JPS62250645A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
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- JPS62250645A JPS62250645A JP61093317A JP9331786A JPS62250645A JP S62250645 A JPS62250645 A JP S62250645A JP 61093317 A JP61093317 A JP 61093317A JP 9331786 A JP9331786 A JP 9331786A JP S62250645 A JPS62250645 A JP S62250645A
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- washed
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば半導体プロセスにおいてフォトマスク
ブランクやフォトマスク、あるいは半導体基板等を洗浄
する場合に用いられる洗浄方法に関し、特に洗浄液によ
る洗浄方法に関する。
ブランクやフォトマスク、あるいは半導体基板等を洗浄
する場合に用いられる洗浄方法に関し、特に洗浄液によ
る洗浄方法に関する。
従来この種の洗浄方法としては、一般に、被洗浄物を少
なくとも２種以上の洗浄液（例えば純水、アルコール等
）に順次浸漬して超音波洗浄した後、アルコール等の蒸
気により洗浄液を置換し乾燥する（蒸気乾燥）方法が知
られている。
なくとも２種以上の洗浄液（例えば純水、アルコール等
）に順次浸漬して超音波洗浄した後、アルコール等の蒸
気により洗浄液を置換し乾燥する（蒸気乾燥）方法が知
られている。
しかし、洗浄前に被洗浄物の表面に残留している異物と
洗浄に用いられる薬液との反応のメカニズムは複雑で、
そのメカニズムを正確に把握して薬液によりその異物を
すべて除去させることは短しく、さらに薬液自体に含ま
れる不純物等が乾燥時に汚れとして残留してしまうこと
もあり、洗浄後に相轟程団の汚れが発生することがあっ
た。
洗浄に用いられる薬液との反応のメカニズムは複雑で、
そのメカニズムを正確に把握して薬液によりその異物を
すべて除去させることは短しく、さらに薬液自体に含ま
れる不純物等が乾燥時に汚れとして残留してしまうこと
もあり、洗浄後に相轟程団の汚れが発生することがあっ
た。
本発明ね、洗浄液による洗浄工程の前に、被洗浄物をプ
ラズマ処理する工程を設けたものである。
ラズマ処理する工程を設けたものである。
プラズマ処理により、洗浄前に被洗浄物の表面に残留し
ている異物はダメージを受け、一部は除去され、一部は
その後の洗浄で除去されやすい状態となる。同時に、被
洗浄物表面のぬれ性が数置され、抗争用の薬液は表面全
体に均一な厚さに広がって、一部分に集中的に付着し残
留することがなくなる。
ている異物はダメージを受け、一部は除去され、一部は
その後の洗浄で除去されやすい状態となる。同時に、被
洗浄物表面のぬれ性が数置され、抗争用の薬液は表面全
体に均一な厚さに広がって、一部分に集中的に付着し残
留することがなくなる。
本例による洗浄方法は、ＣＦ４ガスと０３ガスとの混合
ガスによるプラズマ処理工程、浸漬洗浄工程および乾燥
工程からなり、洗浄工程および乾燥工程として、はじめ
に澄硫酸による洗浄後、純水槽３槽およびイソプロピル
アルコール（ＩＰＡ）＋１８に被洗浄物を順次浸飼して
それぞれ超音波洗浄し、さらにＩＰＡ蒸気で蒸気乾燥す
る工程を採用した。
ガスによるプラズマ処理工程、浸漬洗浄工程および乾燥
工程からなり、洗浄工程および乾燥工程として、はじめ
に澄硫酸による洗浄後、純水槽３槽およびイソプロピル
アルコール（ＩＰＡ）＋１８に被洗浄物を順次浸飼して
それぞれ超音波洗浄し、さらにＩＰＡ蒸気で蒸気乾燥す
る工程を採用した。
被洗浄物として、周知のレジスト工程およびエツチング
工程を経て、レジストパターン剥離前のレジストパター
ン付きフォトマスクを用いた。すなわち、透光性のガラ
ス基板上にクロム等の遮光性膜を被着してなるフォトマ
スクブランク上にレジストを塗布し、所望パターンのマ
スクを介してｔｊ光、現像した後、レジストパターンを
マスクとして遮光性膜をエツチングしたものである。
工程を経て、レジストパターン剥離前のレジストパター
ン付きフォトマスクを用いた。すなわち、透光性のガラ
ス基板上にクロム等の遮光性膜を被着してなるフォトマ
スクブランク上にレジストを塗布し、所望パターンのマ
スクを介してｔｊ光、現像した後、レジストパターンを
マスクとして遮光性膜をエツチングしたものである。
このレジストパターン付きフォトマスクに対する本例の
洗浄方法を次に述べる。はじめにプラズマ処理袋Ｒ内に
、レジストパターン付きフォトマスクを配置し、この装
置内にＣＦ、１０ｓガスを導入し、このガスをプラズマ
化してプラズマ処理を施した。処理条件は、ＣＦ４ガス
流量１００ ｓｅｃｍ 。
洗浄方法を次に述べる。はじめにプラズマ処理袋Ｒ内に
、レジストパターン付きフォトマスクを配置し、この装
置内にＣＦ、１０ｓガスを導入し、このガスをプラズマ
化してプラズマ処理を施した。処理条件は、ＣＦ４ガス
流量１００ ｓｅｃｍ 。
Ｏｚガス流ｔ４０ｓｃｃｍ、ガス圧３ＱＰａおよびＲＦ
パワー０５鴇個で、処理時間は１０秒とした。
パワー０５鴇個で、処理時間は１０秒とした。
次いで前記洗浄工程および乾燥工程により洗浄・乾燥を
行なった。洗浄工程では、まず濃硫酸によって浸貨洗浄
する（洗浄時間：５分）。鉱硫酸による洗浄は、レジス
トパターン付きフォトマスクのレジストパターンを剥離
する工程を兼ねるものである（レジストパターン剥離後
、フォトマスクとなる）。次に、純水相３槽に順次レジ
ストパターンを剥離したフォトマスクを浸漬し、超音波
洗浄する（６槽での洗浄時間はそれぞれ１００秒である
）。次いで、前記フォトマスクをＩＰＡに浸漬し、て同
様に超音波洗浄（洗浄特出１は３分）し、さらにＩＰＡ
蒸気で蒸気乾燥してフォトマスクの洗浄を終了した。こ
こで、濃硫酸がその後の純水による水洗により完全に洗
い流されないと最終的に被洗浄物に汚れが発生する。そ
こで、本発明による効果を確認するため、前述したプラ
ズマ処理を施した後、５分程度行なっている純水による
水洗を２０秒と短くシ、かつ１槽とし、比較のためプラ
ズマ処理を行なわないサンプル（レジストパターン付き
フォトマスク）についても同様の条件で洗浄・乾燥を行
なった。
行なった。洗浄工程では、まず濃硫酸によって浸貨洗浄
する（洗浄時間：５分）。鉱硫酸による洗浄は、レジス
トパターン付きフォトマスクのレジストパターンを剥離
する工程を兼ねるものである（レジストパターン剥離後
、フォトマスクとなる）。次に、純水相３槽に順次レジ
ストパターンを剥離したフォトマスクを浸漬し、超音波
洗浄する（６槽での洗浄時間はそれぞれ１００秒である
）。次いで、前記フォトマスクをＩＰＡに浸漬し、て同
様に超音波洗浄（洗浄特出１は３分）し、さらにＩＰＡ
蒸気で蒸気乾燥してフォトマスクの洗浄を終了した。こ
こで、濃硫酸がその後の純水による水洗により完全に洗
い流されないと最終的に被洗浄物に汚れが発生する。そ
こで、本発明による効果を確認するため、前述したプラ
ズマ処理を施した後、５分程度行なっている純水による
水洗を２０秒と短くシ、かつ１槽とし、比較のためプラ
ズマ処理を行なわないサンプル（レジストパターン付き
フォトマスク）についても同様の条件で洗浄・乾燥を行
なった。
その結果、プラズマ処理を行なわなかったサンプルにつ
いてはひどい汚れが全面に確認されたのに対し、本実施
例のプラズマ処理を施したものではほとんど汚れの発生
が認められなかった。
いてはひどい汚れが全面に確認されたのに対し、本実施
例のプラズマ処理を施したものではほとんど汚れの発生
が認められなかった。
これは、洗浄工程前のレジストパターン付きフォトマス
クには、レジストパターンの形成に用いた現像液中のす
） ＩＪウムや、遮光性膜のエツチングに用いたエツチ
ング液中のセリウム等の不純物が付活しておシ、これら
がＣ硫酸との反応において汚れが発生する原因となるほ
か、これらの不純物の付着により被洗浄物表面のぬれ性
が悪＜、濃硫酸が部分的に粒状に集中して付着すること
から、その後の水洗で除去きれずに残る部分が生じ、洗
浄液としての涙硫酸自体が汚染源となることによる。洗
浄前にプラズマ処理を行なうと、現像液およびエツチン
グ液等に起因する異物が直接削り取られて除去された９
、あるいは異物と被洗浄物表面との間にプラズマが作用
して異物が剥れやすくなったりするとともに、初沈浄物
表面のぬれ性が改善されて乙テ゛硫酸が集中して付着す
ることがなく、水洗により容易に除去されるようになる
。
クには、レジストパターンの形成に用いた現像液中のす
） ＩＪウムや、遮光性膜のエツチングに用いたエツチ
ング液中のセリウム等の不純物が付活しておシ、これら
がＣ硫酸との反応において汚れが発生する原因となるほ
か、これらの不純物の付着により被洗浄物表面のぬれ性
が悪＜、濃硫酸が部分的に粒状に集中して付着すること
から、その後の水洗で除去きれずに残る部分が生じ、洗
浄液としての涙硫酸自体が汚染源となることによる。洗
浄前にプラズマ処理を行なうと、現像液およびエツチン
グ液等に起因する異物が直接削り取られて除去された９
、あるいは異物と被洗浄物表面との間にプラズマが作用
して異物が剥れやすくなったりするとともに、初沈浄物
表面のぬれ性が改善されて乙テ゛硫酸が集中して付着す
ることがなく、水洗により容易に除去されるようになる
。
なお、上述した実施例においてはプラズマ処理はＣＦ４
１０１１ガスを用いて行なったが、被洗浄物の材質およ
び洗浄前に経て来た工程等により、つまり、洗浄前の工
程でどのような異物が付着していることか考えられるか
により、その異物に効果的にダメージを与えかつ被洗浄
物を損わないガスという観点から、その他のハロゲンを
含有する化合物ガス、例えばＣＣＡ！４、ＢＣｌａ、Ｃ
２Ｆ６、ＮＦｓ、ＣＨＦ’ａあるいはＣＦ４１０１１＋
Ｈ１ｆｘど、適宜選択して用いればよい。プラズマ発生
条件、処理時間等も、被洗浄物の材質自形状等により適
宜選定される。
１０１１ガスを用いて行なったが、被洗浄物の材質およ
び洗浄前に経て来た工程等により、つまり、洗浄前の工
程でどのような異物が付着していることか考えられるか
により、その異物に効果的にダメージを与えかつ被洗浄
物を損わないガスという観点から、その他のハロゲンを
含有する化合物ガス、例えばＣＣＡ！４、ＢＣｌａ、Ｃ
２Ｆ６、ＮＦｓ、ＣＨＦ’ａあるいはＣＦ４１０１１＋
Ｈ１ｆｘど、適宜選択して用いればよい。プラズマ発生
条件、処理時間等も、被洗浄物の材質自形状等により適
宜選定される。
また、上述した実施例においてはａ％硫酸を用いる洗浄
に起因する汚れに焦点を当てて直間したが、本発明は他
の洗浄液、例えばＩＰＡ、過酸化水紫水等を用いる洗浄
における汚れ発生を防止する場合にも有効で、例えばＩ
ＰＡによる洗浄後、ＩＰＡ蒸気による蒸気乾燥を行なう
プロセスにおいて、ＩＰＡによる洗浄か１にプラズマ処
理を行なってもよい。
に起因する汚れに焦点を当てて直間したが、本発明は他
の洗浄液、例えばＩＰＡ、過酸化水紫水等を用いる洗浄
における汚れ発生を防止する場合にも有効で、例えばＩ
ＰＡによる洗浄後、ＩＰＡ蒸気による蒸気乾燥を行なう
プロセスにおいて、ＩＰＡによる洗浄か１にプラズマ処
理を行なってもよい。
もちろん、洗浄液による洗浄の際に、洗浄液中に超音波
を伝搬させたり、あるいは被洗浄物を揺動させたシする
ことは任意である。
を伝搬させたり、あるいは被洗浄物を揺動させたシする
ことは任意である。
ま友、乾燥法もＩＰＡ蒸気による蒸気乾燥に限らず、フ
レオン等の他の蒸気を用いる蒸気乾燥でも、またスピン
乾燥法等でもよい。
レオン等の他の蒸気を用いる蒸気乾燥でも、またスピン
乾燥法等でもよい。
なお、上述した実施例中の洗浄プロセスでは、＆ Ｇ’
ｙ酸、純水およびＩＰＡを洗浄液とする洗浄が順次行な
われるが、各洗浄工程ごとに、それに先立ってプラズマ
処理することも考えられる。しかし、プラズマ処理を行
なうためには、被洗浄物を乾燥させる必要があることか
ら、一連の洗浄工程の最初においてのみ行なう方法が実
用的である。
ｙ酸、純水およびＩＰＡを洗浄液とする洗浄が順次行な
われるが、各洗浄工程ごとに、それに先立ってプラズマ
処理することも考えられる。しかし、プラズマ処理を行
なうためには、被洗浄物を乾燥させる必要があることか
ら、一連の洗浄工程の最初においてのみ行なう方法が実
用的である。
以上説明したように、本発明、によれば、洗浄液による
洗浄に先立ってプラズマ処理を行なうことにより、被洗
浄物に洗浄前に付着している異物にダメージを与えかつ
被洗浄物のぬれ性を改善できるため、上記異物あるいは
洗浄液による汚れの発生を防止できる。
洗浄に先立ってプラズマ処理を行なうことにより、被洗
浄物に洗浄前に付着している異物にダメージを与えかつ
被洗浄物のぬれ性を改善できるため、上記異物あるいは
洗浄液による汚れの発生を防止できる。
Claims (1)
- 被洗浄物を洗浄液により洗浄した後乾燥する洗浄方法に
おいて、前記洗浄液による洗浄工程の前に、前記被洗浄
物をプラズマ処理する工程を有することを特徴とする洗
浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61093317A JPS62250645A (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61093317A JPS62250645A (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62250645A true JPS62250645A (ja) | 1987-10-31 |
Family
ID=14078921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61093317A Pending JPS62250645A (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62250645A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011009218A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | 金属リチウムの除去方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58127328A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-07-29 | Seiko Epson Corp | 半導体基板の絶縁保護膜の蝕刻方法 |
| JPS58220429A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-22 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5911629A (ja) * | 1982-07-12 | 1984-01-21 | Toshiba Corp | 表面清浄化方法 |
-
1986
- 1986-04-24 JP JP61093317A patent/JPS62250645A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58127328A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-07-29 | Seiko Epson Corp | 半導体基板の絶縁保護膜の蝕刻方法 |
| JPS58220429A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-22 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5911629A (ja) * | 1982-07-12 | 1984-01-21 | Toshiba Corp | 表面清浄化方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011009218A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | 金属リチウムの除去方法 |
| US9243332B2 (en) | 2009-06-24 | 2016-01-26 | Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives | Method for eliminating metallic lithium |
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