TWI391200B - 雷射加工裝置 - Google Patents
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 23
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 9
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000013022 venting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 62
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 8
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000012412 chemical coupling Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
- B23K26/1462—Nozzles; Features related to nozzles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
- B23K26/142—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor for the removal of by-products
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/16—Removal of by-products, e.g. particles or vapours produced during treatment of a workpiece
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
- B23K26/1462—Nozzles; Features related to nozzles
- B23K26/1464—Supply to, or discharge from, nozzles of media, e.g. gas, powder, wire
- B23K26/1476—Features inside the nozzle for feeding the fluid stream through the nozzle
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
- B23K26/123—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in an atmosphere of particular gases
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
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Description
本發明係關於圖案加工利用於FPD(Flat Panel Display：平面顯示器)等之多層薄膜上之透明電極之透明導電膜之技術，特別係關於將雷射光照射於加工對象物表面而藉燒蝕、熱熔融或該等之複合作用之雷射加工時產生之加工飛濺物(碎屑；debris)之除去．回收用之雷射加工裝置、雷射加工頭及雷射加工方法。
透明導電膜目前被採用作為平面顯示器等之陣列基板(多層膜基板)等及太陽電池等之透明電極。在持續被開發作為未來之顯示裝置之電子化紙張之領域中，也被廣泛採用作為透明電極，其用途一直在擴大之中。而，顯示器之高精細化、低廉化之競爭近年來日趨激烈，在製造現場也要求著更高品質、高生產性。
此種透明導電膜通常藉光微影法圖案化成希望之形狀。例如，在玻璃、塑膠、矽晶圓等基板上，真空成膜ITO(Indium Tin Oxide；銦錫氧化物)膜、或ZnO(氧化鋅)膜等構成之透明導電膜，對其上形成抗蝕劑層所構成之多層薄膜，透過具有特定圖案之光罩照射光而使抗蝕劑層感光。而，藉顯影、後焙烘，將光罩圖案轉印於抗蝕劑層，以蝕刻法除去未被透明導電膜之抗蝕劑所覆蓋之部分，最後除去殘留抗蝕劑層而獲得希望之圖案。
但，上述光微影步驟需要塗佈機、顯影機等大型之裝置，成為降低製造成本之妨礙。又，因大量使用顯影液等藥液，在環保之點上也成問題。另外，例如在反射．穿透併用型之低溫多晶矽液晶顯示器中，雖使用ITO膜，作為設有TFT(Thin film transistor；薄膜電晶體)之基板之畫素電極之穿透部，使用Al膜等作為反射膜，但該等之圖案化即使圖案形狀相同，抗蝕劑及顯影液也相異，故需要2次光微影步驟。因此，為省略多餘之光微影步驟，簡化製程，乃有利用雷射光直接加工透明導電膜之技術之提案(例如參照日本特開2004－153171號公報)。
在前述透明導電膜之雷射之直接加工中，作為一例，使用著如受激二聚物雷射之類之短波長雷射。一般，受激二聚物雷射(excited dimmer laser)具有可切斷化學耦合之高光子能量，藉所謂燒蝕(ablation)之光化學分解、光熱分解過程，使用短波長之短脈衝雷射時，可一面抑制熱的影響，一面除去加工對象物，以執行微細加工。此種利用燒蝕之雷射加工技術逐漸受到注目。藉由照射調整能量密度後之受激二聚物雷射光，可燒蝕加工塑膠(高分子材料)、金屬、陶瓷等種種物質。
在利用雷射之燒蝕加工中，飛濺物會由接受雷射光照射之加工對象物表面附著在加工區域周邊。此一般稱為碎屑(debris)。發生碎屑附著在加工區域周邊時，也有可能無法獲得希望之加工品質、加工精度。因此，曾有人考慮過降低此碎屑之方法。
例如，曾有提案(例如參照專利文獻1)提出在加工區域附近之表面設置噴出空氣等之流體之流體送出裝置，在流體噴出口之相反側設置吸引流體之吸引導管而由加工區域吹掉加工飛濺物及碎屑，同時將其吸引而除去之方法(以下稱方法1)。
又，為降低加工飛濺物之產生量，已知在對加工對象物照射雷射光之同時，對雷射光照射區域周邊噴附輔助氣體相當有效。曾有提案(例如參照專利文獻2)提出在雷射加工頭配置內側噴嘴、與圍住其外周面之外側噴嘴，由內側噴嘴向加工區域噴出輔助氣體，並以外側噴嘴吸引噴出之輔助氣體而排出碎屑之方法(以下稱方法2)。又，作為控制加工飛濺物之產生本身之方法，已知有藉特定之環境氣體分解加工飛濺物，或防止再附著之方法。另外，已知可在真空度10[Pa](10－ 2
Torr)程度之減壓下，藉施行雷射加工而大幅減少堆積於加工對象物上之碎屑之附著量。
又，如圖8所示，曾有提案(參照專利文獻3)提出例如具備有在基板108a疊層透明導電膜108b之加工對象物107之正上方設置開口部120，將遮罩或可變孔徑104與開口部120圍成之區域減壓成閉空間部之排氣機構，已排出對加工對象物107照射雷射光102所生之加工飛濺物，並使碎屑121堆積於開口部120而不堆積於加工對象物107之方法(以下稱方法3)。
[專利文獻1]日本特開平10－99978號公報[專利文獻2]日本特開平9－192870號公報[專利文獻]日本特開2004－230458號公報
但，即使欲如方法1所示在加工區域附近之表面吹掉而吸引．排出碎屑，碎屑也會到處飛濺，縱使提高吸引力，也難以完全除去．回收碎屑。
又，即使如方法2所示由內側噴嘴向加工區域噴出輔助氣體，碎屑也會擴散而再附著於加工區域周邊，即使加強外側噴嘴之吸引力，也不能充分加以除去。
又，即使如方法3所示設置開口部而將閉空間部內減壓，碎屑也未必會堆積於開口部，而有加工區域之中心部之碎屑會再度附著於加工對象物表面之問題。
本發明係鑑於此點而設計者，其目的在於可高效率地除去、回收雷射加工產生之加工飛濺物，削減附著於加工對象物之碎屑。
為解決上述問題，本發明之雷射加工裝置係利用雷射光施行形成於加工對象物之多層膜上之透明導電膜之圖案加工者，其特徵在於包含雷射加工頭，其係具有：穿透窗，其係穿透照射於前述加工對象物之雷射光者；開口部，其係在前述雷射加工頭之底部使穿透前述穿透窗之雷射光通過者；排氣孔，其係將前述加工對象物之雷射光照射區域附近之環境氣體排出外部者；第1通氣孔，其係將氣體導入前述加工對象物之雷射光照射區域附近者；及第2通氣孔，其係設於與前述第1通氣孔相向之位置，排出前述加工對象物之雷射光照射區域附近之環境氣體者；由與設於前述雷射加工頭之底部之開口部連通之前述排氣孔及前述第2通氣孔排出由前述加工對象物之雷射光照射區域所產生之加工飛濺物者。
依據上述構成，可藉簡單之構成，使雷射照射區域附近成為減壓氣體環境下，故可有效率地除去、回收雷射加工產生之加工飛濺物。
又，本發明之雷射加工方法係利用雷射光施行形成於加工對象物之多層膜上之透明導電膜之圖案加工者，其特徵在於包含：將氣體導入前述加工對象物之雷射光照射區域附近之步驟；將第1雷射光照射於前述加工對象物之步驟；使載置前述加工對象物之加工台向與前述被導入之氣流相反方向移動特定距離之步驟；排出前述加工對象物之雷射光照射區域附近之環境氣體之步驟；在排出前述雷射光照射區域附近之環境氣體中，以與前述第1雷射光之第1照射區域一部分重疊之方式對前述加工對象物照射第2雷射光之步驟者。
依據上述構成，在雷射照射區域附近形成一方向之氣流，藉照射雷射光將加工飛濺物集中於希望之區域，且以第1照射區域與第2照射區域重疊方式照射雷射光，藉此可除去、回收殘留於加工對象物之加工面之加工飛濺物。
依據本發明之雷射加工裝置、雷射加工頭及雷射加工方法，可有效率地除去、回收雷射加工產生之加工飛濺物，削減附著於加工對象物之碎屑。
以下，參照圖1~圖7說明有關實施本發明用之最佳型態之例。使用於本發明之雷射加工裝置係具有雷射光源、及使由雷射光源出射之雷射光以特定圖案光學地投影至加工對象物之加工面之光學系統，用於對加工面燒蝕加工之雷射加工裝置。
圖1係適用本發明之雷射加工裝置之概略構成之一例之圖。圖1所示之雷射加工裝置15具有雷射光源1、射束整形器3、遮罩或可變孔徑4、投影透鏡5、加工台6、減壓室11(雷射加工頭)、俯仰運動泵等之排氣機構12、及氣體導入機構13，可由雷射光源1出射雷射束而對加工對象物7之加工面燒蝕加工。
在雷射光源1，例如使用受激二聚物雷射。受激二聚物雷射有不同雷射媒質之多數種存在，作為雷射媒質，由波長較長算起，有XeF(351 nm)、XeCl(308 nm)、KrF(248 nm)、ArF(193 nm)、F2(157 nm)。
受激二聚物雷射與施行利用熱能之加工之YAG雷射(基本波：1.06 μ m)及CO2
雷射(10.6 μ m)大異之點在於其振盪波長位於紫外線之區域。受激二聚物雷射在本質上屬於脈衝振盪，使用短脈衝(數ns~數十ns以下)。又，受激二聚物雷射係藉所謂燒蝕之光化學分解、光熱分解過程，使用短波長之短脈衝雷射時，可施行難以受熱的影響之加工，故可使加工面之端緣之加工變得非常陡峭。對此，使用YAG雷射及CO2
雷射時，熱的影響較大，加工周邊部受熱的影響會變成圓弧狀而不能成為端面。
另外，受激二聚物雷射由雷射光源1剛出射後之射束剖面具有約10×10 mm之尺寸，可藉射束整形器3使此雷射束依加工目的縮小化、長面積化、或大面積化。透過大面積化，可將較寬面積整個一併加工。因此，受激二聚物雷射適合使用於同時加工大面積之區域。又，縮小化之情形，可施行高精細之微細加工。利用步進及反覆法施行圖案化時，也可施行較寬面積之加工。
射束整形器3係將來自雷射光源1之雷射束整形，使射束強度均勻化而加以輸出。
遮罩或可變孔徑4具有可使射束整形器3所整形之雷射束通過或穿透之特定圖案。此遮罩或可變孔徑4例如可使用以金屬材料形成之開孔罩、以透明玻璃材料或金屬薄膜形成之光罩、以電介質材料形成之電介質罩等。
投影透鏡5係以特定倍率將通過遮罩或可變孔徑4之圖案之雷射束投影在加工台6上之加工對象物7之加工面。
加工台6係被配置成可使由投影透鏡5被投影之雷射束聚焦於加工對象物7之加工面。此加工台6係由可沿著垂直於雷射束之光程2(光軸)之平面移動定位之X－Y台或3軸台等所構成，俾使雷射束可在加工對象物7之加工面上掃描。
在上述構成之雷射加工裝置15中，在雷射光源1使用受激二聚物雷射時，可將特定圖案之雷射束照射於加工對象物7之加工面，以施行燒蝕加工。加工對象物7之加工面燒蝕加工時，會產生對應於形成加工面之材料之加工飛濺物(碎屑)。此碎屑附著於加工面時，對加工品質及加工精度等會造成影響，故藉本發明防止其附著。
如圖1所示，在雷射光照射於加工台6上之加工對象物7前之雷射光程2上，設有具備例如在KrF雷射之情形以石英、在ArF雷射之情形以氟化鈣製成之可供受激二聚物雷射穿透之上部穿透窗9之略圓筒狀之鋁或不銹鋼等構成之減壓室11(雷射加工頭)。減壓室11係構成可藉排氣機構12將減壓室11內部之氣體排出外部，並藉氣體導入機構13將氣體導入減壓室11內部，在底部10具有局部排氣功能。
本發明之雷射加工裝置15係將減壓室11之底部10極接近地配置於例如成膜透明導電膜之加工對象物7。而，由排氣孔排出透明導電膜之雷射光照射面附近之環境氣體。如此，可藉簡單之構成，使透明導電膜之雷射光照射面處於減壓氣體環境，使雷射光照射時之透明導電膜脫離其下層之例如樹脂層之際之昇華壓增高，故可降低加工所需之照射能量，並設置將空氣等流體噴出於加工區域附近表面流體送出裝置(氣體導入機構)，可透過排氣孔除去．回收藉雷射光照射而由樹脂層脫離並被除去之碎屑。
圖2係表示減壓室11之概略構成圖，圖3係表示減壓室11之仰視圖。減壓室11係呈現在中心部形成穿透孔14之略圓筒形狀，例如被配置成與在基板8a上成膜含透明導電膜8b之多層膜之加工對象物7表面保持特定距離。構成多層膜之透明導電膜8b例如係成膜於樹脂層(省略圖示)等之上。當然，不限定於此例。
減壓室11係由上側部分與下側部分所構成，在上側部分形成與穿透孔14連通之排氣孔16而通過配管16a與排氣機構12連接。減壓室11之下側部分以與穿透孔14連通而互相相向方式設有通氣孔17、18。又，在減壓室11之底部10之略中心，設有可使穿透上部穿透窗9之雷射光通過之開口部20，又在其外周部周邊之同心圓周上設有氣體噴出溝19(參照圖3)。通氣孔17通過配管17a而與排氣機構12連接，通氣孔18通過配管18a而與氣體導入機構13連接。通氣孔17、18係以對底部10保持特定角度而與開口部20附近之空間連接，以便可將流通於內部之氣體導入加工對象物7之雷射光照射區域附近，並排出雷射光照射區域附近之環境氣體。在本例中，將將減壓室11之設有通氣孔17、18及開口部20之下側部分稱為氣體導入排氣部11a。
藉外裝於減壓室11之排氣機構12，將減壓室11內之空氣抽成真空(在本例中，最大可達10－ 2
Torr程度)，通過排氣孔16及通氣孔17施行加工對象物7表面周邊之環境氣體之排氣。開口部20之直徑略同於或稍大於最大加工射束尺寸之程度。例如，設定為最大加工射束尺寸＋1 mm以下。
該減壓室11之底部10與加工對象物7之照射面(多層膜表面)之距離因需要由環狀之氣體噴出溝19噴出浮升用氣體導入機構(省略圖示)所供應之氣體，故保持100 μm以下，可藉此使縮小通過排氣孔16及通氣孔17排氣之際之傳導率，使減壓室11之底部10與加工對象物7之空間之真空度小於1氣壓。在此減壓下，被照射雷射光，並被除去之透明導電膜8b與以1氣壓被照射雷射光之情形相比，由脫離其下層之例如樹脂層(省略圖示)等之界面之際之昇華壓較高，故可縮小雷射光之照射能量密度。另外，被除去之透明導電膜8b可經由排氣孔16與通氣孔17被回收。
又，雖未圖示，在排氣機構12與排氣孔設有過濾器，以供回收碎屑。又，也可切換在排氣機構12排氣之配管，而由排氣孔16與通氣孔17分別排氣。又，也可設置2個排氣機構，而由排氣孔16與通氣孔17分別排氣。
如此，藉設置局部排氣功能之簡單構成，使雷射光照射面處於減壓氣體環境，在此減壓氣體環境下照射雷射光時，可不損及生產性，而謀求加工能量之降低、以及碎屑之除去及回收。
圖4A、B係表示實施本發明之雷射加工之際之碎屑之飛濺例，A係加工區域附近之俯視圖，B係加工區域附近之側面圖。
在本例中，如圖3所示，在雷射加工之際使氣體通過配管18a由通氣孔18導入減壓室11(雷射加工頭)，在大致同時，通過配管16a、17a由排氣孔16及通氣孔17施行排氣。因此，在加工對象物7之雷射光照射區域附近會產生如圖3所示之氣流。此時，雷射光照射於加工對象物7之特定之加工區域時，所產生之加工飛濺物中，未由排氣孔16及通氣孔17被排出之加工飛濺物26會被氣流沖走而偏移、堆積於照射區域22周邊之一方(在圖5之例中，為照射區域22左側)(參照圖4A)。
因此，如前所述，藉適切地調節(設定)減壓室11之開口部20之直徑、及減壓室11之底部10與加工對象物7之照射面之距離L時，可縮小使加工飛濺物26堆積於加工區域周邊而成為碎屑之面積，同時縱使飛濺至加工區域周邊之情形，也會堆積於開口部20之周邊之斜面11b，故可抑制對加工對象物7之堆積量。
如此，利用開口部20規制利用雷射光之燒蝕加工所產生之加工飛濺物26(碎屑)之飛濺範圍，並使加工飛濺物26堆積於開口部20之周邊時，即可防止加工飛濺物26再附著於加工對象物7之表面。
其次，一面參照圖5，一面說明有關本發明之一實施型態之雷射加工方法。此圖5係表示將氣體導入加工對象物7之圖案加工方向而將第2發之雷射束(第2雷射光)重疊照射於未能被第1發之雷射束(第1雷射光)除去之加工飛濺物(碎屑)之加工方法。
首先，調整排氣孔16及通氣孔17之排氣流量、與通氣孔18之氣體導入流量，而在特定之減壓下控制減壓室11之內壓後，由氣體噴出溝19噴出浮升用氣體，將減壓室11之底部10與加工對象物7之加工面之距離維持於一定距離。
而，以可在圖5之右向左之方向形成氣流方式導入氣體，將第1次之雷射光照射於雷射加工區域附近。與此時約略同時施行排氣。碎屑27會堆積於被照射雷射光之加工對象物7之第1照射區域23之左側。其次，使載置加工對象物7之加工台6向圖案加工方向，也就是說，在本例中向與被導入之氣流相反方向移動。而，與上述同樣地，將氣體導入加工對象物7之雷射光照射區域附近，並一面排出該環境氣體，一面對加工對象物7照射雷射束，而使第1發之雷射束之第1照射區域23與第2發之雷射束之第2照射區域24局部重疊，例如約重疊50%。
第1發之雷射束產生之再附著之碎屑27可藉重疊照射而由排氣孔16及通氣孔17被除去、回收。此時，在第2照射區域24之氣流方向，也就是說左側會新產生碎屑28。
同樣地，使載置加工對象物7之加工台6向氣流相反側(圖案加工方向)移動，重複照射雷射束之步驟，在照射雷射束至第n發時，碎屑29會堆積於第n照射區域之氣流風下側之加工區域，同時除去、回收再附著於第1~第(n－1)發以前之第1~第(n－1)照射區域之碎屑。
又，在本例中，加工束之重疊量雖設定為例如約50%之重疊量，但重疊量並不限定於此。又，在本例中，作為由氣體導入機構13被送出之氣體，例如使用氧(O2
)、氦(He)、氬(Ar)等。
其次，說明有關本發明之另一實施型態。
實際之加工對象物7係平面顯示器等之陣列基板(多層膜基板)等，故如圖6所示，有必要變更圖案加工方向之轉換，也就是說變更雷射照射正常路線多數次。此種情形，通氣孔17除了排出加工對象物7之雷射光照射區域附近之環境氣體之功能以外，並附加將氣體導入雷射光照射區域附近之功能，又，通氣孔18除了將氣體導入加工對象物7之雷射光照射區域附近之功能以外，並附加排出加工對象物7之雷射光照射區域附近之環境氣體之功能，可依照加工對象物7之圖案加工方向切換通氣孔17與通氣孔18間之氣體之導入及排出之方向。作為一例，有將通氣孔17及通氣孔18分別連接於排氣機構12及氣體導入機構13，並在其連接路徑之途中設置電磁閥等之開閉機構，藉控制開閉機構之開閉，以切換氣體之導入及排出等之構成。
即，在圖6中由右向左施行雷射加工時，採行如圖3所示由右流向左(由配管18a向配管17a)之氣流方向，切換雷射加工之方向而由左向右施行雷射加工時，在圖3中，形成由圖中左流向右(由配管17a向配管18a)之氣流。
如此，依照圖案加工方向控制流過形成於氣體導入排氣部11a之通氣孔17、18之流體之氣流方向之切換時，即可應付圖案加工方向之轉換。
其次，說明有關本發明之又另一實施型態。
採用如下之構成：即，在減壓室11(雷射加工頭)之下側之形成通氣孔17、18之氣體導入排氣部11a，設置具有略平行於雷射光之光程之旋轉軸之旋轉機構，可依照加工對象物7之圖案加工方向使氣體導入排氣部11a旋轉，並切換流過對加工對象物7之雷射光照射區域附近之通氣孔17、18之氣體之導入及排氣之方向時，即可應付圖案加工方向之轉換(參照圖6)。採用此種構成時，可容易且自動地切換氣流方向。
例如，參照圖3加以說明時，180度轉換圖案加工方向之情形，使減壓室11旋轉180度而使氣流方向由左向右反轉。又，需要由圖3之下向上圖案加工之情形，使減壓室11向旋轉90度而變更為由上向下之氣流方向。
又，在上述之說明中，雖說明使氣體導入排氣部11a旋轉，即僅使減壓室11之一部分旋轉，但當然也可採用並非僅使減壓室11之一部分旋轉，而使全體旋轉之機構。
又，說明有關本發明之又另一實施型態。
圖7係本實施型態之減壓室11之仰視圖。圖7之例係將圖3所示之吸氣(氣體導入)與排氣之組合進一步配置於90度方向，藉此，可縮短在X方向、Y方向之2方向之圖案化之切換時間。
在圖7中，減壓室11(雷射加工頭)係採用下列構成：即，在將氣體導入加工對象物7之雷射光照射區域附近或排出雷射光照射區域附近之環境氣體而互相相向且分別被設置在與配管17a(通氣孔17)及配管18a(通氣孔18)成90度之位置，形成配管31a、32a，也就是說形成第3通氣孔及第4通氣孔。而，可依照加工對象物7之圖案加工方向，選擇切換使用通氣孔17及通氣孔18組成之通氣孔對、或第3通氣孔與第4通氣孔(配管31a,32a)組成之通氣孔對中之一方。
依據本實施型態，由於每隔90度設有通氣孔，故在圖案化時切換加工方向之際，無需旋轉移動，故可縮短切換時間。又，因無需旋轉移動，故與圖3之例相比，不會發生機械精度引起之誤差，可實施良好精度之圖案加工。
如以上所說明，依據本發明，在利用雷射光之燒蝕或熱熔融之雷射加工時，可減少熱的影響而高效率地除去、回收雷射加工所產生之加工飛濺物，削減對加工面之碎屑之附著量。
此結果，可實現精密之雷射加工，且可獲得可防止碎屑之附著之優異之效果，擴大雷射加工之應用，可以高精度而低廉地形成微細圖案。
又，上述各實施型態因係本發明之合適之具體例，在材料之種類及數值限定等技術上雖附有理想之種種限定，但除非在以下之說明中有特別限定本發明之趣旨之記載，本發明之範圍不應被限定於此等之型態。
1‧‧‧雷射光源
6．．．加工台
7．．．加工對象物
9．．．上部穿透窗
10．．．底部
11．．．減壓室(雷射加工頭)
12．．．排氣機構
13．．．氣體導入機構
14．．．穿透孔
15．．．雷射加工裝置
16．．．排氣孔
16a、17a、18a、31a、32a．．．配管
17．．．通氣孔
18．．．通氣孔
20．．．開口部
21．．．加工飛濺物(碎屑)
22．．．照射區域
23．．．第1照射區域
24．．．第2照射區域
25．．．第n照射區域
26、27、28．．．加工飛濺物(碎屑)
圖1係本發明之一實施型態之雷射加工裝置之概略構成圖。
圖2係本發明之一實施型態之減壓室之概略剖面圖。
圖3係本發明之一實施型態之減壓室之仰視圖(1)。
圖4A及圖4B係表示本發明之一實施型態之碎屑之飛濺例之圖。
圖5係本發明之一實施型態之雷射加工方法之說明圖。
圖6係本發明之一實施型態之雷射加工正常路線之一例之圖。
圖7係本發明之一實施型態之減壓室之仰視圖(2)。
圖8係以往之雷射加工裝置之開口部附近之剖面圖。
7．．．加工對象物
8a．．．基板
8b．．．透明導電膜
9．．．上部穿透窗
10．．．底部
11．．．減壓室(雷射加工頭)
11a．．．氣體導入排氣部
14．．．穿透孔
16．．．排氣孔
16a,17a,18a．．．配管
17,18．．．通氣孔
19．．．氣體噴出溝
20．．．開口部
21．．．加工飛濺物(碎屑)
Claims (5)
- 一種雷射加工裝置，其係利用雷射光施行形成於加工對象物之多層膜上之透明導電膜之圖案加工者，其特徵在於包含雷射加工頭，其係含有：穿透窗，其係供照射於前述加工對象物之雷射光穿透者；一組進氣口及排氣口，其包含：開口部，其係在前述雷射加工頭之底部使穿透前述穿透窗之雷射光通過者；排氣孔，其係將環境氣體排出外部者，前述排氣孔設於前述雷射加工頭之頂部且離開前述加工對象物之一表面；第1通氣孔，其係將氣體導入前述加工對象物之雷射光照射區域附近者，前述第1通氣孔係鄰近接近前述雷射加工頭之前述底部的前述加工對象物之前述表面；第2通氣孔，其係排出前述加工對象物之雷射光照射區域附近之氣體至外部者，前述第2通氣孔係鄰近接近前述雷射加工頭之前述底部的前述加工對象物之前述表面，且設於與前述第1通氣孔相對之位置，前述第2通氣孔設於前述排氣孔的正下方；及氣體噴出溝，其係設於前述雷射加工頭之前述底部的周邊；其中係經由前述雷射加工頭之前述開口部、及與設於 前述雷射加工頭之底部之前述開口部連通之前述排氣孔及前述第2通氣孔，向上方排出由前述加工對象物之雷射光照射區域所產生之加工飛濺物；其中一水平氣流方向係從前述第1通氣孔朝向前述第2通氣孔的方向，且前述一組進氣口及排氣口係配置成於前述雷射加工頭、前述第1通氣孔、前述第2通氣孔、及前述排氣孔之每一個的內部，至少實質上無氣體於與前述水平氣流方向相反之方向流動。
- 如請求項1之雷射加工裝置，其中調節前述雷射加工頭之開口部之直徑、及前述加工對象物之前述多層膜表面與前述雷射加工頭之底部之距離，而抑制前述加工飛濺物對前述加工對象物之堆積量。
- 如請求項1之雷射加工裝置，其中前述第1通氣孔除了將氣體導入前述加工對象物之雷射光照射區域附近之功能以外，並具有排出前述雷射光照射區域附近之環境氣體之功能；又，前述第2通氣孔除了供排出前述加工對象物之雷射光照射區域附近之環境氣體之功能以外，並具有將氣體導入前述加工對象物之雷射光照射區域附近之功能；依照前述加工對象物之圖案加工方向，切換前述第1通氣孔與前述第2通氣孔間之氣體導入及排出之方向。
- 如請求項1之雷射加工裝置，其中前述氣體噴出溝係設於前述雷射加工頭之前述底部的 周邊之同心圓周上。
- 一種雷射加工裝置，其係利用雷射光施行形成於加工對象物之多層膜上之透明導電膜之圖案加工者，其特徵在於包含雷射加工頭，其係含有：穿透窗，其係供照射於前述加工對象物之雷射光穿透者；一組進氣口及排氣口，其包含：開口部，其係在前述雷射加工頭之底部使穿透前述穿透窗之雷射光通過者；排氣孔，其係將環境氣體排出外部者，前述排氣孔設於前述雷射加工頭之頂部且離開前述加工對象物之一表面；第1通氣孔，其係將氣體導入前述加工對象物之雷射光照射區域附近者，前述第1通氣孔係鄰近接近前述雷射加工頭之前述底部的前述加工對象物之前述表面；第2通氣孔，其係排出前述加工對象物之雷射光照射區域附近之氣體至外部者，前述第2通氣孔係鄰近接近前述雷射加工頭之前述底部的前述加工對象物之前述表面，且設於與前述第1通氣孔相對之位置，前述第2通氣孔設於前述排氣孔的正下方；氣體噴出溝，其係設於前述雷射加工頭之前述底部的周邊；及旋轉機構，其係形成有前述第1及第2通氣孔，且具有 與前述雷射光之光程大致平行之旋轉軸者；其中係經由前述雷射加工頭之前述開口部、及與設於前述雷射加工頭之底部之前述開口部連通之前述排氣孔及前述第2通氣孔，向上方排出由前述加工對象物之雷射光照射區域所產生之加工飛濺物；前述旋轉機構係構成為藉由依照前述加工對象物之圖案加工方向變化旋轉，切換對前述加工對象物之前述雷射光照射區域附近之前述第1通氣孔與前述第2通氣孔間之氣體導入及排出之方向；其中一水平氣流方向係從前述第1通氣孔朝向前述第2通氣孔的方向，且前述一組進氣口及排氣口係配置成於前述雷射加工頭、前述第1通氣孔、前述第2通氣孔、及前述排氣孔之每一個的內部，至少實質上無氣體於與前述水平氣流方向相反之方向流動。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006061561A JP5165203B2 (ja) | 2006-03-07 | 2006-03-07 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200734100A TW200734100A (en) | 2007-09-16 |
| TWI391200B true TWI391200B (zh) | 2013-04-01 |
Family
ID=37137135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW095132181A TWI391200B (zh) | 2006-03-07 | 2006-08-31 | 雷射加工裝置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8581140B2 (zh) |
| JP (1) | JP5165203B2 (zh) |
| KR (1) | KR101299039B1 (zh) |
| CN (1) | CN101032785A (zh) |
| GB (1) | GB2435844B (zh) |
| TW (1) | TWI391200B (zh) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4404085B2 (ja) | 2006-11-02 | 2010-01-27 | ソニー株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工ヘッド及びレーザ加工方法 |
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| JP5308423B2 (ja) * | 2010-10-12 | 2013-10-09 | 日本特殊陶業株式会社 | グリーンシートの溝加工装置および多数個取り配線基板の製造方法 |
| KR102096048B1 (ko) * | 2012-10-10 | 2020-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 가공장치 |
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| TWI561328B (en) * | 2014-09-03 | 2016-12-11 | Univ Nat Yunlin Sci & Tech | Swirl jet flow auxiliary manufacturing device |
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-
2006
- 2006-03-07 JP JP2006061561A patent/JP5165203B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-25 US US11/467,407 patent/US8581140B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-30 KR KR1020060083061A patent/KR101299039B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-08-31 GB GB0617195A patent/GB2435844B/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-31 TW TW095132181A patent/TWI391200B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-08-31 CN CNA200610136314XA patent/CN101032785A/zh active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5165203B2 (ja) | 2013-03-21 |
| US20070210045A1 (en) | 2007-09-13 |
| KR101299039B1 (ko) | 2013-08-27 |
| US8581140B2 (en) | 2013-11-12 |
| CN101032785A (zh) | 2007-09-12 |
| TW200734100A (en) | 2007-09-16 |
| GB0617195D0 (en) | 2006-10-11 |
| JP2007237215A (ja) | 2007-09-20 |
| GB2435844A (en) | 2007-09-12 |
| KR20070092082A (ko) | 2007-09-12 |
| GB2435844B (en) | 2008-02-06 |
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