KR20190049460A - 레이저 가공 장치 - Google Patents

레이저 가공 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190049460A
KR20190049460A KR1020180124338A KR20180124338A KR20190049460A KR 20190049460 A KR20190049460 A KR 20190049460A KR 1020180124338 A KR1020180124338 A KR 1020180124338A KR 20180124338 A KR20180124338 A KR 20180124338A KR 20190049460 A KR20190049460 A KR 20190049460A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
laser beam
transparent plate
laser
axis direction
Prior art date
Application number
KR1020180124338A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102591170B1 (ko
Inventor
게이지 노마루
유지 하다노
마사토시 나유키
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20190049460A publication Critical patent/KR20190049460A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102591170B1 publication Critical patent/KR102591170B1/ko

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/14Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
    • B23K26/142Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor for the removal of by-products
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/04Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
    • B23K26/046Automatically focusing the laser beam
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0665Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by beam condensation on the workpiece, e.g. for focusing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/082Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
    • B23K26/0821Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head using multifaceted mirrors, e.g. polygonal mirror
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0823Devices involving rotation of the workpiece
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/12Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
    • B23K26/1224Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in vacuum
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/14Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
    • B23K26/146Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor the fluid stream containing a liquid
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/359Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by providing a line or line pattern, e.g. a dotted break initiation line
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/362Laser etching
    • B23K26/364Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/38Removing material by boring or cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices
    • B23K2101/40Semiconductor devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting

Abstract

(과제) 본 발명의 과제는, 판상의 피가공물에 대하여 레이저 광선을 조사하여 가공할 때에, 피가공물에 대한 레이저 광선의 조사가 방해받지 않는 레이저 가공 장치를 제공하는 것에 있다.
(해결 수단) 레이저 가공 장치의 유지 유닛의 상부에는 액체 공급 기구 (40) 가 배치 형성되어 있다. 액체 공급 기구 (40) 는, 유지 테이블 (32) 에 유지된 피가공물 (10) 의 상면과의 사이에 간극 (S) 을 형성하여 위치되는 투명판 (42) 을 구비한 액체 챔버 (41) 와, 투명판 (42) 을 액체 챔버 (41) 상에서 직선 이동시키는 직동 기구 (50) 와, 액체 챔버 (41) 의 일방으로부터 간극 (S) 에 액체 (W) 를 공급하는 액체 공급 노즐 (43) 과, 액체 챔버 (41) 의 타방으로부터 액체 (W) 를 배출하는 액체 배출 노즐 (44) 을 포함한다. 레이저 광선 조사 유닛 (6) 은, 레이저 광선 (LB) 을 출사하는 레이저 발진기 (82) 와, 레이저 발진기 (82) 로부터 출사된 레이저 광선 (LB) 을 집광하여 투명판 (42) 과 간극 (S) 에 공급된 액체 (W) 를 투과하여 유지 테이블 (32) 에 유지된 피가공물 (10) 에 조사하는 집광기 (86) 를 포함한다.

Description

레이저 가공 장치{LASER MACHINING APPARATUS}
본 발명은, 판상의 피가공물에 레이저 광선을 조사하여 가공하는 레이저 가공 장치에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 복수의 디바이스가, 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼는, 레이저 가공 장치에 의해 개개의 디바이스 칩으로 분할되고, 분할된 디바이스 칩은 휴대 전화, PC, 조명 기기 등의 전기 기기에 이용된다.
레이저 가공 장치는, 피가공물에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을, 피가공물의 표면에 위치하게 하여 조사하는 어블레이션 가공에 의해 분할의 기점이 되는 홈을 형성하는 타입의 것 (예를 들어, 특허문헌 1 을 참조), 피가공물에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을, 피가공물의 내부에 위치하게 하여 조사하여, 피가공물의 내부에 분할의 기점이 되는 개질층을 형성하는 타입의 것 (예를 들어, 특허문헌 2 를 참조), 피가공물에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을, 피가공물의 내부에 위치하게 하여 조사하여, 피가공물의 표면으로부터 이면에 걸쳐, 분할의 기점이 되는 세공과 그 세공을 둘러싸는 비정질 영역으로 이루어지는 복수의 실드 터널을 형성하는 타입의 것 (예를 들어, 특허문헌 3 을 참조) 이 존재하고, 피가공물의 종류, 가공 정밀도 등에 따라 레이저 가공 장치가 적절히 선택된다.
상기한 레이저 가공 장치 중, 특히 어블레이션 가공을 실시하는 타입에 있어서는, 웨이퍼의 표면에 레이저 광선을 조사했을 때에 발생하는 데브리 (레이저 가공 부스러기) 가, 웨이퍼에 형성된 디바이스의 표면으로 비산하여 부착되어, 디바이스의 품질을 저하시킬 우려가 있는 점에서, 레이저 가공을 실시하기 전에, 웨이퍼의 표면에, 가공에 사용하는 레이저 광선을 투과시키는 액상 수지를 피복하여 데브리의 부착을 방지하고, 레이저 가공을 실시한 후에, 그 액상 수지를 제거하는 것이 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 4 를 참조).
일본 공개특허공보 평10-305420호 일본 특허공보 제3408805호 일본 공개특허공보 2014-221483호 일본 공개특허공보 2004-188475호
특허문헌 4 에 기재된 기술에 의하면, 액상 수지가 피복되어 있음으로써, 디바이스의 표면에 데브리가 부착되는 것을 방지할 수 있어, 가공 품질은 확보된다. 그러나, 액상 수지를 도포하는 공정, 가공 후에 액상 수지를 제거하는 공정이 필요하여, 생산성에 문제가 있다. 또한, 액상 수지는, 반복 이용할 수 없기 때문에, 비경제적이라는 문제도 있다.
또, 웨이퍼를 수몰시킨 상태로 레이저 광선을 조사하여 데브리를 물에 부유시킴으로써 웨이퍼의 표면에 부착되는 것을 방지하는 기술도 제안되어 있다. 그러나, 웨이퍼가 수몰된 상태로 웨이퍼에 대하여 레이저 광선을 조사하는 경우, 웨이퍼의 레이저 광선이 조사된 부위로부터 미세한 거품 (기포) 이 발생하기 때문에, 이 기포에 의해 레이저 광선의 진행이 방해받아, 원하는 가공을 할 수 없다는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 판상의 피가공물에 대하여 레이저 광선을 조사하여 가공할 때에, 피가공물에 대한 레이저 광선의 조사가 방해받지 않는 레이저 가공 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 레이저 가공 장치로서, 판상의 피가공물을 유지하는 유지 테이블을 구비한 유지 유닛과, 그 유지 테이블에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 조사하여 가공을 실시하는 레이저 광선 조사 유닛과, 그 유지 유닛의 상부에 배치 형성된 액체 공급 기구를 구비하고, 그 액체 공급 기구는, 그 유지 테이블에 유지된 피가공물의 상면과의 사이에 간극을 형성하여 위치되는 투명판을 갖는 액체 챔버와, 그 투명판을 액체 챔버 상에서 직선 이동시키는 직동 (直動) 기구와, 그 액체 챔버의 일방으로부터 그 간극에 액체를 공급하는 액체 공급 노즐과, 그 액체 챔버의 타방으로부터 액체를 배출하는 액체 배출 노즐을 포함하고, 그 레이저 광선 조사 유닛은, 레이저 광선을 출사하는 레이저 발진기와, 그 레이저 발진기로부터 출사된 레이저 광선을 집광하여 그 투명판과 그 간극에 공급된 액체를 투과시켜 그 유지 테이블에 유지된 피가공물에 조사하는 집광기를 포함하는 레이저 가공 장치가 제공된다.
바람직하게는, 그 레이저 광선 조사 유닛은, 그 레이저 발진기로부터 출사된 레이저 광선을 분산시키는 분산 수단을 추가로 포함한다.
본 발명에 의하면, 피가공물에 대한 레이저 광선의 조사가 방해받지 않는 레이저 가공 장치가 제공된다. 또, 본 발명을, 어블레이션 가공을 실시하는 레이저 가공 장치에 적용한 경우에는, 웨이퍼의 표면에 액상 수지를 피복하지 않더라도, 레이저 가공시에 발생하는 데브리가 디바이스에 부착되는 것을 억제할 수 있어, 디바이스의 가공 품질이 저하되는 것을 방지한다.
도 1 은, 본 발명 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 2 는, 도 1 에 나타내는 레이저 가공 장치의 액체 공급 기구를 구성하는 액체 챔버, 및 유지 유닛의 일부를 분해하여 나타내는 분해 사시도이다.
도 3 은, 도 2 에 나타내는 액체 공급 기구, 및 유지 유닛의 동작을 설명하기 위한 사시도이다.
도 4 는, 도 1 에 나타내는 레이저 가공 장치의 레이저 광선 조사 유닛의 사시도이다.
도 5 는, 도 4 에 나타내는 레이저 광선 조사 유닛의 분해 사시도이다.
도 6 은, 도 4 에 나타내는 레이저 광선 조사 유닛의 광학계의 개략을 나타내는 블록도이다.
도 7 은, 도 5 에 나타내는 레이저 광선 조사 유닛에 의해 레이저 가공이 실시되는 상태를 나타내는 (a) 사시도, 및 (b) 일부 확대 단면도이다.
도 8 은, 도 7 에 나타내는 레이저 가공이 실시되는 상태를 설명하기 위한 레이저 광선 조사 유닛의 측면도이다.
도 9 는, 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치의 사시도이다.
이하, 본 발명에 기초한 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치에 대해, 첨부 도면을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.
도 1 에는, 본 실시형태의 레이저 가공 장치 (2) 의 사시도가 나타나 있다. 레이저 가공 장치 (2) 는, 기대 (基臺) (21) 와, 기대 (21) 상에 배치되는 피가공물을 유지하는 유지 유닛 (30) 과, 기대 (21) 상의 유지 유닛 (30) 의 측방에 화살표 Z 로 나타내는 Z 방향으로 세워서 형성되는 수직 벽부 (221), 및 수직 벽부 (221) 의 상단부로부터 수평 방향으로 연장되는 수평 벽부 (222) 로 이루어지는 프레임체 (22) 와, 유지 유닛 (30) 의 상부에 배치 형성되는 액체 공급 기구 (40) 와, 수평 벽부 (222) 의 하면에 배치 형성되는 레이저 광선 조사 유닛 (6) 을 구비하고 있다.
도 2 는, 유지 유닛 (30), 액체 공급 기구 (40) 를 구성하는 액체 챔버 (41), 액체 공급 노즐 (43), 및 액체 배출 노즐 (44) 의 각 구성을 분해하여 나타내는 분해도이며, 각 구성에 대해 이하에 설명한다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 유지 유닛 (30) 은, 기대 (21) 상에 고정되는 직방체상의 유지 기대 (31) 와, 유지 기대 (31) 의 상면 (31a) 에 배치 형성되는 원형의 유지 테이블 (32) 을 구비한다. 유지 테이블 (32) 은, 도시되지 않은 회동 (回動) 기구에 의해 회전하는 것이 가능하게 구성되어 있다. 유지 테이블 (32) 의 중앙 영역은, 통기성을 갖는 재질, 예를 들어 포러스 세라믹스에 의해 구성되는 원형의 흡착 척 (32a) 으로 이루어진다. 흡착 척 (32a) 은, 도시되지 않은 흡인원에 접속되고, 흡착 척 (32a) 에 재치 (載置) 되는 판상의 피가공물을 흡인 유지한다.
유지 유닛 (30) 의 상부에는, 도면에 나타내는 액체 공급 기구 (40) 가 배치 형성된다. 구체적으로는, 유지 기대 (31) 의 상면 (31a) 에, 액체 공급 기구 (40) 를 구성하는 액체 챔버 (41) 가 재치되어 고정된다. 액체 챔버 (41) 는, 판상의 챔버 기부 (41a) 와, 챔버 기부 (41a) 의 상방을 폐색하는 평면에서 보아 사각형상의 투명판 (42) 을 구비하고 있다. 투명판 (42) 은, 후술하는 레이저 광선 (LB) 을 투과하는 투명 부재, 예를 들어, 유리로 형성된다. 챔버 기부 (41a) 는, 평면에서 보아 사각형상을 이루는 바닥부 (41b) 와, 바닥부 (41b) 의 X 축 방향의 양 단부에 Y 축 방향을 따라 형성된 단차부 (41c, 41c) 를 구비하고 있다. 바닥부 (41b) 의 중앙에는, 유지 테이블 (32) 보다 약간 큰 치수로 형성된 상하로 관통하는 원형 개구부 (41d) 가 형성되어 있다. 원형 개구부 (41d) 는, 챔버 기부 (41a) 를 유지 기대 (31) 상에 설치했을 때에, 유지 테이블 (32) 이 원형 개구부 (41d) 에 위치되도록 설정된다. 단차부 (41c, 41c) 사이의 치수는, 투명판 (42) 의 X 축 방향의 치수에 대하여 약간 큰 치수로 형성되어 있다. 단차부 (41c, 41c) 에 투명판 (42) 을 재치함으로써, 투명판 (42) 에 의해 챔버 기부 (41a) 의 상방이 폐색됨과 함께, 바닥부 (41b) 와 투명판 (42) 사이에는, 소정의 간격이 형성된다. 또, 단차부 (41c, 41c) 에 재치되는 투명판 (42) 은, 단차부 (41c, 41c) 에 의해 X 축 방향으로의 이동이 규제되고, Y 축 방향으로의 이동이 가이드된다. 단차부 (41c, 41c) 의 표면에는 불소 코팅이 실시되어, 투명판 (42) 이 단차부 (41c, 41c) 상을 슬라이딩할 때의 마찰 저항을 저감시키고, 마모 등도 방지할 수 있다. 챔버 기부 (41a) 의 바닥부 (41b) 의 Y 축 방향에 있어서의 양 단부에는, 상기한 바와 같은 단차부가 형성되지 않고, 투명판 (42) 이 재치됨으로써, Y 축 방향에 있어서 액체가 공급되는 액체 공급구 (41e) 와, 액체가 배출되는 액체 배출구 (41f) 가 형성된다. 또한, 본 실시형태에서는, 투명판 (42) 을 유리판으로 형성하였지만, 이것에 한정되지 않고, 레이저 광선 (LB) 을 투과하는 투명한 판이면 되고, 예를 들어, 아크릴 등의 수지제의 판이어도 된다.
챔버 기부 (41a) 의 액체 공급구 (41e) 에는, 액체 챔버 (41) 에 액체를 공급하기 위한 액체 공급 노즐 (43) 이 연결된다. 또, 챔버 기부 (41a) 의 액체 배출구 (41f) 에는, 액체 챔버 (41) 로부터 액체를 배출하기 위한 액체 배출 노즐 (44) 이 연결된다.
액체 공급 노즐 (43) 에는, 액체가 공급되는 공급구 (43a) 와, 공급구 (43a) 로부터 공급된 액체가 통과하는 통로 (43b) 와, 통로 (43b) 를 통과한 액체가 배출되는 배출구 (43c) 가 구비된다. 또, 액체 공급 노즐 (43) 의 상면 (43d) 에는 불소 코팅이 실시된다. 도면 중 점선으로 나타내는 바와 같이, 공급구 (43a) 는, 액체 공급 노즐 (43) 의 하면에 배치 형성되고, 통로 (43b) 는, 액체 공급 노즐 (43) 내부에 형성되고, 배출구 (43c) 는, 액체 챔버 (41) 의 액체 공급구 (41e) 와 대향하는 위치에 형성된다. 액체 챔버 (41) 에 대하여 액체 공급 노즐 (43) 을 연결함으로써, 액체 공급 노즐 (43) 의 배출구 (43c) 와, 액체 챔버 (41) 의 액체 공급구 (41e) 가 연통된 상태가 된다.
액체 배출 노즐 (44) 은, 액체 공급 노즐 (43) 과 동일 형상으로 구성되어 있고, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 액체 배출 노즐 (44) 에는, 액체가 공급되는 공급구 (44c) 와, 공급구 (44c) 로부터 공급된 액체가 통과하는 통로 (44b) 와, 통로 (44b) 를 통과한 액체가 배출되는 배출구 (44a) 가 구비되고, 액체 공급 노즐 (43) 과 마찬가지로, 상면 (44d) 에는, 불소 코팅이 실시된다. 또한, 도 2 에서는, 불소 코팅을 실시하고 있는 부위에는 사선을 그었다. 도면 중 점선으로 나타내는 바와 같이, 액체 배출 노즐 (44) 의 공급구 (44c) 는, 액체 챔버 (41) 의 액체 배출구 (41f) 와 대향하는 위치에 형성되고, 통로 (44b) 는 액체 배출 노즐 (44) 의 내부에 형성되고, 배출구 (44a) 는, 액체 챔버 (41) 의 하면에 배치 형성된다.
액체 챔버 (41) 에 대하여 액체 공급 노즐 (43), 및 액체 배출 노즐 (44) 을 연결함으로써, 액체 챔버 (41) 를 통해, 액체 공급 노즐 (43) 의 공급구 (43a) 와, 액체 배출 노즐 (44) 의 배출구 (44a) 가 연통된 상태가 된다. 또, 액체 챔버 (41) 에 대하여 액체 공급 노즐 (43), 및 액체 배출 노즐 (44) 을 연결할 때에는, 액체 챔버 (41) 의 단차부 (41c, 41c) 와, 액체 공급 노즐 (43) 의 상면 (43d), 및 액체 배출 노즐 (44) 의 상면부 (44d) 는, 동일한 높이가 되도록 설정된다.
투명판 (42) 은, 상기한 바와 같이 사각형상이며, Y 축 방향의 치수는, 액체 공급 노즐 (43), 액체 챔버 (41), 및 액체 배출 노즐 (44) 을 연결한 상태의 Y 축 방향의 총 치수보다 크게 설정된다. 또, 투명판 (42) 의 X 축 방향의 치수는, 적어도 유지 테이블 (32) 에 유지되는 피가공물의 X 축 방향의 치수보다 큰 치수로 설정되고, 바람직하게는, 유지 테이블 (32) 의 직경보다 크게 설정된다. 이와 같이 구성함으로써, 투명판 (42) 은, 유지 테이블 (32) 전체를 상방으로부터 덮을 수 있다.
본 실시형태의 액체 공급 기구 (40) 는, 투명판 (42) 을 액체 챔버 (41) 상에서 Y 축 방향을 따라 직선 이동시키는 직동 수단 (50) 을 구비하고 있다. 직동 수단 (50) 은, 두 개의 롤러 (52, 52) 와, 각 롤러 (52, 52) 를 회전 구동하는 모터 (54, 54) 를 구비한다. 두 개의 롤러 (52, 52) 는, Y 축 방향으로 소정의 간격, 예를 들어, 액체 챔버 (41) 의 Y 축 방향의 치수보다 큰 간격을 두고, X 축 방향을 따라 평행하게 배치 형성된다. 롤러 (52) 의 표면은, 우레탄 고무 등의 탄력성이 있고 투명판 (42) 에 대하여 잘 미끄러지지 않는 소재로 형성되는 것이 바람직하다. 또, 롤러 (52) 의 일단부는, 모터 (54) 의 출력축에 접속되고, 롤러 (52) 의 타단부는, 도시되지 않은 고정부에 자유롭게 회전할 수 있도록 지지되도록 구성되는 것이 바람직하다. 두 개의 롤러 (52, 52) 는, 설치한 상태로, 투명판 (42) 을 가압하고, 두 개의 모터 (54, 54) 의 출력축을 동일한 방향으로 회전시킴으로써, Y 축 방향으로 직선 이동시킬 수 있다. 또한, 모터 (54) 는 반드시 두 개의 롤러 (52, 52) 에 배치 형성하는 것에 한정되지 않고, 1 개의 모터를 일방의 롤러 (52) 에만 접속하고, 타방의 롤러 (52) 와 벨트로 연결하거나 하여 롤러 (52, 52) 를 동시에 회전 구동시켜도 된다. 또, 롤러 (52) 의 수, 치수, 및 배치 형성 위치 등은 본 실시형태의 실시양태에 한정되지 않고, 투명판 (42) 의 재질, 치수 등에 따라 적절히 변경할 수 있다.
또한, 도 2 에 나타내는 액체 공급 기구 (40) 를, 유지 유닛 (30) 의 상부에 장착한 상태를 나타내는 도 3 을 참조하면서, 액체 공급 기구 (40), 및 액체 공급 기구 (40) 의 주변 구성에 대해 설명한다. 도 3 에서는, 유지 테이블 (32) 에, 판상의 피가공물로서 디바이스가 표면에 형성된 웨이퍼 (10) 를 흡인 유지시킨 상태를 나타내고 있다. 유지 기대 (31) 의 상면 (31a) 에 액체 챔버 (41) 가 재치됨으로써, 유지 테이블 (32) 의 상방에 챔버 기부 (41a) 의 원형 개구부 (41d) 가 위치된다. 그리고, 유지 테이블 (32) 에 흡인 유지된 웨이퍼 (10) 의 표면이, 원형 개구부 (41d) 에 노출되고, 액체 챔버 (41) 의 바닥부 (41b) 와 대략 면일해진다. 본 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치 (2) 는, 액체 공급 기구 (40) 내에서 액체가 항상 순환하도록, 액체 공급 펌프 (45), 여과 필터 (46), 및 액체 저류 탱크 (47) 를 구비하고 있다. 액체 저류 탱크 (47) 는, 여과 필터 (46) 에 직접 배치 형성되어 있다. 액체 공급 펌프 (45) 와 액체 공급 노즐 (43) 은, 제 1 호스 (48a) 에 의해 접속되고, 액체 배출 노즐 (44) 과 여과 필터 (46) 는, 제 2 호스 (48b) 에 의해 접속되고, 여과 필터 (46) 와 액체 공급 펌프 (45) 는, 제 3 호스 (48c) 에 의해 접속된다. 각 호스 (48a ∼ 48c) 는, 수지제의 플렉시블 호스로 형성되어 있다.
액체 공급 펌프 (45) 로부터는, 레이저 광선 (LB) 이 투과하는 액체 (W), 예를 들어 순수가 토출된다. 액체 (W) 는, 제 1 호스 (48a), 및 액체 공급 노즐 (43) 을 통해 액체 챔버 (41) 에 공급되고, 액체 챔버 (41) 에 공급된 액체 (W) 는, 투명판 (42) 과 웨이퍼 (10) 의 표면 사이를 통과하여, 액체 배출 노즐 (44) 을 통해 배출된다. 그리고, 액체 배출 노즐 (44) 로부터 배출된 액체 (W) 는, 여과 필터 (46) 로 유도되어 여과되고, 액체 공급 펌프 (45) 에 되돌려진다. 본 실시형태의 액체 공급 기구 (40) 에 있어서는, 액체 챔버 (41) 의 챔버 기부 (41a) 와, 투명판 (42) 사이에 있어서의 간극 등으로부터 서서히 액체 (W) 가 누출되는 것이 허용되지만, 누출된 액체 (W) 를 기대 (21) 상의 도시되지 않은 회수 경로에 의해 회수하여, 여과 필터 (46) 에 환류시키도록 해도 된다. 또, 상기한 누출에 의해 액체 (W) 가 감소하는 경우에는, 액체 저류 탱크 (47) 로부터 적절히 보충하면 된다. 또한, 액체 저류 탱크 (47) 는, 여과 필터 (46) 에 직접 부착되어 있고, 여과 필터 (46) 로 유도된 액체 (W) 에 포함되는 기포를 배출하는 기능을 구비하고 있다.
이상과 같은 구성에 의해, 액체 (W) 는, 액체 공급 기구 (40), 액체 공급 펌프 (45), 여과 필터 (46), 및 액체 저류 탱크 (47) 에 있어서 순환된다. 액체 챔버 (41) 를 흐르는 액체 (W) 의 유량은, 액체 공급 펌프 (45) 의 압송 효율을 조정하거나, 액체 챔버 (41) 의 용적을 변경하거나, 액체 공급구 (41e), 및 액체 배출구 (41f) 의 개구 면적을 조정하거나 함으로써 조정할 수 있고, 소정의 유량이 되도록 조정되어 있다.
상기한 바와 같이, 롤러 (52, 52) 에는, 모터 (54, 54) 가 연결되어 있고, 모터 (54, 54) 를 회전시킴으로써, 투명판 (42) 을 액체 챔버 (41) 상에서 Y 축 방향으로 직선 이동시킬 수 있다. 특히, 본 실시형태에서는, 레이저 가공 장치 (2) 의 도시되지 않은 제어 수단에 의해, 모터 (54, 54) 의 회전 방향을 도 3 에 화살표 R1 로 나타내는 정회전 방향과, 화살표 R2 로 나타내는 역전 방향으로 전환할 수 있도록 구성되어 있다. 모터 (54, 54) 를 정회전 방향 (R1) 으로 회전시킴으로써, 투명판 (42) 은, 화살표 Y1 로 나타내는 방향으로 이동된다. 또, 모터 (54, 54) 를 역전 방향 (R2) 으로 회전시킴으로써, 투명판 (42) 은, 화살표 Y2 로 나타내는 방향으로 이동된다.
다음으로, 도 1, 도 4 및 도 5 를 참조하면서, 레이저 광선 조사 유닛 (6) 에 대해 설명한다. 또한, 도 5 는, 도 4 에 나타내는 레이저 광선 조사 유닛 (6) 의 분해 사시도이다.
레이저 광선 조사 유닛 (6) 은, 프레임체 (22) 의 수평 벽부 (222) 의 하면에 도시되지 않은 고정 수단에 의해 고정되는 안내판 (60) 과, 안내판 (60) 에 Y 축 방향에 있어서 자유롭게 이동할 수 있도록 지지된 Y 축 방향 가동 부재 (62) 와, Y 축 방향 가동 부재 (62) 를 Y 축 방향으로 이동시키는 Y 축 방향 이동 기구 (64) 를 포함한다. 안내판 (60) 의 X 축 방향 양단 하부에는, Y 축 방향으로 연장되는 1 쌍의 안내 레일 (60a) 이 형성되어 있다. 도 4, 및 도 5 에 나타내는 바와 같이, Y 축 방향 가동 부재 (62) 는, X 축 방향으로 간격을 두고 배치된 1 쌍의 피안내부 (66) 와, 피안내부 (66) 의 하단 사이에 걸쳐져 X 축 방향으로 연장되는 장착부 (68) 를 갖는다. 각 피안내부 (66) 의 상부에는, Y 축 방향으로 연장되는 피안내 레일 (66a) 이 형성되어 있다. 피안내부 (66) 의 피안내 레일 (66a) 과 안내판 (60) 의 안내 레일 (60a) 이 걸어맞춰짐으로써, Y 축 방향 가동 부재 (62) 는, Y 축 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 안내판 (60) 에 지지된다. 또, 장착부 (68) 의 Y 축 방향 양단 하부에는, X 축 방향으로 연장되는 1 쌍의 안내 레일 (68a) 이 형성되어 있다. Y 축 방향 이동 기구 (64) 는, 안내판 (60) 의 하방에 있어서 Y 축 방향으로 연장되는 볼 나사 (70) 와, 볼 나사 (70) 의 편단부에 연결된 모터 (72) 를 갖는다. 볼 나사 (70) 의 문형 (門型) 형상의 너트부 (70a) 는, 장착부 (68) 의 상면에 고정되어 있다. 볼 나사 (70) 의 모터 (72) 가 연결되지 않는 다른 일방의 편단부는, 너트부 (70a) 에 나사 결합된 후, 안내판 (60) 의 전방 가장자리부에 형성된 지지편부 (60b) 에 자유롭게 회전할 수 있도록 지지된다. 그리고, Y 축 방향 이동 기구 (64) 는, 볼 나사 (70) 에 의해 모터 (72) 의 회전 운동을 직선 운동으로 변환하여 Y 축 방향 가동 부재 (62) 에 전달하고, 안내판 (60) 의 안내 레일 (60a) 을 따라 Y 축 방향 가동 부재 (62) 를 Y 축 방향으로 이동시킨다.
도 5 를 참조하면서, 레이저 광선 조사 유닛 (6) 의 설명을 계속한다. 레이저 광선 조사 유닛 (6) 은, 또한, X 축 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 Y 축 방향 가동 부재 (62) 의 장착부 (68) 에 장착된 X 축 방향 가동판 (74) 과, X 축 방향 가동판 (74) 을 X 축 방향으로 이동시키는 X 축 방향 이동 기구 (76) 를 포함한다. X 축 방향 가동판 (74) 의 Y 축 방향 양 단부와 장착부 (68) 의 안내 레일 (68a) 이 걸어맞춰짐으로써, X 축 방향 가동판 (74) 은 X 축 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 장착부 (68) 에 장착된다. X 축 방향 이동 기구 (76) 는, 장착부 (68) 의 상방에 있어서, X 축 방향으로 연장되는 볼 나사 (78) 와, 볼 나사 (78) 의 편단부에 연결되고 일방의 피안내부 (66) 에 지지된 모터 (80) 를 갖는다. 볼 나사 (78) 의 너트부 (78a) 는, 장착부 (68) 의 개구 (68b) 를 통과하여 X 축 방향 가동판 (74) 의 상면에 고정된다. 볼 나사 (78) 의 모터 (80) 가 연결되지 않는 다른 일방의 편단부는, 모터 (80) 가 고정되지 않는 타방의 피안내부 (66) 에 자유롭게 회전할 수 있도록 지지된다. 그리고, X 축 방향 이동 기구 (76) 는, 볼 나사 (78) 에 의해 모터 (80) 의 회전 운동을 직선 운동으로 변환하여 X 축 방향 가동판 (74) 에 전달하고, 장착부 (68) 의 안내 레일 (68a) 을 따라 X 축 방향 가동판 (74) 을 X 방향으로 이동시킨다.
또한, 도 5 ∼ 도 8 을 참조하면서, 레이저 광선 조사 유닛 (6) 의 광학계의 구성에 대해 설명한다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, 레이저 광선 조사 유닛 (6) 은, 프레임체 (22) 의 수평 벽부 (222) 에 내장되고 펄스상의 레이저 광선 (LB) 을 출사하는 레이저 발진기 (82) 와, 레이저 발진기 (82) 로부터 출사된 레이저 광선 (LB) 의 출력을 조정하는 어테뉴에이터 (도시는 생략한다) 와, 레이저 발진기 (82) 와 Y 축 방향으로 간격을 두고 Y 축 방향 가동 부재 (62) 의 장착부 (68) 의 하면에 장착된 직각 프리즘 미러 (84) 와, X 축 방향 가동판 (74) 의 하면에 Z 축 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 장착된 집광기 (86) 와, 집광기 (86) 를 Z 축 방향으로 이동시켜 집광기 (86) 의 집광점의 Z 축 방향을 조정하는 집광점 위치 조정 수단 (도시는 생략한다) 을 포함한다. 레이저 발진기 (82) 는, 예를 들어, 피가공물에 대하여 흡수성을 갖는 파장 (예를 들어, 355 ㎚) 의 레이저를 발진하도록 되어 있다. 도 6 에 나타내는 바와 같이, 레이저 발진기 (82) 로부터 Y 축 방향으로 조사된 레이저 광선 (LB) 은, 직각 프리즘 미러 (84) 에 의해 90 도 진행 방향이 변환되어, 집광기 (86) 로 유도된다.
도 7(a) 에 나타내는 바와 같이, 집광기 (86) 의 상부 하우징 (86a) 의 내부에는, 상부 하우징 (86a) 의 일부를 절결하여 나타내는 바와 같이, 레이저 발진기 (82) 가 발진한 레이저 광선 (LB) 을 분산시키는 분산 수단으로서의 폴리곤 미러 (91) 및 폴리곤 미러 (91) 를 화살표 R3 으로 나타내는 방향으로 고속 회전시키는 모터 (92) 와, 레이저 광선 (LB) 을 집광하여 피가공물에 조사하는 집광 렌즈 (fθ렌즈) (86b) 를 구비하고 있다. 집광기 (86) 로부터 조사되는 레이저 광선 (LB) 은, 투명판 (42), 액체 (W) 를 통해 웨이퍼 (10) 의 피가공 부위인 분할 예정 라인에 조사된다. 도 7(b) 에 나타내는 일부 확대 단면도로부터 이해되는 바와 같이, 투명판 (42) 과 웨이퍼 (10) 사이에는, 0.5 ㎜ ∼ 2.0 ㎜ 의 간극 (S) 이 형성되어 있다. 그리고, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 폴리곤 미러 (91) 는, 복수 장의 미러 (M) 가, 폴리곤 미러 (91) 의 회전축에 대하여 동심상으로 배치되어 있다. fθ 렌즈 (86b) 는, 상기한 폴리곤 미러 (91) 의 하방에 위치하고 있고, 레이저 광선 (LB) 을 집광하여 유지 테이블 (32) 상의 피가공물에 조사한다. fθ 렌즈에는, 직각 프리즘 미러 (84) 로부터 유도된 레이저 광선 (LB) 이, 회전하는 미러 (M) 에 의해 X 축 방향으로 그 조사 방향이 분산되도록 유도되고, 피가공물 상에 있어서, X 축 방향의 소정 범위에 분산되어 조사된다.
도 5 로 돌아와 설명을 계속하면, X 축 방향 가동판 (74) 의 하면에는, 집광기 (86) 와 함께, 집광기 (86) 와 X 축 방향으로 간격을 두고 장착된 얼라인먼트 유닛 (88) 이 배치 형성되어 있다. 얼라인먼트 유닛 (88) 은, 유지 테이블 (32) 에 유지되는 피가공물을 촬상하여 레이저 가공해야 하는 영역을 검출하도록 되어 있다. 또한, 레이저 광선 조사 유닛 (6) 은, 도시되지 않은 집광점 위치 조정 수단을 구비하고 있다. 집광점 위치 조정 수단의 구체적인 구성의 도시는 생략하지만, 예를 들어, 너트부가 집광기 (86) 에 고정되고 Z 축 방향으로 연장되는 볼 나사와, 이 볼 나사의 편단부에 연결된 모터를 갖는 구성이면 된다. 이와 같은 구성에 의해 모터의 회전 운동을 직선 운동으로 변환하여, Z 축 방향으로 배치 형성되는 안내 레일 (도시는 생략한다) 을 따라 집광기 (86) 를 이동시키고, 이로써, 집광기 (86) 에 의해 집광되는 레이저 광선 (LB) 의 집광점의 Z 축 방향의 위치를 조정한다.
본 발명의 레이저 가공 장치 (2) 는, 대체로 상기한 바와 같은 구성을 구비하고 있고, 그 작용에 대해 이하에 설명한다.
도 1 을 참조하면서 설명한다. 먼저, 본 실시형태에서 판상의 피가공물이 되는, 표면에 디바이스가 형성된 실리콘 (Si) 으로 이루어지는 웨이퍼 (10) 를 준비한다. 웨이퍼 (10) 를 준비하였다면, 도 1 에 나타내는 투명판 (42) 을 떼어내어, 액체 챔버 (41) 의 상방을 개방하고, 유지 테이블 (32) 상에 디바이스가 형성된 표면을 위로 하여 웨이퍼 (10) 를 재치한다. 웨이퍼 (10) 를 재치하였다면, 도시되지 않은 흡인원을 작동시켜, 유지 테이블 (32) 의 흡착 척 (32a) 에 흡인력을 생성하고, 웨이퍼 (10) 를 흡착하여 유지시킨다. 웨이퍼 (10) 를 유지 테이블 (32) 에 유지하였다면, 투명판 (42) 을 액체 챔버 (41) 상에 다시 세트하여 액체 챔버 (41) 상을 폐색된 상태로 한다.
웨이퍼 (10) 를 유지 테이블 (32) 에 유지하고, 투명판 (42) 에 의해 액체 챔버 (41) 의 상방을 폐색하였다면, 액체 저류 탱크 (47) 에 대하여 충분한 액체 (W) 를 보충하여, 액체 공급 펌프 (45) 를 작동한다. 액체 공급 펌프 (45) 의 작동을 개시하고, 소정 시간 경과함으로써, 액체 챔버 (41) 로부터 공기 등이 빠지고, 액체 챔버 (41) 내가 액체 (W) 로 채워져, 액체 (W) 가 액체 공급 기구 (40) 내부를 안정적으로 순환하는 상태가 된다.
액체 공급 기구 (40) 내를 액체 (W) 가 안정적으로 순환하고 있는 상태로, 레이저 광선 조사 유닛 (6) 의 X 축 방향 이동 기구 (76) 에 의해 X 축 방향 가동판 (74) 을 이동시킴과 함께, Y 축 방향 이동 기구 (64) 에 의해 Y 축 방향 가동 부재 (62) 를 Y 축 방향으로 이동시키고 (도 4, 및 도 5 를 참조), 얼라인먼트 유닛 (88) 을, 웨이퍼 (10) 의 상방에 위치하게 한다. 투명판 (42) 은, 상기한 바와 같이, 유지 테이블 (32) 전체를 상방으로부터 덮도록 배치 형성되어 있는 점에서, 얼라인먼트 유닛 (88) 은, 웨이퍼 (10) 상의 디바이스를 포함하는 모든 영역을 파악하는 것이 가능하다. 얼라인먼트 유닛 (88) 을 웨이퍼 (10) 의 상방에 위치하게 하였다면, 얼라인먼트 유닛 (88) 에 의해 웨이퍼 (10) 를 촬상한다. 이 때, 웨이퍼 (10) 는, 투명판 (42), 및 액체 (W) 를 통해 촬상된다. 이어서, 얼라인먼트 유닛 (88) 에 의해 촬상된 웨이퍼 (10) 의 화상 정보에 기초하여, 웨이퍼 (10) 와, 집광기 (86) 의 위치 맞춤을 실시한다. 이 위치 맞춤 후에, 유지 테이블 (32) 을 회전시키고, 또한, X 축 방향 이동 기구 (76) 에 의해 X 축 방향 가동판 (74) 을 이동시킴과 함께, Y 축 방향 이동 기구 (64) 에 의해 Y 축 방향 가동 부재 (62) 를 이동시킴으로써, 웨이퍼 (10) 상에 격자상으로 형성된 분할 예정 라인이 X 축 방향을 따라 위치되어지고, 분할 예정 라인의 편단부, 즉, 레이저 광선의 조사 개시 위치에 집광기 (86) 가 위치되어진다. 이어서, 도시되지 않은 집광점 위치 조정 수단에 의해 집광기 (86) 를 Z 축 방향으로 이동시켜, 웨이퍼 (10) 의 분할 예정 라인에 있어서의 편단부의 표면 높이에 집광점을 위치하게 한다.
집광기 (86) 를 Z 축 방향으로 이동시켜, 집광점 위치를 웨이퍼 (10) 의 표면 높이에 위치하게 하였다면, 레이저 가공을 개시하기 전에, 투명판 (42) 을 초기 위치로 이동시킨다. 이 투명판 (42) 의 초기 위치란, 구체적으로는, 투명판 (42) 을, 화살표 Y2 로 나타내는 Y2 방향으로 가장 이동시킨 위치로서, 예를 들어, 액체 배출 노즐 (44) 측에 설치된 롤러 (52) 의 바로 아래에 투명판 (42) 의 단부가 위치되는 상태이다. 투명판 (42) 을 이 초기 위치에 정지시키는 수단으로는, Y2 방향으로 스토퍼 등을 배치 형성하고, 그 스토퍼에 투명판 (42) 의 단부를 맞닿음시킴으로써 Y2 방향에 있어서의 투명판 (42) 의 이동을 초기 위치에서 규제할 수 있다.
투명판 (42) 이, 상기한 초기 위치로 이동되었다면, 레이저 가공을 개시한다. 보다 구체적으로는, 도시되지 않은 제어 수단에 의해, 레이저 광선 조사 유닛 (6) 에 대하여, 레이저 광선 (LB) 의 조사의 개시가 지시된다. 레이저 광선 (LB) 의 조사의 개시가 지시되었다면, 도 7, 도 8 에 기초하여 설명한 바와 같이, 폴리곤 미러 (91) 를 모터 (92) 에 의해 적절한 회전 속도로 회전시킨다. 폴리곤 미러 (91) 를 구성하는 미러 (M) 의 위치가 폴리곤 미러 (91) 의 회전과 함께 변화함으로써, 웨이퍼 (10) 에 대하여 레이저 광선 (LB) 이 X 축 방향으로 분산되어 조사된다. 소정의 미러 (M) 에 레이저 광선 (LB) 이 조사된 후에는, 폴리곤 미러 (91) 의 회전 방향 (R3) 에 있어서의 하류측의 다른 미러 (M) 에 레이저 광선 (LB) 이 조사되고, 상기와 마찬가지로 웨이퍼 (10) 에 대하여 레이저 광선 (LB) 이 분산되어 조사된다. 레이저 발진기 (82) 로부터 레이저 광선 (LB) 이 발진되고, 폴리곤 미러 (91) 가 회전하고 있는 동안, 이와 같은 레이저 가공이 반복되어진다. 또한, 폴리곤 미러 (91) 를 구성하는 미러 (M) 의 장수, 폴리곤 미러 (91) 의 회전 속도 등은, 피가공물에 따라 적절히 결정된다.
상기한 레이저 가공 장치 (2) 에 있어서의 레이저 가공 조건은, 예를 들어, 이하의 가공 조건으로 실시할 수 있다.
레이저 광선의 파장 : 226 ㎚, 355 ㎚, 532 ㎚, 1064 ㎚
평균 출력 : 10 ∼ 100 W
반복 주파수 : 0 ∼ 300 ㎒
펄스 폭 : 50 fs ∼ 1 ns
가공 이송 속도 : 10 ∼ 1000 ㎜/s
레이저 광선 (LB) 의 조사가 개시되었다면, X 축 방향 이동 기구 (76) 에 의해 X 축 방향 가동판 (74) 과 함께 집광기 (86) 를 X 축 방향에 대하여 소정의 이동 속도로 이동시킨다. 이 레이저 광선 (LB) 의 조사의 개시시에, 레이저 광선 (LB) 의 조사의 개시보다 조금 전에, 모터 (54, 54) 를 정회전 방향 (R1) 으로 회전시켜 롤러 (52, 52) 를 회전시켜서 투명판 (42) 을 화살표 Y1 로 나타내는 Y1 방향으로 이동을 개시시킨다. 이 레이저 가공을 실시하고 있는 상태를 도 7(b) 에 기초하여 설명한다. 또한, 도 7(b) 는, 투명판 (42) 과, 웨이퍼 (10) 의 일부를 확대한 개략 단면도로, 지면에 수직인 방향이 X 축 방향이고, 좌우 방향이 Y 축 방향이다. 상기한 바와 같이, 웨이퍼 (10) 의 표면에 대하여 레이저 광선 (LB) 이 조사되고 어블레이션 가공이 실시되면, 레이저 광선 (LB) 이 조사된 위치로부터 기포 (B) 가 발생한다. 여기서, 도 7(b) 에 나타내는 바와 같이, 투명판 (42) 은, 직동 수단 (50) 의 작용에 의해 Y1 방향으로 직선 이동되고 있고, 이 투명판 (42) 의 작용에 의해, 가공 이송되는 방향 (X 축 방향) 과 직교하는 투명판 (42) 의 이동 방향 (Y 축 방향) 을 따르도록 액체 (W) 의 흐름이 가속된다. 이로써, 레이저 광선 (LB) 의 조사 위치의 액체 (W) 중에 발생한 기포 (B) 는, 액체 챔버 (41) 의 하류측, 즉, 액체 배출 노즐 (44) 측으로 흘러 제거된다. 따라서, 폴리곤 미러 (91) 를 사용하여 웨이퍼 (10) 에 대하여 레이저 광선 (LB) 을 분산시켜 조사하는 경우에 있어서, 어블레이션 가공에 의해 발생하는 기포 (B) 를 피해 웨이퍼 (10) 에 레이저 광선 (LB) 을 계속해서 조사할 수 있다.
상기한 바와 같이, 레이저 광선 (LB) 의 조사와 함께, 투명판 (42) 을 Y1 방향으로 직선 이동시킴으로써, 양호한 어블레이션 가공을 실시할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 의하면, 어블레이션 가공에 의해 데브리가 발생하더라도, 액체 챔버 (41) 내를 액체 (W) 가 계속해서 흐르고, 또한 투명판 (42) 의 직선 이동에 의해 액체 (W) 의 흐름이 가속됨으로써, 상기한 기포 (B) 와 마찬가지로 액체 (W) 중에 방출된 데브리가 신속하게 발생 지점으로부터 제거된다. 이 액체 (W) 중에 방출된 데브리는, 여과 필터 (46) 에 의해 신속하게 포착되기 때문에, 다시 액체 챔버 (41) 로 순환되는 것이 방지된다. 또한, 투명판 (42) 의 Y1 방향으로의 이동 속도는, 하나의 분할 예정 라인에 대한 레이저 가공이 일단부로부터 타단부까지 실시되는 시간 동안 투명판 (42) 의 종단 위치, 예를 들어, 투명판 (42) 이 Y1 방향으로 이동하고, Y2 방향측의 단부가 Y2 방향측의 롤러 (52) 의 바로 아래에 이르는 위치에 이르는 속도로 실시된다. 따라서, 투명판 (42) 의 Y 축 방향에 있어서의 치수가 길수록, Y1 방향으로의 이동 속도를 빠르게 할 수 있다.
상기한 어블레이션 가공을 제 1 방향으로 신장되는 소정의 분할 예정 라인에 실시하였다면, Y 축 방향 이동 기구 (64) 에 의해 Y 축 방향 가동 부재 (62) 를 산출 이송 방향 (Y 축 방향) 으로 이동시키고, 집광기 (86) 를, 인접한 미가공의 분할 예정 라인의 편단부에 위치하게 하여, 상기한 어블레이션 가공과 동일한 레이저 가공을 실시한다. 여기서, 투명판 (42) 은, 하나의 분할 예정 라인에 대한 레이저 가공이 종료된 타이밍에는, Y1 방향에 있어서의 종단 위치에 이르러 있다. 그래서, 본 실시형태에서는, 하나의 분할 예정 라인에 대한 레이저 가공을 실시한 후, 집광기 (86) 를 산출 이송 방향 (Y 축 방향) 으로 이동시키고, 인접한 미가공의 분할 예정 라인의 편단부에 위치하게 하는 동작을 한창 실시하고 있는 중에, 모터 (54) 의 회전 방향을 역전 방향 (R2) 으로 전환하여, 투명판 (42) 을 상기한 초기 위치로 되돌리는 복귀 동작을 실시한다. 구체적으로는, 집광기 (86) 가, 인접한 미가공의 분할 예정 라인의 가공 개시 위치에 위치되는 타이밍에, 투명판 (42) 이 초기 위치에 위치되도록 제어한다. 이 상태로부터, 상기한 레이저 가공과 동일한 레이저 가공, 즉, 투명판 (42) 을 Y1 방향으로 직선 이동시키면서 어블레이션 가공을 실시하는 동작을, 제 1 방향으로 신장되는 모든 분할 예정 라인에 대하여 실시한다. 제 1 방향으로 신장되는 모든 분할 예정 라인에 대하여 어블레이션 가공을 실시하였다면, 유지 테이블 (32) 을 90 도 회전시킴으로써, 제 1 방향으로 신장되는 분할 예정 라인에 직교하는 미가공의 분할 예정 라인에 대해서도, 상기한 것과 동일한 레이저 가공을 실시한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼 (10) 상의 모든 분할 예정 라인에 대하여 어블레이션 가공을 실시할 수 있다. 본 실시형태에 의하면, 웨이퍼 (10) 의 표면으로부터 발생하는 기포나, 레이저 가공에 의해 발생하는 데브리 등이, 레이저 광선 (LB) 의 조사 위치로부터 신속하게 제거되어, 계속해서 실시되는 레이저 가공의 방해가 되는 일이 없고, 또, 가공 후의 디바이스에 데브리가 부착되는 것 등을 방지하여 품질을 저하시키는 경우가 없다.
본 발명에 의하면, 상기한 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 범위에 포함되는 한, 여러 가지 변형예가 제공된다. 이하에, 도 9 를 참조하면서 다른 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 도 9 에 나타내는 다른 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치 (2') 는, 투명판 (42'), 및 투명판 (42') 을 지지하는 보조 롤러 (56, 57) 를 구비하는 점에서, 도 1 에 나타내는 실시형태와 상이하고, 그 나머지 점에 대해서는 동일한 구성을 구비하고 있다. 따라서, 이하의 설명에서는, 상기 차이점을 중심으로 설명한다.
도 9 에 나타내는 레이저 가공 장치 (2') 는, 도 1 에 나타내는 레이저 가공 장치 (2) 의 투명판 (42) 대신에 액체 챔버 (41) 의 상방을 폐색하는 롤상의 투명판 (42') 을 구비하고 있다. 이 투명판 (42') 은, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 단부를 갖고 있지 않고 롤상으로 형성되기 때문에, 가요성 및 내구성이 우수한 아크릴 수지로 이루어지는 투명한 박판으로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 프레임체 (22') 는, 수직 벽부 (221') 와 수평 벽부 (222') 에 의해 형성되고, 수평 벽부 (222') 에는, 투명판 (42') 을 통과시키는 투명판 통로 (223) 가 형성되어 있다. 투명판 통로 (223) 에는, 투명판 (42') 을 협지하면서, 도면 중 화살표 D 로 나타내는 방향으로 투명판 (42') 을 송출하기 위한 두 개의 제 1 보조 롤러 (56) 를 구비하고 있다. 또한, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 수평 벽부 (222') 의 선단부로부터 Y 축 방향으로 이간된 위치에, 제 1 보조 롤러 (56) 로부터 송출된 투명판 (42') 을 협지하면서 액체 공급 기구 (40) 측으로 송출하기 위한 두 개의 제 2 보조 롤러 (57) 가 구비되어 있다. 또한, 도면에서는 설명의 편의상 생략하고 있지만, 수평 벽부 (222') 의 선단부에 제 2 보조 롤러 (57) 를 자유롭게 회전할 수 있도록 지지하는 브래킷 등을 배치하여 유지한다.
상기한 다른 실시형태에 의하면, 투명판 (42') 은, 롤상으로 형성되어 있는 점에서, 모터 (54) 를 작동시켜 롤러 (52) 를 화살표 R1 로 나타내는 방향으로 회전시킴으로써, 액체 챔버 (41) 상에 있어서 투명판 (42') 을 Y1 방향으로 직선 이동시킴과 함께, 제 1 보조 롤러 (56), 제 2 보조 롤러 (57) 에 의해 투명판 (42') 을 D 방향으로 회전시킬 수 있다. 이로써, 도 1 에 나타내는 실시형태와 같이, 모터 (54) 를 역전 방향 (R2) 으로 회전시켜, 투명판 (42) 을 초기 위치로 되돌리는 복귀 동작이 불필요해져, 투명판 (42') 을 액체 챔버 (41) 상에서 Y1 로 나타내는 방향으로 계속해서 직선 이동시키면서, 웨이퍼 (10) 상의 모든 분할 예정 라인에 대하여, 레이저 가공을 실시하는 것이 가능해진다. 또한, 본 실시형태에서는, 투명판 (42') 의 Y1 방향으로의 직선 이동이 연속적으로 실시되는 것인 점에서, 도 1 에 나타내는 실시형태에 비해, Y1 방향으로 이동시키는 속도를 빠르게 할 수 있어, 기포 (B) 나 데브리 등의 제거를 보다 효과적으로 실시할 수 있다.
상기한 실시형태에서는, 레이저 발진기 (82) 로부터 출사된 레이저 광선 (LB) 을, 폴리곤 미러 (91) 에 의해 분산시켜 집광 렌즈 (86b) 로 유도하도록 한 예를 제시하였지만, 이것에 한정되지 않고, 폴리곤 미러 (91) 대신에, 고정시켜 설치되는 반사 미러여도 된다. 또한, 상기한 실시형태에서는, 웨이퍼 (10) 에 이루어지는 레이저 가공은 어블레이션 가공인 예를 제시하였지만, 피가공물의 내부에 개질층을 형성하는 가공 (예를 들어, 특허문헌 2 에 기재된 레이저 가공), 소위 실드 터널을 형성하는 가공 (예를 들어, 특허문헌 3 에 기재된 레이저 가공) 에 적용해도 무방하다.
2, 2' : 레이저 가공 장치
6 : 레이저 광선 조사 유닛
21 : 기대
22 : 프레임체
222 : 수평 벽부
30 : 유지 유닛
31 : 유지 기대
31a : 상면
32 : 유지 테이블
32a : 흡착 척
40 : 액체 공급 기구
41 : 액체 챔버
41a : 챔버 기부
41b : 바닥부
41c : 단차부
41d : 원형 개구부
41e : 액체 공급구
41f : 액체 배출구
42, 42' : 투명판
43 : 액체 공급 노즐
43a : 공급구
43b : 통로
43c : 배출구
43d : 슬라이딩면
44 : 액체 배출 노즐
44a : 배출구
44b : 통로
44c : 공급구
44d : 슬라이딩면
45 : 액체 공급 펌프
46 : 여과 필터
47 : 액체 저류 탱크
50 : 직동 수단
52 : 롤러
54 : 모터
56, 57 : 보조 롤러
82 : 레이저 발진기
86 : 집광기
88 : 얼라인먼트 유닛
LB : 레이저 광선

Claims (2)

  1. 레이저 가공 장치로서,
    판상의 피가공물을 유지하는 유지 테이블을 구비한 유지 유닛과,
    그 유지 테이블에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 조사하여 가공을 실시하는 레이저 광선 조사 유닛과,
    그 유지 유닛의 상부에 배치 형성된 액체 공급 기구를 구비하고,
    그 액체 공급 기구는, 그 유지 테이블에 유지된 피가공물의 상면과의 사이에 간극을 형성하여 위치되는 투명판을 갖는 액체 챔버와, 그 투명판을 액체 챔버 상에서 직선 이동시키는 직동 기구와, 그 액체 챔버의 일방으로부터 그 간극에 액체를 공급하는 액체 공급 노즐과, 그 액체 챔버의 타방으로부터 액체를 배출하는 액체 배출 노즐을 포함하고,
    그 레이저 광선 조사 유닛은, 레이저 광선을 출사하는 레이저 발진기와, 그 레이저 발진기로부터 출사된 레이저 광선을 집광하여 그 투명판과 그 간극에 공급된 액체를 투과시켜 그 유지 테이블에 유지된 피가공물에 조사하는 집광기를 포함하는 레이저 가공 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    그 레이저 광선 조사 유닛은, 그 레이저 발진기로부터 출사된 레이저 광선을 분산시키는 분산 수단을 추가로 포함하는 레이저 가공 장치.
KR1020180124338A 2017-10-31 2018-10-18 레이저 가공 장치 KR102591170B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017210657A JP6985102B2 (ja) 2017-10-31 2017-10-31 レーザー加工装置
JPJP-P-2017-210657 2017-10-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190049460A true KR20190049460A (ko) 2019-05-09
KR102591170B1 KR102591170B1 (ko) 2023-10-18

Family

ID=66137947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180124338A KR102591170B1 (ko) 2017-10-31 2018-10-18 레이저 가공 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10940560B2 (ko)
JP (1) JP6985102B2 (ko)
KR (1) KR102591170B1 (ko)
CN (1) CN109719389B (ko)
DE (1) DE102018218563B4 (ko)
TW (1) TWI778159B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6965094B2 (ja) * 2017-10-17 2021-11-10 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6968659B2 (ja) * 2017-10-25 2021-11-17 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6998177B2 (ja) * 2017-11-02 2022-01-18 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2022077223A (ja) * 2020-11-11 2022-05-23 株式会社ディスコ レーザー加工装置
DE102021104475A1 (de) 2021-02-25 2022-08-25 LIDROTEC GmbH System und Verfahren für die Laserbearbeitung von Werkstücken in Flüssigkeit

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09141484A (ja) * 1995-11-22 1997-06-03 Nikon Corp レーザ加工装置
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JP2003245791A (ja) * 2002-02-25 2003-09-02 Sony Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP2004188475A (ja) 2002-12-13 2004-07-08 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法
JP2007136482A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Denso Corp 半導体基板の分断装置
JP2014221483A (ja) 2013-05-13 2014-11-27 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP2015085347A (ja) * 2013-10-29 2015-05-07 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4681774A (en) * 1986-01-17 1987-07-21 Halliwell Michael J Laser induced selective electroless plating
JP3275202B2 (ja) * 1996-08-30 2002-04-15 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置
US6544590B1 (en) * 2000-01-17 2003-04-08 Canon Kabushiki Kaisha Liquid coating method, apparatus and film-forming method for producing the same employing excess coating removing unit having absorbent fabric on porous structure
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
CN1286146C (zh) * 2001-03-09 2006-11-22 株式会社东芝 电子装置的制造系统
CN101852993A (zh) * 2002-12-10 2010-10-06 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
TW201806001A (zh) * 2003-05-23 2018-02-16 尼康股份有限公司 曝光裝置及元件製造方法
US7589822B2 (en) * 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8102512B2 (en) * 2004-09-17 2012-01-24 Nikon Corporation Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method
CN101598903A (zh) * 2004-11-01 2009-12-09 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法
JP4125315B2 (ja) * 2005-10-11 2008-07-30 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
CN201090929Y (zh) * 2007-09-17 2008-07-23 上海赛科利汽车模具技术应用有限公司 一种液体流动监视器
JP2009117344A (ja) * 2007-10-15 2009-05-28 Sanyo Electric Co Ltd 流体移送装置及びこれを具えた燃料電池
JP2009226287A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Toppan Printing Co Ltd 塗布装置及び分散系塗布液の塗布方法
JP5436917B2 (ja) 2009-04-23 2014-03-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US20110192450A1 (en) * 2010-02-10 2011-08-11 Bing Liu Method for producing nanoparticle solutions based on pulsed laser ablation for fabrication of thin film solar cells
JP2014066861A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Kyocera Corp ラビング装置およびそれを用いたラビング方法
US9085049B2 (en) * 2012-11-30 2015-07-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for manufacturing semiconductor device
JP2016068149A (ja) 2014-10-02 2016-05-09 株式会社ディスコ レーザー加工装置
WO2016122821A2 (en) * 2015-01-29 2016-08-04 Imra America, Inc. Laser-based modification of transparent materials
JP6434360B2 (ja) * 2015-04-27 2018-12-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09141484A (ja) * 1995-11-22 1997-06-03 Nikon Corp レーザ加工装置
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JP2003245791A (ja) * 2002-02-25 2003-09-02 Sony Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP2004188475A (ja) 2002-12-13 2004-07-08 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法
JP2007136482A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Denso Corp 半導体基板の分断装置
JP2014221483A (ja) 2013-05-13 2014-11-27 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP2015085347A (ja) * 2013-10-29 2015-05-07 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019081192A (ja) 2019-05-30
DE102018218563B4 (de) 2022-10-27
TWI778159B (zh) 2022-09-21
DE102018218563A1 (de) 2019-05-02
JP6985102B2 (ja) 2021-12-22
US10940560B2 (en) 2021-03-09
US20190126397A1 (en) 2019-05-02
KR102591170B1 (ko) 2023-10-18
TW201918315A (zh) 2019-05-16
CN109719389B (zh) 2021-12-28
CN109719389A (zh) 2019-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190049460A (ko) 레이저 가공 장치
KR102616530B1 (ko) 레이저 가공 장치
JP6907091B2 (ja) レーザー加工装置
KR102513057B1 (ko) 레이저 가공 장치
KR20190040906A (ko) 레이저 가공 장치
KR102515688B1 (ko) 레이저 가공 장치
JP7123643B2 (ja) レーザー加工装置
JP6965094B2 (ja) レーザー加工装置
JP2019217523A (ja) レーザー加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant