JPS59103344A - 液体スプレー装置 - Google Patents

液体スプレー装置

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JPS59103344A
JPS59103344A JP17112083A JP17112083A JPS59103344A JP S59103344 A JPS59103344 A JP S59103344A JP 17112083 A JP17112083 A JP 17112083A JP 17112083 A JP17112083 A JP 17112083A JP S59103344 A JPS59103344 A JP S59103344A
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JP
Japan
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etchant
wafer
nozzle
etching
spraying
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JP17112083A
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English (en)
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JPS647494B2 (ja
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Tamotsu Sasaki
保 佐々木
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS59103344A publication Critical patent/JPS59103344A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は1例えばアルミニウムやポリシリコンの微小
パターンエツチングに好適なスプレーエツチング装置に
関するものである。
従来1例えば半導体ウェハを多数連続的にエッチ処理す
るために、該ウェハをベルトコンベアで移送しながらそ
の上からエッチ液を液圧で散布してスプレーエツチング
を実施することは知られている。しかし、この方法には
、ウェハ面上に滞溜するエッチ液の膜厚が不均一である
ためエッチむらが発生すること、また、液圧によるエッ
チ液散布方式であるため微小パターンのエツチングが困
難であることなどの問題点がある。
この発明は、上記の問題点を解決した新規なスプレーエ
ツチング装置を提供することを目的とするものである。
次に、添付図面に示す一実施例についてこの発明の詳細
な説明する。
第1a及び第1b図には、この発明を実施するためのエ
ツチング装置の90°異なる面からみた側面図が示され
ている。これらの図において、機枠10上には、対向し
た一対の支持部材12.14により回転自在に保持され
た回転部材16.18が配置され、これら回転部材16
.18には同軸的に延長する連結部材22により噴射ノ
ズル20が下向きに取付けられている。噴射ノズル20
には加圧された状態でエッチ液EHが供給されており、
このエッチ液EHはある方向には大きなθ1の角度で、
それと直角な方向には小さなθ2の角度で符号24に示
すようにノズル先端から噴出される。すなわち、第2図
に拡大して示すようにエッチ液噴射24は断面が楕円状
になるように行われる。このような形状の噴射を実行す
るためにはノズル先端の構造を工夫すればよく、そのよ
うにすることは当業者に自明のことであろう。なお、上
記のような構成においては、エッチ液噴射24を発生す
る。噴射ノズル20が第1b図に示すようにある角度W
で首ふり運動しうろことは明らかである。−例として、
角度Wは90°、θ1は80〜90°、θ2は10〜3
0°とすることができる。
噴射ノズル20の直下には、回転式ウェハ保持具26に
より水平に保持された半導体ウェハ28が配置されてい
る。ウェハ28はエッチ液噴射24との関係では平面的
に第2図に示すように配置され、保持具26によりR方
向に回転される。このときの回転速度はエッチ液の滞溜
を可能にするものである。エッチ液噴射’24はノズル
20の首ふり運動によりXI、X2の方向に周期的に移
動し、ウェハ面を走査する。ノズル20とウェハ28と
の離間距離は例えば90〜100 figである。
被エツチ面を走査するためにはエッチ液噴射ノズルを首
ふり運動させたり、往復動させたりする手段をとること
ができる。
この発明によると、被エツチ面の回転運動とエッチ液噴
射の走査動作とが巧みに組合されるので被エツチ面にお
けるエッチ液分布がエッチ処理期間中不均一のまま維持
されることがなく、むらのないシャープな選択エツチン
グを行うことができる。すなわち、エッチ処理期間中被
エツチ面においては、ある部分が断面楕円状のエッチ液
噴射にされているが残りの部分にはエッチ液が滞溜して
おり、滞溜エッチ液がエッチ液噴射によった1こかれて
振動する状態においてエツチングが進行し、しかもこの
ようなエツチングが被エツチ面の回転と走査により被エ
ツチ面全体に一様になされるのである。
上記したこの発明によるエツチング装置はウェハ28上
面に被着され1こアルミニウム膜やポリシリコン層を選
択エッチするのに好適であるが、用途はそれに限定され
ない。
【図面の簡単な説明】
第13及び第1b図は、この発明の一実施例によるスプ
レーエツチング装置を示すそれぞれ側面図、 第2図は、上記装置の動作を説明するためのウェハ上面
図である。 符号の説明 10・・・機枠、12.14・・・支持部材、16.1
8・・・回転部材、20・・・噴射ノズル、22・・・
連結部材、24・・・エッチ液噴射、26・・・回転式
ウェハ保持具、28・・・ウェハ。 鎖1図 と40 (!9

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、 ウェハを保持しかつ回転可能なウェハ保持部と、
    上記ウェハ保持部上に位置し上記ウェハ保持部に保持さ
    れるウェハ表面にエッチ液を噴射する噴射ノズルとを有
    することを特徴とするスプレーエツチング装置。
JP17112083A 1983-09-19 1983-09-19 液体スプレー装置 Granted JPS59103344A (ja)

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