TWI735020B - 再生密封件的方法 - Google Patents

Abstract

再生用過的密封件的方法包含在液體中煮沸用過的密封件，且在液體中煮沸用過的密封件之後，烘烤用過的密封件。煮沸用過的密封件可包含在液體中煮沸持續預定的沸騰時間，且烘烤用過的密封件可包含以預定溫度烘烤用過的密封件持續預定的烘烤時間。

Description

再生密封件的方法

本揭示案的態樣一般相關於用於再生及重複使用密封件的方法。

在當前的基板製造工業中，密封件，特別是O形環，始終被認為是處理腔室內使用最多的消耗產品之一者。必須定期置換這些消耗的密封件，以確保處理腔室保持正常地及安全地運作。然而，置換密封件是一種昂貴的處理，特別是對於由多種不同材料製造或具有某些特性或特徵以在較高壓力及溫度下密封的多複合密封件。因此，密封件的置換增加了例如在基板製造工業內製造及處理的每個晶圓的總成本。

因此，需要一種再生密封件以重複使用以減低製造成本的處理，特別是在基板製造工業中。

在一個態樣中，本揭示案相關於再生一用過的密封件的方法。該方法包含以下步驟：在一液體中煮沸該用過的密封件；及在該液體中煮沸該用過的密封件之後，烘烤該用過的密封件。

在另一態樣中，本揭示案相關於再生一用過的密封件的方法。該方法包含以下步驟：在一預定量的週期之後，在一處理腔室內從一密封介面移除該用過的密封件；檢視該用過的密封件的一缺陷，以判定該用過的密封件為可重複使用或不可重複使用；及若該用過的密封件被判定為可重複使用，再生該用過的密封件。該再生該用過的密封件之步驟包含以下步驟：在一液體中煮沸該用過的密封件，及在該煮沸步驟之後，烘烤該用過的密封件。該方法進一步包含以下步驟：在該再生步驟之後，重新檢視該用過的密封件的該缺陷，以判定該用過的密封件為可重複使用或不可重複使用；使用一預定處理來處理該用過的密封件；及使用一預定測試來測試該用過的密封件，以基於該預定測試判定該用過的密封件為可重複使用或不可重複使用。該方法包含以下步驟：在該測試步驟之後，若該用過的密封件被判定為可重複使用，放置該用過的密封件於另一密封介面內，且若該用過的密封件被判定為不可重複使用，丟棄該用過的密封件。

而在另一態樣中，本揭示案相關於再生一用過的O形環的方法。該方法包含以下步驟：在水中煮沸該O形環持續一預定沸騰時間；及在該煮沸步驟之後，以一預定溫度烘烤該O形環持續一預定烘烤時間。

本揭示案一般相關於用於再生或重複使用用過的密封件(例如，O形環或墊圈)的一個或更多個方法。該方法包含從密封介面移除密封件，檢查密封件的缺陷，接著，若密封件為可重複使用則再生密封件。再生處理包含煮沸密封件，例如在液體中持續預定的沸騰時間，及烘烤密封件，例如以預定溫度持續預定的烘烤時間。在再生密封件之後，重新檢視密封件以判定密封件為可重複使用或不可重複使用。若密封件仍被判定為可重複使用，處理及測試密封件。在測試之後，可將密封件放入再循環中以用於重複使用。否則，若密封件的任何點被判定為不可重複使用，丟棄密封件。

圖1為根據本揭示案的一個或更多個態樣的具有密封槽101的處理腔室100的橫截面視圖。如所展示，處理腔室100為適於蝕刻或從基板(例如基板120)移除一個或更多個材料層的蝕刻腔室。受益於本文所述態樣的處理腔室的範例可從位於加州聖克拉拉市的Applied Materials公司獲得。思量其他處理腔室(包含來自其他製造商的處理腔室)可適用以受益於本揭示案的態樣，包含化學氣相沉積(CVD)腔室、物理氣相沉積(PVD)腔室、蝕刻腔室、退火腔室、熔爐、電漿處理腔室、轉移腔室、裝載閘腔室、及注入腔室等。

真空處理腔室100包含腔室主體105，腔室主體105由腔室蓋組件110封閉且在其中界定處理腔室容積152。腔室主體105具有側壁112及底部118，底部118可耦合至接地126。側壁112具有頂部表面132。腔室主體105及真空處理腔室100的相關部件的尺寸不受限制且一般成比例地大於待處理的基板120的大小。基板大小的範例包含具有150 mm直徑、200 mm直徑、300 mm直徑及450 mm直徑的基板120，且基板120可具有圓形或非圓形形狀。

腔室主體105可由鋁或其他合適的材料製成。穿過腔室主體105的側壁112形成基板存取埠113，便於基板120進出真空處理腔室100的傳送。存取埠113可耦合至傳送腔室及/或基板處理系統的其他腔室(均未展示)。氣體源160穿過腔室主體105或蓋組件110形成的入口161將處理氣體提供進入處理腔室容積152。在一個或更多個實施例中，處理氣體可包含蝕刻劑及鈍化氣體。

噴頭114可耦合至蓋組件110。噴頭114具有複數個氣體輸送孔洞150，以用於分配通過入口161進入處理腔室容積152的處理氣體。噴頭114可經由匹配電路141連接至RF功率源142。提供至噴頭114的RF功率對離開噴頭114的處理氣體賦能，以在處理腔室容積152內形成電漿。

基板支撐基座135設置於處理腔室容積152中的噴頭114下方。基板支撐基座135可包含用於在處理期間保持基板120的靜電夾具(ESC)122。環組件130設置於ESC 122上且沿著基板支撐基座135的周邊。環組件130控制基板120邊緣處的蝕刻氣體原子團的分佈，同時屏蔽基板支撐基座135的頂部表面免於真空處理腔室100內部的電漿環境。

ESC 122由與匹配電路124整合的RF功率源125供電。ESC 122包括嵌入介電主體133內的電極134。RF功率源125可提供約200伏特至約2000伏特的RF吸附電壓至電極134。RF功率源125也可耦合至系統控制器，以用於藉由將DC電流引導至電極來控制電極134的操作，以便對基板120進行吸附及去除吸附。

提供冷卻基底129以保護基板支撐基座135且有助於控制基板120的溫度。冷卻基底129及ESC 122一起運作以將基板溫度維持在基板120上待製造裝置的熱預算所需的溫度範圍內。ESC 122可包含用於加熱基板的加熱器，同時冷卻基底129可包含用於使傳熱流體循環以從ESC 122及設置於其上的基板吸收熱的導管。例如，ESC 122及冷卻基底129可經配置以針對某些實施例維持基板120處於約攝氏-25度至約攝氏100度的溫度、針對其他實施例處於約攝氏100度至約攝氏200度的溫度範圍、及針對額外其他實施例處於約攝氏200度至約攝氏500度。在一個實施例中，藉由ESC 122及冷卻基底129將基板120的溫度維持在攝氏15至40度。

升降銷(未展示)選擇性地移動穿過基板支撐基座135，以將基板120升高至基板支撐基座135上方，以便於藉由傳送機器人或其他合適的傳送機構存取基板120。陰極電極138設置於基板支撐基座135中，且經由整體匹配電路137連接至RF功率源136。陰極電極138將功率從基板120下方電容地耦合至電漿。在一個實施例中，RF功率源136提供陰極電極138約200 W至約1000 W之間的RF功率。

可穿過腔室主體105的側壁112形成泵送埠145，且經由排氣歧管123連接至腔室容積。泵送裝置170經由泵送埠145耦合至處理腔室容積152以進行抽空且控制其中的壓力。排氣歧管123具有擋板154，以控制從泵送裝置170吸入排氣歧管123的電漿氣體的均勻性。泵送裝置170可包含一個或更多個泵及節流閥。泵送裝置170及腔室冷卻設計致能在適合熱預算需求的溫度下(例如，約攝氏-25度至約攝氏+500度)的高基底真空(約1xE^-8 Torr或更低)及低上升率(約1000 mTorr/min)。在一個實施例中，泵送裝置致能真空壓力介於10及30 mT之間。

在處理期間，將氣體導入真空處理腔室100以形成電漿且蝕刻基板120的表面。基板支撐基座135被功率源136偏壓。功率源142對由氣體源160供應，離開噴頭114的處理氣體賦能以形成電漿。來自電漿的離子被吸引至基板支撐基座135中的陰極，並轟擊/蝕刻基板120，直到形成所需的結構。

蓋組件110可在開啟位置及關閉位置之間移動，以便於真空處理腔室100內部的維修。蓋組件110及腔室主體105之其中一者包含一個或更多個密封槽101。密封槽101(展示成在蓋組件110的底部表面102中形成)具有密封件106設置於其中。密封件106可為O形環、墊圈、或任何其他合適的密封件，根據預期的處理條件來選擇密封件的材料。例如，密封件106可包含一個或更多個彈性體材料，例如聚四氟乙烯(PTFE)、橡膠、矽樹脂、全氟彈性體(FFKM)、含氟彈性體(FKM)及/或其他聚合物。也可思量其他類型的密封件，例如黏合劑或填料。

當蓋組件110處於開啟位置時，密封件106的部分在蓋組件110的底部表面102下方延伸。當蓋組件110移動進入關閉位置時，密封件106在腔室主體105的頂部表面132及蓋組件110之間被壓縮，從而將蓋組件110密封至腔室主體105。密封件106的壓縮足以防止來自腔室主體105外部的氣體在處理腔室容積152內存在真空條件時流動進入處理腔室容積152。使用以蝕刻設置於基板120上的特定材料的處理參數可用於指示密封件106的材料及幾何形狀的選擇。密封件106可熱膨脹及收縮而不從密封槽101擠出，同時在約攝氏40度或更高的溫度下維持10mTorr至約30mTorr的壓力。密封件106也允許用於電漿處理的更寬窗口，以防止與密封失效相關聯的污染。

現在參考圖2，展示了根據本揭示案的一個或更多個實施例再生或重複使用用過的密封件(例如O形環、墊圈、或任何其他類型的密封件)的方法200的流程圖。方法200包含在操作210中從密封介面移除密封件。在操作210中，在預定量的週期之後，從密封介面移除密封件，例如從處理腔室內使用移除。例如，圖1展示了密封件106在蓋組件110及腔室主體105的側壁112之間的密封槽101內形成密封介面。出於安全和品質的原因，可基於預定量的週期從密封槽101內使用移除密封件106，例如基於處理腔室100的預定量的壓力週期或處理腔室100內處理的預定量的基板120。然而，不是在自動丟棄密封件106之後使用時，密封件106可在處理腔室100、另一處理腔室、或甚至另一密封介面應用內再生以用於重複使用，而非在使用之後自動丟棄密封件106。

在操作210中從密封介面移除密封件之後，方法200繼續在操作220中檢視密封件。在操作220中，檢視密封件的一個或更多個缺陷以判定密封件為可重複使用或不可重複使用，因及是否為再生的候選員。檢視密封件的缺陷的範例包含密封件不具有均勻的厚度，例如源自密封件在一個或更多個區域中被切割、擠壓或侵蝕。可宏觀地檢視密封件，例如經由相關於基板製造工業的合格或受過教育的個人的目視檢視。可附加地或替代地微觀地檢視密封件，例如藉由在掃描電子顯微鏡下檢視密封件。

基於操作220中的檢視，可判定密封件為可重複使用或不可使用的。例如，若在操作220中的檢視期間偵測到一個或更多個缺陷，可判定密封件為不可重複使用的，且若在操作220中的檢視期間沒有偵測到缺陷，可判定密封件為可重複使用的。若判定密封件為不可重複使用的，方法200可繼續在操作225中丟棄密封件，使得密封件稍後不會在密封介面內重複使用。若判定密封件為可重複使用的，方法200可在操作230中繼續再生密封件。

在操作230中，可藉由在操作240中煮沸密封件及/或在操作250中烘烤密封件來再生密封件。操作240涉及在液體中煮沸密封件持續預定的沸騰時間。例如，預定的沸騰時間可為約15分鐘、約30分鐘、約45分鐘、約60分鐘、約90分鐘、約120分鐘、約150分鐘或其間的任何預定烘烤時間。在另一實施例中，預定的沸騰時間可僅為約15分鐘、僅約30分鐘、僅約45分鐘、僅約60分鐘、僅約90分鐘、僅約120分鐘、或僅約150分鐘。進一步地，用於煮沸密封件的液體可為或包含溶劑，例如水，更特定為去離子水。當液體處於高於標準大氣壓力(>1atm)的壓力時，可發生沸騰。例如，液體可在加壓容器內煮沸。

操作250涉及在預定溫度下烘烤密封件持續預定的烘烤時間。例如，預定的烘烤時間可為約15分鐘、約30分鐘、約45分鐘、約60分鐘、約90分鐘、約120分鐘、約150分鐘或其間的任何預定烘烤時間。在另一實施例中，預定的烘烤時間可僅為約15分鐘、僅約30分鐘、僅約45分鐘、僅約60分鐘、僅約90分鐘、僅約120分鐘、或僅約150分鐘。用於烘烤的預定溫度可以為約攝氏75度、約攝氏100度、約攝氏150度、約攝氏175度、約攝氏200度、約攝氏225度、或其間的任何預定溫度。在另一實施例中，用於烘烤的預定溫度可僅為約攝氏75度、僅約攝氏100度、僅約攝氏150度、僅約攝氏175度、僅 約攝氏200度、僅約攝氏225度。

在操作240中煮沸密封件及在操作250中烘烤密封件可以任何順序執行，其中在操作250中烘烤之前可先在操作240中煮沸密封件，或在操作240中煮沸之前可先在操作250中烘烤密封件。例如，在一個實施例中，在操作240中，可在液體中煮沸密封件，以減低密封件的表面硬度。接著，可在操作250中烘烤密封件，以從密封件移除水，而防止密封件隨後被放入處理腔室時不希望的污染。烘烤密封件也恢復了密封件的適當形狀。

仍然參考圖2，方法200進一步包含在操作260中檢視密封件，例如用於重新檢視密封件。在操作260中，在操作230中再生密封件之後，可重新檢視密封件的一個或更多個缺陷，以判定密封件為可重複使用或不可重複使用。可檢視密封件的類似於上述缺陷的缺陷(例如，不具有均勻厚度的密封件)，特別是在並未先執行操作230時。進一步地，可檢視密封件以針對在操作230中未檢視的其他缺陷。例如，在操作260中，可重新檢視密封件，使得密封件能夠形成密封介面，其中已再生密封件的彈性及其他效能特性。

在一個實施例中，可在操作260中檢視密封件以判定密封件是否具有實質一致的橫截面。例如，可檢視密封件以判定密封件是否具有實質一致的圓形橫截面，例如若密封件最初製造為具有圓形橫截面。圖3展示在操作230中再生之前的O形環320的橫截面，且圖4展示在操作230之再生之後的O形環320的橫截面。如圖3中所展示，在再生之前圖3中的O形環320的橫截面並非實質圓形的，而在再生之後圖4中的O形環320的橫截面為實質圓形的。因此，在操作230中再生O形環是成功的，其中O形環320可為可重複使用的。在該實施例中，在操作260中檢視O形環320可涉及將O形環320的橫截面直徑與預定的橫截面直徑進行比較。若在操作230中再生之後O形環320的橫截面直徑不在O形環320的初始製造的橫截面直徑的預定範圍內(例如，約3%或約5%)，可判定O形環320有缺陷且不可重複使用。因此，若不可重複使用，可在操作225中丟棄O形環320。若O形環320在操作230中再生之後具有在O形環320的初始製造的橫截面直徑的預定範圍內的橫截面直徑，O形環320可被判定為可操作的且可重複使用。

在密封件不具有圓形橫截面且包含另一形狀橫截面(例如，矩形或圓角矩形橫截面)的實施例中，操作260可包含使密封件的橫截面與密封件的初始製造橫截面的一個或更多個尺寸比較。類似地，若在操作230中再生之後密封件的橫截面尺寸不在密封件的初始製造的橫截面尺寸的預定範圍內(例如，約3%或約5%)，密封件可被判定為有缺陷且不可重複使用。否則，若在操作230中再生之後密封件的橫截面尺寸在密封件的初始製造的橫截面尺寸的預定範圍內，可判定密封件為可操作的且可重複使用的。

方法200進一步包含在操作270中處理密封件。操作270涉及使用一個或更多個預定處理來處理密封件，例如密封件不會成為污染源。預定處理可包含使用清理處理、電漿處理、及/或臭氧處理來處理密封件。例如，清理處理可涉及使用包含去離子水或異丙醇的清理溶液來處理密封件，例如藉由擦拭或以其他方式將密封件暴露於清理溶液。電漿處理可涉及將密封件暴露於電漿，例如氧電漿或另一氣體以產生電漿。接著，臭氧處理可涉及將密封件暴露於臭氧。

在操作270中可在多個時間執行對密封件的處理，例如在識別的操作上面或下面之其中一者或更多者之後。例如，在操作230中再生密封件之前在操作210中移除密封件及/或在操作220中檢視密封件之後在操作270中可附加地或替代地處理密封件。

方法200進一步包含在操作280中測試密封件。在操作280中使用一個或更多個預定測試來測試密封件，以判定密封件仍為可重複使用或不可重複使用。例如，可使用壓力測試來測試密封件，以判定密封件在預定量的時間之後是否具有高於預定量的洩漏率。在一個實施例中，若密封件具有高於每分鐘約2 mTorr(約.27 Pascal)的洩漏率，例如在約一百秒、約二百秒、或約三百秒之後，則密封件基於壓力測試可被判定為不可重複使用。附加地或替代地，可使用顆粒測試來測試密封件，以判定密封件是否能夠在密封條件下防止預定量的顆粒通過密封件。更進一步地，可測試密封件以判定密封件是否具有一個或更多個污染物，例如痕量金屬，使得密封件成為污染源。

在操作280中，基於上面識別的一個或更多個測試，或甚至一個或更多個未識別的其他測試，可判定密封件為可重複使用或不可重複使用。若密封件為不可重複使用的，可在操作225中丟棄密封件。若密封件為可重複使用的，方法200可繼續重新使用密封件，例如藉由在操作290中將密封件放置於密封介面內。可藉由放置於相同處理腔室或另一處理腔室內來重新使用密封件，或可藉由放置於不在處理腔室內的另一密封介面應用內來重複使用密封件。

根據本揭示案的方法可不需要包含上面在圖2中識別的一個或更多個操作，或可包含未相關於圖2識別的一個或更多個操作。進一步地，圖2中的一個或更多個操作可以不同順序重新排列或執行。因此，本揭示案思量僅在圖2中識別的該等方法及實施例之外的其他方法及實施例。

例如，圖5為根據本揭示案的一個或更多個實施例的再生或重複使用用過的密封件的方法500的流程圖。方法500包含在操作520中檢視密封件的一個或更多個缺陷，以基於缺陷判定密封件為可重複使用或不可重複使用。若密封件為不可重複使用的，在操作525中丟棄密封件。若密封件為可重複使用的，方法500包含在操作530中再生密封件。在操作530中再生密封件包含在操作540中煮沸密封件及/或烘烤密封件550。方法500進一步包含在操作570中處理密封件且在操作580中測試密封件。

進一步地，圖6為根據本揭示案的一個或更多個實施例再生或重複使用用過的O形環的方法600的流程圖。方法600包含在操作610中從密封介面移除O形環，在操作640中煮沸O形環，及在操作650中烘烤O形環。接著，在操作690中可藉由放置於另一密封介面內來重複使用O形環。因此，根據本揭示案的方法可包含以上相關於圖2所展示及討論的操作的變化。

如上所討論，根據本揭示案的方法可用於再生及重複使用密封件，特別是O形環。密封件的再生及重複使用，例如在基板製造工業內使用的處理腔室內，可減低每個晶片的成本多達約百分之五或更多，從而減低經濟浪費。進一步地，用於密封件的再生及回收處理可解決並減低密封件的殘餘硬度，從而改良再生壽命。

如本文所用，用語「約」包括每一數值的+/- 5%。例如，若數值為「約80%」，則它可為80%+/-5%，等效於76%至84%。據此，除非有相反的指示，否則在以下說明書及所附請求項中闡述的數值參數為近似值，可根據本文所述的示範性實施例試圖獲得的所需性質而變化。至少，且不是試圖將等同原則的應用限制在請求項的範圍，每一數值參數至少應根據報告的有效數字的數量並藉由應用普通的捨入技術來解釋。

雖然前述內容針對本揭示案的態樣，可在不脫離本揭示案的基本範圍的情況下設計本揭示案的其他及進一步的態樣，且本揭示案的範圍由以下請求項決定。

100:處理腔室 101:密封槽 102:底部表面 105:腔室主體 106:密封件 110:腔室蓋組件 112:側壁 113:基板存取埠 114:噴頭 120:基板 122:靜電夾具(ESC) 123:排氣歧管 124:匹配電路 125:RF功率源 126:接地 129:冷卻基底 130:環組件 132:頂部表面 133:介電主體 134:電極 135:基板支撐基座 136:RF功率源 137:整體匹配電路 138:陰極電極 141:匹配電路 142:RF功率源 145:泵送埠 150:氣體輸送孔洞 152:處理腔室容積 154:擋板 160:氣體源 161:入口 170:泵送裝置 200:方法 210:操作 220:操作 225:操作 230:操作 240:操作 250:操作 260:操作 270:操作 280:操作 290:操作 320:O形環 500:方法 520:操作 525:操作 530:操作 540:操作 550:密封件 570:操作 580:操作 600:方法 610:操作 640:操作 650:操作 690:操作

因此，可以詳細地理解本揭示案的上述特徵的方式，可藉由參考態樣獲得對本揭示案的更具體的描述(以上簡要概述)，其中一些態樣圖示於附圖中。然而，應注意，附圖僅圖示出示範性態樣，因此不應視為限制範圍，因為本揭示案可允許其他等效的態樣。

圖1為根據本揭示案的一個或更多個態樣的處理腔室的橫截面視圖。

圖2為根據本揭示案的一個或更多個實施例的再生或重複使用密封件的方法的流程圖。

圖3為根據本揭示案的一個或更多個實施例的再生之前的O形環的橫截面視圖。

圖4為根據本揭示案的一個或更多個實施例的再生之前的O形環的橫截面視圖。

圖5為根據本揭示案的一個或更多個實施例的再生或重複使用密封件的方法的流程圖。

圖6為根據本揭示案的一個或更多個實施例的再生或重複使用O形環的方法的流程圖。

為了便於理解，在可能的情況下，使用相同的附圖標記來標示圖式中共用的相同元件。思量一個態樣的元件及特徵可有利地併入其他態樣而無需進一步敘述。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

200:方法

210:操作

220:操作

225:操作

230:操作

240:操作

250:操作

260:操作

270:操作

280:操作

290:操作

Claims (21)

1. 一種再生一用過的密封件的方法，包括以下步驟：在一煮沸的液體中煮沸該用過的密封件；在該煮沸的液體中煮沸該用過的密封件之後，烘烤該用過的密封件；及使用一預定測試來測試該用過的密封件，以基於該預定測試判定該用過的密封件為可重複使用或不可重複使用。
2. 如請求項1所述之方法，其中該用過的密封件包括一O形環或一墊圈。
3. 如請求項1所述之方法，其中該煮沸的液體包括去離子化水，其中該煮沸步驟包括以下步驟：煮沸該用過的密封件持續至少一預定沸騰時間，且其中該預定沸騰時間介於約15分鐘及約150分鐘之間。
4. 如請求項3所述之方法，其中該預定沸騰時間為約120分鐘。
5. 如請求項1所述之方法，其中該烘烤步驟包括以下步驟：以至少一預定溫度烘烤該用過的密封件持續至少一預定烘烤時間，其中該預定烘烤時間介於約15分鐘及約90分鐘之間，且其中用於烘烤的該預定溫度介於約攝氏125度及約攝氏225度之間。
6. 如請求項5所述之方法，其中該預定烘烤時間為約30分鐘且用於烘烤的該預定溫度為約攝氏150度。
7. 如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：檢視該用過的密封件的一缺陷，以基於該缺陷判定該用過的密封件為可重複使用或不可重複使用；若該用過的密封件被判定為可重複使用，再生該用過的密封件，其中該再生之步驟包括該烘烤步驟及該煮沸步驟；及使用一預定處理來處理該用過的密封件。
8. 如請求項7所述之方法，其中該預定處理包括一清理處理、一電漿處理、或一臭氧處理。
9. 如請求項8所述之方法，其中該清理處理包括使用去離子化水或異丙醇處理該用過的密封件。
10. 如請求項7所述之方法，進一步包括以下步驟：在一預定量的週期之後，在一處理腔室內從一密封介面移除該用過的密封件。
11. 如請求項7所述之方法，其中該檢視該用過的密封件的該缺陷之步驟包括以下步驟：宏觀地或微觀地檢視該用過的密封件的該缺陷，其中該缺陷包括以下至少一者：用過的密封件被擠壓、用過的密封 件被切割、或用過的密封件被侵蝕。
12. 如請求項7所述之方法，進一步包括以下步驟：在該再生該用過的密封件之後，重新檢視該用過的密封件的該缺陷，以基於該缺陷判定該用過的密封件為可重複使用或不可重複使用。
13. 如請求項12所述之方法，進一步包括以下步驟：若該用過的密封件不具有該用過的密封件的一原始橫截面直徑的一預定範圍內的一測量的圓形橫截面，判定該用過的密封件為不可重複使用。
14. 如請求項7所述之方法，其中該預定測試包括以下的一個或更多個：一顆粒測試、一壓力測試、或判定該用過的密封件是否具有一個或更多個污染物的一測試。
15. 如請求項1所述之方法，其中該用過的密封件係在該煮沸的液體中煮沸，同時該煮沸的液體處於高於標準大氣壓力的一壓力下。
16. 一種再生一用過的密封件的方法，包括以下步驟：在一預定量的週期之後，在一處理腔室內從一密封介面移除該用過的密封件；檢視該用過的密封件的一缺陷，以判定該用過的密封件為可重複使用或不可重複使用； 若該用過的密封件被判定為可重複使用，再生該用過的密封件，其中該再生之步驟包括以下步驟：在一液體中煮沸該用過的密封件；及在該煮沸步驟之後，烘烤該用過的密封件；及在該再生步驟之後，重新檢視該用過的密封件的該缺陷，以判定該用過的密封件為可重複使用或不可重複使用；使用一預定處理來處理該用過的密封件；使用一預定測試來測試該用過的密封件，以基於該預定測試判定該用過的密封件為可重複使用或不可重複使用；及在該測試步驟之後，若該用過的密封件被判定為可重複使用，放置該用過的密封件於另一密封介面內。
17. 如請求項16所述之方法，其中該煮沸步驟包括以下步驟：在該液體中煮沸該用過的密封件持續一預定沸騰時間，其中該液體包括一溶劑且該預定沸騰時間為約30分鐘，其中該烘烤步驟包括以下步驟：以至少一預定溫度烘烤該用過的密封件持續至少一預定烘烤時間，且其中該預定烘烤時間為約30分鐘且用於烘烤的該預定溫度為約攝氏150度。
18. 如請求項16所述之方法，其中該預定測試包括以下的一個或更多個：一顆粒測試、一壓力測試、 或判定該用過的密封件是否具有一個或更多個污染物的一測試。
19. 一種再生一用過的O形環的方法，包括以下步驟：在煮沸的水中煮沸該用過的O形環持續一預定沸騰時間；在該煮沸步驟之後，以一預定溫度烘烤該用過的O形環持續一預定烘烤時間；及使用一預定測試來測試該用過的O形環，以基於該預定測試判定該用過的O形環為可重複使用或不可重複使用。
20. 如請求項19所述之方法，進一步包括以下步驟：使用一預定處理來處理該用過的O形環。
21. 如請求項19所述之方法，其中該預定測試包括以下的一個或更多個：一顆粒測試、一壓力測試、或判定該用過的O形環是否具有一個或更多個污染物的一測試。

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