JPH0496215A - 浸漬処理方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野〕 本発明は、パターン形成した基板、例えば半導体用マス
クまたはウェハを薬液浸漬法で処理する方法および装置
に係わる。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

半導体用マスクは、次のようにして作成される。

（１）ガラス基板上にクロム膜を墓前する。

（２）その上に懇光レジストを塗布する。

（３）該レジストにパターン化された光または電子線を
照射する。

（４）薬液を用いて現像を行い、露光部のレジストを除
去する。

（５）薬液を用いてエノチングを行い、現像処理でレジ
スト除去された部分のクロム膜を除去する。

（６）全てのレジストを除去する。

現像またはエノチングする方法として、基板上に薬液を
スプレーして処理する方法と、薬液中に基板を浸漬して
処理する方法とがある。

本発明は、マスクを一枚づつ浸漬して処理する方法に係
ゎる。

第１図は、マスクを浸漬した時の現像液の流れを示す図
である。

マスク１を１３の深さまで浸漬する過程において、現像
槽２の現像液３はマスク１の中央部へ巻き込むように流
れるので、マスク１の端面４に付着しているゴミは現像
液に流されてマスク１の表面のレジストに付着する。

一方、マスクを保持する場合、欠陥防止のためマスクの
表面または裏面を直接触らずマスクの端面を触るので、
端面にはゴミがつき易い。従って、従来の浸漬処理方法
では、マスクを現像液に浸漬した時、端面のゴミがマス
ク表面のレジストに再付着し現像不良を発生するという
欠陥がある。

また、露光部分のレジストを現像して除去した後エツチ
ングを行う場合、除去部分が小さいパターンではエツチ
ング液中に浸漬した時レジスト除去された凹部に空気が
気泡として残りエツチング残りとなる欠陥がある。

本発明は上記欠陥を除去した新規な発明であって、その
目的は、ゴミが再付着することのない浸漬処理方法およ
び装置を提供することである。

さらに本発明の他の目的はエツチング残りを発生させな
いエツチング方法および装置を提供することである。

（発明の概要〕 本発明の浸漬処理方法および装置は、予備液を前記基板
表面にスプレーした後薬液に浸漬することを特徴とし、
また、浸漬槽と、基板搬送機と、基板を載置するステー
ジと、薬液ノズルと、洗浄液ノズルと、排液パルプとか
らなり予め前記薬液ノズルまたは前記洗浄ノズルから液
をスプレーした後前記浸漬槽に浸漬することを特徴とす
るものである。

〔発明の実施例〕

以下、本発明を図面により詳細に説明する。

第２図は本発明になる現像装置の縦断面図、第３図は本
発明になる現像装置の平面図である。現像液を現像液ノ
ズル１０から現像槽２に供給した後、搬送機５で保持さ
れたマスク１を現像槽２の上に搬送する。予備液ノズル
６から現像液を約２秒間マスク１の上面にスプレーした
後、搬送機５を下降してマスク１をステージ７に載置し
、現像液３に浸漬して搬送機５は退避する。

所定時間浸漬を継続し現像を終了するとバルブ８を開と
して現像液３を廃液した後、モータ１１でステージ７を
回転しながら洗浄液ノズル９から洗浄液をスプレーして
、マスク１を洗浄する。

浸漬前に現像液をスプレーし、予めマスク１の表面をぬ
らしておくことにより、浸漬時のマスク端面のゴミの再
付着を防止することができる。

上記説明では浸漬前の予備液として現像液を使用した場
合について述べたが、洗浄液ノズル９を用いた洗浄液を
予備液として使用することによっても同様な効果を上げ
ることができる。ただし、浸漬した時現像液の濃度が変
化するので現像速度が若干遅くなることを考慮する必要
がある。

さらに、予備液として現像液と洗浄液の混合液を予備液
ノズル６からスプレーすることによって現像液濃度の変
化を少なくして本発明を実現することができる。

さらに、また予備液ノズル６から現像液を洗浄液ノズル
９から洗浄液を同時にスプレーし、マスクｌ上で混合す
ることによっても全く同様に効果を上げることができる
。

第４ａ図は電子線露光した状態のマスク、第４ｂ図は露
光部分が現像された状態のマスクである。ガラス基板２
０の上にクロム膜２１が成膜され、さらにその上にレジ
スト２２が塗布されている。

レジスト２２の２３ａ、２３ｂ、２３ｃが電子線によっ
て露光された部分である。この部分を現像すると露光さ
れたレジス）２３ａ、２３ｂ、２３Ｃが溶解して第４ｂ
図の通り小さな凹部２４ａ、２４ｂ、２４Ｃを形成する
。凹部４ａ、２４ｂ、２４Ｃは４〜１０μｍ正方の大き
さであるため、浸漬した時空気が残留しエツチング残り
となる危険がある。

浸漬前にエツチング液ノズルからエツチング液をスプレ
ーして凹部の気泡を追いだした後浸漬することによりエ
ツチング残りを・なくすことができると同時にゴミの再
付着を防止することができる。

上記説明では基板としてマスクを例にとり述べたが、本
発明はこれに限定されるものではなく、基板としてウェ
ハであっても、高密度プリント板であっても、さらにそ
の他の微細加工基板であっち本発明を実現できることは
明らかである。

また、上記説明ではレジストの現像、クロム膜のエツチ
ングについて述べたが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、他の金属膜、酸化膜、さらにその他の薄膜の
エツチングについても全く同様に本発明を実現できるこ
とは明らかである。

〔発明の効果〕

以上詳述した如く本発明の浸漬処理方法および装置によ
れば、ゴミが再付着することがなくまたエツチング残り
のない高品質の基板処理の方法および装置が実現できる
という顕著な効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はマスクを浸漬した時の現像液の流れを示す図、
第２図は本発明になる現像装置の縦断面図、第３図は本
発明になる現像装置の平面図で第４ａ図は電子線露光し
た状態のマスク、第４ｂ図は露光部分が現像された状態
のマスクである。 １・・・マスク、２・・・現像槽、３・・・現像液、４
・・・マスク１の端面、５・・・搬送機、６・・・予備
液ノズル、７・・・ステージ、８・・・排液バルブ、９
・・・洗浄液ノズル、１０・・・現像液ノズル、１１・
・・モータ、２０・・・ガラス基板、２Ｉ・・・クロム
膜、２２・・・レジスト。 特　許　出　願　人　　　　シグマ技術工業株式会社代
表者　　神　１）　薫 平成 ２年１１月２８日 ２　。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、パターンを形成した基板上の薄膜を薬液に浸漬して
   処理する方法において、予備液を前記基板表面にスプレ
   ーした後薬液に浸漬することを特徴とした浸漬処理方法
   。 ２、前記予備液が洗浄液であることを特徴とする前記特
   許請求の範囲第１項記載の浸漬処理方法。 ３、前記予備液が浸漬薬液であることを特徴とする前記
   特許請求の範囲第１項記載の浸漬処理方法。 ４、前記予備液が洗浄液と浸漬薬液の混合液であること
   を特徴とする前記特許請求の範囲第１項記載の浸漬処理
   方法。 ５、パターンを形成した基板上の薄膜を薬液に浸漬して
   処理する装置において、浸漬槽と、基板搬送機と、基板
   を載置するステージと、薬液ノズルと、洗浄液ノズルと
   、排液バルブとからなり予め前記薬液ノズルまたは前記
   洗浄液ノズルから液をスプレーした後前記浸漬槽に浸漬
   することを特徴とした浸漬処理装置。