TW201945091A - 清洗半導體矽片的裝置和方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭示了一種清洗半導體矽片的裝置，包括卡盤、超聲波或兆聲波裝置、致動器、至少一個噴嘴、及旋轉驅動器。卡盤夾持半導體矽片。致動器驅動超聲波或兆聲波裝置移動到半導體矽片表面上方的位置，在超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片表面之間形成間隙。至少一個噴嘴向半導體矽片的表面噴灑清洗液。旋轉驅動器驅動卡盤以低於設定的旋轉速度旋轉，以保證超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片表面之間的間隙完全地且持續地被清洗液填滿，從而使超聲波或兆聲波能量透過清洗液穩定地傳遞到整個半導體矽片的表面。本發明還揭示了清洗半導體矽片的方法。

Description

清洗半導體矽片的裝置和方法

本發明關於一種清洗半導體矽片的裝置和方法，更具體地，關於使用超聲波或兆聲波裝置清洗半導體矽片並且控制半導體矽片的旋轉速度低於設定的旋轉速度，從而使清洗液能夠完全地且持續地填滿超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片之間的間隙，因此超聲波或兆聲波能量透過清洗液穩定的傳輸至半導體矽片，避免損壞半導體矽片上的圖案化結構。

隨著半導體晶片體積的日益減小，現如今在半導體清洗技術領域的一個重大挑戰是避免損壞半導體矽片上的圖案化結構以及提高顆粒去除率。超聲波或兆聲波清洗技術的發展解決了半導體器件製造過程中的清洗問題，該技術更多地應用在單片矽片的清洗，能有效去除顆粒和污染物。以兆聲波裝置為例，一套兆聲波裝置通常包括壓電式感測器及與其配對的聲學共振器。感測器通電後作用如振動，而共振器會將高頻聲能量傳遞到清洗液中。由兆聲波能量產生的清洗液的振動使半導體矽片上的顆粒鬆動，進而透過由噴嘴提供的流動的清洗液將其從半導體矽片表面移除。當清洗半導體矽片時，半導體矽片由 卡盤夾持並隨卡盤以一定的旋轉速度旋轉。由噴嘴向半導體矽片的表面噴灑清洗液。兆聲波裝置被設置在半導體矽片表面上方，在兆聲波裝置和半導體矽片之間形成間隙，清洗液填滿兆聲波裝置與半導體矽片表面之間的間隙。兆聲波能量透過清洗液傳輸到半導體矽片表面上。在半導體器件製造過程中，兆聲波裝置和半導體矽片之間的清洗液能明顯影響圖案化結構品質。半導體矽片的旋轉速度是影響清洗液填滿兆聲波裝置和半導體矽片之間的間隙的主要因素。如果清洗液不能完全填滿兆聲波裝置和半導體矽片之間的間隙，半導體矽片上的圖案化結構可能會由於兆聲波能量的不穩定傳輸到半導體矽片表面而被損壞。除了半導體矽片的旋轉速度，兆聲波裝置在半導體矽片上方的位置和半導體矽片表面的特性(疏水性和親水性)等等也會影響清洗液填滿兆聲波裝置和半導體矽片表面之間的間隙，這些可能會導致清洗液不能完全地且持續地填滿兆聲波裝置和半導體矽片表面之間的間隙，從而導致圖案化結構的損壞。

因此，本發明的主旨是提供一種清洗半導體矽片的裝置和方法，透過使用超聲波或兆聲波裝置並控制半導體矽片的旋轉速度低於設定的旋轉速度，而使清洗液完全地且持續地填滿超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片之間的間隙，因此超聲波或兆聲波能量透過清洗液能穩定 的傳輸到整個半導體矽片表面，從而避免超聲波或兆聲波能量損壞半導體矽片上的圖案化結構。

根據本發明的一個實施例，提出的清洗半導體矽片的裝置，包括卡盤、旋轉驅動器、超聲波或兆聲波裝置、致動器、以及至少一個中心噴嘴。卡盤夾持半導體矽片。旋轉驅動器驅動卡盤以低於30rpm的速度旋轉。致動器驅動超聲波或兆聲波裝置移動到半導體矽片表面上方的位置，在半導體矽片表面和超聲波或兆聲波裝置之間形成間隙。至少一個中心噴嘴向半導體矽片表面噴灑清洗液，超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片表面之間的間隙被清洗液完全地且持續地填滿，因此超聲波或兆聲波能量透過清洗液穩定地傳輸到整個半導體矽片表面。

根據本發明的另一個實施例，提出的清洗半導體矽片的裝置，包括卡盤、旋轉驅動器、超聲波或兆聲波裝置、致動器和邊噴嘴。卡盤夾持半導體矽片。旋轉驅動器驅動卡盤以低於45rpm的速度旋轉。致動器驅動超聲波或兆聲波裝置移動到半導體矽片上方的位置，在半導體矽片表面和超聲波或兆聲波裝置之間形成間隙。邊噴嘴向半導體矽片表面噴灑清洗液，超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片表面之間的間隙被清洗液完全地且持續地填滿，因此超聲波或兆聲波能量透過清洗液穩定地傳輸到整個半導體矽片表面。

根據本發明的一個實施例，提出的清洗半導體矽片的方法包括以下步驟：利用卡盤夾持半導體矽片； 利用至少一個中心噴嘴向半導體矽片表面噴灑清洗液；使超聲波或兆聲波裝置位於半導體矽片表面上方位置，在半導體矽片表面和超聲波或兆聲波裝置之間形成間隙；驅動卡盤以低於30rpm的旋轉速度旋轉，以確保超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片表面之間的間隙被清洗液完全地且持續地填滿，使得超聲波或兆聲波能量透過清洗液穩定地傳輸到整個半導體矽片表面。

根據本發明的另一個實施例，提出的清洗半導體矽片的方法包括以下步驟：利用卡盤夾持半導體矽片；利用至少一個邊噴嘴向半導體矽片表面噴灑清洗液；使超聲波或兆聲波裝置位於半導體矽片表面上方位置，在半導體矽片表面和超聲波或兆聲波裝置之間形成間隙；驅動卡盤以低於45rpm的旋轉速度旋轉，以確保超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片表面之間的間隙被清洗液完全地且持續地填滿，使得超聲波或兆聲波能量透過清洗液穩定地傳輸到整個半導體矽片表面。

101‧‧‧懸臂

102‧‧‧壓電式感測器

103‧‧‧聲學共振器

104‧‧‧清洗液

105‧‧‧半導體矽片

106‧‧‧卡盤

107‧‧‧定位銷

108‧‧‧中心噴嘴

111‧‧‧旋轉驅動器

112‧‧‧豎直驅動

113‧‧‧致動器

201‧‧‧懸臂

204‧‧‧清洗液

205‧‧‧半導體矽片

206‧‧‧卡盤

207‧‧‧定位銷

209‧‧‧邊噴嘴

圖1A揭示了本發明清洗半導體矽片的裝置的第一實施例的示意圖，圖1B揭示了使用超聲波或兆聲波裝置和中心噴嘴清洗半導體矽片的俯視圖。

圖2揭示了本發明清洗半導體矽片的裝置的第二實例中使用超聲波或兆聲波裝置和邊噴嘴清洗半導體矽片的俯視圖。

圖3A和圖3B揭示了在半導體矽片以高旋轉速度(大於30rpm)旋轉期間，清洗液覆蓋面積的變化以及使用中心噴嘴向半導體矽片表面噴灑清洗液填滿半導體矽片和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙的俯視圖，圖3C和圖3D分別揭示了在半導體矽片以高旋轉速度旋轉期間，清洗液覆蓋面積變化的示意圖。

圖4揭示了使用如圖1A和圖1B所示的裝置清洗半導體矽片的示意圖，其中，半導體矽片正以低旋轉速度(10-30rpm)旋轉以及使用中心噴嘴向半導體矽片表面噴灑清洗液填滿半導體矽片和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙。

圖5揭示了使用如圖2所示的裝置清洗半導體矽片的示意圖，其中，半導體矽片正以低旋轉速度(10-45rpm)旋轉以及使用邊噴嘴向半導體矽片表面噴灑清洗液填滿半導體矽片和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙。

圖6揭示了使用如圖2所示的裝置清洗半導體矽片的示意圖，其中，半導體矽片正以高旋轉速度(大於45rpm)旋轉以及使用邊噴嘴向半導體矽片表面噴灑清洗液填滿半導體矽片和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙。

圖7揭示了使用如圖1A和圖1B所示的裝置清洗半導體矽片的示意圖，其中，半導體矽片表面是疏水性的， 並且半導體矽片正以低旋轉速度(10-30rpm)旋轉以及使用中心噴嘴向半導體矽片表面噴灑清洗液填滿半導體矽片和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙。

圖8揭示了使用如圖1A和圖1B所示的裝置清洗半導體矽片的示意圖，其中，半導體矽片表面是親水性的，並且半導體矽片正以低旋轉速度(10-30rpm)旋轉以及使用中心噴嘴向半導體矽片表面噴灑清洗液填滿半導體矽片和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙。

參考圖1A和圖1B所示，示意了根據本發明第一實施例的清洗半導體矽片的裝置。該裝置包括夾持半導體矽片105的卡盤106。若干定位銷107設置在卡盤106上，固定半導體矽片105。卡盤106連接旋轉驅動器111。旋轉驅動器111驅動卡盤106以低於設定的旋轉速度旋轉。該旋轉速度設置在10-3000rpm的範圍內。由於半導體矽片105被夾持在卡盤106上，半導體矽片105以同樣的旋轉速度隨著卡盤106旋轉。該裝置還具有懸臂101。超聲波或兆聲波裝置設置在懸臂101的下方。超聲波或兆聲波裝置具有壓電式感測器102及與其配對的聲學共振器103。當使用超聲波或兆聲波裝置清洗半導體矽片105時，超聲波或兆聲波裝置移動到半導體矽片105表面上方的位置，在半導體矽片105表面和超聲波或兆聲波裝置之間形成間隙。壓電式感測器102通電後作用如振動，而共 振器103會將高頻聲能量傳遞到清洗液中。由超聲波或兆聲波能量產生的清洗液的攪動鬆動了半導體矽片105上的顆粒，污染物因此被振動的離開半導體矽片105的表面，並透過流動的清洗液104將污染物從半導體矽片105的表面去除。清洗液104由至少一個中心噴嘴108提供。中心噴嘴108設置在懸臂101的末端。中心噴嘴108正對半導體矽片105的中心或略越過半導體矽片105的中心，向半導體矽片105的表面噴灑清洗液104。清洗液104完全地且持續地填滿超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片105的表面之間的間隙，使得超聲波或兆聲波能量透過清洗液104穩定地傳遞到半導體矽片105的整個表面，因而避免超聲波或兆聲波能量損壞半導體矽片105上的圖案化結構，尤其避免超聲波或兆聲波能量損壞半導體矽片105邊緣處的圖案化結構。中心噴嘴108的數量是至少一個或一個以上。中心噴嘴108能夠分配不同的化學品到半導體矽片105的表面，化學品可以是液體也可以是氣體。豎直驅動器112驅動懸臂101向上或向下移動，進而改變超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片105表面之間的間隙。致動器113驅動超聲波或兆聲波裝置移動到半導體矽片105表面上方的位置。

參考圖2所示，圖2揭示了根據本發明第二實施例的清洗半導體矽片的裝置的俯視圖。第二實施例的裝置與圖1中所示的裝置相類似，區別在於第二實施例的裝置具有邊噴嘴209，該邊噴嘴209設置在超聲波或兆聲波 裝置的一側邊。在一個實施例中，邊噴嘴209具有若干個噴射孔，該若干個噴射孔在超聲波或兆聲波裝置的一側邊呈線性排列。

如圖3A至圖3D所示的實施例，當使用圖1A和圖1B所示的裝置清洗半導體矽片105時，卡盤106透過該若干個定位銷107夾持並固定半導體矽片105。旋轉驅動器111驅動卡盤106以大於30rpm的速度高速旋轉。致動器113驅動超聲波或兆聲波裝置移動到半導體矽片105表面上方的位置。豎直驅動器112驅動超聲波或兆聲波裝置豎直移動來改變超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片105表面之間的間隙。超聲波或兆聲波裝置覆蓋半導體矽片105的外邊緣。中心噴嘴108向半導體矽片105的表面噴灑清洗液104。旋轉驅動器111驅動卡盤106高速旋轉，這導致了清洗液104不能完全地且持續地填滿超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片105表面之間的間隙，尤其是超聲波或兆聲波裝置的邊緣。在清洗的過程中，清洗液104斷斷續續地填滿超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片105表面之間的間隙，這是不穩定的。圖3A和圖3B揭示了在半導體矽片以高速旋轉期間清洗液覆蓋面積改變的俯視圖。區域1和區域2斷斷續續地被清洗液104完全填滿。有時，區域1和區域2沒有或者是沒有完全被清洗液104填滿，而區域3是一直被清洗液104完全填滿，如圖3A和圖3C所示。然而有時，區域1和區域2是被清洗液104完全填滿，如圖3B和圖3D所示，因此整個超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片105 表面之間的間隙被清洗液104完全填滿。氣相和液相交替出現在超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片105表面之間的間隙中，超聲波或兆聲波能量集中在氣相和液相的交界處。由能量的集中所引起的高超聲波或兆聲波能量有損壞圖案化結構的風險。此外，當沒有清洗液104填充在區域1和區域2或是區域1或區域2沒有被完全填滿清洗液104時，超聲波或兆聲波能量不能傳遞到半導體矽片105的表面，然而一旦區域1和區域2被清洗液104完全填滿，超聲波或兆聲波能量就會透過清洗液104傳遞到半導體矽片105的表面，這導致了傳遞到半導體矽片105表面上的超聲波或兆聲波能量非均勻分佈。此外，不穩定的液體傳輸也會導致亂流，使得超聲波或兆聲波能量的傳輸更不均勻。

參考圖4所示，為了解決上述問題，卡盤106的旋轉速度被控制在低於30rpm的低轉速，較佳的範圍是10-30rpm。中心噴嘴108向半導體矽片105的表面噴灑清洗液104。因為旋轉驅動器111驅動卡盤106以低於設定的旋轉速度旋轉，使得超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片105表面之間的間隙能夠被清洗液104完全地且持續地填滿，因此，超聲波或兆聲波能量透過清洗液104穩定地傳遞到整個半導體矽片105的表面，避免損壞半導體矽片105上的圖案化結構。控制卡盤106的旋轉速度低於設定的轉速能夠避免圖案化結構的損壞。

參考圖5所示，當使用如圖2所示的裝置清洗 半導體矽片205時，卡盤206透過若干個定位銷207夾持並固定半導體矽片205。旋轉驅動器驅動卡盤206以低於45rpm的低旋轉速度旋轉，較佳的範圍是10-45rpm。致動器驅動超聲波或兆聲波裝置移動到半導體矽片205表面上方的位置。豎直驅動器驅動懸臂201豎直移動來改變超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片205表面之間的間隙。較佳地，超聲波或兆聲波裝置的邊緣能對準半導體矽片205的外邊緣。邊噴嘴209向半導體矽片205的表面噴灑清洗液204。因為旋轉驅動器驅動卡盤206以低於設定的旋轉速度旋轉，使得超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片205表面之間的間隙能夠被清洗液204完全地且持續地填滿，因此超聲波或兆聲波能量透過清洗液204穩定地傳遞到整個半導體矽片205的表面，避免超聲波或兆聲波能量損壞半導體矽片205上的圖案化結構。控制卡盤206以低於設定的旋轉速度旋轉能避免圖案化結構的損壞。

與圖5所示的實施例相比較，在圖6所示的實施例中，旋轉驅動器驅動卡盤206以大於45rpm的高旋轉速度旋轉，這會導致超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片205表面之間的間隙不能完全地且持續地被清洗液204填滿，尤其是在超聲波或兆聲波裝置的邊緣。在清洗的過程中，清洗液204斷斷續續地填滿超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片205表面之間的間隙，這是不穩定的。氣相和液相交替出現在超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片205表面之間的間隙中，超聲波或兆聲波能量集中在氣相和液相的 交界處，由能量的集中所引起的高超聲波或兆聲波能量有損壞圖案化結構的風險。此外，當沒有清洗液204填充間隙或是間隙沒有被清洗液204完全填滿時，超聲波或兆聲波能量不能被傳遞到半導體矽片205的表面，然而一旦間隙被清洗液204完全填滿，超聲波或兆聲波能量透過清洗液204傳遞到半導體矽片205的表面，這會導致傳遞到半導體矽片205表面上的超聲波或兆聲波能量非均勻分佈。此外，不穩定的液體傳輸也會導致亂流，使得超聲波或兆聲波能量的傳輸更不均勻。

在圖7所示的實施例中，當使用如圖1A和圖1B所示的裝置清洗半導體矽片105時，卡盤106透過若干個定位銷107夾持和固定半導體矽片105。旋轉驅動器111驅動卡盤106以低於30rpm的低旋轉速度旋轉，較佳的範圍是10-30rpm。致動器113驅動超聲波或兆聲波裝置移動到半導體矽片105表面上方的位置。豎直驅動器112驅動懸臂101豎直移動來改變超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片105表面之間的間隙。超聲波或兆聲波裝置的邊緣對準半導體矽片105的外邊緣。中心噴嘴108向半導體矽片105的表面噴灑清洗液104。在這一實施方案中，半導體矽片105的表面是疏水性的，這會導致超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片105表面之間的間隙不能完全地且持續地被清洗液104填滿，尤其是在超聲波或兆聲波裝置的邊緣。

為了解決上述問題，本發明提供了如圖8所示的另一實施方案。在這一實施方案中，使用如圖1A和圖1B 所示的裝置清洗半導體矽片105時，卡盤106透過若干個定位銷107夾持並固定半導體矽片105。旋轉驅動器111驅動卡盤106以低於30rpm的低旋轉速度旋轉，較佳的範圍是10-30rpm。致動器113驅動超聲波或兆聲波裝置移動到半導體矽片105表面上方的位置。豎直驅動器112驅動懸臂101豎直移動來改變超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片105表面之間的間隙。超聲波或兆聲波裝置的邊緣對準半導體矽片105的外邊緣。中心噴嘴108向半導體矽片105的表面噴灑清洗液104。半導體矽片105的表面是親水性的，使得超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片105表面之間的間隙能夠完全地且持續地被清洗液104填滿，因此超聲波或兆聲波能量透過清洗液104穩定地傳遞到整個半導體矽片105的表面，避免了超聲波或兆聲波能量損壞半導體矽片105上的圖案化結構。

綜上所述，卡盤的旋轉速度，超聲波或兆聲波裝置的位置，噴嘴的類型和半導體矽片表面的特性是影響清洗液填滿超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片表面之間間隙的因素。尤其是，控制卡盤的旋轉速度低於設定的旋轉速度能夠保證清洗液完全地且持續地填滿超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片表面之間的間隙，使超聲波或兆聲波能量可以透過清洗液穩定地傳遞到整個半導體矽片的表面，避免了損壞半導體矽片上的圖案化結構。對於中心噴嘴而言，為了避免超聲波或兆聲波能量損壞半導體矽片上的圖案化結構，卡盤的旋轉速度低於30rpm。對於邊 噴嘴而言，為了避免超聲波或兆聲波能量損壞半導體矽片上的圖案化結構，卡盤的旋轉速度低於45rpm。

相應地，本發明所提供的清洗半導體矽片的方法包括以下步驟：步驟1：利用卡盤夾持半導體矽片；步驟2：向半導體矽片的表面噴灑清洗液；步驟3：使超聲波或兆聲波裝置移動到半導體矽片表面上方的位置，在超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片表面之間形成間隙；步驟4：使卡盤以低於設定的旋轉速度旋轉，以保證超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片表面之間的間隙完全地且持續地被清洗液填滿，使得超聲波或兆聲波能量透過清洗液穩定地傳遞到整個半導體矽片表面。

在一個實施例中，半導體矽片的表面是親水性的。

在一個實施例中，利用至少一個中心噴嘴向半導體矽片的表面噴灑清洗液。使卡盤以低於30rpm的旋轉速度旋轉，較佳的範圍是10-30rpm。中心噴嘴正對著半導體矽片的中心或略越過半導體矽片的中心。

在一個實施例中，利用至少一個邊噴嘴向半導體矽片的表面噴灑清洗液。使卡盤以低於45rpm的旋轉速度旋轉，較佳的範圍是10-45rpm。邊噴嘴設置在超聲波或兆聲波裝置的一側邊。邊噴嘴具有若干個噴射孔，該若干個噴射孔在超聲波或兆聲波裝置的一側邊呈線性排 列。

綜上所述，本發明透過上述實施方式及相關圖式說明，己具體、詳實的揭露了相關技術，使本領域的技術人員可以據以實施。而以上所述實施例只是用來說明本發明，而不是用來限制本發明的，本發明的權利範圍，應由本發明的申請專利範圍來界定。至於本文中所述元件數目的改變或等效元件的代替等仍都應屬於本發明的權利範圍。

Claims (24)

1. 一種清洗半導體矽片的裝置，其特徵在於，包括：卡盤，夾持半導體矽片；超聲波或兆聲波裝置；致動器，驅動超聲波或兆聲波裝置移動到半導體矽片表面上方的位置，在超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片表面之間形成間隙；至少一個噴嘴，向半導體矽片的表面噴灑清洗液；以及旋轉驅動器，驅動卡盤以低於設定的旋轉速度旋轉，以保證超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片表面之間的間隙完全地且持續地被清洗液填滿，從而使超聲波或兆聲波能量透過清洗液穩定地傳遞到整個半導體矽片表面。
2. 根據請求項1所述的清洗半導體矽片的裝置，其特徵在於，半導體矽片的表面是親水性的。
3. 根據請求項1所述的清洗半導體矽片的裝置，其特徵在於，所述的至少一個噴嘴是中心噴嘴。
4. 根據請求項3所述的清洗半導體矽片的裝置，其特徵在於，所述的旋轉驅動器驅動卡盤以低於30rpm的旋轉速度旋轉。
5. 根據請求項4所述的清洗半導體矽片的裝置，其特徵在於，所述的旋轉驅動器驅動卡盤以10-30rpm的旋轉速度旋轉。
6. 根據請求項3所述的清洗半導體矽片的裝置，其特徵在於，進一步包括懸臂，所述的超聲波或兆聲波裝置設置在懸臂的下方，所述的中心噴嘴設置在懸臂的末端。
7. 根據請求項3所述的清洗半導體矽片的裝置，其特徵在於，所述的中心噴嘴正對半導體矽片的中心或略越過半導體矽片的中心。
8. 根據請求項1所述的清洗半導體矽片的裝置，其特徵在於，所述的至少一個噴嘴是設置在超聲波或兆聲波裝置一側邊的邊噴嘴。
9. 根據請求項8所述的清洗半導體矽片的裝置，其特徵在於，所述的旋轉驅動器驅動卡盤以低於45rpm的旋轉速度旋轉。
10. 根據請求項9所述的清洗半導體矽片的裝置，其特徵在於，所述的旋轉驅動器驅動卡盤以10-45rpm的旋轉速度旋轉。
11. 根據請求項8所述的清洗半導體矽片的裝置，其特徵在於，所述的邊噴嘴具有若干個噴射孔，該若干個噴射孔在超聲波或兆聲波裝置的一側邊呈線性排列。
12. 根據請求項1所述的清洗半導體矽片的裝置，其特徵在於，進一步包括豎直驅動器，驅動超聲波或兆聲波裝置豎直移動以改變超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片表面之間的間隙。
13. 根據請求項1所述的清洗半導體矽片的裝置，其特徵在於，進一步包括若干個定位銷，設置在卡盤上，固定半導體矽片。
14. 一種清洗半導體矽片的方法，其特徵在於，包括：利用卡盤夾持半導體矽片；向半導體矽片的表面噴灑清洗液；使超聲波或兆聲波裝置移動到半導體矽片表面上方的位置，在超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片表面之間形成間隙；使卡盤以低於設定的旋轉速度旋轉，以保證超聲波或兆聲波裝置和半導體矽片表面之間的間隙完全地且持續地被清洗液填滿，從而使超聲波或兆聲波能量透過清洗液 穩定地傳遞到整個半導體矽片表面。
15. 根據請求項14所述的清洗半導體矽片的方法，其特徵在於，半導體矽片表面是親水性的。
16. 根據請求項14所述的清洗半導體矽片的方法，其特徵在於，利用至少一個中心噴嘴向半導體矽片的表面噴灑清洗液。
17. 根據請求項16所述的清洗半導體矽片的方法，其特徵在於，使卡盤以低於30rpm的旋轉速度旋轉。
18. 根據請求項17所述的清洗半導體矽片的方法，其特徵在於，使卡盤以10-30rpm的旋轉速度旋轉。
19. 根據請求項16所述的清洗半導體矽片的方法，其特徵在於，所述的中心噴嘴正對半導體矽片的中心或略越過半導體矽片的中心。
20. 根據請求項14所述的清洗半導體矽片的方法，其特徵在於，利用至少一個邊噴嘴向半導體矽片的表面噴灑清洗液。
21. 根據請求項20所述的清洗半導體矽片的 方法，其特徵在於，使卡盤以低於45rpm的旋轉速度旋轉。
22. 根據請求項21所述的清洗半導體矽片的方法，其特徵在於，使卡盤以10-45rpm的旋轉速度旋轉。
23. 根據請求項20所述的清洗半導體矽片的方法，其特徵在於，所述的邊噴嘴設置在超聲波或兆聲波裝置的一側邊。
24. 根據請求項23所述的清洗半導體矽片的方法，其特徵在於，所述的邊噴嘴具有若干個噴射孔，該若干個噴射孔在超聲波或兆聲波裝置的一側邊呈線性排列。