JP6376863B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板を回転させながら基板に処理液を供給することにより基板を処理する基板処理技術に関する。

このような基板処理技術として、特許文献１には、水平面内で回転する円形基板の上方において基板の中央域と周辺域との間で走査される上ノズルと、基板の中央域の下方から周辺域の下方に延設された棒状の下ノズルとを備える基板処理装置が開示されている。上ノズルは、希フッ酸などの薬液を基板の上面に吐出可能なノズルと、純水、または純水と不活性ガスとの混合流体などのリンス液を基板の上面に吐出可能なノズルとを備える。下ノズルは、基板の下面に対向し、リンス液を基板の下面に吐出可能な多数の吐出口を備える。当該装置は、先ず、上下の両ノズルから薬液を基板に吐出して薬液による処理（薬液処理）を行い、次に、両ノズルからリンス液を吐出してリンス処理を行い、リンス処理後に、基板を高速回転させることで、基板に付着している液体を振り切って基板を乾燥させる乾燥処理を行う。

基板の下方には、下ノズルを横切って基板の回転方向に流れる気流が形成される。基板の径方向に直交する平面における下ノズルの断面形状は、翼型である。より詳細には、下ノズルの下面は、基板の径方向に延在する水平面である。下ノズルは、下面と平行に延設された、下面よりも幅の狭い水平な上面と、上面と下面とのそれぞれの幅方向における気流の上流側の端部同士を接続する上流側接続面と、気流の下流側の端部同士を接続する下流側接続面とをさらに備えている。上流側接続面は、下流側接続面よりも十分に幅が広く、勾配も緩やかである。上流側接続面は、下ノズルの内側に張り出して湾曲しており、下流側接続面は、下ノズルの外側に張り出して湾曲している。基板の回転により生ずる気流は、下ノズルに当たると上流側接続面に沿って基板下面に向かうように整流される。この際、絞り効果により流速も増加する。薬液処理、リンス処理において下ノズルから基板の下面に吐出される薬液とリンス液は、この気流によって基板の下面に沿ってスムーズに拡散される。

特開２０１２−１５１４３９号公報

しかしながら、下流側接続面は急勾配であるため、下ノズルの上流側接続面に沿って基板下面に向かった気流が下ノズルの上面を越えた後に下流側接続面沿って流れることは、困難である。このため、振り切り処理後においても、下ノズルの下流側接続面に付着しているリンス液などの液体が振り切られずに残ってしまう。残存している液体は、薬液の種類を代えて処理を行う場合や、新たな基板に対して処理を行う場合に、ウォーターマークやパーティクルの原因になるといった問題がある。

本発明は、こうした問題を解決するためになされたもので、基板の下面に液体を吐出する棒状の下ノズルを備える基板処理装置において、振り切り処理後の下ノズルの表面への液体の残留を抑制できる技術を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、第１の態様に係る基板処理装置は、基板を水平に保持しつつ回転させる回転保持部と、液体を供給する液体供給源と、前記基板の下面と前記回転保持部との間において、前記基板の下面に垂直な方向の厚みが薄い扁平な棒状の形状を有して前記基板の中央部の下方から前記基板の周辺部の下方に延設され、前記液体を前記基板の下面に吐出する下ノズルと、を備え、前記下ノズルは、前記基板の回転方向の下流側端部と、回転方向の上流側端部と、水平な上面と水平な下面とを備えて前記下流側端部と前記上流側端部とのそれぞれに接続する中央部とを備え、前記下ノズルの前記下流側端部には、前記上流側端部よりも緩やかな傾斜勾配で回転方向下流側になるほど薄肉になる薄肉部が設けられている。

第２の態様に基板処理装置は、第１の態様に係る基板処理装置であって、前記薄肉部の上面と下面とがなす角度が、鋭角である。

第３の態様に係る基板処理装置は、第１または第２の態様に係る基板処理装置であって、前記薄肉部における前記基板の回転方向下流側の先端が尖っている。

第１の態様に係る発明によれば、下ノズルにおける基板の回転方向の下流側端部に設けられた薄肉部は、回転方向の上流側の端部よりも緩やかな傾斜勾配で回転方向下流側になるほど薄肉になっている。従って、基板の回転により形成される気流は、下ノズルの上面と下面とに沿って流れた後に、薄肉部の表面に沿って流れやすくなるので、振り切り処理後のノズル表面への液体の残留を抑制できる。

第２の態様に係る発明によれば、薄肉部の上面と下面とがなす角度が、鋭角であるので、基板の回転により形成される気流が薄肉部の表面に沿ってさらに流れやすくなる。従って、振り切り処理後のノズル表面への液体の残留をさらに抑制できる。

第３の態様に係る発明によれば、薄肉部における基板の回転方向の下流側の先端が尖っているので、基板の回転により形成される気流が薄肉部の先端で渦を形成することを抑制できる。従って、薄肉部の先端においても、振り切り処理後の液体の残留を抑制できる。

実施形態に係る基板処理装置の概略構成の一例を模式的に示す図である。 図１の下ノズルの構成を示す斜視図である。 図１の下ノズルの構成を示す上面図である。 図１の基板の上方から基板の下方の下ノズルを透視した図である。 図１の下ノズルの周囲の気流を示す断面図である。 他の実施形態に係る下ノズルの周囲の気流を示す断面図である。 他の実施形態に係る下ノズルの周囲の気流を示す断面図である。 他の実施形態に係る下ノズルの周囲の気流を示す断面図である。 比較技術に係る下ノズルの周囲の気流を示す断面図である。 実施形態に係る基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図面では同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付され、下記説明では重複説明が省略される。また、各図面は模式的に示されたものである。また、実施形態の説明において、上下方向は、鉛直方向であり、基板Ｗ側が上で、スピンチャック１１１側が下である。

＜実施形態について＞
＜１．基板処理装置の構成＞
図１は実施形態に係る基板処理装置１００の概略構成の一例を模式的に示す図である。図２は、下ノズル２４０の構成を示す斜視図である。図３は、下ノズル２４０の構成を示す上面図である。図４は、基板Ｗの上方から基板Ｗの下方に設けられた下ノズル２４０を透視した図である。下ノズル２４０は、図４において実線で示されている。

基板処理装置１００は、薬液を含む処理液を用いて基板の処理（「薬液処理」）を行う。具体的には、基板処理装置１００は、処理液として、例えば、エッチング液を用いて半導体ウェハ等の基板Ｗの上面（「表面」とも称される）Ｓ１のエッチング処理を行って、上面Ｓ１に形成されている薄膜（不要物）の除去を行う。処理液としては、他に、例えば、洗浄液などが用いられる。なお、上面Ｓ１と反対側の下面Ｓ２は、「裏面」とも称される。基板Ｗの表面形状は略円形であり、基板Ｗの上面Ｓ１とはデバイスパターンが形成されるデバイス形成面を意味している。基板処理装置１００は、薬液処理の後に、基板Ｗのリンス処理、後述する下ノズル２４０の洗浄処理、基板Ｗおよび下ノズル２４０に付着した液体を基板Ｗを回転させて振り切る振り切り処理を行うこともできる。

図１に示されるように、基板処理装置１００は、上面Ｓ１を上方に向けた状態で基板Ｗを略水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック（「回転保持部」）１１１を備えている。スピンチャック１１１は、円筒状の回転支軸１１３がモータを含むチャック回転機構（「回転部」）１５６の回転軸に連結されており、チャック回転機構１５６の駆動により回転軸（鉛直軸）ａ１回りに、すなわち略水平面内にて回転可能となっている。

回転支軸１１３の上端部には、円盤状のスピンベース１１５がネジなどの締結部品によって一体的に連結されている。したがって、装置全体を制御する制御部１６１からの動作指令に応じてチャック回転機構１５６が作動することによって、回転支軸１１３とスピンベース１１５とは、一体的に、回転軸ａ１を中心に回転する。また、制御部１６１はチャック回転機構１５６を制御して回転速度を調整する。制御部１６１は、例えば、ＣＰＵがメモリに記憶されたプログラムを実行することなどにより実現される。

スピンベース１１５の周縁部付近には、基板Ｗの周縁部Ｓ３を把持するための複数個のチャックピン１１７が立設されている。チャックピン１１７は、円形の基板Ｗを確実に保持するために３個以上設けてあればよく、スピンベース１１５の周縁部に沿って等角度間隔で配置されている。各チャックピン１１７は、基板Ｗの周縁部Ｓ３を下方から支持する基板支持部と、基板支持部に支持された周縁部Ｓ３をその側方から基板Ｗの中心側に押圧して基板Ｗを保持する周縁保持部とを備えている。各チャックピン１１７は、周縁保持部が基板Ｗの周縁部Ｓ３を押圧する押圧状態と、周縁保持部が周縁部Ｓ３から離れる解放状態との間を切り替え可能に構成されている。

スピンベース１１５に対して基板Ｗが受渡しされる際には、基板処理装置１００は、複数個のチャックピン１１７を解放状態とし、基板Ｗに対してエッチング、あるいは洗浄等の処理を行う際には、複数個のチャックピン１１７を押圧状態とする。押圧状態とすることによって、複数個のチャックピン１１７は、基板Ｗの周縁部Ｓ３を把持して基板Ｗをスピンベース１１５から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持することができる。これにより、基板Ｗはその表面（パターン形成面）Ｓ１を上方に向け、下面Ｓ２を下方に向けた状態で上面Ｓ１、下面Ｓ２の中心を回転軸ａ１が通るように支持される。

スピンベース１１５の中央部には、回転支軸１１３の貫通孔に接続された貫通孔が形成されている。この貫通孔および回転支軸１１３の貫通孔には、筒状体１１８が挿通されている。筒状体１１８の上端部には、上端部の開口を塞ぐように、平板状の台座１１９が取り付けられている。台座１１９の上面は、水平面となっている。この上面には、基板Ｗの下面Ｓ２に沿って延設された長尺状の下ノズル２４０の一端側部分（「基部」）２７１が固定されている。

下ノズル２４０は、一端側部分２７１と、一端側部分２７１から基板Ｗの下面Ｓ２の周辺域Ｋ３の下方に延設された延設部２７２とを備え、扁平な形状を有している。下ノズル２４０の上面と下面（より正確には、後述する水切り部２４９を除いた部分）とは水平面をなしている。当該上面と当該下面とは、それぞれ、下ノズル２４０の主面である。下ノズル２４０の長手方向の一端側部分２７１の下面と、台座１１９の上面とは、下ノズル２４０の上面に設けられた吐出口２４１が基板Ｗの中心の下方に位置するように、基板Ｗの下面Ｓ２の中央域Ｋ１の下方において互いに当接している。下ノズル２４０の長手方向の他端は、下面Ｓ２の周辺域Ｋ３の下方に達している。回転するスピンベース１１５に立設されたチャックピン１１７と下ノズル２４０とが干渉しないように、回転軸ａ１から下ノズル２４０の他端までの長さは、チャックピン１１７の回転軌跡の半径よりも短く設定されている。

台座１１９と下ノズル２４０の一端側部分２７１とは、ネジ２６１〜２６４によって互いに固定されている。下ノズル２４０の一端側部分２７１の上面には、座繰り部２５１〜２５３が形成されている。座繰り部２５１の底部には、ネジ２６１に対応する貫通穴が形成され、座繰り部２５２の底部には、ネジ２６２、２６３に対応する２つの貫通穴が形成され、座繰り部２５３の底部には、ネジ２６４に対応する貫通穴が形成されている。台座１１９の上面にもこれらの貫通穴にそれぞれ対応するネジ穴がそれぞれ形成されている。台座１１９と下ノズル２４０とがネジ２６１〜２６４によって固定されたときに、ネジ２６１の頭は、座繰り部２５１に収容され、ネジ２６２、２６３の頭は、座繰り部２５２に収容され、ネジ２６４の頭は座繰り部２５３に収容される。これにより、ネジ２６１〜２６４の頭は、下ノズル２４０の上面から飛び出ることがない。

座繰り部２５１は、一端側部分２７１の上面のうち吐出口２４１、２４３を結ぶ線よりも基板Ｗの回転方向上流側（図３において上側）の部分に形成されており、下ノズル２４０の長手方向の一端側の側面にも開口している。座繰り部２５２は、一端側部分２７１の上面のうち吐出口２４１、２４３を結ぶ線よりも基板Ｗの回転方向下流側（図３において下側）の部分に形成されており、下ノズル２４０における基板Ｗの回転方向下流側（図３において下側）の側面にも開口している。座繰り部２５３は、一端側部分２７１の上面のうち吐出口２４１、２４３を結ぶ線よりも基板Ｗの回転方向上流側（図３において上側）であって、かつ、座繰り部２５１よりも下ノズル２４０の長手方向の他端側の部分に形成されている。

熱による曲り等の変形を抑制するために、下ノズル２４０は、下ノズル２４０をその長手方向に貫通するステンレス鋼などの芯材２４８を備えている。下ノズル２４０のうち芯材２４８以外の部分は、樹脂などにより形成されている。芯材２４８は、下ノズル２４０のうち基板Ｗの回転方向上流側の端部に沿って、座繰り部２５１、２５３よりも当該回転方向上流側に設けられている。このため、座繰り部２５３は、下ノズル２４０の上面と側面とのうち上面のみに開口するとともに、座繰り部２５３の底面には、当該底面から下ノズル２４０の下面まで下ノズル２４０を貫通する水抜き孔２５３ａが形成されている。水抜き孔２５３ａは、下ノズル２４０の下面のうち台座１１９に対向していない部分に開口している。

下ノズル２４０における基板Ｗの回転方向下流側の端部のうち座繰り部２５２よりも長手方向他端側の部分には、水切り部（「薄肉部」）２４９が下ノズル２４０の長手方向に沿って延設されている。水切り部２４９は、基板Ｗの回転方向下流側になるほど薄肉になるように形成されており、その断面形状は、例えば、三角形である。基板処理装置１００は、処理液５３による基板Ｗの処理を行った後に、下ノズル２４０から基板Ｗの裏面に純水を吐出することによるリンス処理を行い、リンス処理の後に、下ノズル２４０に付着した水滴を除くための振り切り処理を行う。リンス処理と振り切り処理も基板Ｗの回転と並行して行われる。基板Ｗが回転することにより、基板Ｗの下方には、下ノズル２４０を横切って基板Ｗの回転方向に流れる気流が形成される。当該気流は、下ノズル２４０の近傍部分において矢印Ｙの方向に沿って流れる。矢印Ｙの方向は、水平面内において下ノズル２４０の延在方向（回転軸ａ１と直交する基板Ｗの径方向）と直交する方向であり、矢印Ｙは、下ノズル２４０における基板Ｗの回転方向の下流側を向いている。下ノズル２４０に水切り部２４９が形成されていることによって、振り切り処理における水滴の除去効率を高めることができる。

台座１１９は、下ノズル２４０の下面に設けられた導入口２４４、２４５に対向する各部分に、台座１１９を上下方向に貫通する貫通孔を備えている。また、筒状体１１８には、液体５１、液体５２を下ノズル２４０に供給する供給管２８１、２８２が挿通されている。液体５１、液体５２は、基板Ｗの温度分布を調整するために、下ノズル２４０から基板Ｗの下面Ｓ２に吐出される。供給管２８１、２８２のそれぞれの上端部は、台座１１９の各貫通孔のうち導入口２４４、２４５に対応する各貫通孔において、台座１１９を貫通し、導入口２４４、２４５と接続されている。

下ノズル２４０は、スピンチャック１１１に保持された基板Ｗの下面Ｓ２に液体５１、５２を吐出する。下ノズル２４０の内部には、液体５１、５２をそれぞれ導く流路２４６、２４７が、座繰り部２５１、２５３と、座繰り部２５２との間の部分に形成されている。流路２４６は、下ノズル２４０の長手方向の一端側部分２７１を上下方向に貫通している。下ノズル２４０の下面における流路２４６の開口は、流路２４６に液体５１を導入する導入口２４４をなし、下ノズル２４０の上面における流路２４６の開口は、液体５１を基板Ｗの下面の中央域Ｋ１に吐出する吐出口２４１をなしている。吐出口２４１は、中央域Ｋ１に対向している。

流路２４７は、下ノズル２４０の内部において、基板Ｗの径方向に沿って、下ノズル２４０の長手方向の一端側から他端側に延在している。流路２４７は、下ノズル２４０の長手方向の一端側部分２７１の下面に開口しており、この開口は、流路２４７に液体５２を導入する導入口２４５をなしている。また、流路２４７は、下ノズル２４０の上面のうち下ノズル２４０の長手方向の中央部分と、他端側部分とのそれぞれにおいて開口している。これらの開口のうち中央部分の開口は、液体５２を基板Ｗの下面Ｓ２の中間域Ｋ２に液体５２を吐出する吐出口２４２をなしており、他端側部分の開口は、液体５２を下面Ｓ２の周辺域Ｋ３に吐出する吐出口２４３をなしている。吐出口２４２は、中間域Ｋ２に対向し、吐出口２４３は、周辺域Ｋ３に対向している。中間域Ｋ２と周辺域Ｋ３とは、基板Ｗの下面Ｓ２のうち中央域Ｋ１以外の周辺側領域である。すなわち、吐出口２４２と吐出口２４３とは、それぞれ、延設部２７２に設けられ、液体５２を周辺側領域に吐出する周辺側吐出口である。

図４において、中央域Ｋ１は、一点鎖線の円で囲まれて、斜線でハッチングされた領域である。周辺域Ｋ３は、基板Ｗの周縁と、二点鎖線の円との間の、網点パターンを付された領域である。そして、中間域Ｋ２は、中央域Ｋ１と周辺域Ｋ３との間の領域である。中間域Ｋ２は、基板Ｗのうち、基板Ｗの中心からの径方向に沿った距離、すなわち、回転軸ａ１からの径方向に沿った距離が、例えば、基板の半径の１／３から基板の半径の２／３である領域である。具体的には、例えば、半径１５０ｍｍの基板における中間域Ｋ２は、基板Ｗの中心からの距離が、例えば、５０ｍｍ〜１００ｍｍである領域である。

図１〜図４の例では、吐出口２４１の中心軸は、基板Ｗの回転軸ａ１に一致しているが、吐出口２４１は、中央域Ｋ１に液体５１を吐出可能に設けられていればよく、吐出口２４１の中心軸が、基板Ｗの回転軸ａ１に一致しなくてもよい。また、複数の吐出口２４１が設けられてもよい。また、吐出口２４２、２４３とのうち一方のみが設けられてもよいし、吐出口２４２、吐出口２４３の他に、液体５２を基板Ｗの下面Ｓ２に吐出する少なくとも１つの吐出口が流路２４７に設けられてもよい。また、図１〜図４の例では、吐出口２４１〜２４３、導入口２４４、２４５、および流路２４６、流路２４７は、共通の下ノズル２４０に設けられている。しかしながら、下ノズル２４０に代えて、互いに別体に形成された２つの下ノズルが採用され、一方の下ノズルに吐出口２４１、導入口２４４、および流路２４６が設けられるとともに、他方の下ノズルに吐出口２４２、吐出口２４３、導入口２４５、および流路２４７が設けられてもよい。

基板処理装置１００は、このように基板Ｗを保持したスピンチャック１１１をチャック回転機構１５６により回転駆動することで基板Ｗを所定の回転速度で回転させながら、下ノズル２４０から液体５１、５２を下面Ｓ２に対して吐出することで基板Ｗの温度を調節する。そして、基板処理装置１００は、後述する上ノズル１２０から基板の上面Ｓ１に対し処理液５３を供給することにより、基板Ｗに所定の処理（エッチング処理など）を施す。

スピンチャック１１１に保持された基板Ｗの側方には、モータを備えたノズル回転機構１５５が設けられており、ノズル回転機構１５５の動作は、制御部１６１により制御される。ノズル回転機構１５５には、剛性のある管状の配管アーム２８０がノズル回転機構１５５を回転中心として略水平面内にて旋回可能に取付けられている。

配管アーム２８０の一端は、ノズル回転機構１５５を貫通してその下面に達しており、他端は、配管アーム２８０がノズル回転機構１５５により旋回されることによって基板Ｗの上面Ｓ１の中央域の上方に位置決め可能である。該他端には、上ノズル１２０が取付けられている。スピンベース１１５に対する基板Ｗの受渡しなどの際には、配管アーム２８０が旋回されて上ノズル１２０が基板Ｗの搬入経路上から退避される。また、エッチング処理やリンス処理などを行う際には、上ノズル１２０の位置（処理位置）がサーボ制御により正確に上面Ｓ１の中央域の上方に調整される。ここで、当該サーボ制御は、制御部１６１により制御される。従って、制御部１６１からの指令により上ノズル１２０の位置を調整することが可能となる。

配管アーム２８０の内部には、処理液５３を上ノズル１２０に供給する流路が、上ノズル１２０の上端からノズル回転機構１５５の下面の下方まで配設されている。上ノズル１２０は、供給された処理液５３を、基板Ｗの上面Ｓ１に対向する吐出口から下方に吐出する。これにより、下ノズル２４０によって温度分布を調整されている基板Ｗの上面Ｓ１の中央域に向けて処理液５３が吐出され、基板Ｗの処理が行われる。なお、上面Ｓ１は、吐出された処理液５３に基板Ｗの回転による遠心力が作用して処理液５３が基板Ｗの周縁部Ｓ３まで広がることによって、全体的に処理される。

なお、ノズル回転機構１５５が配管アーム２８０を回転駆動して上ノズル１２０を基板Ｗの上面Ｓ１の回転軌跡に対して相対的に走査することで、基板処理装置１００は、処理液５３を上面Ｓ１の全面に供給することもできる。このように、上ノズル１２０の走査を行えば、処理の均一性がさらに向上する。この走査において、上ノズル１２０は、例えば、上面Ｓ１の中央域の上方と、周辺域の上方との間で往復して走査される。すなわち、ノズル回転機構１５５は、処理液５３を基板Ｗの上面Ｓ１に供給している上ノズル１２０を、基板Ｗの上面Ｓ１の上方において走査することにより、基板Ｗの上面Ｓ１における処理液５３の供給位置を、基板Ｗの上面Ｓ１の中央域と周辺域との間で走査する走査部として動作する。なお、ノズル回転機構１５５および配管アーム２８０に代えて、上ノズル１２０を、例えば、上面Ｓ１の上方で直線的に走査する走査機構が採用されてもよい。

基板処理装置１００は、第１温度の純水（「第１純水」）１１を供給する純水供給源（「第１供給源」）１３１と、第２温度よりも高い第２温度の純水（「第２純水」）１２を供給する純水供給源（「第２供給源」）１３２と、薬液１３を供給する薬液供給源１３３と、液体１４を供給する液体供給源１３４とを、さらに備えている。薬液１３としては、例えば、フッ酸（ＨＦ）、水酸化アンモニウム（ＮＨ_４ＯＨ）、塩酸（ＨＣＬ）、または過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）などが採用される。薬液供給源１３３が、薬液１３として、複数の薬液を並行して供給してもよい。液体１４としては、好ましくは、純水または、薬液１３が採用される。

純水供給源１３１、１３２、薬液供給源１３３、および液体供給源１３４のそれぞれは、供給する液体を加熱可能なヒータと、液体の温度を検出可能な温度センサと、該液体を送出するポンプ等の送出手段（それぞれ図示省略）とを内蔵している。

制御部１６１は、各温度センサが検出した液体の温度が目標温度になるように、各ヒータの発熱量を制御して、純水供給源１３１、１３２、薬液供給源１３３、および液体供給源１３４が供給する純水１１、純水１２、薬液１３、および液体１４の温度を制御する。

より具体的には、処理液５３を用いて基板Ｗの薬液処理を行う場合には、制御部１６１は、純水供給源１３１、１３２のそれぞれの温度センサの検出温度に基づいてそれぞれのヒータを制御することによって、純水供給源１３１が供給する純水１１の温度を第１温度に設定するとともに、純水供給源１３２が供給する純水１２の温度を第１温度よりも高温の第２温度に設定する。制御部１６１は、予め設定された設定情報に従って、第１温度と第２温度とを所定の温度範囲内で自在に制御できる。制御部１６１と、純水供給源１３１の温度センサおよびヒータと、純水供給源１３２の温度センサおよびヒータとは、純水１１の第１温度と、純水１２の第２温度とを所定の温度範囲内で自在に制御可能な温度制御部１６４をなしている。すなわち、温度制御部１６４は、純水供給源１３１における純水１１の温度（第１温度）と、純水供給源１３２における純水１２の温度（第２温度）とを制御する温度制御を行う。なお、基板処理装置１００がリンス処理などの薬液処理以外の処理を行う場合には、熱量制御部１６２は、例えば、液体５１と液体５２とが互いに同じ温度になるように温度制御を行ってもよいし、液体５１が液体５２よりも高温になるように温度制御を行ってもよい。

また、制御部１６１は、薬液供給源１３３、液体供給源１３４がそれぞれ内蔵するヒータの制御によって、薬液１３、液体１４のそれぞれ温度を、予め設定された設定情報に従って所定の温度範囲内で自在に制御できる。制御部１６１は、好ましくは、液体１４の温度と、薬液１３の温度（薬液供給源１３３が複数の薬液を薬液１３として供給する場合は各薬液の温度）とを互いに同じ温度に制御する。

基板処理装置１００は、混合部１９１と混合部１９２とをさらに備えている。混合部１９１、混合部１９２は、例えば、ミキシングバルブによってそれぞれ構成される。混合部１９１は、配管３８１によって薬液供給源１３３と接続されるとともに、配管３８２によって純水供給源１３１と接続されている。また、混合部１９１は、配管３８６によって、ノズル回転機構１５５の下端に達している配管アーム２８０の一端と接続されている。また、混合部１９１は、配管３８７の経路途中に接続する配管３８８と、配管３８７とによって、供給管２８２の下端と接続されている。

混合部１９２は、配管３８２の一部と、配管３８２の経路途中から分岐した配管３８３とによって純水供給源１３１と接続されるとともに、配管３８４によって液体供給源１３４と接続されている。また、混合部１９２は、配管３８７によって、供給管２８１と接続されている。

配管３８２のうち配管３８３が分岐している分岐部よりも下流側の部分は、純水供給源１３１が供給する純水１１を一方の純水（「一方の第１純水」）１１ａに分配する。配管３８３は、純水１１を他方の純水（「他方の第１純水」）１１ｂに分配する。配管３８２と、配管３８３とは、配管系３８０を構成している。すなわち、配管系３８０は、一端を純水供給源１３１に接続されるとともに、管路の途中で分岐している分岐配管である。配管系３８０は、純水供給源１３１が供給する純水１１を純水１１ａと純水１１ｂとに分配し、純水１１ａを混合部１９１に導き、純水１１ｂを混合部１９２に導く。

なお、配管系３８０が、配管３８２の途中から分岐する配管３８３に代えて、一端が純水供給源１３１と接続され、他端が混合部１９２と接続される配管を備え、この配管と、配管３８２とによって、純水供給源１３１が供給する純水１１を純水１１ａと純水１１ｂとに分配してもよい。

また、純水供給源１３２は、配管３８５によって供給管２８２と接続されており、純水１２を、液体５２として配管３８５を介して供給管２８２に供給する。

配管３８１の経路途中には、流量制御器１８１、開閉バルブ１７１が設けられ、配管３８２の経路途中には、流量制御器１８２、開閉バルブ１７２が設けられ、配管３８３の経路途中には、流量制御器１８３、開閉バルブ１７３が設けられ、配管３８４の経路途中には、流量制御器１８４、開閉バルブ１７４が設けられている。また、配管３８５の経路途中には、流量制御器１８５、開閉バルブ１７５が設けられ、配管３８６の経路途中には、開閉バルブ１７６が設けられ、配管３８８の経路途中には、開閉バルブ１７８が設けられている。薬液供給源１３３が、薬液１３として複数の薬液を並行して供給する場合には、配管３８１は、複数の配管により構成され、各配管毎に流量制御器と、開閉バルブとが設けられる。すなわち、この場合には、流量制御器１８１と開閉バルブ１７１とは、複数の流量制御器と複数の開閉バルブとによってそれぞれ構成される。

流量制御器１８１〜１８５は、例えば、それぞれが設けられている配管に流れる液体の流量を検出する流量計と、弁の開閉量に応じて当該液体の流量を調節可能な可変バルブとを備えて構成されている。制御部１６１は、流量制御器１８１〜１８５のそれぞれについて、流量計が検出する流量が目標流量になるように、図示省略のバルブ制御機構を介して流量制御器１８１〜１８５の可変バルブの開閉量を制御する。制御部１６１は、予め設定された設定情報に従って所定の範囲内で目標流量を設定することによって、流量制御器１８１〜１８５を通過する各液体の流量を所定の範囲内で自在に制御することができる。また、制御部１６１は、当該バルブ制御機構を介して開閉バルブ１７１〜１７８を開状態または閉状態に制御する。

制御部１６１が、流量制御器１８１を通過する薬液１３の流量を所定の範囲内で制御するとともに、開閉バルブ１７１を開状態に制御することにより、薬液１３が混合部１９１に供給される。また、制御部１６１が、流量制御器１８２を通過する純水１１ａの流量を所定の範囲内で制御するとともに、開閉バルブ１７２を開状態に制御することにより、純水１１ａが混合部１９１に供給される。

制御部１６１は、流量制御器１８２を通過する純水１１ａの流量と、流量制御器１８１を通過する薬液１３の流量（薬液１３が複数の薬液である場合は、各薬液の各流量）とが、予め設定された流量比になるように、流量制御器１８１、１８２を制御する。この流量比は、純水１１ａの流量が、薬液１３の流量よりも多い流量比である。例えば、水酸化アンモニウムと過酸化水素と純水とが混合されることにより、処理液５３としてＳＣ−１液が調製される場合には、水酸化アンモニウムと過酸化水素と純水（純水１１ａ）とは、例えば、１対４対２０の流量比で混合部１９１に供給される。制御部１６１は、薬液１３の種類、温度などに応じて予め設定された設定情報に従って、この流量比を変更することもできる。

混合部１９１に供給された純水１１ａと薬液１３とは、混合部１９１によって純水１１ａと薬液１３との流量比と等しい混合比で混合され、処理液５３が調製される。制御部１６１が開閉バルブ１７６を開状態に制御することにより、処理液５３は、混合部１９１から配管３８６、配管アーム２８０を経て上ノズル１２０に供給され、上ノズル１２０の吐出口から基板Ｗの上面Ｓ１の中央域に吐出される。また、制御部１６１が開閉バルブ１７８を開状態に制御することにより、処理液５３は、混合部１９１から配管３８８、配管３８７、供給管２８１を経て、導入口２４４から下ノズル２４０の流路２４６に導入され、吐出口２４１から基板Ｗの下面Ｓ２の中央域Ｋ１に吐出される。なお、制御部１６１は、開閉バルブ１７７と開閉バルブ１７８とを選択的に開状態に制御する。

混合部１９１と、配管３８６と、開閉バルブ１７６と、ノズル回転機構１５５と、配管アーム２８０と、上ノズル１２０とは、処理液供給部３０３を構成している。すなわち、処理液供給部３０３は、配管系３８０のうち配管３８２から純水１１ａを供給されるとともに、純水１１ａを主に含むように純水１１ａと薬液１３とを混合した処理液５３を基板Ｗの上面Ｓ１に供給する。

制御部１６１が、流量制御器１８３を通過する純水１１ｂの流量を所定の範囲内で制御するとともに、開閉バルブ１７３を開状態に制御することにより、純水１１ｂが混合部１９２に供給される。また、制御部１６１が、流量制御器１８４を通過する液体１４の流量を所定の範囲内で制御するとともに、開閉バルブ１７４を開状態に制御することにより、液体１４が混合部１９２に供給される。制御部１６１は、純水１１ｂの流量と、液体１４の流量とが、予め設定された流量比になるように、流量制御器１８３、１８４を制御する。この流量比は、純水１１ｂの流量が、液体１４の流量よりも多い流量比である。制御部１６１は、予め設定された設定情報に従って、この流量比を変更することもできる。

制御部１６１は、純水１１ｂと液体１４との流量比を保ちつつ、純水１１ｂと液体１４との流量が変動するように流量制御器１８３、１８４を制御できるとともに、当該流量比の変動を伴って純水１１ｂと液体１４との流量が変動するように、流量制御器１８３、１８４を制御することもできる。

また、薬液１３と液体１４との温度が等しい場合には、制御部１６１は、好ましくは、混合部１９２に供給される純水１１ｂと液体１４との流量比と、混合部１９２に供給される純水１１ａと薬液１３との流量比とが等しくなるように純水１１ｂと液体１４との流量比を制御する。

混合部１９２に供給された純水１１ｂと液体１４とは、混合部１９２によって純水１１ｂと液体１４との流量比と等しい混合比で混合され、液体５１が調製される。制御部１６１が、開閉バルブ１７７を開状態に制御することにより、液体５１は、混合部１９２から配管３８７、供給管２８１を経て導入口２４４から下ノズル２４０の流路２４６に導入され、吐出口２４１から基板Ｗの下面Ｓ２の中央域Ｋ１に吐出される。開閉バルブ１７７と開閉バルブ１７８とは、選択的に開状態に制御される。これにより、液体５１と処理液５３とは、吐出口２４１から中央域Ｋ１に選択的に吐出される。

混合部１９２と、配管３８７と、開閉バルブ１７７と、供給管２８１と、下ノズル２４０の流路２４６と吐出口２４１とは、第１供給部３０１を構成している。すなわち、第１供給部３０１は、配管系３８０のうち配管３８３から純水１１ｂを供給されるとともに、純水１１ｂを主に含む液体５１を基板Ｗの下面Ｓ２の中央域Ｋ１に供給する。また、第１供給部３０１は、好ましくは、純水１１ｂと、薬液１３と同じ温度の温度調整用の液体１４とを、処理液５３における純水１１ａと薬液１３との混合比と、液体５１における純水１１ｂと液体１４との混合比とが等しくなるように混合して液体５１を調製する。これにより、液体５１と処理液５３との温度差をより抑制できる。

制御部１６１が、流量制御器１８５を通過する純水１２の流量を所定の範囲内で制御するとともに、開閉バルブ１７５を開状態に制御することにより、液体５２としての純水１２が、純水供給源１３２から配管３８５を経て供給管２８２に供給される。そして、液体５２は、供給管２８２と接続された導入口２４５から下ノズル２４０の流路２４７に導入され、吐出口２４２、２４３から基板Ｗの下面Ｓ２の中間域Ｋ２、周辺域Ｋ３に吐出される。なお、配管３８５の経路途中にミキシングバルブなどの混合部がさらに設けられるとともに、当該混合部に供給される純水１２の流量よりも少ない流量で当該混合部にさらに薬液が供給され、純水１２と当該薬液とが混合されることによって液体５２が調製されてもよい。すなわち、液体５２は、純水１２自体であってもよいし、純水１２を主に含むように、純水１２と薬液とが混合された液体であってもよい。純水１２自体も、純水１２を主に含む液体である。

配管３８５と、流量制御器１８５と、開閉バルブ１７５と、供給管２８２と、下ノズル２４０のうち流路２４７と、吐出口２４２、２４３とは、第２供給部３０２を構成している。すなわち、第２供給部３０２は、純水供給源１３２から供給される純水１２を主に含む液体５２を、基板Ｗの下面Ｓ２の周辺域Ｋ３と、周辺域Ｋ３と中央域Ｋ１との間の下面Ｓ２の中間域Ｋ２とのそれぞれに供給する。

また、制御部１６１と、流量制御器１８３〜１８５とは、流量制御部１６３をなしている。流量制御部１６３は、純水１１ｂと、液体１４とが混合部１９２によって混合される液体５１の流量と、液体５２（純水１２）の流量とを独立して制御することによって、基板Ｗの径方向の温度分布を変更可能なように、第１供給部３０１が基板Ｗに供給する熱量と、第２供給部３０２が基板Ｗに供給する熱量とを独立して制御できる。

また、上述した温度制御部１６４は、純水供給源１３１における純水１１の温度（第１温度）と、純水供給源１３２における純水１２の温度（第２温度）とを独立に制御することにより、基板Ｗの径方向の温度分布を変更可能なように、第１供給部が基板Ｗに供給する熱量と、第２供給部３０２が基板Ｗに供給する熱量とを独立に制御できる。

流量制御部１６３と温度制御部１６４とは熱量制御部１６２をなしている。従って、熱量制御部１６２は、基板Ｗの径方向の温度分布を変更可能なように、第１供給部が基板Ｗに供給する熱量と、第２供給部３０２が基板Ｗに供給する熱量とを独立に制御できる。

基板処理装置１００の各構成要素のうち、例えば、純水供給源１３１、１３２、薬液供給源１３３、液体供給源１３４以外の各構成要素は、共通の筐体に収納され、純水供給源１３１、１３２、薬液供給源１３３、液体供給源１３４は、例えば、当該筐体が設置される設置室以外の他のフロアなどに設置される。この場合には、配管系３８０のうち配管３８２から配管３８３が分岐する分岐部は、好ましくは、筐体に収納される。なお、純水供給源１３１、１３２、薬液供給源１３３、液体供給源１３４も当該筐体に収納されてもよい。

また、基板処理装置１００においては、スピンチャック１１１による基板Ｗの回転と、第１供給部３０１による基板Ｗの下面Ｓ２の中央域Ｋ１への液体５１の供給と、第２供給部３０２による下面Ｓ２の中間域Ｋ２および周辺域Ｋ３への液体５２の供給と、処理液供給部３０３による基板Ｗの上面Ｓ１への処理液５３の供給とは、互いに並行して行われる。基板処理装置１００は、開閉バルブ１７７を開状態にするとともに、開閉バルブ１７５、１７８を閉状態にすることにより、液体５１と液体５２とのうち液体５１のみを基板Ｗの下面Ｓ２（より正確には、下面Ｓ２の中央域Ｋ１）に供給することもできる。また、基板処理装置１００は、開閉バルブ１７８を開状態にするとともに、開閉バルブ１７５、１７７を閉状態にすることにより、処理液５３のみを中央域Ｋ１に供給することもできる。また、純水供給源１３１と、純水供給源１３１が供給する純水１１を第２温度に加熱するヒータ等とによって純水供給源１３２を構成してもよいし、純水供給源１３２と、純水供給源１３２が供給する純水１２に第１温度よりも低温の純水を混合して第１温度の純水を調製する混合部とによって、純水供給源１３１を構成してもよい。

＜２．基板処理装置の動作＞
図１０は、基板処理装置１００の動作の一例を示すフローチャートである。以下に、図１０のフローチャートに基づいて、基板処理装置１００の動作について説明する。

＜２−１．基板の回転開始＞
基板処理装置１００は、薬液供給源１３３に貯留された薬液１３を含む処理液５３によって基板Ｗの処理（薬液処理）を行う際に、先ず、チャック回転機構１５６を駆動して、基板Ｗを保持するスピンチャック１１１を回転させることによって、基板Ｗの回転を開始する（ステップＳ１０）。

＜２−２．薬液処理＞
基板処理装置１００は、基板Ｗが回転している状態で、処理液５３を基板Ｗに供給し、処理液５３による基板Ｗの薬液処理を行う（ステップＳ２０）。具体的には、基板処理装置１００は、例えば、下ノズル２４０から液体５１と液体５２とを下面Ｓ２に供給して基板Ｗの温度分布を調整しつつ、上ノズル１２０から基板Ｗの上面Ｓ１に処理液５３を供給することにより上面Ｓ１の薬液処理を行う。薬液処理と並行して基板Ｗの下面Ｓ２に供給される液体５１、５２の温度および流量は、基板Ｗに形成された処理対象の膜の種類、処理液５３の温度、種類、および走査の有無などの供給態様に応じて、予め設定された設定情報に従って設定される。当該設定情報は、基板Ｗの径方向における基板Ｗの処理量のばらつきが抑制されるとともに、目標処理量に対する処理量の偏差が抑制されるように設定されている。また、基板処理装置１００は、下ノズル２４０から処理液５３を基板Ｗの下面Ｓ２の中央域Ｋ１に供給し、液体５２を中間域Ｋ２、周辺域Ｋ３に供給しつつ、上ノズル１２０から基板Ｗの上面Ｓ１に処理液５３を供給することにより上面Ｓ１と下面Ｓ２との薬液処理を行うこともできる。また、基板処理装置１００は、上面Ｓ１と下面Ｓ２とのうち下面Ｓ２の薬液処理のみを行うこともできる。また、基板処理装置１００は、上面Ｓ１の薬液処理と、下面Ｓ２の薬液処理とを順次に行うこともできる。薬液処理中の基板Ｗの回転速度は、例えば、３００ｒｐｍに設定される。処理時間は、例えば、３０秒間などに設定される。

＜２−３．リンス処理＞
薬液処理が終了すると、基板処理装置１００は、基板Ｗのリンス処理を行う（ステップＳ３０）。上面Ｓ１のリンス処理は、例えば、上ノズル１２０と並んで設けられた図示省略のノズルから、例えば、２４℃に温度調整された純水などのリンス液を上面Ｓ１に吐出することにより行われる。下面Ｓ２のリンス処理は、下ノズル２４０から、例えば、純水に基づいて調製されて２４℃に温度調整された液体５１、液体５２を、リンス液として下面Ｓ２に吐出することなどにより行われる。リンス液として、純水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）、各種の有機溶剤（イオン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、機能水等が用いられてもよい。上面Ｓ１のリンス処理と下面Ｓ２のリンス処理とは並行して行われてもよいし、順次に行われてもよい。薬液処理において、下面Ｓ２に処理液５３が供給される場合には、必ず下面Ｓ２のリンス処理を行うことが好ましい。下面Ｓ２に処理液５３が供給されない場合においても、下面Ｓ２のリンス処理を行ってもよい。リンス処理中の基板Ｗの回転速度は、例えば、１２００ｒｐｍに設定され、リンス処理の時間は、例えば、１０秒〜１５秒に設定される。

＜２−４．下ノズルの洗浄処理＞
リンス処理が終了すると、基板処理装置１００は、下ノズル２４０の洗浄処理を行う（ステップＳ４０）。薬液処理において下面Ｓ２に処理液５３が吐出される場合には、下ノズル２４０の洗浄処理を、必ず行うことが好ましい。下ノズル２４０の洗浄処理において、基板処理装置１００は、基板Ｗの回転速度を、リンス処理中の回転速度（より正確には、薬液処理中の回転速度）よりも低下させる。また、基板処理装置１００は、流量制御部１６３による制御によって、中央域Ｋ１に供給するリンス液としての液体５１の流量を第１流量に設定するとともに、周辺側領域に供給するリンス液としての液体５２の流量を第１流量よりも多い第２流量に設定する。また、下ノズル２４０の洗浄処理と並行して上面Ｓ１にもリンス液を供給することが好ましい。

基板処理装置１００は、先ず、第１流量、第２流量、および上面Ｓ１へのリンス液の供給流量を、例えば、４００ｍｌ／分、１２００ｍｌ／分、および２０００ｍｌ／分にそれぞれ設定して、３秒間、下ノズル２４０の洗浄処理を行う。次に、基板処理装置１００は、第１流量、第２流量、および上面Ｓ１へのリンス液の供給流量を、例えば、８００ｍｌ／分、１２００ｍｌ／分、および２０００ｍｌ／分にそれぞれ設定して、さらに３秒間、下ノズル２４０の洗浄処理を行う。

＜２−５．振り切り処理＞
下ノズル２４０の洗浄処理が終了すると、基板処理装置１００は、基板Ｗおよび下ノズル２４０に付着しているリンス液等の液体を振り切って基板Ｗおよび下ノズル２４０を乾燥させる振り切り処理（「液振り切り処理」）を行う（ステップＳ５０）。下ノズルの構造と、振り切り処理における下ノズル２４０等の回りの気流については、後述する。

＜２−６．基板の回転停止＞
振り切り処理が終了すると、基板処理装置１００は、チャック回転機構１５６を制御して、スピンチャック１１１の回転を停止し（ステップＳ６０）、一連の基板処理を終了する。なお、スピンチャック１１１に保持されている基板Ｗに対して、複数の薬液処理を順次に行う場合には、ステップＳ４０の振り切り処理の終了後に、ステップＳ２０〜Ｓ４０の処理を繰り返せばよい。

＜３．下ノズルの構造と下ノズルの周りの気流＞
図５は、基板処理装置１００が備える下ノズル２４０の構造と、その周囲の気流を示す断面図である。図６〜図８は、他の実施形態に係る下ノズル２４０Ａ〜２４０Ｃの構造と、その周囲の気流を示す断面図である。図９は、比較技術に係る下ノズル３４０の構造と、その周囲の気流を示す断面図である。図５〜図９において、基板Ｗの回転方向は、紙面の左から右に向かう方向である。

図１〜図３に示されるように、下ノズル２４０は、基板Ｗの下面Ｓ２とスピンチャック１１１との間において、下面Ｓ２に垂直な方向の厚みが薄い扁平な棒状の形状を有して基板Ｗの中央部の下方から基板Ｗの周辺部の下方に延設されている。

また、図５に示されるように、下ノズル２４０は、基板Ｗの回転方向の下流側端部と、回転方向の上流側端部と、水平な上面と水平な下面とを備えて下流側端部と上流側端部とのそれぞれに接続する中央部とを備えている。

基板Ｗの下面と、スピンベース１１５の上面との間に設けられた下ノズル２４０の周囲には、基板の回転により発生する気流が矢印Ｙの方向に沿って流れる。

実施形態に係る下ノズル２４０、２４０Ａ〜２４０Ｃは、気流の下流側（基板Ｗの回転方向下流側）の端部に水切り部２４９、２４９Ａ〜２４９Ｃを備えている。水切り部２４９、２４９Ａ〜２４９Ｃの何れにおいても、下ノズル２４０、２４０Ａ〜２４０Ｃの上流側端部よりも緩やかな傾斜勾配で回転方向下流側になるほど薄肉になっている。水切り部２４９、２４９Ａは、その上下両面が傾斜勾配を有しているが、水切り部２４９Ｂ、２４９Ｃは、上面のみが傾斜勾配を有し、下面は、水平面である。水切り部２４９Ｂ、２４９Ｃとは、下面が傾斜勾配を有し、上面が水平になるように形成されてもよい。

水切り部２４９、２４９Ｂにおける基板Ｗの回転方向下流側の先端が尖っている。これにより、当該先端における渦の発生をより抑制できる。先端が丸いとしても、水滴の付着を抑制できるので、本発明の有用性を損なうものではない。

水切り部２４９は、その上面と下面とがなす角度が、鋭角である。これにより、水切り部２４９の表面にそって気流がより流れやすくなる。また、水切り部２４９Ａ、２４０Ｃのように、水平面と、水切り部２４９Ａ、２４０Ｃの傾斜面とを接続する部分が丸みを帯びていれば、水切り部２４９Ａ、２４０Ｃの表面に沿って流れる気流の流れがより滑らかになり、下ノズルへの水滴の付着をより抑制できる。また、水切り部２４９、２４９Ａ〜２４９Ｃの上面および下面のうち傾斜面は、平面状に形成されているが、上側または下側に凸の湾曲面状に形成されていてもよい。

図９に示される比較技術に係る下ノズル３４０は、その上面と下面とは水平面であり、下ノズル３４０における基板Ｗの回転方向上流側の側面と、回転方向下流側の側面とは、それぞれの法線が、下ノズル３４０における基板Ｗの回転方向と一致するように設けられている。下ノズル３４０における当該上流側の側面に液体が付着している場合においても、気流が強く当たるために、付着している液体は、気流の下流方向へ飛ばされて下ノズル３４０から除かれる。しかし、下ノズル３４０における基板Ｗの回転方向下流側の側面は、上面および下面と垂直に交差しているため、上面、下面に沿って流れた気流が、下流側側面に沿って流れることは困難である。このため、下流側の側面には、多くの水滴Ｐ１が付着したまま残留し、新たな基板処理等の際に、ウォーターマークやパーティクルの原因となる。また、気流の速度によっては、下流側に渦が発生することにより、より多くの水滴Ｐ１が残留しやすくなる。

以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置によれば、下ノズル２４０における基板Ｗの回転方向の下流側端部に設けられた水切り部２４９は、回転方向の上流側の端部よりも緩やかな傾斜勾配で回転方向下流側になるほど薄肉になっている。従って、基板Ｗの回転により形成される気流は、下ノズル２４０の上面と下面とに沿って流れた後に、水切り部２４９の表面に沿って流れやすくなるので、振り切り処理後の下ノズル２４０の表面への液体の残留を抑制できる。

また、以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置によれば、水切り部２４９の上面と下面とがなす角度が、鋭角であるあるので、基板Ｗの回転により形成される気流が水切り部２４９の表面に沿ってさらに流れやすくなる。従って、振り切り処理後の下ノズル２４０の表面への液体の残留をさらに抑制できる。

また、以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置によれば、水切り部２４９における基板Ｗの回転方向の下流側の先端が尖っているので、基板Ｗの回転により形成される気流が水切り部２４９の先端で渦を形成することを抑制できる。従って、水切り部２４９の先端においても、振り切り処理後の液体の残留を抑制できる。

本発明は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

１００ 基板処理装置
１１１ スピンチャック（回転保持部）
１１３ 回転支軸
１１５ スピンベース
１１７ チャックピン
１１９ 台座（台座部）
１２０ 上ノズル
１５５ ノズル回転機構（走査部）
１６２ 熱量制御部
１６３ 流量制御部
１６４ 温度制御部
１７１〜１７８ 開平バルブ
１８１〜１８５ 流量制御器
２４０ 下ノズル
２４１ 吐出口（中央吐出口）
２４２，２４３ 吐出口（周辺側吐出口）
２４９ 水切り部（薄肉部）
２５３ａ 水抜き孔
２７１ 一端側部分
２７２ 延設部
３０１ 第１供給部
３０２ 第２供給部
３０３ 処理液供給部
３８０ 配管系
３８１〜３８８ 配管
１１ 純水（第１純水）
１１ａ 純水（一方の第１純水）
１１ｂ 純水（他方の第１純水）
１２ 純水（第２純水）
１３ 薬液
１４ 液体
５１ 液体（第１液体）
５２ 液体（第２液体）
５３ 処理液
ａ１ 回転軸
Ｋ１ 中央域
Ｋ２ 中間域
Ｋ３ 周辺域
Ｓ１ 上面
Ｓ２ 下面
Ｗ 基板

Claims (3)

1. 基板を水平に保持しつつ回転させる回転保持部と、
   液体を供給する液体供給源と、
   前記基板の下面と前記回転保持部との間において、前記基板の下面に垂直な方向の厚みが薄い扁平な棒状の形状を有して前記基板の中央部の下方から前記基板の周辺部の下方に延設され、前記液体を前記基板の下面に吐出する下ノズルと、
   を備え、
   前記下ノズルは、前記基板の回転方向の下流側端部と、回転方向の上流側端部と、水平な上面と水平な下面とを備えて前記下流側端部と前記上流側端部とのそれぞれに接続する中央部とを備え、
   前記下ノズルの前記下流側端部には、前記上流側端部よりも緩やかな傾斜勾配で回転方向下流側になるほど薄肉になる薄肉部が設けられている、
   基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記薄肉部の上面と下面とがなす角度が、鋭角である、基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記薄肉部における前記基板の回転方向下流側の先端が尖っている、基板処理装置。

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