JPS6114640A - フオトマスクの欠陥修正方法及び装置 - Google Patents
フオトマスクの欠陥修正方法及び装置Info
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- JPS6114640A JPS6114640A JP60133144A JP13314485A JPS6114640A JP S6114640 A JPS6114640 A JP S6114640A JP 60133144 A JP60133144 A JP 60133144A JP 13314485 A JP13314485 A JP 13314485A JP S6114640 A JPS6114640 A JP S6114640A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/56—Organic absorbers, e.g. of photo-resists
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- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は７７１１〜マスクの透明と不透明の両方の欠陥
を修正りる装置に関するものである。
を修正りる装置に関するものである。
［従来の技術１
フォトマスク（通常、ソーダ ライム ガラス（ｓｏｄ
ａ、 ｌ ｉｍｅ、ｇｌａｓｓ）又は石英の１−にり［
］−ム又は酸化鉄を蒸着）を製作する工程は、一般的に
幾つかの欠陥を残す。この欠陥は不透明（ｏ ｎ ａ
ｑ ｕ ｃ ） ＪＪものと透明（ｃｌｅａｒ）なもの
とに分けることができる。
ａ、 ｌ ｉｍｅ、ｇｌａｓｓ）又は石英の１−にり［
］−ム又は酸化鉄を蒸着）を製作する工程は、一般的に
幾つかの欠陥を残す。この欠陥は不透明（ｏ ｎ ａ
ｑ ｕ ｃ ） ＪＪものと透明（ｃｌｅａｒ）なもの
とに分けることができる。
すなわち、前者は過剰のり０−ムが所望しない領域に存
在している場合であり、後者はクロームが所望の領域か
ら欠落している場合である。またこれらの欠陥は、通常
の写真食刻工程で、マスクを使用している間にも生じ得
る。
在している場合であり、後者はクロームが所望の領域か
ら欠落している場合である。またこれらの欠陥は、通常
の写真食刻工程で、マスクを使用している間にも生じ得
る。
一般に、レーザー気化により不透明欠陥を修正する（す
なわち、過剰クロームを除去する。）ことは可能である
。透明欠陥の修正はもつと複雑である。
なわち、過剰クロームを除去する。）ことは可能である
。透明欠陥の修正はもつと複雑である。
透明欠陥を修正する従来の方法は、リフト・オフ 処１
１ （ｌ １ｆｔ−ｏＨＤｒＯＣｅＳＳ）ニ’ＩＩＡ
ツテイル。スナワち、フォトレジストのスピニング、金
属のスパッタリング、リフト・オフを伴う工程からなっ
ている。この処理は時間がかかり費用がかかるばかりで
なく、フォトマスク全体が影響を受けるので新しい欠陥
を導入する危険がある。また従来の処理では、例えば直
径２μ■のピンホールの修正のような高分解能は達成す
ることが難しい。
１ （ｌ １ｆｔ−ｏＨＤｒＯＣｅＳＳ）ニ’ＩＩＡ
ツテイル。スナワち、フォトレジストのスピニング、金
属のスパッタリング、リフト・オフを伴う工程からなっ
ている。この処理は時間がかかり費用がかかるばかりで
なく、フォトマスク全体が影響を受けるので新しい欠陥
を導入する危険がある。また従来の処理では、例えば直
径２μ■のピンホールの修正のような高分解能は達成す
ることが難しい。
更に別の処理として、位置特定方法（ｓｉｔｅ−ｓｐｅ
ｃ１ｆｉｃ ｍｅｔｈｏｄ）がある。この方法では、イ
ンクの微小滴が透明欠陥に投与され、次に、接着力を高
めるため、フォトマスク全体がオーブンで焼かれる。
ｃ１ｆｉｃ ｍｅｔｈｏｄ）がある。この方法では、イ
ンクの微小滴が透明欠陥に投与され、次に、接着力を高
めるため、フォトマスク全体がオーブンで焼かれる。
この処理では分解能の点で限界があり、１０μｍ平方よ
り小さい欠陥は通常修正することはできない。
り小さい欠陥は通常修正することはできない。
更に、修正部は耐久性がなく、通常のフォトマスク清浄
処理の間に容易に取れる問題がある。
処理の間に容易に取れる問題がある。
欠陥修正のための他の位置特定方法では、紫外光レーザ
ー（代表的には波長２５７ｍ＋）を採用している。この
方法では、レーザーを金属を担持しているガスと一緒に
用いる。レーザー光は気相の分子を光解離しくすなわち
、分子結合をきる。）、金属微小片はその後表面に衝突
し、ついには薄膜を形成する。
ー（代表的には波長２５７ｍ＋）を採用している。この
方法では、レーザーを金属を担持しているガスと一緒に
用いる。レーザー光は気相の分子を光解離しくすなわち
、分子結合をきる。）、金属微小片はその後表面に衝突
し、ついには薄膜を形成する。
しかしながら、この処理方法を半導体工業で採用するこ
とは困難である。紫外光レーザーは一般に過度に広い場
所を必要とするが、修正が行われるクリーンルームのス
ペースは限られており、また費用もかかるので、このよ
うな修正システムは望ましくない。また、２５７ａｕの
波長で発生しているＸＳり１１ノーリ゛−光は１Ｊ１に
不安定で信頼性が低く、従−）”Ｃ４’ Ｎ’ｒ Ｉ’
３境内で（まこのにうなシステムは望ましりｈｉい７．
まｌこ、必要な紫外線光学素子は手に入れガく、ｒｂ価
である。
とは困難である。紫外光レーザーは一般に過度に広い場
所を必要とするが、修正が行われるクリーンルームのス
ペースは限られており、また費用もかかるので、このよ
うな修正システムは望ましくない。また、２５７ａｕの
波長で発生しているＸＳり１１ノーリ゛−光は１Ｊ１に
不安定で信頼性が低く、従−）”Ｃ４’ Ｎ’ｒ Ｉ’
３境内で（まこのにうなシステムは望ましりｈｉい７．
まｌこ、必要な紫外線光学素子は手に入れガく、ｒｂ価
である。
不透明欠陥修正のための１ノーザーをベースとしたシス
テムぐは、更に幾つかの問題がある。例えばこのシステ
ムでは、レーザー照側領域の下に欠陥部分を位置決めり
るために、機械的な走査移動台に依存している。費用が
高くなるのを避けるため、製造業者は典型的に低分解能
の走査移動台（代表的には位置決めに１０Ｉｔｍのもの
）を採用している。従−）で、更に細かい調整は手作業
で行わねばならず、このことは修正工程を遅延させるこ
とになり １μｍオーダーの小さな欠陥を正確に修正す
ることを非常に困難にしている。
テムぐは、更に幾つかの問題がある。例えばこのシステ
ムでは、レーザー照側領域の下に欠陥部分を位置決めり
るために、機械的な走査移動台に依存している。費用が
高くなるのを避けるため、製造業者は典型的に低分解能
の走査移動台（代表的には位置決めに１０Ｉｔｍのもの
）を採用している。従−）で、更に細かい調整は手作業
で行わねばならず、このことは修正工程を遅延させるこ
とになり １μｍオーダーの小さな欠陥を正確に修正す
ることを非常に困難にしている。
またこのシステムでは、例えば１０ｆ１ｍ平方のような
小領域上を走査する能力がない。従って、このような部
分の過剰のり「ｌ−ムを除去するためには、幾つかの個
別のレーザー修正が必要になる。
小領域上を走査する能力がない。従って、このような部
分の過剰のり「ｌ−ムを除去するためには、幾つかの個
別のレーザー修正が必要になる。
すなわち、クロームが除去されるべき部分は、いくつか
の別個の１程でシー１Ｆ−照ｑ・Ｉ「１１或１・（４移
仙さヒる必要がある。
の別個の１程でシー１Ｆ−照ｑ・Ｉ「１１或１・（４移
仙さヒる必要がある。
［発明の目的１
本発明は、（９束の〕Ａｈママス修ｉＴ−ＪＪ法及び装
置の欠点を解消することをｕ的とηる。本発明のは、フ
ォＩ・マスクの透明おＪ、び不透明の両ブノの欠陥を修
ｉＥ？ｌる低出力レーザーを基本としたしのである。
置の欠点を解消することをｕ的とηる。本発明のは、フ
ォＩ・マスクの透明おＪ、び不透明の両ブノの欠陥を修
ｉＥ？ｌる低出力レーザーを基本としたしのである。
［発明の概要１
本発明は、フォトマスクの透明及び不透明欠陥を低出力
レーザで修正部−るもので、０．４０１１ｍ〜２．０μ
ｍの間の波長を有するレーザ−気化するレーザー光源を
用いる。ビームは］ンピコータによって制御される走査
装訪に供給される。この走査ｆｉ置は、フ４トマスクの
欠陥領域を横切ってビームを走査して欠陥部にミク［１
ンリイズの金属被膜の熱蒸着又は欠陥を被覆ηるポリマ
ーのレーザー誘導分解によって欠陥を修正する。余分な
仝属１．Ｌ ｌノ リ゛−蒸発ＩＪＪ、＆′Ｎノ４トマ
スクの表面から除去さｈる。
レーザで修正部−るもので、０．４０１１ｍ〜２．０μ
ｍの間の波長を有するレーザ−気化するレーザー光源を
用いる。ビームは］ンピコータによって制御される走査
装訪に供給される。この走査ｆｉ置は、フ４トマスクの
欠陥領域を横切ってビームを走査して欠陥部にミク［１
ンリイズの金属被膜の熱蒸着又は欠陥を被覆ηるポリマ
ーのレーザー誘導分解によって欠陥を修正する。余分な
仝属１．Ｌ ｌノ リ゛−蒸発ＩＪＪ、＆′Ｎノ４トマ
スクの表面から除去さｈる。
［発明の構成］
本発明に係４つる装ｒ１は、０４μｍへ・２．０μｍの
間の波長を右するビームを供給するためのレー１Ｆ−）
Ｙ、源と、光学内観１１１１視野内で７４トマスクを検
査ηる光学的手段と、光学的観測視野内で前記フォトマ
スクの欠陥領域を探査する１段と、前記フォトマスクド
に前記レー１ｆ−を集束させる手段と、前記フォトマス
クの所定の領域に前記集束さＵたシー１Ｆ−ビーｌ＼を
Ｉｒ確に位置決めする手段と、前記所定の領域全面に前
記集束させたレーザービームを連続的に走査りる千［９
と、レーザーパワーを調ｖする１段と、１ノーリ゛−パ
ルスの数どパルス幅時間を選択づ−る手段とを備えて１
前記フォトマスク十の透明及び不透明のミクロンリイズ
の両欠陥を肯正するフ、ｌ １−マスクの欠陥肯Ｗ装置
である。
間の波長を右するビームを供給するためのレー１Ｆ−）
Ｙ、源と、光学内観１１１１視野内で７４トマスクを検
査ηる光学的手段と、光学的観測視野内で前記フォトマ
スクの欠陥領域を探査する１段と、前記フォトマスクド
に前記レー１ｆ−を集束させる手段と、前記フォトマス
クの所定の領域に前記集束さＵたシー１Ｆ−ビーｌ＼を
Ｉｒ確に位置決めする手段と、前記所定の領域全面に前
記集束させたレーザービームを連続的に走査りる千［９
と、レーザーパワーを調ｖする１段と、１ノーリ゛−パ
ルスの数どパルス幅時間を選択づ−る手段とを備えて１
前記フォトマスク十の透明及び不透明のミクロンリイズ
の両欠陥を肯正するフ、ｌ １−マスクの欠陥肯Ｗ装置
である。
本発明に係わる方法は、ポリマーでフＡ Ｌ−マスクを
被覆し、レー１ｒ −＞Ｖ 鯨に対して、該レーザー光
源からのビームが前記フ７Ｉｌ−マスクの透明欠陥に集
束されるように前記フォトマスクを位置決めし、前記ポ
リマーを局部加熱して黒色化１ｊるために前記透明欠陥
を横切って前記ビーｌいを走査し、前記ポリマーの黒色
化のレベルを検出して黒色化のレベルを表わす黒色化レ
ベル信８を発生し、前記黒色化レベル信号に応じて前記
レーＩＪ’−ビーノ、のパワーレベルを制御して前記ポ
リマーを褐色化する２００℃〜５００℃の温度まで加熱
し、前記黒色化レベル信号が前記ポリマーの褐色化を承
りと６ｒ１記レーザーのパワーレベルをさらに増大さＵ
て、前記ポリマーの光学的′ｆ５度が少なくとも２．５
に／するまでポリマーを黒色化するために、５００℃Ｊ
、り高温に前記ポリ７−を加熱し、前記ジ−１ｊ−光源
に対して、前記レーザー光源からのビームが前記フォト
マスク上の不透明欠陥に４こ東されるにう前記フォトマ
スクを再酊（◇同法めし、前記不透明欠陥を被覆してい
る）４１−レジスｌ−を除去するためにパワーを調整し
、曲間不透明欠陥を形成している金属を蒸発さ１！るＩ
こめに前記レーザーパワーを＝ ２０− ｍ調整して前記フォトマスクの透明及び不透明欠陥をｅ
ｍｉｒするフォトマスクの欠陥修正方法である。
被覆し、レー１ｒ −＞Ｖ 鯨に対して、該レーザー光
源からのビームが前記フ７Ｉｌ−マスクの透明欠陥に集
束されるように前記フォトマスクを位置決めし、前記ポ
リマーを局部加熱して黒色化１ｊるために前記透明欠陥
を横切って前記ビーｌいを走査し、前記ポリマーの黒色
化のレベルを検出して黒色化のレベルを表わす黒色化レ
ベル信８を発生し、前記黒色化レベル信号に応じて前記
レーＩＪ’−ビーノ、のパワーレベルを制御して前記ポ
リマーを褐色化する２００℃〜５００℃の温度まで加熱
し、前記黒色化レベル信号が前記ポリマーの褐色化を承
りと６ｒ１記レーザーのパワーレベルをさらに増大さＵ
て、前記ポリマーの光学的′ｆ５度が少なくとも２．５
に／するまでポリマーを黒色化するために、５００℃Ｊ
、り高温に前記ポリ７−を加熱し、前記ジ−１ｊ−光源
に対して、前記レーザー光源からのビームが前記フォト
マスク上の不透明欠陥に４こ東されるにう前記フォトマ
スクを再酊（◇同法めし、前記不透明欠陥を被覆してい
る）４１−レジスｌ−を除去するためにパワーを調整し
、曲間不透明欠陥を形成している金属を蒸発さ１！るＩ
こめに前記レーザーパワーを＝ ２０− ｍ調整して前記フォトマスクの透明及び不透明欠陥をｅ
ｍｉｒするフォトマスクの欠陥修正方法である。
［発明の作用］
発明は、０．４０ ｉｔ ７１’１．−２．０１１ ｍ
の間の波長を右１ｊるビームを出力し、その出／ｌレベ
ルが２ワツト以下であるレーザー光源を含む。このレー
ザー光源はフォトマスクの肖正Ｔ稈の間、連続して作動
できるものである。音響光学走査素子は、小さな欠陥を
ｉＴ確にｒ！Ｌｉ’Ｅ ｒきるＪζうに、１ノーザービ
ームを６ｔ Ｆ？決めし、レーザーピーバフ４トマスク
の所定の部分を横切って走査させるためにに設けられて
いる。像を作り集束する光学素子は、走査／位置決め装
Ｐｉの出力に結合されて、フォトマスクを検＾し、ｌ１
ｉｌ Ｉｒ、ｔにフォトマスクの所定の部分にレーザー
ビームを集束さけるために走査／ ｉｃＩ ”Ｉｒ決め
装置の出ツノに結合されている。加えて、本発明では、
検出器で検出される参（正領域を通過したレーザーパワ
ーに１．トサじＣ１１ノー１アービームの強電どパルス
間隔を白ｆＩｌ＋的に制御しうる］ンピ１−タにインタ
一フェースされた音響光学変調器を含む。この−１ンビ
ユータは商業的に１！７られるフォトマスク検査装置に
よって製造されるようなフォトマスク検査装置に適合し
うる。従ってフォトマスク欠陥の（Ｃ７首に関する情報
は、商業的に１！７られる）４１〜マスク検査装置から
コンピュータへ供給されＩ’ｌる。ぞれから、］］ンビ
ー１−は、欠陥を光学観測視野（ｏｐｔｉｃａｌ ｆｉ
ｅｌｄ ｏｆ ｖｉｅｗ ）に移！１Ｊする低分解能の
Ｘ−Ｙ移動装ｒを駆動する。次いで、］ビ７−タは、フ
ォトマスクの欠陥に対してレーザービームを正確に位Ｆ
？決め目つ（又は）フＡ１−マスクＬの定めた領域を走
査するように、走査／（Ｑ胃決め装置を！、ＩＩ ａ
１するＡ−めに用いらねる。欠陥に対１するレーザービ
ーｌ＼の］ンビコータ制御による１つ若決めは、フＡ１
〜マスクの干二りの像の１にΦねられた番８付ｉ−Ｊさ
れ１．：格子によって補助される。
の間の波長を右１ｊるビームを出力し、その出／ｌレベ
ルが２ワツト以下であるレーザー光源を含む。このレー
ザー光源はフォトマスクの肖正Ｔ稈の間、連続して作動
できるものである。音響光学走査素子は、小さな欠陥を
ｉＴ確にｒ！Ｌｉ’Ｅ ｒきるＪζうに、１ノーザービ
ームを６ｔ Ｆ？決めし、レーザーピーバフ４トマスク
の所定の部分を横切って走査させるためにに設けられて
いる。像を作り集束する光学素子は、走査／位置決め装
Ｐｉの出力に結合されて、フォトマスクを検＾し、ｌ１
ｉｌ Ｉｒ、ｔにフォトマスクの所定の部分にレーザー
ビームを集束さけるために走査／ ｉｃＩ ”Ｉｒ決め
装置の出ツノに結合されている。加えて、本発明では、
検出器で検出される参（正領域を通過したレーザーパワ
ーに１．トサじＣ１１ノー１アービームの強電どパルス
間隔を白ｆＩｌ＋的に制御しうる］ンピ１−タにインタ
一フェースされた音響光学変調器を含む。この−１ンビ
ユータは商業的に１！７られるフォトマスク検査装置に
よって製造されるようなフォトマスク検査装置に適合し
うる。従ってフォトマスク欠陥の（Ｃ７首に関する情報
は、商業的に１！７られる）４１〜マスク検査装置から
コンピュータへ供給されＩ’ｌる。ぞれから、］］ンビ
ー１−は、欠陥を光学観測視野（ｏｐｔｉｃａｌ ｆｉ
ｅｌｄ ｏｆ ｖｉｅｗ ）に移！１Ｊする低分解能の
Ｘ−Ｙ移動装ｒを駆動する。次いで、］ビ７−タは、フ
ォトマスクの欠陥に対してレーザービームを正確に位Ｆ
？決め目つ（又は）フＡ１−マスクＬの定めた領域を走
査するように、走査／（Ｑ胃決め装置を！、ＩＩ ａ
１するＡ−めに用いらねる。欠陥に対１するレーザービ
ーｌ＼の］ンビコータ制御による１つ若決めは、フＡ１
〜マスクの干二りの像の１にΦねられた番８付ｉ−Ｊさ
れ１．：格子によって補助される。
本発明は、フＡ１〜マスクを被覆し１＝ノボラツク系ポ
リマーのレーＩＪ”−誘導分１１１／ （ｌａＳｅｒ−
ｉｎｄｌｃｅｄｄｃｇ−ｒａｄａｔｔｏｎ）を利用して
、フＡ１−マスクの透明欠陥を修正１するｌ、二めに０
用いることがで゛さる１゜この方法を実施する場合、本
発明の走査装置は欠陥領域を局部的に加熱するためにフ
ォトマスクの欠陥部分を横切ってシー１ｆ−ビームを走
査して、フＪ ｔ□ママスを被覆したポリマーを黒色化
（ｄａｒｋａｎ）りる。レーｔ＋” −（ｒ）表面パワ
ー（よ、検出器で検出されたにうに、ポリマーの黒色化
レベルを表しており、銭レベルに応じて、］ンピ］−タ
はフォトマスクを被覆しているポリマーを褐色化する２
００℃〜５００℃のあいあだの温度に加熱するため、レ
ーザービーへのパワーレベルをｌ、ＩＩ ＩＴｈ ｉる
。検出器が、ポリマーが十分に褐色化されたことを表示
すると、それに応じて、］ンピコータは、ポリマーを黒
焦げ（Ｃｈａｒ）に又は黒色化する５００℃より高い温
度、して加熱１するために、シー１Ｆ−ビームのパワー
レベルを増大ざける。
リマーのレーＩＪ”−誘導分１１１／ （ｌａＳｅｒ−
ｉｎｄｌｃｅｄｄｃｇ−ｒａｄａｔｔｏｎ）を利用して
、フＡ１−マスクの透明欠陥を修正１するｌ、二めに０
用いることがで゛さる１゜この方法を実施する場合、本
発明の走査装置は欠陥領域を局部的に加熱するためにフ
ォトマスクの欠陥部分を横切ってシー１ｆ−ビームを走
査して、フＪ ｔ□ママスを被覆したポリマーを黒色化
（ｄａｒｋａｎ）りる。レーｔ＋” −（ｒ）表面パワ
ー（よ、検出器で検出されたにうに、ポリマーの黒色化
レベルを表しており、銭レベルに応じて、］ンピ］−タ
はフォトマスクを被覆しているポリマーを褐色化する２
００℃〜５００℃のあいあだの温度に加熱するため、レ
ーザービーへのパワーレベルをｌ、ＩＩ ＩＴｈ ｉる
。検出器が、ポリマーが十分に褐色化されたことを表示
すると、それに応じて、］ンピコータは、ポリマーを黒
焦げ（Ｃｈａｒ）に又は黒色化する５００℃より高い温
度、して加熱１するために、シー１Ｆ−ビームのパワー
レベルを増大ざける。
ま１．：、こ本発明は、ミクロンサイズの金属薄膜又Ｉ
ま被膜の熱蒸ｎ又は被着にＪ：つて、フォトマスクの透
明欠陥を修正するのに用いられる。この方法を実滴りる
ｌこめに、−ノ４１〜マスクは、金属を担持１】るガス
状化合物を含むガス・セル内に配置される。そしてフォ
トマスクに紫外光線を照らして、核形成層がフォトマス
クの表面に形成される。核形成層が形成された後、フォ
トマスクの欠陥表面により低いパワーのレーザービーム
を集束し、フォトマスクのレーザビームが投射された領
域を局部加熱して加熱領域にある金属を担１！１するガ
ス状化合物の分子を熱分解し、ぞの十に金属薄膜を蒸着
する。
ま被膜の熱蒸ｎ又は被着にＪ：つて、フォトマスクの透
明欠陥を修正するのに用いられる。この方法を実滴りる
ｌこめに、−ノ４１〜マスクは、金属を担持１】るガス
状化合物を含むガス・セル内に配置される。そしてフォ
トマスクに紫外光線を照らして、核形成層がフォトマス
クの表面に形成される。核形成層が形成された後、フォ
トマスクの欠陥表面により低いパワーのレーザービーム
を集束し、フォトマスクのレーザビームが投射された領
域を局部加熱して加熱領域にある金属を担１！１するガ
ス状化合物の分子を熱分解し、ぞの十に金属薄膜を蒸着
する。
［実施例１
以下図面を参照して、本発明の詳細な説明する。。
本発明の一実施例のＨｉ２Ｆは、）Ａ１〜マス／／１０
の透明又は不透明欠陥を降圧するもので、フォトマスク
１０は、低分解能のＸ、Ｙ走査台１２にしっかりど取付
（」られている。まｌこ、走査台１２１１低分解能で７
方向に０移動できる。該装置は１ノーザー光源１４を幅
え−Ｃおり、このシー１Ｆ−光Ｋ１１４のパワーレベル
１３１２ワツ１〜以下で、ビーノ、波長は０．４ｔ１ｍ
〜２．（Ｄｚｙｒ＋の波長である。レーげ一光源１４
はヘリウノ、・ンオン又（ま］′ル「ンイＡン１ノー
：’／Ｉ − 一ザーの３１；う４１ガスレ−１Ｆ−である。ま１こ、
ＧａＡｓ又鳴まＧａ＾ρ＾Ｓレーリ゛−のような非常に
］ンバクトイ【特性を右Ｉする固体レー量ｆ−光源も用
いることかできる。
の透明又は不透明欠陥を降圧するもので、フォトマスク
１０は、低分解能のＸ、Ｙ走査台１２にしっかりど取付
（」られている。まｌこ、走査台１２１１低分解能で７
方向に０移動できる。該装置は１ノーザー光源１４を幅
え−Ｃおり、このシー１Ｆ−光Ｋ１１４のパワーレベル
１３１２ワツ１〜以下で、ビーノ、波長は０．４ｔ１ｍ
〜２．（Ｄｚｙｒ＋の波長である。レーげ一光源１４
はヘリウノ、・ンオン又（ま］′ル「ンイＡン１ノー
：’／Ｉ − 一ザーの３１；う４１ガスレ−１Ｆ−である。ま１こ、
ＧａＡｓ又鳴まＧａ＾ρ＾Ｓレーリ゛−のような非常に
］ンバクトイ【特性を右Ｉする固体レー量ｆ−光源も用
いることかできる。
シー１アー光源１４からのレーザービームは変調器兼減
衰器１Ｇに入射される。変調器は音響光学変ｗ４器（ｆ
ｌｃＯｌｌｓｆｏ−ＯｐｔＩＣｉｌｌ １６８（Ｉｌｌ
ｌａｉＯｆ’）で、コンピュータ１８からの制御信号に
応じて、レーザービームのパルス幅を調整するために用
いるものである。また、この変調器は予め定めたパルス
幅の単一レー＋７’−パルスを供給できるシャッターと
しても使用される。好＋ｋ ｌ、い実施例においては、
シャッタースピードは０１秒〜１秒に調整されている。
衰器１Ｇに入射される。変調器は音響光学変ｗ４器（ｆ
ｌｃＯｌｌｓｆｏ−ＯｐｔＩＣｉｌｌ １６８（Ｉｌｌ
ｌａｉＯｆ’）で、コンピュータ１８からの制御信号に
応じて、レーザービームのパルス幅を調整するために用
いるものである。また、この変調器は予め定めたパルス
幅の単一レー＋７’−パルスを供給できるシャッターと
しても使用される。好＋ｋ ｌ、い実施例においては、
シャッタースピードは０１秒〜１秒に調整されている。
減９置は【、ノーリ゛−ビームのパワーレベルの強度を
調節するものである。Ｊ、た、フＪ ｌ”マスクの表面
のレーザービー１８のパワーレベルは、減衰器によって
しｉ、ＩＩ御１」ることができ、この減衰器は表面レー
ザーバワーを０，０１ ミリワラトル１００ミリワツ
１〜まで変化ざｌることができる。この変調器兼減貞；
！１１６どしてｌ−に１−ボート・Ｊレフ１〜ローオブ
ティクス・アンド・インドう・アクシ」ンネ１（Ｎｅｗ
ｐｏｒｔ ［１ｅｃｔｒｏ−Ｏｐｔｉｃｓ ａｎｄ Ｉ
ｎｔｒａ Ａｃｔｉｏｎｌが製造するものを用いること
ができるが、電気光学（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃａ
ｌ ）のような他のクイブの変調器兼減衰器も本発明の
一実施例の装置に用いることができる。
調節するものである。Ｊ、た、フＪ ｌ”マスクの表面
のレーザービー１８のパワーレベルは、減衰器によって
しｉ、ＩＩ御１」ることができ、この減衰器は表面レー
ザーバワーを０，０１ ミリワラトル１００ミリワツ
１〜まで変化ざｌることができる。この変調器兼減貞；
！１１６どしてｌ−に１−ボート・Ｊレフ１〜ローオブ
ティクス・アンド・インドう・アクシ」ンネ１（Ｎｅｗ
ｐｏｒｔ ［１ｅｃｔｒｏ−Ｏｐｔｉｃｓ ａｎｄ Ｉ
ｎｔｒａ Ａｃｔｉｏｎｌが製造するものを用いること
ができるが、電気光学（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃａ
ｌ ）のような他のクイブの変調器兼減衰器も本発明の
一実施例の装置に用いることができる。
変調器兼減衰器１Ｇからのビーム出力は、Ｘ。
Ｙ方向走査７位４決め装置２０に結合されている。
この装置２０は、富響光学的、電気光学的又は機械的走
査４４１Ｍを横切ってレーザービームを連続的に走査し
及び（又は）位置決めさ１！ることができ、またこの小
さｈ領域のどこにでしビームを位置決めできるものであ
る。好ましい走査／ （ｆ／γＩ決め装置も二］−ボー
１へ・エレクトロ−Ａブテイクス・アンド・インドう・
アクシ］ンン１で製造されている。走査／ Ｉ＜／ ”
ｉり）ノシめ駅Ｆｊ ２０からシー１Ｆ−ビーム出力は
、反Ｃ）３器５５を粁由して反射されてｌ’％耐力集束
対物レンズ；〕２へ大川される３、ス・１物レンズ５２
１；Ｌ回折限Ｗのスボットリイ！、１、（・じ−１１を
年中りる。望、１．シい実施の態様において、り・Ｉ物
しンズ−２ｆ１ − ５２は０２以［の間口数（ｎμｍｅｒｉｃａｌ ａｐｏ
ｒｔｌｌｒｅ）と２０ｆｆＳ以１−の培率を右している
。また、対物レンズは作業者による７７１１−マスク１
０の同時観測を容易にしている。フＡ１〜マスク１０は
、反射器５４を経由してフＪ ｌ−マスク１０と対物レ
ンズ５２を通して指向される伝達光光ｆｆ１４６か又は
反射光光源４４野いずれかによって照される。リンプル
とレーザービームは走査台１２の７方向位４（すなわら
、フォトマスク１０ど対物レンズ５２の間隔）を調整η
ることにより、同時に焦点が合せられる３、更に微細な
焦点合Ｕは、対物レンズ５２が戟」！られるｒＩ ？ｔ
ｉ駆ＩＪＩ Ｂ Ｆ？ （ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
ｄｒｉｖｅｒ）５０を：］ンビー１−タ制御すること
にＪ−り行われる。
査４４１Ｍを横切ってレーザービームを連続的に走査し
及び（又は）位置決めさ１！ることができ、またこの小
さｈ領域のどこにでしビームを位置決めできるものであ
る。好ましい走査／ （ｆ／γＩ決め装置も二］−ボー
１へ・エレクトロ−Ａブテイクス・アンド・インドう・
アクシ］ンン１で製造されている。走査／ Ｉ＜／ ”
ｉり）ノシめ駅Ｆｊ ２０からシー１Ｆ−ビーム出力は
、反Ｃ）３器５５を粁由して反射されてｌ’％耐力集束
対物レンズ；〕２へ大川される３、ス・１物レンズ５２
１；Ｌ回折限Ｗのスボットリイ！、１、（・じ−１１を
年中りる。望、１．シい実施の態様において、り・Ｉ物
しンズ−２ｆ１ − ５２は０２以［の間口数（ｎμｍｅｒｉｃａｌ ａｐｏ
ｒｔｌｌｒｅ）と２０ｆｆＳ以１−の培率を右している
。また、対物レンズは作業者による７７１１−マスク１
０の同時観測を容易にしている。フＡ１〜マスク１０は
、反射器５４を経由してフＪ ｌ−マスク１０と対物レ
ンズ５２を通して指向される伝達光光ｆｆ１４６か又は
反射光光源４４野いずれかによって照される。リンプル
とレーザービームは走査台１２の７方向位４（すなわら
、フォトマスク１０ど対物レンズ５２の間隔）を調整η
ることにより、同時に焦点が合せられる３、更に微細な
焦点合Ｕは、対物レンズ５２が戟」！られるｒＩ ？ｔ
ｉ駆ＩＪＩ Ｂ Ｆ？ （ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
ｄｒｉｖｅｒ）５０を：］ンビー１−タ制御すること
にＪ−り行われる。
リン１ルの検査（ｓａｍｐｌＯｖｉｅｗｉｎｇ）及びレ
ーザービームの位ｌｉツ決め（ま反射器５８を経由した
フォトマスクからの）１−をビデオカメラ２２へ人外１
させることにより容易に行われる。次にフォトマスクの
像が［ニラ２４十に形成される。また、モニタ２４１に
中１コ含わされる番Ｂ伺りされたグリッド又に１格了を
右している。この格子はフォトマスク上の１２８μＨｘ
１２１ｔ７ｔｍの領域に対応している。特別なコンピ
ュータシステムを用いることにより、種々の大きさの格
子を使用できる。格子の１１イズはコンピュータのビッ
トリイズに適合して選択される。
ーザービームの位ｌｉツ決め（ま反射器５８を経由した
フォトマスクからの）１−をビデオカメラ２２へ人外１
させることにより容易に行われる。次にフォトマスクの
像が［ニラ２４十に形成される。また、モニタ２４１に
中１コ含わされる番Ｂ伺りされたグリッド又に１格了を
右している。この格子はフォトマスク上の１２８μＨｘ
１２１ｔ７ｔｍの領域に対応している。特別なコンピ
ュータシステムを用いることにより、種々の大きさの格
子を使用できる。格子の１１イズはコンピュータのビッ
トリイズに適合して選択される。
フォトマスク１０が配ｌされる走査台１２は透過性を有
する又（，１〕、１トマスクを通して伝送されるレーザ
ービームが検出器２８へ通過さ１！る開口部２６を右し
Ｃいる。検出器２８は、伝達されるビームに応答しで、
フＪ ｌ・マスク１０の表面のパワー吊を検出ηる１、
検出器２８は表面レーＩＪ’−パワーを表わり信Ｓ１を
］ンビコータ１８に供給し、コンピュータ１８はりえら
れた信８に応じて制御信号を変調器兼減衰器１６に供給
し、以下に述べるようにレーザービームの強度を変える
。 またコンピュータ１８は、フＡ１〜マスク１０に対
するレーザービーム、の１１°／ Ｆｆ決めを利口１１
する。３１１ご、この］コンピュータ８は、フ４トンス
ウ欠陥の（Ｃ／ ｉＭを記憶り゛る商宋的に１１１られ
る）Ａ１・ｌスフ検り装置とも適合１ノつる。、’ｆし
てこのｊ“−タ（ま、欠陥をはぼビームの下に位置決め
するべく走査台１２のＸ方向及びＹ方向への機械的移動
をｌｉｎ御するために、］コンピュータ８によって使用
することができる。従って、フｉ ｌ”マスク検査装置
により独立して１ｑられるデータは、走査台１２を制御
するために使用Ｍ−ることができる。走査台１２の機械
的移動は、レーザービームに対１するフォトマスクの大
まかな位置決めをする６のである。］コンピュータ８は
、まＩご走査／イヒ岡決め装置１１２０を制御して、フ
ＡＩへマスクに対してビームを正確に位置付１ノする。
する又（，１〕、１トマスクを通して伝送されるレーザ
ービームが検出器２８へ通過さ１！る開口部２６を右し
Ｃいる。検出器２８は、伝達されるビームに応答しで、
フＪ ｌ・マスク１０の表面のパワー吊を検出ηる１、
検出器２８は表面レーＩＪ’−パワーを表わり信Ｓ１を
］ンビコータ１８に供給し、コンピュータ１８はりえら
れた信８に応じて制御信号を変調器兼減衰器１６に供給
し、以下に述べるようにレーザービームの強度を変える
。 またコンピュータ１８は、フＡ１〜マスク１０に対
するレーザービーム、の１１°／ Ｆｆ決めを利口１１
する。３１１ご、この］コンピュータ８は、フ４トンス
ウ欠陥の（Ｃ／ ｉＭを記憶り゛る商宋的に１１１られ
る）Ａ１・ｌスフ検り装置とも適合１ノつる。、’ｆし
てこのｊ“−タ（ま、欠陥をはぼビームの下に位置決め
するべく走査台１２のＸ方向及びＹ方向への機械的移動
をｌｉｎ御するために、］コンピュータ８によって使用
することができる。従って、フｉ ｌ”マスク検査装置
により独立して１ｑられるデータは、走査台１２を制御
するために使用Ｍ−ることができる。走査台１２の機械
的移動は、レーザービームに対１するフォトマスクの大
まかな位置決めをする６のである。］コンピュータ８は
、まＩご走査／イヒ岡決め装置１１２０を制御して、フ
ＡＩへマスクに対してビームを正確に位置付１ノする。
フォトマスク十の正確な位置決めは、テレビジョンモニ
タ２４の−にに重ね合わされた番号イ・１１ノされた格
子にＪ、って補助される。そしてモニタ２／ｌ十の格子
から得られる欠陥の座標は、コンピュータ１８に供給さ
れ、コンピュータ１８は走査／位置決め装置２０を制御
し、走査／位置決め装置２０は集束されたレーザービー
ムを欠陥領域に１”確に位ＦＪ決めする。従ってコンピ
ュータ１８により制ＯＩｌされる走査／位置決め装置２
０は、フＡｌ−マλり１０に対してビームの位置決めを
微細に調整することができる。
タ２４の−にに重ね合わされた番号イ・１１ノされた格
子にＪ、って補助される。そしてモニタ２／ｌ十の格子
から得られる欠陥の座標は、コンピュータ１８に供給さ
れ、コンピュータ１８は走査／位置決め装置２０を制御
し、走査／位置決め装置２０は集束されたレーザービー
ムを欠陥領域に１”確に位ＦＪ決めする。従ってコンピ
ュータ１８により制ＯＩｌされる走査／位置決め装置２
０は、フＡｌ−マλり１０に対してビームの位置決めを
微細に調整することができる。
第１図に示す装置は、７７＋ ｔ−マスク１０の上の透
明欠陥をフォトマスクを被覆したポリマーのレーザー誘
起による分解で修正する方法を実施するために用いるこ
とができるものである。この方法を実施するために、フ
ォトマスク１０の表面３０はノボラック系ポリマー、好
ましくはポジ型フＡトレジス１−で被覆されており、２
，０００人・〜、２０，０００人の厚さの被覆層が形成
されている。
明欠陥をフォトマスクを被覆したポリマーのレーザー誘
起による分解で修正する方法を実施するために用いるこ
とができるものである。この方法を実施するために、フ
ォトマスク１０の表面３０はノボラック系ポリマー、好
ましくはポジ型フＡトレジス１−で被覆されており、２
，０００人・〜、２０，０００人の厚さの被覆層が形成
されている。
加熱に応じて黒色化又は焦魚げになり、またフォトマス
クに被覆されたときに十分な付着力を有するものであれ
ばｌｌ＋！のポリマーを使うことができる。また、ポリ
マー被覆はピンホール・フリー（ｐｉｎｈｏｌｅ ｆｒ
ｅｅ）でなければならない。更に、ポリマーの黒色化さ
れていない領域は、フォト７スクを損傷することむく容
易に除ムηることが（・さるものでな【）れば２ｒら４
ｒい９．この方法で使用、＼れる特別なポリマーの別の
要ｆ１は、黒色化され！、二領域が少なくとｔ）２！１
の光学的ｍ度をイｊし、通１：＋、のノ第１〜マスクＦ
ｆ’ｉ浄で・１１われる厳しいｉ♂１浄ＩＪｔ人（、−
自１λ。
クに被覆されたときに十分な付着力を有するものであれ
ばｌｌ＋！のポリマーを使うことができる。また、ポリ
マー被覆はピンホール・フリー（ｐｉｎｈｏｌｅ ｆｒ
ｅｅ）でなければならない。更に、ポリマーの黒色化さ
れていない領域は、フォト７スクを損傷することむく容
易に除ムηることが（・さるものでな【）れば２ｒら４
ｒい９．この方法で使用、＼れる特別なポリマーの別の
要ｆ１は、黒色化され！、二領域が少なくとｔ）２！１
の光学的ｍ度をイｊし、通１：＋、のノ第１〜マスクＦ
ｆ’ｉ浄で・１１われる厳しいｉ♂１浄ＩＪｔ人（、−
自１λ。
１９６ものでな１Ｊればならないことである。
使用されるｍ ｖｉ ｗ＋狸は標準的な処理であり、当
業名に周知の６のである。基本的には、フォトマスクを
回転させているｌＩ；’ｉに、ポリマーをフォトマスク
ｌ−に噴霧して、比較的均一な被覆をフォトマスクの表
面に肖る。フォトマスク１０をポリマーで被覆し／、：
１１１＞、フォ１〜マスクを走査台１２に配置し、走
査ｙ’ ４；／ ’ｉｔ決め装間２０によりフォトマス
クの欠陥部分を横切−）てレーＩＪ”−ビームを走査し
て、ポリン−が褐色化される２００℃〜５００℃の温度
まぐポリマー被覆部を加熱１する。検出器２８はフォト
マスクの表面のシー１フ’−パワーを検出して、レ−ｉ
Ｊ″−パワーを表示する信号を発生し、フォトマスクの
パワー吸収を検出１ノで、ポリマーの黒色化レベル（ｄ
ａｒｌｔｅｎｉｎｏ ｌ０ＶＯＩ）の示麻を発生ηる。
業名に周知の６のである。基本的には、フォトマスクを
回転させているｌＩ；’ｉに、ポリマーをフォトマスク
ｌ−に噴霧して、比較的均一な被覆をフォトマスクの表
面に肖る。フォトマスク１０をポリマーで被覆し／、：
１１１＞、フォ１〜マスクを走査台１２に配置し、走
査ｙ’ ４；／ ’ｉｔ決め装間２０によりフォトマス
クの欠陥部分を横切−）てレーＩＪ”−ビームを走査し
て、ポリン−が褐色化される２００℃〜５００℃の温度
まぐポリマー被覆部を加熱１する。検出器２８はフォト
マスクの表面のシー１フ’−パワーを検出して、レ−ｉ
Ｊ″−パワーを表示する信号を発生し、フォトマスクの
パワー吸収を検出１ノで、ポリマーの黒色化レベル（ｄ
ａｒｌｔｅｎｉｎｏ ｌ０ＶＯＩ）の示麻を発生ηる。
検出器２８からの１．−号出力に応じて］ンピコータ１
８１．１．１ノーリ゛−ビーｌ＼によりポリマー被覆が
適宜に褐「Δ化されｌＪときを）々定し、このような決
定に応じ（変調蒸１６減負蒸１６に供給される制御信号
を１．） リ゛−ビームの強麻を増化さｌるべく変化
させて、更にポリマーを黒色化又１．１思焦げにする５
００℃より高い温石までポリマーを加熱する。
８１．１．１ノーリ゛−ビーｌ＼によりポリマー被覆が
適宜に褐「Δ化されｌＪときを）々定し、このような決
定に応じ（変調蒸１６減負蒸１６に供給される制御信号
を１．） リ゛−ビームの強麻を増化さｌるべく変化
させて、更にポリマーを黒色化又１．１思焦げにする５
００℃より高い温石までポリマーを加熱する。
ポリマーが黒色化された後、ポリマーのレーザービーム
にさらされていない部分は、フォトマスク１０をケ１〜
ンアルー１−ルのような有機溶剤又はアルカリのよう２
７無機溶剤に浸Ｊことにより除去される。好Ｊ、シい実
施例においては、アセトンが溶剤として用いられている
。ポリマーの黒色化された部分は、（１学的に１−分な
変化を受（プている〕こめ、ポリマーの黒色化されてい
イ【い部分に対して比較的不溶解１１と４１っている。
にさらされていない部分は、フォトマスク１０をケ１〜
ンアルー１−ルのような有機溶剤又はアルカリのよう２
７無機溶剤に浸Ｊことにより除去される。好Ｊ、シい実
施例においては、アセトンが溶剤として用いられている
。ポリマーの黒色化された部分は、（１学的に１−分な
変化を受（プている〕こめ、ポリマーの黒色化されてい
イ【い部分に対して比較的不溶解１１と４１っている。
ポリマーの黒色化された部分が比較的不溶解性となるメ
カニズノ、１．１完全には叩解されていないが、黒色化
されＩこポリマーは、溶Ｆｌ’ｌ’ ｌ’ｌを減するＪ
１常に八い炭素比率をイ］していると考えＩ）れでいる
。
カニズノ、１．１完全には叩解されていないが、黒色化
されＩこポリマーは、溶Ｆｌ’ｌ’ ｌ’ｌを減するＪ
１常に八い炭素比率をイ］していると考えＩ）れでいる
。
第１図に示（１装置ｒ１１は、）Ａｌ−マスクにミラ１
１ンサイズの金属薄ＩＩＱν（Ｌ波Ｉｌζ１を熱ＩＡ１
５又（１被？１・することにＪ、す、〕４トンスクの透
明欠陥を！￥、 ＋ｌ Ｉする方法を実施（する１、−
め（、Ｓ用いることＩ）（゛（＼イ）１．この方法を実
施（１６１、−めに、６屈をｌ！Ｉ １．’＋ ＋ｌる
）ｆス状化合物３４が入っているガス・セル３２中に７
−ｔ ｔ−マスク１０を配置りる。このガス・セル３２
は金属製の甲板３６と３８及び透過性を有する窓４０を
右している。窓４０は、例えば、石英で作ることができ
る。また１フオ１〜マスク１０は、金属蒸着が行なわれ
るべきその表面４２が室の内表面を形成するＪ、うにガ
ス・ｌ？ル３２の窓を形成している。
１ンサイズの金属薄ＩＩＱν（Ｌ波Ｉｌζ１を熱ＩＡ１
５又（１被？１・することにＪ、す、〕４トンスクの透
明欠陥を！￥、 ＋ｌ Ｉする方法を実施（する１、−
め（、Ｓ用いることＩ）（゛（＼イ）１．この方法を実
施（１６１、−めに、６屈をｌ！Ｉ １．’＋ ＋ｌる
）ｆス状化合物３４が入っているガス・セル３２中に７
−ｔ ｔ−マスク１０を配置りる。このガス・セル３２
は金属製の甲板３６と３８及び透過性を有する窓４０を
右している。窓４０は、例えば、石英で作ることができ
る。また１フオ１〜マスク１０は、金属蒸着が行なわれ
るべきその表面４２が室の内表面を形成するＪ、うにガ
ス・ｌ？ル３２の窓を形成している。
ガス・１フル３２内にフォトマスク１０を配置した後、
核形成層がフＪ ｌ−マスク−にに形成されてフ７１
ｔ−マスクの表面４２に秤がまかれる。核形成層はフ′
Ａ＋〜マスクの表面４２にあるガス状化合物３４のパー
ツ（ｐａｒｔｓ）の不規ｎｌｌな蒸着（ｒａｎｄｏｍ
ｄｅｐ。
核形成層がフＪ ｌ−マスク−にに形成されてフ７１
ｔ−マスクの表面４２に秤がまかれる。核形成層はフ′
Ａ＋〜マスクの表面４２にあるガス状化合物３４のパー
ツ（ｐａｒｔｓ）の不規ｎｌｌな蒸着（ｒａｎｄｏｍ
ｄｅｐ。
５ｉｔ）であｌ′）、基体表面上に実質的には口に見え
ずまた除去”ｌ （ｎ： ！’ｃ ・−）又は幾つかの
甲一層を形成している。核形成Ｍ ４．１１、紫外光を
窓／１０を通してフＪ ｌ−マスクの表面４２に照らし
、フォトマスク上に金属’Ｌ Ｉ！ｌ ｌＦ＋りる化合
１カ３４のパーツを不規則に蒸１”１することに、１、
す、フォトマスク１０上に形成されろ１゜ 核形成層が形成された後、ガス・［ル３２は走査台１２
上に（ｆ／首決めされる。イして、レーザービームはフ
ォトマスクの欠陥のある表面に集束されて、レーザービ
ームが投！、）１されるフＡ１へマスクの一領域を局部
加熱し、加熱領域の１のガス状化合物３４の分子を熱分
解して、そのトに金属薄膜を蒸着する。金属薄膜は、走
査／位首決め装置２０を制御下にＪ３いて、所望の領域
を横切ってビームを走査することにより、フォトマスク
の所望の領域上に熱蒸着される。
ずまた除去”ｌ （ｎ： ！’ｃ ・−）又は幾つかの
甲一層を形成している。核形成Ｍ ４．１１、紫外光を
窓／１０を通してフＪ ｌ−マスクの表面４２に照らし
、フォトマスク上に金属’Ｌ Ｉ！ｌ ｌＦ＋りる化合
１カ３４のパーツを不規則に蒸１”１することに、１、
す、フォトマスク１０上に形成されろ１゜ 核形成層が形成された後、ガス・［ル３２は走査台１２
上に（ｆ／首決めされる。イして、レーザービームはフ
ォトマスクの欠陥のある表面に集束されて、レーザービ
ームが投！、）１されるフＡ１へマスクの一領域を局部
加熱し、加熱領域の１のガス状化合物３４の分子を熱分
解して、そのトに金属薄膜を蒸着する。金属薄膜は、走
査／位首決め装置２０を制御下にＪ３いて、所望の領域
を横切ってビームを走査することにより、フォトマスク
の所望の領域上に熱蒸着される。
第１図の装量は、フォ１〜マスク１０から不透明欠陥を
除去覆るためにも用いることができる。不透明欠陥（１
なわち、過剰クローム）を除去１するために、］］ンピ
ー１−タ１は疫調器兼減衰器１６を制御して、すでに、
Ｌ ＜知られているように、フｔトマスク１００表面か
ら金属パターンを除去し１１るレベルまぐ、レーザービ
ーフ１のパワーを調整する。それから、走査／位首決め
装Ｆ？ ２０ Ｌｔ、フォトマスクの欠陥部を桟切って
ビームを走査して、不要の金属蓋６を除去する。ま／ｊ
、走査／ ４Ｃ１同法〜 ３／Ｉ − めＲｆＦＹ２０は、クローム除去のために、フォトマス
クの一つの１μｍｎ領域（ａ ｓｉｎｇｌ １μｍ
ａｒｅａ）を選択するのに用いることができる。第１図
の装置では、従来の不透明欠陥修正装圓を次のような理
由で改良している。第１に、酋通し−ＩＪ”−は不連続
ステップ（ｄｉｓｃｒｅｅｔ ５ｔｅｐｓ）で欠陥を横
切って移動しているが、この装置で１，１］ンピ］−全
指令に応じて連続的イ【行路で不透明欠陥部を横切って
シー１アーを走査さ１！ていることである。第２に、従
来技術のシステノ＼においては、フォ１〜マスクがレー
ザーに対して不連続ステップで移動させられていたのに
対し、本発明に係る上記装置ではフォトマスクに対して
レーＩＪ’−を連続的な行路で移動ざ１！でいる。フｓ
Ｉ−マスクに対してレーザーを走査１することにＪ：
す、処理スピードを非常に増大せしめることができる。
除去覆るためにも用いることができる。不透明欠陥（１
なわち、過剰クローム）を除去１するために、］］ンピ
ー１−タ１は疫調器兼減衰器１６を制御して、すでに、
Ｌ ＜知られているように、フｔトマスク１００表面か
ら金属パターンを除去し１１るレベルまぐ、レーザービ
ーフ１のパワーを調整する。それから、走査／位首決め
装Ｆ？ ２０ Ｌｔ、フォトマスクの欠陥部を桟切って
ビームを走査して、不要の金属蓋６を除去する。ま／ｊ
、走査／ ４Ｃ１同法〜 ３／Ｉ − めＲｆＦＹ２０は、クローム除去のために、フォトマス
クの一つの１μｍｎ領域（ａ ｓｉｎｇｌ １μｍ
ａｒｅａ）を選択するのに用いることができる。第１図
の装置では、従来の不透明欠陥修正装圓を次のような理
由で改良している。第１に、酋通し−ＩＪ”−は不連続
ステップ（ｄｉｓｃｒｅｅｔ ５ｔｅｐｓ）で欠陥を横
切って移動しているが、この装置で１，１］ンピ］−全
指令に応じて連続的イ【行路で不透明欠陥部を横切って
シー１アーを走査さ１！ていることである。第２に、従
来技術のシステノ＼においては、フォ１〜マスクがレー
ザーに対して不連続ステップで移動させられていたのに
対し、本発明に係る上記装置ではフォトマスクに対して
レーＩＪ’−を連続的な行路で移動ざ１！でいる。フｓ
Ｉ−マスクに対してレーザーを走査１することにＪ：
す、処理スピードを非常に増大せしめることができる。
本発明によると、不透明部分は矩形状の区域に分割され
、各矩形の各かどの座標はモニタトの格子から決定され
てコンピュータへ１１（給される。そしてコンピュータ
は矩形の全領域が覆われるまでレー１ｊ−を左右に折れ
曲る行路（ｂｏｌＩｓｔｒｏｐｈ（！ｆｌＯｎｉｃ ｐ
ａｔｈ）で自動的に走？ｔりるＪ、うにする。これによ
り矩形内の金属を仝で除去１」る。同じ処理が、不透明
欠陥が修正されるまで、各矩形の領域に対して繰り返さ
れる。レーＩＪ″−がたどる行路は第３図に示す通りで
ある。
、各矩形の各かどの座標はモニタトの格子から決定され
てコンピュータへ１１（給される。そしてコンピュータ
は矩形の全領域が覆われるまでレー１ｊ−を左右に折れ
曲る行路（ｂｏｌＩｓｔｒｏｐｈ（！ｆｌＯｎｉｃ ｐ
ａｔｈ）で自動的に走？ｔりるＪ、うにする。これによ
り矩形内の金属を仝で除去１」る。同じ処理が、不透明
欠陥が修正されるまで、各矩形の領域に対して繰り返さ
れる。レーＩＪ″−がたどる行路は第３図に示す通りで
ある。
レーザーで用いられる走査処理は、レーザーが透明欠陥
を修正するために使われる場合と同じである。不透明及
び透明の両欠陥どもに、−っの処理シーケンスで昨Ｗで
きる。これは−二つの方法のうちの一つの方法で実施で
きる。透明及び不透明の両方の欠陥修正を単−処理で行
う一つの方法は、フォ１〜マスクをノボラック系ポリン
−ｒ被服するこである。そして、不透明欠陥上のポリマ
ーを除去し、その後、不透明欠陥を形成している金属を
蒸発させてしまう方法である。透明及び不透明の両欠陥
を単一リ１理により修正する他の方法は、金属を担持す
るガス状化合物が入っているガス・セル内にフォトマス
クをＦ）Ｆ？することである。次にレーザー光源ノ、を
速用欠陥部に束中し、イの欠陥部に金属が蒸着される。
を修正するために使われる場合と同じである。不透明及
び透明の両欠陥どもに、−っの処理シーケンスで昨Ｗで
きる。これは−二つの方法のうちの一つの方法で実施で
きる。透明及び不透明の両方の欠陥修正を単−処理で行
う一つの方法は、フォ１〜マスクをノボラック系ポリン
−ｒ被服するこである。そして、不透明欠陥上のポリマ
ーを除去し、その後、不透明欠陥を形成している金属を
蒸発させてしまう方法である。透明及び不透明の両欠陥
を単一リ１理により修正する他の方法は、金属を担持す
るガス状化合物が入っているガス・セル内にフォトマス
クをＦ）Ｆ？することである。次にレーザー光源ノ、を
速用欠陥部に束中し、イの欠陥部に金属が蒸着される。
それから、ガス・レルには穴が聞（Ｊられて金属を担持
するガス状化合物が取出される。続いて、レーザーは不
透明欠陥に集束され、不透明欠陥を形成している金属を
蒸発させる。
するガス状化合物が取出される。続いて、レーザーは不
透明欠陥に集束され、不透明欠陥を形成している金属を
蒸発させる。
［発明の効宋］
本発明によれば、筒中４１Ｍ４成で、ツー）ｌ ｔ−マ
スクの透明及び不透明の欠陥を高い分解能で修正するこ
とができる。
スクの透明及び不透明の欠陥を高い分解能で修正するこ
とができる。
第１図は本発明のツーＡ１〜マスク修正装置のブロック
図、第２図は第１図の装置で用いられるガス・セルの横
断面図、第３図は透明又は不透明欠陥を走査するどきの
レーザー路の説明図である。
図、第２図は第１図の装置で用いられるガス・セルの横
断面図、第３図は透明又は不透明欠陥を走査するどきの
レーザー路の説明図である。
Claims (51)
- （１）０．４μｍ〜２．０μｍの間の波長を有するビー
ムを供給するためのレーザー光源と、光学的観測視野内
でフォトマスクを検査する光学的手段と、光学的観測視
野内で前記フォトマスクの欠陥領域を探査する手段と、
前記フォトマスク上に前記レーザーを集束させる手段と
、前記フォトマスクの所定の領域に前記集束させたレー
ザービームを正確に位置決めする手段と、前記所定の領
域全面に前記集束させたレーザービームを連続的に走査
する手段と、レーザーパワーを調整する手段と、レーザ
ーパルスの数とパルス幅時間を選択する手段とを備え、
前記フォトマスク上の透明及び不透明のミクロンサイズ
の両欠陥を修正するフォトマスクの欠陥修正装置。 - （２）前記レーザー光源は固体レーザーである特許請求
の範囲第１項に記載のフォトマスクの欠陥修正装置。 - （３）前記レーザー光源はガスレーザーである特許請求
の範囲第１項に記載のフォトマスクの欠陥修正装置。 - （４）前記光学的手段は、前記フォトマスクの像を作り
出すための高耐力集束対物レンズと、前記対物レンズか
らの像を受けるカメラと、前記カメラの像を表示するモ
ニタとを含んでいる特許請求の範囲第１項に記載のフォ
トマスクの欠陥修正装置。 - （５）前記モニタは前記フォトマスクの欠陥部分と前記
集束させたレーザービームとを視覚表示するようにした
特許請求の範囲第４項に記載のフォトマスクの欠陥修正
装置。 - （６）前記モニタはスクリーンを含み、前記対物レンズ
の観測視野内の前記フォトマスクの任意の部分の絶対的
座標を定めるための手段を供給するために、前記モニタ
スクリーンに重ね合わされて番号付けされた格子をさら
に含む特許請求の範囲第４項に記載のフォトマスクの欠
陥修正装置。 - （７）前記番号付けされた格子は１２８×１２８である
特許請求の範囲第６項に記載のフォトマスクの欠陥修正
装置。 - （８）前記番号付けされた格子は５１２×５１２以下で
ある特許請求の範囲第６項に記載のフォトマスクの欠陥
修正装置。 - （９）前記フォトマスクの照明のために一対の反射光光
源と伝達光光源とをさらに含む特許請求の範囲第１項に
記載のフォトマスクの欠陥修正装置。 - （１０）前記フォトマスクの欠陥部分を光学的観測視野
に引き出すコンピュータ制御の低分解能のＸ、Ｙ方向走
査台をさらに含む特許請求の範囲第１項に記載のフォト
マスクの欠陥修正装置。 - （１１）前記コンピュータは、独立したフォトマスク検
査装置から得られるデータを用いて前記走査台の移動を
制御する特許請求の範囲第１０項に記載のフォトマスク
の欠陥修正装置。 - （１２）前記データは前記フォトマスク上の欠陥の位置
を明確にし、前記コンピュータが前記Ｘ、Ｙ方向走査台
を駆動するために用いられる特許請求の範囲第１１項に
記載のフォトマスクの欠陥修正装置。 - （１３）高耐力対物レンズを通してビームを投射するこ
とにより、フォトマスク上にレーザービームの焦点合せ
を行う高耐力対物レンズをさらに含む特許請求の範囲第
１項に記載のフォトマスクの欠陥修正装置。 - （１４）前記対物レンズは０．２以上の開口数を有する
特許請求の範囲第１項に記載のフォトマスクの欠陥修正
装置。 - （１５）前記対物レンズは２０倍以上の倍率を有する特
許請求の範囲第１項に記載のフォトマスクの欠陥修正装
置。 - （１６）前記フォトマスク上へのレーザービームの集束
を容易にするためのＸ、Ｙ及びＺ方向に調整できる走査
台をさらに含む特許請求の範囲第１３項に記載のフォト
マスクの欠陥修正装置。 - （１７）前記走査台は前記フォトマスクと対物レンズと
の間の間隔を変えるために用いられる特許請求の範囲第
１６項に記載のフォトマスクの欠陥修正装置。 - （１８）前記対物レンズとフォトマスクとの間隔を微細
に制御するために対物レンズを載せた圧電駆動装置をさ
らに含む特許請求の範囲第１３項に記載のフォトマスク
の欠陥修正装置。 - （１９）前記圧電駆動装置を制御するコンピュータをさ
らに含む特許請求の範囲第１８項に記載のフォトマスク
の欠陥修正装置。 - （２０）レーザーを位置決めするためのコンピュータ制
御される走査／位置決め装置をさらに含む特許請求の範
囲第１項に記載のフォトマスクの欠陥修正装置。 - （２１）前記走査／位置決め装置は音響光学的装置であ
る特許請求の範囲第２０項に記載のフォトマスクの欠陥
修正装置。 - （２２）前記走査／位置決め装置は電気光学的装置であ
る特許請求の範囲第２０項に記載のフォトマスクの欠陥
修正装置。 - （２３）前記走査／位置決め装置は機械的装置である特
許請求の範囲第２０項に記載のフォトマスクの欠陥修正
装置。 - （２４）前記走査／位置決め装置を制御して欠陥上に集
束レーザービームを向けるため、前記欠陥部分の座標を
決定して前記コンピュータに供給されるデータを発生さ
せるテレビジョンモニタを含む特許請求の範囲第２０項
に記載のフォトマスクの欠陥修正装置。 - （２５）前記レーザービームを連続的に走査する前記手
段はコンピュータ制御されるレーザー走査装置を含む特
許請求の範囲第１項に記載のフォトマスクの欠陥修正装
置。 - （２６）前記レーザー走査装置は音響光学的なものであ
る特許請求の範囲第２５項に記載のフォトマスクの欠陥
修正装置。 - （２７）前記レーザー走査装置は電気光学的なものであ
る特許請求の範囲第２５項に記載のフォトマスクの欠陥
修正装置。 - （２８）前記レーザー走査装置は前記レーザーを欠陥の
表面を横切って左右に折れ曲る行路で動かす特許請求の
範囲第２５項に記載のフォトマスクの欠陥修正装置。 - （２９）欠陥部分を一又はそれ以上の所定の領域に分割
し、各領域に対し座標を決定するための手段をさらに有
し、該手段はテレビジョンモニタを含み、前記座標はレ
ーザー走査装置を制御する前記コンピュータに供給され
且つ欠陥領域全面に集束レーザービームを連続的に走査
するようにした特許請求の範囲第２５項に記載のフォト
マスクの欠陥修正装置。 - （３０）前記所定の領域は１２８μｍ×１２８μｍの領
域以下である特許請求の範囲第２９項に記載のフォトマ
スクの欠陥修正装置。 - （３１）前記所定の領域は５１２μｍ×５１２μｍの領
域以下である特許請求の範囲第２９項に記載のフォトマ
スクの欠陥修正装置。 - （３２）前記レーザーパワーを調整する前記手段はコン
ピュータ制御の変調器である特許請求の範囲第１項に記
載のフォトマスクの欠陥修正装置。 - （３３）前記変調器は音響光学的なものである特許請求
の範囲第３２項に記載のフォトマスクの欠陥修正装置。 - （３４）前記変調器は電気光学的なものである特許請求
の範囲第３２項に記載のフォトマスクの欠陥修正装置。 - （３５）前記コンピュータ制御はフォトマスクの表面で
レーザーパワーを０．０１ミリワット〜１００ミリワッ
トの間で調整できる特許請求の範囲第３２項に記載のフ
ォトマスクの欠陥修正装置。 - （３６）パルス数とパルス幅が調整可能なレーザーパル
スを発生させるコンピュータ制御の変調器をさらに含む
特許請求の範囲第１項に記載のフォトマスクの欠陥修正
装置。 - （３７）前記変調器は音響光学的なものである特許請求
の範囲第３６項に記載のフォトマスクの欠陥修正装置。 - （３８）前記レーザーパルスのパルス幅は１マイクロ秒
〜１秒の範囲内で選択される特許請求の範囲第３６項に
記載のフォトマスクの欠陥修正装置。 - （３９）ノボラック系ポリマーを被覆したフォトマスク
の欠陥を修正するフォトマスクの欠陥修正装置において
、０．４μｍ〜２．０μｍの間の波長のビームを供給す
るレーザー光源と、前記ポリマーを黒色化するために局
部加熱するように前記ビームをフォトマスクの欠陥領域
を横切って走査する手段と、前記ポリマーの黒色化のレ
ベルを検出して該レベルを表わす黒色化レベル信号を発
生する手段と、前記レーザー光源のパワーを制御するた
めの制御手段と、前記黒色化レベル信号に応答して前記
ポリマーを褐色化する２００℃〜５００℃の温度まで前
記ポリマーを加熱するため前記レーザービームのパワー
レベルを制御する手段とを具備し、前記制御手段は前記
黒色化レベル信号が前記ポリマーの褐色化を示すと、前
記レーザービームの前記パワーレベルを増大させて、光
学的濃度が少なくとも２．５になるようにして前記ポリ
マーを黒色化するために５００℃より高温に前記ポリマ
ーを加熱することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正
装置。 - （４０）金属を担持するガス状化合物を含むガス・セル
内に配置されたフォトマスクの透明欠陥を修正するフォ
トマスクの欠陥修正装置において、０．４μｍ〜２．０
μｍの波長のビームを供給するレーザー光源と、前記レ
ーザー光源に接続されて前記フォトマスクの透明欠陥を
横切って前記ビームを走査し且つ位置決めする走査／位
置決め手段と、前記レーザー光源に結合されて前記フォ
トマスクの前記透明欠陥に前記ビームを位置決めする手
段と、前記走査／位置決め手段に接続され前記ビームを
前記フォトマスクの前記透明欠陥の面上に集束させて前
記レーザービームが投射される基体の領域を局部加熱し
、加熱領域上の前記ガス状化合物を熱分解して該領域上
に金属薄膜を蒸着することを特徴とするフォトマスクの
欠陥修正装置。 - （４１）ミクロンサイズの透明欠陥を修正する第１の手
段と、ミクロンサイズの不透明欠陥を修正する第２の手
段とを備えたフォトマスクの欠陥修正装置。 - （４２）前記第１の手段と第２の手段はレーザーを使用
することにり達成される特許請求の範囲第４１項に記載
のフォトマスクの欠陥修正装置。 - （４３）前記レーザーは０．４μｍ〜２．０μｍの波長
のビームを供給する特許請求の範囲第４２項に記載のフ
ォトマスクの欠陥修正装置。 - （４４）前記フォトマスクを光学観測視野内で検査する
ための光学的手段と、前記光学観測視野内で前記フォト
マスクの欠陥部分を探査するための手段とをさらに含む
特許請求の範囲第４０項に記載のフォトマスクの欠陥修
正装置。 - （４５）所定の領域に集束したレーザービームを連続的
に走査するための手段を含む特許請求の範囲第４４項に
記載のフォトマスクの欠陥修正装置。 - （４６）所定の領域に集束したレーザービームを連続的
に走査するための手段を含む特許請求の範囲第４１項に
記載のフォトマスクの欠陥修正装置。 - （４７）前記フォトマスクの所定の領域に集束したレー
ザービームを正確に位置決めするための手段をさらに含
む特許請求の範囲用第４２項に記載のフォトマスクの欠
陥修正装置。 - （４８）前記レーザーを前記フォトマスク上に回折限界
のスポットサイズに集束するための手段をさらに含む特
許請求の範囲第４２項に記載のフォトマスクの欠陥修正
装置。 - （４９）前記レーザー光源は固体レーザーである特許請
求の範囲第４２項に記載のフォトマスクの欠陥修正装置
。 - （５０）ポリマーでフォトマスクを被覆し、レーザー光
源に対して、該レーザー光源からのビームが前記フォト
マスクの透明欠陥に集束されるように前記フォトマスク
を位置決めし、前記ポリマーを局部加熱して黒色化する
ために前記透明欠陥を横切って前記ビームを走査し、前
記ポリマーの黒色化のレベルを検出して黒色化のレベル
を表わす黒色化レベル信号を発生し、前記黒色化レベル
信号に応じて前記レーザービームのパワーレベルを制御
して前記ポリマーを褐色化する２００℃〜５００℃の温
度まで加熱し、前記黒色化レベル信号が前記ポリマーの
褐色化を示すと前記レーザーのパワーレベルをさらに増
大させて、前記ポリマーの光学的濃度が少なくとも２．
５になるまでポリマーを黒色化するために、５００℃よ
り高温に前記ポリマーを加熱し、前記レーザー光源に対
して、前記レーザー光源からのビームが前記フォトマス
ク上の不透明欠陥に集束されるよう前記フォトマスクを
再度位置決めし、前記不透明欠陥を被覆しているフォト
レジストを除去するためにパワーを調整し、前記不透明
欠陥を形成している金属を蒸発させるために前記レーザ
ーパワーを再調整して前記フォトマスクの透明及び不透
明欠陥を修正するフォトマスクの欠陥修正方法。 - （５１）金属を担持するガス状化合物を含むガス・セル
内に配置されたフォトマスクの透明及び不透明欠陥を修
正するフォトマスクの欠陥修正装置において、０．４μ
ｍ〜２．０μｍの波長のレーザービームを供給するレー
ザー光源と、該レーザー光源に接続されてフォトマスク
の透明欠陥を横切って前記ビームを走査し且つ位置決め
する走査／位置決め手段と、前記レーザー光源に接続さ
れて前記フォトマスクの透明欠陥に前記ビームを位置決
めする手段と、前記走査／位置決め手段に接続されて前
記ビームを前記フォトマスクの前記透明欠陥に集束させ
て前記レーザービームが投射される基体の領域を局部加
熱し、加熱領域上で前記ガス状化合物を熱分解し、該領
域上に金属薄膜を蒸着する手段と、前記ガス状化合物が
入っている前記ガス・セルから前記ガス状化合物を除去
するために前記ガス・セルに穴をあけるための手段と、
前記フォトマスクの不透明欠陥を横切って前記レーザー
ビームを走査し且つ位置決めして不透明欠陥となってい
る金属を蒸発させるための手段を具備してなるフォトマ
スクの欠陥修正装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| US622368 | 1984-06-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6114640A true JPS6114640A (ja) | 1986-01-22 |
Family
ID=24493929
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JPS6114640A (ja) |
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