JP2006073649A - レーザー処理装置 - Google Patents

レーザー処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006073649A
JP2006073649A JP2004253095A JP2004253095A JP2006073649A JP 2006073649 A JP2006073649 A JP 2006073649A JP 2004253095 A JP2004253095 A JP 2004253095A JP 2004253095 A JP2004253095 A JP 2004253095A JP 2006073649 A JP2006073649 A JP 2006073649A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exhaust
substrate
cup
waste liquid
port
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004253095A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4426403B2 (ja
Inventor
Norihisa Koga
法久 古閑
Shinji Koga
新二 古閑
Naoto Yoshitaka
直人 吉高
Ken Nishiya
憲 西屋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2004253095A priority Critical patent/JP4426403B2/ja
Priority to US11/213,705 priority patent/US7473321B2/en
Publication of JP2006073649A publication Critical patent/JP2006073649A/ja
Priority to US12/247,750 priority patent/US8088455B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4426403B2 publication Critical patent/JP4426403B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/14Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
    • B23K26/146Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor the fluid stream containing a liquid
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/14Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
    • B23K26/1462Nozzles; Features related to nozzles
    • B23K26/1464Supply to, or discharge from, nozzles of media, e.g. gas, powder, wire
    • B23K26/147Features outside the nozzle for feeding the fluid stream towards the workpiece
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/942Masking
    • Y10S438/948Radiation resist
    • Y10S438/949Energy beam treating radiation resist on semiconductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】 ウエハチャックが配置されたカップを水平方向に移動させ、ウエハの表面に液体を介在させてレーザー光により例えばダイシングを行い、その後に基板を回転させて液体を振り切る装置において、カップに接続される排気管の引き回しによる不利益を解消すること。
【解決手段】 カップの底部に廃液ポートと排気ポートとを設け、カップがX、Y方向に移動するときの廃液ポートの移動領域をカバーするように廃液受け皿を設ける。またウエハを振り切り乾燥させる位置に対応して排気部を設け、振り切り乾燥を行う段階でその振り切り位置に移動したカップの排気ポートに排気部を接続する構成を採用して、排気管の引き回しを避けるようにする。
【選択図】 図1

Description

本発明は、基板保持部を水平方向に移動させ、前記基板の表面に液体を供給した状態でレーザー光を照射して当該表面に対して所定の処理を行うレーザー処理装置に関するものである。
半導体装置を製造する一連の工程の中にレーザー光を用い、例えば半導体ウエハ(以下ウエハという)や液晶ディスプレイ用ガラス基板などの基板に対して処理を行うプロセスが知られている。例えば特許文献1には、レーザー光を基板表面に沿って走査することによりダイシングラインを形成する技術が記載されている。また特許文献2には、基板に対して露光を行う前に、基板に予め形成されたアライメントマークを露出させるために、当該マークの上のレジスト膜をレーザー光により除去する技術が記載されている。レーザー光はエネルギーが大きく、また高精度な位置合わせができることから、こうした処理には好適である。ところでレーザー光により基板表面を加工すると、被加工物である除去物が当該表面に付着することから、基板表面上に純水などの液体を存在させた状態でレーザー光を基板表面に照射するようにしている。
例えば特許文献1に記載されたレーザー加工装置は、図11に示すようにカップ11内に駆動機構12により回転自在なチャック13を設け、このチャック13を移動機構によりX、Y方向に移動させて位置合わせすることにより、当該チャック13に保持された基板10のアライメントマーク上のレジスト膜にレーザー光照射部14からレーザー光を照射してレジスト膜を除去するように構成されている。またこのとき透明体である石英ガラスからなるプレート15を基板10の表面に少し浮かせて対向させ、その隙間に一方側から純水を供給しながら他方側で吸引するようにしている。そしてレーザー光による処理が終了した後、プレート15を上昇させ、基板10を回転させて基板10上の純水を振り切って乾燥するようにしている。
このように純水の液膜を介在させてレーザー光を照射すると、吸引しきれなかった純水がカップ11内にこぼれ落ち、特にレーザー光の照射位置が基板1の周縁に近い場合にはこぼれ落ちる純水の量がおおい。また基板10を振り切り乾燥するときにも純水がカップ11内に飛散するため、カップ11の底部には廃液ポートを設ける必要がある。更に基板10を振り切るときには、飛散した液滴を下方側に引き込むために排気ポートを設ける必要があり、特許文献1では、これらのポートを共通化した排気ポート(排気口)16が設けられている。
そしてカップ11は移動機構によりX、Y方向に移動するので、排気ポートにはその移動領域をカバーできる長さのフレキシブルな配管(ホース)を接続する必要がある。一方例えば半導体製造工場におけるクリーンルームは単位面積あたりのコストが極めて高いことから各装置は小型化され、このため装置内の下部側は駆動機構なども含めて部品が密集している。このためホースの引き回しエリアを考慮すると設計が難しくなり、小型化が阻まれる。また半導体製造装置は駆動機構が多いため駆動源としてはできるだけ小型なものを使用したいが、移動機構の駆動源から見るとホースの屈曲は負荷として加わってくることから、カップ11、詳しくはカップ11を搭載するステージの速度及び加速度をできるだけ大きくしてスループットを確保しようとすると、駆動源のパワーが大きなものを使わざる得なくなる。特に基板サイズが大型化しつつあり、例えば半導体ウエハであれば12インチサイズのものが普及されてきていることから、こうした課題は顕著になってくる。
特開2002−224878(図1、請求項5及び0072) 特開2003−249427(図1、段落0053)
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、その中に基板保持部が配置されたカップを水平方向に移動させ、基板表面に液体を介在させてレーザー光により処理を行い、処理後にカップ内を排気しながら基板を回転させて液体を振り切る場合に、排気管の引き回しによる不利益を解消することのできるレーザー処理装置及びレーザー処理方法を提供することにある。
本発明は、カップ内に設けられ、基板を水平に保持すると共に回転機構により当該基板をほぼ鉛直な軸回りに回転させる基板保持部と、この基板保持部に保持された基板の表面に液体を供給した状態でレーザー光を照射して当該表面に対して所定の処理を行うための光照射部と、を備えたレーザー処理装置において、
前記カップ内を排気するように設けられた排気ポートと、
前記基板の表面におけるレーザー光の処理位置を移動させるために前記基板保持部を水平方向に移動させるための移動機構と、
前記基板の表面に対するレーザー光による所定の処理が終了した後、基板保持部を振り切り位置に移動させ、次いで基板上の液滴を振り切るために基板保持部を回転させるように前記移動機構及び回転機構を制御する制御部と、
前記基板保持部の振り切り位置に対応して設けられ、基板保持部が振り切り位置に置かれているときに前記排気ポートに接続されてカップ内を吸引排気するための排気部と、を備えたことを特徴とする。
レーザー光の処理は、基板を移動しながら行う場合、基板を停止して行いその処理位置を順次移動させる場合のいずれをも含む。前記排気部は、基板保持部が振り切り位置に置かれているときの前記排気ポートに対して着脱自在に接続される排気管と、この排気管を進退させる進退機構とを備えた構成とすることができる。また本発明は、カップ内に落ちた液体を排出するための廃液ポートを備え、前記排気ポートは、前記液体とは分離されてカップ内を排気するように設けられている構成とすることができる。この場合、前記カップの下方側に前記廃液ポートの移動領域をカバーする廃液受け部が設けられている構成とすることが好ましいが、この構成に限られない。例えばレーザー処理時には廃液ポートが蓋により閉じており、基板の振り切り時に、その振り切り位置に対応して設けられた廃液排出部に廃液ポートが接続されて前記蓋が開く構造としてもよい。
更に本発明は、廃液ポートと排気ポートが分離されていることに限定されない。例えば廃液ポートと排気ポートとが共通化され、その排気ポートの下に廃液受け部例えば廃液受け皿が設けられていて、基板の振り切り時に排気ポートが排気部に接続される構造も含まれる。この場合には、排気部の下流側で気液分離する構成を採用すればよい。
また移動機構は、カップを載置してX方向に移動させると共に廃液ポート及び排気ポートが位置する開口部を備えたXステージと、このXステージをY方向に移動させるYステージとを含み、廃液受け部はXステージの移動領域の下方側に設けられている構成を採用することが出きる。
他の発明は、レーザー処理方法であって、排気ポートを有するカップ内に設けられた基板保持部に基板を水平に保持する工程と、
その後、前記基板保持部を水平方向に移動させ、前記基板の表面に液体を供給した状態でレーザー光を照射して当該表面に対して所定の処理を行う工程と、
前記基板の表面に対するレーザー光による処理が終了した後、基板保持部を、基板上の液滴を振り切るための位置に移動させる工程と、
次いで前記排気ポートに排気部を接続してカップ内を吸引排気する工程と、
基板上の液滴を振り切るために基板保持部を回転させる工程と、を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、基板が配置されたカップを水平方向に移動させ、基板表面に液体を介在させてレーザー光により処理を行うときには、カップ側の排気ポートと排気部とは切り離しておき、処理後に基板を回転させて液体を振り切る段階でその振り切り位置に移動したカップの排気ポートに排気部を接続してカップ内を排気しながら液体の振り切りを行うため、フレキシブルな排気管例えば蛇腹状のホースを排気ポートの移動領域をカバーするように引き回さなくて済む。
従って排気管の屈曲による負荷が移動機構の駆動源に加わってこないので、パワーの小さい駆動源を用いながら基板を速やかに移動させることができ、また排気管の引き回しスペースを確保しなくてよいので、装置の小型化を図る上で有利である。
図1は、本発明のレーザー処理装置の実施の形態を示す全体構成図である。図中2は、基板であるウエハWを水平に吸着保持する基板保持部をなすチャックである。このチャック2は、上面が開口した略円筒状に形成されたカップ3内に配置されており、カップ3の底部中央に設けられた駆動部21により鉛直軸回りに回転することができ、また昇降できるように構成されている。
カップ3の底部には、ウエハWからこぼれ落ちた液体例えば純水を排出する廃液ポート(廃液排出口)31が当該底部の外縁付近に設けられていると共に、カップ3内を排気するための排気ポート32、33がカップ3の中心軸に対して互いに対称に配置されている。排気ポート32、33の上端側はカップ3の底部から突出している。廃液ポート31及び排気ポート32、33のレイアウトに関しては、後述の作用説明で用いる図7に示されており、カップ3の中心軸からの距離は、廃液ポート31よりも排気ポート32、33の方が近い。
またチャック2に保持されるウエハWの直ぐ下方位置にてチャック2を囲むようにリング状の水平プレート部22が設けられ、この水平プレート部22の外縁部を下方側に屈曲して筒状部23が形成されている。この筒状部23は廃液ポート31と排気ポート32、33との間の領域を仕切るように設けられると共にその下端はカップ3の底面部から少し浮いた位置にあり、この筒状部23と排気ポート32、33の上側突出部分により気液分離構造が構成される。
更にこのレーザー処理装置は、ウエハWに対して所定の処理例えばダイシングを行うためのレーザー光照射部4と、ウエハW上に液膜を形成するための液膜形成部5とを備えている。レーザー光照射部4は、レーザー処理装置の外装体をなす図示しないケース体に固定されており、例えばYAGレーザーやエキシマレーザーなどの加工用レーザーを発振するレーザー光発振器41と、ここからのレーザー光をウエハW表面に向かわせるハーフミラー42と、ハーフミラー42の下流側に設けられた図示しない光学系ユニットとを備えている。またハーフミラー42の上方側には、当該ハーフミラー42からウエハWの表面に向かうレーザー光の光軸とその光軸とが一致するように位置検出部をなす撮像手段例えばCCDカメラ43が設けられている。
液膜形成部5は、ウエハW上に液体例えば純水を供給するノズル51、52と、ウエハW上を流れる純水を案内して液膜を形成する案内部材53と、ウエハWの表面におけるレーザー光の照射位置を通過した液体を回収する液体回収部54と、を備えている。案内部材53は、透明体である例えば石英ガラスを用いて例えば逆円錐状に形成されている。ノズル51、52は図1では表せないが、実際には案内部材53の外側に固定された1本のノズル51と、このノズル51の吐出口の両側に夫々その吐出口が位置するように案内部材53の内部に配置された2本のノズル52、52が設けられている。中央のノズル51からの液体の流速を例えば20m/分と速く設定し、これに比べて両側のノズル52、52からの液体の流速をかなり遅くすることで、レーザー処理時例えばダイシング時におけるウエハW表面からの除去物(剥離物)を早い液流に載せて拡散させずに除去することができる。55は純水の供給源、56、57はバルブ、流量調整部及びポンプなどを含む供給制御系である。
液体回収部54は、例えば図2に示すように略直方体形状をなし、ウエハW上に形成された帯状の液流を回収できるように先端に吸引口54bを有する回収ノズル54aと、この回収ノズル54aに対して液体回収路54cを介して吸引力を作用させるエジェクタなどの吸引手段54dとを備えている。
案内部材53及び回収ノズル54aは、保持アーム50に固定されており、この保持アーム50の基端側には、昇降機構58が設けられている。そして昇降機構58は、図1における紙面の表裏方向に伸びるレール59に沿って移動できるように設けられており、従って保持アーム50は、昇降自在及び水平面における一方向に沿って移動自在に構成されていることになる。なお液膜形成部5の構成はこれに限られず、例えば既述の特許文献2に記載されている種々の手法を取り入れることができる。
更にまたレーザー処理装置は、図1において一点鎖線で示すように、カップ3を水平面に沿って移動させるための移動機構の一部をなすX−Yステージ6と、カップ3の廃液ポート31から排出される廃液(ウエハWからこぼれ落ちた液体)を受ける廃液受け部である廃液受け皿7と、排気ポート32、33に接続される排気部8とを備えている。これらの部位について図3〜図5を参照しながら説明する。
X−Yステージ6は、図3に示すようにカップ3を載置するステージ61と、このステージ61をX方向に移動させる駆動機構を備えたステージ62とからなる。ステージ62は、レーザー処理装置における既述の外装体をなすケース体(図示せず)に固定された基台63上をY方向に移動できるように構成されている。即ちステージ61は、X方向に移動自在なXステージであり、またステージ62は、Y方向に移動自在なYステージであり、基台63はYステージ62をY方向に移動させるための駆動機構を備えている。これら駆動機構は、ガイドレール、ボールネジ機構及びモータなどからなる。図1では、カップ3をX方向に移動させるためにYステージ62に設けられたXモータ64及びカップ3をY方向に移動させるために基台63側に設けられたYモータ65とをブロックとして示してあり、これらモータ64、65は制御部66により制御されるようになっている。
Xステージ61において、図3では見えないが、カップ3側の廃液ポート31及び排気ポート32、33が配置されている部位には開口部が形成されており、またYステージ62には、X方向に伸びる横長の開口部67が形成されている。この開口部67は、カップ3側の廃液ポート31及び排気ポート32、33がX方向に移動したときにおける移動領域(詳しくは移動領域の投影領域)をカバーする大きさに形成されている。
廃液受け皿7は、カップ3がX−Yステージ6によりX、Y方向につまり水平方向に移動したときにその移動領域をカバーする大きさに形成されており、これによりレーザー加工時においてウエハWの表面からこぼれ落ちた廃液あるいはレーザー加工終了後にウエハWを回転させて液体を振り切るときに飛散して落ちてきた廃液が廃液ポート31を介して廃液受け皿7内に落下することになる。
排気部8は、前記ケース体に固定して設けられており、図5に横向きの姿勢で示してあるようにカップ3側の排気ポート32、33に着脱される排気管81、82と、これら排気管81、82の基端側に設けられ、内部が通気室となっている昇降ブロック83と、この昇降ブロック83に伸縮パイプ84を介して接続された固定ブロック85と、を備えている。昇降ブロック83は、制御部66からの制御信号に基づいて図示しない昇降機構により昇降し、このとき伸縮パイプ84が伸縮するようになっている。伸縮パイプ84は例えば昇降ブロック83側のパイプと固定ブロック85側のパイプとを嵌合させて伸縮できるように構成されている。また伸縮パイプ84の基端側は図示しない吸引ポンプなどの吸引排気手段に接続されている。
排気管81、82は、排気ポート32、33に対応して設けられ、昇降ブロック83の昇降により(図5では進退により)排気ポート32、33に対して接続、離脱されることになる。排気管81、82は、排気ポート32、33側には各々フランジが形成されていて、接続時には樹脂シール材であるOリングを介してフランジ同士が気密に密着することとなる。また排気部8は廃液受け皿7の外側領域に設けられ、排気管81、82と排気ポート32、33との接続は、廃液受け皿7の外側領域にて行われることになる。この接続が行われる位置は、ウエハWに対するレーザー加工が終了して最後に液を振り切り乾燥するときのカップ3の位置に対応するものである。即ちカップ3がこの振り切り位置に移動したときに排気管81、82と排気ポート32、33との接続が行われる。
次に上述実施の形態の作用について説明する。例えば既に集積回路が形成された基板であるウエハWを図示しない搬送アームから、受け渡し位置にあるカップ3内のチャック2に受け渡す。この受け渡しは例えばチャック2を昇降させることにより行われる。続いてカップ3をX−Yステージ6により移動させ、ウエハW上のダイシング開始ポイントをレーザー光照射部4の光軸上に位置させる。この際位置検出部であるCCDカメラ43によりウエハW上のオリエンテーションフラットあるいはノッチを検出し、その検出位置に基づいてウエハWの位置合わせが行われる。
その後、保持アーム50により液供給ノズル51、52、案内部材53及び回収ノズル54aを待機部からウエハWの表面に接近した所定の位置例えばウエハWから2mm程度浮いた位置に移動し、液供給ノズル51、52から液体、この例では純水を吐出させる。これにより図6に示すように案内部材53の下方側に純水の水流(液流)100が形成される。このとき液体回収部54の吸引手段54dを動作させることにより案内部材53を通過した液体は回収ノズル54aから回収される。
そしてこのようにウエハW上に純水の液膜を形成した状態でレーザー光照射部4からレーザー光を案内部材53を通じてウエハWの表面に照射しながら、X−Yステージ6によりチック2を例えばX方向に移動させ、こうしてレーザー光によりウエハWの表面をさいの目状に走査する。この結果ウエハWの表面がレーザー光により切削され、いわばウエハWがハーフカットされてダイシングラインが形成される。なおダイシングラインが形成されたウエハWは、後工程でウエハWの裏面側からダイシングラインに沿ってカットされてチップに分断されることになる。
本実施の形態の工程に説明を戻すと、レーザー光により切削された削り滓は純水の液流に乗って回収ノズル54aから回収される。液供給ノズル51、52から供給された純水の大部分は回収ノズル54aから回収されるが、回収されなかった純水はカップ3内にこぼれ落ちる。またレーザー光の照射位置がウエハWの外縁部に近い場合には、こぼれ落ちる純水の量が多い。カップ3内にこぼれ落ちた純水は廃液ポート31から排出されるが、図7にも示すようにレーザー光の加工時にX−Yステージ6により廃液ポート31が移動する領域(詳しくはその投影領域)をカバーするように下方側に廃液受け皿7が設けられているので、廃液ポート31から排出された廃液は、廃液受け皿7内に流れ落ちる。
レーザー光によるダイシングラインの形成処理が終了すると、図8(a)に示すようにX−Yステージ6によりカップ3を振り切り位置まで移動させる。この振り切り位置とは、チャック2を高速回転させてウエハW上に残留している純水を振り切って乾燥するための位置であり、この位置においては図7の実線で示すように廃液ポート31は上から見て廃液受け皿7の中に置かれ、また排気ポート32、33は廃液受け皿7の外側であって、排気部8の排気管81、82の上方に位置することになる。
そして図8(b)に示すように排気部8の昇降ブロック83を排気管81、82と共に上昇させ、カップ3側の排気ポート32、33に既述のようにOリングを介して気密に接続させる。続いて図8(c)に示すようにチャック2を高速回転させてウエハW上に残留している純水を振り切って乾燥する。このとき排気ポート32、33は排気部8を介して吸引排気の状態にあるので、振り切られた液滴はカップ3の下方側に引き込まれ、装置内に飛び散らない。またカップ3内に落ちた純水(液滴群からなる液体)は廃液ポート31を介してその下の廃液受け皿7内に流れ落ちる。こうして一連の工程が終了した後、カップ3が所定の位置に移動し、チャック2が上昇してウエハWが図示しない搬送アームに受け渡される。このようにレーザー処理が行われるときはカップ3をX、Y方向に移動させ、その後排気部8を排気ポート32、33に接続し、更にチャック2を高速回転させて振り切り乾燥を行う一連のステップは、制御部66のメモリ内に格納されたプログラムに基づいて実施される。
上述の実施の形態によれば、ウエハWが配置されたカップ3をX−Yステージ6により移動させ、ウエハWの表面に液体を介在させてレーザー光によりダイシングを行うときには、カップ3側の排気ポート32、33と排気部8(排気管81、82)とは切り離しておき、処理後にウエハWを回転させて液体を振り切る段階でその振り切り位置に移動したカップ3の排気ポート32、33に排気部8を接続し、カップ3内を排気しながら液体の振り切りを行うため、フレキシブルな排気管例えば蛇腹状のホースを排気ポートの移動領域をカバーするように引き回さなくて済む。従って排気管の屈曲による負荷が移動機構の駆動源に加わってこないので、パワーの小さい駆動源を用いながらウエハWを速やかに移動させることつまり早い速度でかつ大きな加速度で移動させることができる。
また装置内の下部側は駆動機構なども含めて部品が密集していることから、ホースの引き回しエリアを考慮すると設計が難しくなるが、このように排気管の引き回しスペースを確保しなくてよいので、装置の小型化を図る上で有利である。
更にカップ3内に落ちた液体を排出するための廃液ポート31を排気ポート32、33とは別個に設け、カップ3の下方側に廃液ポート31の移動領域をカバーする廃液受け皿7を設けているので、ダイシング処理時にカップ3内にこぼれ落ちる廃液を受けることができ、また廃液を排出するためのホースの引き回しを考慮しなくて済む。また排気部8側の排気管81、82を廃液受け皿7の外に配置しているので、つまり廃液ポート31の移動領域の外側に配置しているので、ダイシング処理中に排気管81、82内に廃液が侵入するおそれがなく、排気部8側に気液分離構造を設ける必要がないなど装置を簡素化できる。
本発明は、排気部8を廃液受け皿7の外側領域に設けることに限らず、図9に示すように廃液受け皿7の配置領域に設け、排気管81、82をベローズ86、87を介して廃液受け皿7内にて昇降できるように構成してもよい。この場合には、廃液ポート31からの廃液が排気管81、82内に侵入するおそれがあるので、排気部8側あるいはその下流側にて気液分離部を設けることが好ましい。
更に本発明は、廃液受け皿7を用いることに限定されるものではなく、例えば図10に示すようにウエハWに対して振り切り乾燥するときにおけるカップ3の位置に対応して、廃液ポート31に着脱される廃液排出部9を既述のケース体に固定して設け、廃液排出部9側の昇降自在な廃液管91と廃液ポート31とが接続されるように構成してもよい。この場合には、廃液ポート31側に常時は閉じていて、下から押されたときに開く蓋を例えばバネを組み合わせて設け、廃液管91が接続されるときに廃液管91により上に押されて前記蓋がバネに抗して開いて廃液ポート31と廃液管91とが連通される構成や、あるいは廃液ポート31側に駆動部により開閉される蓋を設けておき、外部からの無線あるいは有線による制御信号により廃液管91に接続されたときにその蓋が開く構成などを採用することができる。
本発明は、廃液ポートと排気ポートとが共通化され、その排気ポートの下に廃液受け皿が設けられていて、基板の振り切り時に排気ポートが排気部に接続される構造も含まれる。この場合には、排気部の下流側で気液分離する構成を採用すればよい。
本発明に係るレーザー処理装置の一実施の形態の全体構成を示す縦断面図である。 上記の実施の形態に用いられる回収ノズルを示す概略斜視図である。 上記の実施の形態におけるカップ及び移動機構を示す概略斜視図である。 図3に示すX−Yステージの一部の外観を示す概略斜視図である。 図1のレーザー処理装置に用いられる排気部を示す概略斜視図である。 図1のレーザー処理装置において液膜を介在させてレーザー処理を行う様子を示す説明図である。 図1のレーザー処理装置において、カップの移動範囲を示す略解平面図である。 図1のレーザー処理装置において、カップに排気ユニットを接続する様子を段階的に示す説明図である。 本発明に係るレーザ処理装置の他の実施の形態の概略を示す縦断面図である。 本発明に係るレーザ処理装置の更に他の実施の形態の概略を示す縦断面図である。 従来のレーザー加工装置の構成の概略を示す縦断面図である。
符号の説明
W ウエハ
2 チャック
3 カップ
31 廃液ポート
32、33 排気ポート
4 レーザ光照射部
5 液膜形成部
54 液体回収部
6 X−Yステージ
61 載置台
62 Xステージ
63 Yステージ
7 廃液受け皿
8 排気部
81、82 排気管
83 昇降ブロック
84 伸縮パイプ
85 固定ブロック










Claims (9)

  1. カップ内に設けられ、基板を水平に保持すると共に回転機構により当該基板をほぼ鉛直な軸回りに回転させる基板保持部と、この基板保持部に保持された基板の表面に液体を供給した状態でレーザー光を照射して当該表面に対して所定の処理を行うための光照射部と、を備えたレーザー処理装置において、
    前記カップ内を排気するように設けられた排気ポートと、
    前記基板の表面におけるレーザー光の処理位置を移動させるために前記基板保持部を水平方向に移動させるための移動機構と、
    前記基板の表面に対するレーザー光による所定の処理が終了した後、基板保持部を振り切り位置に移動させ、次いで基板上の液滴を振り切るために基板保持部を回転させるように前記移動機構及び回転機構を制御する制御部と、
    前記基板保持部の振り切り位置に対応して設けられ、基板保持部が振り切り位置に置かれているときに前記排気ポートに接続されてカップ内を吸引排気するための排気部と、を備えたことを特徴とするレーザー処理装置。
  2. 排気部は、基板保持部が振り切り位置に置かれているときの前記排気ポートに対して着脱自在に接続される排気管と、この排気管を進退させる進退機構とを備えたことを特徴とする請求項1に記載のレーザー処理装置。
  3. カップ内に落ちた液体を排出するための廃液ポートを備え、
    前記排気ポートは、前記液体とは分離されてカップ内を排気するように設けられていることを特徴とする請求項1または2記載のレーザー処理装置。
  4. 前記カップの下方側に前記廃液ポートの移動領域をカバーする廃液受け部が設けられていることを特徴とする請求項3記載のレーザー処理装置。
  5. 排気部は、廃液受け部の外に設けられていることを特徴とする請求項4記載のレーザー処理装置。
  6. 移動機構は、カップを載置してX方向に移動させると共に廃液ポート及び排気ポートが位置する開口部を備えたXステージと、このXステージをY方向に移動させるYステージとを含み、
    廃液受け部はXステージの移動領域の下方側に設けられていることを特徴とする請求項4または5に記載のレーザー処理装置。
  7. 排気ポートを有するカップ内に設けられた基板保持部に基板を水平に保持する工程と、
    その後、前記基板保持部を水平方向に移動させ、前記基板の表面に液体を供給した状態でレーザー光を照射して当該表面に対して所定の処理を行う工程と、
    前記基板の表面に対するレーザー光による処理が終了した後、基板保持部を、基板上の液滴を振り切るための位置に移動させる工程と、
    次いで前記排気ポートに排気部を接続してカップ内を吸引排気する工程と、
    基板上の液滴を振り切るために基板保持部を回転させる工程と、を備えたことを特徴とするレーザー処理方法。
  8. 基板保持部が移動するときには、排気ポートとは別個にカップに設けられた廃液ポートが、廃液受け部の上方を移動することを特徴とする請求項7記載のレーザー処理方法。
  9. 基板保持部が液滴の振り切り位置に置かれているときには、排気ポートは廃液受け部の外側に位置していることを特徴とする請求項8記載のレーザー処理方法。
JP2004253095A 2004-08-31 2004-08-31 レーザー処理装置 Expired - Fee Related JP4426403B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004253095A JP4426403B2 (ja) 2004-08-31 2004-08-31 レーザー処理装置
US11/213,705 US7473321B2 (en) 2004-08-31 2005-08-30 Laser treatment apparatus
US12/247,750 US8088455B2 (en) 2004-08-31 2008-10-08 Laser treatment apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004253095A JP4426403B2 (ja) 2004-08-31 2004-08-31 レーザー処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006073649A true JP2006073649A (ja) 2006-03-16
JP4426403B2 JP4426403B2 (ja) 2010-03-03

Family

ID=36153972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004253095A Expired - Fee Related JP4426403B2 (ja) 2004-08-31 2004-08-31 レーザー処理装置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7473321B2 (ja)
JP (1) JP4426403B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103367203A (zh) * 2012-03-28 2013-10-23 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置及基板处理方法
JP2016107272A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI236944B (en) * 2001-12-17 2005-08-01 Tokyo Electron Ltd Film removal method and apparatus, and substrate processing system
JP5014811B2 (ja) 2007-01-22 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法
JP4693805B2 (ja) * 2007-03-16 2011-06-01 株式会社東芝 半導体装置の製造装置及び製造方法
US20090107519A1 (en) * 2007-10-30 2009-04-30 Sokudo Co., Ltd. Method and system for chemically enhanced laser trimming of substrate edges
JP4865878B2 (ja) * 2010-03-25 2012-02-01 株式会社日本製鋼所 雰囲気安定化方法およびレーザ処理装置
CN102989736B (zh) * 2012-11-26 2015-03-18 北京七星华创电子股份有限公司 一种排风装置
CN105655232B (zh) * 2014-11-25 2019-08-23 旺宏电子股份有限公司 基板处理方法、基板处理装置及其应用
JP7319044B2 (ja) * 2018-12-14 2023-08-01 Tdk株式会社 素子アレイの製造装置と特定素子の除去装置
CN109897658A (zh) * 2019-04-12 2019-06-18 成都益海环保技术研究院(有限合伙) 一种采用牛粪生产钢碳的装置
US11883837B2 (en) * 2020-05-01 2024-01-30 Tokyo Electron Limited System and method for liquid dispense and coverage control

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3518948B2 (ja) * 1995-08-24 2004-04-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板の回転処理装置
JPH09106934A (ja) * 1995-10-12 1997-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板現像装置
JP3461068B2 (ja) * 1995-10-30 2003-10-27 東京応化工業株式会社 回転カップ式液体供給装置
US6318385B1 (en) * 1998-03-13 2001-11-20 Semitool, Inc. Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece
TW475212B (en) * 1999-12-17 2002-02-01 Tokyo Electron Ltd Coating film forming apparatus
US6720522B2 (en) 2000-10-26 2004-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus and method for laser beam machining, and method for manufacturing semiconductor devices using laser beam machining
JP3616748B2 (ja) * 2000-11-07 2005-02-02 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法,現像処理装置及び処理装置
US6723168B2 (en) * 2001-06-20 2004-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Spin-coater with self-cleaning cup and method of using
KR100488753B1 (ko) * 2001-07-23 2005-05-11 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 그 장치
TWI236944B (en) 2001-12-17 2005-08-01 Tokyo Electron Ltd Film removal method and apparatus, and substrate processing system
JP4199102B2 (ja) * 2003-12-18 2008-12-17 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法,基板処理システム及び現像液供給ノズル
JP4486472B2 (ja) * 2004-10-26 2010-06-23 東京エレクトロン株式会社 レーザー処理装置及びその方法
JP4843212B2 (ja) * 2004-10-29 2011-12-21 東京エレクトロン株式会社 レーザー処理装置及びレーザー処理方法
US7255747B2 (en) * 2004-12-22 2007-08-14 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with independent stations
US8091504B2 (en) * 2006-09-19 2012-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning spin coater
JP5312856B2 (ja) * 2008-06-27 2013-10-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7959033B2 (en) * 2008-09-18 2011-06-14 James Francois Leggett Drip catcher
JP2010103131A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103367203A (zh) * 2012-03-28 2013-10-23 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置及基板处理方法
JP2016107272A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8088455B2 (en) 2012-01-03
US7473321B2 (en) 2009-01-06
US20060205239A1 (en) 2006-09-14
JP4426403B2 (ja) 2010-03-03
US20090041954A1 (en) 2009-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4486476B2 (ja) レーザー処理装置及びレーザー処理方法
US8088455B2 (en) Laser treatment apparatus
WO2003052805A1 (en) Film removing device, film removing method, and substrate processing system
JP3485816B2 (ja) ダイシング装置
JP4727734B2 (ja) 基板搬送装置、基板搬送方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
CN1773376B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
JP6222903B2 (ja) レーザ加工装置
CN101388327B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
TWI728346B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP4343069B2 (ja) 塗布、現像装置、露光装置及びレジストパターン形成方法。
JP2007144494A (ja) レーザー処理装置及びレーザー処理方法
KR100346659B1 (ko) 탈기장치, 탈기방법 및 처리장치
US20090223536A1 (en) Cleaning apparatus, cleaning tank, cleaning method, and method for manufacturing article
KR20190044003A (ko) 레이저 가공 장치
JP4106017B2 (ja) 現像装置及び現像方法
JP2018018856A (ja) 基板処理装置
JP4486472B2 (ja) レーザー処理装置及びその方法
JP5390824B2 (ja) 基板処理装置
JP2002011641A (ja) 切削装置の撮像機構
JP2008147705A (ja) 電子部品実装装置
CN113228233A (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
JP4256583B2 (ja) 塗布膜形成装置
JP3869358B2 (ja) 膜除去装置及び膜除去方法
JP2006231185A (ja) 洗浄方法および洗浄システム
JP5522903B2 (ja) 基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060824

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091201

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091210

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151218

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees