KR20060106714A - 기판처리 장치 및 기판처리 방법 - Google Patents
기판처리 장치 및 기판처리 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060106714A KR20060106714A KR1020060027805A KR20060027805A KR20060106714A KR 20060106714 A KR20060106714 A KR 20060106714A KR 1020060027805 A KR1020060027805 A KR 1020060027805A KR 20060027805 A KR20060027805 A KR 20060027805A KR 20060106714 A KR20060106714 A KR 20060106714A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- substrate surface
- drying
- gas
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 239
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 102
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 52
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 12
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 11
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 67
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 36
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000029142 excretion Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 210000005239 tubule Anatomy 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
근접부재(26)의 대향면(28)이 기판표면WS에 대하여 근접 배치되고, 대향면(28)과 기판표면WS와의 사이에 액밀층(36)이 형성된 상태에서 근접부재(26)가 이동 방향(-X)으로 이동하는 동시에, 이동 방향에 있어서의 근접부재(26)의 상류측 (+X)부터 액밀층(36)의 상류측 계면을 향해서 질소 가스가 토출된다. 이렇게 해서 토출된 질소 가스는 노출 계면부(52)에 선택적·집중적으로 내뿜을 수 있어, 이 노출 계면부(52)를 구성하는 린스액이 기판표면WS 및 액밀층(36)으로부터 불어 날려져서 노출 계면부(52)에 대응하는 기판표면영역이 건조된다.
액체로 젖은 기판표면을 건조시킬 때에 기판표면에 워터마크가 발생하는 것을 방지하는 동시에 기판표면에 형성된 미세 패턴에 있어서 패턴도괴가 발생하는 것을 방지하면서, 기판표면을 양호하게 건조시킨다.
기판 처리장치, 가스 토출수단, 린스액공급 수단
Description
도1은 본 발명에 관한 기판처리 장치의 제1실시 형태를 장비한 기판처리 시스템의 평면 레이아웃 도이다.
도2는 본 발명의 제1실시 형태된 건조 처리 장치의 구성을 나타내는 평면도이다.
도3은 도2의 건조 처리 장치의 부분확대도이다.
도4는 도2의 건조 처리 장치의 동작을 모식적으로 나타내는 도이다.
도5는 본 발명의 제2실시 형태인 건조 처리 장치를 나타내는 평면도다.
도6은 도5의 건조 처리 장치의 부분확대도다.
도7은 본 발명의 제3실시 형태인 건조 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도8은 본 발명에 관한 ·기판처리 장치의 다른 실시 형태를 나타내는 평면도이다.
도9는 본 발명에 관한 기판처리 장치의 다른 실시 형태를 나타내는 사시도이다.
도10은 본 발명에 관한 기판처리 장치의 또다른 실시 형태를 나타내는 평면도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
2 …건조 처리 장치(기판처리 장치), 16…제어부(가스 유속제어 수단), 20·모터(구동 수단), 22…건조 헤드, 24…헤드 본체(가스 토출수단), 26…근접부재, 28… (근접부재의) 대향면, 30… (근접부재의) 안내면, 32…상류변부, 36…액밀층, 42…공기굄부(가스 토출수단), 46…세관부 (가스 토출수단), 52…노출 계면부, 58, 60…공급 통로(액체공급 수단), 62 …린스액공급부 (액체공급 수단), 64…노즐(린스액공급 수단), 66…린스액공급부 (린스액공급 수단), 68…반송롤러(구동 수단), W…기판, WS…기판표면, X…이동 방향, θ…예각
본 발명은, 액체로 젖은 기판표면을 건조시키는 기판처리 장치 및 기판처리 방법에 관한 것이다. 또, 건조 처리 대상이 되는 기판에는, 반도체 웨이퍼, 포토마스크용 유리 기판, 액정표시용 유리 기판, 플라즈마 표시용 유리 기판, 광디스크용 기판 등이 포함된다.
본 발명은, 반도체 웨이퍼, 포토 마스크용 유리 기판, 액정표시용 유리 기판, 플라즈마 표시용 유리 기판, 광디스크용 기판등을 포함하는 기판전반의 표면에 대하여 건조 처리를 실시하는 기판처리 장치에 적용 할 수가 있다.
반도체장치나 액정표시장치등의 제조 공정에서는 처리액에 의한 세정 처리 및 순수 등의 린스액에 의한 린스 처리가 행하여진 후, 기판상면에 액막모양으로 부착되는 린스액을 제거하기 위해, 소위 스핀 건조 처리가 행하여지는 일이 있다. 이 스핀 건조 처리로서는, 예컨대 특허문헌1이나 특허문헌2에 기재된 처리가 알려져 있다.
이 건조 처리를 실행하는 기판처리 장치는, 기판을 수평자세에서 상면에 재치하여 유지하는 척을 갖고 있다. 이 척은, 연직축 주위에 회전 자유자재로 지지되고, 회전 구동 기구에 의해서 회전 구동되도록 되어 있다. 또한, 척의 상방쪽에는, 위쪽 블로 노즐이 배설되어 있다. 이 상방쪽 블로 노즐의 선단 취출구는, 척에 유지된 기판의 상면중심부에 근접해서 대향하고 있으며, 기판의 상면중심부를 향해서 바로 위로부터 건조용 공기를 내뿜는 것을 할 수 있도록 되어 있다. 보다 구체적으로는, 그 표면이 린스액등의 액체로 젖은 기판의 표면중앙부를 향해서 위쪽 블로 노즐의 선단 취출구(吹出口)로부터 건조용 공기가 내뿜어진다. 이것에 의해, 기판의 표면중심부에 원형모양의 액 떨어짐부(둥근구멍)가 형성되고, 그 부분이 건조된다. 또한, 그것에 계속해서, 회전 구동 기구에 의해 척이 시동하고, 소정 회전수까지 기판이 가속 회전되어서 저속 회전중에 기판상의 액체의 대부분이 제거된 후, 더욱 회전수가 올라가서 고속회전해서 나머지의 액체를 뿌리쳐서 기판건조가 행하여지고 있다.
<특허문헌1>특허 제2922754호공보(도4)
<특허문헌2>특개2003-31545호공보(도3, 도6)
그러나, 기판의 표면 상태에 따라서는 스핀 건조 처리로는 물방울이 잔존해서 워터마크 발생을 야기시켜 버리는 경우가 있었다. 예컨대, 기판표면에 패턴이 형성된 기판, 친수(親水)영역과 소수(疏水)영역이 기판표면에 혼재하는 기판, 혹은 기판표면에 단차부가 생기고 있는 기판 등에서는 물방울이 잔존하기 쉽고, 워터마크 발생으로 인한 폐단이 발생하여, 제품품질이 저하하고, 수율의 저하를 초래한다는 문제가 있었다.
또한, 기판표면에 형성되는 패턴의 미세화가 근래 급속히 진행되고 있으나, 이 미세화에 따라 기판처리에 있어서 새로운 문제가 생기게 되었다. 즉, 건조처리를 하고 있는 동안에, 건조 처리의 진전에 따라 액체와 기체의 계면이 기판위로 나타나지만, 미세 패턴의 틈에 이 계면이 나타나면, 미세 패턴끼리가 액체의 표면장력에 의해 서로 끌어당겨져서 도괴하는 문제가 있었다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 액체로 젖은 기판표면을 건조시킬 때에 기판표면에 워터마크가 발생하는 것을 방지하는 동시에 기판표면에 형성된 미세 패턴에 있어서 패턴 도괴가 발생하는 것을 방지하면서, 기판표면을 양호하게 건조시킬 수 있는 기판처리 장치 및 기판처리 방법을 제공하는 것을 목적이라고 한다.
본 발명은, 액체로 젖은 기판표면을 건조시키는 기판처리 장치이며, 상기 목적을 달성하기 위하여, 기판표면에 대향하는 대향면을 가지며, 해당 대향면이 기판표면으로부터 이간 배치되는 동시에 해당 대향면과 기판표면과의 사이에 액체가 채워져서 액밀층(液密層)이 형성된 상태에서, 기판에 대하여 소정의 이동 방향으로 상대 이동이 자유자재인 근접부재와, 근접부재를 기판에 대하여 이동 방향으로 상대 이동시키는 구동수단과, 기판표면을 건조시키기 위한 건조용 가스를 토출하는 가스 토출수단을 갖추고, 근접부재는, 대향면을 규정하는 변부(邊部) 중 이동 방향의 상류측에 위치하는 상류 변부와 접속되는 동시에 해당 접속 위치로부터 이동 방향의 상류측을 향하면서 기판표면으로부터 떨어지는 방향으로 연설된 안내면을 더 가지며, 가스 토출수단은, 이동 방향에 있어서, 근접부재의 상류측에 배치되는 동시에 액밀층의 상류측 계면으로 향해서 건조용 가스를 토출하는 것을 특징으로 하고 있다.
이와 같이 구성된 발명에서는, 근접부재의 대향면이 기판표면으로부터 이간 배치되는 동시에 해당 대향면과 기판표면과의 사이에 액체가 채워져서 액밀층이 형성되어 있다.그리고, 이 상태를 유지하면서 근접부재가 기판에 대하여 소정의 이동 방향으로 상대 이동한다. 이것에 의해, 이동 방향에 있어서의 액밀층의 상류측에서 액밀층을 구성하고 있었던 액체의 일부가 근접부재로부터 벗어나서 노출된다. 또한, 이동 방향에 있어서의 근접부재의 상류측에 가스 토출수단이 배치되는 동시에, 이 가스 토출수단으로부터 건조용 가스가 액밀층의 상류측 계면을 향해서 토출된다. 이 때문에, 근접부재의 상대이동에 따라 노출한 계면(界面)부분 (이하 「노출 계면부 」라고 한다)에 대하여, 가스 토출수단으로부터 토출된 건조용 가스가 내뿜어지고, 이 노출 계면부를 구성하는 액체가 기판표면 및 액밀층으로부터 불어 날려져서 노출 계면부에 대응하는 기판표면 영역이 건조된다. 따라서, 액적을 발생시키는 일 없이 기판표면 영역을 건조시킬 수 있고, 해당 기판표면 영역에서의 워터마 크의 발생을 확실하게 방지할 수가 있다. 또한, 이렇게 해서 건조되는 기판표면 영역은 근접부재의 상대 이동에 따라 넓어져 가고, 근접부재를 기판전면에 대하여 상대적으로 스캔시킴으로써 워터마크의 발생을 방지하면서 기판표면 전체를 건조시킬 수 있다.
또한, 상기한 바와 같이 건조용 가스에 의한 건조 가능 영역이 상기한 노출 계면부에 한정되게 되고, 해당 노출 계면부에 대응하는 기판표면 영역이 바로 건조된다. 따라서, 기판표면 영역에 패턴이 형성되어 있었다고 하더라도, 지극히 단시간에서 패턴 내에 존재하는 액체도 건조용 가스에 의해 건조 제거되기 때문에, 패턴 도괴를 효과적으로 방지할 수가 있다.
더구나, 가스 토출수단으로부터 토출된 건조용 가스는 안내면에 따라 기판표면으로부터 떨어져 가고, 안내면에 따른 가스 흐름을 형성한다. 따라서, 그 가스 흐름에 의해 기판표면 영역으로부터 불어 날려진 액체가 기판표면으로부터 떨어져가기 때문에, 불어 날려진 액체가 다시 기판표면에 되돌아가는 것이 효과적으로 방지된다.
액밀층을 형성하는 구체적인 수단으로서는, 예컨대 근접부재의 대향면을 기판표면에 근접 배치해서 모세관 현상에 의해 기판표면과 대향면에 끼워져 있었던 공간전체에 액체를 보내넣어서 액밀층을 형성하도록 해도 좋다. 또한, 기판표면과 대향면에 끼워진 공간에 연통해서 해당 공간에 액체를 공급해서 충만시켜서 액밀층을 형성하는 액체 공급수단을 더 설치해도 좋다. 어느 경우도 액밀층을 안정되게 형성할 수가 있기 때문에, 기판표면을 양호하게 건조시킬 수 있다.
또한, 기판에 대한 근접부재의 상대 이동 중에, 근접부재와 건조용 가스의 토출위치와의 간격이 미리 정해진 이간 거리로 유지되도록 구성함으로써 노출 계면부에 내뿜어지는 건조용 가스의 물리특성(유속이나 유량 등)이 안정되고, 그 결과, 건조처리를 안정되고 양호하게 행할 수 있다. 이와 같이 이간거리를 일정하게 하기 위하여, 예컨대 구동수단이 근접부재와 가스 토출수단을 이간거리만큼 이간한 채로 일체적으로 이동시키도록 구성할 수가 있다. 이와 같이 구성한 경우에는, 상기한 바와 같이 처리의 안정화를 꾀할 수 있을뿐만 아니라, 단일의 구동수단에 의해 근접부재와 가스 토출수단을 구동하는 것으로 되기 때문에, 구동 구성을 간소화 할 수가 있다. 이와 같은 구성으로서, 예컨대 가스 토출수단은, 가스 공급부에 연통하는 공기굄부와, 이 공기굄부로부터 표면까지 연설되는 세관부가 내부에 설치된 헤드 본체를 구비하고, 근접부재는, 헤드 본체의 하면측에 있고 이동 방향에 있어서 세관부로부터 하류측으로 설치되고, 구동 수단은, 근접부재가 설치된 헤드 본체를 이동시키는 구성을 채용할 수가 있다.
또한, 가스 토출수단을 고정 배치하는 한편, 근접부재를 구동 수단에 의해 구동시켜서 이동 방향으로 이동시키는 장치에 있어서는, 가스 토출수단으로부터 토출되는 건조용 가스의 유속을, 근접부재와 건조용 가스의 토출위치의 간격에 따라 조정하는 가스 유속제어 수단을 더 구비하는 것이 바람직하다. 이와 같이 구성된 장치에서는, 가스 유속제어 수단이 상기 간격에 따라 가스 토출수단으로부터 토출되는 건조용 가스의 유속을 조정하기 때문에, 상기 간격의 대소에 관계없이, 노출 계면부에 내뿜어지는 건조용 가스의 유속이 안정되고, 그 결과, 건조 처리를 안정 되고 양호하게 행할 수 있다. 보다 구체적으로는, 상기 간격이 좁은 사이는 비교적 저유속으로 가스를 토출시키는 한편, 상기 간격이 넓어지는 데 따라서 유속을 높이도록 조정하는 것이 바람직하다.
또, 근접부재의 상류측 단부의 형상에 대해서는, 대향면과 안내면이 예각을 이루도록 구성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 구성함으로써 가스 토출수단으로부터 토출되어서 노출 계면부에 내뿜어진 건조용 가스를 확실하게 안내면에 이끌어서 기판표면으로부터 떨어지는 가스흐름을 형성 할 수가 있다. 더구나, 건조용 가스에 의해 불어 날려진 노출 계면부의 액체를 확실하게 안내면 및 가스흐름에 따라 기판표면으로부터 이간시킬 수가 있다. 그 결과, 불어 날려진 액체가 다시 기판표면에 되돌아가는 것을 방지하는데 있어 적합하다.
또한, 근접부재에 대하여 이동 방향의 하류측에서 기판표면에 린스액을 공급하여 린스 처리를 실시하는 린스액 공급수단을 더 설치해도 좋다. 이것에 의해 건조 처리 전에 린스 처리를 실행할 수가 있고, 기판표면을 청정하게 유지할 수 있다.
더욱이, 근접부재의 대향면에 대해서는, 친수성(親水性) 재료로 형성하는 것이 바람직하고, 이와 같이 구성함으로써 액밀층(液密層)을 양호하게 형성할 수가 있다. 또한, 근접부재의 안내면에 관해서도, 친수성 재료로 형성하는 것이 바람직하고, 기판표면 및 액밀층으로부터 불어 날려버린 액체를 효율적으로 배출할 수가 있다. 여기에서, 이와 같은 구성을 채용하기 위해서는, 예컨대 근접부재 전체를 석영으로 형성해도 좋다.
또한, 본 발명은, 액체로 젖은 기판표면을 건조시키는 기판처리 방법이며, 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판표면에 대향하는 대향면과, 해당 대향면을 규정하는 변부(邊部) 중 소정의 이동 방향의 상류측에 위치하는 상류변부와 접속되는 동시에 해당 접속 위치로부터 이동 방향의 상류측을 향하면서 기판표면으로부터 떨어지는 방향으로 연설된 안내면을 갖는 근접부재를, 대향면이 기판표면으로부터 이간되도록 배치하는 공정과, 대향면과 기판표면과의 사이에 액체를 채워서 액밀층을 형성하는 공정과, 액밀층이 형성된 상태를 유지하면서 근접부재를 기판에 대하여 이동 방향으로 상대 이동시키는 공정과, 기판표면을 건조시키기 위한 건조용 가스를 이동 방향에 있어서 근접부재의 상류측으로부터 액밀층의 상류측 계면을 향해서 토출하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하고 있다.
이와 같이 구성된 발명에서는, 근접부재의 대향면이 기판표면으로부터 이간(離間)배치되는 동시에 해당 대향면과 기판표면과의 사이에 액체가 채워져서 액밀층이 형성된다. 그리고, 이 상태를 유지하면서 근접부재가 기판에 대하여 소정의 이동 방향으로 상대 이동한다. 이것에 의해, 이동 방향에 있어서의 액밀층의 상류측에서 액밀층을 구성하고 있었던 액체의 일부가 근접부재로부터 벗어나서 노출된다. 또한, 이동 방향에 있어서의 근접부재의 상류측으로부터 건조용 가스가 액밀층의 상류측 계면을 향해서 토출된다.이 때문에, 근접부재의 상대 이동에 따라 노출된 계면부분, 즉 노출 계면부에 대하여, 건조용 가스가 내뿜어지고, 이 노출 계면부를 구성하는 액체가 기판표면 및 액밀층으로부터 불어 날려져서 노출 계면부에 대응하는 기판표면영역이 건조된다.
따라서, 액적(液滴)을 발생시키는 일 없이 기판표면영역을 건조시킬 수 있고, 해당 기판표면 영역에서의 워터마크의 발생을 확실에 방지 할 수가 있다. 또한, 이렇게 해서 건조되는 기판표면 영역은 근접부재의 상대 이동에 따라 넓어져 가고, 근접부재를 기판전면에 대하여 상대적으로 스캔시킴으로써 워터마크의 발생을 방지하면서 기판표면 전체를 건조시킬 수가 있다.
<제1실시 형태>
도1은, 본 발명에 관한 기판처리 장치의 제1실시 형태를 장비한 기판처리 시스템의 평면 레이아웃도이다. 이 기판처리 시스템에서는, 기판의 표면에 대하여 약액(藥液)처리 및 린스 처리를 실시하는 습식처리 장치(1)와, 그 표면이 린스액등의 액체로 젖은 기판을 건조하는 장치이며 본원발명의 기판처리 장치에 상당하는 건조 처리 장치(2)가 일정 거리만 이간해서 배치되는 동시에, 그것들의 사이에 기판반송 장치(3)가 배치되어 있다. 이것들의 장치 중, 습식처리 장치(1)는 기판의 표면에 약액을 공급해서 기판표면을 세정한 후, 해당 기판표면에 대하여 순수(純水)와 DIW(=deionized water)등의 린스액을 공급해서 린스 처리를 실시하는 장치다. 그리고, 습식처리 장치(1)에서 최종적으로 린스 처리를 받은 기판이 기판반송 장치(3)에 의해 건조 처리 장치(2)에 반송되어서 건조 처리가 행하여진다. 이와 같이, 본실시 형태에서는, 습식처리와 건조 처리는 서로 분리되고 있으며, 습식처리 장치(1)로부터는 린스액으로 표면이 젖은 기판이 기판반송 장치(3)에 의해 반출되고, 린스액으로 젖은 채로의 상태에서 건조 처리 장치(2)에 반송된다. 또, 습식처리 장치(1) 및 기판반송 장치(3)는 종래부터 많이 사용되고 있는 장치를 이용하고 있기 때문에, 여기에서는 구성 및 동작의 설명은 생략한다. 한편, 건조 처리 장치(2)는 본 발명에 관한 기판처리 장치의 제1실시 형태에 상당하는 것이며, 이하와 같은 특징을 갖고 있기 때문에, 도면을 참조하면서 상술한다.
도2는 본 발명의 기판처리 장치의 제1실시 형태인 건조 처리 장치의 구성을 나타내는 평면도이다. 또한, 도3은 도2의 건조 처리 장치의 부분확대도이다. 이 건조 처리 장치(2)에서는, 장치본체(10)내에 기판유지 스테이지(도시 생략)가 설치되어 있으며, 기판표면 WS를 윗쪽을 향하게 한 상태에서 대략 수평자세에서 기판W를 유지 가능하게 되어 있다. 또한, 장치본체(10)내에는, 기판유지 스테이지에 유지된 기판W를 끼워 넣도록 볼 나사(12) 및 가이드(14)가 서로 평행 배치되어 있다. 이것들 중 볼 나사(12)는, 도2에 나타낸 바와 같이, 수평방향X에 연설되어 있다. 그리고, 장치전체를 제어하는 제어부(16)로부터의 동작 지령에 따라서 모터 구동부(18)가 모터(20)를 구동하면, 그 모터 구동에 따라 볼 나사(12)가 회전한다. 이것에 의해, 그의 한쪽 단부가 볼 나사(12)에 나사 맞춤된 건조 헤드(22)를 수평방향X에 왕복 이동 가능하게 하고 있다. 이와 같이 모터 구동부(18) 및 모터(20)가 본 발명의 「구동 수단」으로서 기능하고 있다. 또, 가이드(14)는 장치본체(10)에 고정되고 있으며, 그 중앙부에 건조 헤드(22)의 다른 측단부가 끼워 맞추어져 있으며, 건조 헤드(22)가 수평방향X에 안정되게 이동 가능하게 되도록 건조 헤드(22)를 가이드 지지하고 있다. 또한, 이 실시 형태에서는, 수평방향X 중 동일도면의 왼쪽 방향(-X)으로 건조 헤드(22)를 이동시키는 것으로 후술하는 건조 처리를 실행하고 있으며, 이 수평방향(-X)이 본 발명의 「소정의 이동 방향」에 상당하고 있기 때문 에, 이하의 설명에 있어서는, 수평방향(-X)을 단지 「이동 방향」이라고 칭한다.
이 건조 헤드(22)은, 도3에 나타낸 바와 같이, 헤드 본체(24)와, 이동 방향측에서 헤드 본체(24)의 하면측에 설치된 석영제의 근접부재(26)를 갖추고 있다. 이 근접부재(26)는 수직단면형상이 대략 직각삼각형으로 되어 있는 삼각주체로 되어, 그 1측면(28)이 린스액으로 젖은 기판표면WS와 대향하는 대향면으로 되어 있다. 또한, 다른 측면(30)이 이동 방향의 상류측 (+X)이며, 또한, 윗쪽을 향한 면이 되어 있다. 보다 상세하게 설명하면, 측면(30)은 대향면(28)을 규정하는 변부 중 이동 방향의 상류측 (+X)에 위치하는 상류변부(32)와 접속되는 동시에 해당 접속 위치로부터 이동 방향의 상류측 (+X)을 향하면서 기판표면WS로부터 떨어지는 방향으로 연설되고 있으며, 본 발명의 「안내면에 상당하고 있다. 근접부재(26)의 이동 방향으로 직교 하는 방향으로 직교하는, 방향이 길이 L1는, 이 실시 형태에서는 예컨대 기판W의 지름과 같은 길이이다. 또, 상기 길이L1은, 기판W의 지름보다 다소 길어도 좋다.
또한, 근접부재(26)의 상류측 단부에서는, 대향면(28)과 안내면(30)이 예각θ를 이루고 있다. 이 각도θ는, 후술하는 바와 같이, 질소 가스에 의해 불어 날려진 린스액이 안내면(30)에 따라 상승하면서 흐르는 동시에, 근접부재(26)의 이동 방향의 길이L2가 구조상 강도를 얻을 수 있는 길이(이 실시 형태에서는 예컨대 50mm)로 형성할 수가 있는 값으로 설정되는 것이며, 이 실시 형태에서는 예컨대, 5∼30도이며, 바람직하게는 15도이다.
그리고, 이렇게 구성된 근접부재(26)의 대향면(28)이 기판표면WS로부터 약간 이간하도록 근접부재(26)를 배치함으로써 기판표면WS에 패들 상태에서 부착되고 있는 린스층(34)을 구성하는 린스액의 일부가 모세관현상에 의해 대향면(28)과 기판표면WS에서 끼워진 공간전체로 들어가서 액밀층(36)이 형성된다. 이 실시 형태에서는, 이렇게 하여 액밀층(36)이 형성되도록 건조 헤드(22)가 배치되어 있다.
건조 헤드(22)의 상면에는, 이동 방향의 상류측에 1개 또는 복수개(도2의 실시 형태에서는 5개)의 가스 공급용 포트(38)가 설치되는 동시에, 하류측에 1개 또는 복수개(도2의 실시 형태에서는 4개)의 배기·배액용 포트(40)가 설치되어 있다. 이것들의 가스 공급용 포트(38)는 헤드 본체(24)의 내부에 설치된 공기굄부(42)에 연통되어 있고, 제어부(16)로부터의 동작 지령 에 따라 가스 공급부(44)가 작동함으로써 가스 공급부(44)로부터 건조용 가스로서 질소 가스가 공기굄부(42)에 공급된다. 더욱이, 공기굄부(42)로부터 비스듬히 아랫방향으로 연설된 세관부(46)를 통해서 질소 가스가 근접부재(26)의 상류측 단부를 향해서 토출된다. 세관부(46)의 질소 가스를 근접부재(26)의 상류측 단부에 토출 하는 토출개구(460)은, 슬릿 모양으로 개구하고 있다. 이 토출개구(460)의 근접부재(26)의 이동 방향으로 직교하는 방향의 길이는, 이 실시 형태에서는, 근접부재(26)의 같은 방향의 길이L1과 동등하고, 기판W의 지름과 같은 길이다. 이 때문에, 상기와 같이 근접부재(26)와 기판표면WS와의 사이에 형성된 액밀층(36)의 상류측 계면을 향해서 질소 가스가 토출 되어서 후술하는 바와 같이 액밀층(36)의 상류측 계면이 불어 날려서 건조 처리가 실행된다. 이와 같이, 이 실시 형태에서는, 공기굄부(42) 및 세관부(46)가 설치된 헤드 본체(24)가 본 발명의 「가스 토출수단」으로서의 기능을 갖고 있다.
또한, 이 실시 형태에서는, 이렇게 해서 불어 날려지는 린스액 및 질소 가스를 건조 헤드(22)로부터 배출하기 위해서, 도3(a)에 나타낸 바와 같이, 근접부재(26)의 안내면(30)에 대응해서 헤드 본체(24)에 배출 구멍(48)이 설치되어 있다. 배출 구멍(48)의 하방측에서, 기판표면WS를 향해서 개구(480)가 슬릿 모양으로 열려 있다. 이 개구(480)의, 근접부재(26)의 이동 방향으로 직교하는 방향의 길이는, 근접부재(26)의 같은 방향의 길이L1과 동등하고, 기판W의 지름과 같은 길이이다. 이 배출 구멍(48)의 상방측(동일도면의 위쪽)이 곧장 윗쪽으로 신장해서 배기·배액용 포트(40)에 연통되는 한편, 하방측(동일도면의 아래쪽)이 이동 방향의 상류측(+X)으로 꺾여져 있으며, 그의 단면형상이 대략 부츠 모양, 즉 꺽여진 각도가 둔각의 L자모양으로 되어 있다. 이 때문에, 세관부(46)로부터 토출된 질소 가스는 액밀층(36)의 상류측 계면을 경유해서 안내면(30)에 따른 가스 흐름을 형성하고, 더욱이 배출 구멍(48) 및 배기·배액용 포트(40)를 통해서 배기·배액부(50)에 회수된다. 또, 세관부(46)로부터의 질소 가스에 의해 불어 날려진 린스액도 안내면(30)에 따라 기판표면WS 및 액밀층(36)으로부터 떨어지고, 또한, 가스흐름에 의해 배출 구멍(48) 및 배기·배액용 포트(40)를 통해서 배기·배액부(50)에 회수된다.
다음에, 상기한 바와 같이 구성된 건조 처리 장치(2)에 있어서의 건조 동작에 대해서 설명한다. 습식처리 장치(1)에 의해 최종적으로 린스 처리를 받은 기판W의 표면에는 린스액이 부착되고 있어, 소위 패들 모양의 린스층(34)이 형성되어 있다.그리고, 기판반송 장치(3)는 린스액으로 젖은 상태인채로 기판W를 건조 처리 장치(2)의 기판유지 스테이지 위로 반송한다.그리고, 기판W가 기판유지 스테이지에 유지된 후, 제어부(16)가 장치각부를 제어해서 건조 처리를 실행한다.즉, 모터 구동부(18)에 의해 모터(20)를 구동함으로써 건조 헤드(22)를 이동 방향(1X)으로 이동시키는 동시에, 가스 공급부(44)를 작동시켜서 건조용 가스로서 질소 가스를 세관부(46)의 첨단으로부터 토출 시킨다.
이와 같이 대향면(28)과 기판표면WS와의 사이에 린스액(액체)이 채워져서 액밀층(36)이 형성되어 있으며, 예컨대 도4(a)에 나타내는 상태로부터 동일도면(b)에 나타내는 상태로 근접부재(26)가 이동 방향(1X)으로 이동하면, 이동 방향에 있어서의 액밀층(36)의 상류측 계면부가 근접부재(26)로부터 벗어나서 노출한다. 이 노출한 계면부, 즉 노출 계면부(52)에 대하여 세관부(46)로부터 토출 된 질소 가스(건조용 가스)가 내뿜어지고, 이 노출 계면부(52)를 구성하는 린스액이 기판표면WS 및 액밀층(36)으로부터 불어 날려져서 노출 계면부(52)에 대응하는 기판표면 영역이 건조된다. 또, 이렇게 해서 건조되는 기판표면 영역은 근접부재(26)의 이동에 따라 넓어져 가고, 근접부재(26)를 기판전면에 대하여 스캔 시킴으로써 기판표면WS전체를 건조시킬 수가 있다.
이상과 같이, 이 실시 형태에 의하면, 근접부재(26)을 기판표면WS에 대하여 근접시켜서 액밀층(36)을 형성한 상태에서 근접부재(26)를 이동 방향(1X)으로 이동시키는 동시에, 이동 방향에 있어서의 근접부재(26)의 상류측(+X)으로부터 액밀층(36)의 상류측 계면을 향해서 질소 가스(건조용 가스)을 토출하고 있다. 이 때문에, 질소 가스가 노출 계면부(52)에 선택적·집중적으로 내뿜을 수가 있게 되고, 해당 노출 계면부(52)에 대향하는 기판표면 영역을 건조시킬 수가 있다. 그 결과, 액적을 발생시키는 일없이 기판표면 영역을 건조시킬 수 있어, 해당 기판표면 영역에서의 워터마크의 발생을 확실하게 방지할 수가 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 헤드 본체(24)에 대하여 근접부재(26)가 설치되어 있기 때문에, 질소 가스의 토출위치(세관부(46)의 선단부)와 액밀층(36)의 상류측 계면과의 이간거리는 고정된다. 따라서, 모터(20)의 구동에 의해 근접부재(26)와 헤드 본체(24)가 이간거리만큼 이간한 채 일체적으로 이동하는 것이 되고, 노출 계면부(52)에 내뿜을 수 있는 질소 가스의 물리특성(유속이나 유량등)이 안정되고, 그 결과, 건조 처리를 안정되고 양호하게 할 수 있다. 물론, 근접부재(26)와 헤드 본체(24)를 개별로 이동시키도록 구성해도 좋지만, 그 경우에는 2개의 구동 기구가 필요하게 된다. 이것에 대하여, 본실시 형태에 의하면, 단일의 모터(20)에 의해 근접부재(26)와 헤드 본체(24)가 구동되기 때문에, 구동 구성을 간소화 할 수가 있다.
또한, 도4에 나타낸 바와 같이 기판표면영역에 미세 패턴(54)이 형성되어 있었다고 하더라도, 지극히 단시간에서 패턴(54)내에 들어가 있는 린스액을 질소 가스(건조용 가스)에 의해서 건조 제거 할 수가 있고, 패턴 도괴를 효과적으로 방지 할 수가 있다.라고 하는 것도, 본실시 형태에서는, 상기한 바와 같이 질소 가스에 의한 건조 가능영역이 상기한 노출 계면부(52)로 한정되므로서, 해당 노출 계면부(52)에 대응하는 기판표면영역이 즉시 건조되기 때문이다.
또한, 세관부(46)로부터의 질소 가스는 동도의 1점쇄선으로 도시한 바와 같이 안내면(30)에 따라 기판표면WS로부터 떨어져가고, 안내면(30)에 따른 가스 흐름 을 형성한다. 그리고, 질소 가스에 의해 기판표면WS로부터 불어 날려진 린스액은 가스흐름에 의해 기판표면WS로부터 떨어져가고, 배출 구멍(48) 및 배기·배액용 포트(40)을 통해서 배기·배액부(50)에 확실하게 회수된다. 이 때문에, 질소 가스에 의해 불어 날려진 린스액이 다시 기판표면WS에 되돌아가는 것을 효과적으로 방지 할 수가 있다. 더구나, 이 실시 형태에서는 근접부재(26)전체를 석영으로 형성하고 있기 때문에, 안내면(30)은 린스액에 대하여 친수성을 갖고 있기 때문에, 질소 가스에 의해 불어 날려진 린스액은 안내면(30)에 따라 배기·배액용 포트(40)쪽으로 이동하게 되고, 린스액의 배액을 확실하게 행할 수 있다. 또한, 근접부재(26)의 상류측 단부는 대향면(28)과 안내면(30)이 예각θ을 이루도록 구성되어 있기 때문에, 린스액 및 질소 가스의 배출을 확실하게 하는 점에서 유리하다. 즉, 대향면(28)에 대하여 안내면(30)이 예각θ로 되어 있기 때문에, 노출 계면부(52)에 내뿜어진 질소 가스 및 해당 질소 가스에 의해 불어 날려진 린스액이 효율적으로 안내면(30)을 통해서 배기·배액용 포트(40)쪽으로 이끌어져서, 배기·배액부(50)에 확실하게 회수된다.
<제2실시 형태>
도5는 본 발명에 관한 기판처리 장치의 제2실시 형태인 건조 처리 장치를 나타내는 평면도이다. 또한, 도6은 도5의 건조 처리 장치의 부분확대도이다. 이 제2실시 형태에 관한 건조 처리 장치(2)가 제1실시 형태와 크게 상위하는 점은, 근접부재(26)의 대향면(28)과 기판표면WS와의 사이에 린스액을 공급해서 액밀층(36)을 형성하기 위한 구성(본 발명의 「액체공급 수단」에 상당)이 추가되어 있는 점이 다. 또, 그 밖의 구성 및 동작은 제1실시 형태와 같기 때문에, 여기에서는 동일부호를 붙여서 설명을 생략한다.
이 실시 형태에서는, 건조 헤드(22)의 상면에, 이동 방향의 최하류측에 1개 또는 복수 개(도5의 실시 형태에서는 5개)의 린스액 공급용 포트(56)가 더 설치되어 있다.
이것들의 린스액공급용 포트(56)은 헤드 본체(24)의 내부에 설치된 공급 통로(58)에 연통되어 있다. 또한, 이 공급 통로(58)는 근접부재(26)의 내부에 마련되어진 공급 통로(60)에 접속되어 있다. 그리고, 제어부(16)로부터의 동작 지령 에 따라 린스액공급부(62)가 작동함으로써 린스액공급부(62)로부터 추가의 린스액이 린스액공급용 포트(56), 공급 통로(58, 60)를 통해서 근접부재(26)와 기판표면WS에 끼워진 공간에 공급된다.
따라서, 필요에 의해서 린스액공급부(62)로부터 린스액을 공급함으로써, 근접부재(26)와 기판표면WS에 끼워진 공간에 린스액이 보충되어서 액밀층(36)을 확실하게, 더군다나 안정되게 형성할 수가 있다. 특히, 모세관현상만으로는 액밀층(36)의 형성이 어려운 경우등에 있어서, 대단히 유효하다.
<제3실시 형태>
도7은 본 발명에 관한 기판처리 장치의 제3실시 형태인 건조 처리 장치를 나타내는 평면도이다. 이 제3실시 형태에서는, 이동 방향에 있어서 건조 헤드(22)의 초기위치(동일도면의 우단위치)의 하류측 (-X)보다 구체적으로는 기판중앙의 윗쪽위치에 린스액공급용의 노즐(64)이 1개 또는 복수개(도7의 실시 형태에서는 5개)가 설치되어 있으며, 린스액공급부(66)로부터 린스액을 공급가능하게 구성되어 있다. 그리고, 제어부(16)로부터의 동작지령에 따라 린스액공급부(66)가 작동하면, 각 노즐(64)로부터 린스액이 기판표면WS를 향해서 토출되어서 장치(2)에 있어서 기판W에 대하는 린스 처리가 실행된다. 따라서, 동일장치(2) 내에서 린스 처리를 실행한 후, 상기 제1실시 형태 와 동일하게 해서 건조 처리를 실행하는 것이 가능해지고 있어, 린스 처리 완료로부터 건조 처리까지의 시간을 단축해서 기판표면WS의 청정도(淸淨度)를 높일 수 있다. 이와 같이, 제3실시 형태에서는, 노즐(64) 및 린스액공급부(66)에 의해 본 발명의 「린스액공급 수단」이 구성되어 있으나, 노즐의 개수나 배설위치등에 관해서는 본실시 형태에 한정되나 것은 아니다.
<기타>
또, 본 발명은 상기한 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 상술한 것 이외로 여러가지의 변경을 하는 것이 가능하다. 예컨대 상기 실시형태에서는, 근접부재(26)는 건조 헤드(22)의 이동 방향X에 대하여 거의 직교하는 방향(예컨대 도2의 상하 방향)에 기판W와 동일 혹은 그것보다도 길게 신장하는 봉상(棒狀)형상을 갖고 있지만, 근접부재(26)의 외형형상은 이것에 한정되는 것은 아니고, 예컨대 도8 도시한 바와 같이 기판W에 대응한 반원환형상을 갖는 것을 이용해도 좋다. 또한, 상기실시 형태에서는, 기판W를 고정 배치한 상태에서 근접부재(26)을 이동시켜서 건조 처리를 실행하고 있지만, 기판측도 동시에 이동시키도록만 구성해도 좋다. 또한, 근접부재(26)를 고정 배치하는 한편, 기판W만을 이동시켜도 좋다. 요컨대, 기판표면WS로부터 이간 배치된 대향면(28)과 기판 표면WS와의 사이에 린스액을 채워서 액밀층(36)을 형성한 상태에서, 기판W에 대하여 근접부재(26)을 이동 방향으로 상대 이동시키도록 구성하면 좋다.
또한, 근접부재(26)의 형상에 관해서는 상기 실시 형태와 같이 대향면(28)에 대하여 안내면(30)이 예각θ가 되도록 구성되어 있지만, 근접부재(26)의 형상은 이것에 한정되나 것은 아니고, 대향면(28)을 규정하는 상류변(32)(도3)과의 접속 위치로부터 이동 방향의 상류쪽(+X)을 향하면서 기판표면WS로부터 떨어지는 방향으로 연설된 안내면을 설치함으로써 질소 가스 및 해당 질소 가스에 의해 불어 날려진 린스액을 배기·배액용 포트(40)측에 배출할 수가 있다.
또한, 상기실시 형태에서는, 근접부재(26)을 석영제로 하고 있지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다.여기에서, 액밀층(36)을 양호하게 형성하기 위해서는, 근접부재(26)의 대향면(28)을 친수성 재료로 형성하는 것이 바람직하다.· 또, 근접부재(26)의 안내면(30) 에 관해서도, 기판표면WS 및 액밀층(36)으로부터 불여 날려버린 액체를 효율적으로 배출하기 위해서는, 친수성 재료로 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기실시 형태에서는, 근접부재(26)와 질소 가스의 토출위치(세관부(46)의 선단부)와의 이간 거리는 고정되어 있지만, 기판W에 대한 근접부재(26)의 상대 이동에 따라 상기 이간 거리가 변화되는 장치에 대하여도 본 발명을 적용 할 수가 있다. 단지, 세관부(46)의 선단부에서 토출되는 질소 가스의 유속을 고정하고 있는 것에 이간 거리의 변화에 따라 노출 계면부(52)에 내뿜는 질소 가스의 물리특성(유속이나 유량등)이 변동하고, 건조 처리가 불안정하게 된다. 그래서, 이와 같 이 상기 이간 거리가 변화되는 장치에서는, 제어부(16)이 본 발명의 「가스 유속제어 수단」으로서 기능한다, 즉 가스 공급부(44)로부터 공급되는 질소 가스의 유속이나 유량등을 제어해서 세관부(46)의 선단부에서 토출 되는 질소 가스의 유속을 조정하도록 구성하는 것이 바람직하다. 예컨대 이간 거리가 좁은 사이는 비교적 저유속으로 질소 가스를 토출 시키는 한편, 상기 간격이 넓어지는 데 따라서 유속을 높이도록 조정하면, 상기 이간 거리의 변화에 관계 없이, 노출 계면부(52)에 내뿜을 수 있는 질소 가스(건조용 가스)의 유속이 안정되어, 그 결과, 건조 처리를 안정되고 양호하게 할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는 세관부(46)의 토출개구(460)을 슬릿 모양으로 개구형성하고 있지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 다수의 구멍구로서 형성해도 좋다. 즉, 도10에 도시한 바와 같이, 공기굄부(42)를 매니폴드(분지관;分枝管)로서 형성하고, 이 매니폴드(42)에 연통하는 복수의 세관부를 연설하도록 해도 좋다. 또, 도10(b)는 도10(a)의 요부 확대도이며, 매니폴드(42)에 연통하는 각 세관부의 각 토출개구(461)를 나타내고 있다. 이 경우, 바람직하게는, 각 토출개구(461)을 원형이라고 해서 그것들의 지름을 0.5mm로 한 각 토출개구(461)사이의 거리를 1.5mm∼2mm피치로 한다. 이렇게 함으로써 질소 가스의 토출을 보다 균등화할 수가 있다.
또한, 상기실시 형태에서는 대략 원반모양의 기판W에 대하여 건조 처리를 실시하고 있지만, 본 발명에 이러한 기판처리 장치의 적용 대상은 이것에 한정되나 것은 아니고, 예컨대 액정표시용 유리 기판등과 같이 각형 기판의 기판표면을 건조 시키는 기판처리 장치에 대하여도 본 발명을 적용 할 수가 있다.예컨대 도9에 도시한 바와 같이, 본 발명의 「구동 수단」에 상당하는 복수의 반송 롤러(68)를 반송 방향(+X)에 배치하는 동시에, 해당반송 롤러(68)에 의해 기판W를 반송하면서 상기 제1실시 형태와 동일구성의 건조 헤드(22)를 고정 배치해도 좋다.이 건조 처리 장치(2)에 있어서는, 기판W가 반송 방향(+X)에 반송되기 때문에, 본 발명의 「소정의 이동 방향」은 반송 방향과 반대의 방향(1X)에 상당하지만, 기본적인 동작은 상기실시 형태와 완전히 동일하며, 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 건조 처리 장치(2)과 습식처리 장치(1)를 분리해서 구성하고 있지만, 양자를 동일장치내에 배치해도 좋다.예컨대 습식처리 장치(1)에 건조 헤드(22)을 짜넣고, 린스 처리가 완료된 후에 린스 처리필의 기판에 대하여 건조 헤드(22)를 이동 방향으로 스캔시켜서 상기 실시 형태와 동일하게 해서 건조 처리를 실행하도록 구성해도 좋다.
또한, 상기실시 형태에서는, 건조 처리를 실시할 기판표면WS가 윗쪽을 향한 상태에서 해당기판W에 대하여 건조 헤드(22)를 이동 방향으로 상대 이동시켜서 건조 처리를 행하고 있지만, 기판자세는 이것에 한정되는 것은 아니다.
더욱이, 상기 실시 형태에서는, 린스액으로 젖은 기판표면WS를 건조시키고 있지만, 린스액이외의 액체로 젖은 기판표면을 건조시키는 기판처리 장치에 대하여도 본 발명을 적용 할 수가 있다.
본 발명에 의하면, 기판표면으로부터 이간 배치된 대향면과 기판표면과의 사 이에 액체를 채워서 액밀층을 형성한 상태에서 기판에 대하여 근접부재를 소정의 이동 방향으로 상대 이동시키는 동시에, 이동 방향에 있어서의 근접부재의 상류측으로부터 액밀층의 상류측 계면을 향해서 건조용 가스를 토출하도록 구성하고 있다. 이 때문에, 노출 계면부에 건조용 가스를 선택적·집중적으로 내뿜어서 해당 노출 계면부에 대향하는 기판표면 영역을 건조시킬 수 있다. 그 결과, 액적을 발생시키는 일없이 기판표면 영역을 건조시킬 수 있어, 해당 기판표면 영역에서의 워터마크의 발생을 확실하게 방지할 수가 있다. 또한, 기판표면 영역에 미세 패턴이 포함될 경우였다고 하더라도, 지극히 단시간에서 패턴내에 존재하는 액체가 건조용 가스에 의해 건조 제거되기 때문에, 패턴 도괴(倒壤)를 효과적으로 방지 할 수가 있다.
Claims (13)
- 액체로 젖은 기판표면을 건조시키는 기판처리 장치에 있어서,상기 기판표면에 대향하는 대향면을 가지며, 해당 대향면이 상기 기판표면으로부터 이간 배치되는 동시에 해당 대향면과 상기 기판표면과의 사이에 상기 액체가 채워져서 액밀층(液密層)이 형성된 상태에서, 상기 기판에 대하여 소정의 이동 방향으로 상대 이동이 자유 자재인 근접 부재와,상기 근접 부재를 상기 기판에 대하여 상기 이동 방향으로 상대 이동시키는 구동 수단과,상기 기판표면을 건조시키기 위한 건조용 가스를 토출하는 가스 토출 수단을 갖추고,상기 근접 부재는, 상기 대향면을 규정하는 변부(邊部) 중 상기 이동 방향의 상류측에 위치하는 상류 변부와 접속되는 동시에 해당 접속 위치로부터 상기 이동 방향의 상류측을 향하면서 상기 기판표면으로부터 떨어지는 방향으로 연장 설치된 안내면을 더 가지며,상기 가스 토출수단은, 상기 이동 방향에 있어서, 상기 근접부재의 상류측에 배치되는 동시에 상기 액밀층의 상류측 계면을 향해서 상기 건조용 가스를 토출하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 액체가 모세관현상에 의해 상기 기판표면과 상기 대향면에 끼워진 공간전체로 들어가서 상기 액밀층을 형성하는 상기 대향면이 상기 기판표면에 근접하는 위치에, 상기 근접부재가 배치되어 있는 기판처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 기판표면과 상기 대향면과에 끼워진 공간에 연통해서, 해당 공간에 상기 액체를 공급하여 충만시켜서 상기 액밀층을 형성하는 액체공급 수단을 더 구비하는 기판처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 기판에 대한 상기 근접부재의 상대 이동중에, 상기 근접부재와 상기 건조용 가스의 토출위치의 간격이 미리 정해진 이간 거리로 유지되는 기판처리 장치.
- 제4항에 있어서,상기 구동 수단은 상기 근접부재와 상기 가스 토출수단을 상기 이간 거리만 이간한 채 일체적으로 이동시키는 기판처리 장치.
- 제5항에 있어서,상기 가스 토출수단은, 가스 공급부에 연통 하는 공기굄부와, 이 공기굄부로부터 표면까지 연설되는 세관부가 내부에 설치된 헤드 본체를 구비하고,상기 근접부재는, 상기 헤드 본체의 하면측에 있고 상기 이동 방향에 있어서 상기 세관부보다 하류측에 설치되고,상기 구동 수단은, 상기 근접부재가 설치된 상기 헤드 본체를 이동시키는 기판처리 장치.
- 상기 가스 토출수단은 고정 배치되는 한편, 상기 근접부재는 상기 구동 수단에 의해 구동되어서 상기 이동 방향으로 이동하는 제1항 기재의 기판처리 장치에 있어서, 상기 가스 토출수단으로부터 토출 되는 건조용 가스의 유속을, 상기 근접부재와 상기 건조용 가스의 토출위치의 간격 에 따라 조정하는 가스 유속제어 수단을 더 구비한 기판처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 근접부재의 상류측 단부에서는, 상기 대향면과 상기 안내면이 예각을 이루고 있는 기판처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 근접부재에 대하여 상기 이동 방향의 하류측에서 상기 기판표면에 린스액을 공급해서 린스 처리를 실시하는 린스액 공급수단을 더 구비한 기판처리 장치.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 근접부재에서는 상기 대향면이 친수성(親水性) 재료로 형성되어 있는 기판처리 장치.
- 제10항에 있어서,상기 근접부재에서는 상기 안내면이 친수성 재료로 형성되어 기판처리 장치.
- 제11항에 있어서,상기 근접부재 전체가 석영(石英)으로 형성되어 있는 기판처리 장치.
- 액체로 젖은 기판표면을 건조시키는 기판처리 방법에 있어서,상기 기판표면에 대향하는 대향면과, 해당 대향면을 규정하는 변부 중 소정의 이동 방향의 상류측에 위치하는 상류변부와 접속되는 동시에 해당 접속 위치로부터 상기 이동 방향의 상류측을 향하면서 상기 기판표면으로부터 떨어지는 방향으로 연설된 안내면을 갖는 근접부재를, 상기 대향면이 상기 기판표면으로부터 이간하도록 배치하는 공정과,상기 대향면과 상기 기판표면과의 사이에 상기 액체를 채워서 액밀층을 형성하는 공정과,상기 액밀층이 형성된 상태를 유지하면서 상기 근접부재를 상기 기판에 대하여 상기 이동 방향에 상대 이동시키는 공정과,상기 기판표면을 건조시키기 위한 건조용 가스를 상기 이동 방향에 있어서 상기 근접부재의 상류측에서 상기 액밀층의 상류측 계면을 향해서 토출 하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리 방법.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005097438 | 2005-03-30 | ||
JPJP-P-2005-00097438 | 2005-03-30 | ||
JP2006002223A JP2006310756A (ja) | 2005-03-30 | 2006-01-10 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JPJP-P-2006-00002223 | 2006-01-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060106714A true KR20060106714A (ko) | 2006-10-12 |
KR100787662B1 KR100787662B1 (ko) | 2007-12-21 |
Family
ID=37068649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060027805A KR100787662B1 (ko) | 2005-03-30 | 2006-03-28 | 기판처리 장치 및 기판처리 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7373736B2 (ko) |
JP (1) | JP2006310756A (ko) |
KR (1) | KR100787662B1 (ko) |
TW (1) | TWI298908B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160080375A (ko) * | 2014-12-29 | 2016-07-08 | 김영환 | 슬릿 노즐 타입의 에어나이프 유닛 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080256825A1 (en) * | 2007-04-17 | 2008-10-23 | Hokwang Industries Co., Ltd. | Hand dryer with visible light indicated sensing area |
JP4954795B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2012-06-20 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板の保持装置及び基板の処理方法 |
US20090178298A1 (en) * | 2008-01-15 | 2009-07-16 | Anatoli Anatolyevich Abramov | Device for fluid removal after laser scoring |
JP4967013B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2012-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
WO2015024956A1 (en) * | 2013-08-23 | 2015-02-26 | Mapper Lithography Ip B.V. | Drying device for use in a lithography system |
JP6086059B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2017-03-01 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの乾燥装置及びウェーハの乾燥方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3950184A (en) * | 1974-11-18 | 1976-04-13 | Texas Instruments Incorporated | Multichannel drainage system |
JP2922754B2 (ja) | 1993-07-09 | 1999-07-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式基板乾燥装置及び回転式基板乾燥方法 |
JP3116297B2 (ja) * | 1994-08-03 | 2000-12-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及び処理装置 |
JP3070511B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2000-07-31 | 日本電気株式会社 | 基板乾燥装置 |
EP1052682B1 (de) * | 1999-04-28 | 2002-01-09 | SEZ Semiconductor-Equipment Zubehör für die Halbleiterfertigung AG | Vorrichtung und Verfahren zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen |
JP3653198B2 (ja) * | 1999-07-16 | 2005-05-25 | アルプス電気株式会社 | 乾燥用ノズルおよびこれを用いた乾燥装置ならびに洗浄装置 |
US7000622B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-02-21 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a bevel edge of a substrate using a dynamic liquid meniscus |
JP3803913B2 (ja) | 2001-07-12 | 2006-08-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板乾燥装置、基板乾燥方法および基板のシリコン酸化膜除去方法 |
JP4003441B2 (ja) * | 2001-11-08 | 2007-11-07 | セイコーエプソン株式会社 | 表面処理装置および表面処理方法 |
JP2003151947A (ja) | 2001-11-08 | 2003-05-23 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置および表面処理方法 |
JP2003282525A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US7252097B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process |
JP2004193455A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Sharp Corp | 処理装置および処理方法 |
JP2004335840A (ja) | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Personal Creation Ltd | 基板からの水分除去装置及び水分除去方法 |
KR100958573B1 (ko) * | 2003-10-06 | 2010-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시패널의 제조장치 및 제조방법 |
-
2006
- 2006-01-10 JP JP2006002223A patent/JP2006310756A/ja active Pending
- 2006-02-09 TW TW095104316A patent/TWI298908B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-03-28 US US11/396,724 patent/US7373736B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-28 KR KR1020060027805A patent/KR100787662B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160080375A (ko) * | 2014-12-29 | 2016-07-08 | 김영환 | 슬릿 노즐 타입의 에어나이프 유닛 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI298908B (en) | 2008-07-11 |
JP2006310756A (ja) | 2006-11-09 |
US20060218815A1 (en) | 2006-10-05 |
US7373736B2 (en) | 2008-05-20 |
TW200701357A (en) | 2007-01-01 |
KR100787662B1 (ko) | 2007-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100787662B1 (ko) | 기판처리 장치 및 기판처리 방법 | |
KR100879690B1 (ko) | 현상장치 및 현상방법 | |
KR100787067B1 (ko) | 처리 장치, 처리 시스템 및 처리 방법 | |
US7018481B2 (en) | Substrate treating method, substrate-processing apparatus, developing method, method of manufacturing a semiconductor device, and method of cleaning a developing solution nozzle | |
KR100652981B1 (ko) | 액처리장치 | |
KR20070098509A (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
US20110229120A1 (en) | Rinsing method and developing method | |
JP2008198958A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2006032891A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20100059432A (ko) | 노즐 및 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR100814452B1 (ko) | 표면에 가까운 액체 분배 젯트 사이의 상호 오염을 줄이기 위한 방법과 장치 | |
KR101060686B1 (ko) | 세척 효율이 향상된 기판 세정 장치 | |
KR20070095759A (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
JP3614769B2 (ja) | 液処理装置 | |
JP4455228B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR100753757B1 (ko) | 현상처리장치 및 현상처리방법 | |
JP2006332244A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2005021894A (ja) | 液処理装置 | |
JP3913633B2 (ja) | 現像処理装置及び現像処理方法 | |
JP2002045757A (ja) | 塗布膜形成装置 | |
KR20220091415A (ko) | 현상 장치 및 현상 방법 | |
CN100362625C (zh) | 基板处理装置以及基板处理方法 | |
JP4339299B2 (ja) | レジスト塗布装置 | |
JP5202400B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR101041447B1 (ko) | 노즐 및 이를 갖는 기판 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Publication of correction | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20101124 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |