項目105)
前記縁部は前記BSSAの約1%未満を占める項目103記載の半導体被処理物。
(項目106)
前記MBTは前記RTの約40%未満である項目103記載の半導体被処理物。
(項目107)
前記MBTは前記RTの約30%未満である項目103記載の半導体被処理物。
(項目108)
前記MBTは前記RTの約20%未満である項目103記載の半導体被処理物。
(項目109)
前記MBTは前記RTの約10%未満である項目103記載の半導体被処理物。
(項目110)
前記MBTは前記RTの約5%未満である項目103記載の半導体被処理物。
(項目111)
前記縁部は前記本体部と構造的に一体である項目103記載の半導体被処理物。
(項目112)
裏面の面積BSSAを有する半導体被処理物であって、
前記BSSAの少なくとも95%を占める本体部と、
前記本体部につながっており、前記BSSAの約5%未満を占め、厚さRTを有し、前記本体部と同一の材料で形成されている縁部とを備え、
前記本体部は、前記RTの約50%未満の厚さを有する半導体被処理物。
(項目113)
前記同一の材料はシリコンである項目112記載の半導体被処理物。
(項目114)
前記本体部は、前記RTの約40%未満の厚さを有する項目112記載の半導体被処理物。
(項目115)
前記本体部は、前記RTの約30%未満の厚さを有する項目112記載の半導体被処理物。
(項目116)
前記本体部は、前記RTの約20%未満の厚さを有する項目112記載の半導体被処理物。
(項目117)
前記本体部は、前記RTの約10%未満の厚さを有する項目112記載の半導体被処理物。
(項目118)
表面の面積BSSAを有する半導体被処理物の裏面を薄肉化する方法であって、
前記BSSAの95%以上を露出させて前記被処理物の裏面の周辺部を覆うように構成されたチャックの中に前記半導体被処理物を置く工程と、
前記被処理物の前記露出する裏面を薄肉化して、厚さRTを有する縁部を形成し、前記本体部が前記RTの約50%未満の厚さを有するようにする工程とを備える方法。
(項目119)
前記本体部は前記RTの約40%未満の厚さを有する項目118記載の方法。
(項目120)
前記本体部は前記RTの約30%未満の厚さを有する項目118記載の方法。
(項目121)
前記本体部は前記RTの約20%未満の厚さを有する項目118記載の方法。
(項目122)
前記本体部は前記RTの約10%未満の厚さを有する項目118記載の方法。
(項目123)
前記BSSAの97%以上が露出する項目118記載の方法。
(項目124)
前記BSSAの99%以上が露出する項目118記載の方法。
(項目125)
前記縁部は前記被処理物の前記周辺に形成される項目118記載の方法。
(項目126)
前記RTは200から725ミクロンの範囲にある項目118記載の方法。
(項目127)
前記本体部は約100から120ミクロンの範囲の厚さを有する項目126記載の方法。
(項目128)
前記本体部は約50から100ミクロンの範囲の厚さを有する項目126記載の方法。
(項目129)
前記本体部は約25から50ミクロンの範囲の厚さを有する項目126記載の方法。
(項目130)
前記本体部は約100から120ミクロンの範囲の厚さを有する項目118記載の方法。
(項目131)
前記本体部は約50から100ミクロンの範囲の厚さを有する項目118記載の方法。
(項目132)
前記本体部は約25から50ミクロンの範囲の厚さを有する項目118記載の方法。
(項目133)
厚さWPTを有する半導体被処理物の裏面を薄肉化する方法であって、
前記被処理物の前記裏面が露出するように、チャック本体部の上に前記半導体被処理物を置く工程と、
前記被処理物が前記チャックに固定され且つ前記被処理物の前記裏面の周辺部が保持器で覆われるように、当該保持器を前記チャック本体部に装着する工程と、
前記被処理物の前記露出する裏面を薄肉化して縁部と本体部とを形成し、前記本体部が前記WPTの50%未満の厚さMBTを有するようにする工程とを備える方法。
(項目134)
前記被処理物の前記裏面の前記露出部分を薄肉化する前記工程は、前記被処理物の前記裏面の前記露出部分から半導体材料を、化学エッチングにより除去する工程を備える項目133記載の方法。
(項目135)
前記被処理物の前記裏面の前記露出部分を薄肉化する前記工程は、前記被処理物の前記裏面の前記露出部分を研磨する工程を備える項目134記載の方法。
(項目136)
厚さWPTを有する半導体被処理物の裏面を薄肉化する方法であって、
前記被処理物の前記裏面の本体部が露出するように、前記被処理物の前記裏面の周辺部を囲むように構成されたチャックの上に前記半導体被処理物を置く工程と、
前記チャックと前記被処理物とを処理容器の中に置く工程と、
前記被処理物の前記裏面の前記露出する本体部に処理液を適用して、前記WPTの50%未満となるように前記本体部を薄肉化する工程とを備える方法。
(項目137)
前記露出する本体部に処理液を適用する前記工程は、前記被処理物の前記裏面の前記本体部の上に処理液をノズルから噴霧する工程を備える項目136記載の方法。
(項目138)
前記露出する本体部に処理液を適用する前記工程は、前記露出する本体部をある容積の前記処理液の中に浸漬する工程を備える項目136記載の方法。
(項目139)
前記処理液は、水、過酸化水素、オゾン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、フッ化水素酸、硝酸、硫酸、酸性酸およびリン酸からなる群から選ばれたものである項目136記載の方法。
(項目140)
前記被処理物を薄肉化した後に当該被処理物の前記本体部を洗浄する工程をさらに備える項目136記載の方法。
(項目141)
前記洗浄工程は、前記被処理物を薄肉化した後に当該被処理物の前記本体部にリン酸を適用する工程を備える項目140記載の方法。
(項目142)
前記薄肉化した被処理物を乾燥させる工程をさらに備える項目140記載の方法。
(項目143)
前記処理液を、前記露出する本体部に第1のエッチング速度で適用し、その後に第2のエッチング速度で適用する項目136記載の方法。
(項目144)
前記第1のエッチング速度は前記第2のエッチング速度よりも高い項目143記載の方法。
(項目145)
前記被処理物の前記本体部の前記厚さを計測する工程をさらに備える項目136記載の方法。
(項目146)
前記処理液は、流量、濃度および温度を有し、前記方法は、前記処理液の前記流量、濃度および温度のうちの少なくとも1つを監視する工程をさらに備える項目136記載の方法。
(項目147)
前記半導体被処理物の裏面を薄肉化する方法であって、
前記半導体被処理物をチャックの上に置く工程と、
前記保持器を前記チャックに装着することにより、前記被処理物の前記裏面の本体部が露出するように、前記被処理物を前記チャックに固定し且つ前記被処理物の前記裏面の周辺部を囲む工程と、
前記チャックを前記キャリアの中に配置する工程と、
前記キャリアを処理容器の中に載荷する工程と、
前記処理容器内の前記チャックを回転させる工程と、
前記チャックが回転するときに前記被処理物の前記裏面の前記露出する本体部に処理液を適用することにより、前記被処理物の前記裏面の前記本体部をある厚さにまで薄肉化し、且つ前記本体部の厚さより大きい厚さを有する縁部を形成する工程とを備える方法。
(項目148)
素子面と裏面と内側領域と外周領域と厚さWPTを有する半導体被処理物を準備する工程と、
前記半導体被処理物の前記裏面の前記外周領域を遮蔽する工程と、
前記半導体被処理物の前記裏面の前記内側領域を処理液に晒すことにより、前記内側領域を0.5×WPT未満の厚さにまで薄肉化する工程とにより製造された半導体被処理物。
(項目149)
前記内側領域が0.4×WPT未満の厚さにまで薄肉化されている項目148記載の半導体被処理物。
(項目150)
前記内側領域が0.3×WPT未満の厚さにまで薄肉化されている項目148記載の半導体被処理物。
(項目151)
前記内側領域が0.2×WPT未満の厚さにまで薄肉化されている項目148記載の半導体被処理物。
(項目152)
前記半導体被処理物の前記裏面の前記内側領域を前記処理液に晒すことにより前記内側領域を薄肉化する前記工程は、前記半導体被処理物の前記外周領域に縁部を形成する項目148記載の半導体被処理物。
(項目153)
前記縁部は実質的にWPTと同一の厚さを有する項目152記載の半導体被処理物。
(項目154)
前記縁部は、前記半導体被処理物の前記外周領域の処理前の構成と実質的に同一の構成を有する項目152記載の半導体被処理物。
(項目155)
前記縁部は前記半導体被処理物と構造的に一体である項目152記載の半導体被処理物。
(項目156)
素子面と面取り部と裏面とを有する半導体被処理物であって、
シリコンからなり、厚さWPTを有する半導体被処理物を準備する工程と、
本体部と保持器とを有するチャックの上に、前記素子面を下にして前記半導体被処理物を置く工程と、
前記保持器が前記面取り部の周りに張り出し且つ前記被処理物の前記裏面の周辺部を遮蔽するように前記保持器を前記本体部に係合させる工程と、
前記半導体被処理物の前記裏面の内側領域を露出させる工程と、
前記半導体被処理物の前記裏面の前記露出する内側領域に処理液を適用することにより、前記内側領域を0.50×WPT未満の厚さに薄肉化し、且つ前記WPTと実質的に同一の厚さを有するシリコンからなる縁部を形成する工程とを備える方法に従って薄肉化された半導体被処理物。
(項目1)
素子面と裏面とを有する半導体被処理物を受けて支持するチャックであって、
前記被処理物を支持する本体部と、
前記本体部に着脱可能に装着され、前記被処理物の前記裏面の周辺部を覆うように構成されている保持器と、
前記保持器と前記被処理物の前記裏面との間を封止する部材とを備えるチャック。
(項目2)
前記本体部は、前記保持器の部分を受け入れる溝を備える項目1記載のチャック。
(項目3)
前記本体部は、ポリ四フッ化エチレンからなる項目1記載のチャック。
(項目4)
前記保持器は、ポリフッ化ビニリデンからなる項目1記載のチャック。
(項目5)
前記部材は、圧縮性材料からなる項目1記載のチャック。
(項目6)
前記圧縮性材料は、フルオロエラストマーである項目5記載のチャック。
(項目7)
前記圧縮性材料は、50以上のデュロメータ硬さを有する項目5記載のチャック。
(項目8)
前記部材は、フルオロエラストマーのO−リングである項目1記載のチャック。
(項目9)
前記部材は、前記保持器の環状溝に配置されている項目1記載のチャック。
(項目10)
前記保持器は、前記被処理物の前記裏面の約1mmと10mmとの間の前記周辺部を覆う項目1記載のチャック。
(項目11)
前記保持器は、前記被処理物の前記裏面の約1mmと5mmとの間の前記周辺部を覆う項目10記載のチャック。
(項目12)
前記保持器は、前記被処理物の前記裏面の約2mmと4mmとの間の前記周辺部を覆う項目11記載のチャック。
(項目13)
素子面と面取り部と裏面とを有する半導体被処理物を受けて支持するチャックであって、
前記半導体被処理物支持面を有する本体部と、
前記本体部に着脱可能に装着され、前記被処理物の前記裏面の周辺部を覆うように構成されている保持器と、
前記保持器に設けられ、前記保持器と前記被処理物の前記裏面との間を封止する第1封止部材と、
前記保持器に設けられ、前記保持器と前記本体部との間を封止する第2封止部材とを備えるチャック。
(項目14)
前記本体部は、自身に形成され、前記半導体被処理物を前記被処理物支持面の中心に位置決めする段差を有する項目13記載のチャック。
(項目15)
前記保持器は係合部材を備え、前記本体部は、前記係合部材を受け入れて前記保持器を前記本体部へ係合させるように構成された後退部を備える項目13記載のチャック。
(項目16)
前記本体部は係合部材を備え、前記保持器は、前記係合部材を受け入れて前記保持器を前記本体部へ係合させるように構成された後退部を備える項目13記載のチャック。
(項目17)
前記係合部材と前記後退部とは、前記第1封止部材と前記第2封止部材との間に配置されている項目15記載のチャック。
(項目18)
前記係合部材と前記後退部とは、前記第1封止部材と前記第2封止部材との間に配置されている項目16記載のチャック。
(項目19)
前記保持器は、前記被処理物が前記本体部に装着されたときに、前記被処理物の前記面取り部と前記裏面の前記周辺部とを覆う項目13記載のチャック。
(項目20)
前記保持器と前記本体部との各々は、前記保持器が前記本体部に係合したときにノッチを形成するように構成された外端部を有する項目13記載のチャック。
(項目21)
前記ノッチは、前記保持器が前記本体部から外れるのを容易にする項目18記載のチャック。
(項目22)
前記本体部はデュロメータ硬さBDHを有する材料からなり、前記保持器はデュロメータ硬さRDHを有する材料からなり、BDHはRDHよりも大きい項目13記載のチャック。
(項目23)
素子面と面取り部と裏面とを有する半導体被処理物を支持し、薄肉化処理の間に処理液が前記被処理物の前記素子面と前記面取り部と前記裏面の周辺部とに接触するのを防ぐチャックであって、
後退部と前記被処理物を支持する面とを有する本体部と、
保持環とを備え、
当該保持環は、
前記本体部の前記後退部と協働して着脱可能に前記保持環を前記本体部へ装着し、それにより前記保持環が前記被処理物の前記面取り部と前記裏面の前記周辺部とを覆うように構成された係合部材と、
前記保持環と前記被処理物との間を封止する圧縮性部材が自身の中に設けられた環状空洞部とを有し、
前記封止は、前記処理液が前記被処理物の前記裏面の前記周辺部と前記面取り部とに接触するのを防止するチャック。
(項目24)
前記保持環は、前記保持環と前記被処理物との間を封止する第2の圧縮性部材が自身の中に配設された第2の環状空洞部をさらに備える項目23記載のチャック。
(項目25)
前記圧縮性材料は、耐腐食性材料からなる項目23記載のチャック。
(項目26)
前記本体部は、前記被処理物の全体を支持する項目23記載のチャック。
(項目27)
複数の半導体被処理物を処理する処理室であって、
第1端部と第2端部と外壁と前記第1端部に設けられ空洞部に通じる開口部とを有し、複数の被処理物を保持するキャリアが取り出し可能に前記処理室の前記空洞部内に配置される処理室本体部と、
前記処理室本体部の前記第1端部に隣接して設けられ、前記処理室本体部の前記開口部を閉塞する扉を有する扉組立体と、
前記処理室本体部に接続され、前記処理室本体部の前記空洞部内で前記キャリアを回転させるモータと、
前記処理室本体部の前記空洞部の中、および前記キャリアに保持される前記複数の被処理物の露出部分の上に、処理液を噴霧するノズルを有するスプレー組立体と、
前記処理室本体部に設けられ、前記処理室本体部の前記第1端部付近から前記第2端部付近へ延在し、前記処理室の前記空洞部から蒸気を排気する排気部と、
前記処理室本体部に設けられ、前記処理室本体部の前記第1端部付近から前記第2端部付近へ延在し、前記処理室本体部の前記空洞部から処理液を排出する排液溝とを備える処理室。
(項目28)
前記排気部と前記排液溝とは、前記処理室本体部の径方向反対領域に設けられている項目27記載の処理室。
(項目29)
前記処理室本体部の前記空洞部内に配置された回転組立体を更に備え、前記キャリアは、前記回転組立体の内部に配置され、前記モータは、前記処理室本体部内で前記回転組立体を回転させるように当該回転組立体を駆動し、当該回転組立体は、前記キャリアと当該キャリアに保持された前記複数の被処理物とに回転運動を付与する項目27記載の処理室。
(項目30)
前記キャリアは、当該キャリア内で前記複数の被処理物の端部を保持する複数の位置決め部材を有し、当該位置決め部材は隣り合う被処理物の間に空隙を形成する項目27記載の処理室。
(項目31)
前記複数の被処理物は、前記キャリア内で独立して回転自在である項目30記載の処理室。
(項目32)
前記ハウジングは、自身の前記空洞部内に裏張りを有しており、当該裏張りは、ポリ四フッ化エチレンとステンレス鋼との少なくとも一方から作られている項目27記載の処理室。
(項目33)
前記スプレー組立体は、前記処理室本体部の前記第1端部に略隣接する部位から前記処理室本体部の前記第2端部付近までにわたって延在する項目27記載の処理室。
(項目34)
前記スプレー組立体は、複数のノズルを有するスプレー多岐管を備える項目27記載の処理室。
(項目35)
前記スプレー多岐管は、2つの吸入口を有する項目34記載の処理室。
(項目36)
前記2つの吸入口は、前記スプレー多岐管の互いに反対側の端部に設けられている項目35記載の処理室。
(項目37)
前記スプレー組立体は、複数のノズルを有する第1スプレー多岐管と、複数のノズルを有する第2スプレー多岐管とを備える項目27記載の処理室。
(項目38)
前記第1スプレー多岐管は2つの吸入口を有し、前記第2スプレー多岐管は2つの吸入口を有する項目37記載の処理室。
(項目39)
前記処理室本体部に接続され、当該処理室本体部とその中の被処理物とを傾斜して支持する取り付け部材をさらに備える項目27記載の処理室。
(項目40)
前記扉は第1位置から第2位置へ動くものであり、前記扉は第1位置にあるときには前記処理室本体部の前記空洞部の前記開口部を密閉し、前記扉が前記第2位置にあるときには前記空洞部は前記開口部を通じて出し入れ可能である項目27記載の処理室。
(項目41)
前記扉を支持する線形軌道をさらに備え、前記扉は前記線形軌道に沿って前記第1位置から第2位置へ動く項目40記載の処理室。
(項目42)
複数の半導体被処理物を処理する処理室であって、
第1端部と第2端部と外壁と前記第1端部に設けられ空洞部に通じる開口部とを有し、複数の被処理物を保持するキャリアが取り出し可能に前記処理室の前記空洞部内に配置される処理室本体部と、
前記処理室本体部の前記第1端部に隣接して設けられ、前記処理室本体部の前記開口部を閉塞する扉を有する扉組立体と、
前記処理室本体部に接続され、前記処理室本体部の前記空洞部内で前記キャリアを回転させるモータと、
多岐管と当該多岐管に連通する複数のノズルとを有し、前記処理室本体部の前記空洞部の中、および前記キャリアに保持される前記複数の被処理物の露出部分の上に、処理液を噴霧するスプレー組立体とを備え、
前記多岐管は、当該多岐管に処理液を供給する第1吸入口とそれとは反対側に位置する第2吸入口とを有する処理室。
(項目43)
前記第1吸入口は前記多岐管の第1端部にあって、前記第2吸入口は前記多岐管の第2端部にある項目42記載の処理室。
(項目44)
自身に連通する複数のノズルを有する第2の多岐管をさらに備え、当該第2の多岐管は、第1吸入口とこれとは反対側に位置する第2吸入口とを有する項目42記載の処理室。
(項目45)
前記第2の多岐管の前記第1吸入口は、前記第2の多岐管の第1端部に位置し、前記第2の多岐管の前記第2吸入口は、前記第2の多岐管の第2端部に位置する項目44記載の処理室。
(項目46)
複数の半導体被処理物を薄肉化する装置であって、
キャビネットと、
前記キャビネット内に設けられた処理室とを備え、当該処理室は、
第1端部と、第2端部と、外壁と、前記第1端部に設けられ空洞部に通じる開口部と、前記処理室本体部に設けられ前記空洞部から蒸気を排気する排気部と、前記処理室本体部に設けられ前記空洞部から処理液を排出する排液溝とを有する処理室本体部と、
前記処理室本体部の前記第1端部に隣接して前記処理室本体部に接続されて設けられ、前記処理室本体部の前記開口部を閉塞する扉を有する扉組立体と、
複数のノズルを伴う多岐管を有し、前記処理室本体部の前記空洞部の中、および前記複数の半導体被処理物の上に、処理液を噴霧するスプレー組立体と、
前記処理室に液体が通じるようになっており、ある容積の前記処理液を保持し、自身から前記処理室のスプレー組立体へ前記処理液を供給する供給槽と、
前記処理室の前記排出口と前記供給槽との間を液体が通じるように連結し、使用済み処理液を前記処理室から前記供給槽へ通す再循環システムとを備える装置。
(項目47)
前記排気部は、実質的に前記処理室本体部の前記第1端部から前記第2端部へ延在し、前記排液溝は、実質的に前記処理室本体部の前記第1端部から前記第2端部へ延在して前記処理室本体部の前記空洞部から処理液を排出する項目46記載の装置。
(項目48)
前記スプレー組立体は、前記処理室本体部の略前記第1端部付近から前記処理室本体部の前記第2端部付近までにわたって延在する項目46記載の装置。
(項目49)
前記多岐管は2つの吸入口を有する項目46記載の装置。
(項目50)
前記2つの吸入口は前記多岐管の互いに反対側の端部に設けられている項目49記載の装置。
(項目51)
前記スプレー組立体は、複数のノズルを有する第1多岐管と、複数のノズルを有する第2多岐管とを備える項目46記載の装置。
(項目52)
前記第1多岐管は互いに反対側に位置する2つの吸入口を有し、前記第2多岐管は互いに反対側に位置する2つの吸入口を有する項目51記載の装置。
(項目53)
前記複数の被処理物を保持するキャリアをさらに備え、当該キャリアは、前記処理室の前記空洞部内に配置される回転組立体の内部に取り出し可能に配置され、前記モータは、前記処理室本体部内で前記回転組立体を回転させるように当該回転組立体を駆動し、当該回転組立体は、前記キャリアと当該キャリアに保持された前記複数の半導体被処理物とに回転運動を付与する項目46記載の装置。
(項目54)
前記キャリアは、当該キャリア内で前記複数の半導体被処理物の端部を保持する複数の位置決め部材を有し、当該位置決め部材は隣り合う被処理物の間に空隙を形成し、それにより前記複数の被処理物が前記キャリア内で独立して回転可能となっている項目53記載の装置。
(項目55)
前記供給槽は、当該供給槽内の処理液の温度を調節する熱交換コイルを有する項目46記載の装置。
(項目56)
前記キャビネット内の受け部に係合し、前記キャビネット内で前記処理室本体部を傾斜して支持する前記処理室本体部の取り付け部材をさらに備える項目46記載の装置。
(項目57)
前記処理室と液体が通じるようになっており、前記半導体被処理物を薄肉化するために前記処理室で用いられる処理液を収容する複数の計量容器をさらに備える項目46記載の装置。
(項目58)
各計量容器に対して設けられ、適切な濃度の薬品を前記供給槽内に維持するために、前記供給槽内に前記処理液を選択的に添加する計量ポンプをさらに備える項目57記載の装置。
(項目59)
前記供給槽と前記処理室との間に、ポンプとフィルタと流量計とをさらに備え、前記ポンプは処理液を前記供給槽から処理室へ供給し、前記フィルタは前記処理室に送られる前記処理液を濾過し、前記流量計は前記処理室へ供給されている処理液の量を計測する項目46記載の装置。
(項目60)
前記供給槽と前記処理室との間に設けられ、前記処理室へ供給される前記処理液中の各流体の濃度を判定する濃度モニタをさらに備える項目59記載の装置。
(項目61)
前記キャビネット内に第2の処理室をさらに備える項目46記載の装置。
(項目62)
前記キャビネット内に設けられ、前記被処理物が薄肉化された後に当該被処理物を乾燥および洗浄する乾燥洗浄室をさらに備える項目46記載の装置。
(項目63)
複数の半導体被処理物を同時に処理する方法であって、
キャリア内に複数の被処理物を置く工程と、
処理室内に前記キャリアを載荷する工程とを備え、前記処理室は、
第1端部と第2端部と外壁と前記第1端部に設けられ空洞部に通じる開口部とを有する処理室本体部と、
前記処理室本体部の前記第1端部に隣接し、前記処理室本体部に接続されて設けられ、かつ扉を有し、当該扉は前記処理室本体部の前記空洞部への前記開口部を閉塞する第1位置から前記処理室本体部の前記空洞部への前記開口部を出し入れ可能にする第2位置へ動く扉組立体と、
前記処理室本体部の前記空洞部の中に処理液を噴霧する複数のノズルに連通する多岐管を有し、当該多岐管は前記処理液を受け入れる第1吸入口とその反対側に位置する第2吸入口とを有するスプレー組立体とを備えており、
前記方法は、
前記処理室の前記空洞部内で前記キャリアを回転させる工程と、
前記複数のノズルから、前記キャリアに保持される前記複数の被処理物の露出部分の上に、処理液を噴霧させる工程とをさらに備える方法。
(項目64)
前記キャリアは複数の位置決め部材を有し、前記複数の被処理物は、前記複数の位置決め部材の間に端部が保持されるように前記キャリアの中に挿入される項目63記載の方法。
(項目65)
前記複数の被処理物の前記複数の保持器は複数のチャックを備え、前記方法は、
前記キャリアの中であって且つその複数の位置決め部材の間に前記複数のチャックを配置する工程をさらに備える項目63記載の方法。
(項目66)
前記チャックは、前記被処理物の裏面の面積の少なくとも95%が露出するように前記被処理物の裏面の周辺部を覆うものである項目65記載の方法。
(項目67)
前記処理室がモータを有し、前記方法は、
前記キャリアを前記処理室内の回転組立体の中に置く工程と、
前記処理室内で前記回転組立体を回転させるように前記モータに電力を供給する工程とをさらに備える項目63記載の方法。
(項目68)
前記キャリアは、少なくとも部分的にはポリ四フッ化エチレンから作られている項目63記載の方法。
(項目69)
前記処理室の前記空洞を同時に排気および排液する工程をさらに備え、前記処理室は、前記処理室本体部の前記第1端部付近から前記処理室本体部の前記第2端部付近へ延在する排気部と、前記処理室本体部の前記第1端部付近から前記処理室本体部の前記第2端部付近へ延在する排液溝とを有する項目63記載の方法。
(項目70)
前記複数の被処理物を薄肉化した後に、当該複数の被処理物を洗浄し且つ乾燥させる工程をさらに備える項目63記載の方法。
(項目71)
前記複数の被処理物を洗浄する前記工程は、脱イオン水を前記複数の被処理物に適用する工程を備える項目70記載の方法。
(項目72)
前記複数の被処理物を乾燥させる前記工程は、イソプロピルアルコールまたは加熱窒素のうちの少なくとも一方を前記複数の被処理物に適用する工程を備える項目70記載の方法。
(項目73)
前記複数の被処理物の上に前記処理液を噴霧させる前記工程は、前記複数の被処理物が前記処理室の中で回転している時に、前記スプレー組立体の前記複数のノズルを通じて前記処理液を前記被処理物の上に噴霧させる工程を備える項目63記載の方法。
(項目74)
前記処理液は、水、過酸化水素、オゾン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、フッ化水素酸、硝酸、硫酸、酸性酸およびリン酸からなる群から選ばれたものである項目73記載の方法。
(項目75)
前記処理室内からの使用済み処理液を再利用する工程をさらに備える項目73記載の方法。
(項目76)
前記キャリア組立体内の前記複数の被処理物の露出部分の上に、前記スプレー組立体から前記処理液を噴霧させる前記工程は、
洗浄溶液で前記処理室内の前記複数の被処理物を予め洗浄して表面の汚染を除去する工程と、
エッチング液を用いて前記処理室内の前記複数の被処理物を化学的にエッチングし、前記複数の被処理物を薄肉化する工程と、
前記処理室内の前記複数の被処理物を洗浄する工程とを備える項目63記載の方法。
(項目77)
前記複数の被処理物を予め洗浄する前記工程は、洗浄溶液を前記被処理物に適用する工程を備える項目76記載の方法。
(項目78)
前記洗浄溶液は、H2O、H2O2およびNH4OHのうちの少なくとも1つを含む項目77記載の方法。
(項目79)
前記キャリア組立体内の前記複数の被処理物を化学的にエッチングする前記工程は、前記処理室内で前記複数の被処理物に粗い化学エッチングを行う工程と、前記処理室内で前記複数の被処理物に精密な化学エッチングを行う工程と、を備える項目76記載の方法。
(項目80)
前記粗い化学エッチングのエッチング速度は、前記精密な化学エッチングのエッチング速度よりも高い項目79記載の方法。
(項目81)
前記複数の被処理物を化学的にエッチングする前記工程は、HF、HNO3およびH3PO4の溶液を前記複数の被処理物に適用する工程を備える項目76記載の方法。
(項目82)
前記複数の被処理物を洗浄する前記工程は、H3PO4の溶液を前記処理室内の前記複数の被処理物に適用する工程を備える項目76記載の方法。
(項目83)
1束の被処理物をまとめて化学的に薄肉化するシステムであって、
少なくとも1つが装置を有する複数の被処理物処理台を備え、前記装置は処理室を備えており、当該処理室は、第1端部と第2端部と外壁と前記第1端部に設けられ空洞部に通じる開口部とを有する処理室本体部と、前記処理室本体部の前記第1端部付近から前記処理室本体部の前記第2端部付近へ延在し、前記処理室の前記空洞部から蒸気を排気する排気部と、前記処理室本体部の前記第1端部付近から前記処理室本体部の前記第2端部付近へ延在し、前記処理室の前記空洞部から処理液を排出する排液溝とを有しており、
前記装置は、
前記処理室の前記空洞部に配置され、複数の被処理物を当該複数の被処理物の周辺部のまわりで保持するキャリアと、
前記処理室本体部の前記第1端部に隣接して設けられ、前記処理室本体部の前記開口部を選択的に閉塞する扉を有する扉組立体と、
前記処理室本体部に接続され、前記キャリアと当該キャリアに保持される前記複数の被処理物とを回転させるモータと、
前記複数の被処理物を薄肉化するために、前記処理室本体部の前記空洞部の中、および前記半導体被処理物の上に、処理液を噴霧するノズルを有し、前記処理室に付随するスプレー組立体とをさらに備えるシステム。
(項目84)
前記キャリアを支持し、前記モータに結合した駆動部材を有する回転組立体をさらに備え、前記モータは、前記回転組立体を回転させるように前記駆動部材に回転運動を付与する項目83記載のシステム。
(項目85)
前記キャリアは複数の位置決め部材を有し、前記複数の被処理物は前記キャリアの前記複数の位置決め部材の間に保持され、前記キャリアは前記回転組立体の内部に配置される項目84記載のシステム。
(項目86)
前記キャビネットの複数の受け部に係合し、前記キャビネット内に前記処理室を傾斜して支持する前記処理室の取り付け部材をさらに備える項目83記載のシステム。
(項目87)
前記スプレー組立体は、前記処理室本体部の前記第1端部に略隣接する部位から前記処理室本体部の前記第2端部付近までにわたって延在し、前記スプレー多岐管は、前記スプレー多岐管の互いに反対側の端部に設けられた2つの吸入口を有する項目83記載のシステム。
(項目88)
前記スプレー組立体は、複数のノズルを有する第2のスプレー多岐管をさらに備え、当該第2のスプレー多岐管は、前記第2の多岐管の互いに反対側の端部に設けられた2つの吸入口を有する項目87記載のシステム。
(項目89)
前記扉組立体は線形のアクチュエータガイドをさらに備え、前記扉は当該線形アクチュエータガイドに従って第1の閉塞位置から第2の開放位置へ動く項目83記載のシステム。
(項目90)
少なくとももう1つの処理台が、二次的な処理室を備える装置を有する項目83記載のシステム。
(項目91)
前記二次的な処理室は、前記複数の被処理物が薄肉化された後に当該複数の被処理物を乾燥および洗浄する乾燥洗浄室を備える項目90記載のシステム。
(項目92)
前記処理室に液体が通じるようになっており、ある容積の前記処理液を収容する供給槽をさらに備える項目83記載のシステム。
(項目93)
前記処理液は、水、過酸化水素、オゾン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、フッ化水素酸、硝酸、硫酸、酸性酸およびリン酸のうち少なくとも1つを含む項目92記載のシステム。
(項目94)
前記排出口と前記供給槽とに液体が通じるようになっており、処理液を前記処理室から前記供給槽へ通す再循環システムをさらに備える項目92記載のシステム。
(項目95)
約150ミクロン未満の厚さを有する本体部と、
前記本体部に接続され約150から725ミクロンの範囲の厚さを有する縁部とを備える半導体被処理物。
(項目96)
前記本体部の厚さは100ミクロン未満である項目95記載の半導体被処理物。
(項目97)
前記本体部の厚さは50ミクロン未満である項目95記載の半導体被処理物。
(項目98)
前記本体部の厚さは25ミクロン未満である項目95記載の半導体被処理物。
(項目99)
前記縁部と前記本体部は一体となっている項目95記載の半導体被処理物。
(項目100)
前記縁部と前記本体部はシリコンからなる項目95記載の半導体被処理物。
(項目101)
前記縁部は約600〜725ミクロンの範囲の厚さを有する項目95記載の半導体被処理物。
(項目102)
前記縁部は約300〜725ミクロンの範囲の厚さを有する項目95記載の半導体被処理物。
(項目103)
裏面の面積BSSAを有する半導体被処理物であって、
前記BSSAの約5%未満を占め、厚さRTを有する縁部と、
RTの約50%よりも小さい厚さMBTを有する本体部とを備える半導体被処理物。
(項目104)
前記縁部は前記BSSAの約3%未満を占める項目103記載の半導体被処理物。
(項目105)
前記縁部は前記BSSAの約1%未満を占める項目103記載の半導体被処理物。
(項目106)
前記MBTは前記RTの約40%未満である項目103記載の半導体被処理物。
(項目107)
前記MBTは前記RTの約30%未満である項目103記載の半導体被処理物。
(項目108)
前記MBTは前記RTの約20%未満である項目103記載の半導体被処理物。
(項目109)
前記MBTは前記RTの約10%未満である項目103記載の半導体被処理物。
(項目110)
前記MBTは前記RTの約5%未満である項目103記載の半導体被処理物。
(項目111)
前記縁部は前記本体部と構造的に一体である項目103記載の半導体被処理物。
(項目112)
裏面の面積BSSAを有する半導体被処理物であって、
前記BSSAの少なくとも95%を占める本体部と、
前記本体部につながっており、前記BSSAの約5%未満を占め、厚さRTを有し、前記本体部と同一の材料で形成されている縁部とを備え、
前記本体部は、前記RTの約50%未満の厚さを有する半導体被処理物。
(項目113)
前記同一の材料はシリコンである項目112記載の半導体被処理物。
(項目114)
前記本体部は、前記RTの約40%未満の厚さを有する項目112記載の半導体被処理物。
(項目115)
前記本体部は、前記RTの約30%未満の厚さを有する項目112記載の半導体被処理物。
(項目116)
前記本体部は、前記RTの約20%未満の厚さを有する項目112記載の半導体被処理物。
(項目117)
前記本体部は、前記RTの約10%未満の厚さを有する項目112記載の半導体被処理物。
(項目118)
表面の面積BSSAを有する半導体被処理物の裏面を薄肉化する方法であって、
前記BSSAの95%以上を露出させて前記被処理物の裏面の周辺部を覆うように構成されたチャックの中に前記半導体被処理物を置く工程と、
前記被処理物の前記露出する裏面を薄肉化して、厚さRTを有する縁部を形成し、前記本体部が前記RTの約50%未満の厚さを有するようにする工程とを備える方法。
(項目119)
前記本体部は前記RTの約40%未満の厚さを有する項目118記載の方法。
(項目120)
前記本体部は前記RTの約30%未満の厚さを有する項目118記載の方法。
(項目121)
前記本体部は前記RTの約20%未満の厚さを有する項目118記載の方法。
(項目122)
前記本体部は前記RTの約10%未満の厚さを有する項目118記載の方法。
(項目123)
前記BSSAの97%以上が露出する項目118記載の方法。
(項目124)
前記BSSAの99%以上が露出する項目118記載の方法。
(項目125)
前記縁部は前記被処理物の前記周辺に形成される項目118記載の方法。
(項目126)
前記RTは200から725ミクロンの範囲にある項目118記載の方法。
(項目127)
前記本体部は約100から120ミクロンの範囲の厚さを有する項目126記載の方法。
(項目128)
前記本体部は約50から100ミクロンの範囲の厚さを有する項目126記載の方法。
(項目129)
前記本体部は約25から50ミクロンの範囲の厚さを有する項目126記載の方法。
(項目130)
前記本体部は約100から120ミクロンの範囲の厚さを有する項目118記載の方法。
(項目131)
前記本体部は約50から100ミクロンの範囲の厚さを有する項目118記載の方法。
(項目132)
前記本体部は約25から50ミクロンの範囲の厚さを有する項目118記載の方法。
(項目133)
厚さWPTを有する半導体被処理物の裏面を薄肉化する方法であって、
前記被処理物の前記裏面が露出するように、チャック本体部の上に前記半導体被処理物を置く工程と、
前記被処理物が前記チャックに固定され且つ前記被処理物の前記裏面の周辺部が保持器で覆われるように、当該保持器を前記チャック本体部に装着する工程と、
前記被処理物の前記露出する裏面を薄肉化して縁部と本体部とを形成し、前記本体部が前記WPTの50%未満の厚さMBTを有するようにする工程とを備える方法。
(項目134)
前記被処理物の前記裏面の前記露出部分を薄肉化する前記工程は、前記被処理物の前記裏面の前記露出部分から半導体材料を、化学エッチングにより除去する工程を備える項目133記載の方法。
(項目135)
前記被処理物の前記裏面の前記露出部分を薄肉化する前記工程は、前記被処理物の前記裏面の前記露出部分を研磨する工程を備える項目134記載の方法。
(項目136)
厚さWPTを有する半導体被処理物の裏面を薄肉化する方法であって、
前記被処理物の前記裏面の本体部が露出するように、前記被処理物の前記裏面の周辺部を囲むように構成されたチャックの上に前記半導体被処理物を置く工程と、
前記チャックと前記被処理物とを処理容器の中に置く工程と、
前記被処理物の前記裏面の前記露出する本体部に処理液を適用して、前記WPTの50%未満となるように前記本体部を薄肉化する工程とを備える方法。
(項目137)
前記露出する本体部に処理液を適用する前記工程は、前記被処理物の前記裏面の前記本体部の上に処理液をノズルから噴霧する工程を備える項目136記載の方法。
(項目138)
前記露出する本体部に処理液を適用する前記工程は、前記露出する本体部をある容積の前記処理液の中に浸漬する工程を備える項目136記載の方法。
(項目139)
前記処理液は、水、過酸化水素、オゾン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、フッ化水素酸、硝酸、硫酸、酸性酸およびリン酸からなる群から選ばれたものである項目136記載の方法。
(項目140)
前記被処理物を薄肉化した後に当該被処理物の前記本体部を洗浄する工程をさらに備える項目136記載の方法。
(項目141)
前記洗浄工程は、前記被処理物を薄肉化した後に当該被処理物の前記本体部にリン酸を適用する工程を備える項目140記載の方法。
(項目142)
前記薄肉化した被処理物を乾燥させる工程をさらに備える項目140記載の方法。
(項目143)
前記処理液を、前記露出する本体部に第1のエッチング速度で適用し、その後に第2のエッチング速度で適用する項目136記載の方法。
(項目144)
前記第1のエッチング速度は前記第2のエッチング速度よりも高い項目143記載の方法。
(項目145)
前記被処理物の前記本体部の前記厚さを計測する工程をさらに備える項目136記載の方法。
(項目146)
前記処理液は、流量、濃度および温度を有し、前記方法は、前記処理液の前記流量、濃度および温度のうちの少なくとも1つを監視する工程をさらに備える項目136記載の方法。
(項目147)
前記半導体被処理物の裏面を薄肉化する方法であって、
前記半導体被処理物をチャックの上に置く工程と、
前記保持器を前記チャックに装着することにより、前記被処理物の前記裏面の本体部が露出するように、前記被処理物を前記チャックに固定し且つ前記被処理物の前記裏面の周辺部を囲む工程と、
前記チャックを前記キャリアの中に配置する工程と、
前記キャリアを処理容器の中に載荷する工程と、
前記処理容器内の前記チャックを回転させる工程と、
前記チャックが回転するときに前記被処理物の前記裏面の前記露出する本体部に処理液を適用することにより、前記被処理物の前記裏面の前記本体部をある厚さにまで薄肉化し、且つ前記本体部の厚さより大きい厚さを有する縁部を形成する工程とを備える方法。
(項目148)
素子面と裏面と内側領域と外周領域と厚さWPTを有する半導体被処理物を準備する工程と、
前記半導体被処理物の前記裏面の前記外周領域を遮蔽する工程と、
前記半導体被処理物の前記裏面の前記内側領域を処理液に晒すことにより、前記内側領域を0.5×WPT未満の厚さにまで薄肉化する工程とにより製造された半導体被処理物。
(項目149)
前記内側領域が0.4×WPT未満の厚さにまで薄肉化されている項目148記載の半導体被処理物。
(項目150)
前記内側領域が0.3×WPT未満の厚さにまで薄肉化されている項目148記載の半導体被処理物。
(項目151)
前記内側領域が0.2×WPT未満の厚さにまで薄肉化されている項目148記載の半導体被処理物。
(項目152)
前記半導体被処理物の前記裏面の前記内側領域を前記処理液に晒すことにより前記内側領域を薄肉化する前記工程は、前記半導体被処理物の前記外周領域に縁部を形成する項目148記載の半導体被処理物。
(項目153)
前記縁部は実質的にWPTと同一の厚さを有する項目152記載の半導体被処理物。
(項目154)
前記縁部は、前記半導体被処理物の前記外周領域の処理前の構成と実質的に同一の構成を有する項目152記載の半導体被処理物。
(項目155)
前記縁部は前記半導体被処理物と構造的に一体である項目152記載の半導体被処理物。
(項目156)
素子面と面取り部と裏面とを有する半導体被処理物であって、
シリコンからなり、厚さWPTを有する半導体被処理物を準備する工程と、
本体部と保持器とを有するチャックの上に、前記素子面を下にして前記半導体被処理物を置く工程と、
前記保持器が前記面取り部の周りに張り出し且つ前記被処理物の前記裏面の周辺部を遮蔽するように前記保持器を前記本体部に係合させる工程と、
前記半導体被処理物の前記裏面の内側領域を露出させる工程と、
前記半導体被処理物の前記裏面の前記露出する内側領域に処理液を適用することにより、前記内側領域を0.50×WPT未満の厚さに薄肉化し、且つ前記WPTと実質的に同一の厚さを有するシリコンからなる縁部を形成する工程とを備える方法に従って薄肉化された半導体被処理物。
考案の記述された局面のいずれも、最適な結果を得るために、組合せることができ、および/または1回ないしより多くの回数まで繰り返すことができる。本考案は、記述された局面のサブコンビネーションにも存在する。本考案におけるこれらおよびその他の目的、特徴および効果は、添付の図面を参照することにより、本考案の好ましい実施の形態についての以下の記述から明らかとなる。
A.半導体被処理物を支持するチャック
図1A〜1Eを参照しつつ、本考案の1つの実施の形態による処理の間に半導体被処理物50を支持するチャック10について説明する。チャック10は、支持本体部12、保持器14および封止部材16、24からなる。保持器14は、2本の溝すなわち後退部18を有している。封止部材16、24は、それぞれ環状溝18に収納されている。保持器14は、好ましくは環状であり、着脱可能に支持本体部12に装着されている。使用時には、装置面51、面取り部(すなわち、周辺端部)52および裏面53を有する被処理物50が、チャック50の支持本体部12の支持面18の上に、素子面51を下にして置かれる。その後に、保持器14が支持本体部12の外周部に装着される。図1Cに示すように、保持器14は支持本体部12に係合するときに、支持本体部12の外端部の周りを包囲し、被処理物50の裏面53の周辺部を覆うことにより、被処理物50をチャック10の中に固定する。
図1A〜1Eを参照しつつ、本考案の1つの実施の形態による処理の間に半導体被処理物50を支持するチャック10について説明する。チャック10は、支持本体部12、保持器14および封止部材16、24からなる。保持器14は、2本の溝すなわち後退部18を有している。封止部材16、24は、それぞれ環状溝18に収納されている。保持器14は、好ましくは環状であり、着脱可能に支持本体部12に装着されている。使用時には、装置面51、面取り部(すなわち、周辺端部)52および裏面53を有する被処理物50が、チャック50の支持本体部12の支持面18の上に、素子面51を下にして置かれる。その後に、保持器14が支持本体部12の外周部に装着される。図1Cに示すように、保持器14は支持本体部12に係合するときに、支持本体部12の外端部の周りを包囲し、被処理物50の裏面53の周辺部を覆うことにより、被処理物50をチャック10の中に固定する。
保持器14は、好ましくは係合したときに、被処理物50の裏面53のわずかな周辺部のみを覆い、被処理物50の裏面53の大部分を露出したままにする。1つの好ましい実施の形態では、保持器14によって覆われる裏面53の表面領域は、面取り部52から内側に約1〜10mmの距離まで延び、より好ましくは約1〜5mmにあり、特には約2〜4mmの間にある。好ましくは、被処理物50の裏面53の面積の少なくとも95%(あるいは、さらには97%ないし99%)が露出したままとなる。被処理物50の裏面53の露出部は、その後に処理液の適用を受け、望ましい厚さにまで薄肉化される。薄肉化される間、被処理物50の裏面53の周辺部が覆われるので、処理液は被処理物50の裏面53の周辺部に作用を及ぼさない。したがって、被処理物50の裏面53の周辺部は、実質的に、薄肉化の前と同一の形状、構造および厚さのままで残る。本考案の目的のために、薄肉化の後に被処理物50の周辺部に残る半導体材料は、縁部と称される。薄肉化された被処理物50に強度を付与し、本考案による処理が施される薄肉化された半導体被処理物50を、自動取扱設備が取り扱うのを可能にするのは縁部である。
図1Dおよび1Eに移って、支持本体部12への保持器14の装着を容易にするために、保持器14は、支持本体部12に形成された後退部22と協働する係合部材20を有している。このようにして、保持器14と支持本体部12との間の簡単で機械的なスナップ結合が実現する。図1A〜1Dには示さないが、本考案は、係合部材20が支持本体部12から延び、保持器14に形成された後退部22と協働することにより、着脱可能に保持器14と支持本体部12とを結合する構成を含んでいる。いずれの構成においても、好ましくは、係合部材20と後退部22とは、第1および第2の封止部材16、24の間に配置される。
図1Cを参照して、保持器14は、傾斜面32が形成された外周端部30を有している。保持器14が支持本体部12に装着されるときに、保持器14の外周端部30の傾斜面32は、支持本体部12の外周端部にある傾斜面34と一緒になって、ノッチ36を形成する。ノッチ36は、工具(不図示)を受け入れて、保持器14を支持本体部12から取り外すのを容易にする。
図1Eに移って、支持本体部12は、その周囲に縁あるいは段差26を有している。縁26は、被処理物50がチャック10に載荷されるときに、被処理物50を位置合わせ、あるいは案内する役割を果たす。被処理物50は、適切に位置合わせされると、支持本体部12の支持面28の上に全体が納まる。チャック10は、どのような形状(例えば、正方形、長方形、円形、その他)であっても良いが、図1A〜1Eに示すように、好ましい実施の形態においては、チャックは、円盤状であり、処理すべき被処理物50の直径よりもわずかに大きい直径を有することになろう。
図2A〜2Bを参照して、本考案によるチャック10の別の実施の形態について説明する。図1A〜1Eに示したチャック10と同様に、チャック10は支持本体部12と保持器14とを含んでいる。保持器14は、環状溝18、38内に設けられた第1および第2の封止部材16、24を有している。しかし、図2A〜2Bに例示される実施の形態における機械的装着機構は、図1A〜1Eに示した機構とはわずかながら異なっている。係合部材20は、支持本体部12の外周部から張り出している。同様に、保持器14は支持本体部12の係合部材20と協働する後退部22を有し、保持器14を支持本体部12に装着するための簡単なスナップ係合を実現する。保持器14の上部は、封止部材16を含んでおり、係合部内にある被処理物50の裏面53の禁止領域を覆っている。この好ましい実施の形態では、保持器14は、チャック10に形成された空洞部から処理液が逃げることができるように、複数のリンス孔40を有している。係合部材20と機械的スナップ結合を実現する保持器14の下部42は、支持本体部12の下部46と一緒に環状後退部44を形成している。工具(不図示)を環状後退部44に挿入することができ、それにより、処理が完了した後に、チャック10の支持本体部12から保持器14を簡単に取り外すことができる。
2つの封止部材16、24を有する実施の形態(図1A〜1Eおよび2A〜2Bに開示)では、封止部材16は、被処理物50と保持器14との間の柔軟な接触と封止とを実現し、それにより処理液が被処理物50の素子面51と面取り部52とに侵入するのを防いでいる。柔軟な接触によって、さらに、チャック10の組み立ておよび分解の際に被処理物50に作用する応力が、ある程度緩和される。また、封止部材24により、保持器14と支持本体部12との間に柔軟な接触が実現し、同様に、チャック10の組み立ておよび分解の際に被処理物50に作用する応力がある程度緩和される。
図3A〜3Bから図7A〜7Bを参照して、単一の封止部材16のみを有する様々なチャック10の設計について説明する。特に、図3A〜3Bには、保持器14、支持本体部12、および図2A〜2Bに示し且つ上に述べた係合機構と同様の係合機構を有するチャック10を例示している。しかし保持器14は、封止部材16を収容するように構成された単一の環状溝18のみを有している。この実施の形態では、環状溝18はV字状であり、正方形状の圧縮性封止部材16を受け入れる。好ましくは、正方形状の封止部材16は、溝18に確実に且つ適切に嵌め込まれるように、4つの角のそれぞれから突起した半円形状の張り出し部を有する。
図4A〜4Bおよび5A〜5Bは、支持本体部12の底外周部の周囲に取り付けられた係合環48を有するチャック10を示している。係合環48は、支持本体部12から径方向外側に張り出しており、支持本体部12と係合環48との間に段のある関係を形成し、係合部材20を形成している。保持器14は、自身の中にU字状の後退部22を形成した下部42を有している。U字状の後退部22は、係合部材20を受け入れる。保持器14の下部42は、係合部材20の周りを包囲し、保持器14と支持本体部12の係合環46との間の機械的スナップ結合を形成する張り出し部49を有している。図4A〜4Bにおいて、保持器14は、頭部と底部とを有する封止部材16を受け入れる2段階の環状溝18を有している。封止部材16の頭部は、環状溝18の1つの段に挿入するためのある幅を有し、底部は、環状溝18の第2の段に挿入するための第2の幅を有している。図5A〜5Bにおいて、保持器14は、封止部材16を収容するV字状の環状溝18を有しており、この実施の形態では、封止部材16は圧縮性のO−リングである。
図6A〜6Bは、本考案によるチャック10の別の好ましい実施の形態を例示する。この実施の形態では、保持器14の下部42は内側壁60を有しており、この内側壁60には自身から外側に張り出している凸部62を有している。支持本体部12は端部壁64を有しており、この端部壁64は、保持器14の下部42の内側壁60に形成された凸部62を受け入れる凹部66を有している。このようにして、保持器14は支持本体部12と係合し、チャック10の支持面28の上に被処理物50を固定する。
単一の封止部材16のみを有する実施の形態(図3A〜3Bから6A〜6Bに開示)では、封止部材16は、被処理物50と支持本体部12との間の柔軟な接触を実現し、それにより被処理物50の素子面51と面取り部52とに処理液が作用するのを防止し、且つ組み立て/分解処理の際に被処理物に作用する応力を緩和する。
図7A〜7Bに移って、先の実施の形態の保持器14と封止部材16とを組み合わせたチャック10の好ましい実施の形態について説明する。この実施の形態では、保持器14は単一の部品である圧縮性の輪環であり、この輪環は、保持器14の中央に周に沿って形成された環状溝18を有している。支持本体部12は外端部13を有しており、この外端部13は、保持器14の環状溝18の中に挿入される。保持器14によって支持本体部12と被処理物50とに加えられる圧縮力により、保持器14は支持本体部12に係合した状態を維持する。装着された位置では、被処理物50の外周部(例えば、禁止領域)は、やはり環状溝18内に位置する。この好ましい実施の形態において、保持器14は、被処理物50の裏面53との間の封止を実現し、処理が行われる際に、被処理物50の面取り部52および素子面51に処理液が侵入するのを防止する。
本考案によるチャック10の実施の形態に用いるのに適した材料について説明する。一般的には、チャック10は、安定していて高度に化学的耐性のある数多くのポリマー材料から作ることができる。好ましくは、支持本体部12は、ポリ四フッ化エチレンを含んでおり、保持器14は、好ましくはフルオロポリマーであり、例えばAtofina Chemicals社からKYNARという商品名で販売されているポリフッ化ビニリデンである。図7A〜7Bに例示される実施の形態では、保持器14は好ましくは、フルオロポリマーよりも小さく、且つ封止部材について以下で述べるエラストマー系材料よりも大きいデュロメータ硬さを有する材料により形成される。すなわち、被処理物50を封止するほどに十分な圧縮性を有し、同時に、保持器14が支持本体部12を受け入れる構造を実現するのに十分な剛性を有する材料である。本考案のいずれの実施の形態においても、保持器14の支持本体部12への装着性を向上させるためには、支持本体部12は、保持器14を形成する材料のデュロメータ硬さよりも大きいデュロメータ硬さを有する材料からなるのが望ましい。
図1A〜1E、2A〜2B、5A〜5Bおよび6A〜6Bに例示するように、封止部材16、24は、好ましくは「O−リング」のような形状をなすが、他の形状も同様に使用可能であることが予期されている(例えば、図3A〜3Bおよび4A〜4Bに示している)。封止部材16、24は、好ましくはデュロメータ硬さが50以上である圧縮性材料から形成される。適切なエラストマー系材料について具体例として、DuPont社からKalrezの商品名で販売されている過フルオロエラストマー、Greene、Tweed&Co.社からChemrazという商品名で販売されている過フルオロエラストマー、DuPont社からVitonという商品名で販売されているフルオロエラストマー、およびEPDMという商品名で販売されている炭化水素エラストマーが挙げられる。
B.単一の半導体被処理物を薄肉化する方法
本考案による被処理物の薄肉化方法に移って、図8は、被処理物50の裏面53を薄肉化するのに上述のチャック10と被処理物50を用いるときに実行される方法についての1つの実施の形態を例示するものである。ステップ200では、素子面51、面取り部52および裏面53を有する被処理物50が準備される。被処理物50の裏面53は、その寸法によって決められた面積を有するであろう。同時に、処理物50は決められた厚さを有している。
本考案による被処理物の薄肉化方法に移って、図8は、被処理物50の裏面53を薄肉化するのに上述のチャック10と被処理物50を用いるときに実行される方法についての1つの実施の形態を例示するものである。ステップ200では、素子面51、面取り部52および裏面53を有する被処理物50が準備される。被処理物50の裏面53は、その寸法によって決められた面積を有するであろう。同時に、処理物50は決められた厚さを有している。
ステップ210では、チャック10の支持本体部12に素子面51が直接隣接するように、被処理物50がチャック10の支持面28の上に置かれる。保持器14が、支持本体部12に装着され、それにより、被処理物50の裏面53の周辺部(例えば、被処理物50の禁止領域)が覆われる。ステップ210では、被処理物50がチャック10に固定される。チャック10の構成により、保持器14が支持本体部12に装着されると、ステップ220で裏面53の面積の大部分(好ましくは、95%以上、より好ましくは97%以上、特に99%以上)が露出し、その一方で、被処理物50の裏面53のわずかな周辺部が覆われる。
その後、ステップ230において、被処理物50の露出する裏面53に処理液を適用することにより、被処理物50が望みの厚さに薄肉化される。保持器14が重なり合う構成を有しているために、ステップ240で被処理物の露出する裏面53を薄肉化することにより、被処理物50に縁部および本体部が形成される。縁部は被処理物50の外周部に形成されて厚さRTを有し、被処理物50の本体部は厚さMBTを有する。図8に示す好ましい実施の形態では、MBTはRTの約50%未満である。望まれるMBTは、好ましくはRTの約40%未満であり、より好ましくは、RTの約30%未満であり、特にRTの約20%未満であり、さらにはRTの約10%未満である。被処理物50の薄肉化の後に、RTは薄肉化処理前の被処理物50の厚さと実質的に同一となるはずである点を理解すべきである。したがって、従来の200mmおよび300mm被処理物に対して、薄肉化後のRTは、725ミクロンとなる。また、従来の150mm被処理物の薄肉化後のRTは、約650ミクロンとなる。
しかし、例えば機械研磨など、他の何らかの方法により先に薄肉化されている被処理物50を処理することも、本考案の範囲内である。したがって、150〜725ミクロンのいずれの厚さを持った被処理物50であっても、本考案によって薄肉化することができ、被処理物50と実質的に同じ厚さの範囲にあるRT(すなわち、約150〜725ミクロン、あるいはさらに約600〜725、あるいはさらに約300〜725)を有する縁部と、約25〜300ミクロンの範囲、好ましくは約100〜125ミクロンの範囲、より好ましくは約50〜100ミクロンの範囲、特に約25〜50ミクロンの範囲のMBTを有する本体部とを有する被処理物50を形成することができる。
図9に移って、上に述べたチャック10が被処理物50の薄肉化に用いられるときに実行される可能性のある別の実施の形態による方法について説明する。ステップ300では、厚さWPTを有する被処理物50が準備される。被処理物50は、素子面51、面取り部52および裏面53を有するものである。ステップ310では、チャック10の支持本体部12に素子面51が直接隣接するように、被処理物50がチャック10の上に置かれる。ステップ320では、保持器14が支持本体部12に装着され、それにより、被処理物50の裏面53の周辺部が覆われる。このステップでは、被処理物50がチャック10に固定される。チャック10の構成により、保持器14が支持本体部12に装着されると、覆われている禁止領域を除いて、実質的に被処理物50の裏面53のすべてが露出する。
図9をさらに参照して、ステップ330では、チャック10と被処理物50とが処理室内に置かれる。処理室は手動または自動であり、好ましくは、モンタナ州カリスペルのSemitool,Inc.社から入手可能なものと同様のスプレー・アシッド・ツール処理台の中に置かれる。一旦処理室内に置かれると、ステップ340において、被処理物50の露出する裏面53に処理液が適用される。ステップ340の薄肉化処理は、好ましくは、従来のウェット化学エッチング処理または研磨処理を含んでいる。いずれの処理においても、処理液は、好ましくは脱イオン水、過酸化水素、オゾン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、フッ化水素酸、硝酸、硫酸、酸性酸およびリン酸のうちの1つまたは組合せからなる。他の多くの酸性および塩基性の溶液も、取り扱うべき特定の表面に応じて、また、除去すべき材料に応じて使用することが可能である。
従来のどのような方法によっても、処理液を被処理物50に適用することができる。しかし1つの好ましい実施の形態では、単一または複数のノズルから被処理物50の裏面53の上に処理液を噴霧する。別の好ましい実施の形態では、チャック10と被処理物50とを、ある容積の処理液の中に浸漬し、あるいは、複数容積の(異なる濃度または温度の)同一の処理液または異なる処理液の中に、次々と浸漬する。
除去すべき材料の組成、および除去すべき材料の量(すなわち、被処理物の望ましい最終的な厚さ)に依存して、処理液には、望ましい濃度、温度および流量がある。これらの処理液に関する変数を監視し、維持することにより、被処理物50の露出する裏面53に処理液を第1のエッチング速度で適用し、その後に第2のエッチング速度で適用することができる。好ましくは、第1のエッチング速度は第2のエッチング速度よりも高い。すなわち半導体材料は、最初は速くエッチング除去され、その後に、被処理物50の厚さが望みの厚さに達するように、緩やかに除去される。
図9のステップ350を参照して、薄肉化処理により、縁部70と本体部72とが被処理物50の中に形成される。薄肉化処理は、本体部72が望みの厚さMBTに達するまで行われる。好ましくは、MBTはWPTの50%未満であり、より好ましくはWPTの40%未満であり、さらに好ましくはWPTの30%未満であり、特にWPTの20%未満であり、特に望ましくはWPTの10%未満である。半導体被処理物50の本体部72の厚さは、薄肉化処理の全体を通じて計測するのが望ましい。それは、従来の赤外線監視技術を処理室内に応用することによっても、例えば容量計測技術といった他のどのような周知の計測技術によっても、実現することができる。もしも必要であれば、上に述べた処理液の変数は、被処理物の厚さを継続して監視することによって、調節することが可能である。
ステップ360では、薄肉化した被処理物50を洗浄し、乾燥させる。例えば、被処理物は、洗浄工程で脱イオン水、硝酸またはリン酸の流れを使って噴霧することができ、その後に、周知の乾燥技術のうちの1つ以上のどのような技術を適用することも可能である。最後に、被処理物50が、チャックから取り外され(ステップ370)、薄肉化した被処理物50が、複数のチップを得るように賽の目に切り出される(ステップ380)。
C.半導体被処理物を薄肉化するための一括処理室およびシステム
本考案によれば、半導体被処理物50の薄肉化は、単一の被処理物50に対して行うこともできるが、複数の被処理物50に対して同時に行うことも可能である。複数の被処理物50を薄肉化するときには、まず各被処理物50を対応するチャック10の中に置いてから、複数のチャック10と被処理物50とをキャリアの中に配置するのが望ましい。このようなキャリアとして、例えば同時係属中の米国特許出願第10/200,074号及び10/200,075号に開示されるキャリアが挙げられる。これらの出願の開示内容は、参照することにより本出願に組み込まれる。一旦、複数の被処理物50(および付随するチャック10)がキャリアの中に配置されると、その後、キャリアが処理容器の中に載荷され、複数の被処理物50の露出する裏面53に処理液が適用される。被処理物50に処理液が適切に適用されることを確実なものとするためには、薄肉化処理の間に処理容器の中で、チャック10またはキャリア、あるいはそれら双方を回転させるのが望ましい。処理容器は、独立した装置であってもよく、さらに大きい被処理物50薄肉化システムを構成する複数の処理台のうちの1つであっても良い。
本考案によれば、半導体被処理物50の薄肉化は、単一の被処理物50に対して行うこともできるが、複数の被処理物50に対して同時に行うことも可能である。複数の被処理物50を薄肉化するときには、まず各被処理物50を対応するチャック10の中に置いてから、複数のチャック10と被処理物50とをキャリアの中に配置するのが望ましい。このようなキャリアとして、例えば同時係属中の米国特許出願第10/200,074号及び10/200,075号に開示されるキャリアが挙げられる。これらの出願の開示内容は、参照することにより本出願に組み込まれる。一旦、複数の被処理物50(および付随するチャック10)がキャリアの中に配置されると、その後、キャリアが処理容器の中に載荷され、複数の被処理物50の露出する裏面53に処理液が適用される。被処理物50に処理液が適切に適用されることを確実なものとするためには、薄肉化処理の間に処理容器の中で、チャック10またはキャリア、あるいはそれら双方を回転させるのが望ましい。処理容器は、独立した装置であってもよく、さらに大きい被処理物50薄肉化システムを構成する複数の処理台のうちの1つであっても良い。
次に図12、13および27を参照して、被処理物412を処理するための機械ないし装置410について説明する。装置410は、好ましくは第1の処理モジュール416と第2の処理モジュール418とを収納するキャビネット414を含んでいるが、処理が未完の被処理物のためのポッドあるいはモジュールを装置410に追加し得ることが理解される。第1の処理モジュール416は、代表的には図14に示す処理室420のような半導体被処理物412を薄肉化するための処理室であり、第2の処理モジュール418は、代表的には被処理物412を薄肉化した後に乾燥および洗浄を行うための乾燥洗浄室422である。装置410は電子制御領域425をも有しており、この電子制御領域425は、制御盤424、表示装置426、およびシステムの動作を制御および監視するプロセッサといった機器が付属している。それに加えて、装置410は、処理ポッドに被処理物を収容する別のモジュール427を有する。システムの他の特徴および部品については、以下に詳細に説明する。
上に説明したように、このシステムは、複数の被処理物412を処理室420の中で薄肉化する。好ましい実施の形態では、各被処理物412は、処理室420の中に置く前に、処理のための個別のチャック430に取り付けられる。被処理物と様々なチャックの構成との間の配置については、図1〜7とともに既に詳細に説明している。取り付けられた複数の被処理物を、その後、複数の被処理物412を保持するためのキャリア組立体452の中に配置する。図15〜16を参照して、キャリア組立体452は、おおよそ被処理物412をその周辺部で保持する。この実施の形態では、キャリア組立体452は、互いに接続されてキャリア組立体452を形成する第1のキャリア部材454と第2のキャリア部材456とを備えている。約25枚の被処理物412を、キャリア組立体452の中に保持することが可能である。各キャリア部材454、456は、キャリア組立体452に剛性を付与する複数の支持脚458を有している。好ましい実施の形態では、図15に示すように各キャリア部材454、456は、径方向に延び、概ね等間隔で配置される4本の支持脚458を有している。支持脚458の間に隙間があるために、処理室420の中の被処理物412に処理液が到達することができる。さらに、支持脚458には、キャリア部材454、456の重量を軽減するために、複数の孔460が開けられている。図15に示すように、第1および第2のキャリア部材454、456が結合したときには、第1および第2の係合部材457、459がキャリア組立体452から張り出す。係合部材457、459は、回転組立体474(後に説明する)と係合し、キャリア組立体452を回転組立体474内の所定の位置に保持する。
キャリア組立体452は、中心空洞領域462を有している。中心空洞領域462の周囲において、キャリア組立体452は、半導体被処理物412をキャリア組立体452内に位置決めし且つ保持する複数の位置決め部材464を有している。位置決め部材464は、おおよそ支持脚458から径方向内側に延びている。したがって、位置決め部材464は、キャリア組立体452の中で隣接する被処理物412の間に空隙を形成し、それにより被処理物412の裏面全体に処理液が作用することを可能にしている。図16に最も良く表されているように、位置決め部材464は、既に説明したようにチャック430に取り付けられた被処理物412を、キャリア組立体452の中で端部で保持することを可能にする。それにも拘わらず、位置決め部材464の位置関係のために、被処理物412はキャリア組立体452内に配置されたときに、径方向と回転方向との双方に、わずかながら自由に動くことができる。したがって、各被処理物412は、キャリア組立体452内で、ある程度独立して回転することができる。キャリア組立体452は、代表的には、ポリ四フッ化エチレンまたはステンレス鋼から作られる。好ましい実施の形態では、キャリア組立体452はポリ四フッ化エチレンから作られる。
別のキャリア組立体466を図17に示す。この実施の形態では、キャリア組立体466は、第1の端板468と、第2の端板470と、第1の端板468と第2の端板470の間に延在する複数の連結部材472とを有している。少なくとも1本の連結部材472は、それに依存するともに径方向内側に延びてキャリア組立体466内で被処理物412を位置決めし且つ保持する位置決め部材464を有している。上に述べたキャリア組立体452の場合と同様に、キャリア組立体466内の位置決め部材464は、チャック430に固定された被処理物412を、キャリア組立体468の中で端部で保持することを可能にする。さらに、上に述べたキャリア組立体の場合と同様に、位置決め部材464は、被処理物412が、キャリア組立体466内に位置決めされたときに、径方向と回転方向との双方にわずかながら自由に動くことを可能にする。キャリア組立体452、466は、様々な寸法の被処理物412を処理するのに使用することができるが、代表的には1つの寸法の被処理物412、例えば直径200mmまたは300mmの半導体ウエハを処理するように構成される。
適切なキャリア組立体(例示の目的で、以下の説明ではキャリア組立体452を用いることとする)は、被処理物412が載荷された後に、処理室420の空洞部506内に収容される回転組立体474の中にはめ込まれる。回転組立体474の一例を図18および19に示し、キャリア組立体452が載荷された回転組立体474の一例を図14に示す。概略的に述べると、回転組立体474は、略円筒状の回転部476、略円形の基板478および駆動軸480を備えている。回転部476は、外側環482、基部484、および基部484と外側環482との間に延在する複数の連結部材486を有している。基部484の内側と連結部材486と外側環482との間に、空洞部488が規定されている。空洞部488は、キャリア組立体452を受け入れるような形状をなしている。駆動軸480は駆動板490に接続され、当該駆動板490は駆動軸480とともに回転する。同様に、複数の補助駆動棒492が駆動板490に接続されている。駆動棒492は、接続部材486の中を通るように延びており、それにより回転組立体474の駆動を可能にしている。代表的には、回転部476はポリ四フッ化エチレンから作られるが、他の材料も許容される。加えて、十分な剛性を維持しつつ重量を軽減するために、補助駆動棒492は、カーボン・グラファイトから作られる。駆動軸480と駆動板490とは、代表的にはステンレス鋼、あるいは他の適切な材料から作られる。回転組立体474の内側部品へ処理液が侵入しないことを確実なものとするために、封止部材494が用いられる。
図14と22を参照して、キャリア組立体452は、処理室420の空洞部506内に置かれた回転組立体474に載荷される。処理室420は処理室本体部496を備えており、この処理室本体部496は、第1端部498と、第2端部500と、外壁502と、処理室本体部496の第1端部498に設けられ処理室420の空洞部506に通じる開口部504とを有している。空洞部506は、複数の被処理物412が載荷されたキャリア組立体452で満たされる回転組立体474を収容する形状をなしている。処理室本体部496は、処理室本体部496の第1端部498につながる分轄リング組立体497を有していても良い。好ましい実施の形態では、処理室本体部496は、例えば厚さ約25mmなど、相当に厚いポリ四フッ化エチレンから作られている。この材料は、エッチング/薄肉化処理で用いられる様々な腐食性で苛性のエッチング剤に対して実質的に不活性である。しかし、同様の性質を有するものであれば、他の材料も裏張りとして用い得ることが理解される。代わりに、処理室420は、このような材料で作られた裏張り507を有していても良い。
処理室420は、扉組立体508およびモータ組立体512を含めて、自身に接続された様々な組立体をも有している。図14および21に示すように、モータ組立体512は概ね、モータ514と取り付け板516とを備えている。モータ514は、取り付け板516に接続され、同様に取り付け板516は処理室420の処理室本体部496の第2端部500に接続されている。好ましい実施の形態では、モータ512は、ブラシレスDCサーボモータを備えている。図23に示すように、回転組立体474の駆動軸480は、処理室本体部496の第2端部500に形成された孔518を通過して、処理室420の外側に延びている。駆動軸480は、モータ514の中に挿入され、それによりモータ514が駆動軸480を駆動する、すなわち回転運動を付与することを可能にしている。したがって、回転組立体474の駆動軸480を通じて、モータ514はキャリア組立体452とその中に置かれた被処理物412とを回転させることが可能となっている。
処理室420は、処理液を処理室の中に噴出するスプレー組立体510をも含んでいる。好ましい実施の形態では、スプレー組立体510は、処理室420と一体となっている。好ましい実施の形態では、図14および20〜24に示すように、スプレー組立体510は、処理液をより均一に供給するために、二重に重複した1対のスプレー多岐管520を有している。多岐管520の各々は、2つの吸入口521と、ノズル受け部523に位置する複数のノズル522と、複数の開口部525とを有しており、当該開口部525を通じてノズル522から処理室420の中に処理液が噴霧される。図24に示すように、多岐管520は、供給槽546から処理液の供給を吸入口521で受け、この処理液を多岐管520の長さに沿って複数のノズル522へ分配する。ノズル保持部524は、ノズル522を覆っている。ノズル522は、回転組立体474によって回転している時に、処理室420の空洞部506の中、およびキャリア組立体452に保持された被処理物の露出部の上に、処理液を噴霧する。
好ましい実施の形態では、各多岐管520は、処理室420の第1端部498と第2端部500との双方に吸入口521を有しており、さらに実質的に処理室420の全長にわたって延在するノズル522を有している。これにより、多岐管520に対して反対の方向に、処理液の二重の吸入口が設けられる。多岐管520に処理液の二重の吸入口を設けることにより、多岐管520にわたる圧力降下を軽減し、処理室420に導入される液体の流量あるいは容積を増大させることができる。
図20を参照して、扉組立体508は、処理室420の空洞部506の中への出し入れを可能にするために、処理室本体部496の第1端部498に隣接して張り出している。扉組立体508は、好ましくは、処理室420の第1端部498との封止を実現する。図20に示すように、扉組立体508は概ね、支持板526、前面パネル板528、扉530、および1対の線形の軌道または案内532を備えている。好ましい実施の形態では、線形軌道532は線形のアクチュエータを備えている。支持板526は、扉組立体508を処理室420に固定するために、処理室本体部496に接続されている。前面パネル板528は、支持板526の下方に延び、線形アクチュエータ532の下端部を支持する。線形アクチュエータ532は、扉530を支持し、扉530が第1の位置から第2の位置へ移動することを可能にする。第1の位置では、扉530は処理室本体部496の空洞部506へ通じる開口部504を密閉し、第2の位置では(図20に示すように)空洞部506は出し入れ可能となる。扉530はさらに、処理室420の中を目視検査できるように、窓534を有しても良い。
図13に最も良く示すように、処理室420は概ね、機械410のキャビネット414内に傾斜角をもって固定されている。好ましい実施の形態では、処理室420は、処理室本体部596の両側に取り付け部材536を有している。取り付け部材536は、機械410の受け部(不図示)と係合して処理室420を支持する。この実施の形態では、取り付け部材536は、雄型の係合部材として機能し、受け部は雌型の係合部材として機能する。しかし、処理室本体部496上の取り付け部材536が雌型であって機械410の受け部が雄型である形態を含めて、他の種類の取り付け形態も、本考案の範囲を逸脱することなく可能であることが理解される。
処理室420は水平に配向していても良いが、傾斜角をもって配向するのが好ましい。好ましい実施の形態ではさらに、処理室本体部496の第1端部498は、例えば5から30°、最も好ましくは約10°の角度をもって上向きに傾斜し、それにより、処理室420の第1端部498が処理室420の第2端部500よりも高い位置にある。このような配向を実現するために、好ましい実施の形態では、キャビネット414内の受け部は、適切な傾斜角をもって設けられる。処理室420の処理室本体部496は、上に述べた取り付け部材536を介して受け部に接続される。それにより半導体被処理物が、処理室420と約同一の傾斜角で配置されるということが理解される。
図21〜23に示すように、処理室420は、排気部540と排出口ないし排液部542とを有している。排気部540は、処理室420の空洞部506から排気口541の外へ、ガスと蒸気とを排気する。好ましい実施の形態では、排気部540は概ね、実質的に処理室本体部496の全長にわたって延在する。使用済みの処理液と除去されたシリコンとを処理室420の下から外部に排液する好ましい実施の形態では、排液部542は、同様に実質的に処理室本体部496の全長にわたって延在する排液溝を備えている。図22に示すように、排気部540は、排液部542とは処理室本体部の反対側の部位に配置しても良い。排液部542は、余った使用済みの処理液とシリコンとを処理室420の処理室本体部496の空洞部506から排液するために、再循環システム544に接続された排液口543を有していても良い。再循環システム544は、代表的には、余った使用済みの液体を処理室から適切な供給槽546へ供給する。それに加えて、処理液と除去されたシリコンとは、処理室420から排液し再循環する代わりに廃棄してもよい。排気部540と排液部542とは、余剰/使用済み処理液と後ガスとを、処理室から単一の経路で除去するように構成される。後ガスは上方に排気部540から排気され、使用済みの処理液およびシリコンとは、下方に排液部542から排液される。
好ましい実施の形態では、現在のシステムで用いられる処理液は、水、過酸化水素、オゾン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、フッ化水素酸、硝酸、硫酸、酸性酸およびリン酸のうちの1つ以上を含んでいる。他の処理液も可能である。処理液は、システムの具体的な要求を満たすように混合および調整可能である。
代表的には、ある容積の処理液が、処理室420へ供給するために供給槽546に収容される。しかし、供給槽546から処理室420へ液体を供給するのに、システム全体の一部として、追加の部品を設けても良い。液体を供給する1つの概略構成を図26に例示する。この例では、供給槽546から処理室420へ処理液を圧送するのにポンプ548が用いられる。フィルタ550は、供給槽546と処理室420との間に設けられ、処理液を濾過する。さらに、供給槽546と処理室420との間に濃度モニタ552を設けて、処理室420へ供給されている処理液の濃度を監視しても良い。最後に、処理室420に供給される処理液の容積を監視するために、流量計554が用いられる。さらに、熱交換器556を供給槽546に接続して設け、その中にある処理液の温度を調整するようにしてもよい。これらの部品は、代表的には装置410全体の中に収容される。
システムはまた、濃縮されたある容積の様々な処理液を収容する計量容器558を含んでいても良い。例えば図26に示すように、3個の計量容器558を設けても良い。この例では、ある計量容器はフッ化水素酸を収容し、別の計量容器は硝酸を収容し、別の計量容器はリン酸を収容している。各計量容器558は、代表的には、特定の処理液を計量容器558から供給槽546に供給するために、自身に付随する計量ポンプ560を有している。供給槽546内の液体の必要な濃度を維持するために、処理液の濃度に依存し、通常は濃度モニタ552による判定に応じて、1つないしそれ以上の計量ポンプ560が、適切な供給槽546内に処理液の溶液を添加する。計量容器558は、装置410内に収容しても良く、装置の外部に収容し、単に計量ポンプ560を介して液体を装置410へ圧送するようにしてもよい。
被処理物を処理する方法について以下に説明するように、様々な洗浄およびエッチング工程が提供される。各工程では、代表的には別個の供給槽546が準備される。したがって、予備洗浄工程612に必要な処理液が1つの供給槽546に収容され、粗エッチング工程614に必要な処理液が別個の供給槽546に収容され、精密エッチング工程616に必要な処理液がもう1つ別個の供給槽546に収容され、洗浄工程618に必要な処理液がさらにもう1つ別個の供給槽546に収容される。したがって計量容器558は、適切な供給槽546に個別に処理液を供給するのに使用される(図26には単一の供給槽のみを示している)。それに加えて、再循環システムは、処理室から現在処理中の工程に応じた適切な供給槽546へ、余った使用済み処理液を供給する。
D.1束の半導体被処理物をまとめて薄肉化する処理
1束の半導体被処理物をまとめて処理する1つの方法を図25に例示する。図に示すように、被処理物を処理する際に通常行われる第1のステップ600では、被処理物412の裏面が露出するように被処理物412がチャック430に置かれる。第2のステップ602は、被処理物412(既にチャック430の中にある)を、キャリア組立体452の中に、且つキャリア組立体の位置決め部材の間に載荷する工程を含んでいる。キャリア組立体452を満杯にするように、代表的に25から50枚の被処理物である複数の被処理物412が載荷された後に、ステップ604において、処理室420の空洞部506内の回転組立体474の中にキャリア組立体452が置かれる。被処理物412が処理室420内の回転組立体474の中に載荷された後に、扉530が第1の位置へ移動し、処理室本体部496の空洞部506に通じる開口部504を密閉する(ステップ608)。
1束の半導体被処理物をまとめて処理する1つの方法を図25に例示する。図に示すように、被処理物を処理する際に通常行われる第1のステップ600では、被処理物412の裏面が露出するように被処理物412がチャック430に置かれる。第2のステップ602は、被処理物412(既にチャック430の中にある)を、キャリア組立体452の中に、且つキャリア組立体の位置決め部材の間に載荷する工程を含んでいる。キャリア組立体452を満杯にするように、代表的に25から50枚の被処理物である複数の被処理物412が載荷された後に、ステップ604において、処理室420の空洞部506内の回転組立体474の中にキャリア組立体452が置かれる。被処理物412が処理室420内の回転組立体474の中に載荷された後に、扉530が第1の位置へ移動し、処理室本体部496の空洞部506に通じる開口部504を密閉する(ステップ608)。
被処理物412が空洞部506内に置かれ、処理室420の扉530が閉塞された後に、被処理物の処理の準備がなされる。代表的には、被処理物412は、処理室420内で回転しつつ処理を受ける。したがってステップ610では、処理室420内の回転組立体474を回転させるために、モータ514が起動される。被処理物412は、回転組立体474内のキャリア組立体452とともに回転し、同時に被処理物412は、上に説明したように、ある程度独立して回転したり径方向に動いたりする。次に、被処理物が回転組立体474によって回転しているときに、スプレー組立体510のノズル522からキャリア組立体452内の被処理物の露出部分の上に、処理液が噴霧される。
1つの実施の形態では、第1の予備的な洗浄スプレー工程(ステップ612)が実行される。このステップ612では、被処理物412上の表面汚染を除去するために、スプレー組立体510を通じて処理室420内の被処理物412の露出部分の上に洗浄液が噴霧される。洗浄溶液は、第1の供給槽に収容され、H2O、H2O2およびNH4OHのうちの少なくとも1つを含んでいて良い。次にステップ614で、最初の粗い化学エッチングが施される。この第1の化学エッチング工程では、比較的大量の基板を被処理物412から除去するために、高いエッチング速度が採用される。被処理物412に粗い化学エッチングが施された後に、ステップ616において精密な化学エッチングが被処理物412に施される。精密な化学エッチングのエッチング速度は、粗い化学エッチングのエッチング速度よりも低い。好ましい実施の形態では、被処理物412を化学的にエッチングする工程は、HF、HNO3およびH3PO4の溶液を被処理物412に適用する工程を含んでいる。粗および精密エッチング処理のための溶液を収容するのに2つの異なる供給槽が用いられる。これら2つの工程を通じて、1束の被処理物412が処理室420内で薄肉化される。被処理物412は、100ミクロン未満の厚さに薄肉化することができる。次にステップ618において、被処理物412が処理室内で洗浄される。被処理物412を洗浄する工程は概ね、処理室420内でH3PO4の溶液を被処理物412に適用する工程を含んでいる。この溶液は、さらにもう1つの供給槽546に収容されている。これらの工程のエッチングの間に、使用済み処理液は、代表的には再循環システム544を介して再利用され、処理室420から適切な供給槽546へ供給される。
被処理物412は薄肉化され洗浄された後に、代表的には、ステップ620において処理室420から取り出される。一般的には、被処理物412はキャリア組立体452の中に置かれたままであり、キャリア組立体452が処理室420内の回転組立体474から取り出される。ステップ624では、キャリア組立体452は、被処理物412を保持したままで、被処理物の乾燥および洗浄のための第2の処理モジュール418の中に置かれる。乾燥および洗浄室422内で被処理物412を乾燥および洗浄する工程は、概ね、最初に脱イオン水を被処理物412に適用し当該被処理物412を洗浄する工程と、次にイソプロピルアルコールの蒸気または高温窒素ガスを被処理物に適用し、被処理物412を乾燥させる工程とを含んでおり、これらの工程の間中ずっと被処理物412が回転している。これらの液体のいずれもが、さらにもう1つの供給槽に保持されてもよい。
被処理物412が洗浄され乾燥化された後に、ステップ626においてキャリア組立体452が第2の処理室422から取り出される。ステップ628では、被処理物412がキャリア組立体452から取り出され、最後にステップ630で同被処理物412がチャック430から取り出される。
E.薄肉化半導体被処理物
次に図10〜11を参照して、本考案の方法によって処理することによって得られる薄肉化半導体被処理物50について述べる。上に述べたように、薄肉化された被処理物50は、縁部70と本体部72とからなる。縁部70は、被処理物50の周辺部に形成され、本体部72と一体となっている。一般に、標準的な半導体被処理物50を処理するときには、処理された被処理物50は、125ミクロン未満の厚さの本体部72と、約600から725ミクロンの範囲の厚さの縁部70とを有することになろう。好ましい実施の形態では、本体部72の厚さは、100ミクロン未満となり、好ましくは50ミクロン未満となり、特に25ミクロン未満となろう。既に述べたように、縁部70は、被処理物50の禁止領域に形成され、1〜10mmの範囲、好ましくは1〜5mmの範囲、特に1〜2mmの範囲の幅(図10にwで示す)を有することになろう。本体部72と縁部70とは、薄肉化前の被処理物50と実質的に同一の材料から形成される。最も好ましくは、本体部72と縁部70とは、シリコンからなる。
次に図10〜11を参照して、本考案の方法によって処理することによって得られる薄肉化半導体被処理物50について述べる。上に述べたように、薄肉化された被処理物50は、縁部70と本体部72とからなる。縁部70は、被処理物50の周辺部に形成され、本体部72と一体となっている。一般に、標準的な半導体被処理物50を処理するときには、処理された被処理物50は、125ミクロン未満の厚さの本体部72と、約600から725ミクロンの範囲の厚さの縁部70とを有することになろう。好ましい実施の形態では、本体部72の厚さは、100ミクロン未満となり、好ましくは50ミクロン未満となり、特に25ミクロン未満となろう。既に述べたように、縁部70は、被処理物50の禁止領域に形成され、1〜10mmの範囲、好ましくは1〜5mmの範囲、特に1〜2mmの範囲の幅(図10にwで示す)を有することになろう。本体部72と縁部70とは、薄肉化前の被処理物50と実質的に同一の材料から形成される。最も好ましくは、本体部72と縁部70とは、シリコンからなる。
また上に述べたように、別の処理によって先に薄肉化されている被処理物50が本考案によって薄肉化可能であることも予期されている。これらの例では、本考案によって薄肉化される被処理物50の最初の厚さは、200ミクロン以下であってもよい。その場合には、本考案により薄肉化される被処理物50の本体部72の厚さは、縁部70の厚さの約50%未満であり、好ましくは縁部70の厚さの約40%未満であり、より好ましくは縁部70の厚さの30%未満であり、優先的には縁部70の20%未満であり、さらには縁部70の厚さの10%未満であり、特には縁部70の厚さの5%未満である。本考案は寸法の異なる複数の被処理物50を薄肉化するのに適用可能であることも、予期されている。したがって縁部70は、好ましくは被処理物50の裏面53の面積(BSSA)の約5%未満を占め、より好ましくはBSSAの3%未満を占め、さらにはBSSAの1%未満を占めることになろう。
上述した考案に対して、当該考案の基本的教示内容から逸脱することなく、数多くの改変を加えることが可能である。本考案は、1以上の特定の実施の形態を参照しつつ相当に詳細に記述されているが、当技術分野における知識を有する者であれば、本考案の範囲および神髄から逸脱することなく本考案に変更を加えることが可能であることを理解するはずである。
Claims (23)
- 約150ミクロン未満の厚さを有する本体部と、
前記本体部に接続され約150から725ミクロンの範囲の厚さを有する縁部とを備える半導体被処理物。 - 前記本体部の厚さは100ミクロン未満である請求項1記載の半導体被処理物。
- 前記本体部の厚さは50ミクロン未満である請求項1記載の半導体被処理物。
- 前記本体部の厚さは25ミクロン未満である請求項1記載の半導体被処理物。
- 前記縁部と前記本体部は一体となっている請求項1記載の半導体被処理物。
- 前記縁部と前記本体部はシリコンからなる請求項1記載の半導体被処理物。
- 前記縁部は約600〜725ミクロンの範囲の厚さを有する請求項1記載の半導体被処理物。
- 前記縁部は約300〜725ミクロンの範囲の厚さを有する請求項1記載の半導体被処理物。
- 裏面の面積BSSAを有する半導体被処理物であって、
前記BSSAの約5%未満を占め、厚さRTを有する縁部と、
RTの約50%よりも小さい厚さMBTを有する本体部とを備える半導体被処理物。 - 前記縁部は前記BSSAの約3%未満を占める請求項9記載の半導体被処理物。
- 前記縁部は前記BSSAの約1%未満を占める請求項9記載の半導体被処理物。
- 前記MBTは前記RTの約40%未満である請求項9記載の半導体被処理物。
- 前記MBTは前記RTの約30%未満である請求項9記載の半導体被処理物。
- 前記MBTは前記RTの約20%未満である請求項9記載の半導体被処理物。
- 前記MBTは前記RTの約10%未満である請求項9記載の半導体被処理物。
- 前記MBTは前記RTの約5%未満である請求項9記載の半導体被処理物。
- 前記縁部は前記本体部と構造的に一体である請求項9記載の半導体被処理物。
- 裏面の面積BSSAを有する半導体被処理物であって、
前記BSSAの少なくとも95%を占める本体部と、
前記本体部につながっており、前記BSSAの約5%未満を占め、厚さRTを有し、前記本体部と同一の材料で形成されている縁部とを備え、
前記本体部は、前記RTの約50%未満の厚さを有する半導体被処理物。 - 前記同一の材料はシリコンである請求項18記載の半導体被処理物。
- 前記本体部は、前記RTの約40%未満の厚さを有する請求項18記載の半導体被処理物。
- 前記本体部は、前記RTの約30%未満の厚さを有する請求項18記載の半導体被処理物。
- 前記本体部は、前記RTの約20%未満の厚さを有する請求項18記載の半導体被処理物。
- 前記本体部は、前記RTの約10%未満の厚さを有する請求項18記載の半導体被処理物。
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