DE69101818T2

DE69101818T2 - Halbleitersubstrat-Ätzgerät.

Info

Publication number: DE69101818T2
Application number: DE69101818T
Authority: DE
Inventors: Kiyoshi Yoshikawa
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1990-09-14
Filing date: 1991-09-13
Publication date: 1994-09-01
Anticipated expiration: 2011-09-14
Also published as: KR920007110A; EP0475435B1; EP0475435A1; US5176783A; KR940010504B1; JPH0810686B2; DE69101818D1; JPH04124827A

Description

Hintergrund der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitersubstrat- Ätzvorrichtung, und insbesondere eine Halbleitersubstrat- Ätzvorrichtung zum automatischen Ätzen einer abgefasten Außenkante eines Halbleitersubstrats (auch als Wafer bezeichnet), welche einen abgefasten Aufbau aufweist.
Ein scheibenförmiges Halbleitersubstrat, welches keine Orientierungs-Flachstelle aufweist, wird als Wafer für Halbleitervorrichtungen mit hoher Leistung eingesetzt. Die meisten Halbleitersubstrate sind an ihren Kanten abgeschrägt oder abgefast, um vorbestimmte Durchbruchsspannungen aufrecht zu erhalten. Während der Abfasung werden Spalte und Fehler in der abgefasten Kante des Wafers erzeugt, und müssen durch Ätzen der abgefasten Kante entfernt werden.
Konventionellerweise wird das Ätzen der abgefasten Kante des Wafers durch die nachstehend angegebene Bearbeitung erzielt. Wie aus Fig. 5 hervorgeht, wird eine Hauptoberfläche eines Halbleitersustrats 1 vollständig mit Hilfe einer Bürste mit einem Ätzschutzmittel 2 beschichtet, und dann wird das Halbleitersubstrat 1 mit einer Fluorkunststoffscheibe 3 verbunden, welche denselben Durchmesser wie das Halbleitersubstrat 1 aufweist.
Daraufhin wird das Halbleitersubstrat 1 über die Fluorkunststoffscheibe 3 auf eine heiße Platte 4 aufgesetzt, um mehrere Minuten ausgeheizt zu werden, so daß das Halbleitersubstrat 1 und die Fluorkunststoffscheibe 3 aneinander anhaften. Nach dem Ausheizen wird die andere Hauptoberfläche oder die Musterausbildungsoberfläche mit einem Ätzschutzmittel 5 mit Hilfe einer Bürste beschichtet, und wird dann auf ähnliche Weise ausgeheizt. Hierbei muß darauf geachtet werden, während der Vorgänge des Aufbringens des Ätzschutzmittels nicht das Ätzschutzmittel auf die abgefaste Kante la aufzutragen.
Das Halbleitersubstrat 1, welches wie in Fig. 5 dargestellt an der Fluorkunststoffscheibe 3 befestigt ist, wird durch eine Zange 6 aufgenommen, und für eine vorbestimmte Zeit in ein Ätzmittel 7 eingetaucht, um nur die abgefaste Kante des Halbleitersubstrats 1 zu ätzen. Nach dem Ätzen wird das Halbleitersubstrat 1 mit Wasser gereinigt, und wird dann in eine siedende organische Lösung eingetaucht, um die Fluorkunststoffscheibe 3 von dem Halbleitersubstrat 1 abzuschälen, und das Ätzschutzmittel 2 und 5 zu entfernen. Daraufhin wird das Halbleitersubstrat 1 unter fließendem Wasser gewaschen. Nach dem Waschen wird das Halbleitersubstrat 1 mit einer Infrarotlampe 8 getrocknet.
Bei einer derartigen, früheren Vorgehensweise traten allerdings die nachstehend angegebenen Schwierigkeiten auf: Es muß große Sorgfalt darauf verwendet werden, das Ätzschutzmittel auf die entgegengesetzten Hauptoberflächen des Halbleitersubstrats 1 so aufzutragen, daß das Ätzschutzrnittel nicht an der abgefasten Kante la des Halbleitersubstrats 1 anhaftet; eine Fluorkunststoffscheibe 3 muß mit einer Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats 1 verbunden werden; es ist ein Entfernen des Ätzschutzmittels erforderlich, mit den zugehörigen Reinigungs- und Trocknungsvorgängen; es tritt ein beträchtliches Absinken der Ausbeute des Halbleitersubstrats 1 infolge einer nicht gleichmäßigen Beschichtung rnit Ätzschutzmittel 2 und 5 auf; und der Verbrauch an Ätzmittel wird vergleichsweise erhöht, da der gesamte Wafer in das Ätzmittel eingetaucht wird, nur um die abgef aste Kante la des Halbleitersubstrats 1 zu ätzen.
Ein weiterer Versuch zur Überwindung derartiger Schwierigkeiten ist in der japanischen Veröffentlichung eines ungeprüften Patents (Kokai) 1(1989)-316936 beschrieben. Die Halbleitersubstrat-Ätzvorrichtung in dieser Veröffentlichung ist, wie aus Fig. 8 und 9 hervorgeht, mit einem Drehtisch 9 mit einer Unterdruckspannvorrichtung versehen, und mit einer Aufbringungswalze 11 mit einer Drehwelle 10, wobei die Walze 11 parallel zum Drehtisch 9 angeordnet ist. Ein Ätzmittel 13 wird von einer Ätzmittelzuführdüse 12 einer Außenumfangsnut 11a der Aufbringungswalze 11 zugeführt. Ein Halbleitersubstrat 1 wird durch den Drehtisch 9 mittels Unterdruck gespannt, und die abgefaste Kante 1a paßt in die Außenumfangsnut lla der Aufbringungswalze 11. Bei einem derartigen Aufbau wird das Ätzmittel 13 von der Ätzmittelzuführdüse 12 der Außenumfangsnut 11a der Aufbringungswalze 11 zugeführt, während der Drehtisch 9 und die Aufbringungswalze 11 gedreht werden. Infolge der Oberflächenspannung wird das Ätzmittel 13 in der Außenumfangsnut 11a gehalten, und haftet an der abgefasten Kante des Halbleitersubstrats 1 an, so daß diese geätzt wird, während die Aufbringungswalze 11 gedreht wird. Nach Beendigung des Ätzens der gesamten Kante des Halbleitersubstrats 1 wird die Zufuhr des Ätzmittels unterbrochen und dann wird reines Wasser aus Reinigungsdüsen 14 und 15 ausgespritzt, um das Halbleitersubstrat 1 zu reinigen. Schließlich wird das Halbleitersubstrat 1 zum Trocknen mit hoher Geschwindigkeit gedreht.
Die Halbleitersubstrat-Ätzvorrichtung, die in der japanischen Veröffentlichung eines ungeprüften Patents 1-316936 beschrieben ist, ist in folgender Hinsicht nachteilig: Sie automatisiert nur das Aufbringen des Ätzmittels auf die abgefaste Kante der Halbleitersubstrate und das darauffolgende Waschen, und automatisiert nicht den gesamten Vorgang der Ätzbearbeitung einschließlich der Übertragung von Halbleitersubstraten, Aufbringen des Ätzmittels, Reinigen mit Wasser, Ausheizen, und so weiter; und darüber hinaus tritt eine ungleichmäßige Beschichtung des Ätzinittels auf, wenn das Halbleitersubstrat 1 exzentrisch auf den Drehtisch 9 aufgesetzt ist.

Zusammenfassung der Erfindung

Daher besteht ein Ziel der vorliegenden Erfindung in der Bereitstellung einer Halbleitersubstrat-Ätzvorrichtung, welche ein Ätzmittel gleichmäßig über die gesamte Kante eines Halbleitersubstrats aufbringen kann, und eine Automatisierung des gesamten Vorgangs der Ätzbearbeitung des Halbleitersubstrats ermöglicht, einschließlich der Übertragung von Halbleitersubstraten, des Aufbringens des Ätzmittels, einer Reinigung mit Wasser, Ausheizen, und so weiter.
Angesichts derartiger und weiterer Ziele stellt die vorliegende Erfindung eine Halbleitersubstrat- Ätzvorrichtung zum Ätzen einer abgef asten Außenkante eines Halbleitersubstrats gemäß Patentanspruch 1 zur Verfügung.
Halbleitersubstrate werden aufeinanderfolgend von der Halbleitersubstratversorgungseinheit durch die Übertragungseinrichtung zur Halbleitersubstrat- Wiedergewinnungseinheit übertragen, und das Ätzen wird automatisch durchgeführt. Auf diese Weise wird die Bearbeitungszeit wesentlich verringert. Weiterhin werden die Halbleitersubstrate auf den Drehtisch der Ätzmittelaufbringungseinheit mit verhältnismäßig hoher Genauigkeit aufgesetzt, da dieser Vorgang durchgeführt wird, nachdem die Halbleitersubstrate durch die X-Y-Stufe ausgerichtet wurden. Dies ermöglicht eine gleichförmigere Aufbringung des Ätzmittels als bei Vorgehensweisen nach dem Stand der Technik, und die Halbleitersubstrat- Ätzvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist eine beträchtliche Verbesserung der Ausbeute auf.

Kurzbeschreibung der Zeichnungen

Es zeigt:
Fig. 1 eine Perspektivansicht einer Halbleitersubstrat- Ätzvorrichtung, die gemäß der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist;
Fig. 2 ein Blockschaltbild zur Erlauterung der Betriebsweise der Halbleitersubstrat- Ätzvorrichtung von Fig. 1;
Fig. 3 eine vergrößerte Perspektivansicht des Arms in Fig. 1;
Fig. 4 eine vergrößerte, axiale Schnittansicht der Ätzmittelaufbringungseinheit von Fig. 1;
Fig. 5 bis 7 Erläuterungen des konventionellen Verfahrens zum Ätzen eines Halbleitersubstrats; und
Fig. 8 und 9 schematische Vorder- bzw. Aufsichten einer weiteren konventionellen HalbleitersubstratÄtzvorrichtung.

Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen

Eine Halbleitersubstrat-Ätzvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf Fig. 1 bis 4 beschrieben, wobei Teile, die Teilen in den Fig. 5 bis 9 entsprechen, durch dieselben Bezugszeichen bezeichnet sind, und eine Beschreibung dieser Teile entweder weggelassen oder vereinfacht ist.
In den Fig. 1 und 2 ist eine Rein-Einheit 20 mit einer Basis 21 versehen, auf welcher eine Halbleitersubstrat- Versorgungseinheit 22, eine Ausrichtungseinheit 23, eine Ätzmittelaufbringungseinheit 24, eine Reinigungseinheit 25, eine Ausheizeinheit 26 mit einer heißen Platte 26a sowie eine Halbleitersubstrat-Wiedergewinnungseinheit 27 im wesentlichen in einer Horizontalebene in Längsrichtung in der beschriebenen Reihenfolge ausgerichtet sind. Die Halbleitersubstrat-Versorgungseinheit 22 weist Tabletts 28 auf, von denen jedes so ausgebildet ist, daß es Halbleitersubstrate 1 in vorbestimmten Positionen aufnimmt. Die Ausrichtungseinheit 23 weist eine X-Y-Stufe 23a und einen Positionsdetektor 23b auf, welcher mit einer Industrie-Fernsehkamera versehen ist, die oberhalb der X-Y-Stufe 23a angeordnet ist.
Die Ätzmittelaufbringungseinheit 24 weist einen ähnlichen Aufbau auf wie die Halbleitersubstrat-Ätzvorrichtung, die in der japanischen Veröffentlichung eines ungeprüften Patents 1-316936 beschrieben ist, also wie in Fig. 8 und 9. Wie aus Fig. 4 hervorgeht, weist die Ätzmittelaufbringungseinheit 24 einen Drehtisch 29 mit einer Unterdruckspannfunktion auf, wobei der Drehtisch 29 an einen nicht dargestellten Motor angeschlossen ist, damit er sich drehen kann. Die Ätzmittelaufbringungseinheit 24 ist darüber hinaus mit einer Aufbringungswalze 30 versehen, die mit einem anderen Motor verbunden ist, der ebenfalls nicht dargestellt ist, und mit einem Ätzmittel-Zufuhrrohr 31 zum Zuführen eines Ätzmittels zu der Aufbringungswalze 30. Die Aufbringungswalze 30 und das Ätzmittelzufuhrrohr 31 sind so aufgebaut, daß sie zusammen zum Drehtisch 29 hin und von diesem weg bewegt werden können.
Unmittelbar oberhalb der Halbleitersubstratzufuhreinheit 22, der Ausrichtungseinheit 23, der Ätzmittelaufbringungseinheit 24, der Reinigungseinheit 25, der Ausheizeinheit 26 und der Halbleitersubstrat- Wiedergewinnungseinheit 27 sind ein erster bis fünfter Transportarm 32, 33, 34, 35 bzw. 36 angeordnet. Wie in Fig. 3 gezeigt ist, weisen die Transportarme 32, 33, 34, 35 und 36 Unterdruckspannköpfe 37 bis 41 auf, die über biegsame Schläuche 42 bis 46 jeweils an eine nicht dargestellte Vakuumpumpeneinheit angeschlossen sind. Die Übertragungsarme 32 bis 36 sind an ihren hinteren Enden an entfernten Enden jeweils an das entfernte Ende von Kolbenstangen 47a bis 51a von Pneumatikzylindern 47 bis 51 angeschlossen. Die Pneumatikzylinder 47 bis 51 sind vertikal an einem Arm 52 befestigt, so daß die Übertragungsarme 32 bis 36 voneinander einen gleichen Abstand aufweisen, 30 cm bei der vorliegenden Ausführungsform. Der Arm 52 ist auf dem Gestell der Rein-Einheit 20 horizontal beweglich gehaltert. Der Arm 52 wird in Horizontalrichtung durch einen Horizontalbewegungs- Pneumatikzylinder 54, der auf dem Gestell der Reinigungseinheit angebracht ist, über einen Tragarm 53 des Arms mit einem vorbestimmten Hub bewegt, und zwar 30 cm bei der vorliegenden Ausführungsform.
Der erste Übertragungsarm 32 führt eine Unterdruckauf Spannung eines Halbleitersubstrats 1 durch, welche sich in der Halbleiterzufuhreinheit 22 befindet, und zwar durch den Unterdruckspannkopf 37, und überträgt das Halbleitersubstrat 1 auf die X-Y-Stufe 23a der Ausrichtungseinheit 23. Der zweite Übertragungsarm 33 führt eine Unterdruckaufspannung eines Halbleitersubstrats 1 durch, welches sich auf der X-Y-Stufe 23a befindet, mit Hilfe des Unterdruckspannkopfes 38, und befördert das Halbleitersubstrat 1 auf den Drehtisch 29 (Fig. 4) der Ätzmittelaufbringungseinheit 24. Der dritte Übertragungsarm 34 saugt durch den Unterdruckspannkopf 39 ein Halbleitersubstrat 1 von dem Drehtisch 29 an, und überträgt das Halbleitersubstrat 1 auf die Reinigungseinheit 25. Der vierte Übertragungsarm 35 führt eine Unterdruckaufspannung eines Halbleitersubstrats 1 in der Reinigungseinheit 25 durch den Unterdruckspannkopf 40 aus, und überträgt es zur Ausheizeinheit 26. Der fünfte Übertragungsarm 36 führt eine Unterdruckaufspannung eines Halbleitersubstrats 1 in der Ausheizeinheit 26 durch den Unterdruckspannkopf 41 aus, und befördert es auf ein Tablett 28, welches in der Halbleiter-Wiedergewinnungseinheit 27 angeordnet ist. Um zu verhindern, daß die mit Ätzmittel versehene Oberfläche jedes Halbleitersubstrats 1 während der Übertragung beschädigt wird, sind die Unterdruckspannköpfe 37 bis 41 des dritten bis fünften Übertragungsarmes 32 bis 36 so ausgebildet, daß jede ihrer Berührungskanten nur mit einem zentralen Teil jedes Halbleitersubstrats 1 in Berührung gelangt, und nicht mit dessen Umfangsabschnitt in Berührung gelangt. Genauer gesagt sind zu diesem Zweck die Unterdruckspannköpfe 37 bis 41 des dritten bis fünften Übertragungsarmes 32 bis 36 jeweils so ausgebildet, daß ihr Durchmesser ausreichend kleiner ist als jener des Halbleitersubstrats 1, oder eine Umfangsnut an einem Abschnitt aufweist, entsprechend dem Außenumf ang des Halbleitersubstrats 1.
Die Reineinheit 20 ist mit einer Steuereinheit 55 zur Steuerung jeder ihrer Einheiten versehen, und mit einer in ihr eingebauten Ätzmittelzufuhreinheit 56.
Im Betrieb wird ein Tablett 28, in welchem Halbleitersubstrate 1 aufgenommen sind, in die Halbleitersubstrat-Zufuhreinheit 22 eingesetzt. Nachdem eines der Halbleitersubstrate 1 auf dem Tablett 28 mittels Unterdruck aufgespannt und durch den Unterdruckspannkopf 37 gehaltert wurde, wird der Pneumatikzylinder 47 betätigt, so daß der erste Übertragungsarm 32 bei dieser Ausführungsform mit dem Halbleitersubstrat 1 um 10 cm angehoben wird. Dann wird der Pneumatikzylinder 54 so betätigt, daß der Arm 52 umd 30 cm in einer durch den Pfeil in Fig. 3 gezeigten Richtung bewegt wird, woraufhin der Pneumatikzylinder 47 inaktiviert wird, um das Halbleitersubstrat 1 auf die X-Y-Stufe 23a der Ausrichtungseinheit 23 aufzusetzen. Dann wird der Pneumatikzylinder 54 inaktiviert, um den Arm 52 in die in Fig. 1 gezeigte Ausgangslage zurückzubringen. Der Positionsdetektor 23b stellt Markierungen (nicht gezeigt) des Umfangsabschnitts und des Zentrumsabschnitts des Halbleitersubstrats 1 fest, welches auf die X-Y-Stufe 23a aufgesetzt ist, um ein Erfassungssignal zu erzeugen, auf dessen Grundlage die Steuereinheit 55 den Betrag der Fehlausrichtung des Halbleitersubstrats 1 berechnet. Auf der Grundlage dieses berechneten Betrages der Fehlausrichtung steuert die Steuereinheit 55 die X-Y-Stufe 23a so, daß sie sich in der Richtung x und/oder y bewegt, so daß das Halbleitersubstrat 1 mit hoher Genauigkeit in einer vorbestimmten Position angeordnet wird.
Das auf diese Weise positionierte Halbleitersubstrat 1 wird durch Unterdruck aufgespannt durch den Unterdruckspannkopf 33 des zweiten Übertragungsarms 33, und wird dann mit hoher Genauigkeit auf den Drehtisch 29 der Ätzmittelaufbringungseinheit 24 übertragen, durch Betätigung des Pneumatikzylinders 48 und des Pneumatikzylinders 54 auf dieselbe Weise wie beim ersten Übertragungsarm 32.
Der Drehtisch 29 führt eine Unterdruckaufspannung des auf ihn aufgesetzten Halbleitersubstrats 1 durch, und wird dann durch den Motor in der Richtung des Pfeils A in Fig. 4 gedreht, so daß das Halbleitersubstrat 1 zusammen mit dem Drehtisch 29 in derselben Richtung gedreht wird. Die Aufbringungswalze 30 wird in horizontaler Richtung zusammen mit dem Ätzmittelzufuhrrohr 31 bewegt, so daß die verjüngte Außenumfangsoberfläche 1a des Halbleitersubstrats 1 in einer Umfangsausnehmung 30a der Aufbringungswalze 30 aufgenommen wird. Während dieses Vorgangs wird die Aufbringungswalze 30 durch den anderen Motor in der Richtung B gedreht. Das Ätzmittelzufuhrrohr 31 liefert ein Ätzmittel an die Umfangsausnehmung 30a der Aufbringungswalze 30, so daß das Ätzmittel gleichmäßig auf die verjüngte Kante 1a des Halbleitersubstrats 1 zum Ätzen aufgebracht wird. Dann wird das Halbleitersubstrat 1 mit reinem Wasser zum erstenmal gewaschen.
Das mit dem Ätzmittel versehene Halbleitersubstrat 1 wird von dem Drehtisch 29 auf die Reinigungseinheit 25 durch den dritten Übertragungsarm 34 dadurch übertragen, daß der Pneumatikzylinder 54 und der Pneumatikzylinder 49 auf dieselbe Weise betätigt werden wie bei den Armen 32 und 33. In der Reinigungseinheit 25 wird das Halbleitersubstrat 1 mit Wasser gewaschen und dann getrocknet. Daraufhin wird das Halbleitersubstrat 1 von der Reinigungseinheit 25 auf die heiße Platte 26a der Ausheizeinheit 26 durch den vierten Übertragungsarm 35 übertragen, durch Betätigung des Pneumatikzylinders 54 und des Pneumatikzylinders 50 auf dieselbe Weise wie bei dem Arm 32.
Die heiße Platte 26a trocknet das Halbleitersubstrat 1 bei hoher Temperatur. Der fünfte Übertragungsarm 36 führt eine Unterdruckaufspannung des Halbleitersubstrats 1 durch, welches sich auf der heißen Platte 26a befindet, und überträgt dieses auf ein Tablett 28 in der Halbleitersubstrat-Wiedergewinnungseinheit 27, und zwar durch Betätigung des Pneumatikzylinders 54 und des Pneumatikzylinders 51 auf dieselbe Weise wie beim Arm 32.
Zwar erfolgte eine Beschreibung nur eines Halbleitersubstrats 1, jedoch führen die Arme 32 bis 36 und die Einheiten 22 bis 27 synchron die voranstehend beschriebenen Funktionen bei jeweiligen Halbleitersubstraten durch. Daher werden die voranstehend geschilderten Operationen kontinuierlich ausgeführt.

Claims

1. Halbleitersubstrat-Ätzvorrichtung zum Ätzen einer abgefasten Außenkante eines Halbleitersubstrats, mit:

einer Halbleitersubstratversorgungseinheit (22), die ein Tablett (28) zur Aufnahme eines Ha1bleitersubstrats aufweist;

einer Ausrichtungseinheit (23) zur exakten Ausrichtung, vor dessen Übertragung zu einer Ätzmittelaufbringungseinheit, eines Halbleitersubstrats, welches von der Halbleitersubstratversorgungseinheit hierhin übertragen wurde, wobei die Ausrichtungseinheit aufweist: eine X-Y-Stufe (23a) zum Positionieren eines Halbleitersubstrats, welches auf sie aufgesetzt ist, in einem x-y-Koordinatensystem; und einen Positionsdetektor zur Erfassung der Position in dem x-y-Koordinatensystem des Halbleitersubstrats, welches auf der X-Y-Stufe gehaltert ist, zur Erzeugung eines Positionsdetektorsignals;

einer Ätzmittelaufbringungseinheit (24), welche einen Drehtisch (29) zum Haltern und Drehen eines Halbleitersubstrats aufweist, welches von der Ausrichtungseinheit übertragen wurde, sowie eine Ätzmittelaufbringungseinrichtung (30, 31), die in der Nähe des Drehtisches angeordnet ist, um ein Ätzmittel auf die abgefaste Außenkante des Halbleitersubstrats aufzutragen, wenn dieses auf dem Drehtisch gehaltert ist;

einer Reinigungseinheit (25) zum Reinigen eines Halbleitersubstrats, welches zu ihr von dem Drehtisch übertragen wurde, und zum Trocknen des gereinigten Halbeitersubstrats;

einer Ausheizeinheit (26) mit einer heißen Platte (26a) zum Haltern eines gereinigten und getrockneten Halbleitersubstrats, welches von der Reinigungseinrichtung übertragen wurde, und zum Ausheizen des gereinigten und getrockneten Halbleitersubstrats;

einer Halbleitersubstrat-Wiedergewinnungseinheit (27), welche ein Tablett (28) zur Aufnahme des ausgeheizten Halbleitersubstrats aufweist, welches von der Ausheizeinrichtung übertragen wurde, wobei die Halbleitersubstratversorgungseinheit, die X-Y-Stufe, die Ätzmittelaufbringungseinheit, die Reinigungseinheit, die Ausheizeinheit und die Halbleitersubstrat-Wiedergewinnungseinheit in einer horizontalen Ebene in der angegebenen Reihenfolge angegeben sind;

einer Übertragunseinrichtung (32, 33, 34, 35, 36, 47, 48, 49, 50, 51, 52) zum sequentiellen Übertragen eines Halbleitersubstrats in der beschriebenen Reihenfolge von der Halbleitersubstrat-Versorgungseinheit zur Halbleitersubstrat-Wiedergewinnungseinheit; und

einer Steuereinheit (55) zum Steuern der Übertragungseinrichtung zur Durchführung der Übertragung eines Halbleitersubstrats und zum Steuern der X-Y-Stufe in Reaktion auf das Positionsdetektorsignal zum Positionieren eines Halbleitersubstrats auf der X-Y-Stufe.

2. Halbleitersubstrat-Ätzvorrichtung nach Anspruch 1, bei welcher die Übertragungseinrichtung aufweist:

einen ersten Übertragungsarm (32) zum Übertragen eines Halbleitersubstrats von der Halbleitersubstrat- Versorgungseinheit zur X-Y-Stufe;

einen zweiten Übertragungsarm (33) zum Übertragen eines Halbleitersubstrats von der X-Y-Stufe auf den Drehtisch;

einen dritten Übertragungsarm (34) zum Übertragen eines Halbleitersubstrats von dem Drehtisch zur Reinigungseinheit;

einen vierten Übertragungsarm (35) zum Übertragen eines Halbleitersubstrats von der Reinigungseinheit zur heißen Platte;

einen fünften Übertragungsarm (36) zum Übertragen eines Halbleitersubstrats von der heißen Platte zu der Halbleitersubstrat-Wiedergewinnungseinheit; und

eine Einrichtung (47, 48, 49, 50, 51, 52) zum Bewegen in Vertikalrichtung und zum Bewegen in Horizontalrichtung des ersten bis fünften Übertragungsarms zur Durchführung der sequentiellen Übertragung eines Halbleitersubstrats.

3. Halbleitersubstrat-Ätzvorrichtung nach Anspruch 2, bei welcher die Einrichtung zum vertikalen Bewegen des ersten bis fünften Übertragungsarms eine Anhebungseinrichtung (47, 48, 49, 50, 51) zum Anheben jedes des ersten bis fünften Übertragungsarms aufweist.

4. Halbleitersubstrat-Ätzvorrichtung nach Anspruch 3, bei welcher die Einrichtung zum horizontalen Bewegen des ersten bis fünften Übertragungsarms den ersten bis fünften Übertragungsarm in einer horizontal gleichmäßig beabstandeten Weise haltert.

5. Halbleitersubstrat-Ätzvorrichtung nach Anspruch 4, bei welcher weiterhin eine einzige Rein-Einheit (20) vorgesehen ist, und bei welcher die Halbleitersubstrat-Versorgungseinheit, die X-Y-Stufe, die Ätzmittelaufbringungseinheit, die Reinigungseinheit, die Ausheizeinheit, und die Halbleitersubstrat-Wiedergewinnungseinheit in der Rein-Einheit vorgesehen sind.