KR200222598Y1 - 반도체감광제도포장비의감광제되튐방지장치 - Google Patents

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Abstract

본 고안은 반도체 감광제 도포장비의 감광제 되튐 방지장치에 관한 것으로, 본 고안은 웨이퍼가 얹혀지는 스핀척과, 그 스핀척의 상측에 배치되어 감광제를 분사하는 노즐과, 상기 웨이퍼를 수용하도록 구비되어 그 웨이퍼의 회전시 분사된 감광제가 원심력에 의해 장비 밖으로 튀기는 것을 방지하는 케이스를 포함하되, 상기 케이스의 내주면에 서로 다른 경사면을 갖도록 환형으로 돌출 형성되는 되튐방지돌부와, 상기 되튐방지부와 케이스의 접점에 형성되어 그 되튐방지부에 고인 감광제를 흘러내리게 하는 배액공으로 구성함으로써, 웨이퍼로부터 튀겨져 나간 감광제가 케이스의 벽면 또는 되튐방지부에 부딪혀 웨이퍼로 되돌아오는 양을 최소화하여 감광막의 두께를 균일하게 하는 것은 물론, 케이스의 직경이 축소되어 감광제 도포장비의 소형화를 실현할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 감광제 도포장비의 감광제 되튐 방지장치{STRUCTURE FOR PREVENTING REBOUND OF PHOTORESIST IN SEMICONDUCTOR COATING APPARATUS}
본 고안은 반도체 감광제 도포장비에 관한 것으로, 특히 웨이퍼로부터 튀기는 감광제가 케이스의 벽면 등에 부딪혀 웨이퍼로 다시 되돌아오는 것을 방지하는데 적합한 반도체 감광제 도포장비의 감광제 되튐 방지장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정에서 산화막이 입혀진 웨이퍼의 상면에 패턴을 형성하기 위하여는 그 웨이퍼의 상면에 유기 화합물인 감광막을 도포한 이후에 굽기, 현상, 노광, 식각 등의 공정을 차례대로 진행하게 되는데, 여기서 감광막은 통상 웨이퍼를 회전시키면서 그 상측에서 감광제를 떨어뜨려 중앙에서 외곽으로 번지듯이 퍼져나가게 하는 감광제 스핀공정을 통해 도포되고 있다.
도 1은 종래 감광제 도포장비를 보인 종단면도로서, 이에 도시된 바와 같이 종래의 감광제 도포장비는 크게 스핀들 모터(미도시)에 연결되어 진공으로 웨이퍼를 잡고 통상 50 ~ 4000 RPM으로 회전하는 스핀척(Spin Chuck)(1)과, 그 스핀척(1)의 상측 중앙에 배치되어 감광제를 공급하는 노즐(2)과, 그 노즐(2)로부터 분사된 감광제가 상기 스핀척(1)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 튀겨나가는 것을 제지하는 컵형의 케이스(3)로 이루어져 있다.
상기 케이스(3)는 웨이퍼(W)의 입출시 장치를 오픈시키기 위하여 상하로 이동가능하게 설치됨과 아울러 그 내주면에 웨이퍼(W)로부터 튀겨지는 감광제가 벽면에 부딪혀 다시 웨이퍼(W)의 상면으로 되돌아가는 것을 방지하기 위한되튐방지턱(3a,3b)이 형성되어 있다.
상기 되튐방지턱(3a,3b)은 통상 케이스(3)의 중심방향으로 갈수록 좁아지는 '삼각형' 단면형상으로 형성되는데, 그 되튐방지턱(3)의 높이는 케이스(3)의 상하이동시 스핀척(1)과의 부딪힘을 고려하여 형성되어 있다.
상기와 같은 종래 감광제 도포장비는 다음과 같이 동작된다.
즉, 별도의 웨이퍼 이송용 아암(미도시)이 카세트(미도시)로부터 산화막이 형성된 웨이퍼(W)를 집어 스핀척(1)의 상면에 얹어놓게 되면, 그 스핀척(1)이 웨이퍼(W)를 진공으로 흡착한 상태에서 스핀들 모터(미도시)에 설정된 RPM에 따라 회전을 개시하게 되고, 이어서 노즐(2)로부터 소정의 감광제가 분사되어 웨이퍼(W)의 중앙에 떨어지게 된다.
이렇게 웨이퍼(W)의 중앙에 떨어진 감광제는 그 웨이퍼(W)가 스핀척(1)에 의해 회전을 하고 있으므로 웨이퍼(W)의 외곽쪽으로 흘러 번지다가 웨이퍼의 테두리에서는 원심력에 의해 케이스(3)의 벽면을 향해 튀겨져 나가게 된다.
이 튀겨져 나가는 감광제는 케이스(3)의 내주면에 형성된 되튐방지턱(3a,3b)의 하측 경사면에 부딪혀 그 경사면을 따라 흘러 내리게 되는 것이었다.
그러나, 상기와 같은 종래의 감광제 도포장비에서는 웨이퍼로부터 튀겨져 나오는 감광제가 다시 웨이퍼로 되튀겨 들어가는 것을 방지하는 되튐방지턱(3a)이 케이스(3)의 중심으로 갈수록 좁아지는 삼각형 단면형상으로 형성되나, 이는 감광제의 튐방향을 고려하지 않아 되튐방지턱(3a)에 부딪힌 감광제의 일부가 다시 웨이퍼(W)의 상면으로 되튀겨 감광막의 두께가 불균일하게 되는 문제점이 있었다.
또한, 상기의 문제점을 감안하여 되튐방지턱(3b)의 높이를 높게 형성하는 경우에는 케이스(3)의 상하이동시 웨이퍼(W)와 부딪힐 우려가 있어 케이스(3)의 직경을 크게 성형하였으나, 이로 인해 감광제 도포장비의 비대화를 초래하게 되는 문제점도 있었다.
따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래의 감광제 도포장비가 가지는 문제점을 감안하여 안출한 것으로, 웨이퍼로부터 튀겨져 나간 감광제가 케이스의 벽면 또는 되튐방지턱에 부딪혀 웨이퍼로 되돌아오는 양을 최소화하여 감광막의 두께를 균일하게 하는 것은 물론, 케이스의 직경이 축소되어 감광제 도포장비의 소형화를 실현할 수 있는 반도체 감광제 도포장비의 감광제 되튐 방지장치를 제공하려는데 본 고안의 목적이 있다.
도 1은 종래 감광제 도포장비를 보인 종단면도.
도 2a 및 도 2b는 종래 감광제 도포장비에 있어서, 되튐방지턱의 높이에 따른 감광제의 튐방향을 보인 도 1의 'A'부에 대한 상세도.
도 3은 본 고안에 의한 감광제 도포장비를 보인 종단면도.
도 4는 본 고안에 의한 감광제 도포장비의 되튐방지부를 상세히 보인 종단면도.
도 5a 및 도 5b는 도 4의 'A'부 및 'B'부를 보인 상세도.
***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명***
1 : 스핀척 2 : 노즐
10 : 케이스 11,12,13 : 되튐방지부
11a,12a,13a : 배액공 W : 웨이퍼
이와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여, 웨이퍼가 얹혀지는 스핀척과, 그 스핀척의 상측에 배치되어 감광제를 분사하는 노즐과, 상기 웨이퍼를 수용하도록 구비되어 그 웨이퍼의 회전시 분사된 감광제가 원심력에 의해 장비 밖으로 튀기는 것을 방지하는 케이스를 포함한 반도체 감광제 도포장비에 있어서 ;
상기 케이스의 내주면에 서로 다른 경사면을 갖도록 환형으로 돌출 형성되는 되튐방지돌부와, 상기 되튐방지부와 케이스의 접점에 형성되어 그 되튐방지부에 고인 감광제를 흘러내리게 하는 배액공으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 감광제 도포장비의 감광제 되튐 방지장치가 제공된다.
이하, 본 고안에 의한 반도체 감광제 도포장비의 감광제 되튐 방지장치를 첨부도면에 도시된 일실시예에 의거하여 상세하게 설명한다.
도 3은 본 고안에 의한 감광제 도포장비를 보인 종단면도이고, 도 4는 본 고안에 의한 감광제 도포장비의 되튐방지부를 상세히 보인 종단면도이며, 도 5a 및 도 5b는 도 4의 'A'부 및 'B'부를 보인 상세도이다.
이에 도시된 바와 같이 본 고안에 의한 감광제 도포장비의 기본구조는 스핀들 모터(미도시)에 연결되어 진공으로 웨이퍼(W)를 잡고 통상 50 ~ 4000 RPM으로 회전하는 스핀척(1)과, 그 스핀척(1)의 상측 중앙에 배치되어 감광제를 공급하는 노즐(2)과, 그 노즐(2)로부터 분사된 감광제가 상기 스핀척(1)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 튀겨나가는 것을 제지하는 컵형의 케이스(10)로 이루어지는 것으로, 이는 종래와 동일하다.
본 고안의 케이스(10)는 그 내주면에 서로 다른 경사면을 갖는 다단의 되튐방지부(11,12,13)가 환상으로 형성되고, 그 각 되튐방지부(11,12,13)가 케이스 본체와 접하는 지점에는 윗단의 되튐방지부에 부딪힌 감광제가 케이스(10)의 바닥으로 흘러내리도록 다수개의 배액공(11a,12a,13a)이 각각 형성된다.
상기 되튐방지부(11,12,13)는 케이스의 중심방향으로 갈수록 상향 경사진 단면형상으로 형성되고, 그 내주단은 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 감광제의 튐방향이 케이스(10)의 벽면을 향하도록 웨이퍼(W)의 평면을 기준으로 예각 또는 수평으로 절단되는 것이 바람직하다.
도면중 종래와 동일한 부분에 대하여는 동일한 부호를 부여하였다.
상기와 같은 본 고안에 의한 반도체 감광제 도포장비는 다음과 같이 동작된다.
즉, 별도의 웨이퍼 이송용 아암(미도시)이 카세트(미도시)로부터 산화막이 형성된 웨이퍼(W)를 집어 스핀척(1)의 상면에 얹어놓게 되면, 그 스핀척(1)이 웨이퍼(W)를 흡착한 상태에서 회전을 개시함과 더불어 노즐(2)로부터는 소정의 감광제가 분사되어 웨이퍼(W)의 중앙에 떨어지고, 이 웨이퍼(W)로 떨어지는 감광제는 웨이퍼(W)의 테두리에서 원심력에 의해 케이스(10)의 벽면쪽으로 튀겨져 나가게 되는데, 이때 튀겨져 나가는 감광제는 되튐방지부(11,12,13)의 하측 경사면에 부딪혀 흘러내리게 되고, 특히 되튐방지부(12,13)의 내주단이 웨이퍼의 평면을 기준으로 예각으로 경사지거나 또는 수평으로 형성되므로 그 내주단에 부딪히는 감광제가 웨이퍼(W)쪽으로 튀겨져 들어오지 않고 케이스(10)의 벽면쪽으로 튀기게 되는 것이다.
한편, 상기 각 되툼방지부(11,12,13)의 경사면을 따라 흘러내린 감광제는 각 되튐방지부(11,12,13)의 외단에 형성된 배액공(11a,12a,13a)을 통해 케이스(10)의 바닥으로 흐르게 된다.
이렇게, 상기 되튐방지부(11,12,13)가 다단으로 형성되므로 그 높이가 높지 않더라도 웨이퍼(W)로부터 튀겨 나가는 감광제가 케이스(10)의 벽면 등에 튀겨 웨이퍼로 되돌아오는 것을 방지할 수 있으며, 이를 통해 케이스(10)의 직경을 축소시켜 장비의 소형화를 이룰 수 있게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 고안에 의한 반도체 감광제 도포장비는, 웨이퍼가 얹혀지는 스핀척과, 그 스핀척의 상측에 배치되어 감광제를 분사하는 노즐과, 상기웨이퍼로부터 튀기는 감광제를 차단하기 위한 내주면에 서로 다른 경사면을 갖는 다단의 되튐방지부가 형성되는 케이스를 포함하여 구성됨으로써, 상기 웨이퍼로부터 튀겨져 나간 감광제가 케이스의 벽면 또는 되튐방지턱에 부딪혀 웨이퍼로 되돌아오는 양을 최소화하여 감광막의 두께를 균일하게 하는 것은 물론, 케이스의 직경이 축소되어 감광제 도포장비의 소형화를 실현할 수 있는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 웨이퍼가 얹혀지는 스핀척과, 그 스핀척의 상측에 배치되어 감광제를 분사하는 노즐과, 상기 웨이퍼를 수용하도록 구비되어 그 웨이퍼의 회전시 분사된 감광제가 원심력에 의해 장비 밖으로 튀기는 것을 방지하는 케이스를 포함한 반도체 감광제 도포장비에 있어서 ;
    상기 케이스의 내주면에 서로 다른 경사면을 갖도록 환형으로 돌출 형성되는 되튐방지돌부와, 상기 되튐방지부와 케이스의 접점에 형성되어 그 되튐방지부에 고인 감광제를 흘러내리게 하는 배액공으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 감광제 도포장비의 감광제 되튐 방지장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 되튐방지부의 내주단은 그 내주단에 부딪힌 감광제의 튐방향이 케이스의 벽면을 향하도록 각각 서로 다른 경사각으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 감광제 도포장비의 감광제 되튐 방지장치.
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US7582163B2 (en) 2004-06-29 2009-09-01 Samsung Electronics Co., Ltd Apparatus for processing surface of substrate

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