KR20190110442A

KR20190110442A - 광학 처리 시스템 내에서 기판으로부터 파편을 제거하기 위한 시스템

Info

Publication number: KR20190110442A
Application number: KR1020190029861A
Authority: KR
Inventors: 요하이 마나시
Original assignee: 오르보테크 엘티디.
Priority date: 2018-03-20
Filing date: 2019-03-15
Publication date: 2019-09-30
Also published as: CN110312374A; JP7362272B2; JP2019208014A; TWI809060B; TW201941673A; JP2023181194A; CN110312374B

Abstract

광학 처리 시스템 내에서 기판의 타겟 영역으로부터 파편을 제거하기 위한 파편 제거 시스템으로서, 타겟 영역은 특정 토포그래피를 갖는다. 파편 제거 시스템은 타겟 영역에 배열된 파편을 이동시키기 위해 기판의 타겟 영역의 표면을 따라 가스를 송풍하도록 구성되고 서로에 대해 소정의 각도로 고정된 위치에 배열된 제1 및 제2 가스 송풍 장치를 포함하고, 상기 제1 및 제2 가스 송풍 장치는 각각 제1 및 제2 가스 흐름 방향으로 가스를 송풍하도록 구성된다. 파편 제거 시스템은 상기 이동된 파편을 수집하도록 구성되고 제1 및 제2 가스 송풍 장치에 대해 고정된 위치에 배열된 흡입 장치를 추가로 포함한다. 파편 제거 시스템은 기판의 타겟 영역의 특정 토포그래피에 대해 상기 파편의 위치에 따라 제1 및 제2 가스 송풍 장치 둘 모두, 제1 가스 송풍 장치 또는 제2 가스 송풍 장치를 작동시키도록 구성된 제어 회로를 추가로 포함한다.

Description

광학 처리 시스템 내에서 기판으로부터 파편을 제거하기 위한 시스템{SYSTEM FOR REMOVAL OF DEBRIS FROM A SUBSTRATE IN AN OPTICAL PROCESSING SYSTEM}

본 발명은 광학 처리 시스템에서 기판의 타겟 영역으로부터 파편을 제거하기 위한 시스템에 관한 것으로 더욱 구체적으로 에어 나이프와 같은 2개 이상의 가스 송풍 장치로부터 임의의 다른 유형의 가스 또는 압축된 공기의 송풍에 의해 파편을 제거하는 시스템에 관한 것이다.

광학 처리 시스템은 인쇄 회로 기판 (PCB)과 같은 전자 부품 제조 과정에서 사용되며, 예를 들어 접촉부가 요구되는 모든 위치가 실제로 접촉되고 PCB에 단락이 발생하지 않도록 보장한다. 일부의 광학 처리 시스템에서, PCB 상의 단락은 2개의 의도적인 도체 사이에 의도하지 않게 위치되어 그 사이에서 단락을 야기하는 구리 또는 다른 전기 도체의 제거에 의해 교정되고 해결된다. 이러한 시스템의 일 예는 2012년 10월 16일에 출원된 출원인의 미국 특허 제8,290,239호 및 그 전체가 본원에 참조로 인용되는 "전기 회로의 자동 수리"라는 명칭으로 기재된다.

단락 접촉부가 제거되는 이러한 시스템에서, 종종 일부의 제거된 재료는 공기 중에 응고되고, 잔해로서 기판 상으로 다시 떨어진다. 이러한 파편은 미학적인 것 외에도 새로운 또는 다른 단락과 같은 다른 문제를 야기할 수 있다.

이와 같이, 기판 상에 접촉부를 제거한 후에 광학 처리 시스템에서 기판으로부터 파편을 제거하기 위한 시스템이 필요하다.

본 발명의 일 양태에 따라서, 광학 처리 시스템 내에서 기판의 타겟 영역으로부터 파편을 제거하기 위한 파편 제거 시스템으로서, 타겟 영역은 특정 토포그래피를 가지며, 파편 제거 시스템은

타겟 영역에 배열된 파편을 이동시키기 위해 기판의 타겟 영역의 표면을 따라 가스를 송풍하도록 구성되고 서로에 대해 소정의 각도로 고정된 위치에 배열된 제1 및 제2 가스 송풍 장치를 포함하고, 상기 제1 및 제2 가스 송풍 장치는 각각 제1 및 제2 가스 흐름 방향으로 가스를 송풍하도록 구성되고,

상기 이동된 파편을 수집하도록 구성되고 제1 및 제2 가스 송풍 장치에 대해 고정된 위치에 배열된 흡입 장치를 포함하고,

기판의 타겟 영역의 특정 토포그래피에 대해 상기 파편의 위치에 따라 제1 및 제2 가스 송풍 장치 둘 모두, 제1 가스 송풍 장치 또는 제2 가스 송풍 장치를 작동시키도록 구성된 제어 회로를 포함한다.

일부 실시예에서, 상기 제1 및 제2 가스 흐름 방향은 서로에 대해 직각이다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 가스 송풍 장치 중 하나 이상이 에어 나이프를 포함한다. 일부 실시예에서, 상기 에어 나이프는 5 mm 내지 10 mm 또는 7 mm 내지 8 mm 범위의 길이를 갖는다. 일부 실시예에서, 상기 에어 나이프는 12 mm 내지 17 mm 또는 15 mm 내지 16 mm 범위의 폭을 갖는다. 일부 실시예에서, 상기 에어 나이프는 160 리터/분 내지 180 리터/분의 공기 유동 속도를 갖다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 송풍 장치들 중 하나 이상이 솔레노이드에 의해 제어되고 상기 제어 회로는 솔레노이드의 작동을 제어함으로써 상기 제1 또는 상기 제2 가스 송풍 장치를 작동시키도록 구성된다.

일부 실시예에서, 상기 흡입 장치는 제1 및 제2 가스 송풍 장치의 제1 및 제2 가스 흐름 방향에 대해 경사지며 제1 및 제2 가스 송풍 장치들 중 하나 또는 둘 모두에 의해 이동되는 파편을 수집하도록 구성된다.

일부 실시예에서, 상기 흡입 장치는 상기 제1 및 제2 가스 송풍 장치에 인접하게 배열되고 진공 생성 장치와 기능적으로 연계된 흡입 포트 및 진공 생성 장치를 포함한다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 가스 송풍 장치 및 흡입 장치의 적어도 일부는 광학 처리 서브시스템의 광학 헤드 상에 장착된다.

일부 실시예에서, 상기 파편 제거 시스템은 기판에 대해 이동가능하다.

일부 실시예에서, 상기 파편은 기판 상에 구리 증착물의 레이저 제거로부터 발생되는 구리 입자를 포함한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따라서, 광학 처리 시스템으로서,

기판을 갖는 새시,

기판으로부터 초과 재료를 제거하도록 구성된 제거 서브시스템을 포함하는 광학 헤드 - 상기 제거는 기판의 타겟 영역 내에 배열된 파편을 형성함 - , 및

제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 파편 제거 시스템을 포함하고, 상기 파편 제거 시스템은 기판의 타겟 영역으로부터 파편을 제거하도록 구성된다.

일부 실시예에서, 파편 제거 시스템의 적어도 일부가 광학 헤드 상에 장착되고, 광학 헤드 및 새시는 서로에 대해 이동가능하여 기판의 타겟 영역으로부터 파편을 제거하기 위해 파편 제거 시스템을 배향된다.

본 발명의 추가 실시예에 따라서, 에어 나이프로서,

기저 표면 및 제1 및 제2 단부 부분을 갖는 하우징,

상기 하우징 내에 배열된 중공 챔버 - 상기 챔버는 챔버 폭을 가지며 축을 따라 배열된 신장된 부분을 포함함 - ,

슬롯 폭을 가지며 제1 단부 부분과 제2 단부 부분 사이에 형성된 슬롯,

중공 챔버의 신장된 부분을 상기 슬롯에 유체연결하는 테이퍼진 중공을 포함하고,

상기 슬롯은 신장된 부분의 축에 대해 예각으로 배열된다.

일부 실시예에서, 중공 챔버 내로 송풍된 가압된 가스는 중공 챔버로부터 테이퍼진 중공 내로 및 하우징으로부터 슬롯을 통하여 유동한다.

일부 실시예에서, 슬롯 폭은 0.1 mm 내지 0.3 mm의 범위이다.

일부 실시예에서, 하우징은 5 mm 내지 10 mm 또는 7 mm 내지 8 mm의 범위의 길이를 갖는다. 일부 실시예에서, 하우징은 12 mm 내지 17 mm 또는 15 mm 내지 16 mm의 범위의 폭을 갖는다.

일부 실시예에서, 에어 나이프는 60 리터/분 내지 180 리터/분의 슬롯을 통한 공기 흐름 속도를 갖는다.

일부 실시예에서, 상기 예각은 8도 내지 12도의 범위이다.

일부 실시예에서, 중공 폭과 슬롯 폭 사이의 비율은 20:1 내지 15:1의 범위이다.

일부 실시예에서, 에어 나이프는 중공 내로 가스 흐름을 제공하도록 구성된 가압된 가스 공급원과 기능적으로 연계되고 에어 나이프의 작동을 제어하도록 구성된 솔레노이드와 기능적으로 연계된다.

일부 실시예에서, 상기 기저 표면은 윤곽을 가지며 상기 윤곽은 상기 슬롯의 예각으로 이어지며 상기 축에 평행하도록 곡선화된다.

일부 실시예에서, 상기 윤곽은 윤곽과 축 사이에 제2 예각을 형성하도록 곡선화된다.

일부 실시예에서, 제2 예각은 8도 내지 12도의 범위이다.

일부 실시예에서, 상기 윤곽은 슬롯으로부터의 공기가 상기 윤곽을 따르고 기저 표면에 인접하게 에어 나이프로부터 배출되도록 구성된다.

광학 처리 시스템 내의 기판의 타겟 영역으로부터 파편을 제거하기 위한 파편 제거 시스템으로서, 타겟 영역은 특정 토포그래피를 가지며, 파편 제거 시스템은

타겟 영역 내의 파편을 이동시키기 위하여 기판의 타겟 영역의 표면을 따라 공기를 송풍하도록 구성되고 서로에 대해 각을 이루고 고정된 위치 내에 배열된 본원에 기재된 제1 및 제2 에어 나이프를 포함하고, 상기 제1 및 제2 에어 나이프는 각각 제1 및 제2 공기 흐름 방향으로 공기를 송풍하도록 구성되며,

타겟 영역으로부터 이동된 파편을 수집하도록 구성되고 제1 및 제2 에어 나이프에 대해 고정된 위치에 배열된 흡입 장치를 포함하고,

일부 실시예에서, 상기 제1 및 제2 가스 흐름 방향은 서로에 대해 직각이다.

일부 실시예에서, 상기 흡입 장치는 제1 및 제2 가스 흐름 방향에 대해 경사지며 제1 및 제2 에어 나이프들 중 하나 또는 둘 모두에 의해 이동되는 파편을 수집하도록 구성된다.

일부 실시예에서, 상기 흡입 장치는 상기 제1 및 제2 에어 나이프에 인접하게 배열되고 진공 생성 장치와 기능적으로 연계된 흡입 포트 및 진공 생성 장치를 포함한다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 에어 나이프 및 흡입 장치의 적어도 일부는 광학 처리 서브시스템의 광학 헤드 상에 장착된다.

본원의 또 다른 실시예에 따라서, 본원에 기재된 파편 제거 시스템을 이용하여 기판의 타겟 영역으로부터 파편을 제거하는 방법으로서, 타겟 영역은 특정 토포그래피를 가지며,

파편 제거 시스템과 기판의 타겟 영역을 정렬하는 단계,

제어 회로에 의해 특정 토포그래피에 대해 파편의 위치를 기초로 파편의 제거하도록 제1 및 제2 가스 송풍 장치들 중 하나 이상을 작동시키는 것을 선택하는 단계,

타겟 영역 내에서 파편을 이동시키기 위해 하나 이상의 선택된 제1 및 제2 가스 송풍 장치를 작동시키는 단계, 및

하나 이상의 제1 및 제2 가스 송풍 장치에 의해 이동된 파편을 수집하기 위해 상기 흡입 장치를 작동시키는 단계를 포함한다.

일부 실시예에서, 흡입 장치를 작동시키는 시간은 선택된 하나 이상의 제1 및 제2 가스 송풍 장치를 작동시키는 시간과 적어도 부분적으로 중첩된다.

본 발명의 추가 실시예에 따라서, 본원에 기재된 파편 제거 시스템을 사용하여 기판의 타겟 영역으로부터 파편을 제거하는 방법으로서, 타겟 영역은 특정 토포그래피를 가지며, 방법은

파편 제거 시스템과 기판의 타겟 영역을 정렬하는 단계,

제어 회로에 의해 특정 토포그래피에 대해 파편의 위치를 기초로 파편의 제거하도록 하나 이상의 제1 및 제2 에어 나이프를 작동시키는 것을 선택하는 단계,

타겟 영역 내에서 파편을 이동시키기 위해 하나 이상의 선택된 제1 및 제2 에어 나이프를 작동시키는 단계, 및

하나 이상의 제1 및 제2 에어 나이프에 의해 이동된 파편을 수집하기 위해 상기 흡입 장치를 작동시키는 단계를 포함한다.

일부 실시예에서, 흡입 장치를 작동시키는 시간은 선택된 하나 이상의 제1 및 제2 에어 나이프를 작동시키는 시간과 적어도 부분적으로 중첩된다.

본 발명의 추가 실시예에 따라서, 광학 처리 시스템 내에서 기판의 타겟 영역으로부터 파편을 제거하기 위한 파편 제거 시스템으로서, 타겟 영역은 특정 토포그래피를 가지며, 파편 제거 시스템은

타겟 영역에 배열된 파편을 이동시키기 위해 기판의 타겟 영역의 표면을 따라 가스를 송풍하도록 구성되고 서로에 대해 소정의 각도로 고정된 위치에 배열된 2개 이상의 가스 송풍 장치를 포함하고, 상기 2개 이상의 가스 송풍 장치는 2개 이상의 상이한 가스 흐름 방향으로 가스를 송풍하도록 구성되고,

상기 이동된 파편을 수집하도록 구성되고 2개 이상의 가스 송풍 장치에 대해 고정된 위치에 배열된 흡입 장치를 포함하고,

기판의 타겟 영역의 특정 토포그래피에 대해 상기 파편의 위치에 따라 2개 이상의 가스 송풍 장치 각각 또는 이둘 모두를 작동시키도록 구성된 제어 회로를 포함한다.

일부 실시예에서, 하나 이상의 가스 송풍 장치는 에어 나이프를 포함한다.

일부 실시예에서, 모든 가스 송풍 장치는 흡입 장치에 대해 회전할 수 있다.

일부 실시예에서, 모든 가스 송풍 장치 및 흡입 장치는 단일의 새시 상에 설치되고 함께 회전할 수 있다.

본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 단지 예시로서 본원에 기재된다.
도면에서,
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 파편의 제거를 위한 시스템을 포함하는 광학 처리 시스템의 사시도.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 파편의 제거를 위한 시스템을 포함하는 도 1의 광학 처리 시스템의 광학 헤드의 평면 측면도.
도 2b 및 도 2c는 도 2a의 광학 헤드 상에 장착되는 본 발명의 실시예에 따른 파편의 제거를 위한 시스템의 각각의 측면 평면도, 측면 저면도.
도 3a 및 도 3b는 에어 나이프가 도 2의 파편의 제거를 위한 시스템에서 사용하기에 적합하고 본 발명의 실시예에 따른 에어 나이프의 각각의 사시도 및 단면도.
도 4는 도 3a 및 도 3b의 에어 나이프를 통한 공기 흐름의 방향의 도식적인 도면.
도 5a 및 도 5b는 도 2의 파편을 제거하기 위한 시스템의 에어 나이프의 제어를 도시하는 도면.
도 6은 도 2의 파편을 제거하기 위한 시스템을 사용하여 본 발명의 실시예에 따른 기판의 타겟 영역으로부터 파편을 제거하는 방법의 흐름도.

본 발명은 광학 처리 시스템 내의 기판의 타겟 영역으로부터 파편(debris)을 제거하기 위한 시스템 및 에어 나이프와 같은 2개 이상의 가스 송풍 장치로부터 압축된 공기를 송풍함으로써 파편을 제거하기 위한 시스템에 관한 것이다.

본 출원 및 청구항의 문맥에서, "기판 표면의 토포그래피"라는 용어는 시판 상의 위치의 높이 프로파일 또는 타겟 기판 상의 특정 위치에 대한 높이 차이 및 높이의 맵핑에 관한 것이다.

본 출원 및 청구항의 문맥에서, 공기 및 가스라는 용어는 상호교환 가능하게 사용되고, 주위 공기 또는 임의의 다른 적절한 가스, 예컨대 산소, CO2, 헬륨, 수소, 질소 또는 이들의 임의의 적절한 조합을 포함할 수 있다.

본 출원 및 청구항의 문맥에서, "실질적으로" 및 "대략적으로"라는 용어는 지정된 값으로부터 최대 10%, 최대 8%, 최대 5%, 최대 3% 또는 1% 벗어난 값에 관한 것이다.

이제, 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따라 파편을 제거하기 위한 시스템을 포함하는 광학 처리 시스템의 도식적인 사시도가 도시된다.

도 1에 도시된 바와 같이, 광학 처리 시스템(100)은 새시(104)에 부착된 광학 헤드(102)를 포함한다. 광학 처리 시스템(100)은 그 전체가 본원에 참조로 인용되고 광학 헤드 및 광학 처리 시스템용 새시라는 명칭의 2017년 4월 19일자에 공고된 일본 실용신안 출원 제321031호에 실질적으로 기재된 바와 같이 바람직하게는 광학 증착 및/또는 제거를 수행하도록 작동된다. 새시(104)는 바람직하게는 광학 헤드(102)가 상부에 매달리는 후방 배출 지지 부재(106) 및 상부에 증착을 위해 타겟의 배치를 하도록 구성된 진공 플레이트(109)를 포함하는 전방 테이블(108)을 포함한다. 시스템(100)이 다양한 적합한 타겟에서 증착 및/또는 제거를 수행할 수 있는 것으로 이해될지라도, 이러한 타겟은 인쇄 회로 기판(PCB)의 형태를 전형적으로 취할 수 있다.

광학 시스템(100)의 작동 시에, 광학 헤드(102)는 타겟으로부터의 초과 재료의 제거 또는 타겟 상의 추가 재료의 증착이 필요한지를 결정하기 위해 테이블(108) 상에 보유된 타겟을 이미징하도록 작동된다.

결정되는 증착이 필요한 경우, 본원에 참조로 인용된 2016년 8월 11일자에 공고된 미국 특허 출원 제US 2016/0233089호 및 2015년 8월 6일자에 공고된 일본 특허 출원 제JP2015144252호에 기재된 바와 같이 광학 헤드(102)는 바람직하게 타겟 상으로 소비성 도너 요소(consumable donor element)로부터 재료의 레이저 증착에 의해 이러한 증착을 수행하도록 작동된다(예를 들어, LIFT(Laser Induced Forward Transfer)에 의해).

결정되는 제거가 필요한 경우, 광학 헤드(102)는 전술된 특허 제8,290,239호에 기재된 바와 같이 레이저 제거에 의해 이러한 제거를 수행한다.

본 발명의 실시예에 따라서, 광학 헤드(102)는 하기에서 상세히 추가로 기술되는 진공 생성 장치(112)와 기능적으로 연계된 파편 제거 시스템(110)을 갖는다. 파편 제거 시스템(110) 및 진공 생성 장치(112)는 본원에 기재된 바와 같이 타겟의 표면으로부터 제거 공정으로부터 발생되는 파편을 제거하도록 구성된다.

이제, 상부에 장착된 본 발명의 실시예에 따른 파편을 제거하기 위한 시스템(110)을 갖는 광학 처리 시스템(100)의 광학 헤드(102)의 도식적인 측면 평면도인 도 2a 및 광학 헤드(102) 상에 장착된 본 발명의 실시예에 따른 파편의 제거를 위해 시스템(110)의 도식적인 평면 저면도 및 도식적인 평면 측면도가 참조된다.

도 2a에 도시된 바와 같이, 광학 헤드(102)는 바람직하게는 진공 테이블(108) 상에 배열된 타겟을 조명하도록 작동하는 조명 구조물(202)을 포함한다. 조명 구조물(202)은 바람직하게는 다방향 조명을 제공하고 특히 바람직하게는 적어도 3가지 방향의 조명을 제공한다. 단지 예시로서, 조명 구조물(202)은 발광 다이오드(LED)의 장치(204)를 포함하는 것으로 도시된다. 그러나, 조명 구조물(202)은 다방향으로부터 조명을 제공하는 임의의 적합한 조명 구조물로 구성될 수 있다. 타겟으로부터 방출되는 빛은 렌즈를 통해 카메라에 전달된다. 조명 구조물(202)은 연결된 Z-축 모터(212)에 의해 카메라에 대해 이동될 수 있고 이에 수직 운동을 제공할 수 있다.

카메라(208)는 증착 및/또는 제거의 정확성을 평가하고 추가로 가능한 증착 및/또는 제거 요건을 결정할 수 있도록 타겟의 이미지를 획득하도록 구성될 수 있다.

광학 헤드(102)의 구조 및 동작의 세부 사항, 특히 타겟 PCB 내의 접촉부 상에 전도 재료를 증착하고 타겟 PCB로부터 과도한 전도 재료를 제거하기 위한 광학 시스템의 작동 동안의 세부사항이 2017년 4월 19일자에 공고된 일본 실용신안 제3210312호 기재된다. 본원에 기재된 광학 헤드는 https://www.orbotech.com/products/innovative-aos-solutions에 기재된 AOS 제품군에서의 출원인에 의해 구현되고 이스라엘 8110101, 야브네, 산헤드린 비엘브이디의 오르보테크 엘티티로부터 상용입구가능한 Precise^TM 800 및 Perfix 200를 포함한다.

간략하게, 타겟 상의 초과 재료의 제거가 요구될 때, 레이저(240)는 타겟 상의 초과 재료의 레이저 제거를 수행할 수 있다. 제거 중에, 레이저(240)는 레이저 출력을 제공하고, 상기 레이저 출력은 스캐닝 미러를 포함하는 광학 요소를 통해 타겟 표면 상으로 직접 지향될 수 있다. 제거 중에, 타겟 상의 레이저 빔의 스폿 크기는 약 2 ㎛ 내지 8 ㎛범위일 수 있다. 레이저 출력의 스폿 크기는 전술된 일본 실용신안 제3210312호에 추가로 상세히 기재된 예를 들어 빔 익스텐더에 의해 레이저(240)의 작동 중에 반복적으로 조절될 수 있다.

제어 회로(270)는 예를 들어, 광학 헤드(102)의 작동을 제어하기 위해 제1 및 제2 제어 보드 상에 제공되는 것이 바람직하다. 제어 회로는 광학 헤드(102)의 후방 섹션(278)으로부터 돌출되는 지지 케이스(276) 상에 장착될 수 있다.

광학 헤드(102)는 새시(104) 및 진공 테이블(108)에 대해 이동가능한 이동가능 스테이지(224)를 추가로 포함한다. 이동가능 스테이지의 세부 사항은 전술한 실용 신안 제3210312호에 상세히 기재된다.

도 2b 및 도 2c를 참조하면, 일부 실시예에서, 파편 제거 시스템(110)은 광학 장치(202) 및 레이저(240)와 함께 이동가능하도록 광학 장치(202)에 의해 형성된 중공 내에 배치된다. 파편 제거 시스템(110)은 2개(또는 그 이상)의 가스 송풍 장치(290a, 290b)를 포함한다. 일부 실시예에서, 가스 송풍 장치(290)는 예를 들어 도 3a 내지 도 4와 관련하여 이하에서 설명되는 에어 나이프(air knife)로서, 공기 송풍 방향으로 공기를 각각 송풍하는 얇은 스트림으로 압축 공기를 송풍하도록 구성된다.

본 명세서에 개시된 실시예가 2개의 이러한 에어 나이프를 포함하지만, 임의의 적절한 개수의 에어 나이프(예를 들어, 3개)가 본 발명의 범위 내에서 고려된다.

본 발명의 실시예에서, 에어 나이프(290a 및 290b)는 고정된 위치에 서로에 대해 소정 각도로 배치된다. 도 2c에 도시된 바와 같이, 일부 실시예에서, 에어 나이프 각각은 도관(291)에 의해 제 위치에 고정되고, 상기 도관은 도관(291)을 통하여 에어 나이프에 가압 가스를 제공하도록 구성된 가압 가스 소스(도시되지 않음)와 유체연통한다. 에어 나이프(290a 및 290b)는 가압 가스 또는 공기를 서로에 대해 경사진 제1 및 제2 방향으로 송풍하도록 각각 구성된다. 에어 나이프는 광학 헤드 아래에 배치된 기판의 타겟 영역의 표면을 따라 공기 스트림을 송풍하여 타겟 영역에 배치된 파편을 이동시키도록 배열 및 구성된다.

본 출원과 관련하여, 파편은 타겟 영역의 표면 상에 배치되거나, 또는 예를 들어, 기판의 타겟 영역과 조명 구조물(202) 사이의 공기 중에서와 같이 타겟 영역 위에 직접적으로 공기 중에 있는 경우 타겟 영역 내에 배열되는 것으로 고려된다.

일부 실시예에서, 에어 나이프는 초과 전도 재료의 제거 중에 활성화되어, 파편이 타겟 표면 상에 배열되기 전에 파편을 제거할 수 있다. 다른 실시예에서, 에어 나이프는 예를 들어 이전에 발생한 제거 공정으로부터 이미 타겟 표면 상에 배치된 파편을 제거하도록 작동될 수 있다. 일부 실시예에서, 에어 나이프(290a 및 290b)는 서로에 대해 직각으로 배치되고, 제1 및 제2 유동 방향은 서로에 대해 직각을 이룬다. 예를 들어, 진공 생성 장치(112)와 관련된 흡입 장치(292)는 에어 나이프(290a, 290b)에 대해 고정된 위치에 배치된다. 흡입 장치는 제1 및 제2 가스 송풍 장치에 인접하게 배치된 입구(296)에서 말단을 이루는 흡입 튜브(294)를 포함한다. 흡입 튜브(294)는 진공 생성 장치(112)(도 1a)에 유체 연결되어 있고, 이탈된 파편과 같은 입자를 입구(296)에 인접한 흡입 영역으로부터 수집 및 제거하도록 구성된다.

일부 실시예에서, 흡입 장치(292)의 튜브(294) 및 입구(296)는 에어 나이프(290a 및 290b)의 가스 유동 방향에 대해 각을 이룬다. 일 실시예에서, 에어 나이프(290a 및 290b)는 흡입 장치(292) 및 양 에어 나이프(290a 및 290b) 사이의 각도를 동시에 변화시키도록 흡입 장치(292)에 대해 회전가능할 수 있다.

또 다른 실시예에서, 에어 나이프(290a, 290b) 및 흡입 장치(292)는 동일한 인프라구조 상에 설치되어 이는 이들 사이의 상대 각도를 변화시키지 않고 함께 회전할 수 있다. 에어 나이프(290a 및 290b) 및 흡입 장치(292)는 도 5a 및 도 5b에 대해 후술된 바와 같이 기판의 타겟 영역의 특정 토포그래피에 대한 파편의 위치에 따라 에어 나이프(290a), 에어 나이프(290b) 또는 두 에어 나이프를 작동시키도록 구성된 제어 회로(270)와 기능적으로 연계된다. 달리 언급하면, 제어 회로(270)는 에어 나이프가 전도체에 의해 형성된 가스 흐름의 차단부 또는 "벽" 상에서 및 타겟 기판(PCB) 상의 전도체의 위치에 대해 파편의 위치를 기초로 작동하는지를 결정한다.

일부 실시예에서, 에어 나이프(290a, 290b) 중 적어도 하나는 에어 나이프를 통한 가스 흐름을 제어하도록 구성된 솔레노이드(도시되지 않음)와 기능적으로 연계되며, 제어 회로(270)는 솔레노이드의 작동을 제어함으로써 에어 나이프 또는 두 에어 나이프를 작동시킨다.

이제 본 발명의 실시예에 따른 에어 나이프(200)의 단면도 및 사시도인 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 에어 나이프는 도 3a 및 3b의 에어 나이프(300)를 통하여 가스 흐름의 방향의 도식적인 도면인 도 4 및 도 2의 시스템(110)에서 에어 나이프(290a) 및/또는(290b)로서 사용하기에 적합하다.

도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 에어 나이프(300)는 제1 단부(304), 제2 단부(306) 및 기저 표면(308)을 갖는 하우징(302)을 포함한다. 도시된 실시예에서, 제2 단부 부분(306)은 제1 단부 부분(304)의 벽과 겹치도록 배치된 플랩(310)의 일부를 형성한다. 전형적으로 하우징(300)은 금속으로 형성된다.

하우징(300)은 도 3a에 도시된 폭(W) 및 길이(L)를 포함하는 임의의 적합한 치수를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 하우징 길이(L)는 5mm 내지 10mm, 또는 7mm 내지 9mm의 범위이고, 일부 실시예에서는 8mm이다. 일부 실시 예에서, 하우징 폭(W)은 12mm 내지 17mm 범위이고, 일부 실시예에서는 15mm이다.

하우징 (300)은 원통형 부분 (312) 및 연장 부분 (314)을 포함하는 것으로 도시된 중공 챔버 (311)를 포함한다. 중공 챔버 (311) 또는 이의 각각의 부분은 연관된 단면 폭을 갖는다. 도시된 실시예에서, 원통형 부분 (312)의 폭은 Wc로 도시되고, 연장 부분(314)의 폭은 We로 도시된다.

슬롯 (316)은 제2 단부 부분(306)의 플랩 (310)과 제1 단부 (304) 사이에 형성되고, 슬롯은 Ws로 표시된 슬롯 폭을 갖는다. 일부 실시예에서, 슬롯 폭(Ws)은 0.1mm 내지 0.3mm 범위이고, 일부 실시예에서는 0.2mm이다. 일부 실시예에서, 신장된 부분의 폭(We)과 슬롯의 폭(Ws) 사이의 비율은 20:1 내지 15:1의 범위이고, 일부 실시예에서는 16:1이다.

도 3b에서 명확히 도시된 바와 같이, 중공 챔버(311)의 신장된 부 분(314)은 슬롯(316)과 함께 중공 챔버 (311), 특히 그 제2 부분(314)을 유체 연결하는 테이퍼진 중공(320)을 형성하는 경사 표면(318)을 포함한다.

본 발명의 특정 특징은 슬롯(316)이 중공 챔버의 신장된 부분(314)의 축(315)에 대해 예각, 즉 각도(α)로 배열되는데 있다. 일부 실시예에서, 예각(α)은 8도 내지 12도 범위이고, 일부 실시예에서는 10도이다.

본 발명의 특정 특징은 기저 표면(308)이 곡선형이고 이에 따라 이의 윤곽이 슬롯(316)의 각도를 따르고, 축 (315)에 실질적으로 평행하게 되도록 곡선화되고, 일부 실시 예에서는 각도(β)로 도시된 바와 같이 추가로 곡선화된다. 이러한 곡률은 후술하는 바와 같이 타겟 영역을 향한 가스 흐름의 안내를 허용한다. 일부 실시예에서, 각도(β)는 8도 내지 12도의 범위이고, 일부 실시예에서는 10도이다.

사용 시 압축되거나 또는 가압된 가스 또는 공기는 에어 나이프 (300)와 기능적으로 연계된 압축되거나 가압된 공기 공급원(도시되지 않음)으로부터 중공 챔버(311) 내로 그리고 이로부터 신장된 부분(314), 테이퍼진 중공(320) 및 슬롯 (316)으로부터 하우징(302) 외부로 도 4에 도시된 바와 같이 유동한다. 일부 실시예에서, 압축 또는 가압된 공기 공급원 및/또는 에어 나이프와 기능적으로 연계된 솔레노이드(도시되지 않음)는 에어 나이프의 작동 및 공기 나이프를 통한 공기 흐름을 제어한다.

코안다 효과로 인해, 도 3b에서 명확히 도시된 바와 같이, 슬롯(316)으로부터 송풍된 공기는 기저 표면(308)의 곡률을 따라 이로부터 외부로 흐른다. 이와 같이 기저 표면(308)이 배열되는 배향은 에어 나이프(300)로부터 외부로의 가스 흐름 방향을 결정한다.

이와 같이, 에어 나이프(300)가 타겟 기판 위에 그리고 그에 인접하여 배치될 때, 기저(308)를 따라 및 슬롯93160의 외부로의 가스 흐름은 기판의 표면을 따라 이어지고, 이는 본원에 기재된 바와 같이 이로부터 파편을 배출시킬 수 있다.

일부 실시예에서, 슬롯(316)을 통한 가스 흐름 속도는 분당 160 내지 180 리터의 범위이고, 일부 실시예에서는 분당 약 170 리터이다.

일부 실시예에서, 가압된 가스 또는 공기를 제공하는 가압된 공기 공급원 또는 에어 나이프는 요구되는 가스 흐름에 따라 압력을 조절하기 위한 압력 조절 요소(미 도시)를 포함한다.

특정 토폴로지를 갖는 기판으로부터 파편을 제거할 때 도 2a 및 2b의 파편을 제거하기 위한 시스템(110)의 에어 나이프(290a 및 290b)의 제어를 설명하는 개략도인 도 5a 및 도 5b가 참조된다.

도시된 바와 같이, PCB의 일부인 타겟 기판은 그 사이에 파편이 증착된 복수의 구리 도체를 포함한다. 당해 기술 분야에 공지된 바와 같이, PCB의 구리 도체는 PCB의 기판 표면 위로 올려지며, 파편 제거를 위한 시스템의 에어 나이프로부터의 가스 흐름의 이동을 위한 배리어 또는 벽으로서 기능을 한다.

이와 같이, 제어 회로(270, 도 2A)는 PCB 표면의 토폴로지, 특히 접촉부의 위치 및 방향에 따라 에어 나이프(290a 및 290b)들 중 다른 하나(패턴 라인을 포함하는 직사각형으로 개략적으로 도시됨)를 작동시킨다.

도시된 바와 같이, 도 5a에서, PCB의 영역(500)은 페이지 상에 수직인 것으로 도시된 일 방향으로 배열된 접촉부(502)를 포함한다. 이러한 구성에서, 에어 나이프(290a)로부터의 가스 흐름은 접촉부(502)에 의해 차단되고, 제어 회로는 에어 나이프(290b)만을 작동시켜 접촉부(502)들 사이에 배치된 파편 (504)을 제거한다.

대조적으로, 도 5b에서, PCB의 영역(510)은 제1 방향에 일반적으로 수직인 제2 방향으로 배열된 접촉부(512)를 포함하고 페이지 상에서 수평인 것으로 도시된다. 이러한 구성에서, 에어 나이프(290b)로부터의 가스 흐름은 접촉부(512)에 의해 차단될 것이며, 제어 회로는 접촉부(512)들 사이에 배열된 파편(514)을 제거하기 위해 단지 에어 나이프(290a)만을 작동시킨다. 도 6은 예를 들어 도 2의 파편을 제거하기 위한 시스템을 사용하여, 본 발명의 실시예에 따라 타겟 영역으로부터 파편을 제거하는 것을 포함하는 기판 처리 방법의 흐름도이다.

도 6에 도시된 바와 같이, 단계 (600)에서, 기판의 타겟 영역이 선택된다. 단계(602)에서, 선택된 영역이 이미징되고, 단계 (604)에서 기판의 타겟 영역이 추가 재료의 증착 또는 초과 도체 재료의 제거를 필요로 하는 도체의 레이아웃에서의 임의의 에러를 포함하는지를 결정하기 위해 결과 이미지가 분석된다.

단계(606)에서 접촉의 제거가 요구된다면, 단계(608)에서, 특히 타겟 영역의 토포그래피 및 이의 접촉부의 배치에 대해, 교정 위치 및 파편이 증착될 것으로 예상되는 위치가 식별된다.

단계(610)에서, 제어 회로(270, 도 2)는 교정의 식별된 위치 및 타겟 영역의 토포그래피에 기초하여, 가스 송풍 장치 (290a, 290b) 중 어느 하나 또는 둘 모두가 교정 중에 파편의 적층 또는 파편의 이탈을 방지하기 위하여 사용될 수 있는 것을 선택한다.

단계(612)에서, 선택된 가스 송풍 장치(들)는 흡입 장치(도 2B의 292)를 작동시키면서 제어 회로에 의해 작동되고, 단계(614)에서 필요한 교정이 수행되고 가스 송풍 장치가 작동된다. 몇몇 선택적 실시예에서, 필요한 교정을 수행한 후에, 단계(616)에서, 목표 영역의 업데이트된 이미지가 캡쳐될 수 있고, 이미지는 단계(604)에서 선택적으로 다시 분석되어 추가 교정이 필요하지 않음을 보장할 수 있다.

단계(606)에서 교정이 요구되지 않으면, 기판의 다른 타겟 영역이 단계(600)에서 선택될 수 있고, 또 다른 기판이 분석될 수 있거나 또는 공정이 종료될 수 있다. 명확한 설명을 위해, 개별 실시예들의 문맥에서 설명된 본 발명의 특정 특징들은 또한 단일 실시 예에서 조합하여 제공될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 역으로, 간략화를 위해, 단일 실시예의 문맥으로 설명된 본 발명의 다양한 특징은 또한 개별적으로 또는 임의의 적합한 하위 조합으로 제공될 수 있다.

본 발명은 특정 실시형태와 관련하여 기술되었지만, 많은 대안, 변형 및 변형이 당업자에게는 자명하다는 것이 명백하다. 따라서, 첨부된 청구 범위의 사상 및 넓은 범위 내에 있는 그러한 모든 대안, 수정 및 변형을 포함한다. 일본 실용 신안 제3210312호, 미국 특허 제8,290,239호, 일본 특허 출원 공보 제JP2015144252호 및 미국 특허 출원 공보 제2016/0233089호를 포함하는 본 명세서에 언급된 모든 간행물, 특허 및 특허 출원은 그 전체가 본 명세서에 포함되고 각각의 개별 간행물, 특허 또는 특허 출원이 구체적으로 및 개별적으로 참조로 여기에 포함되는 것으로 표시된 것과 동일한 정도로, 본 명세서를 참고로하여 본 명세서에서 인용된다. 또한, 본원에서 임의의 참조 문헌의 인용 또는 식별은 그러한 참조가 본 발명의 선행 기술로서 이용가능하다는 것으로 해석되어서는 안된다.

Claims

광학 처리 시스템 내에서 기판의 타겟 영역으로부터 파편을 제거하기 위한 파편 제거 시스템으로서, 타겟 영역은 특정 토포그래피를 가지며, 파편 제거 시스템은
타겟 영역에 배열된 파편을 이동시키기 위해 기판의 타겟 영역의 표면을 따라 가스를 송풍하도록 구성되고 서로에 대해 소정의 각도로 고정된 위치에 배열된 제1 및 제2 가스 송풍 장치를 포함하고, 상기 제1 및 제2 가스 송풍 장치는 각각 제1 및 제2 가스 흐름 방향으로 가스를 송풍하도록 구성되고,
상기 이동된 파편을 수집하도록 구성되고 제1 및 제2 가스 송풍 장치에 대해 고정된 위치에 배열된 흡입 장치를 포함하고,
기판의 타겟 영역의 특정 토포그래피에 대해 상기 파편의 위치에 따라 제1 및 제2 가스 송풍 장치 둘 모두, 제1 가스 송풍 장치 또는 제2 가스 송풍 장치를 작동시키도록 구성된 제어 회로를 포함하는 파편 제거 시스템.
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 가스 흐름 방향은 서로에 대해 직각인 파편 제거 시스템.
제1항 또는 제2항에 있어서, 제1 및 제2 가스 송풍 장치 중 하나 이상이 에어 나이프를 포함하는 파편 제거 시스템.
제3항에 있어서, 상기 에어 나이프는 5 mm 내지 10 mm 또는 7 mm 내지 8 mm 범위의 길이를 갖는 파편 제거 시스템.
제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 에어 나이프는 12 mm 내지 17 mm 또는 15 mm 내지 16 mm 범위의 폭을 갖는 파편 제거 시스템.
제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에어 나이프는 160 리터/분 내지 180 리터/분의 공기 유동 속도를 갖는 파편 제거 시스템.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 및 제2 송풍 장치들 중 하나 이상이 솔레노이드에 의해 제어되고 상기 제어 회로는 솔레노이드의 작동을 제어함으로써 상기 제1 또는 상기 제2 가스 송풍 장치를 작동시키도록 구성되는 파편 제거 시스템.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 흡입 장치는 제1 및 제2 가스 송풍 장치의 제1 및 제2 가스 흐름 방향에 대해 경사지며 제1 및 제2 가스 송풍 장치들 중 하나 또는 둘 모두에 의해 이동되는 파편을 수집하도록 구성되는 파편 제거 시스템.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 흡입 장치는 상기 제1 및 제2 가스 송풍 장치에 인접하게 배열되고 진공 생성 장치와 기능적으로 연계된 흡입 포트 및 진공 생성 장치를 포함하는 파편 제거 시스템.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 및 제2 가스 송풍 장치 및 흡입 장치의 적어도 일부는 광학 처리 서브시스템의 광학 헤드 상에 장착되는 파편 제거 시스템.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 파편 제거 시스템은 기판에 대해 이동가능한 파편 제거 시스템.
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 파편은 기판 상에 구리 증착물의 레이저 제거로부터 발생되는 구리 입자를 포함하는 파편 제거 시스템.
광학 처리 시스템으로서,
기판을 갖는 새시,
기판으로부터 초과 재료를 제거하도록 구성된 제거 서브시스템을 포함하는 광학 헤드 - 상기 제거는 기판의 타겟 영역 내에 배열된 파편을 형성함 - , 및
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 파편 제거 시스템을 포함하고, 상기 파편 제거 시스템은 기판의 타겟 영역으로부터 파편을 제거하도록 구성되는 광학 처리 시스템.
제13항에 있어서, 파편 제거 시스템의 적어도 일부가 광학 헤드 상에 장착되고, 광학 헤드 및 새시는 서로에 대해 이동가능하여 기판의 타겟 영역으로부터 파편을 제거하기 위해 파편 제거 시스템을 배향하는 광학 처리 시스템.
에어 나이프로서,
기저 표면 및 제1 및 제2 단부 부분을 갖는 하우징,
상기 하우징 내에 배열된 중공 챔버 - 상기 챔버는 챔버 폭을 가지며 축을 따라 배열된 신장된 부분을 포함함 - ,
슬롯 폭을 가지며 제1 단부 부분과 제2 단부 부분 사이에 형성된 슬롯,
중공 챔버의 신장된 부분을 상기 슬롯에 유체연결하는 테이퍼진 중공을 포함하고,
상기 슬롯은 신장된 부분의 축에 대해 예각으로 배열되는 에어 나이프.
제15항에 있어서, 중공 챔버 내로 송풍된 가압된 가스는 중공 챔버로부터 테이퍼진 중공 내로 및 하우징으로부터 슬롯을 통하여 유동하는 에어 나이프.
제15항 또는 제16항에 있어서, 슬롯 폭은 0.1 mm 내지 0.3 mm의 범위인 에어 나이프.
제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 하우징은 5 mm 내지 10 mm 또는 7 mm 내지 8 mm의 범위의 길이를 갖는 에어 나이프.
제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 하우징은 12 mm 내지 17 mm 또는 15 mm 내지 16 mm의 범위의 폭을 갖는 에어 나이프.
제15항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 160 리터/분 내지 180 리터/분의 슬롯을 통한 공기 흐름 속도를 갖는 에어 나이프.
제15항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 예각은 8도 내지 12도의 범위인 에어 나이프.
제15항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 중공 폭과 슬롯 폭 사이의 비율은 20:1 내지 15:1의 범위인 에어 나이프.
제15항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 중공 내로 가스 흐름을 제공하도록 구성된 가압된 가스 공급원과 기능적으로 연계되고 에어 나이프의 작동을 제어하도록 구성된 솔레노이드와 기능적으로 연계되는 에어 나이프.
제15항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기저 표면은 윤곽을 가지며 상기 윤곽은 상기 슬롯의 예각으로 이어지며 상기 축에 평행하도록 곡선화되는 에어 나이프.
제24항에 있어서, 상기 윤곽은 윤곽과 축 사이에 제2 예각을 형성하도록 곡선화되는 에어 나이프.
제25항에 있어서, 제2 예각은 8도 내지 12도의 범위인 에어 나이프.
제24항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 윤곽은 슬롯으로부터의 공기가 상기 윤곽을 따르고 기저 표면에 인접하게 에어 나이프로부터 배출되도록 구성되는 에어 나이프.
광학 처리 시스템 내의 기판의 타겟 영역으로부터 파편을 제거하기 위한 파편 제거 시스템으로서, 타겟 영역은 특정 토포그래피를 가지며, 파편 제거 시스템은
타겟 영역 내의 파편을 이동시키기 위하여 기판의 타겟 영역의 표면을 따라 공기를 송풍하도록 구성되고 서로에 대해 각을 이루고 고정된 위치 내에 배열된 제15항 내지 제27항 중 어느 한 항에 따른 제1 및 제2 에어 나이프를 포함하고, 상기 제1 및 제2 에어 나이프는 각각 제1 및 제2 공기 흐름 방향으로 공기를 송풍하도록 구성되며,
타겟 영역으로부터 이동된 파편을 수집하도록 구성되고 제1 및 제2 에어 나이프에 대해 고정된 위치에 배열된 흡입 장치를 포함하고,
기판의 타겟 영역의 특정 토포그래피에 대해 상기 파편의 위치에 따라 제1 및 제2 가스 송풍 장치 둘 모두, 제1 가스 송풍 장치 또는 제2 가스 송풍 장치를 작동시키도록 구성된 제어 회로를 포함하는 파편 제거 시스템.
제28항에 있어서, 상기 제1 및 제2 가스 흐름 방향은 서로에 대해 직각인 파편 제거 시스템.
제28항 또는 제29항에 있어서, 상기 흡입 장치는 제1 및 제2 가스 흐름 방향에 대해 경사지며 제1 및 제2 에어 나이프들 중 하나 또는 둘 모두에 의해 이동되는 파편을 수집하도록 구성되는 파편 제거 시스템.
제28항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 흡입 장치는 상기 제1 및 제2 에어 나이프에 인접하게 배열되고 진공 생성 장치와 기능적으로 연계된 흡입 포트 및 진공 생성 장치를 포함하는 파편 제거 시스템.
제28항 내지 제31항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 및 제2 에어 나이프 및 흡입 장치의 적어도 일부는 광학 처리 서브시스템의 광학 헤드 상에 장착되는 파편 제거 시스템.
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 파편 제거 시스템을 이용하여 기판의 타겟 영역으로부터 파편을 제거하는 방법으로서, 타겟 영역은 특정 토포그래피를 가지며,
파편 제거 시스템과 기판의 타겟 영역을 정렬하는 단계,
제어 회로에 의해 특정 토포그래피에 대해 파편의 위치를 기초로 파편의 제거하도록 제1 및 제2 가스 송풍 장치들 중 하나 이상을 작동시키는 것을 선택하는 단계,
타겟 영역 내에서 파편을 이동시키기 위해 하나 이상의 선택된 제1 및 제2 가스 송풍 장치를 작동시키는 단계, 및
하나 이상의 제1 및 제2 가스 송풍 장치에 의해 이동된 파편을 수집하기 위해 상기 흡입 장치를 작동시키는 단계를 포함하는 방법.
제33항에 있어서, 흡입 장치를 작동시키는 시간은 선택된 하나 이상의 제1 및 제2 가스 송풍 장치를 작동시키는 시간과 적어도 부분적으로 중첩되는 방법.
제28항 내지 제32항 중 어느 한 항에 따른 파편 제거 시스템을 사용하여 기판의 타겟 영역으로부터 파편을 제거하는 방법으로서, 타겟 영역은 특정 토포그래피를 가지며, 방법은
파편 제거 시스템과 기판의 타겟 영역을 정렬하는 단계,
제어 회로에 의해 특정 토포그래피에 대해 파편의 위치를 기초로 파편의 제거하도록 하나 이상의 제1 및 제2 에어 나이프를 작동시키는 것을 선택하는 단계,
타겟 영역 내에서 파편을 이동시키기 위해 하나 이상의 선택된 제1 및 제2 에어 나이프를 작동시키는 단계, 및
하나 이상의 제1 및 제2 에어 나이프에 의해 이동된 파편을 수집하기 위해 상기 흡입 장치를 작동시키는 단계를 포함하는 방법.
제35항에 있어서, 흡입 장치를 작동시키는 시간은 선택된 하나 이상의 제1 및 제2 에어 나이프를 작동시키는 시간과 적어도 부분적으로 중첩되는 방법.
광학 처리 시스템 내에서 기판의 타겟 영역으로부터 파편을 제거하기 위한 파편 제거 시스템으로서, 타겟 영역은 특정 토포그래피를 가지며, 파편 제거 시스템은
타겟 영역에 배열된 파편을 이동시키기 위해 기판의 타겟 영역의 표면을 따라 가스를 송풍하도록 구성되고 서로에 대해 소정의 각도로 고정된 위치에 배열된 2개 이상의 가스 송풍 장치를 포함하고, 상기 2개 이상의 가스 송풍 장치는 2개 이상의 상이한 가스 흐름 방향으로 가스를 송풍하도록 구성되고,
상기 이동된 파편을 수집하도록 구성되고 2개 이상의 가스 송풍 장치에 대해 고정된 위치에 배열된 흡입 장치를 포함하고,
기판의 타겟 영역의 특정 토포그래피에 대해 상기 파편의 위치에 따라 2개 이상의 가스 송풍 장치 각각 또는 이둘 모두를 작동시키도록 구성된 제어 회로를 포함하는 파편 제거 시스템.
제37항에 있어서, 하나 이상의 가스 송풍 장치는 에어 나이프를 포함하는 파편 제거 시스템.