WO2021033279A1

WO2021033279A1 - 対基板作業機

Info

Publication number: WO2021033279A1
Application number: PCT/JP2019/032525
Authority: WO
Inventors: 祐介土谷; 桂資太田; 神藤　高広
Original assignee: 株式会社Ｆｕｊｉ
Priority date: 2019-08-21
Filing date: 2019-08-21
Publication date: 2021-02-25
Also published as: JP7171931B2; JPWO2021033279A1; CN114208406A; CN114208406B

Abstract

基板に所定の作業を行う対基板作業機であって、プラズマを発生するプラズマユニットと、条件データが記憶された記憶装置と、プラズマユニットで基板に照射するプラズマの照射量を条件データに基づいて調整する制御装置と、を備える対基板作業機。

Description

対基板作業機

　本開示は、基板に所定の作業を行う対基板作業機に関するものである。

　従来、上記の対基板作業機に関し、種々の技術が提案されている。

　例えば、下記特許文献１に記載の技術は、導電性金属からなる所定の配線パターンを有する基板を供給する基板供給手段と、前記配線パターンの所定の領域にはんだ層を形成するはんだ層形成手段と、前記はんだ層を利用して、はんだ付けにより所定の電気部品を前記基板に実装させるべく前記基板に対して電気部品をマウントするマウント手段とを少なくとも含み、前記電気部品の基板への実装ラインを構成する部品実装装置であって、少なくとも前記配線パターンのはんだ層が形成される領域に大気圧下でプラズマを照射するプラズマ照射装置が組み入れられていることを特徴とする。

　この構成によれば、少なくとも基板へのはんだ層の形成、電気部品の基板へのマウント及びはんだ付けを行う部品実装ラインを構成する部品実装装置において、大気圧下でプラズマを照射するプラズマ照射装置が組み入れられるので、基板に対して一連の処理を行う一段階で、配線パターンのはんだ層が形成される領域にプラズマを照射して表面改質を行うことができる。かかるプラズマ照射により、はんだ被着面の清浄化並びに濡れ性改善が図られることから、フラックスを用いることなくはんだ付けを行うことができる。

特開２００７－２９９８２２号公報

　しかしながら、更に好適に、基板にプラズマを照射することが望まれていた。

　本開示は、上述した点を鑑みてなされたものであり、基板にプラズマを照射するのに好適な対基板作業機を提供することを課題とする。

　本明細書は、基板に所定の作業を行う対基板作業機であって、プラズマを発生するプラズマユニットと、条件データが記憶された記憶装置と、プラズマユニットで基板に照射するプラズマの照射量を条件データに基づいて調整する制御装置と、を備える対基板作業機を開示する。

　本開示によれば、対基板作業機は、基板にプラズマを照射するのに好適である。

装着機の斜視図である。装着機の平面図である。装着ヘッドの斜視図である。電子部品装着装置の平面図である。電子部品装着装置における制御装置のブロック図である。貯留トレイにおける転写作業の説明図である。貯留トレイにおける転写作業の説明図である。貯留トレイにおける転写作業の説明図である。回路基板における転写作業の説明図である。回路基板における転写作業の説明図である。回路基板における転写作業の説明図である。データテーブルの概念図である。照射作業の流れを示すフローチャートである。電子部品装着装置の平面図である。電子部品装着装置における制御装置のブロック図である。

　以下、本開示に係る対基板作業装置を、電子部品装着装置１０に具体化した一実施形態について図面を参照して説明する。

　図１及び図２に示すように、本実施形態に係る電子部品装着装置１０は、回路基板に電子部品を実装するための装置である。電子部品装着装置１０は、１つのシステムベース１４と、そのシステムベース１４の上に並んで配設された２つの装着機１６とを有している。尚、以下の説明では、装着機１６の並ぶ方向をＸ軸方向と称し、その方向に直角な水平の方向をＹ軸方向と称する。

　各装着機１６は、主に、装着機本体２０、第１搬送装置２２、装着ヘッド移動装置２４（以下、移動装置２４と略す場合がある）、装着ヘッド２６、供給装置２８、フラックスユニット３０、操作装置２００、第１プラズマユニット２０２、及び転写ピントレイ２０４を備えている。装着機本体２０は、フレーム部３２と、そのフレーム部３２に上架されたビーム部３４とによって構成されている。

　第１搬送装置２２は、２つのコンベア装置（コンベア装置４０、コンベア装置４２）を備えている。コンベア装置４０及びコンベア装置４２は、互いに平行で、且つ、Ｘ軸方向に延びるようにフレーム部３２に配設されている。コンベア装置４０、コンベア装置４２は、電磁モータ４６（図５参照）によって、それぞれに支持される回路基板をＸ軸方向に搬送する。又、回路基板は、所定の作業位置において、基板保持装置４８（図５参照）によって固定的に保持される。

　移動装置２４は、ＸＹロボット型の移動装置であり、スライダ５０をＸ軸方向にスライドさせる電磁モータ５２（図５参照）と、Ｙ軸方向にスライドさせる電磁モータ５４（図５参照）とを備えている。スライダ５０には、装着ヘッド２６が取り付けられており、その装着ヘッド２６は、電磁モータ５２と電磁モータ５４の作動によって、フレーム部３２上の任意の位置に移動する。

　装着ヘッド２６は、回路基板に対して電子部品を装着するものである。図３に示すように、装着ヘッド２６は、スライダ５０に設けられ、複数の棒状の装着ユニット６０を備えており、複数の装着ユニット６０の各々の先端部には、吸着ノズル６２が装着されている。吸着ノズル６２は、負圧エア通路及び正圧エア通路を介して、正負圧供給装置６６（図５参照）に通じている。吸着ノズル６２は、負圧によって電子部品を吸着保持し、保持した電子部品を正圧によって離脱する。又、複数の棒状の装着ユニット６０は、ユニット保持体６８の外周部において、等角度ピッチで配設されており、軸方向が垂直となる状態で保持されている。吸着ノズル６２は、ユニット保持体６８の下面から下方に向かって延び出している。尚、各装着ユニット６０に対する吸着ノズル６２の装着・交換等は、ワンタッチで自動的に行われるが、公知技術のため、その詳細な説明は省略する。

　又、当該装着ヘッド２６において、ユニット保持体６８は、保持体回転装置７０の電磁モータ７２（図５参照）によって、装着ユニット６０の配設角度毎に間欠回転する。これにより、複数の装着ユニット６０の停止位置のうちの１つの停止位置である昇降ステーションに、装着ユニット６０が順次停止する。そして、当該昇降ステーションに位置する装着ユニット６０は、ユニット昇降装置７４の電磁モータ７６（図５参照）によって昇降する。これにより、吸着ノズル６２に吸着保持された電子部品の上下方向の位置が変更される。又、当該装着ヘッド２６においては、昇降ステーションとは別の停止位置が自転ステーションとされており、当該自転ステーションに位置する装着ユニット６０は、自転装置７８の電磁モータ８０（図５参照）によって自転する。これにより、吸着ノズル６２によって吸着保持された電子部品の保持姿勢が変更される。

　供給装置２８は、フィーダ型の供給装置であり、フレーム部３２におけるＹ軸方向の一方の端部に配設されている。供給装置２８は、テープフィーダ８１を有している。テープフィーダ８１は、電子部品をテーピング化して構成したテープ化部品を巻回させた状態で収容している。そして、テープフィーダ８１は、送出装置８２（図５参照）によって、テープ化部品を送り出す。これにより、フィーダ型の供給装置２８は、テープ化部品の送り出しによって、電子部品を供給位置において供給する。尚、テープフィーダ８１は、フレーム部３２に対して着脱可能であり、電子部品の交換等に対応することが可能である。

　そして、フラックスユニット３０は、供給装置２８の隣において、Ｙ軸方向に摺動可能に配設されており、電子部品に塗布されるフラックスを貯留する貯留トレイ９３等を有している。貯留トレイ９３は、上方から見た外形形状が円形をなす浅底のトレイであり、フラックスを貯留し、トレイ回転装置９０（図５参照）によって、所定方向に回転させられる。これにより、貯留トレイ９３上では、スキージ（図示省略）によって、フラックスが均一に押し広げられ、フラックス膜が形成される。

　操作装置２００は、タッチパネル等で構成されるものであって、装着機１６の前側上方に配設されており、装着機１６の動作情報等を表示し、オペレータ等からの指示を受付ける。

　第１プラズマユニット２０２は、供給装置２８とコンベア装置４０との間に配設され、立方体形状をなし、プラズマが照射される内部空間を有している。第１プラズマユニット２０２の上面には、内部空間に連なる穴部Ｈが設けられている。これにより、第１プラズマユニット２０２は、穴部Ｈから内部空間に差し入れられた物に対して、所定強度のプラズマを照射することが可能である。尚、プラズマの照射量は、第１プラズマユニット２０２の穴部Ｈに差し入れられた時間で調整される。

　転写ピントレイ２０４は、フラックスユニット３０とコンベア装置４０との間に配設されており、３つの転写ピンＰが収容されている。各転写ピンＰは、それぞれの材質が異なる棒状のものであり、その軸方向が垂直となる状態で転写ピントレイ２０４に収容されている。各転写ピンＰは、フラックスユニット３０のフラックスを回路基板に転写する際に使用される。その際、各転写ピンＰは、吸着ノズル６２に代わって、装着ヘッド２６の装着ユニット６０に装着される。尚、装着ユニット６０に対する転写ピンＰの着脱等は、吸着ノズル６２と同様にして、ワンタッチで自動的に行われるが、公知技術のため、その詳細な説明は省略する。

　図４に示すように、電子部品装着装置１０は、第２搬送装置２１０と第２プラズマユニット２２０とを有している。第２搬送装置２１０は、２つのコンベア装置（コンベア装置２１４、コンベア装置２１６）を備えている。コンベア装置２１４及びコンベア装置２１６は、互いに平行で、且つ、Ｘ軸方向に延び、各装着機１６が有する第１搬送装置２２のコンベア装置４０及びコンベア装置４２と接続するように配設されている。コンベア装置２１４及びコンベア装置２１６は、電磁モータ２１２（図５参照）によって、それぞれに支持される回路基板Ｃを、Ｘ軸方向と平行な進行方向Ｘ１に搬送する。これにより、回路基板Ｃは、第２搬送装置２１０から第１搬送装置２２に移送される。

　第２プラズマユニット２２０は、その下方に向けてプラズマを照射する装置である。第２プラズマユニット２２０は、Ｙ軸に沿って設けられており、第２搬送装置２１０とはその上方において立体交差することによって、第２搬送装置２１０のコンベア装置２１４及びコンベア装置２１６と直交している。これにより、第２プラズマユニット２２０は、その下方を第２搬送装置２１０によって通過する回路基板Ｃに対して、所定強度のプラズマを照射することが可能である。尚、プラズマの照射量は、第２プラズマユニット２２０の下方を通過する速度、つまり第２搬送装置２１０における進行方向Ｘ１への搬送速度で調整される。

　電子部品装着装置１０は、更に、図５に示すように、制御装置１００を備えている。制御装置１００は、コントローラ１０２を有しており、コントローラ１０２は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を備え、コンピュータを主体とするものである。コントローラ１０２は、複数の駆動回路１０６に接続されており、それら複数の駆動回路１０６は、電磁モータ４６、電磁モータ５２、電磁モータ５４、電磁モータ７２、電磁モータ７６、電磁モータ８０、基板保持装置４８、正負圧供給装置６６、送出装置８２、トレイ回転装置９０に接続されている。これにより、第１搬送装置２２、移動装置２４、装着ヘッド２６、テープフィーダ８１、及びフラックスユニット３０等の作動が、コントローラ１０２によって制御される。

　コントローラ１０２は、制御回路１０７に接続され、メモリ２３０を備えている。制御回路１０７は、コントローラ１０２のＣＰＵの命令に応じた画像を操作装置２００のタッチパネルに表示させ、操作装置２００のタッチパネル等が受け付けた情報を信号としてコントローラ１０２のＣＰＵに出力する。メモリ２３０は、フラッシュメモリである。メモリ２３０には、後述するデータベース２３２が設けられている。

　更に、複数の駆動回路１０６は、第１プラズマユニット２０２、第２プラズマユニット２２０、及び電磁モータ２１２に接続されている。これにより、第１プラズマユニット２０２、第２プラズマユニット２２０、及び第２搬送装置２１０等の作動が、コントローラ１０２によって制御される。

　電子部品装着装置１０では、上記の構成によって、第１搬送装置２２に保持された回路基板Ｃに対して、装着ヘッド２６による装着作業が行われる。具体的には、コントローラ１０２の指令により、回路基板Ｃが、第１搬送装置２２で作業位置まで搬送され、その位置において、基板保持装置４８によって保持される。また、テープフィーダ８１は、コントローラ１０２の指令により、送出装置８２でテープ化部品を送り出し、電子部品を供給位置において供給する。そして、装着ヘッド２６が、移動装置２４等によって、電子部品の供給位置の上方に移動し、吸着ノズル６２によって電子部品を吸着保持する。続いて、装着ヘッド２６は、回路基板Ｃの上方に移動し、保持している電子部品を回路基板Ｃ上に装着する。

　電子部品装着装置１０では、上記の装着作業が最適に行われることを目的として、上記の装着作業が行われる前に、転写作業が行われる。転写作業では、装着ヘッド２６及び転写ピンＰによって、フラックスＦが回路基板Ｃに転写される。具体的には、図６に示すように、転写ピンＰの上端部が、装着ヘッド２６に取り付けられる。これにより、転写ピンＰは、その軸方向が垂直となった状態で、装着ヘッド２６に装着される。更に、装着ヘッド２６が、移動装置２４等によって、貯留トレイ９３の上方に移動する。これにより、転写ピンＰは、フラックスＦが貯留されている貯留トレイ９３において、フラックス膜３００の上方に位置する。次に、図７及び図８に示すように、装着ヘッド２６が、移動装置２４等によって、下降及び上昇する。これにより、転写ピンＰの下端部がフラックス膜３００にディップするので、転写ピンＰの下端部には、フラックスＦが転写される。

　そして、図９に示すように、装着ヘッド２６が、移動装置２４等によって、回路基板Ｃの上方に移動する。これにより、転写ピンＰは、その下端部にフラックスＦが転写されている状態で、回路基板Ｃの上方に移動する。次に、図１０及び図１１に示すように、装着ヘッド２６が、移動装置２４等によって、下降及び上昇する。これにより、転写ピンＰの下端部が回路基板Ｃに近接するので、回路基板Ｃには、フラックスＦが転写される。

　更に、電子部品装着装置１０では、転写ピンＰに転写されるフラックスＦの量と、回路基板Ｃに転写されるフラックスＦの量とを安定させるため、上記の転写作業が行われる前に、照射作業が行われる。照射作業では、第１プラズマユニット２０２によって転写ピンＰがプラズマ照射され、第２プラズマユニット２２０によって回路基板Ｃがプラズマ照射される。プラズマが照射される際は、データベース２３２に格納された情報に基づいて、プラズマの照射量が調整される。これにより、転写ピンＰと回路基板Ｃのそれそれの表面自由エネルギーが、フラックスＦの表面自由エネルギーに近似させられる。

　データベース２３２に格納された情報には、例えば、図１２に示されたデータテーブル２３４がある。データテーブル２３４は、第１データテーブル２３６と第２データテーブル２３８とを有している。第１データテーブル２３６は、回路基板用テーブル２４０と、転写ピン用テーブル２４２とで構成されている。

　回路基板用テーブル２４０は、表面自由エネルギーの値が、回路基板Ｃの種類及びプラズマ照射条件に関連付けて記憶されている。回路基板Ｃの符号に添付された数字は、回路基板Ｃの種類を表す。従って、回路基板用テーブル２４０では、回路基板Ｃの種類として、回路基板Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３が存在する。回路基板用テーブル２４０におけるプラズマ照射条件は、第２プラズマユニット２２０によるプラズマ照射を対象にするものであって、第２搬送装置２１０における進行方向Ｘ１への搬送速度（つまり、回路基板Ｃが第２プラズマユニット２２０の下方を通過する速度）で表されている。これによれば、或るプラズマ照射条件で回路基板Ｃが第２プラズマユニット２２０の下方を通過すると、回路基板Ｃの表面自由エネルギーが、当該プラズマ照射条件に関連付けられた値になる。

　例えば、各回路基板Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３が１００ｍｍ／ｓ（プラズマ照射条件）で第２プラズマユニット２２０の下方を通過した場合には、各回路基板Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の表面自由エネルギーは、おおよそ、８０，８５，９０になる。プラズマ照射条件（第２搬送装置２１０における進行方向Ｘ１への搬送速度）が速くなると、第２プラズマユニット２２０の下方を回路基板Ｃが通過する時間が短くなり、第２プラズマユニット２２０によるプラズマの照射量は少なくなることから、表面自由エネルギーの値は小さくなる。

　転写ピン用テーブル２４２は、表面自由エネルギーの値が、転写ピンＰの種類及びプラズマ照射条件に関連付けて記憶されている。転写ピンＰの符号に添付された数字は、転写ピンＰの種類を表す。従って、転写ピン用テーブル２４２では、転写ピンＰの種類として、転写ピンＰ１，Ｐ２，Ｐ３が存在する。転写ピン用テーブル２４２におけるプラズマ照射条件は、第１プラズマユニット２０２によるプラズマ照射を対象にするものであって、第１プラズマユニット２０２の穴部Ｈに転写ピンＰが差し入れられる時間（秒）で表されている。これによれば、或るプラズマ照射条件で転写ピンＰが第１プラズマユニット２０２の穴部Ｈに差し入れられると、転写ピンＰの表面自由エネルギーが、当該プラズマ照射条件に関連付けられた値になる。

　例えば、各転写ピンＰ１，Ｐ２，Ｐ３が第１プラズマユニット２０２の穴部Ｈに差し入れられた状態が５０ｓ（プラズマ照射条件）間維持された場合には、各転写ピンＰ１，Ｐ２，Ｐ３の表面自由エネルギーは、おおよそ、８０，８５，９０になる。プラズマ照射条件（第１プラズマユニット２０２の穴部Ｈに転写ピンＰが差し入れられる時間）が短くなると、プラズマが照射される第１プラズマユニット２０２の内部空間に転写ピンＰが存在する時間が短くなることから、表面自由エネルギーの値は小さくなる。

　第２データテーブル２３８には、フラックスＦが持つ表面自由エネルギーの値が、フラックスＦの種類に関連付けて記憶されている。フラックスＦの符号に添付された数字は、フラックスＦの種類を表す。従って、第２データテーブル２３８では、フラックスＦの種類として、フラックスＦ１，Ｆ２，Ｆ３が存在する。

　次に、電子部品装着装置１０で行われる照射作業を、データテーブル２３４に加えて、図１３に示されたフローチャートを参照して説明する。図１３のフローチャートで示された制御プログラムは、Ｓ１０乃至Ｓ１６の各処理で構成され、コントローラ１０２のＲＯＭに記憶されており、照射作業が行われる際に、コントローラ１０２のＣＰＵによって実行される。また、図１３のフローチャートで示された制御プログラムで使用される各種データは、メモリ２３０に記憶されたデータベース２３２（つまり、データテーブル２３４）を除いて、コントローラ１０２のＲＯＭ又はＲＡＭ等に記憶されている。

　決定処理Ｓ１０では、転写ピンＰ、回路基板Ｃ、及びフラックスＦのそれぞれの種類が設定される。その設定は、例えば、オペレータ等からの指示を操作装置２００が受付けることによって行われる。オペレータ等は、照射作業後の転写作業で使用される、転写ピンＰ、回路基板Ｃ、及びフラックスＦのそれぞれの種類を指示する。

　尚、以下において、具体例を用いて説明する場合には、この決定処理Ｓ１０により、転写ピンＰ、回路基板Ｃ、及びフラックスＦのそれぞれの種類として、転写ピンＰ２、回路基板Ｃ３、及びフラックスＦ１が設定されたものとする。

　更に、決定処理Ｓ１０では、その設定されたフラックスＦの種類とデータテーブル２３４とに基づいて、後述する検索処理Ｓ１２で使用される表面自由エネルギーが決定される。具体例では、データテーブル２３４の第２データテーブル２３８において、フラックスＦ１に関連付けられた８０の値が、表面自由エネルギーとして決定される。

　検索処理Ｓ１２では、上記の決定処理Ｓ１０で設定された転写ピンＰ及び回路基板Ｃのそれぞれの種類と、上記の決定処理Ｓ１０で決定された表面自由エネルギーとを介して、転写ピンＰの照射条件と、回路基板Ｃの照射条件とが、データテーブル２３４の第１データテーブル２３６から検索される。

　具体例では、第１データテーブル２３６の転写ピン用テーブル２４２において、上記の決定処理Ｓ１０で設定された転写ピンＰ２と、上記の決定処理Ｓ１０で決定された表面自由エネルギーの値である８０とに関連付けられた、４０ｓが転写ピンＰの照射条件として探し出される。また、第１データテーブル２３６の回路基板用テーブル２４０において、上記の決定処理Ｓ１０で設定された回路基板Ｃ３と、及び上記の決定処理Ｓ１０で決定された表面自由エネルギーの値である８０とに関連付けられた、３００ｍｍ／ｓが回路基板Ｃの照射条件として探し出される。

　転写ピン照射処理Ｓ１４では、上記の検索処理Ｓ１２で検索された転写ピンＰの照射条件で、第１プラズマユニット２０２からのプラズマが転写ピンＰに照射されることによって、転写ピンＰの表面自由エネルギーが、フラックスＦの表面自由エネルギーに近似させられる。

　具体例では、装着ヘッド２６が、転写ピントレイ２０４から転写ピンＰ２を装着し、転写ピンＰ２を第１プラズマユニット２０２の穴部Ｈに差し入れ、その差し入れた状態を４０ｓ間維持する。これにより、装着ヘッド２６に装着された転写ピンＰ２の表面自由エネルギーの値が、フラックスＦ１の表面自由エネルギーの値である、８０に近似する。

　基板照射処理Ｓ１６では、上記の検索処理Ｓ１２で検索された回路基板Ｃの照射条件で、第２プラズマユニット２２０からのプラズマが回路基板Ｃに照射されることによって、回路基板Ｃの表面自由エネルギーが、フラックスＦの表面自由エネルギーに近似させられる。

　具体例では、回路基板Ｃ３が、第２プラズマユニット２２０の下方を通過するように、第２搬送装置２１０のコンベア装置２１４又はコンベア装置２１６に支持される。更に、第２搬送装置２１０における進行方向Ｘ１への搬送速度、つまり第２プラズマユニット２２０の下方を回路基板Ｃ３が通過する速度が、３００ｍｍ／ｓにされる。これにより、第２搬送装置２１０で搬送される回路基板Ｃ３の表面自由エネルギーの値が、フラックスＦ１の表面自由エネルギーの値である、８０に近似する。

　尚、基板照射処理Ｓ１６は、転写ピン照射処理Ｓ１４と同時に行われもよいし、転写ピン照射処理Ｓ１４よりも先に行われてもよい。

　その後は、上記の転写作業が行われる。具体例では、第２搬送装置２１０から第１搬送装置２２に移送される回路基板Ｃ３と、装着ヘッド２６に装着されている転写ピンＰ２とを用いて、上記の転写作業が行われ、その際、フラックスＦ１が貯留トレイ９３に貯留される。

　以上詳細に説明したように、本実施形態の電子部品装着装置１０は、回路基板Ｃにプラズマを照射するのに好適である。

　ちなみに、本実施形態において、電子部品装着装置１０は、対基板作業機の一例である。第１プラズマユニット２０２と第２プラズマユニット２２０は、プラズマユニットの一例である。第２搬送装置２１０は、搬送装置の一例である。メモリ２３０は、記憶装置の一例である。データベース２３２に格納された情報は、条件データの一例である。回路基板Ｃは、基板の一例である。フラックスＦは、転写剤の一例である。

　尚、本開示は上記実施形態に限定されるものでなく、その趣旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

　例えば、図１４に示すように、第２プラズマユニット２２０は、プラズマユニット移動装置４００に設けられてもよい。以下、プラズマユニット移動装置４００について、図１４を参照にして説明する。但し、上記実施形態と実質的に共通する部分には同一の符号を付し、詳しい説明を省略する。

　プラズマユニット移動装置４００は、ＸＹロボット型の移動装置であって、Ｘ軸スライド機構４１０と、Ｙ軸スライド機構４２０とを備えている。Ｘ軸スライド機構４１０は、Ｘ軸スライドレール４１２とＸ軸スライダ４１４とを有している。Ｘ軸スライドレール４１２は、Ｘ軸方向に延びるように、第２搬送装置２１０のコンベア装置２１４及びコンベア装置２１６に沿って設けられている。Ｘ軸スライダ４１４は、Ｘ軸スライドレール４１２によって、Ｘ軸方向にスライド可能に保持されている。更に、Ｘ軸スライド機構４１０は、電磁モータ（図示省略）を有しており、その電磁モータの駆動により、Ｘ軸スライダ４１４がＸ軸方向の任意の位置に移動する。

　また、Ｙ軸スライド機構４２０は、Ｙ軸スライドレール４２２を有している。Ｙ軸スライドレール４２２は、Ｙ軸に沿って設けられており、第２搬送装置２１０とはその上方において立体交差することによって、第２搬送装置２１０のコンベア装置２１４及びコンベア装置２１６と直交している。Ｙ軸スライドレール４２２の一端部が、Ｘ軸スライダ４１４に連結されている。そのため、Ｙ軸スライドレール４２２は、Ｘ軸方向に移動可能とされている。そして、Ｙ軸スライドレール４２２の下側には、第２プラズマユニット２２０が、Ｙ軸方向にスライド可能に保持されている。更に、Ｙ軸スライド機構４２０は、電磁モータ（図示省略）を有しており、その電磁モータの駆動により、第２プラズマユニット２２０が、Ｙ軸方向の任意の位置に移動する。よって、第２プラズマユニット２２０は、Ｘ軸スライド機構４１０及びＹ軸スライド機構４２０の駆動により、第２搬送装置２１０上の任意の位置に移動することが可能であると共に、第２搬送装置２１０上を通り過ぎることが可能である。

　これにより、第２プラズマユニット２２０は、第２搬送装置２１０上の回路基板Ｃに対して、プラズマを照射することが可能である。プラズマの照射量は、第２プラズマユニット２２０の移動速度によって調整される。

　例えば、第２搬送装置２１０が停止した状態では、Ｘ軸スライダ４１４がＸ軸スライドレール４１２をスライドする速度と、第２プラズマユニット２２０がＹ軸スライドレール４２２をスライドする速度とによって、第２搬送装置２１０上の回路基板Ｃに対するプラズマの照射量が調整される。また、第２搬送装置２１０が停止した状態において、Ｙ軸スライドレール４２２が回路基板Ｃの上方に位置するようにＸ軸スライダ４１４の位置を固定させた場合には、第２プラズマユニット２２０がＹ軸スライドレール４２２をスライドする速度によって、当該回路基板Ｃに対するプラズマの照射量が調整される。

　これに対して、第２搬送装置２１０が駆動している状態では、Ｘ軸スライダ４１４がＸ軸スライドレール４１２をスライドする速度と、第２プラズマユニット２２０がＹ軸スライドレール４２２をスライドする速度と、第２搬送装置２１０における進行方向Ｘ１への搬送速度とによって、第２搬送装置２１０上の回路基板Ｃに対するプラズマの照射量が調整される。また、第２搬送装置２１０が駆動している状態において、Ｘ軸スライダ４１４の位置を固定させた場合には、第２プラズマユニット２２０がＹ軸スライドレール４２２をスライドする速度と、第２搬送装置２１０における進行方向Ｘ１への搬送速度とによって、第２搬送装置２１０上の回路基板Ｃに対するプラズマの照射量が調整される。

　ちなみに、上記変更例において、プラズマユニット移動装置４００は、移動装置の一例である。

　また、図１５に示すように、データベース２３２（つまり、データテーブル２３４）は、サーバ２４４に設けられてもよい。以下、サーバ２４４に関して、図１５等を参照にして説明する。但し、上記実施形態と実質的に共通する部分には同一の符号を付し、詳しい説明を省略する。

　サーバ２４４は、通信回路１０８を介して、コントローラ１０２に接続されている。これにより、コントローラ１０２のＣＰＵは、サーバ２４４と通信可能である。更に、コントローラ１０２のＣＰＵは、決定処理Ｓ１０及び検索処理Ｓ１２を、以下のように変容して行う。

　決定処理Ｓ１０では、コントローラ１０２のＣＰＵは、本決定処理Ｓ１０で設定されたフラックスＦ、転写ピンＰ、及び回路基板Ｃのそれぞれの種類を含んだ第１情報を、サーバ２４４に送信する。サーバ２４４は、第１情報に含まれるフラックスＦの種類と、データテーブル２３４の第２データテーブル２３８とに基づいて、表面自由エネルギーを決定する。

　検索処理Ｓ１２では、サーバ２４４は、サーバ２４４自身が決定した表面自由エネルギーと、第１情報に含まれる転写ピンＰ及び回路基板Ｃのそれぞれの種類とを介して、転写ピンＰの照射条件と、回路基板Ｃの照射条件とを、データテーブル２３４の第１データテーブル２３６から検索する。更に、サーバ２４４は、サーバ２４４自身が検索した転写ピンＰ及び回路基板Ｃのそれぞれの照射条件を含んだ第２情報を、コントローラ１０２に送信する。

　その後、コントローラ１０２のＣＰＵは、第２情報に含まれる転写ピンＰの照射条件で転写ピン照射処理Ｓ１４を実行し、第２情報に含まれる回路基板Ｃの照射条件で基板照射処理Ｓ１６を実行する。

　ちなみに、上記変更例において、サーバ２４４は、外部機器の一例である。

　尚、サーバ２４４は、電子部品装着装置１０を制御する上位コンピュータであってもよいし、クラウドコンピューティングで提供されるものであってもよい。

　また、サーバ２４４に代えて、上記のメモリ２３０が、外部機器として、ローカル・エリア・ネットワークや、クラウドコンピューティング等で提供されてもよい。そのような場合、コントローラ１０２のＣＰＵは、決定処理Ｓ１０及び検索処理Ｓ１２において、通信回路１０８を介して、メモリ２３０のデータベース２３２にアクセスする。

　また、転写ピンＰは、上記実施形態とは異なり、第２搬送装置２１０によって各装着機１６に搬送される場合には、その搬送中に、第２プラズマユニット２２０によってプラズマ照射されてもよい。

　また、回路基板Ｃは、上記実施形態とは異なり、第１搬送装置２２上でプラズマ照射されてもよい。但し、そのような場合には、装着ヘッド２６に着脱可能に装着されたプラズマユニットによって、第１搬送装置２２上の回路基板Ｃに対してプラズマが照射される。尚、そのプラズマユニットは、転写ピントレイ２０４に収容されている各転写ピンＰに対しても、プラズマを照射してもよい。

　また、上記実施形態では、転写剤として、フラックスＦが用いられているが、フラックスＦに代えて、銀ペースト又は溶融はんだ等が用いられてもよい。

　１０：電子部品装着装置、１００：制御装置、１０８：通信回路、２０２：第１プラズマユニット、２１０：第２搬送装置、２２０：第２プラズマユニット、２３０：メモリ、２３２：データベース、２３４：データテーブル、２３６：第１データテーブル、２３８：第２データテーブル、２４４：サーバ、４００：プラズマユニット移動装置、Ｃ：回路基板、Ｆ：フラックス、Ｐ：転写ピン、Ｓ１０：決定処理、Ｓ１２：検索処理、Ｓ１４：転写ピン照射処理、Ｓ１６：基板照射処理

Claims

　基板に所定の作業を行う対基板作業機であって、
　プラズマを発生するプラズマユニットと、
　条件データが記憶された記憶装置と、
　前記プラズマユニットで前記基板に照射するプラズマの照射量を前記条件データに基づいて調整する制御装置と、を備える対基板作業機。
基板に所定の作業を行う対基板作業機であって、
　プラズマを発生するプラズマユニットと、
　条件データが記憶された外部機器との通信を可能にする通信回路と、
　前記プラズマユニットで前記基板に照射するプラズマの照射量を前記条件データに基づいて調整する制御装置と、を備える対基板作業機。
　前記制御装置は、前記基板に対するプラズマの照射時間によって、前記照射量を調整する請求項１又は請求項２に記載の対基板作業機。
　前記基板を搬送する搬送装置を備え、
　前記制御装置は、前記搬送装置で前記基板を搬送する速度によって、前記照射時間を変化させる請求項３に記載の対基板作業機。
　前記プラズマユニットを移動させる移動装置を備え、
　前記制御装置は、前記移動装置で前記プラズマユニットを移動させる速度によって、前記照射時間を変化させる請求項３に記載の対基板作業機。
　前記基板に転写剤を転写するための転写ピンを備え、
　前記条件データは、前記転写ピンの照射条件と前記基板の照射条件とが表面自由エネルギーに関連付けられたデータテーブルであり、
　前記制御装置は、
　前記転写剤の表面自由エネルギーを介して前記転写ピンの照射条件と前記基板の照射条件とを前記データテーブルから検索する検索処理と、
　前記検索処理で検索された前記転写ピンの照射条件で、前記プラズマユニットからのプラズマを前記転写ピンに照射して、前記転写ピンの表面自由エネルギーを前記転写剤の表面自由エネルギーに近似させる転写ピン照射処理と、
　前記検索処理で検索された前記基板の照射条件で、前記プラズマユニットからのプラズマを前記基板に照射して、前記基板の表面自由エネルギーを前記転写剤の表面自由エネルギーに近似させる基板照射処理と、を実行する請求項１又は請求項２に記載の対基板作業機。
　前記データテーブルは、
　前記転写ピンと前記基板のそれぞれの種類毎に、前記転写ピンの照射条件と前記基板の照射条件とが表面自由エネルギーに関連付けられた第１データテーブルと、
前記転写剤の種類と表面自由エネルギーとが関連付けられた第２データテーブルと、で構成され、
　前記制御装置は、
　前記転写ピン、前記基板、及び前記転写剤のそれぞれの種類が設定されることによって、前記検索処理で使用される表面自由エネルギーを決定する決定処理を実行する請求項６に記載の対基板作業機。