JPS6016099B2 - スプレ−エツチング法 - Google Patents
スプレ−エツチング法Info
- Publication number
- JPS6016099B2 JPS6016099B2 JP11307276A JP11307276A JPS6016099B2 JP S6016099 B2 JPS6016099 B2 JP S6016099B2 JP 11307276 A JP11307276 A JP 11307276A JP 11307276 A JP11307276 A JP 11307276A JP S6016099 B2 JPS6016099 B2 JP S6016099B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etchant
- wafer
- etched
- etching
- etching method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、例えばアルミニウムやポリシリコンの微小
パターンエッチングに好適なスプレーエッチング法に関
するものである。
パターンエッチングに好適なスプレーエッチング法に関
するものである。
従釆、例えば半導体ゥェハを多数連続的にエッチ処理す
るために、該ウェハをベルトコンベアで移送しながらそ
の上からエッチ液を液圧で散布してスプレーエッチング
を実施することは知られている。
るために、該ウェハをベルトコンベアで移送しながらそ
の上からエッチ液を液圧で散布してスプレーエッチング
を実施することは知られている。
しかし、この方法には、ウェハ面上に滞溜するエッチ液
の膜厚が不均一であるためエッチむらが発生すること、
また、液圧によるエッチ液散布方式であるため微４・パ
ターンのエッチングが困難であることなどの問題点があ
る。この発明は、上記の問題点を解決した新規なスプレ
ーエッチング法を提供することを目的とするものであっ
て、その特徴とするところは、次の点にある。
の膜厚が不均一であるためエッチむらが発生すること、
また、液圧によるエッチ液散布方式であるため微４・パ
ターンのエッチングが困難であることなどの問題点があ
る。この発明は、上記の問題点を解決した新規なスプレ
ーエッチング法を提供することを目的とするものであっ
て、その特徴とするところは、次の点にある。
‘１｝ エッチ液を被エッチ面に対して垂直方向から加
圧噴射させること。
圧噴射させること。
■ 加圧噴射にあたってエッチ液噴射形状を断面楕円状
にすること。
にすること。
‘３｝ 被エッチ面をその上に前記エッチ液が濃溜しう
る程度の低速で回転させること。
る程度の低速で回転させること。
【４１ 被エッチ面の回転中前記エッチ液噴射で該被エ
ッチ面を走査すること。
ッチ面を走査すること。
被エッチ面を走査するためにはエッチ液噴射／ズルを首
ふり運動させたり、往復動させたりする手段をとること
ができる。
ふり運動させたり、往復動させたりする手段をとること
ができる。
この発明によると、被エッチ面の回転運動とエッチ液噴
射の走査動作とが巧みに組合されるので被エッチ面にお
けるエッチ液分布がエッチ処理期間中不均一のまま維持
されることがなく、むらのないシャープな選択エッチン
グを行うことができる。
射の走査動作とが巧みに組合されるので被エッチ面にお
けるエッチ液分布がエッチ処理期間中不均一のまま維持
されることがなく、むらのないシャープな選択エッチン
グを行うことができる。
すなわち、エッチ処理期間中被エッチ面においては、あ
る部分が断面楕円状のエッチ液噴射にされているが残り
の部分にはエッチ液が滞溜しており、滞溜エッチ液がエ
ッチ液噴射によりたたかれて振動する状態においてエッ
チングが進行し、しかもこのようなエッチングが被エッ
チ面の回転と走査により被エッチ面全体に一様になされ
るのである。次に、添付図面に示す一実施例についてこ
の発明を詳しく説明する。
る部分が断面楕円状のエッチ液噴射にされているが残り
の部分にはエッチ液が滞溜しており、滞溜エッチ液がエ
ッチ液噴射によりたたかれて振動する状態においてエッ
チングが進行し、しかもこのようなエッチングが被エッ
チ面の回転と走査により被エッチ面全体に一様になされ
るのである。次に、添付図面に示す一実施例についてこ
の発明を詳しく説明する。
第ｌａ及び第ｌｂ図には、この発明を実施するためのエ
ッチング装置の９０ｏ異なる面からみた側面図が示され
ている。
ッチング装置の９０ｏ異なる面からみた側面図が示され
ている。
これらの図において、機枠１０上には、対向した一対の
支持部材１２，１４により回転自在に保持された回転部
材１６，１８が配置され、これら回転部材１６，１８に
は同軸的に延長する連結部材２２により噴射ノズル２０
が下向きに取付けられている。噴射ノズル２０１こは加
圧された状態でエッチ液ＥＨが供給されており、このエ
ッチ液ＥＨはある方向には大きな８１の角度で、それと
直角な方向には小さな８２の角度で符号２４に示すよう
にノズル先端から噴出される。すなわち、第２図に拡大
して示すようにエッチ液噴射２４は断面が楕円状になる
ように行われる。このような形状の噴射を実行するため
にはノズル先端の構造を工夫すればよく、そのようにす
ることは当業者に自明のことであろう。なお、上記のよ
うな構成においては、エッチ液噴射２４を発生する。噴
射ノズル２０が第ｌｂ図に示すようにある角度Ｗで首ふ
り運動しうろことは明らかである。一例として、角度Ｗ
は９００、８１は８０〜９００ 、８２は１０〜３００
とすることができる。噴射ノズル２０の直下には、回転
式ウェハ保持具２６により水平に保持された半導体ウェ
ハ２８が配置されている。ウェハ２８はエッチ液噴射２
４との関係では平面的に第２図に示すように配置され、
保持臭２６によりＲ方向に回転される。このときの回転
速度はエッチ液の満溜を可能にするものである。エッチ
液噴射２４はノズル２０の首ふり運動により×１、Ｘ２
の方向に周期的に移動し、ウェハ面を走査する。ノズル
２０とウェハ２８との離間距離は例えば９０〜１０仇ゆ
でありうる。上記したこの発明によるエッチング装置は
ウェハ２８上面に被着されたアルミニウム膜やポリシリ
コン層を選択エッチするのに好適であるが、用途はそれ
に限定されない。
支持部材１２，１４により回転自在に保持された回転部
材１６，１８が配置され、これら回転部材１６，１８に
は同軸的に延長する連結部材２２により噴射ノズル２０
が下向きに取付けられている。噴射ノズル２０１こは加
圧された状態でエッチ液ＥＨが供給されており、このエ
ッチ液ＥＨはある方向には大きな８１の角度で、それと
直角な方向には小さな８２の角度で符号２４に示すよう
にノズル先端から噴出される。すなわち、第２図に拡大
して示すようにエッチ液噴射２４は断面が楕円状になる
ように行われる。このような形状の噴射を実行するため
にはノズル先端の構造を工夫すればよく、そのようにす
ることは当業者に自明のことであろう。なお、上記のよ
うな構成においては、エッチ液噴射２４を発生する。噴
射ノズル２０が第ｌｂ図に示すようにある角度Ｗで首ふ
り運動しうろことは明らかである。一例として、角度Ｗ
は９００、８１は８０〜９００ 、８２は１０〜３００
とすることができる。噴射ノズル２０の直下には、回転
式ウェハ保持具２６により水平に保持された半導体ウェ
ハ２８が配置されている。ウェハ２８はエッチ液噴射２
４との関係では平面的に第２図に示すように配置され、
保持臭２６によりＲ方向に回転される。このときの回転
速度はエッチ液の満溜を可能にするものである。エッチ
液噴射２４はノズル２０の首ふり運動により×１、Ｘ２
の方向に周期的に移動し、ウェハ面を走査する。ノズル
２０とウェハ２８との離間距離は例えば９０〜１０仇ゆ
でありうる。上記したこの発明によるエッチング装置は
ウェハ２８上面に被着されたアルミニウム膜やポリシリ
コン層を選択エッチするのに好適であるが、用途はそれ
に限定されない。
第ｌａ及び第ｌｂ図は、この発明の一実施例によるスプ
レーエッチング装置を示すそれぞれ側面図、第２図は、
上記装置の動作を説明するためのウェハ上面図である。 符号の説明、１０・・・・・・機枠、１２，１４・・・
・・・支持部材、１６，１８・・・・・・回転部材、２
０・・…・噴射ノズル、２２・・・・・・連結部材、２
４・・・・・・エッチ液噴射、２６・・・・・・回転式
ウェハ保持具、２８…・・・ウェノ、。劣 んゾ 図 （〆Ｊ 繁２図
レーエッチング装置を示すそれぞれ側面図、第２図は、
上記装置の動作を説明するためのウェハ上面図である。 符号の説明、１０・・・・・・機枠、１２，１４・・・
・・・支持部材、１６，１８・・・・・・回転部材、２
０・・…・噴射ノズル、２２・・・・・・連結部材、２
４・・・・・・エッチ液噴射、２６・・・・・・回転式
ウェハ保持具、２８…・・・ウェノ、。劣 んゾ 図 （〆Ｊ 繁２図
Claims (1)
- １ ウエハ面にエツチ液を楕円状に噴射させ上記ウエハ
を回転することにより上記ウエハ面全面にエツチ液が行
き渡るようにし、上記ウエハ面をエツチすることを特徴
とするスプレーエツチング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11307276A JPS6016099B2 (ja) | 1976-09-22 | 1976-09-22 | スプレ−エツチング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11307276A JPS6016099B2 (ja) | 1976-09-22 | 1976-09-22 | スプレ−エツチング法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17112083A Division JPS59103344A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 液体スプレー装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5339228A JPS5339228A (en) | 1978-04-11 |
| JPS6016099B2 true JPS6016099B2 (ja) | 1985-04-23 |
Family
ID=14602771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11307276A Expired JPS6016099B2 (ja) | 1976-09-22 | 1976-09-22 | スプレ−エツチング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6016099B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143477A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-04 | Sony Corp | Treating device |
| JPS58196024A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | 被処理基板の加工処理工程における薬液処理の基板処理装置 |
| JPS61194830A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の有機物除去装置 |
-
1976
- 1976-09-22 JP JP11307276A patent/JPS6016099B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5339228A (en) | 1978-04-11 |
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