JP2019208014A - 光学処理装置において基板からデブリを除去するためのシステム - Google Patents
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Abstract
Description
第1のガスフロー方向及び第2のガスフロー方向にそれぞれガスを吹き付け、それぞれが固定位置に相互に角度をなして配設され、前記基板の前記目標領域の表面に沿ってガスを吹き付けて前記目標領域にあるデブリを移動する第1のガス吹付装置及び第2のガス吹付装置と、
前記第1のガス吹付装置及び前記第2のガス吹付装置に対して固定位置に配設され、移動してデブリを収集する吸引装置と、
前記基板の前記目標領域における前記特定のトポグラフィに対するデブリの位置に応じて、前記第1のガス吹付装置及び前記第2のガス吹付装置のいずれか一方若しくは双方のガス吹付装置を作動させるように構成した制御回路と、を有する。
基板が配設されているシャーシと、
アブレーションにより前記基板上の目標領域にデブリを生じさせた場合における余剰材料を前記基板から切除するように構成されたアブレーションサブシステムを有する光学ヘッドと、
前記基板の前記目標領域から前記デブリを除去するように構成された上述したデブリ除去システムと、を有する。
第1の端部、第2の端部及びベース面を有するハウジングと、
前記ハウジング内に配設され、少なくとも軸に沿って配列された延在部を有し、チャンバー幅を有する中空チャンバーと、
スロット幅を有し、前記第1の端部と前記第2の端部との間のスロットと、
前記中空チャンバーを前記スロットと連通させるテーパー状中空部と、を有し、
前記スロットは、前記延在部の前記軸に対して鋭角をなすように配列されている。
第1のエアーフロー方向及び第2のエアーフロー方向にそれぞれエアーを吹き付け、それぞれが固定位置に相互に角度をなして配設され、前記基板の前記目標領域の表面に沿ってエアーを吹き付けて前記目標領域にあるデブリを移動する上述した第1のエアーナイフ及び第2のエアーナイフと、
前記第1のエアーナイフ及び前記第2のエアーナイフに対して固定位置に配設され、移動したデブリを収集する吸引装置と、
前記基板の前記目標領域における前記特定のトポグラフィに対するデブリの位置に応じて、前記第1のエアーナイフ及び前記第2のエアーナイフのいずれか一方若しくは双方のエアーナイフを作動させるように構成した制御回路と、を有する。
前記基板の前記目標領域と前記デブリ除去システムとを位置合わせし、
前記制御回路により、前記特定のトポグラフィに対するデブリの位置に基づき、デブリを除去するために作動させる前記第1のガス吹付装置及び前記第2のガス吹付装置の一方若しくは双方のうちのいずれかを選択し、
前記第1のガス吹付装置及び前記第2のガス吹付装置の一方若しくは双方のうちの選択されたガス吹付装置を作動させて、前記目標領域にあるデブリを移動し、
前記吸引装置を作動させて、前記第1のガス吹付装置及び前記第2のガス吹付装置の一方若しくは双方のうちの選択されたガス吹付装置により移動されたデブリを収集するものである。
前記基板の前記目標領域と前記デブリ除去システムとを位置合わせし、
前記制御回路により、前記特定のトポグラフィに対するデブリの位置に基づき、デブリを除去するために作動させる前記第1のエアーナイフ及び前記第2のエアーナイフの一方若しくは双方のうちのいずれかを選択し、
前記第1のエアーナイフ及び前記第2のエアーナイフの一方若しくは双方のうちの選択されたエアーナイフを作動させて、前記目標領域にあるデブリを移動し、
前記吸引装置を作動させて、前記第1のエアーナイフ及び前記第2のエアーナイフの一方若しくは双方のうちの選択されたエアーナイフにより移動されたデブリを収集するものである。
少なくとも異なる2方向にガスを吹き付け、それぞれが固定位置に相互に角度をなして配設され、前記基板の前記目標領域の表面に沿ってガスを吹き付けて前記目標領域にあるデブリを移動する少なくとも2つのガス吹付装置と、
前記少なくとも2つのガス吹付装置に対して固定位置に配設され、移動したデブリを収集する吸引装置と、
前記基板の前記目標領域における前記特定のトポグラフィに対するデブリの位置に応じて、前記少なくとも2つのガス吹付装置の一方若しくは双方のガス吹付装置を作動させるように構成した制御回路と、を有する。
Claims (38)
- 特定のトポグラフィを有する基板の目標領域からデブリを除去するための光学処理システムにおけるデブリ除去システムであって、
第1のガスフロー方向及び第2のガスフロー方向にそれぞれガスを吹き付け、それぞれが固定位置に相互に角度をなして配設され、前記基板の前記目標領域の表面に沿ってガスを吹き付けて前記目標領域にあるデブリを移動する第1のガス吹付装置及び第2のガス吹付装置と、
前記第1のガス吹付装置及び前記第2のガス吹付装置に対して固定位置に配設され、移動したデブリを収集する吸引装置と、
前記基板の前記目標領域における前記特定のトポグラフィに対するデブリの位置に応じて、前記第1のガス吹付装置及び前記第2のガス吹付装置のいずれか一方若しくは双方のガス吹付装置を作動させるように構成した制御回路と、を有することを特徴とするデブリ除去システム。 - 前記第1のガスフロー方向及び前記第2のガスフロー方向が相互に直角であることを特徴とする請求項1に記載のデブリ除去システム。
- 前記第1のガス吹付装置及び前記第2のガス吹付装置の少なくとも一方がエアーナイフを有することを特徴とする請求項1若しくは2に記載のデブリ除去システム。
- 前記エアーナイフの長手方向の長さが、5mmから10mmの範囲内、若しくは7mmから8mmの範囲内にあることを特徴とする請求項3に記載のデブリ除去システム。
- 前記エアーナイフの幅方向の長さが、12mmから17mmの範囲内、若しくは15mmから16mmの範囲内にあることを特徴とする請求項3若しくは4に記載のデブリ除去システム。
- 前記エアーナイフのエアーフローレートが、毎分160リットルから180リットルの範囲内にあることを特徴とする請求項3乃至5のいずれか一項に記載のデブリ除去システム。
- 前記第1のガス吹付装置及び前記第2のガス吹付装置の少なくとも一方はソレノイドにより制御され、前記制御回路は、前記ソレノイドの動作を制御することにより、前記第1のガス吹付装置若しくは前記第2のガス吹付装置を作動させることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のデブリ除去システム。
- 前記吸引装置は、前記第1のガスフロー方向及び前記第2のガスフロー方向に対して角度をなして配置されており、前記第1のガス吹付装置及び前記第2のガス吹付装置のいずれか一方若しくは双方のガス吹付装置により移動されたデブリを収集するように構成されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載のデブリ除去システム。
- 前記吸引装置は、真空発生装置と、吸引ポートと、を有し、前記吸引ポートは、前記真空発生装置と機能的に関連づけられており、前記第1のガス吹付装置及び前記第2のガス吹付装置の近傍に配置されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載のデブリ除去システム。
- 前記第1のガス吹付装置及び前記第2のガス吹付装置と、前記吸引装置の少なくとも一部とは、前記光学処理システムの光学ヘッド上に搭載されていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載のデブリ除去システム。
- 前記基板に対して移動可能であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載のデブリ除去システム。
- 前記デブリは、前記基板上に沈着する銅のレーザアブレーションにより生じる銅粒子を含むことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載のデブリ除去システム。
- 基板が配設されているシャーシと、
アブレーションにより前記基板上の目標領域にデブリを生じさせた場合における余剰材料を前記基板から切除するように構成されたアブレーションサブシステムを有する光学ヘッドと、
前記基板の前記目標領域から前記デブリを除去するように構成された請求項1乃至12のいずれか一項に記載のデブリ除去システムと、を有することを特徴とする光学処理システム。 - 前記デブリ除去システムの少なくとも一部は前記光学ヘッド上に搭載されており、前記基板の前記目標領域から前記デブリを除去すべく前記デブリ除去システムを方向付けるために、前記光学ヘッドと前記シャーシとは相対的に移動可能であることを特徴とする請求項13に記載の光学処理システム。
- 第1の端部、第2の端部及びベース面を有するハウジングと、
前記ハウジング内に配設され、少なくとも軸に沿って配列された延在部を有し、チャンバー幅を有する中空チャンバーと、
スロット幅を有し、前記第1の端部と前記第2の端部との間のスロットと、
前記中空チャンバーを前記スロットと連通させるテーパー状中空部と、を有し、
前記スロットは、前記延在部の前記軸に対して鋭角をなすように配列されていることを特徴とするエアーナイフ。 - 前記中空チャンバー内に吹き込まれた加圧ガスが、前記中空チャンバーから、前記テーパー状中空部内に流れ込み、前記ハウジングの外部にある前記スロットを通過することを特徴とする請求項15に記載のエアーナイフ。
- 前記スロット幅が、0.1mmから0.3mmの範囲内にあることを特徴とする請求項15若しくは16に記載のエアーナイフ。
- 前記ハウジングの長さは、5mmから10mm、若しくは7mmから8mmの範囲内にあることを特徴とする請求項15乃至17のいずれか一項に記載のエアーナイフ。
- 前記ハウジングの幅は、12mmから17mm、若しくは15mmから16mmの範囲内にあることを特徴とする請求項15乃至18のいずれか一項に記載のエアーナイフ。
- 前記スロットにおけるエアーフローレートは、毎分160リットル乃至180リットルであることを特徴とする請求項15乃至19のいずれか一項に記載のエアーナイフ。
- 前記鋭角は、8度から12度の範囲内であることを特徴とする請求項15乃至20のいずれか一項に記載のエアーナイフ。
- 前記中空部幅と前記スロット幅との比は、20:1乃至15:1の範囲内にあることを特徴とする請求項15乃至21のいずれか一項に記載のエアーナイフ。
- 前記中空部内にガスフローを提供する圧縮ガスソースと機能的に関連しているとともに、エアーナイフの動作を制御するソレノイドとも機能的に関連していることを特徴とする請求項15乃至22のいずれか一項に記載のエアーナイフ。
- 前記ベース面の輪郭は、前記スロットの前記鋭角と連続しており、前記軸と実質的に平行になるように湾曲していることを特徴とする請求項15乃至23のいずれか一項に記載のエアーナイフ。
- 前記輪郭は連続的に湾曲し、前記輪郭と前記軸との間に第2の鋭角を形成していることを特徴とする請求項24に記載のエアーナイフ。
- 前記第2の鋭角は、8度から12度の範囲内であることを特徴とする請求項25に記載のエアーナイフ。
- 前記輪郭は、前記スロットから流出したエアーフローが前記輪郭に沿い、前記ベース面に隣接したエアーナイフから流出するように構成されていることを特徴とする請求項24乃至26のいずれか一項に記載のエアーナイフ。
- 特定のトポグラフィを有する基板の目標領域からデブリを除去するための光学処理システムにおけるデブリ除去システムであって、
第1のエアーフロー方向及び第2のエアーフロー方向にそれぞれエアーを吹き付け、それぞれが固定位置に相互に角度をなして配設され、前記基板の前記目標領域の表面に沿ってエアーを吹き付けて前記目標領域にあるデブリを移動する請求項15乃至27のいずれか一項に記載の第1のエアーナイフ及び第2のエアーナイフと、
前記第1のエアーナイフ及び前記第2のエアーナイフに対して固定位置に配設され、移動したデブリを収集する吸引装置と、
前記基板の前記目標領域における前記特定のトポグラフィに対するデブリの位置に応じて、前記第1のエアーナイフ及び前記第2のエアーナイフのいずれか一方若しくは双方のエアーナイフを作動させるように構成した制御回路と、を有することを特徴とするデブリ除去システム。 - 前記第1のエアーフロー方向及び前記第2のエアーフロー方向が相互に直角であることを特徴とする請求項28に記載のデブリ除去システム。
- 前記吸引装置は、前記第1のエアーフロー方向及び前記第2のエアーフロー方向に対して角度をなして配置されており、前記第1のエアーナイフ及び前記第2のエアーナイフのいずれか一方若しくは双方のエアーナイフにより移動されたデブリを収集するように構成されていることを特徴とする請求項28若しくは29に記載のデブリ除去システム。
- 前記吸引装置は、真空発生装置と、吸引ポートと、を有し、前記吸引ポートは、前記真空発生装置と機能的に関連づけられており、前記第1のエアーナイフ及び前記第2のエアーナイフの近傍に配置されていることを特徴とする請求項28乃至30のいずれか一項に記載のデブリ除去システム。
- 前記第1のエアーナイフ及び前記第2のエアーナイフと、前記吸引装置の少なくとも一部とは、前記光学処理システムの光学ヘッド上に搭載されていることを特徴とする請求項28乃至31のいずれか一項に記載のデブリ除去システム。
- 請求項1乃至12のいずれか一項に記載のデブリ除去システムを用いて特定のトポグラフィを有する基板の目標領域からデブリを除去する方法であって、
前記基板の前記目標領域と前記デブリ除去システムとを位置合わせし、
前記制御回路により、前記特定のトポグラフィに対するデブリの位置に基づき、デブリを除去するために作動させる前記第1のガス吹付装置及び前記第2のガス吹付装置の一方若しくは双方のうちのいずれかを選択し、
前記第1のガス吹付装置及び前記第2のガス吹付装置の一方若しくは双方のうちの選択されたガス吹付装置を作動させて、前記目標領域にあるデブリを移動し、
前記吸引装置を作動させて、前記第1のガス吹付装置及び前記第2のガス吹付装置の一方、若しくは双方のうちの選択されたガス吹付装置により移動されたデブリを収集することを特徴とする方法。 - 前記吸引装置の作動時間は、前記第1のガス吹付装置及び前記第2のガス吹付装置の一方若しくは双方のうちの選択されたガス吹付装置の作動時間と少なくとも一部において重なることを特徴とする請求項33に記載の方法。
- 請求項28至32のいずれか一項に記載のデブリ除去システムを用いて特定のトポグラフィを有する基板の目標領域からデブリを除去する方法であって、
前記基板の前記目標領域と前記デブリ除去システムとを位置合わせし、
前記制御回路により、前記特定のトポグラフィに対するデブリの位置に基づき、デブリを除去するために作動させる前記第1のエアーナイフ及び前記第2のエアーナイフの一方若しくは双方のうちのいずれかを選択し、
前記第1のエアーナイフ及び前記第2のエアーナイフの一方若しくは双方のうちの選択されたエアーナイフを作動させて、前記目標領域にあるデブリを移動し、
前記吸引装置を作動させて、前記第1のエアーナイフ及び前記第2のエアーナイフの一方若しくは双方のうちの選択されたエアーナイフにより移動されたデブリを収集することを特徴とする方法。 - 前記吸引装置の作動時間は、前記第1のエアーナイフ及び前記第2のエアーナイフの一方若しくは双方のうちの選択されたエアーナイフの作動時間と少なくとも一部において重なることを特徴とする請求項35に記載の方法。
- 特定のトポグラフィを有する基板の目標領域からデブリを除去するための光学処理システムにおけるデブリ除去システムであって、
少なくとも異なる2方向にガスを吹き付け、それぞれが固定位置に相互に角度をなして配設され、前記基板の前記目標領域の表面に沿ってガスを吹き付けて前記目標領域にあるデブリを移動する少なくとも2つのガス吹付装置と、
前記少なくとも2つのガス吹付装置に対して固定位置に配設され、移動したデブリを収集する吸引装置と、
前記基板の前記目標領域における前記特定のトポグラフィに対するデブリの位置に応じて、前記少なくとも2つのガス吹付装置の一方若しくは双方のガス吹付装置を作動させるように構成した制御回路と、を有することを特徴とするデブリ除去システム。 - 前記少なくとも2つのガス吹付装置のうち少なくとも一方はエアーナイフで構成されていることを特徴とする請求項37に記載のデブリ除去システム。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004298889A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Seiko Epson Corp | レーザ加工装置 |
JP2009148699A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Toppan Printing Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2012168539A (ja) * | 2012-02-20 | 2012-09-06 | Japan Display West Co Ltd | 欠陥修正装置 |
JP2012254482A (ja) * | 2004-06-11 | 2012-12-27 | Exitech Ltd | アブレーション方法及び装置 |
JP3210312U (ja) * | 2016-03-09 | 2017-05-18 | オルボテック リミテッド | 光学処理システム用光学ヘッドおよびシャーシ |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2029244A1 (en) * | 1989-11-03 | 1991-05-04 | Timothy L. Hoopman | Planarizing surfaces of interconnect substrates by diamond turning |
US5483984A (en) * | 1992-07-10 | 1996-01-16 | Donlan, Jr.; Fraser P. | Fluid treatment apparatus and method |
JP3926593B2 (ja) * | 2001-09-14 | 2007-06-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US7294045B1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-11-13 | Corning Incorporated | Apparatus and method for edge processing of a glass sheet |
US7863542B2 (en) * | 2005-12-22 | 2011-01-04 | Sony Corporation | Laser processing apparatus and laser processing method as well as debris extraction mechanism and debris extraction method |
JP5165203B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2013-03-21 | ソニー株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
CN101155474B (zh) * | 2006-09-28 | 2011-08-24 | 比亚迪股份有限公司 | 一种在fpc领域对位覆盖膜方法及其专用隔离板 |
CN100499966C (zh) * | 2007-06-28 | 2009-06-10 | 深圳市深南电路有限公司 | 电路板吹孔机风刀控制装置及其控制方法 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004298889A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Seiko Epson Corp | レーザ加工装置 |
JP2012254482A (ja) * | 2004-06-11 | 2012-12-27 | Exitech Ltd | アブレーション方法及び装置 |
JP2009148699A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Toppan Printing Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2012168539A (ja) * | 2012-02-20 | 2012-09-06 | Japan Display West Co Ltd | 欠陥修正装置 |
JP3210312U (ja) * | 2016-03-09 | 2017-05-18 | オルボテック リミテッド | 光学処理システム用光学ヘッドおよびシャーシ |
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