JPS647494B2 - - Google Patents
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- JPS647494B2 JPS647494B2 JP17112083A JP17112083A JPS647494B2 JP S647494 B2 JPS647494 B2 JP S647494B2 JP 17112083 A JP17112083 A JP 17112083A JP 17112083 A JP17112083 A JP 17112083A JP S647494 B2 JPS647494 B2 JP S647494B2
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- JP
- Japan
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- wafer
- etchant
- nozzle
- etching
- etched
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- Expired
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
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- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、液体をノズルによりウエハ上にス
プレーする装置に関し、例えばアルミニウムやポ
リシリコンの微小パターンエツチングに好適なス
プレーエツチング装置に関するものである。
プレーする装置に関し、例えばアルミニウムやポ
リシリコンの微小パターンエツチングに好適なス
プレーエツチング装置に関するものである。
従来、例えば半導体ウエハを多数連続的にエツ
チ処理するために、該ウエハをベルトコンベアで
移送しながらその上からエツチ液を液圧で散布し
てスプレーエツチングを実施することは知られて
いる。しかし、この方法には、ウエハ面上に滞溜
するエツチ液の膜厚が不均一であるためエツチむ
らが発生すること、また、液圧によるエツチ液散
布方式であるため微小パターンのエツチングが困
難であることなどの問題点がある。
チ処理するために、該ウエハをベルトコンベアで
移送しながらその上からエツチ液を液圧で散布し
てスプレーエツチングを実施することは知られて
いる。しかし、この方法には、ウエハ面上に滞溜
するエツチ液の膜厚が不均一であるためエツチむ
らが発生すること、また、液圧によるエツチ液散
布方式であるため微小パターンのエツチングが困
難であることなどの問題点がある。
この発明は、上記の問題点を解決した新規な液
体スプレー装置を提供することを目的とするもの
である。
体スプレー装置を提供することを目的とするもの
である。
次に、添付図面に示す一実施例についてこの発
明を詳しく説明する。
明を詳しく説明する。
第１ａ及び第１ｂ図には、この発明を実施する
ためのスプレーエツチング装置の90゜異なる面か
らみた側面図が示されている。これらの図におい
て、機枠１０上には、対向した一対の支持部材１
２，１４により回転自在に保持された回転部材１
６，１８が配置され、これら回転部材１６，１８
には同軸的に延長する連結部材２２により噴射ノ
ズル２０が下向きに取付けられている。噴射ノズ
ル２０には加圧された状態でエツチ液EHが供給
されており、このエツチ液EHはある方向には大
きなθ１の角度で、それと直角な方向には小さな
θ２の角度で符号２４に示すようにノズル先端か
ら噴出される。すなわち、第２図に拡大して示す
ようにエツチ液噴射２４は断面が楕円状になるよ
うに行われる。このような形状の噴射を実行する
ためにはノズル先端の構造を工夫すればよく、そ
のようにすることは当業者に自明のことであろ
う。なお、上記のような構成においては、エツチ
液噴射２４を発生する。噴射ノズル２０が第１ｂ
図に示すようにある角度Ｗで首ふり運動しうるこ
とは明らかである。一例として、角度Ｗは90゜、
θ１は80〜90゜、θ２は10〜30゜とすることができ
る。
ためのスプレーエツチング装置の90゜異なる面か
らみた側面図が示されている。これらの図におい
て、機枠１０上には、対向した一対の支持部材１
２，１４により回転自在に保持された回転部材１
６，１８が配置され、これら回転部材１６，１８
には同軸的に延長する連結部材２２により噴射ノ
ズル２０が下向きに取付けられている。噴射ノズ
ル２０には加圧された状態でエツチ液EHが供給
されており、このエツチ液EHはある方向には大
きなθ１の角度で、それと直角な方向には小さな
θ２の角度で符号２４に示すようにノズル先端か
ら噴出される。すなわち、第２図に拡大して示す
ようにエツチ液噴射２４は断面が楕円状になるよ
うに行われる。このような形状の噴射を実行する
ためにはノズル先端の構造を工夫すればよく、そ
のようにすることは当業者に自明のことであろ
う。なお、上記のような構成においては、エツチ
液噴射２４を発生する。噴射ノズル２０が第１ｂ
図に示すようにある角度Ｗで首ふり運動しうるこ
とは明らかである。一例として、角度Ｗは90゜、
θ１は80〜90゜、θ２は10〜30゜とすることができ
る。
噴射ノズル２０の直下には、回転式ウエハ保持
具２６により水平に保持された半導体ウエハ２８
が配置されている。ウエハ２８はエツチ液噴射２
４との関係では平面的に第２図に示すように配置
され、保持具２６によりＲ方向に回転される。こ
のときの回転速度はエツチ液の滞溜を可能にする
ものである。エツチ液噴射２４はノズル２０の首
ふり運動によりＸ１，Ｘ２の方向に周期的に移動
し、ウエハ面を走査する。ノズル２０とウエハ２
８との離間距離は例えば90〜100mmである。
具２６により水平に保持された半導体ウエハ２８
が配置されている。ウエハ２８はエツチ液噴射２
４との関係では平面的に第２図に示すように配置
され、保持具２６によりＲ方向に回転される。こ
のときの回転速度はエツチ液の滞溜を可能にする
ものである。エツチ液噴射２４はノズル２０の首
ふり運動によりＸ１，Ｘ２の方向に周期的に移動
し、ウエハ面を走査する。ノズル２０とウエハ２
８との離間距離は例えば90〜100mmである。
被エツチ面を走査するためにはエツチ液噴射ノ
ズルを首ふり運動させたり、往復動させたりする
手段をとることができる。
ズルを首ふり運動させたり、往復動させたりする
手段をとることができる。
この発明によると、被エツチ面の回転運動とエ
ツチ液噴射の走査動作とが巧みに組合されるので
被エツチ面におけるエツチ液分布がエツチ処理期
間中不均一のまま維持されることがなく、むらの
ないシヤープな選択エツチングを行うことができ
る。すなわち、エツチ処理期間中被エツチ面にお
いては、ある部分が断面楕円状のエツチ液噴射に
されているが残りの部分にはエツチ液が滞溜して
おり、滞溜エツチ液がエツチ液噴射によりたたか
れて振動する状態においてエツチングが進行し、
しかもこのようなエツチングが被エツチ面の回転
と走査により被エツチ面全体に一様になされるの
である。
ツチ液噴射の走査動作とが巧みに組合されるので
被エツチ面におけるエツチ液分布がエツチ処理期
間中不均一のまま維持されることがなく、むらの
ないシヤープな選択エツチングを行うことができ
る。すなわち、エツチ処理期間中被エツチ面にお
いては、ある部分が断面楕円状のエツチ液噴射に
されているが残りの部分にはエツチ液が滞溜して
おり、滞溜エツチ液がエツチ液噴射によりたたか
れて振動する状態においてエツチングが進行し、
しかもこのようなエツチングが被エツチ面の回転
と走査により被エツチ面全体に一様になされるの
である。
上記したこの発明によるエツチング装置はウエ
ハ２８上面に被着されたアルミニウム膜やポリシ
リコン層を選択エツチするのに好適であるが、用
途はそれに限定されない。
ハ２８上面に被着されたアルミニウム膜やポリシ
リコン層を選択エツチするのに好適であるが、用
途はそれに限定されない。
第１ａ及び第１ｂ図は、この発明の一実施例に
よるスプレーエツチング装置を示すそれぞれ側面
図、第２図は、上記装置の動作を説明するための
ウエハ上面図である。 符号の説明、１０……機枠、１２，１４……支
持部材、１６，１８……回転部材、２０……噴射
ノズル、２２……連結部材、２４……エツチ液噴
射、２６……回転式ウエハ保持具、２８……ウエ
ハ。
よるスプレーエツチング装置を示すそれぞれ側面
図、第２図は、上記装置の動作を説明するための
ウエハ上面図である。 符号の説明、１０……機枠、１２，１４……支
持部材、１６，１８……回転部材、２０……噴射
ノズル、２２……連結部材、２４……エツチ液噴
射、２６……回転式ウエハ保持具、２８……ウエ
ハ。
Claims (1)
- １ ウエハを保持しかつ回転可能なウエハ保持部
と、上記ウエハ保持部上に位置し上記ウエハ保持
部に保持されるウエハ平面上に液体を噴射する噴
射ノズルと、前記噴射ノズルを前記ウエハ平面の
中心部から外周部に向けて移動させることができ
るノズル移動機構とを有し、前記機構により前記
ノズルを移動させながら前記ウエハ平面に液体噴
射を行うことができることを特徴とするスプレー
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17112083A JPS59103344A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 液体スプレー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17112083A JPS59103344A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 液体スプレー装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11307276A Division JPS6016099B2 (ja) | 1976-09-22 | 1976-09-22 | スプレ−エツチング法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33272989A Division JPH02191328A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | ウエハへの液体供給方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59103344A JPS59103344A (ja) | 1984-06-14 |
| JPS647494B2 true JPS647494B2 (ja) | 1989-02-09 |
Family
ID=15917347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17112083A Granted JPS59103344A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 液体スプレー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59103344A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020110668A1 (ja) | 2018-11-28 | 2020-06-04 | オムロン株式会社 | 制御装置、サポート装置、および通信システム |
| WO2020137345A1 (ja) | 2018-12-28 | 2020-07-02 | オムロン株式会社 | コントローラシステム、制御装置および制御プログラム |
| WO2020137343A1 (ja) | 2018-12-28 | 2020-07-02 | オムロン株式会社 | サポート装置、支援プログラムおよび制御装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121335A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-09 | Rohm Co Ltd | ウエハの研削面の処理方法 |
| JPH0322428A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-30 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| US5127984A (en) * | 1991-05-02 | 1992-07-07 | Avantek, Inc. | Rapid wafer thinning process |
| KR19990027227A (ko) * | 1997-09-29 | 1999-04-15 | 윤종용 | 반도체소자 제조공정의 텅스텐막 식각액 조성물과 이를 이용한 텅스텐막 제거방법 |
| KR100641950B1 (ko) * | 2000-06-27 | 2006-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 콘택플러그 형성방법 |
| JP4976781B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2012-07-18 | 株式会社フジクラ | ウェハのウェット処理方法及びウェハのエッチング装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2329741A1 (de) * | 1973-06-12 | 1975-01-09 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zum aufbringen einer lackschicht auf die innenseite der schirmwanne einer fernsehbildroehre |
| JPS5146441B2 (ja) * | 1973-06-20 | 1976-12-09 | ||
| JPS5067576A (ja) * | 1973-10-15 | 1975-06-06 |
-
1983
- 1983-09-19 JP JP17112083A patent/JPS59103344A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020110668A1 (ja) | 2018-11-28 | 2020-06-04 | オムロン株式会社 | 制御装置、サポート装置、および通信システム |
| WO2020137345A1 (ja) | 2018-12-28 | 2020-07-02 | オムロン株式会社 | コントローラシステム、制御装置および制御プログラム |
| WO2020137343A1 (ja) | 2018-12-28 | 2020-07-02 | オムロン株式会社 | サポート装置、支援プログラムおよび制御装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59103344A (ja) | 1984-06-14 |
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