JPS59184530A - スプレ−洗浄方法 - Google Patents

スプレ−洗浄方法

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Publication number
JPS59184530A
JPS59184530A JP5800283A JP5800283A JPS59184530A JP S59184530 A JPS59184530 A JP S59184530A JP 5800283 A JP5800283 A JP 5800283A JP 5800283 A JP5800283 A JP 5800283A JP S59184530 A JPS59184530 A JP S59184530A
Authority
JP
Japan
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water
spray
sample
pure water
pure
Prior art date
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Pending
Application number
JP5800283A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Watanabe
明 渡辺
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP5800283A priority Critical patent/JPS59184530A/ja
Publication of JPS59184530A publication Critical patent/JPS59184530A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、ウェハ及びマスクの現像及びエツチング後の
純水洗浄に関するものである。
（従来技術） 従来のスプレー洗浄方法は第１図に示すように、現像及
びエツチングで形成された、ウエノ１及びマスクのレジ
スト及びエツチング・ぐターン１（以下単に試料という
）をスプレーノズル２よシ吐出する純水３のみで洗浄を
行なうため、パターンがスプレーの衝撃によって削られ
たシ、はがれが生じる。その上、純水スプレーで出来る
試料１上の水（１） 膜が薄いため、一度洗浄処理で剥離したレジスト及び塵
埃等の浮遊物の移動（除去）が困難で、そのためスプレ
ーの衝撃によってエツジ部にたたきつけられることがあ
った。従ってクリーンなパターンが得ら扛ないという欠
点があった。
（発明の目的） 本発明は、このような従来の欠点を除去するもので、純
水スプレーと同時に試料へ流水を施すようにしたもので
ある。以下本発明の一実施例を図面により詳細に説明す
る。
（発明の構成） 第２図は本発明スプレー洗浄方法の一実施例を示す装置
の断面図で、第１図と同じ機能部品には同一の参照符号
を付した。図において４は流水用ノズル、５は流水用ノ
ズル４よシ流出する純水である。図に示すように回転中
の試料１に対してスプレーノズル２よシ吐出する純水３
と流水用ノズル４より流出する純水５を同時に実施する
ようにしたものである。
このようにすると、流水ノズル４よシ流出する（２） 純水５によって回転している試料１の表面上には一定厚
の水膜が保持され、これにスプレーノズル２よシ吐出す
純水３によって試料１０表面に受けるスプレーの衝撃力
が小さくなシ、また、流水を行なうことによって水膜が
厚くなるため処理されたレジスト及び塵埃は、この水膜
に含ま扛て回転によって生じる遠心力によって試料１よ
シ除去される。したがって試料１が清浄で、クリーンな
パターンが得られる。
（発明の効果） 以上詳細に説明したように、本発明はスプレーによる純
水と流水による純水を併用するため、クリーンなｉ４タ
ーンで清浄なウェハやマスクが得られる。したがって現
像及びエツチング後の純水洗浄に利用して大きな効果が
ある。
【図面の簡単な説明】 第１図は従来のスプレー洗浄方法を示す装置の断面図、
第２図は本発明スプレー洗浄方法の一実施例を示す装置
の断面図である。 １・・・試料、２・・・スプレアノズル、３・・・スプ
レーノズルよシ吐出する純水、４・・・流水用ノズル、
５・・・流入用ノズルよシ流出する純水。 特許出願人　沖電気工業株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ウェハ及びマスクの現像及びエツチング後の純水洗浄に
    おいて、スプレーによる純水と流水による純水を併用す
    ることを特徴とするスプレー洗浄方法
JP5800283A 1983-04-04 1983-04-04 スプレ−洗浄方法 Pending JPS59184530A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61263226A (ja) * 1985-05-17 1986-11-21 Matsushita Electronics Corp 半導体表面の洗浄方法
US6334902B1 (en) * 1997-09-24 2002-01-01 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface
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