JPS63266831A - 半導体ウエ−ハの洗浄方法およびその装置 - Google Patents
半導体ウエ−ハの洗浄方法およびその装置Info
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- JPS63266831A JPS63266831A JP9967887A JP9967887A JPS63266831A JP S63266831 A JPS63266831 A JP S63266831A JP 9967887 A JP9967887 A JP 9967887A JP 9967887 A JP9967887 A JP 9967887A JP S63266831 A JPS63266831 A JP S63266831A
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は半導体ウェーハ（以下、ウェーハと略称する
）の洗浄方法とその装置に関し、特に微細パターンが表
面上に形成されたウェーハに適用される。
）の洗浄方法とその装置に関し、特に微細パターンが表
面上に形成されたウェーハに適用される。
（従来の技術）
従来、半導体素子の製造において、ウェーハ表面にこれ
と非垂直で幅の狭い溝を切込形成し、あるいは表面上に
形成された被膜のパターン等の微細溝に対し洗浄を施す
工程がある。この洗浄工程で洗浄されるウェーハは例え
ば、第４図に示すようにウェーハ２０１の主面に非垂直
にメサ溝２０２が穿設されたものがあり、例えばその溝
幅は０．３ｍｍ。
と非垂直で幅の狭い溝を切込形成し、あるいは表面上に
形成された被膜のパターン等の微細溝に対し洗浄を施す
工程がある。この洗浄工程で洗浄されるウェーハは例え
ば、第４図に示すようにウェーハ２０１の主面に非垂直
にメサ溝２０２が穿設されたものがあり、例えばその溝
幅は０．３ｍｍ。
深さは数十ミクロンのように微細で深いもので、この溝
の側面にｐｎ接合面が露出するので、その洗浄の良否は
半導体素子の電気的特性を左右する重要性がある。また
、溝、パターンの洗浄は架剤による場合もあるが、最終
の仕」−洗浄は純水（以下、水と略称）によっている。
の側面にｐｎ接合面が露出するので、その洗浄の良否は
半導体素子の電気的特性を左右する重要性がある。また
、溝、パターンの洗浄は架剤による場合もあるが、最終
の仕」−洗浄は純水（以下、水と略称）によっている。
上記水洗浄は、従来第３図に要部が示される洗浄装置に
より、ウェーハ２０１の被洗浄面に高圧の水を噴射して
行なっていた。第２図において、被洗浄ウェーハ２０１
は回転軸１０１に取着されたウェーハ回転支持台１０２
の上面に固定されてその回転がその中心を回転軸１０１
に一致し、がっ、このウェーハの上面に対し傾斜して高
圧の洗浄液を噴き付けるノズル１０３が設けられている
。このノズル１０３は、洗浄液に高圧を付与するための
洗浄液用高圧発生装置１０４との間が洗浄液搬送ホース
１０５で接続され、−例として１５〜３０ｋｇ／ａ＃に
加圧された洗浄液が噴出されるようになっている。
より、ウェーハ２０１の被洗浄面に高圧の水を噴射して
行なっていた。第２図において、被洗浄ウェーハ２０１
は回転軸１０１に取着されたウェーハ回転支持台１０２
の上面に固定されてその回転がその中心を回転軸１０１
に一致し、がっ、このウェーハの上面に対し傾斜して高
圧の洗浄液を噴き付けるノズル１０３が設けられている
。このノズル１０３は、洗浄液に高圧を付与するための
洗浄液用高圧発生装置１０４との間が洗浄液搬送ホース
１０５で接続され、−例として１５〜３０ｋｇ／ａ＃に
加圧された洗浄液が噴出されるようになっている。
（発明が解決しようとする問題点）
上記従来のウェーハの洗浄方法とその装置によれば、ま
ず、高圧の洗浄水をウェーハに噴射するため、ウェーハ
の破損率が大きい上に、その装置も高価につく等の問題
がある。
ず、高圧の洗浄水をウェーハに噴射するため、ウェーハ
の破損率が大きい上に、その装置も高価につく等の問題
がある。
次に、ウェーハに穿設された上記溝は溝幅が小で深いた
め、その溝底部に残留していた有害物（不純物）が洗浄
できず、半導体素子の電気的特性を劣化させる問題があ
る。
め、その溝底部に残留していた有害物（不純物）が洗浄
できず、半導体素子の電気的特性を劣化させる問題があ
る。
この発明は叙上の従来の問題点を改良するためのウェー
ハの洗浄方法とその装置を提供するものである。
ハの洗浄方法とその装置を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
この発明にかかる半導体ウェーハの洗浄方法は、半導体
ウェーハの表面に対し超音波振動を印加したシャワーに
よって洗浄を施すことを特徴とするものであり、上記に
用いられる半導体ウェーハの洗浄装置は、半導体ウェー
ハを支持回転させるウェーハ回転支持台と、上記半導体
ウェーハの上方を移動する超音波振動ノズル部と、上記
ノズル部に超音波を印加する超音波発振装置と、上記ノ
ズル部に洗浄液を供給する洗浄液供給装置と、上記ノズ
ル部を半導体ウェーハの主面と平行に移動させるノズル
移動装置とを具備したものである。
ウェーハの表面に対し超音波振動を印加したシャワーに
よって洗浄を施すことを特徴とするものであり、上記に
用いられる半導体ウェーハの洗浄装置は、半導体ウェー
ハを支持回転させるウェーハ回転支持台と、上記半導体
ウェーハの上方を移動する超音波振動ノズル部と、上記
ノズル部に超音波を印加する超音波発振装置と、上記ノ
ズル部に洗浄液を供給する洗浄液供給装置と、上記ノズ
ル部を半導体ウェーハの主面と平行に移動させるノズル
移動装置とを具備したものである。
（作 用）
この発明はウェーハ洗浄液に超音波振動を印加すること
により、ウェーハ表面に形成された溝の底部まで洗浄液
を流通させることができ、クリーンなウェーハを得る。
により、ウェーハ表面に形成された溝の底部まで洗浄液
を流通させることができ、クリーンなウェーハを得る。
（実施例）
以下、この発明の半導体ウェーハの洗浄方法とその装置
につき、装置を示す第１図を参照して説明する。なお、
説明において従来と変わらない部分については図面に従
来と同じ符号をつけて示し、説明を省略する。
につき、装置を示す第１図を参照して説明する。なお、
説明において従来と変わらない部分については図面に従
来と同じ符号をつけて示し、説明を省略する。
第１図において、ウェーハ回転支持台１０２の上面に固
定された被洗浄ウェーハ２０１（以下つ□エーハと略称
）に対し、その斜上方にノズル１１がノズル移動装置１
２に支持されて、かつウェーハに対し傾斜して設けられ
、このノズル１１は指向点がウェーハの中心から周縁の
間をこれと平行に移動させるとともに、ウェーハとの距
離を１５ｍｍ以下に保持して移動させる構成になってい
る。また、ノズル１１には第２図に示すように超音波振
動子２１が内装され、かつ超音波発振装置１６で発振さ
れる一例の周波数２０〜４０Ｋ）Ｉｚの発振が超音波ケ
ーブル１７でこの＝４− 超音波振動子２１に印加される。上記ノズル１１は噴射
口径が一例の３ｍｍに設けられ、洗浄液タンク１３から
ポンプ１４によって０．５〜１．０ｋｇ／ａ（に加圧さ
れた洗浄液を洗浄液搬送ホース１５で供給する洗浄液供
給装置部旦を備える。
定された被洗浄ウェーハ２０１（以下つ□エーハと略称
）に対し、その斜上方にノズル１１がノズル移動装置１
２に支持されて、かつウェーハに対し傾斜して設けられ
、このノズル１１は指向点がウェーハの中心から周縁の
間をこれと平行に移動させるとともに、ウェーハとの距
離を１５ｍｍ以下に保持して移動させる構成になってい
る。また、ノズル１１には第２図に示すように超音波振
動子２１が内装され、かつ超音波発振装置１６で発振さ
れる一例の周波数２０〜４０Ｋ）Ｉｚの発振が超音波ケ
ーブル１７でこの＝４− 超音波振動子２１に印加される。上記ノズル１１は噴射
口径が一例の３ｍｍに設けられ、洗浄液タンク１３から
ポンプ１４によって０．５〜１．０ｋｇ／ａ（に加圧さ
れた洗浄液を洗浄液搬送ホース１５で供給する洗浄液供
給装置部旦を備える。
この発明によれば、超音波振動予相のノズルを使用する
ことによりウェーハ表面に形成された溝の底部まで洗浄
が可能となり、半導体素子の電気的特性の向上に著効が
ある。
ことによりウェーハ表面に形成された溝の底部まで洗浄
が可能となり、半導体素子の電気的特性の向上に著効が
ある。
次に、洗浄液の噴射圧を低減できたため、ウェーハの破
損が低減し、かつ洗浄時間の短縮、洗浄液の使用量の低
減などが達成された。また、洗浄液の高圧発生装置を必
要としないため、装置が小型になり設置床面積が約１７
３に縮小できた。さらに、高圧の配管や高圧装置の保守
が不要となるなどの顕著な利点がある。
損が低減し、かつ洗浄時間の短縮、洗浄液の使用量の低
減などが達成された。また、洗浄液の高圧発生装置を必
要としないため、装置が小型になり設置床面積が約１７
３に縮小できた。さらに、高圧の配管や高圧装置の保守
が不要となるなどの顕著な利点がある。
第１図はこの発明にかかる一実施例の洗浄装置の正面図
、第２図はこの発明の一実施例の洗浄装置のノズルを説
明するための断面図、第３図は従来の洗浄装置の正面図
、第４図はウェーハ表面の加工状態を説明するための断
面図である。 １１−−−−一超音波振動ノズル部 １２−−−−−ノズル移動装置 １．３−−−−一洗浄液タンク １６−−−−−超音波発振装置 現ユーーーーー洗浄液供給装置部 １０１−−−−一回転軸 １０２−−一−−ウェーハ回転支持台 ２０１−−−−一ウエーハ
、第２図はこの発明の一実施例の洗浄装置のノズルを説
明するための断面図、第３図は従来の洗浄装置の正面図
、第４図はウェーハ表面の加工状態を説明するための断
面図である。 １１−−−−一超音波振動ノズル部 １２−−−−−ノズル移動装置 １．３−−−−一洗浄液タンク １６−−−−−超音波発振装置 現ユーーーーー洗浄液供給装置部 １０１−−−−一回転軸 １０２−−一−−ウェーハ回転支持台 ２０１−−−−一ウエーハ
Claims (3)
- （１）半導体ウェーハの表面に対し超音波振動を印加し
たシャワーによって洗浄を施すことを特徴とする半導体
ウェーハの洗浄方法。 - （２）半導体ウェーハを支持回転させるウェーハ回転支
持台と、上記半導体ウェーハの上方を移動する超音波振
動ノズル部と、上記ノズル部に超音波を印加する超音波
発振装置と、上記ノズル部に洗浄液を供給する洗浄液供
給装置と、上記ノズル部を半導体ウェーハの主面と平行
に移動させるノズル移動装置とを具備した半導体ウェー
ハの洗浄装置。 - （３）半導体ウェーハの回転がその中心を回転軸に一致
させる回転であり、ノズルの移動が半導体ウェーハの中
心から周縁の間を移動するものである事を特徴とする特
許請求の範囲第２項に記載の半導体ウェーハの洗浄装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9967887A JPS63266831A (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 半導体ウエ−ハの洗浄方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9967887A JPS63266831A (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 半導体ウエ−ハの洗浄方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63266831A true JPS63266831A (ja) | 1988-11-02 |
Family
ID=14253689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9967887A Pending JPS63266831A (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 半導体ウエ−ハの洗浄方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63266831A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01143223A (ja) * | 1987-11-28 | 1989-06-05 | Toshiba Corp | 半導体基板の表面処理方法 |
| JPH02257632A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Toshiba Corp | 半導体装置の洗浄方法及びその洗浄装置 |
| JPH03126054U (ja) * | 1990-04-03 | 1991-12-19 | ||
| US5785068A (en) * | 1995-05-11 | 1998-07-28 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate spin cleaning apparatus |
| WO2000028579A2 (en) * | 1998-11-11 | 2000-05-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc |
| US6189547B1 (en) * | 1999-05-04 | 2001-02-20 | Honda Electronics Co., Ltd. | Ultrasonic washing apparatus |
| US6619301B2 (en) * | 1999-12-17 | 2003-09-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ultrasonic processing device and electronic parts fabrication method using the same |
-
1987
- 1987-04-24 JP JP9967887A patent/JPS63266831A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01143223A (ja) * | 1987-11-28 | 1989-06-05 | Toshiba Corp | 半導体基板の表面処理方法 |
| JPH0524661B2 (ja) * | 1987-11-28 | 1993-04-08 | Toshiba Kk | |
| JPH02257632A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Toshiba Corp | 半導体装置の洗浄方法及びその洗浄装置 |
| JPH03126054U (ja) * | 1990-04-03 | 1991-12-19 | ||
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| WO2000028579A2 (en) * | 1998-11-11 | 2000-05-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc |
| WO2000028579A3 (en) * | 1998-11-11 | 2000-08-10 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc |
| US6202658B1 (en) | 1998-11-11 | 2001-03-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc |
| US6345630B2 (en) | 1998-11-11 | 2002-02-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc |
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