KR101900283B1 - 레이저 리프트 오프 장비 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레이저 리프트 오프 공정 중에 발생될 수 있는 더스트를 제거할 수 있는 레이저 리프트 오프 장비에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 기판에 대한 레이저 리프트 오프(laser lift Off)를 실시할 수 있도록 상기 기판이 로딩(loading)되는 장소를 제공하는 스테이지; 상기 스테이지의 상측에 위치하며, 상기 스테이지 상에 로딩된 상기 기판의 일부분에 레이저를 조사하는 레이저 조사기; 및 상기 스테이지의 상측에 일정간격 이격되어 위치하며, 상기 레이저 조사기로부터 상기 기판측으로 상기 레이저가 조사됨으로써 상기 기판의 일부분에서 발생되는 더스트를 제거하는 흡입기;를 포함하므로 기판에 대한 레이저 리프트 오프 공정 과정에서 발생되는 더스트가 비산되어 확산되기 전에 제거할 수 있게 되어 레이저 리프트 오프 장비 내에서 공정환경이 더스트로 오염되는 것을 예방 내지 억제할 수 있게 된다. 따라서, 레이저 리프트 오프 장비를 이용한 반도체 소자 제품 생산성을 증진시켜줄 수 있는 기술이 개시된다.

Description

레이저 리프트 오프 장비{Dust Remove Equipment for Laser Lift Off Process}
본 발명은 기판에 대한 레이저 리프트 오프 공정에 사용되는 레이저 리프트 오프 장비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 대한 레이저 리프트 오프 공정 과정에서 발생하는 더스트 등을 제거할 수 있는 레이저 리프트 오프 장비에 관한 것이다.
최근 들어 기술이 발전함에 따라 레이저 빔의 안정성과 출력이 향상되었으며, 반도체 물질을 가공하는 공정으로까지 그 사용범위가 확대되고 있다. 특히 발광다이오드(LED : Light Emittiing Diode)와 같은 소자를 형성하기 위하여, 레이저빔을 이용하여 기판 위의 박막을 분리하는 공정이 많이 이루어지는데, 이러한 공정에 사용되는 대표적인 장비를 레이저 리프트 오프(LLO : Laser Lift Off) 장비 라고 한다.
레이저 리프트 오프 공정을 실시하는 동안에는 도 1에서 참조되는 바와 같이 레이저가 기판에 조사될 때 레이저에 의한 퓸(fume)이나 파티클(particle)등이 발생된다. 이 때 발생되는 퓸이나 파티클은 레이저 리프트 오프 장비 내부를 오염시키는 원인이 된다. 이러한 오염은 생산되는 반도체소자의 불량률을 증대시킨다는 점에서 꼭 극복되어야한다.
레이저 리프트 오프 공정에 있어서 발생하게 되는 퓸이나 파티클 등과 같은 더스트로부터 오염되는 문제에 관한 종래 기술 중에는 대한민국 공개특허 제10-2012-0071525호(발명의 명칭 : 레이저 리프트 오프 장비의 파티클 제거장치. 이하 선행기술 1 이라함.)과 대한민국 공개특허 제10-2012-0104956호(발명의 명칭 : 레이저 리프트 오프 장치. 이하 선행기술 2 이라 함.) 등이 있다.
선행기술 1에 따르면 진공펌프 대신에 벤츄리관을 이용하여 진공펌프의 수명단축 등의 문제를 해결할 수 있지만, 국부적으로 레이저가 조사된 영역에서 발생되는 더스트는 매우 빠른 속도로 사방으로 튀어나가며, 부착력이 좋기 때문에 더스트에 의한 오염문제를 해결할 수는 없었다.
선행기술2에 따르면 기판의 다양한 크기에 대응하여 더스트를 제거하기가 어렵다는 문제점이 있었다. 즉, 기판이 놓이는 스테이지의 주변에만 배기관이 마련되어 있으므로, 레이저가 조사된 영역으로부터 배기관까지의 거리가 다소 멀어지게 되므로 레이저 조사시 발생되는 퓸이나 파티클을 제거하는데 한계가 있다는 문제점이 있었다.
이와 같이 종래의 레이저 리프트 오프 장치에 따르면, 레이저가 조사되면서 발생되는 퓸이나 파티클과 같은 더스트를 제거하기가 어려웠으며, 반도체 소자의 불량률을 증가되는 요인이 된다는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 레이저 리프트 오프 공정 중에 발생하게 되는 더스트를 제거할 수 있는 레이저 리프트 오프 장비를 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 레이저 리프트 오프 장비는 기판에 대한 레이저 리프트 오프(laser lift Off)를 실시할 수 있도록 상기 기판이 로딩(loading)되는 장소를 제공하는 스테이지; 상기 스테이지의 상측에 위치하며, 상기 스테이지 상에 로딩된 상기 기판의 일부분에 레이저를 조사하는 레이저 조사기; 및 상기 스테이지의 상측에 일정간격 이격되어 위치하며, 상기 레이저 조사기로부터 상기 기판측으로 상기 레이저가 조사됨으로써 상기 기판의 일부분에서 발생되는 더스트(dust)를 제거하는 흡입기;를 포함하는 것을 하나의 특징으로 할 수도 있다.
여기서, 상기 흡입기는 상기 더스트를 흡입하는 흡입모듈을 포함하며, 상기 흡입모듈은, 상기 스테이지의 상측면을 향하여 하측으로 제1흡입구가 형성되고, 상기 스테이지에 대하여 평행한 방향으로 제2흡입구가 형성된 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
나아가, 상기 흡입모듈에 형성된 상기 제1흡입구 또는 상기 제2흡입구는 일측 방향으로 길게 슬릿(slit)형태로 형성된 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
또한, 상기 흡입기는 두 개의 상기 흡입모듈을 포함하여 이루어지는 흡입조(crew)를 적어도 하나 이상 포함하며, 하나의 상기 흡입조를 형성하는 두 개의 상기 흡입모듈이 서로에 대하여 일정간격 이격되어 배치되되, 두 개의 상기 흡입모듈 각각의 상기 제2흡입구가 서로 마주보며 일정 간격 이격되어 배치된 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
나아가, 상기 흡입기에 포함되는 다수개의 상기 흡입조는 연이어 배열되되, 하나의 상기 흡입조 내에서 두 개의 상기 흡입모듈 사이에 이격되어 형성되는 이격공간이 연통되도록 다수개의 상기 흡입조가 일측 방향으로 연이어 배열되며, 상기 레이저가 상기 이격공간을 통과하여 상기 기판의 상측면에 조사되는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
더 나아가, 다수개의 상기 흡입모듈 각각은 상기 더스트를 상기 제1흡입구 또는 상기 제2흡입구로 흡입하는 흡입력을 달리할 수 있는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
여기서, 상기 스테이지의 상측에 일정 간격 이격되어 위치하며, 상기 기판이 언로딩(unloading)된 상기 스테이지의 상측면에 존재하는 더스트를 제거하는 스테이지 클리너;를 더 포함하는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
나아가, 상기 스테이지 클리너 및 상기 스테이지는, 상기 스테이지의 상측면에 대하여 평행인 방향으로 서로에 대하여 상대적인 위치이동이 이루어지는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
나아가, 상기 스테이지 클리너에는, 상기 스테이지 상측면에 존재하는 더스트를 제거하기 위하여 하측으로 블로우가스(blow-gas)를 분사하는 분사구가 형성된 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
더 나아가, 상기 분사구는 일측에서 타측으로 길게 슬릿형태로 형성된 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
나아가, 상기 스테이지 클리너에는, 상기 스테이지 상측면에 존재하는 더스트를 흡입하기 위한 흡입구가 형성된 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
더 나아가, 상기 흡입구는 일측에서 타측으로 길게 슬릿형태로 형성된 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
더 나아가, 상기 분사구는 하측으로 형성되되, 상기 스테이지의 상측면에 대하여 수직으로 형성되어 있고, 상기 흡입구는 상기 분사구를 중심으로 대칭적 배치가 되도록 적어도 둘 이상 형성되되, 상기 흡입구는 상기 스테이지의 상측면에 대하여 소정의 각도로 기울어지도록 형성된 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
더 나아가, 상기 스테이지 클리너의 상기 분사구를 통해 분사되는 블로우가스의 분사압력이 초음파(ultra sonic wave)와 같이 파동적으로 변화되는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.
본 발명에 따른 레이저 리프트 오프 장비는 기판에 대한 레이저 리프트 오프 공정 과정에서 발생되는 더스트가 비산되어 확산되기 전에 제거할 수 있다. 따라서, 레이저 리프트 오프 장비 내에서 공정환경이 더스트로 오염되는 것을 예방 내지 억제할 수 있으며, 레이저가 조사되는 영역을 중심으로 더스트를 흡입하므로 다양한 크기의 기판에 대응할 수 있다. 따라서, 반도체 소자 제품 생산성 증진에 도움이 되며, 레이저 리프트오프 장비에 대한 관리가 수월해지는 효과가 있다.
도 1은 레이저 리프트 오프 공정 중 레이저의 조사 및 더스트의 발생을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 리프트 오프 장비의 흡입기의 일부 부분을 절단하여 개략적으로 나타낸 부분절개사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 리프트 오프 장비의 흡입기 및 이에 포함되는 흡입모듈를 개략적으로 나타낸 측단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 흡입기의 하측면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 리프트 오프 장비의 스테이지 클리너를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 리프트 오프 장비의 스테이지 클리너의 측면을 개략적으로 나타낸 부분측단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 리프트 오프 장비를 이용한 클리닝 과정을 개략적으로 나타낸 도면이다.
이하에서는 본 발명에 대하여 보다 구체적으로 이해할 수 있도록 첨부된 도면을 참조한 바람직한 실시 예를 들어 설명하기로 한다.
도 1은 레이저 리프트 오프 공정 중 레이저의 조사 및 더스트의 발생을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 리프트 오프 장비의 흡입기의 일부 부분을 절단하여 개략적으로 나타낸 부분절개사시도이며, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 리프트 오프 장비의 흡입기 및 이에 포함되는 흡입모듈를 개략적으로 나타낸 측단면도이고, 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 흡입기의 하측면을 개략적으로 도시한 도면이다.
먼저 도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 리프트 오프 장비는 스테이지, 레이저 조사기 및 흡입기를 포함하여 이루어지며, 더욱 바람직하게는 스테이지 클리너(stage cleaner)를 더 포함하여 이루어질 수도 있다.
스테이지(100)는 기판(20)에 대한 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off)를 실시하기 위하여 기판(20)이 로딩(loading)되는 장소를 제공한다.
여기서 기판(20)은 도 1에서 참조되는 바와 같이 통상 하측에 FPC(Flexible Printed Circuit)(21)가 있고, 상측에는 글라스(glass)(25)가 있으며, FPC(21)와 글라스(25) 사이에 박막소자(23)가 위치한 구조로 이루어져 있다.
그리고, 도 3에서 참조되는 바와 같이, 기판(20)에 대하여 레이저(L)가 조사될 수 있도록 기판(20)이 놓이는 공간을 스테이지(100)가 제공한다. 스테이지(100)의 윗면에 로딩된 기판(20)이 안착되어 자리를 잡고, 로딩된 기판(20)에서 레이저(L)가 조사될 부분에 대하여 레이저가 조사됨으로써 레이저 리프트 오프 공정이 이루어지게 된다.
따라서, 스테이지(100)는 기판(20)이 안정적으로 로딩되어 자리잡을 수 있도록 기판(20) 보다 큰 면적을 갖는 것이 바람직하다.
다음으로, 레이저 조사기(미도시)는 스테이지(100)의 상측에 위치한다. 그리고 스테이지(100) 상에 로딩된 기판(20)의 일부분에 레이저(L)를 조사한다. 레이저 조사기로부터 조사되는 레이저(L)에 의해 도 1에서 참조되는 바와 같이 기판(20)에 대한 레이저 리프트 오프가 이루어지게 된다.
여기서, 레이저 조사기로부터 조사되는 레이저(L)는 엑시머 레이저(Excimer Laser)인 것이 바람직하다.
흡입기(200)는 스테이지(100)의 상측에 일정간격 이격되어 위치한다. 그리고 레이저 조사기로부터 기판(20)측으로 레이저가 조사됨으로써 상기 기판(20)의 일부분에서 발생되는 더스트(dust)(D1, D2)를 제거한다.
여기서, 참고로 본 명세서 상에서 말하는 더스트(D1, D2)는 설명의 편의상 파티클(particle)이나 퓸(fume) 등을 총칭하는 용어로서 사용하는 것이며, 장비내 오염을 유발하는 파편이나 이물질 등을 지칭하는 것으로 이해될 수 있음을 밝혀둔다.
흡입기(200)는 더스트(D1, D2)를 흡입하는 흡입모듈(2100, 2200)을 포함한다. 흡입모듈(2100, 2200)은 스테이지(100)의 상측면을 향하여 하측으로 형성된 제1흡입구(2110, 2210)와, 스테이지(100)에 대하여 평행한 방향으로 형성된 제2흡입구(2120, 2220)가 마련되어 있다.
그리고, 제1흡입구(2110, 2210)와 제2흡입구(2120, 2220)를 통해 더스트(D1, D2)를 흡입할 수 있도록 제1흡입구(2110, 2210)와 제2흡입구(2120, 2220)는 진공펌프(미도시) 등과 연결되어 있는 것이 바람직하다.
여기서 제1흡입구(2110, 2210)와 제2흡입구(2120, 2220)는 원형에 가까운 형태의 구멍형태를 갖춘 것도 바람직하지만, 도 3 및 4에서 참조되는 바와 같이 제1흡입구(2110, 2210)와 제2흡입구(2120, 2220)가 일측으로 길게 슬릿형태로 형성된 것이 바람직하다.
레이저(L)가 기판(20)에 조사되면, 비산되는 더스트(D1)와 기판(20) 또는 스테이지(100)의 상측면 상으로 튀는 더스트(D2)가 발생된다. 비산되는 더스트(D1)은 주로 흡입모듈(2100,2200)의 제2흡입구(2120, 2220)를 통해 흡입된다. 그리고, 기판(20) 또는 스테이지(100)의 상측 면상으로 튀는 더스트(D2)는 제1흡입구(2110, 2210)를 통해 흡입되어 제거된다.
이러한 더스트(D1, D2)가 제1흡입구(2110, 2210) 또는 제2흡입구(2120, 2220)에 흡입되는 이동경로를 개략적으로나마 도면에 표시하였다.
그리고, 제1흡입구(2110, 2210) 또는 제2흡입구(2120, 2220)는 도 3에서 참조되는 바와 같이 내측으로 갈수록 테이퍼(taper)지게 형성된 것이 바람직하다. 즉, 스테이지(100)에서 멀어질수록 제1흡입구(2110, 2210) 또는 제2흡입구(2120, 2220)의 폭이 좁아지도록 테이퍼지게 형성된 것이 바람직하다는 것이다.
여기서, 두 개의 흡입모듈(2100, 2200)이 하나의 흡입조(crew)(2000)를 구성하고, 이와 같은 흡입조(2000)들이 적어도 하나 이상 흡입기(200)에 포함된 것으로 볼 수도 있다.
예를 들어, 도 2 내지 도 4에서 참조되는 바와 같이 하나의 흡입조(2000)를 형성하는 두 개의 흡입모듈(2100, 2200)이 서로에 대하여 일정간격 이격(2050)되어 배치되되, 두 개의 흡입모듈(2100, 2200) 각각의 제2흡입구(2120, 2220)가 서로 마주보며 일정 간격 이격(2050)되어 배치된 것이 비람직하다.
여기서, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 흡입기(200)에 포함되는 다수개의 흡입조(2000)는 연이어 배열되되, 하나의 흡입조(2000) 내에서 두 개의 흡입모듈(2100, 2200) 사이에 이격되어 형성되는 이격공간(2050)이 연통되도록 다수개의 흡입조(2000)가 일측 방향으로 연이어 배열된 것이 바람직하다. 이러한 경우 레이저 조사기로부터 조사되는 레이저(L)가 이격공간(2050)을 통과하면서 기판(20)의 상측면에 조사되는 것이 바람직하다.
여기서, 기판(20)에 조사되는 레이저(L)는 기판(20)의 상측면에 대하여 수직으로 조사될 수도 있겠으나, 도 3에 도시된 바와 같이 레이저(L)의 입사각이 기판면에 대하여 예각을 이루도록 비스듬히 조사될 수도 있다. 이처럼, 비스듬히 조사되는 레이저(L)가 흡입기(200)에 가려지지 않도록 레이저(L)가 통과되는 부분에 이격된 공간(2055)가 더 마련된 것 또한 바람직하다.
그리고, 각각의 흡입모듈(2100, 2200)의 흡입력이 동일할 수도 있겠으나, 각각의 흡입모듈(2100, 2200)의 흡입력을 달리 할 수도 있는 것 또한 바람직하다. 즉, 레이저(L)가 조사되는 부분에 가까운 흡입모듈(2100, 2200)의 흡입력을 크게 하고, 레이저(L)가 조사되는 부분에서 다소 거리가 있는 곳에 위치한 흡입모듈(2100, 2200)의 흡입력을 작게 하는 것 또한 바람직하다는 것이다.
그리고, 흡입기(200)와 스테이지(100)는 서로에 대하여 상대적인 위치이동이 이루어진다. 예를 들어 레이저 조사기와 흡입기(200)는 고정된 위치에 있고, 기판(20)이 로딩된 스테이지(100)는 일측에서 타측으로 평행하게 이동된다는 것이다. 이와 같이 기판(20)이 스테이지(100)와 함께 일측에서 타측으로 평행하게 이동하면서 레이저(L)가 기판(20)상에 조사되는 위치가 달라질 수 있으며, 레이저(L)가 조사되는 위치에서 발생되는 더스트(D1, D2)를 흡입기(200)가 흡입하여 제거할 수 있게 된다.
다음으로 도 5 내지 도 6을 더 참조하여 스테이지 클리너에 대하여 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 리프트 오프 장비의 스테이지 클리너를 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 리프트 오프 장비의 스테이지 클리너의 측면을 개략적으로 나타낸 부분측단면도이며, 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 리프트 오프 장비를 이용한 클리닝 과정을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5 내지 도 6에서 참조되는 바와 같이 스테이지 클리너(300)는 스테이지(100)의 상측에 일정 간격 이격되어 위치한다. 그리고 기판(20)이 언로딩된 상태인 스테이지(100)의 상측면에 존재하는 더스트를 제거한다. 물론 스테이지(100)에 기판(20)이 로딩된 상태에서도 스테이지 클리너(300)를 이용하여 스테이지(100) 또는 기판(20)의 상측에 존재하는 더스트를 제거할 수도 있다.
여기서, 스테이지 클리너(300) 및 스테이지(100)는 스테이지(100)의 상측면에 대하여 평행인 방향으로 서로에 대하여 상대적인 위치이동이 이루어질 수 있는 것이 바람직하다.
즉, 스테이지(100)가 이동하거나 스테이지 클리너(300)가 이동함으로써 서로에 대하여 상대적인 위치이동이 이루어질 수 있다는 것이다. 예를 들어 스테이지 클리너(300)의 위치가 고정된 경우 스테이지(100)가 일측에서 타측으로 위치이동되면서 스테이지 클리너(300)가 스테이지(100)의 상측면에 대하여 클리닝을 할 수 있게 된다는 것이다.
스테이지 클리너(300)에는 스테이지(100) 상측면에 존재하는 더스트를 제거하기 위하여 하측으로 블로우가스(blow-gas)를 분사하는 분사구(3110)가 형성되어 있다.
그리고. 스테이지 클리너(300)에는 스테이지(100)의 상측면에 존재하는 더스트를 흡입하기 위한 흡입구가 형성되어 있는 것이 바람직하다.
스테이지 클리너(300)의 분사구(3110)를 통해 분사되는 블로우가스에 의해 더스트 등이 스테이지(100)의 상측면 또는 기판(20)의 상측면 등에서 이탈될 수 있다. 이렇게 이탈된 더스트 등은 도 6에서 참조되는 바와 같이 스테이지 클리너(300)의 흡입구(3120, 3130)를 통해 흡입됨으로써 레이저 리프트 오프 장치 내에서 더스트 등이 제거된다.
스테이지 클리너(300)의 분사구(3110)를 통해 분사되는 블로우가스의 분사압력이 초음파(ultra sonic wave)와 같이 파동적으로 변화되는 것 또한 바람직하다. 일정한 세기로 블로우가스가 분사구(3110)를 통해 분사될 수도 있겠으나, 블로우가스가 분사될 때 초음파(ultra sonic wave)와 같은 바이브레이션(vibration)을 주면 스테이지(100)의 상측면이나 기판(20) 상측면에 들러붙은 더스트들이 더 잘 떨어질 수 있게 되므로 바람직하다는 것이다.
그리고 스테이지 클리너(300)의 분사구(3110)는 원형의 형태를 갖춘 것도 바람직하지만, 일측에서 타측으로 길게 슬릿(slit)과 같은 형태로 형성된 것 또한 바람직하다.
스테이지 클리너(300)의 흡입구(3120, 3130) 또한 분사구(3110)와 마찬가지로 원형의 형태를 갖춘 것도 바람직하지만, 일측에서 타측으로 길게 슬릿형태로 형성된 것 또한 바람직하다.
레이저(L)가 조사되는 부분은 원형의 한 점에 가깝겠지만, 흡입구(3120, 3130)와 분사구(3110)가 슬릿형태로 길게 형성되면, 1자형의 빗자루가 바닥을 쓸 때 면으로 쓸리는 것과 마찬가지로, 스테이지(100)의 상측면 또는 기판(20)의 상측면에 대하여 분사와 흡입을 통한 더스트의 제거가 이루어지게 되므로 바람직하다.
그리고, 스테이지 클리너(300)에서, 분사구(3110)가 하측으로 형성되되, 스테이지(100)의 상측면에 대하여 수직이 되도록 형성되고, 흡입구(3120, 3130)는 도 6에서 참조되는 바와 같이 분사구(3110)를 중심으로 대칭적 배치가 되도록 적어도 둘 이상 형성된 것이 바람직하다. 도 6에서와 같이 흡입구(3120, 3130)가 분사구(3110)의 앞뒤 또는 좌우로 마련된 것이 바람직하다는 것이다.
여기서 더욱 바람직하게는 흡입구(3120, 3130)가 스테이지(100)의 상측면에 대하여 소정의 각도로 기울어지도록 형성된 것이 바람직하다. 흡입구(3120, 3130)가 소정의 각도로 기울져서 형성되되 분사구(3110)로부터 분사되는 블로우가스가 스테이지(100)의 상측면이나 기판(20)의 상측면에 접하는 부분을 지향하도록 형성되면 블로우가스가 스테이지(100)의 상측면이나 기판(20)의 상측면에 닿을 때 이탈되는 더스트가 바로 흡입구(3120, 3130)로 흡입될 수 있으므로 바람직하다는 것이다.
도 6에서의 도면부호 V1과 V2는 흡입구(3120, 3130) 각각의 중심축을 나타낸 가상의 선으로서, 흡입구가 소정의 각도만큼 기울어져서 형성된 것을 나타내었으며, 분사구(3110)로부터 분사된 가스가 기판(20) 또는 스테이지(100)의 상측면에 닿는 부분을 지향하고 있는 것을 개략적으로 나타내었다.
참고로, V1의 기울기 및 V2의 기울기가 서로 다르게 형성시키는 것 또한 바람직하다.
이상에서와 같이 설명한 레이저 리프트오프 장비를 이용한 더스트 제거방법에 대하여 도 7을 참조하여 설명하기로 한다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 리프트 오프 장비를 이용한 클리닝 과정을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도7을 참조하면, 먼저, 스테이지(100)의 상측 면에 대하여 스테이지 클리너(300)로 클리닝한다. 여기서 스테이지(100)의 상측 면은 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이 아직 기판(20)이 로딩되기 전의 상태이며, 기판(20)을 로딩시키기 전에 스테이지(100)의 상측면을 깨끗하게 클리닝하기 위하여 스테이지 클리너(300)로 스테이지(100)의 상측면을 클리닝 해준다.
다음으로, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이 스테이지(100)의 상측 면상으로 레이저 리프트 오프가 실시될 기판(20)이 로딩된다. 그리고, 스테이지(100)의 상측 면에 로딩된 기판(20)에 대하여 스테이지 클리너(300)로 클리닝한다.
스테이지 클리너(300)의 분사구(3110)에서 분사되는 블로우가스가 기판(20)의 상측면에 존재할 수 있는 더스트와 함께 흡입구(3120, 3130)로 흡수되어 클리닝이 이루어지게 된다.
그 다음으로 도 7의 (c)에서 참조되는 바와 같이, 스테이지 클리너로 클리닝된 기판(20)에 대하여 레이저를 조사하여 레이저 리프트 오프를 실시하면서 발생하는 더스트를 흡입기(200)를 이용하여 제거한다.
이상에서와 같은 방법으로 해도 더스트가 충분히 제거될 수 있겠으나 다음과 같은 두 개의 단계를 더 거치는 것 또한 바람직하다.
도 7의 (d)에서 참조되는 바와 같이 레이저 조사가 끝난 기판(20)에 대하여 스테이지 클리너(300)로 기판(20)에 대하여 클리닝해주는 것 또한 바람직하다.
이후 도 7의 (e)에서 참조되는 바와 같이, 흡입기(200) 또는 스테이지 클리너(300)에 의해 클리닝된 기판(20)이 언로딩된 후 스테이지(100)에 대하여 스테이지 클리너(300)로 클리닝하여 준다. 즉, 다음차례의 기판(20)을 보다 깨끗한 환경에서 받을 수 있도록 스테이지 클리너(300)로 스테이지(100)에 대하여 클리닝을 해준다는 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 레이저 리프트 오프장비는 기판에 대한 레이저 리프트 오프 공정 과정에서 발생되는 더스트가 비산되어 확산되기 전에 제거할 수 있다. 따라서, 레이저 리프트 오프 장비 내에서 공정환경이 더스트로 오염되는 것을 예방 내지 억제할 수 있으며, 레이저가 조사되는 영역을 중심으로 더스트를 흡입하므로 다양한 크기의 기판에 대응할 수 있다는 장점이 있으며, 나아가, 반도체 소자 제품 생산성 증대에 도움이 되며, 레이저 리프트오프 장비에 대한 관리가 수월해지는 장점이 있다.
이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시 예들에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시 예들은 본 발명의 바람직한 실시 예를 들어 설명하였을 뿐이기 때문에, 본 발명이 상기의 실시 예에만 국한되는 것으로 이해되어져서는 아니되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어져야 할 것이다.
20 : 기판 100 : 스테이지
200 : 흡입기 2000 : 흡입조
2100, 2200 : 흡입모듈
300 : 스테이지 클리너 3110 : 분사구
3120, 3130 : 흡입구

Claims (14)

  1. 기판에 대한 레이저 리프트 오프(laser lift Off)를 실시할 수 있도록 상기 기판이 로딩(loading)되는 장소를 제공하는 스테이지;
    상기 스테이지의 상측에 위치하며, 상기 스테이지 상에 로딩된 상기 기판의 일부분에 레이저를 조사하는 레이저 조사기;
    상기 스테이지의 상측에 일정간격 이격되어 위치하며, 상기 레이저 조사기로부터 상기 기판측으로 상기 레이저가 조사됨으로써 상기 기판의 일부분에서 발생되는 더스트(dust)를 제거하는 흡입기; 및
    상기 스테이지의 상측에 일정 간격 이격되어 위치하며, 상기 기판이 언로딩(unloading)된 상기 스테이지의 상측면에 존재하는 더스트를 제거하는 스테이지 클리너; 를 포함하되,
    상기 흡입기는 상기 더스트를 흡입하는 흡입모듈을 포함하며,
    상기 흡입모듈은,
    상기 스테이지의 상측면을 향하여 하측으로 제1흡입구가 형성되고, 상기 스테이지에 대하여 평행한 방향으로 제2흡입구가 형성되어 있으며,
    상기 흡입모듈에 형성된 상기 제1흡입구 또는 상기 제2흡입구는 일측 방향으로 길게 슬릿(slit)형태로 형성되고,
    상기 제1흡입구 또는 상기 제2흡입구는 내측으로 갈수록 테이퍼지게 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 흡입기는 두 개의 상기 흡입모듈을 포함하여 이루어지는 흡입조(crew)를 적어도 하나 이상 포함하며,
    하나의 상기 흡입조를 형성하는 두 개의 상기 흡입모듈이 서로에 대하여 일정간격 이격되어 배치되되, 두 개의 상기 흡입모듈 각각의 상기 제2흡입구가 서로 마주보며 일정 간격 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 흡입기에 포함되는 다수개의 상기 흡입조는 연이어 배열되되,
    하나의 상기 흡입조 내에서 두 개의 상기 흡입모듈 사이에 이격되어 형성되는 이격공간이 연통되도록 다수개의 상기 흡입조가 일측 방향으로 연이어 배열되며,
    상기 레이저가 상기 이격공간을 통과하여 상기 기판의 상측면에 조사되는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비.
  6. 제 5항에 있어서,
    다수개의 상기 흡입모듈 각각은 상기 더스트를 상기 제1흡입구 또는 상기 제2흡입구로 흡입하는 흡입력을 달리할 수 있는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비.
  7. 삭제
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 스테이지 클리너 및 상기 스테이지는,
    상기 스테이지의 상측면에 대하여 평행인 방향으로 서로에 대하여 상대적인 위치이동이 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 스테이지 클리너에는,
    상기 스테이지 상측면에 존재하는 더스트를 제거하기 위하여 하측으로 블로우가스(blow-gas)를 분사하는 분사구가 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 분사구는 일측에서 타측으로 길게 슬릿형태로 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 스테이지 클리너에는,
    상기 스테이지 상측면에 존재하는 더스트를 흡입하기 위한 흡입구가 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 흡입구는 일측에서 타측으로 길게 슬릿형태로 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 분사구는 하측으로 형성되되, 상기 스테이지의 상측면에 대하여 수직으로 형성되어 있고,
    상기 흡입구는 상기 분사구를 중심으로 대칭적 배치가 되도록 적어도 둘 이상 형성되되,
    상기 흡입구는 상기 스테이지의 상측면에 대하여 소정의 각도로 기울어지도록 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 스테이지 클리너의 상기 분사구를 통해 분사되는 블로우가스의 분사압력이 초음파(ultra sonic wave)와 같이 파동적으로 변화되는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 장비.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111185667A (zh) * 2020-01-21 2020-05-22 上海精测半导体技术有限公司 一种抽排装置及激光切割装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102454256B1 (ko) 2018-02-22 2022-10-17 삼성디스플레이 주식회사 기판 절단 장치
KR20200030160A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 삼성디스플레이 주식회사 레이저 박리 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102214104B1 (ko) * 2020-12-03 2021-02-09 주식회사 아성 레이저 클리닝을 이용한 마스크 프레임 표면처리 방법
CN113798865B (zh) * 2021-08-25 2023-12-22 新疆钢之盛建筑科技有限公司 一种高精度批量化生产的数控切割机

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004041851A (ja) * 2002-07-09 2004-02-12 Hugle Electronics Inc 除塵ヘッド
JP2006122989A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Sony Corp レーザ加工装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005088068A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ加工装置及びレーザ加工工法
JP2005296809A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Hugle Electronics Inc 除塵装置用異物検出装置
JP5165203B2 (ja) * 2006-03-07 2013-03-21 ソニー株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP5268097B2 (ja) * 2008-09-04 2013-08-21 ヒューグルエレクトロニクス株式会社 除塵装置
JP5207306B2 (ja) * 2009-01-26 2013-06-12 武井電機工業株式会社 薄膜積層ガラス基板の薄膜除去方法及び装置
JP5478145B2 (ja) * 2009-08-18 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 ポリマー除去装置およびポリマー除去方法
JP5712700B2 (ja) * 2011-03-14 2015-05-07 ウシオ電機株式会社 レーザリフトオフ装置
JP2012168539A (ja) * 2012-02-20 2012-09-06 Japan Display West Co Ltd 欠陥修正装置
KR101552562B1 (ko) * 2014-09-18 2015-09-15 주식회사 필옵틱스 레이저 가공 시스템용 파티클 석션 장치 및 이를 포함한 레이저 가공 시스템

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004041851A (ja) * 2002-07-09 2004-02-12 Hugle Electronics Inc 除塵ヘッド
JP2006122989A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Sony Corp レーザ加工装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111185667A (zh) * 2020-01-21 2020-05-22 上海精测半导体技术有限公司 一种抽排装置及激光切割装置
CN111185667B (zh) * 2020-01-21 2022-04-29 上海精测半导体技术有限公司 一种抽排装置及激光切割装置

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