JPH076942A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH076942A JPH076942A JP25177391A JP25177391A JPH076942A JP H076942 A JPH076942 A JP H076942A JP 25177391 A JP25177391 A JP 25177391A JP 25177391 A JP25177391 A JP 25177391A JP H076942 A JPH076942 A JP H076942A
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- resist film
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は各種薄膜のエッチング後のレジスト
膜除去等の後処理方法に関し，ドライエッチング時にレ
ジスト膜上に付着した異物の完全除去を目的とする。 【構成】 基板１上の被エッチング膜２を, 該被エッチ
ング膜２上にパターニングされたレジスト膜３をマスク
としてドライエッチング材４によりエッチングする工程
と, 次に, 該被エッチング膜２上の該レジスト膜３を一
次洗浄液６によりウエット洗浄して, 該レジスト膜３上
の異物５を除去する工程と, 続いて, 該被エッチング膜
２上の該レジスト膜３を酸素プラズマ７によりアッシン
グして除去する工程と, 更に, 該被エッチング膜２の表
面を二次洗浄液８によりウエット洗浄する工程とを含む
ように構成する。
膜除去等の後処理方法に関し，ドライエッチング時にレ
ジスト膜上に付着した異物の完全除去を目的とする。 【構成】 基板１上の被エッチング膜２を, 該被エッチ
ング膜２上にパターニングされたレジスト膜３をマスク
としてドライエッチング材４によりエッチングする工程
と, 次に, 該被エッチング膜２上の該レジスト膜３を一
次洗浄液６によりウエット洗浄して, 該レジスト膜３上
の異物５を除去する工程と, 続いて, 該被エッチング膜
２上の該レジスト膜３を酸素プラズマ７によりアッシン
グして除去する工程と, 更に, 該被エッチング膜２の表
面を二次洗浄液８によりウエット洗浄する工程とを含む
ように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は各種薄膜のエッチング後
のレジスト膜除去等の後処理方法に関する。近年，半導
体装置の高集積化，微細化にともない，半導体基板上の
微細なゴミや残渣が大きな影響を及ぼし，レジスト膜除
去後の微細なレジスト変質物等の異物も例外ではなく，
完全に取り除くことが要求される。
のレジスト膜除去等の後処理方法に関する。近年，半導
体装置の高集積化，微細化にともない，半導体基板上の
微細なゴミや残渣が大きな影響を及ぼし，レジスト膜除
去後の微細なレジスト変質物等の異物も例外ではなく，
完全に取り除くことが要求される。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来例の説明図であり，レジスト
膜20をマスクとしてAl膜19のパターニングとその後のレ
ジスト膜除去及び後処理のプロセスを工程順に模式断面
図で示したものである。
膜20をマスクとしてAl膜19のパターニングとその後のレ
ジスト膜除去及び後処理のプロセスを工程順に模式断面
図で示したものである。
【０００３】図において，18はSi基板, 19はAl膜, 20は
レジスト膜, 21はレジスト変質物,22はプラズマイオン,
23はＯプラズマ，24は洗浄液である。従来の薄膜の,
例えば, 図４に示すように，シリコン(Si)基板18上のア
ルミニウム(Al)膜19の電極形成のためのドライエッチン
グでは, マスクとして用いたレジスト膜20のＯプラズマ
22によるアッシング，次に硝酸(HNO3)等の洗浄液24によ
るウエット処理でのレジスト膜20の除去方法では，レジ
スト変質物21等の異物が残り易かった。
レジスト膜, 21はレジスト変質物,22はプラズマイオン,
23はＯプラズマ，24は洗浄液である。従来の薄膜の,
例えば, 図４に示すように，シリコン(Si)基板18上のア
ルミニウム(Al)膜19の電極形成のためのドライエッチン
グでは, マスクとして用いたレジスト膜20のＯプラズマ
22によるアッシング，次に硝酸(HNO3)等の洗浄液24によ
るウエット処理でのレジスト膜20の除去方法では，レジ
スト変質物21等の異物が残り易かった。
【０００４】この理由としては，ドライエッチングにて
塩素(Cl)等のプラズマイオン等によりレジスト膜20がダ
メージを受け，カーボン等を含むレジスト変質物が，異
物となってレジスト膜20の表面に付着したりして, アッ
シングとウエット洗浄の連続処理だけでは，なかなか取
れきれないためである。
塩素(Cl)等のプラズマイオン等によりレジスト膜20がダ
メージを受け，カーボン等を含むレジスト変質物が，異
物となってレジスト膜20の表面に付着したりして, アッ
シングとウエット洗浄の連続処理だけでは，なかなか取
れきれないためである。
【０００５】そのため，以上の連続処理を一つの装置内
で行ったあと，他の装置に移して，再びアッシングとウ
エット洗浄を行う必要があった。
で行ったあと，他の装置に移して，再びアッシングとウ
エット洗浄を行う必要があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って，レジスト変質
物等の異物がSi等の半導体基板表面に残るため，アッシ
ング又はウエット洗浄を再度，他の装置にて処理しなく
てはならず，二重の手間が掛かっていた。
物等の異物がSi等の半導体基板表面に残るため，アッシ
ング又はウエット洗浄を再度，他の装置にて処理しなく
てはならず，二重の手間が掛かっていた。
【０００７】本発明は，以上の点を鑑み，プロセスを改
善して，レジスト変質物やゴミ等の異物を簡単に取り除
く方法を得ることを目的とする。
善して，レジスト変質物やゴミ等の異物を簡単に取り除
く方法を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図，図２は本発明と従来例のフローチャートである。図
において，１は基板，２は被エッチング膜，３はレジス
ト膜，４はドライエッチング材，５は異物，６は一次洗
浄液，７は酸素プラズマ，８は二次洗浄液である。
図，図２は本発明と従来例のフローチャートである。図
において，１は基板，２は被エッチング膜，３はレジス
ト膜，４はドライエッチング材，５は異物，６は一次洗
浄液，７は酸素プラズマ，８は二次洗浄液である。
【０００９】上記の問題点を解決する手段として，基本
的には，図２の本発明と従来例のフローチャートで示す
ように，例えば，シリコン基板や絶縁膜上の電極用金属
膜のような，被エッチング材のドライエッチングとレジ
スト膜のアッシングの間に，ウエット洗浄の処理工程を
新たに取り入れることによりレジスト変質物の除去に効
果がある。
的には，図２の本発明と従来例のフローチャートで示す
ように，例えば，シリコン基板や絶縁膜上の電極用金属
膜のような，被エッチング材のドライエッチングとレジ
スト膜のアッシングの間に，ウエット洗浄の処理工程を
新たに取り入れることによりレジスト変質物の除去に効
果がある。
【００１０】即ち，本発明の目的は，図１（ａ）に示す
ように，基板１上の被エッチング膜２を, 該被エッチン
グ膜２上にパターニングされたレジスト膜３をマスクと
してドライエッチング材４によりエッチングする工程
と,次に, 図１（ｂ）に示すように，該被エッチング膜
２上の該レジスト膜３を一次洗浄液６によりウエット洗
浄して, 該レジスト膜３上の異物５を除去する工程と,
続いて, 図１（ｃ）に示すように，該被エッチング膜２
上の該レジスト膜３を酸素プラズマ７によりアッシング
して除去する工程と,更に, 図１（ｄ）に示すように，
該被エッチング膜２の表面を二次洗浄液８によりウエッ
ト洗浄する工程とを含むことにより達成される。
ように，基板１上の被エッチング膜２を, 該被エッチン
グ膜２上にパターニングされたレジスト膜３をマスクと
してドライエッチング材４によりエッチングする工程
と,次に, 図１（ｂ）に示すように，該被エッチング膜
２上の該レジスト膜３を一次洗浄液６によりウエット洗
浄して, 該レジスト膜３上の異物５を除去する工程と,
続いて, 図１（ｃ）に示すように，該被エッチング膜２
上の該レジスト膜３を酸素プラズマ７によりアッシング
して除去する工程と,更に, 図１（ｄ）に示すように，
該被エッチング膜２の表面を二次洗浄液８によりウエッ
ト洗浄する工程とを含むことにより達成される。
【００１１】
【作用】本発明は，図３のように，ウエット処理を一つ
増やすことで，レジスト変質物の除去に効果がある。
増やすことで，レジスト変質物の除去に効果がある。
【００１２】また，同時にエッチング後のゴミの除去に
よりアッシングへの影響を除ける。即ち，ゴミがマスク
となってレジストが完全に取り切れないという問題点が
改善される。
よりアッシングへの影響を除ける。即ち，ゴミがマスク
となってレジストが完全に取り切れないという問題点が
改善される。
【００１３】
【実施例】図３は本発明の一実施例の工程順模式断面図
である。図において，９はSi基板，10はSiO2膜, 11はAl
膜, 12はレジスト膜, 13はレジスト変質物, 14はCl2,BC
l3, 15はHNO3+H2O ,16はＯプラズマ，17はHNO3+H2Oであ
る。
である。図において，９はSi基板，10はSiO2膜, 11はAl
膜, 12はレジスト膜, 13はレジスト変質物, 14はCl2,BC
l3, 15はHNO3+H2O ,16はＯプラズマ，17はHNO3+H2Oであ
る。
【００１４】図３（ａ）に示すように，5,000 Åの厚さ
に二酸化シリコン(SiO2)膜10を被覆したSi基板９上に１
μｍの厚さにスパッタ法によりAl膜11が被着されてい
る。このAl膜11を電極配線として用いるために, レジス
ト膜12をAl膜11上に 1.5μｍの厚さに塗布し, リソグラ
フィ技術により電極配線用にパターニングする。
に二酸化シリコン(SiO2)膜10を被覆したSi基板９上に１
μｍの厚さにスパッタ法によりAl膜11が被着されてい
る。このAl膜11を電極配線として用いるために, レジス
ト膜12をAl膜11上に 1.5μｍの厚さに塗布し, リソグラ
フィ技術により電極配線用にパターニングする。
【００１５】次に, 図３（ｂ）に示すように，Al膜11
を, その上にパターニングされたレジスト膜12をマスク
として塩素（Cl2)ガス, 或いは三塩化硼素(BCl3)ガスを
用いてプラズマドライエッチングを行う。この時, レジ
スト膜12の表面はプラズマに叩かれて, カーボン等を含
んだレジスト変質物13となって残る。
を, その上にパターニングされたレジスト膜12をマスク
として塩素（Cl2)ガス, 或いは三塩化硼素(BCl3)ガスを
用いてプラズマドライエッチングを行う。この時, レジ
スト膜12の表面はプラズマに叩かれて, カーボン等を含
んだレジスト変質物13となって残る。
【００１６】そこで, このレジスト変質物13を除去する
ために, Si基板９を回転しながら,図３（ｃ）に示すよ
うに，HNO3で30秒, 続いて純水で１分間シャワー洗浄
し，自然乾燥する。
ために, Si基板９を回転しながら,図３（ｃ）に示すよ
うに，HNO3で30秒, 続いて純水で１分間シャワー洗浄
し，自然乾燥する。
【００１７】この場合, レジスト変質物13なかなか取り
難く, レジスト膜12に喰い込んだものは多少残ってしま
う。続いて, 図３（ｄ）に示すように，Al膜11上のレジ
スト膜12をＯプラズマ16によりアッシングして除去す
る。多少残ったレジスト変質物13はそのままAl膜11上に
移行する。
難く, レジスト膜12に喰い込んだものは多少残ってしま
う。続いて, 図３（ｄ）に示すように，Al膜11上のレジ
スト膜12をＯプラズマ16によりアッシングして除去す
る。多少残ったレジスト変質物13はそのままAl膜11上に
移行する。
【００１８】更に,図３（ｅ）に示すように， Al膜11の
表面を再びHNO3で30秒, 続いて、純水で１分間シャワー
洗浄した後，自然乾燥する。このウエット洗浄の処理に
より, Al膜11上のレジスト変質物は完全に除去される。
表面を再びHNO3で30秒, 続いて、純水で１分間シャワー
洗浄した後，自然乾燥する。このウエット洗浄の処理に
より, Al膜11上のレジスト変質物は完全に除去される。
【００１９】また，同時に，ドライエッチング後のゴミ
をウエット洗浄にて取り除くことができる。図２に示し
たように，この薄膜のドライエッチング−ウエット洗浄
−レジストアッシング−ウエット洗浄の処理順序が変わ
らなければ，これらを内蔵した連続装置のみならず，個
々のプロセス装置を用いても効力は変わらない。
をウエット洗浄にて取り除くことができる。図２に示し
たように，この薄膜のドライエッチング−ウエット洗浄
−レジストアッシング−ウエット洗浄の処理順序が変わ
らなければ，これらを内蔵した連続装置のみならず，個
々のプロセス装置を用いても効力は変わらない。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば，以上説明したように，
レジスト変質物の除去及びエッチング後のゴミの除去に
効果がある。
レジスト変質物の除去及びエッチング後のゴミの除去に
効果がある。
【００２１】また，後処理内蔵装置に限らず，同様の順
序にて処理を行えば，個々の装置を用いても同様にレジ
スト変質物やゴミ等の異物の除去に効果が挙がる。
序にて処理を行えば，個々の装置を用いても同様にレジ
スト変質物やゴミ等の異物の除去に効果が挙がる。
【００２２】
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明と従来例のフローチャート
【図３】 本発明の一実施例の工程順模式断面図
【図４】 従来例の説明図
１ 基板 ２ 被エッチング膜 ３ レジスト膜 ４ ドライエッチング材 ５ 異物 ６ 一次洗浄液 ７ 酸素プラズマ ８ 二次洗浄液 ９ Si基板 10 SiO2膜 11 Al膜 12 レジスト膜 13 レジスト変質物 14 Cl2,BCl3 15 HNO3+H2O 16 Ｏプラズマ 17 HNO3+H2O
Claims (1)
- 【請求項１】 基板(1) 上の被エッチング膜(2) を, 該
被エッチング膜(2)上にパターニングされたレジスト膜
(3) をマスクとしてドライエッチング材(4)によりエッ
チングする工程と, 次に, 該被エッチング膜(2)上の該レジスト膜(3) を一
次洗浄液(6) によりウエット洗浄して, 該レジスト膜
(3) 上の異物(5) を除去する工程と, 続いて, 該被エッチング膜(2) 上の該レジスト膜(3) を
酸素プラズマ(7) によりアッシングして除去する工程
と, 更に, 該被エッチング膜(2) の表面を二次洗浄液(8) に
よりウエット洗浄する工程とを含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25177391A JPH076942A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25177391A JPH076942A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH076942A true JPH076942A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=17227709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25177391A Withdrawn JPH076942A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH076942A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005003892A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Bridgestone Corp | 画像表示装置の製造方法及び画像表示装置 |
| KR100776508B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-11-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 패널의 제조방법 |
| WO2011081512A3 (en) * | 2009-12-28 | 2011-08-18 | Mimos Berhad | Cleaning method for removing post via etch residue |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP25177391A patent/JPH076942A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100776508B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-11-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 패널의 제조방법 |
| JP2005003892A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Bridgestone Corp | 画像表示装置の製造方法及び画像表示装置 |
| WO2011081512A3 (en) * | 2009-12-28 | 2011-08-18 | Mimos Berhad | Cleaning method for removing post via etch residue |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |