JP2001162535A

JP2001162535A - ウェーハの研磨方法及びその装置

Info

Publication number: JP2001162535A
Application number: JP35255899A
Authority: JP
Inventors: Takuo Hashiguchi; 拓郎橋口
Original assignee: Rasco Co Ltd
Current assignee: Rasco Co Ltd
Priority date: 1999-12-13
Filing date: 1999-12-13
Publication date: 2001-06-19

Abstract

(57)【要約】【課題】ウェーハの大型化に適切に対応でき、且つウ
ェーハの研磨にかかる加工効率を向上できること。【解決手段】研磨方法は、ウェーハの膜を形成した面
に粉体を吹き付けて、これによりウェーハの膜を研磨除
去することを特徴とし、及び研磨装置は、ウェーハの研
磨を行うための加工室（１）と、該加工室（１）内に備
えたウェーハ保持手段（７）と、該保持手段（７）に保
持されたウェーハ（１２）に粉体を吹き付けてウェーハ
表面に形成された膜を研磨して除去するための研磨手段
（８）と、該研磨手段（８）による研磨で付着した粉体
を除去する粉体除去手段（６）とを備えたことを特徴と
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はウェーハの研磨方法
及びそれに用いるウェーハの研磨装置に係り、より詳し
くは、ウェーハに粉体を吹き付けて、これによりウェー
ハに形成された膜を研磨除去することを特徴とするウェ
ーハの研磨方法及びその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ウェーハの研磨とは、結晶質或いはガラ
ス質等から成る薄板状ワークの表面を研磨することであ
る。また、ウェーハの研磨装置とは、それを行う装置で
あり、例えば、シリコンウェーハの表面を鏡面仕上げす
るポリシング装置がある。そして、このポリシング装置
としては、従来から、多数のシリコンウェーハの表面を
同時に鏡面仕上げする、いわゆるバッチ式のポリシング
装置が一般的に用いられている。

【０００３】ここでバッチ式のポリシング装置を用いた
研磨方法について説明すると、このバッチ式のポリシン
グ装置を用いる研磨方法では、先ず、シリコンウェーハ
（以下単に「ウェーハ」という）をワックスを用いてキ
ャリアプレートに接着し、そのキャリアプレートをポリ
シング装置の研磨クロスが貼られた定盤（研磨用定盤）
に接触（当接）するように反転して供給する。

【０００４】そして、そのキャリアプレートを研磨クロ
ス方向に加圧ヘッド（一般的に重り）により押圧すると
共に、スラリー（液状研磨剤）を供給して研磨クロスと
ウェーハとの間に侵入させつつ、研磨用定盤を回転運動
させてウェーハ表面を鏡面加工（ポリシング加工）して
いる。

【０００５】更に、研磨精度を向上させるためには、段
階的且つ連続的に研磨する複数のポリシング装置を直列
に配置したウェーハの研磨システムが用いられいる。

【０００６】即ち、このウェーハの研磨システムでは、
複数のウェーハを貼付したキャリアプレートをアームロ
ボットによって移送し、各キャリアプレートに貼付され
た複数のウェーハを研磨用定盤に当接させて１次研磨、
２次研磨、仕上げ研磨の順に加工しており、また、アー
ムロボットは、１次ポリシング装置への供給用、隣合う
ポリシング装置間での受渡し用、及び３次ポリシング装
置からの排出用に各ポリシング装置の外部に配設されて
いる。

【０００７】そのため、このウェーハの研磨システムに
よれば、多数のウェーハを同時に研磨することが可能で
あり、効率良く研磨することができる。

【０００８】一方、化学機械式研磨（ＣＭＰ：chemical
mechanical polishing ）は、現在半導体素子において
見られる種々の物質を研磨するために用いられ、かかる
物質には、タングステン，アルミニウム，および銅のよ
うな金属が含まれる。

【０００９】そして、研磨対象の物質の種類には無関係
に、同様の技法が用いられる。例えば、研磨システム
は、典型的に、研磨プラテンを含み、この上に研磨パッ
ドを取り付ける。そして、プラテンを回転させている間
に、半導体ウエハをパッドに押しつけながら、スラリ
（ｓｌｕｒｒｙ）を分与する。更に、スラリおよび研磨
対象層間の化学的反応、ならびにスラリ内の摩擦および
研磨対象層間の機械的相互作用の組み合わせにより、層
の平面化（ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）が行われる。

【００１０】研磨プロセスの特性に影響を与えるファク
タの１つに、用いられる研磨パッドのタイプがある。パ
ッドにはポリウレタン・マトリクス内に分散された複数
のファイバを含む。商業的に入手可能なパッドでは、フ
ァイバはポリエステルまたはセルロースを含む。そし
て、このような商業的に入手可能な研磨パッドの１つ
に、Ｒｏｄｅｌ，Ｉｎｃ．が販売しているＳｕｂａ５０
０パッドがある。これはポリエステル・ファイバを有す
る。また、研磨パッドには複数のポリマ粒子および複数
のボイドを含む。そして、ボイドは、加熱プロセスの結
果として、ポリウレタン・マトリクス内に形成され、商
業的に入手可能な研磨パッドに、これもまたＲｏｄｅ
ｌ．Ｉｎｃ．が製造販売するＩＣ−１０００パッドがあ
る。

【００１１】なお、研磨パッドは、同一研磨処理の間に
２つの異なる物質を研磨するには、理想的な条件を与え
ない。例えば、酸化物層を覆う導電層を研磨する場合、
導電性物質は、ウエハの中心と比較して、周辺付近のほ
うが速く除去される可能性がある。そしてその結果、研
磨パッドが酸化物層および導電層に同時に露出されるこ
とになる。ここで問題となるのは、グレイジング（ｇｌ
ａｚｉｎｇ）として知られる現象が発生し、パッドの表
面が滑らかになってしまうことである。グレイジングの
問題を克服するために、例えば、ダイアモンド・ディス
クを用いてコンディショニング（ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉ
ｎｇ）行う。コンディショニングとは、研磨パッドの表
面から非常に薄い層を削り取ることにより、研磨パッド
の元の多孔性および表面組織に近くなるように再生する
ことである。ダイアモンド・ディスクは、その硬度のた
めに、この除去を行うために用いられている。

【００１２】硬質のコンディショニング・ディスクは、
特に、導電性物質を研磨する際に用いられると、問題を
起こす。商業的に入手可能なダイアモンド・ディスクは
ダイアモンド粒子を含み、ニッケルのようなめっき金属
（ｐｌａｔｅｄｍｅｔａｌ）によってディスク上の適
所に保持されている。導電層を研磨している間にコンデ
ィショニングを行うと、導電層を除去するために用いら
れるスラリが、典型的に、ダイアモンドをコンディショ
ニング・ディスク上に保持するために用いられているめ
っき金属を攻撃する。その結果、時間が経つと、ディス
ク上のダイアモンド粒子が分離し、スラリを汚染し、特
に、ウエハ上のすりきずや多量の粒子残の原因となる可
能性がある。

【００１３】同一研磨工程の間の導電性物質および非導
電性（酸化物）物質の研磨の問題の他にも、同一工程に
おいて２つの異なる導電性物質を研磨する場合にも問題
がある。例えば、チタン／窒化チタン層上に堆積されて
いるタングステンを研磨する場合、タングステンおよび
チタン物質の研磨特性は大きく異なる。チタンおよび窒
化チタンは、タングステンの研磨に最適化されたプロセ
スを用いると、研磨が比較的困難な物質である。チタン
および窒化チタンを良好に研磨するスラリの調合では、
他のスラリ程速くタングステンの研磨は行えない。しか
しながら、これら他のスラリは、チタンまたは窒化チタ
ンを除去するには非効率的である。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、半導
体装置の高集積化及び生産の効率化が進むに伴い、その
基材であるシリンウェーハの再生が求められていると共
に、シリコンウェーハが大型化（例えば直径１２イン
チ）してきており、これに適切に対応することが要請さ
れている。

【００１５】しかしながら、上記従来のポリシング装置
及び化学機械式研磨装置では、シリコンウェーハの大型
化とその加工速度の向上について、適切に対応できない
という課題があった。

【００１６】即ち、従来のポリシング装置及び化学機械
式研磨装置では、多数のウェーハを平面的に並べて同時
に研磨することになり、その一つの装置自体が大型化し
てしまうという課題があった。

【００１７】また、そのポリシング装置に関する付帯設
備（例えば、接着機、プレート搬送装置、プレート洗浄
機、ウェーハの剥離装置等）が多く、システムが複雑化
すると共に、広い設置スペースを要するという課題があ
った。

【００１８】更に、プレートを介してウェーハを移送す
るシステムになっているが、そのプレート自体がウェー
ハの大型化に伴って大きくて重いものになり、適切に取
り扱うことが難しくなる。

【００１９】また、ウェーハが大型化になり高価になる
にしたがって、半導体製造工程においては発生した不良
品の再生が大きな課題になってきた。

【００２０】即ち、半導体製造工程で基盤上にＣＶＤ
（化学的気相成長）およびＰＶＤ（物理的気相成長）に
よりＳｉＯ₂、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、Ｓｉ₃N₄などの絶縁
膜、ポリシリコン膜やW、Ａｌ、ＴｉＮなどの金属及び
導電性膜が形成され、それぞれパターンが形成されてい
るが、半導体製造工程におけるコストダウンを図るため
には、いかにこれらの硬度や性質の異なる皮膜を簡単に
除去してウェーハを再生するかが重要になってくるが、
従来はこの課題を達成可能な手段は提供されていなかっ
た。

【００２１】そこで、本発明は、ウェーハの大型化に適
切に対応でき、且つウェーハの研磨にかかる加工効率を
向上できるとともに、ウェーハの表面に形成された膜を
研磨除去しウェーハを再生することが可能な、ウェーハ
の研磨方法及びその装置を提供することを課題としてい
る。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明のウェーハの研磨
方法は、ウェーハの膜を形成した面に粉体を吹き付け
て、これによりウェーハの膜を研磨除去することを特徴
としている。

【００２３】また、この方法を実施するために本発明の
ウェーハの研磨装置は、ウェーハ表面に形成された膜を
研磨除去するために用いられるウェーハの研磨装置であ
って、ウェーハの研磨を行うための加工室と、該加工室
内に備えられたウェーハを保持する保持手段と、該保持
手段に保持されたウェーハに粉体を吹き付けて研磨する
研磨手段と、該研磨手段で付着した粉体を除去する粉体
除去手段とを具備することを特徴とする。

【００２４】本発明によって粉体をウェーハに吹き付け
ることにより、粉体がウェーハにぶつかったときの衝撃
力で、ウェーハ上に形成された膜が剥がれようとする。
そのため、本発明によれば、この衝撃力を利用してウェ
ーハ表面の膜を簡単に除去することができる。

【００２５】このように、本発明を用いることにより、
ウェーハ表面に形成された膜を除去してウェーハ表面を
平坦にすることができるため、例えばポリシング装置に
より鏡面研磨をする前段階として本発明を採用すること
により、ウェーハの研磨に要する時間を大幅に短縮でき
るとともに、ポリシング装置の小型を達成することもで
きる。

【００２６】更に、本発明を採用することによりウェー
ハに形成された膜を有効に除去できるために、ウェーハ
の再生をも達成可能である。

【００２７】

【発明の実施の形態】本発明のウェーハの研磨方法で
は、ウェーハの膜を形成した面に粉体を吹き付け、これ
により、粉体がウェーハに衝突した際の衝撃力を利用し
てウェーハに形成された膜を除去してウェーハの表面を
研磨する。

【００２８】ここで、ウェーハに吹き付ける粉体として
は、安価で切削性に優れているものがよく、硬度がビッ
カース硬度で９００ｋｇｆ／ｍｍ^２以上の炭化物、窒化
物、酸化物、硼化物等のセラミックス粉末が好ましい。

【００２９】また、セラミック粉末としては炭化物とし
てＴｉＣ、ＳｉＣ、ＶＣ、ＨｆＣ、ＺｒＣ、ＮｂＣ、
ＷＣ、ＴａＣ、Ｍｏ_２Ｃ、Ｃｒ₃C₂、W_２C、Ｂ_４C、窒化
物としてＴｉＮ、ＶＮ、ＨｆＮ、ＺｒＮ、ＮｂＮ、Ｂ
Ｎ、ＡｌＮ、Ｓｉ_３N_４、ＣｒＮ、酸化物としてＡｌ_２
Ｏ_３、ＢｅＯ、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＳｉＯ_２、ＣｒＯ
_２、Ｃｒ_２Ｏ_５、硼化物としてＴｉＢ_２、ＺｒＢ_２、Ｈ
ｆＢ_２、ＴａＢ_２、ＭｏＢ_２、ＣｒＢ_２、ＭｏＢ、Ｎｂ
Ｂ、ＵＢ_２、ＭｏＢ_２があり、これら単独もしくは混合
物を使用してもよい。

【００３０】なお、ウェーハに粉体を吹き付ける際に、
ウェーハの研磨する面を下方に向け、下方よりウェーハ
に粉体を吹き付けて研磨しても良く、これにより、ウェ
ーハの研磨屑や研磨に用いた粉体をウェーハから容易に
除去することができ、研磨効率を向上できる。

【００３１】また、ウェーハに粉体を吹き付ける場合に
はウェーハを固定する必要があるが、この方法として
は、ウェーハを真空チャックにより保持する方法、ある
いは、０度以上５０度以下の温度で粘着し８０度以上２
００度以下の温度に加熱することで剥離可能な熱剥離シ
ートにより前記ウェーハを保持する方法を採用すると良
い。

【００３２】更に、ウェーハを複数枚保持し、この保持
した複数枚のウェーハを同時に研磨してもよく、更にま
た、ウェーハの表面を研磨した後に、研磨したウェーハ
を複数枚重ね合わせ、この複数枚重ね合わせたウェーハ
の側面から粉体を吹き付けることにより、ウェーハ側面
に形成された膜を除去すると良い。

【００３３】次に本発明のウェーハの研磨装置の実施の
形態について説明すると、本形態のウェーハの研磨装置
では、ウェーハを保持するための保持手段が加工室内に
備えられるとともに、同じく加工室内に、該保持部に保
持されたウェーハに粉体を吹き付けるための研磨手段が
備えられ、更に、前記加工室内には、ウェーハに吹き付
けた粉体を回収するための粉体除去手段が備えられてい
る。そのため、本発明のウェーハの研磨装置を用いるこ
とにより、前述した研磨方法を容易に実施することが可
能である。

【００３４】

【実施例】本発明の研磨装置の実施例について図面を参
照して説明すると、図１は、本実施例のウェーハの研磨
装置の構成を示す図であり、図において１は、ウェーハ
の研磨を行うための加工室である。

【００３５】そして、この加工室１内には、任意の箇所
に、粉体をウェーハに吹き付けるための噴射ノズル８が
備えられるとともに、この噴射ノズル８には、研磨材ホ
ース１０の一端が連結されている。

【００３６】更に、前記研磨材ホース１０の他端は、前
記加工室１の外に備えた、高圧ガス等により粉体を供給
するための粉体供給装置５に連結され、これにより、研
磨材ホース１０を介して、前記噴射ノズル８より粉体を
噴射可能としている。

【００３７】また、図において７は、ウェーハを固定し
ておくためのウェーハ吸着台７であり、このウェーハ吸
着台７は前記加工室１内において、前記噴射ノズル８よ
り粉体が噴射される側に備えられており、これにより、
このウェーハ吸着台７上に固定されたウェーハ１２に向
けて粉体を噴射可能としている。なおこのウェーハ吸着
台７として本実施例では、真空チャックを用いている。

【００３８】更に、図において６はホッパーであり、こ
のホッパー６は、前記加工室１の下方に備えられてお
り、このホッパー６により、噴射された粉体、及び粉体
の吹き付けにより削られた被加工物が回収される。

【００３９】また、このホッパー６には風管１３が連結
されるとともに、この風管１３はサイクロン２に連結さ
れ、このサイクロン２には前記粉体供給手段５及び集塵
機３が連結されている。そして、前記ホッパー６及び風
管１３を介して回収された粉体及び削られた被加工物は
このサイクロン２により選別され、研磨により削られた
被加工物と破砕されたパウダーは集塵機３に入り捕集さ
れ、また、使用できるパウダーは、粉体捕集手段９を介
して前記粉体供給装置５に入り、再び噴射ノズル８から
噴射される。

【００４０】このようにして構成される本実施例のウェ
ーハの研磨装置においては、ウェーハ吸着台７にウェー
ハ１２を固定した後に粉体供給装置５を作動させると、
粉体が高圧ガス等により加工室１内の噴射ノズル８に供
給されるとともに、この粉体は、高圧ガスとともに噴射
ノズル８より噴射され、ウェーハに吹き付けられ、これ
によりウェーハの切削研磨が行われる。

【００４１】そして、ウェーハ１２に吹き付けられた粉
体は、ホッパー６及び風管１３を通って加工室１からサ
イクロン２に入り、このサイクロン２において、（１）
削られた被加工物及び破砕された粉体、（２）再使用可
能な粉体、とにより選別されて、この削られた被加工物
及び破砕された粉体は集塵機３に入り捕集される。一
方、再使用可能な粉体は、ロータリーバルブあるいはス
クリュー等の粉体捕集手段９を介して粉体供給手段５に
入り、再び噴射ノズル８へ供給される。

【００４２】このように、本実施例のウェーハの研磨装
置を用いることにより、ウェーハへ粉体を吹き付けてウ
ェーハに形成された膜を除去することが容易となる。

【００４３】次に、このように構成されるウェーハ研磨
装置を用いてウェーハの研磨を行う場合の実施例につい
て説明すると、本実施例によりウェーハの研磨を行う場
合には、まず、加工室１内においてウェーハ１２を固定
した後に、このウェーハ１２に向けて粉体を吹き付け、
これによりウェーハ１２の表面に形成された膜を除去し
てウェーハを研磨する。

【００４４】なお、この場合、ウェーハ１２上に蒸着等
により絶縁膜、導電膜、半導体膜を形成したり、熱拡散
及びイオン打ち込み法により不純物を導入したウェーハ
の表面を圧力０．２ｋｇ／ｃｍ^２以上の圧力でセラミッ
ク粉体を吹き付けることによりウェーハ表面の研磨を行
うとよい。

【００４５】また、基板のダメージを低減して、次のポ
リシング行程時間を短縮するために加工後の面粗さを低
く押さえるためセラミックの平均粒径は３０μm以下で
２μm以上のパウダーを使用することが望ましい。

【００４６】即ち、一般に半導体で絶縁膜及び半導体膜
を形成するときは１μ以下の膜厚で形成してパターンを
形成させるため、蒸着された皮膜の膜厚より大きな粒径
のパウダーをぶつけることにより、材質に関係なく、ぶ
つかったときの衝撃力で薄膜が剥がれようとする。その
ため、この衝撃力を利用してウェーハ表面の膜を簡単に
除去することができる。

【００４７】なお、前述したように、本実施例のウェー
ハの研磨方法によりウェーハの研磨を行う場合には、高
圧ガスにてセラミックパウダーを吹き付けるためウェー
ハを固定しないと高圧ガスによりウェーハが吹き飛んで
しまうために、ウェーハを台に固定する必要があるが、
この固定方法としては真空により固定する方法、ワック
スにより固定する方法、０度以上５０度以下の温度で粘
着し８０度以上２００度以下の温度に加熱することで剥
離可能な熱剥離シートにより固定する方法がある。

【００４８】このようにしてウェーハ表面の膜を研磨除
去してウェーハ表面を平坦にした後に、一般にウェーハ
のポリシングに使用されているポリシング装置やＣＭＰ
（化学機械式研磨）によりウェーハ表面のポリシングを
行うとよい。

【００４９】次に、図２を参照して、本実施例のウェー
ハの研磨方法を用いてウェーハの研磨を行った場合の詳
細な説明を行うと、まず、図２（２−１）にて、ウェー
ハ吸着台７にウェーハ１２を固定し、その後に、噴射ノ
ズル８よりセラミックパウダー２０を噴射して前記ウェ
ーハ１２に吹き付け、これにより、ウェーハ１２の表面
を切削研磨して、パウダーの衝撃力により薄膜及び不純
物層を除去した。そしてその後に、エアーブローや水洗
等により表面に付着したパウダーを除去した。

【００５０】なお、本実施例における前記ウェーハ吸着
台７としては真空チャックを用いており、真空２１等に
よりウェーハ吸着台にウェーハを固定した。

【００５１】また、本実施例では、図にも示されている
ように、ウェーハ１２を複数枚保持したが、必ずしも複
数枚保持する必要は無い。また、複数枚のウェーハを保
持する際には、この保持した複数枚のウェーハ１２を同
時に研磨してもよい。

【００５２】更に、ウェーハ表面を切削研磨する場合に
は、図２（２−２）に示すようにして、ウェーハ吸着台
７の下側にウェーハ１２を固定してウェーハ１２の研磨
する面を下方に向け、下方よりウェーハに粉体を吹き付
けて研磨してもよい。これにより、ウェーハの研磨屑や
研磨に用いた粉体をウェーハから容易に除去することが
でき、研磨効率を向上できる。即ち、セラミックパウダ
ーを下方より噴射する場合には、研磨により除去された
研磨屑が容易に除去できるため、短時間で表面を均一に
研磨することができるとともに、エアーブローや水洗等
による表面に付着したパウダーの除去が容易である。

【００５３】次に、図２（２−３）にて、ウェーハ１２
の側面に蒸着された薄膜及び不純物層を研磨除去した。
そしてこの場合は、ウェーハ１２を何枚も重ね合わせた
後に側面からパウダーを吹きつけ、これにより研磨除去
するようにした。但し、ウェーハの側面に薄膜の蒸着や
不純物層が無い場合はこの工程を省略してもよい。

【００５４】また、比較的膜厚の厚い金属はパウダーを
吹きつけることによる研磨のみでは除去できないためこ
の場合は薬液によるエッチングを組み合わせて不純物を
除去する。

【００５５】そしてその後に、図２（２−４）にて、ウ
ェーハ固定台３２にウェーハ１２を固定して、研磨板３
１を使用して薄膜や不純物層を除去した基板のポリシン
グを行った。

【００５６】なお、本実施例においては、次の加工条件
にて１２インチシリコンウェーハに付着した薄膜を除去
した。また、窒化チタン、アルミ、アルミナ、タングス
テン、窒化珪素の薄膜を蒸着したウェーハを使用して加
工を行った。

【００５７】即ち、加工装置としてはＨＣ−４ＸＢＡＲ
Ｓ−ＮＨ−４０１Ｐ（不二製作所製）を用いた。

【００５８】また、図２（２−１）における研磨の際の
加工条件としては、エアー圧力を０．５ｋｇ／ｃｍ^２、
ノズル距離を３０mm、ノズル移動スピードを３０ｍ／ｍ
ｉｎ、ワーク移動スピードを２００ｍｍ／ｍｉｎとし、
使用研磨材としてホワイトアランダム＃１５００（アル
ミナ粉末）を用い、加工パス数を２パスとした。

【００５９】そして、加工の後にシリコンウェーハを１
０枚重ね合わせ保護用に上下に保護板３３でシリコンウ
ェーハを保護して基板を図２の（２−３）のように回転
させながらウェーハ側面からパウダーを吹きつけ、側面
の薄膜を除去した。そしてこの場合の加工条件として、
エアー圧力を０．５ｋｇ／ｃｍ^２とし、ノズル距離を３
０ｍｍ、基板回転数を１０ｒｐｍ、加工時間を１２０秒
にし、使用研磨材としてホワイトアランダム＃１５００
（アルミナ粉末）を用い研磨加工を行った。そしてその
結果、完全に表面の薄膜が除去された。また、前記図２
（２−１）に示される上方からのセラミックパウダー吹
きつけ加工後の面粗さはＲｍａｘ０．８μmであり、更
に図２（２−２）に示される下方からのセラミックパウ
ダー吹き付け加工後の面粗さはＲｍａｘ０．５μmであ
り、いずれの場合も全面に亘って均一に研磨することが
できた。

【００６０】そして、前記研磨除去加工の後に、スピー
ドファム製のポリシング装置を使用してウェーハ表面の
ポリシングを行った結果、表面粗さ計で測定できないほ
ど鏡面になり新品のウェーハと同様の表面状態が得られ
た。

【００６１】

【発明の効果】本発明は以上説明した形態で実施され、
以下に記載するような効果を奏する。

【００６２】本発明は、ウェーハの研磨方法として、粉
体をウェーハに吹き付けることを特徴としており、これ
により、粉体がウェーハにぶつかったときの衝撃力でウ
ェーハ表面の膜を簡単に除去することができる。

【００６３】そのため、本発明を用いることにより、ウ
ェーハ表面に形成された膜を除去してウェーハ表面を平
坦にすることができるため、例えばポリシング装置によ
り鏡面研磨をする前段階として本発明を採用することに
より、ウェーハの研磨に要する時間を大幅に短縮できる
とともに、ポリシング装置の小型化を達成することもで
き、ウェーハの大型化に適切に対応してウェーハの研磨
にかかる加工効率を工場できるという著効を奏する。

【００６４】更に、本発明を採用することによりウェー
ハに形成された膜を有効に除去できるために、ウェーハ
の再生をも達成可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るウェーハの研磨装置の実施例の構
成を示す図である。

【図２】本発明のウェーハの研磨方法の実施例を説明す
るための図である。

【符号の説明】

１加工室２サイクロン３集塵機５パウダー供給装置６ホッパー７ウェーハ吸着台８噴射ノズル９粉体捕集手段１０研磨材ホース１２ウェーハ１３風管２０セラミックパウダー＋高圧ガス３１研磨板３２ウェーハ固定台３３保護板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ウェーハの表面に形成された膜を研磨除去
するためのウェーハの研磨方法であって、ウェーハの膜
を形成した面に粉体を吹き付けて、これによりウェーハ
の膜を研磨除去することを特徴とするウェーハの研磨方
法。
【請求項２】前記ウェーハの研磨する面を下方に向け、
下方よりウェーハに粉体を吹き付けて研磨することを特
徴とする請求項１に記載のウェーハの研磨方法。
【請求項３】前記ウェーハを真空チャックにより保持し
た状態においてウェーハに粉体を吹き付けて研磨するこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウェーハ
の研磨方法。
【請求項４】０度以上５０度以下の温度で粘着し８０度
以上２００度以下の温度に加熱することで剥離可能な熱
剥離シートにより前記ウェーハを保持した後に研磨する
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウェー
ハの研磨方法。
【請求項５】ウェーハを複数枚保持し、この保持した複
数枚のウェーハを同時に研磨することを特徴とする請求
項１乃至請求項４のいずれかに記載のウェーハの研磨方
法。
【請求項６】請求項１乃至請求項５のいずれかの方法に
よりウェーハを研磨した後に、研磨したウェーハを複数
枚重ね合わせ、この複数枚重ね合わせたウェーハの側面
から粉体を吹き付けることにより、ウェーハ側面に形成
された膜を除去することを特徴とするウェーハの研磨方
法
【請求項７】硬度がビッカース硬度で９００ｋｇｆ／ｍ
ｍ^２以上の炭化物、窒化物、酸化物、硼化物等のセラミ
ックス粉末を吹き付けて研磨除去することを特徴とする
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のウェーハの研
磨方法。
【請求項８】ウェーハ表面に形成された膜を研磨除去す
るために用いられるウェーハの研磨装置であって、ウェ
ーハの研磨を行うための加工室（１）と、該加工室
（１）内に備えたウェーハ保持手段（７）と、該保持手
段（７）に保持されたウェーハ（１２）に粉体を吹き付
けてウェーハ表面に形成された膜を研磨して除去するた
めの研磨手段（８）と、該研磨手段（８）による研磨で
付着した粉体を除去する粉体除去手段（６）とを備えた
ことを特徴とするウェーハの研磨装置。
【請求項９】予め粗研磨したウェーハ表面に形成された
膜を研磨除去してウェーハの仕上げ研磨を行うためのウ
ェーハの研磨装置であって、ウェーハを保持する保持手
段（３２）と、該保持手段（３２）に保持されたウェー
ハ（１２）を仕上げ研磨するための仕上げ研磨手段（３
１）とを具備することを特徴とするウェーハの研磨装
置。