TWI778159B - 雷射加工裝置 - Google Patents

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名雪正寿
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Abstract

[課題]本發明的課題係提供一種雷射加工裝置,係在對板狀的工件照射雷射光線並加工時,不會妨礙對工件之雷射光線的照射。[解決手段]在雷射加工裝置的保持單元的上部配設有液體供給機構(40)。液體供給機構(40)包含:液體室(41),與保持在保持台(32)的工件(10)的上表面之間形成縫隙(S)而定位的透明板(42);直動機構(50),係使透明板(42)在液體室(41)上直線移動;液體供給噴嘴(43),係從液體室(41)的一側供給液體(W)至縫隙(S);及液體排出噴嘴(44),係從液體室(41)的另一側排出液體(W)。雷射光線照射單元(6)包含:雷射震盪器(82),係射出雷射光線(LB);及聚光器(86),係將從雷射震盪器(82)射出的雷射光線(LB)進行聚光,且使雷射光線穿透透明板(42)與供給至縫隙(S)的液體(W),並照射至保持在保持台(32)的工件(10)。

Description

雷射加工裝置
本發明係關於一種雷射加工裝置,係對板狀的工件照射雷射光線並加工。
由分割預定線劃分並在晶圓正面形成IC、LSI等多種元件的晶圓,係藉由雷射加工裝置分割成一個個元件晶片,分割後的元件晶片則利用在行動電話、電腦、照明機器等的電子機器。
雷射加工裝置存在有如後述的類型者,並根據工件的種類、加工精確度等,來適當選擇雷射加工裝置:藉由燒蝕加工形成成為分割起點的槽(例如參照專利文獻1),該燒蝕加工係將具有吸收性的波長的雷射光線的聚光點,定位在工件的正面而對工件加以照射;將具有穿透性的波長的雷射光線的聚光點定位在工件的內部對工件加以照射,而在工件的內部形成成為分割起點的改質層(例如參照專利文獻2);將具有穿透性的波長的雷射光束的聚光點定位在工件的內部而對工件加以照射,使從工件的正面至內面形成多個潛盾型通孔,其中潛盾型通孔由成為分割起點的細孔與圍繞該細孔的非晶質區域所形成(例如參照專利文獻3)。
上述雷射加工裝置中,特別是在施以燒蝕加工的類型中,因為照射雷射光線至晶圓的正面時產生的碎片(雷射加工屑)會飛散並附著在形成於晶圓的元件的正面,而有降低元件的品質之虞,所以提出了如後述的方案:在實施雷射加工前,在晶圓的正面覆蓋加工時使用的雷射光線所穿透的液狀樹脂來防止碎片的附著,並在施以雷射加工後,去除該液狀樹脂(例如參照專利文獻4)。
[習知技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開平10-305420號公報。 [專利文獻2]日本專利第3408805號。 [專利文獻3]日本特開2014-221483號公報。 [專利文獻4]日本特開2004-188475號公報。
[發明所欲解決的課題] 若根據記載於專利文獻4的技術,藉由覆蓋液狀樹脂,能防止碎片附著在元件的正面,確保加工品質。然而,這必須有塗布液狀樹脂的步驟以及在加工後去除液狀樹脂的步驟,在生產效率上會有問題。又,液狀樹脂因為無法重複利用,所以亦有不經濟的問題。
又,習知上還提出了如後述的技術:藉由將晶圓浸水的狀態下照射雷射光線使碎片浮游於水中,來防止碎片附著在晶圓的正面。然而,在以晶圓浸水的狀態下對晶圓照射雷射光線時,因為從晶圓之被照射雷射光線的部位會產生細微泡(氣泡),所以會有如後述的問題:雷射光線的行進會被此氣泡妨礙,而無法做所需的加工。
因此,本發明的目的在於提供一種雷射加工裝置,其在對板狀的工件照射雷射光線並加工時,不會妨礙對工件之雷射光線的照射。
[解決課題的技術手段] 若根據本發明,係提供一種雷射加工裝置,具備:保持單元,係具有將板狀的工件加以保持的保持台;雷射光線照射單元,係對保持在該保持台的工件照射雷射光線並施以加工;以及液體供給機構,係配設在該保持單元的上部;其中,該液體供給機構包含:液體室,係具有與保持在該保持台的工件的上表面之間形成縫隙而定位的透明板;直動機構,係使該透明板在液體室上直線移動;液體供給噴嘴,係從該液體室的一側供給液體至該縫隙;及液體排出噴嘴,係從該液體室的另一側排出液體;該雷射光線照射單元包含:雷射震盪器,係射出雷射光線;及聚光器,係將從該雷射震盪器射出的雷射光線進行聚光,且使雷射光線穿透該透明板與供給至該縫隙的液體,並照射至保持在該保持台的工件。
本發明較佳為該雷射光線照射單元還包含分散手段,該分散手段係分散從該雷射震盪器射出的雷射光線。
[發明功效] 若根據本發明,係提供一種雷射加工裝置,不會妨礙對工件之雷射光線的照射。又,在將本發明應用於實施燒蝕加工的雷射加工裝置時,即使在晶圓的正面不覆蓋液狀樹脂,亦能抑制在雷射加工時所產生的碎片附著在元件,防止元件之加工品質的降低。
以下,針對基於本發明的實施形態的雷射加工裝置,參照所附圖式更進一步詳細地說明。
在圖1係表示本發明實施形態的雷射加工裝置2的立體圖。雷射加工裝置2具備:基台21;保持單元30,係保持配置在基台21上的工件;殼體22,係由垂直壁部221與水平壁部222所形成,該垂直壁部221係立設於在基台21上的保持單元30的側方以箭號Z表示的Z軸方向,而該水平壁部222從垂直壁部221的上端部延伸在水平方向;液體供給機構40,係配設在保持單元30的上部;以及雷射光線照射單元6,係配設在水平壁部222的下表面。
圖2係分解並表示如後述的各構成的分解圖:保持單元30、構成液體供給機構40的液體室41、液體供給噴嘴43以及液體排出噴嘴44,並針對各構成則於以下作說明。
如圖2所示,保持單元30具備:直方體狀的保持基台31,係固定在基台21上;以及圓形的保持台32,係配設在保持基台31的上表面31a。保持台32構成為藉由未圖示的轉動機構而可旋轉。保持台32的中央區域由圓形的吸附卡盤32a所形成;其中,該吸附卡盤32a係藉由具有透氣性的材質,例如是藉由多孔陶瓷所構成。吸附卡盤32a連接未圖示的吸引源,且吸引保持載置於吸附卡盤32a的板狀的工件。
在保持單元30的上部,配設有圖中所示的液體供給機構40。具體而言,在保持基台31的上表面31a,載置並固定有構成液體供給機構40的液體室41。液體室41具備:板狀的腔室基部41a;以及用來封塞腔室基部41a的上方之俯視呈矩形狀的透明板42。透明板42為將後述雷射光線LB穿透的該透明構件,例如以玻璃形成。腔室基部41a具備:俯視呈矩形狀的底部41b;以及沿著Y軸方向形成在底部41b的X軸方向的兩端部的段差部41c、41c。在底部41b的中央,形成有上下貫通的圓形開口部41d,該圓形開口部41d以比保持台32稍大的尺寸來形成。圓形開口部41d以如後述的方式被設定:在將腔室基部41a設置於保持基台31上時,保持台32定位在圓形開口部41d。段差部41c、41c之間的尺寸係以相對於透明板42的X軸方向的尺寸稍大的尺寸來形成。藉由將透明板42載置於段差部41c、41c而由透明板42封塞腔室基部41a的上方,同時在底部41b與透明板42之間形成預定的間隔。又,載置於段差部41c、41c的透明板42藉由段差部41c、41c被限制往X軸方向的移動,而被導引成往Y軸方向的移動。在段差部41c、41c的表面係施以氟塗層,能減少透明板42於段差部41c、41c上滑動的摩擦阻抗,並防止磨損等。在腔室基部41a的底部41b的Y軸方向中的兩端部,藉由未形成有如上述的段差部並載置有透明板42,而在Y軸方向形成供給液體的液體供給口41e與排出液體的液體排出口41f。又,在本發明實施形態雖以玻璃板形成透明板42,惟本發明並非限定為此,只要是將雷射光線LB穿透的透明板即可,例如是壓克力等的樹脂製的板即可。
在腔室基部41a的液體供給口41e,連結有用以供給液體至液體室41的液體供給噴嘴43。又,在腔室基部41a的液體排出口41f,則連結有用以從液體室41排出液體的液體排出噴嘴44。
在液體供給噴嘴43係具備:供給液體的供給口43a;從供給口43a供給的液體所通過的通路43b;以及通過通路43b的液體所排出的排出口43c。又,在液體供給噴嘴43的上表面43d係施以氟塗層。如以圖中虛線所示,供給口43a係配設在液體供給噴嘴43的下表面,通路43b係形成在液體供給噴嘴43內部,而排出口43c係形成在面對液體室41的液體供給口41e的位置。藉由對液體室41連結液體供給噴嘴43,而成為液體供給噴嘴43的排出口43c與液體室41的液體供給口41e連通的狀態。
液體排出噴嘴44以相同於液體供給噴嘴43的形狀來構成,如圖2所示,在液體排出噴嘴44係具備:供給液體的供給口44c;從供給口44c供給的液體所通過的通路44b;以及通過通路44b的液體所排出的排出口44a。其中,相同於液體供給噴嘴43,在上表面44d施以氟塗層。又,在圖2,施以氟塗層的部位係賦予斜線。如圖中虛線所示,液體排出噴嘴44的供給口44c形成在面對液體室41的液體排出口41f的位置,通路44b形成在液體排出噴嘴44的內部,而排出口44a配設在液體排出噴嘴44的下表面。
藉由對液體室41連結液體供給噴嘴43與液體排出噴嘴44,隔著液體室41,而成為液體供給噴嘴43的供給口43a與液體排出噴嘴44的排出口44a連通的狀態。又,在對液體室41連結液體供給噴嘴43與液體排出噴嘴44時,液體室41的段差部41c與41c、液體供給噴嘴43的上表面43d以及液體排出噴嘴44的上表面44d係以成為相同高度的方式來設定。
透明板42為如上述的矩形狀,其Y軸方向的尺寸設定為比連結液體供給噴嘴43、液體室41以及液體排出噴嘴44的狀態之Y軸方向的總尺寸還大。又,透明板42的X軸方向的尺寸至少設定為比保持在保持台32的工件的X軸方向的尺寸還大,較佳為設定成比保持台32的直徑還大。藉由以如此方式構成,透明板42能從上方覆蓋保持台32整體。
本發明實施形態的液體供給機構40具備直動手段50,係使透明板42在液體室41上沿著Y軸方向直線移動。直動手段50具備:2個滾輪52、52;以及旋轉驅動各滾輪52、52的馬達54、54。2個滾輪52、52在Y軸方向隔著預定的間隔,例如隔著比液體室41的Y軸方向的尺寸還大的間隔,沿著X軸方向平行地配設。滾輪52的表面較佳為以氨酯橡膠等具有彈力性且相對於透明板42不易滑動的原料形成。又,滾輪52的一端部連接馬達54的輸出軸,滾輪52的另一端部則較佳為以被未圖示的固定部可自由旋轉地支撐的方式構成。2個滾輪52、52在設置好的狀態,藉由推壓透明板42並使2個馬達54、54的輸出軸在相同方向旋轉,使透明板能在Y軸方向直線移動。又,馬達54並非限定為一定配設在2個滾輪52、52,可一個馬達只連接一個的滾輪52,並與另一個滾輪52以帶體連結等,以此方式同時地旋轉驅動滾輪52、52。又,滾輪52的數量、尺寸以及配設位置等並非限定為本發明實施形態的實施態樣,能根據透明板42的材質、尺寸等作適當變更。
又,一邊參照圖3之表示將圖2所示的液體供給機構40組裝入保持單元30的上部的狀態,一邊針對液體供給機構40與液體供給機構40的周邊構成說明。在圖3係表示將晶圓10吸引保持在保持台32的狀態,其中,晶圓10係作為板狀的工件,而晶圓10的正面形成有元件。藉由液體室41載置於保持基台31的上表面31a,將腔室基部41a的圓形開口部41d定位在保持台32的上方。然後,吸引保持在保持台32的晶圓10的正面係露出於圓形開口部41d,並與液體室41的底部41b成為大致同一平面。本發明實施形態的雷射加工裝置2以液體恆常循環於液體供給機構40內的方式,具備液體供給幫浦45、過濾器46以及液體貯留槽47。液體貯留槽47直接配設在過濾器46。液體供給幫浦45與液體供給噴嘴43係以第一管件48a連接,液體排出噴嘴44與過濾器46係以第二管件48b連接,過濾器46與液體供給幫浦45則以第三管件48c連接。各管件48a~48c係以樹脂製的彈性管件形成。
從液體供給幫浦45排放出雷射光線LB所穿透的液體W,例如是排放出的純水。液體W經由第一管件48a與液體供給噴嘴43供給至液體室41,供給至液體室41的液體W通過透明板42與晶圓10的正面之間,再經由液體排出噴嘴44排出。然後,從液體排出噴嘴44排出的液體W被過濾器46導引並過濾,返回至液體供給幫浦45。在本發明實施形態的液體供給機構40中,雖允許液體W從液體室41的腔室基部41a與透明板42之間中的縫隙等緩緩漏出,惟亦可為漏出的液體W藉由基台21上未圖示的回收路徑所回收,而回流至過濾器46。又,在因上述漏出而液體W減少時,只要從液體貯留槽47適當填補即可。又,液體貯留槽47係直接裝在過濾器46,並具備排出包含在過濾器46導引的液體W的氣泡之功能。
藉由如以上的構成,液體W在液體供給機構40、液體供給幫浦45、過濾器46以及液體貯留槽47中循環。流動於液體室41的液體W的流量能藉由如後述者調整,並以成為預定的流量的方式調整:調整液體供給幫浦45的壓送效率、變更液體室41的容積、調整液體供給口41e與液體排出口41f的開口面積。
如上述,在滾輪52、52係連結有馬達54、54,藉由旋轉馬達54、54,能使透明板42在液體室41上於Y軸方向直線移動。特別是,在本發明實施形態,藉由雷射加工裝置2未圖示的控制手段,能將馬達54、54的旋轉方向以如後述的方式構成:切換為在圖3以箭號R1所示的正轉方向與以箭號R2所示的逆轉方向。藉由使馬達54、54往正轉方向R1旋轉,透明板42往箭號Y1所示的方向移動。又,藉由使馬達54、54往逆轉方向R2旋轉,透明板42往箭號Y2所示的方向移動。
接著,一邊參照圖1、圖4及圖5,一邊針對雷射光線照射單元6說明。又,圖5為圖4所示的雷射光線照射單元6的分解立體圖。
雷射光線照射單元6包含:導引板60,係藉由未圖示的固定手段固定在殼體22的水平壁部222的下表面;Y軸方向可動構件62,係在Y軸方向中可自由移動地被導引板60支撐;以及Y軸方向移動機構64,係使Y軸方向可動構件62在Y軸方向移動。其中,在導引板60的X軸方向兩端下部,形成有延伸在Y軸方向的一對導引軌60a。如圖4與圖5所示,Y軸方向可動構件62具有:一對被導引部66,係在X軸方向隔著間隔配置;以及裝設部68,係橋接在被導引部66的下端間並延伸於X軸方向。其中,在各被導引部66的上部,係形成有延伸在Y軸方向的被導引軌66a。藉由被導引部66的被導引軌66a卡合導引板60的導引軌60a,Y軸方向可動構件62係可自由移動地被導引板60支撐。又,在裝設部68的Y軸方向兩端下部,形成有延伸於X軸方向的一對導引軌68a。Y軸方向移動機構64具有:滾珠螺桿70,係在導引板60的下方中延伸於Y軸方向;以及馬達72,係連結滾珠螺桿70的一端部。其中,滾珠螺桿70的門型形狀的螺帽部70a係固定在裝設部68的上表面。滾珠螺桿70之未連結有馬達72的另一端部係在螺合螺帽部70a後,可自由旋轉地被支撐在支撐片部60b,而該支撐片部60b係形成於導引板60的前方緣部。然後,Y軸方向移動機構64藉由滾珠螺桿70,將馬達72的旋轉運動轉換為直線運動並傳達至Y軸方向可動構件62,使Y軸方向可動構件62沿著導引板60的導引軌60a在Y軸方向移動。
現一邊參照圖5,一邊繼續雷射光線照射單元6的說明。雷射光線照射單元6更進一步包含:X軸方向可動板74,在X軸方向可自由移動地裝設在Y軸方向可動構件62的裝設部68;以及X軸方向移動機構76,使X軸方向可動板74在X軸方向移動。藉由X軸方向可動板74的Y軸方向兩端部卡合裝設部68的導引軌68a,X軸方向可動板74在X軸方向可自由移動地裝設在裝設部68。X軸方向移動機構76具有:滾珠螺桿78,係在裝設部68的上方中延伸在X軸方向;以及馬達80,係連結滾珠螺桿78的一端部,並被一側的被導引部66支撐。滾珠螺桿78的螺帽部78a通過裝設部68的開口68b而固定在X軸方向可動板74的上表面。滾珠螺桿78之未連結有馬達80的另一端部,則可自由旋轉地被未固定有馬達80的另一側被導引部66支撐。然後,X軸方向移動機構76藉由滾珠螺桿78,將馬達80的旋轉運動轉換為直線運動並傳達至X軸方向可動板74,使X軸方向可動板74沿著裝設部68的導引軌68a在X軸方向移動。
又,一邊參照圖5~圖8,一邊針對雷射光線照射單元6的光學系統的構成說明。如圖5所示,雷射光線照射單元6包含:雷射震盪器82,係內建於殼體22的水平壁部222,並射出脈衝狀的雷射光線LB;衰減器(圖示省略),係調整從雷射震盪器82所射出的雷射光線LB的功率;直角三稜鏡84,係在雷射震盪器82與Y軸方向隔著間隔,而裝設在Y軸方向可動構件62的裝設部68的下表面;聚光器86,係在X軸方向可動板74的下表面可自由移動地裝設在Z軸方向;以及聚光點位置調整手段(圖示省略),係使聚光器86在Z軸方向移動而調整Z軸方向的聚光器86之聚光點。雷射震盪器82例如是呈如後述形式:震盪出對工件具有吸收性的波長(例如355nm)的雷射。如圖6所示,從雷射震盪器82照射至Y軸方向的雷射光線LB被直角三稜鏡84轉換90度行進方向而導引至聚光器86。
如圖7(a)所示,在聚光器86的上部殼體86a的內部,以上部殼體86a的一部分施作切口的方式所示,係具備:馬達92,係使作為分散手段的多面鏡91與多面鏡91往箭號R3所示的方向高速旋轉,該分散手段係分散雷射震盪器82震盪出的雷射光線LB;以及聚光透鏡(fθ透鏡)86b,將雷射光線LB聚光並照射至工件。從聚光器86照射的雷射光線LB經由透明板42及液體W而照射至分割預定線;其中,分割預定線為晶圓10的被加工部位。從圖7(b)所示的部分放大剖面圖可了解,在透明板42與晶圓10之間形成有0.5mm~2.0mm的縫隙S。然後,如圖8所示,多面鏡91係多片稜鏡M相對於多面鏡91的旋轉軸同心狀地配置。fθ透鏡86b位在上述多面鏡91的下方,將雷射光線LB聚光並使雷射光線照射至保持台32上的工件。在fθ透鏡,係使從直角三稜鏡84導引的雷射光線LB以如後述的方式被導引,在工件上分散並照射至X軸方向的預定範圍:藉由旋轉的稜鏡M,使雷射光線的照射方向分散在X軸方向。
現返回圖5繼續說明,在X軸方向可動板74的下表面,一起配起有聚光器86與對準單元88;其中,對準單元88與聚光器86在X軸方向隔著間隔被裝設。對準單元88呈如後述的形式:拍攝保持在保持台32的工件,並檢測要雷射加工的區域。又,雷射光線照射單元6具備未圖示的聚光點位置調整手段。聚光點位置調整手段的具體構成的圖示雖予省略,惟舉例而言,可為如後述具有滾珠螺桿與馬達的構成:即,具有螺帽部固定在聚光器86且延伸於Z軸方向的滾珠螺桿與連結此滾珠螺桿的一端部的馬達。藉由像這樣的構成,將馬達的旋轉運動轉換為直線運動,使聚光器86沿著配設在Z軸方向的導引軌(圖示省略)移動,藉此調整Z軸方向之由聚光器86聚光的雷射光線LB的聚光點的位置。
本發明的雷射加工裝置2大致具備如上述的構成,現針對其作用於以下說明。
現一邊參照圖1一邊說明。首先,準備在正面形成有元件之由矽(Si)所形成的晶圓10;其中,晶圓係為在本發明實施形態的板狀的工件。準備晶圓10後,取出圖1所示的透明板42,開啟液體室41的上方,將形成有元件的正面朝上而將晶圓10載置於保持台32上。載置晶圓10後,啟動未圖示的吸引源,在保持台32的吸附卡盤32a產生吸引力,吸附並保持晶圓10。將晶圓10保持在保持台32後,再度將透明板42裝在液體室41上而成為封塞液體室41上的狀態。
將晶圓10保持在保持台32且藉由透明板42封塞液體室41的上方後,對液體貯留槽47填充足夠的液體W,並啟動液體供給幫浦45。液體供給幫浦45開始啟動後,藉由經過預定時間,空氣等自液體室41抽出,成為如後述的狀態:液體室41內被液體W充滿,液體W穩定地循環於液體供給機構40內部。
在液體W穩定地循環於液體供給機構40內的狀態,藉由雷射光線照射單元6的X軸方向移動機構76而移動X軸方向可動板74,同時藉由Y軸方向移動機構64將Y軸方向可動構件62在Y軸方向移動(參照圖4與圖5),使對準單元88定位在晶圓10的上方。透明板42如上述,因為以從上方覆蓋保持台32整體的方式配設,所以對準單元88能捕捉包含晶圓10上的元件的全部區域。只要將對準單元88定位在晶圓10的上方,即可藉由對準單元88拍攝晶圓10。此時,晶圓10係隔著透明板42與液體W被拍攝。接著,根據由對準單元88拍攝的晶圓10的圖像資訊,進行晶圓10與聚光器86的對位。在此對位後,旋轉保持台32且以X軸方向移動機構76移動X軸方向可動板74,同時以Y軸方向移動機構64移動Y軸方向可動構件62,藉此形成為格子狀的分割預定線沿著X軸方向定位在晶圓10上,且聚光器86被定位在分割預定線的一端部,亦即被定位在雷射光線的開始照射位置。接著,藉由未圖示的聚光點位置調整手段將聚光器86在Z軸方向移動,將聚光點定位在晶圓10的分割預定線中一端部的表面高度。
將聚光器86在Z軸方向移動,使聚光點位置定位在晶圓10的正面高度後,在開始雷射加工前,使透明板42移動至初始位置。此透明板42的初始位置具體而言,係為透明板42往以箭號Y2所示的Y2方向移動至最底的位置,例如是如後述的狀態:透明板42的端部定位在設置於液體排出噴嘴44側的滾輪52的正下方。作為將透明板42停止在此初始位置的手段,在Y2方向配設止動件等,能藉由將透明板42的端部抵接該止動件,使在Y2方向中透明板42的移動被限制在初始位置。
透明板42移動至上述初始位置後,開始雷射加工。更具體而言,藉由未圖示的控制手段,對雷射光線照射單元6指示開始做雷射光線LB的照射。指示開始做雷射光線LB的照射的後,如基於圖7、圖8所說明,將多面鏡91藉由馬達92以適當的旋轉速度旋轉。藉由構成多面鏡91的稜鏡M的位置與多面鏡91的旋轉一起變化,對於晶圓10雷射光線LB係分散在X軸方向來照射。雷射光線LB照射至預定的稜鏡M後,雷射光線LB則照射至多面鏡91的旋轉方向R3中下游側的其他稜鏡M,相同於上述內容,對於晶圓10雷射光線LB係分散並照射。在從雷射震盪器82震盪出雷射光線LB且多面鏡91旋轉的時候,像這樣的雷射加工係被重複執行。又,構成多面鏡91的稜鏡M的片數,多面鏡91的旋轉速度等係根據工件適當地決定。
在上述雷射加工裝置2中的雷射加工條件例如能用以下的加工條件實施。 雷射光線的波長:226nm、355nm、532nm、1064nm。 平均功率:10~100W。 重複頻率:0~300MHz。 脈衝寬度:50fs~1ns。 加工進給速度:10~1000mm/s。
雷射光線LB的開始照射後,則藉由X軸方向移動機構76使聚光器86與X軸方向可動板74一起對X軸方向以預定的移動速度移動。當開始要進行雷射光線LB的照射,在稍前於開始照射雷射光線LB,使馬達54、54往正轉方向R1旋轉,帶動旋轉滾輪52、52而開始將透明板42往以箭號Y1表示的Y1方向移動。現將實施此雷射加工的狀態基於圖7(b)說明。又,圖7(b)為放大透明板42與晶圓10的部分的示意剖面圖,紙面中垂直的方向為X軸方向,左右方向為Y軸方向。如上述,當對晶圓10的正面照射雷射光線LB且施以燒蝕加工,則自照射雷射光線LB的位置會產生氣泡B。於此,如圖7(b)所示,透明板42藉由直動手段50的作用往Y1方向直線移動,藉由此透明板42的作用,以沿著垂直於加工進給方向(X軸方向)的透明板42的移動方向(Y軸方向)的方式,液體W的流動會被加速。藉此,產生在雷射光線LB的照射位置的液體W中的氣泡B會被流動至液體室41的下游側,亦即流動至液體排出噴嘴44側並被去除。因此,在使用多面鏡91對晶圓10分散雷射光線LB並照射時,能避免因燒蝕加工產生的氣泡B,並對晶圓10持續照射雷射光線LB。
如上述,藉由雷射光線LB的照射並同時使透明板42往Y1方向直線移動,能實施良好的燒蝕加工。又,若根據本發明實施形態,即使因燒蝕加工產生碎片,液體W仍可持續流動於液體室41內,另外,藉由因透明板42的直線移動使液體W的流動被加速,相同於上述氣泡B,排放至液體W中的碎片可迅速地從產生處被去除。排放至此液體W中的碎片因為被過濾器46迅速地捕捉,所以能防止碎片再度循環於液體室41。又,透明板42之往Y1方向的移動速度係以如後述的速度實施:對於一個分割預定線在從一端部到另一端部施以的雷射加工的時間下,抵達透明板42的終端位置。例如是以抵達如後述的位置的速度實施:透明板42往Y1方向移動,Y2方向側的端部抵達Y2方向側的滾輪52的正下方。因此,透明板42在Y軸方向的尺寸越長,則越能加快往Y1方向的移動速度。
在延長於第一方向的預定的分割預定線實施上述的燒蝕加工後,則藉由Y軸方向移動機構64,使Y軸方向可動構件62在分度進給方向(Y軸方向)移動,並將聚光器86定位在鄰接的未加工的分割預定線的一端部,而實施相同於上述燒蝕加工的雷射加工。另外,透明板42在對於一個分割預定線的雷射加工結束的時間點,係抵達在Y1方向中的終端位置。又,在本發明實施形態,對於一個分割預定線實施雷射加工後,在進行如後述的動作途中,將馬達54的旋轉方向切換為逆轉方向R2,實施將透明板42返回至上述初始位置的回復動作:使聚光器86在分度進給方向(Y軸方向)移動,而定位在鄰接的未加工的分割預定線的一端部。具體而言,聚光器86以如後述的方式控制:在定位於鄰接的未加工的分割預定線的開始加工位置的時間點,透明板42定位在初始位置。由此狀態,對於延長在第一方向的全部分割預定線,實施如後述的動作:實施相同於上述雷射加工的雷射加工。亦即實施如後述的動作:一邊將透明板42往Y1方向直線移動一邊實施燒蝕加工。對延長在第一方向的全部分割預定線實施燒蝕加工後,則藉由將保持台32旋轉90度,對未加工的分割預定線亦實施相同於上述者的雷射加工;其中,未加工的分割預定線垂直於在第一方向延長的分割預定線。如此一來,能對晶圓10上的全部分割預定線實施燒蝕加工。若根據本發明實施形態,自晶圓10的正面產生的氣泡或因雷射加工產生的碎片等係從雷射光線LB的照射位置迅速地被去除,而不會妨礙持續實施的雷射加工,又,還防止碎片附著在加工後的元件等,而不會降低品質。
若根據本發明,並非限定為上述實施形態,只要包含於本發明的技術範圍下提供有各式各樣的變化例。以下,一邊參照圖9一邊針對其他實施形態說明。又,圖9所示的其他實施形態的雷射加工裝置2’在具備支撐透明板42’與透明板42’的輔助滾輪56、57的這點是相異於圖1所示的實施形態,關於其他點則具備相同的構成。因此,在以下的說明係就以上述相異點為中心說明。
圖9所示的雷射加工裝置2’具備封塞液體室41的上方的捲狀的透明板42’,以取代圖1所示的雷射加工裝置2的透明板42。此透明板42’如圖9所示,因為不具有端部而形成為捲狀,所以較佳為由可撓性與耐久性優異的壓克力樹脂形成的透明的薄板所形成。又,殼體22’由垂直壁部221’與水平壁部222’形成,在水平壁部222’形成有使透明板42’通過的透明板通路223。在透明板通路223係具備2個第一輔助滾輪56,其用以一邊夾持透明板42’一邊將透明板42’進給至圖中箭號D所示的方向。又,如圖9所示,在Y軸方向遠離水平壁部222’的前端部的位置,具備2個第二輔助滾輪57,其用以一邊夾持從第一輔助滾輪56進給出的透明板42’一邊進給至液體供給機構40側。另外,在圖中為了說明的方便雖予以省略,惟在水平壁部222’的前端部,配置並保持有可自由旋轉地支撐第二輔助滾輪57的承架等。
若根據上述其他實施形態,透明板42’因為形成為捲狀,所以藉由啟動馬達54使滾輪52往箭號R1所示的方向旋轉,在液體室41上能使透明板42’往Y1方向直線移動,同時藉由第一輔助滾輪56及第二輔助滾輪57能使透明板42’往D方向旋轉。藉此,如圖1所示的實施形態,將馬達54往逆轉方向R2旋轉,而不需將透明板42返回至初始位置的回復動作,而能將透明板42’在液體室41上往Y1所示的方向持續一邊直線移動,一邊對晶圓10上的全部分割預定線施以雷射加工。又,在本發明實施形態,因為透明板42’其往Y1方向的直線移動為連續地實施者,所以相較於圖1所示的實施形態,能加快往Y1方向移動的速度,能更有效地實施氣泡B或碎片等的去除。
在上述實施形態,雖舉出將從雷射震盪器82射出的雷射光線LB藉由多面鏡91分散並導引至聚光透鏡86b的例子,惟本發明並不限定為此,亦可取代多面鏡91,而為固定設置的反射鏡。又,在上述實施形態,雖舉出實施在晶圓10的雷射加工為燒蝕加工的例子,惟此不妨礙本發明可適用於在工件的內部形成改質層的加工(例如記載於專利文獻2的雷射加工)以及形成所謂潛盾型通孔的加工(例如記載於專利文獻3的雷射加工)。
2、2’‧‧‧雷射加工裝置6‧‧‧雷射光線照射單元21‧‧‧基台22‧‧‧殼體222‧‧‧水平壁部30‧‧‧保持單元31‧‧‧保持基台31a‧‧‧上表面32‧‧‧保持台32a‧‧‧吸附卡盤40‧‧‧液體供給機構41‧‧‧液體室41a‧‧‧腔室基部41b‧‧‧底部41c‧‧‧段差部41d‧‧‧圓形開口部41e‧‧‧液體供給口41f‧‧‧液體排出口42、42’‧‧‧透明板43‧‧‧液體供給噴嘴43a‧‧‧供給口43b‧‧‧通路43c‧‧‧排出口43d‧‧‧上表面(滑動面)44‧‧‧液體排出噴嘴44a‧‧‧排出口44b‧‧‧通路44c‧‧‧供給口44d‧‧‧上表面(滑動面)45‧‧‧液體供給幫浦46‧‧‧過濾器47‧‧‧液體貯留槽50‧‧‧直動手段52‧‧‧滾輪54‧‧‧馬達56、57‧‧‧輔助滾輪82‧‧‧雷射震盪器86‧‧‧聚光器88‧‧‧對準單元LB‧‧‧雷射光線
圖1係本發明實施形態的雷射加工裝置的立體圖。 圖2係分解並表示構成圖1所示的雷射加工裝置的液體供給機構之液體室及保持單元之部分的分解立體圖。 圖3係用以說明圖2所示的液體供給機構與保持單元的動作的立體圖。 圖4係圖1所示的雷射加工裝置的雷射光線照射單元的立體圖。 圖5係圖4所示的雷射光線照射單元的分解立體圖。 圖6係表示圖4所示的雷射光線照射單元的光學系統的示意的方塊圖。 圖7(a)係表示藉由圖5所示的雷射光線照射單元實施雷射加工的狀態的立體圖,圖7(b)係部分放大剖面圖。 圖8係用以說明實施圖7所示的雷射加工的狀態的雷射光線照射單元的側視圖。 圖9係本發明其他實施形態的雷射加工裝置的立體圖。
2‧‧‧雷射加工裝置
6‧‧‧雷射光線照射單元
10‧‧‧工件
21‧‧‧基台
22‧‧‧殼體
30‧‧‧保持單元
31‧‧‧保持基台
32‧‧‧保持台
40‧‧‧液體供給機構
41‧‧‧液體室
42‧‧‧透明板
43‧‧‧液體供給噴嘴
44‧‧‧液體排出噴嘴
45‧‧‧液體供給幫浦
46‧‧‧過濾器
47‧‧‧液體貯留槽
48a‧‧‧第一管件
48b‧‧‧第二管件
48c‧‧‧第三管件
50‧‧‧直動部件
52‧‧‧滾輪
54‧‧‧馬達
60‧‧‧導引板
84‧‧‧直角三稜鏡
86‧‧‧聚光器
88‧‧‧對準單元
221‧‧‧垂直壁部
222‧‧‧水平壁部
R1‧‧‧正轉方向
R2‧‧‧逆轉方向
W‧‧‧液體
X‧‧‧X軸方向
Y‧‧‧Y軸方向
Y1‧‧‧方向
Y2‧‧‧方向
Z‧‧‧Z軸方向

Claims (2)

  1. 一種雷射加工裝置,具備:保持單元,係具備將板狀的工件加以保持的保持台;雷射光線照射單元,係對保持在該保持台的工件照射雷射光線並施以加工;以及液體供給機構,係配設在該保持單元的上部;其中,該液體供給機構包含:液體室,係具有與保持在該保持台的工件的上表面之間形成縫隙而定位的透明板;直動機構,係使該透明板在液體室上直線移動;液體供給噴嘴,係從該液體室的一側供給液體至該縫隙;及液體排出噴嘴,係從該液體室的另一側排出液體;該雷射光線照射單元包含:雷射震盪器,係射出雷射光線;及聚光器,係將從該雷射震盪器射出的雷射光線進行聚光,使雷射光線穿透該透明板與供給至該縫隙的液體,並照射至保持在該保持台的工件,在利用該雷射光線照射單元照射雷射光線時,使該透明板往下述的方向直線移動:使該透明板與該工件的該縫隙中的該液體的流動從該液體室的該一側朝向該另一側加速的方向。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之雷射加工裝置,其中,該雷射光線照射單元還包含分散手段,該分散部件將從該雷射震盪器射出的雷射光線分散。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6965094B2 (ja) * 2017-10-17 2021-11-10 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6968659B2 (ja) * 2017-10-25 2021-11-17 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6998177B2 (ja) * 2017-11-02 2022-01-18 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2022077223A (ja) * 2020-11-11 2022-05-23 株式会社ディスコ レーザー加工装置
DE102021104475A1 (de) 2021-02-25 2022-08-25 LIDROTEC GmbH System und Verfahren für die Laserbearbeitung von Werkstücken in Flüssigkeit

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09141484A (ja) * 1995-11-22 1997-06-03 Nikon Corp レーザ加工装置
JP2003245791A (ja) * 2002-02-25 2003-09-02 Sony Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP2007136482A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Denso Corp 半導体基板の分断装置
US20140154871A1 (en) * 2012-11-30 2014-06-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for manufacturing semiconductor device
TW201639652A (zh) * 2015-01-29 2016-11-16 Imra美國公司 雷射式修改透明材料的系統及其方法
TW201700205A (zh) * 2015-04-27 2017-01-01 Disco Corp 雷射加工裝置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4681774A (en) * 1986-01-17 1987-07-21 Halliwell Michael J Laser induced selective electroless plating
JP3275202B2 (ja) * 1996-08-30 2002-04-15 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
US6544590B1 (en) * 2000-01-17 2003-04-08 Canon Kabushiki Kaisha Liquid coating method, apparatus and film-forming method for producing the same employing excess coating removing unit having absorbent fabric on porous structure
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
CN1286146C (zh) * 2001-03-09 2006-11-22 株式会社东芝 电子装置的制造系统
WO2004053953A1 (ja) * 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2004188475A (ja) 2002-12-13 2004-07-08 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法
TW200509205A (en) * 2003-05-23 2005-03-01 Nippon Kogaku Kk Exposure method and device-manufacturing method
US7589822B2 (en) * 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
SG155927A1 (en) * 2004-09-17 2009-10-29 Nikon Corp Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method
CN100533662C (zh) * 2004-11-01 2009-08-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
JP4125315B2 (ja) * 2005-10-11 2008-07-30 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
CN201090929Y (zh) * 2007-09-17 2008-07-23 上海赛科利汽车模具技术应用有限公司 一种液体流动监视器
JP2009117344A (ja) * 2007-10-15 2009-05-28 Sanyo Electric Co Ltd 流体移送装置及びこれを具えた燃料電池
JP2009226287A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Toppan Printing Co Ltd 塗布装置及び分散系塗布液の塗布方法
JP5436917B2 (ja) 2009-04-23 2014-03-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US20110192450A1 (en) * 2010-02-10 2011-08-11 Bing Liu Method for producing nanoparticle solutions based on pulsed laser ablation for fabrication of thin film solar cells
JP2014066861A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Kyocera Corp ラビング装置およびそれを用いたラビング方法
JP6151557B2 (ja) 2013-05-13 2017-06-21 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP6189178B2 (ja) * 2013-10-29 2017-08-30 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2016068149A (ja) 2014-10-02 2016-05-09 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09141484A (ja) * 1995-11-22 1997-06-03 Nikon Corp レーザ加工装置
JP2003245791A (ja) * 2002-02-25 2003-09-02 Sony Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP2007136482A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Denso Corp 半導体基板の分断装置
US20140154871A1 (en) * 2012-11-30 2014-06-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for manufacturing semiconductor device
TW201639652A (zh) * 2015-01-29 2016-11-16 Imra美國公司 雷射式修改透明材料的系統及其方法
TW201700205A (zh) * 2015-04-27 2017-01-01 Disco Corp 雷射加工裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190126397A1 (en) 2019-05-02
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