KR19980011010U - 반도체 제조장치 - Google Patents
반도체 제조장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19980011010U KR19980011010U KR2019960024493U KR19960024493U KR19980011010U KR 19980011010 U KR19980011010 U KR 19980011010U KR 2019960024493 U KR2019960024493 U KR 2019960024493U KR 19960024493 U KR19960024493 U KR 19960024493U KR 19980011010 U KR19980011010 U KR 19980011010U
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
- coating liquid
- catch cup
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
본 고안의 반도체 제조장치는 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼척과, 웨이퍼척이 회전구동되는 구동부와, 웨이퍼 상부에 설치되어, 도포액이 분사되는 노즐과, 웨이퍼 가장자리에 설치되어 도포액의 튐을 방지하되, 상부가 둥근 아치형으로 내측면에 굴곡을 갖는 캐치컵을 포함하여 이루어진다.
Description
제 1도는 종래의 반도체 제조장치를 설명하기 위한 도면으로,
제 1도의 (a)는 종래 반도체 제조장치인 상부, 하부캐치컵을 도시한 분해사시도이고,
제 1도의 (b)는 종래의 반도체 제조장치의 캐치컵을 도시한 도면이고,
제 1도의 (c)(d)는 종래의 반도체 제조장치 중 도포액이 배기되는 과정을 도시한 도면이다.
제 2도와 제 3도는 본 고안의 반도체 제조장치인 캐치컵의 실시예를 도시한 도면이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10, 10', 10'', 20, 20'. 캐치컵11. 배기관
12. 웨이퍼척13. 노즐
본 고안은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 특히 회전되는 웨이퍼 표면에 포토레지스트 등의 도포액 분사시, 웨이퍼 상에 도포액이나 신나등의 튐현상을 방지하기에 적당한 반도체 제조장치에 관한 것이다.
웨이퍼척에 안착되어 고속회전하는 웨이퍼 상부에 도포액인 포토레지스트가 노즐을 통하여 분사되고, 또한 웨이퍼 가장자리의 도포액은 제거되는데, 이때, 도포액을 제거하는 용해제로서는 신나(THINNER)를 사용하며, 용해제는 회전하는 웨이퍼의 가장자리 측면에서 노즐을 통하여 분사되어 웨이퍼의 가장자리에만 도포액이 제거되도록 한다.
제 1도는 종래의 반도체 제조장치를 도시한 도면으로, 제1도의 (a)는 종래의 반도체 제조장치의 상부, 하부캐치컵을 도시한 분해사시도이고, 제 1도의 (b)는 종래의 반도체 제조장치의 캐치컵을 도시한 도면이고, 제 1도의 (c)(d)는 종래의 반도체 제조장치의 단면도이다.
웨이퍼 표면에 포토레지스트를 분사시키기 위한 종래의 반도체 제조장치는 제 1도의 (a)(b)(c)(d)와 같이, 웨이퍼(A)가 안착되는 웨이퍼척(12)과, 웨이퍼척(12)을 회전구동시키는 구동부와, 웨이퍼척(12) 상부에 설치되어, 도포액이 분사되는 노즐(13)과, 웨이퍼척(12) 가장자리에 설치되어 웨이퍼에 분사된 후 튀어나오는 도포액을 흡수하는 캐치컵(10)을 포함하여 이루어진다.
종래의 반도체 제조장치는 웨이퍼(A)가 안착되어, 고속회전되는 웨이퍼척(12)상부에서 노즐(13)을 통하여 웨이퍼 표면에 도포액을 원심력을 이용하여 분사시킨다. 또한 웨이퍼 측면 상부와 하부에 설치된 노즐(13)을 통하여 웨이퍼 가장자리에 도포된 도포액을 제거하기 위한 신나가 분사된다.
이때, 고속으로 회전되는 웨이퍼척(12) 가장자리에는 원심력으로 인하여 웨이퍼 표면으로 부터 튕겨지는 도포액이나 신나등이 장치로의 튐현상을 방지하기 위해 웨이퍼와 장치 사이에 캐치컵(10)이 설치되는데, 이때 캐치컵(10)은 상부가 관통된 둥근 아치(arch)형으로 형성된다.
또한, 캐치컵(10)은 상부캐치컵(10')과 하부캐치컵(10'')으로 이중으로 형성되어, 상부, 하부캐치컵(10')(10'')은 서로 포개지며, 그 내면은 매끄럽게 형성되어 있다.
따라서, 제 1도의 (c)(d)와 같이, 종래의 반도체 제조장치는 노즐을 통하여 고속회전되고 있는 웨이퍼 표면에 도포액과 신나가 도포되지만, 분사시 원심력에 의해 도포되고 있는 도포액과 신나가 캐치컵(10)의 e 면에 부딪혀 대부분 아래로 낙하되어(a방향) 배기관(11)으로 배기된다.
그러나, 보다 강한 원심력으로 웨이퍼 가장자리에서 튕겨지는 도포액은 캐치컵의 내측 경사면(e방향)에 부딪히면서 다시 웨이퍼 표면에 낙하됨에 따라(C점), 도포액이나 신나등이 튄 웨이퍼의 위치에서는 균일하게 도포되지 못하게 되는 문제점이 발생된다.
본 고안은 이러한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 특히 웨이퍼 상에 분사공정이 진행될 시에, 도포액이 웨이퍼 가장자리에 설치된 캐치컵의 내측경사면에 튐으로 인하여 웨이퍼 표면에 재부착되지 않도록 하는 반도체 제조장치를 그 목적으로 한다.
따라서, 본 고안은 웨이퍼 가장자리에 설치되어 도포액의 튐을 방지하는 반도체 제조장치인 캐치컵에 관한 것으로, 본 고안의 반도체 제조장치인 캐치컵은 상부가 관통된 둥근 아치(arch) 형으로 내측면에 굴곡이 형성되어져, 형성된 굴곡을 따라 분사액이 배기된다.
제 2도와 제 3도는 본 고안의 반도체 제조장치인 캐치컵의 일실시예이다.
이하 첨부된 도면을 참고로 하여 본 고안의 반도체 제조장치를 설명하겠다. 본 고안의 반도체 제조장치는 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼척과, 웨이퍼척이 회전구동되는 구동부와, 웨이퍼 상부에 설치되어, 도포액이 분사되는 노즐과, 웨이퍼 가장자리에 설치되어 웨이퍼에 분사된 후 튀어나오는 도포액을 흡수하기 위하여, 내측면에 굴곡을 갖는 상부가 둥근 아치형의 캐치컵을 포함하여 이루어진다.
본 고안의 반도체 제조장치인 캐치컵의 내측 경사면에 굴곡을 줌으로써, 고속회전의 원심력으로 인하여 튕겨지는 분사액이 그 굴곡면을 따라 흐르면서 배기되도록 한다.
그리고 캐치컵의 실시예로서는 제 2도와 같이, 캐치컵(20) 내측에 형성된 굴곡면에는 반구형으로 오목한 홈을 형성시키거나, 또는 제 3도와 같이, 캐치컵(30)의 내측 경사면에 형성된 굴곡이 빗살무늬(∧)형으로 형성시키되, 굴곡면이 45도 각도로 경사를 준다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 강한 원심력으로 인하여 웨이퍼에서 튕겨지는 도포액은 캐치컵의 내측경사면에 부딪히면서 다시 웨이퍼 표면에 낙하됨에 따라, 도포액이나 신나등이 튄 웨이퍼의 위치에서는 균일하게 도포되지 못하게 되는 문제점이 발생되었던 종래의 반도체 제조장치와는 달리, 본 고안에서는 상부가 둥근 아치형으로 형성된 캐치컵의 내측 경사면에 굴곡을 줌에 따라, 웨이퍼 표면에 분사액이 튐으로 인하여 불균일한 막이 형성되는 것을 방지하여 웨이퍼의 불량을 최대한으로 감소시킬 수 있다.
Claims (4)
- 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼척과,상기 웨이퍼척을 회전구동시키는 구동부와,상기 웨이퍼척의 상부에 설치되어, 도포액이 분사되는 노즐과,상기 웨이퍼척 가장자리에 설치되어, 웨이퍼에 분사된 후 튀어 나오는 도포액을 흡수하기 위하여, 내측경사면에 굴곡을 갖는 상부가 둥근 아치형의 캐치컵을 포함하여 이루어지는 반도체 제조장치.
- 제 1항에 있어서,상기 캐치컵의 내측 경사면에 형성된 굴곡은 반구형인 오목홈으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제 1항에 있어서,상기 캐치컵의 내측 경사면 형성된 굴곡은 빗살무늬(∧)형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제 3항에 있어서,상기 굴곡은 45도 각도로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019960024493U KR19980011010U (ko) | 1996-08-16 | 1996-08-16 | 반도체 제조장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019960024493U KR19980011010U (ko) | 1996-08-16 | 1996-08-16 | 반도체 제조장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980011010U true KR19980011010U (ko) | 1998-05-25 |
Family
ID=53972596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019960024493U KR19980011010U (ko) | 1996-08-16 | 1996-08-16 | 반도체 제조장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980011010U (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100389509B1 (ko) * | 2001-05-24 | 2003-06-25 | 주식회사 실리콘 테크 | 웨이퍼 코팅장치 |
| KR100901848B1 (ko) * | 2007-10-12 | 2009-06-09 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
-
1996
- 1996-08-16 KR KR2019960024493U patent/KR19980011010U/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100389509B1 (ko) * | 2001-05-24 | 2003-06-25 | 주식회사 실리콘 테크 | 웨이퍼 코팅장치 |
| KR100901848B1 (ko) * | 2007-10-12 | 2009-06-09 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3177728B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| KR19980011010U (ko) | 반도체 제조장치 | |
| KR20080072230A (ko) | 스캔 분사형 노즐 구동부를 가진 기판 처리 장치 | |
| JPS647494B2 (ko) | ||
| JP2002143749A (ja) | 回転塗布装置 | |
| JP4976781B2 (ja) | ウェハのウェット処理方法及びウェハのエッチング装置 | |
| JPS6369563A (ja) | 塗布方法および装置 | |
| KR20060133411A (ko) | Ｅｂｒ 설비의 웨이퍼 회전척 | |
| KR20200047863A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JP3126878B2 (ja) | 基板裏面洗浄装置 | |
| JP2628168B2 (ja) | 半導体ウエーハの表面処理装置 | |
| JP4530592B2 (ja) | ウェーハの表面処理装置 | |
| JP2005317852A (ja) | スピンコータ及び基板裏面の洗浄方法 | |
| KR200222598Y1 (ko) | 반도체감광제도포장비의감광제되튐방지장치 | |
| JP2005123534A (ja) | ウェハ洗浄装置 | |
| JPH0699124A (ja) | 角形基板の洗浄装置 | |
| KR0132408Y1 (ko) | 현상액 분사노즐 | |
| KR100189980B1 (ko) | 웨이퍼 에지의 감광막 제거장치 | |
| JPH0851064A (ja) | 基板裏面洗浄方法 | |
| KR19980023052U (ko) | 스핀 드라이 건조 장치 | |
| JPH10256128A (ja) | 薬液吐出ノズルおよびそれを用いたレジスト塗布装置 | |
| KR100217326B1 (ko) | 반도체 제조설비에서 스피너장치 | |
| JP4274866B2 (ja) | レジスト塗布装置 | |
| KR940001023Y1 (ko) | 실리콘 웨이퍼의 감광액 튀김 방지장치 | |
| JPH0226372B2 (ko) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E601 | Decision to refuse application |